具有補(bǔ)充電容性耦合節(jié)點(diǎn)的圖像傳感器和其操作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及圖像傳感器和操作圖像傳感器的方法，所述圖像傳感器包含像素陣列、位線、補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線及補(bǔ)充電容電路。所述像素陣列包含多個(gè)像素單元，每一像素單元包含浮動(dòng)擴(kuò)散“FD”節(jié)點(diǎn)及經(jīng)耦合以選擇性地將圖像電荷傳送到所述FD節(jié)點(diǎn)的光敏元件。所述位線經(jīng)耦合以選擇性地傳導(dǎo)從所述像素單元的第一群組輸出的圖像數(shù)據(jù)。所述補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線耦合到所述像素單元的第二群組的所述FD節(jié)點(diǎn)以響應(yīng)于控制信號(hào)而選擇性地將補(bǔ)充電容耦合到所述第二群組的所述FD節(jié)點(diǎn)。在各種實(shí)施例中，所述第一及第二像素單元群組可為所述像素單元的同一群組或不同群組且可添加電容性升壓特征或多重轉(zhuǎn)換增益特征。
【專利說(shuō)明】具有補(bǔ)充電容性耦合節(jié)點(diǎn)的圖像傳感器和其操作方法
[0001] 分案申請(qǐng)的相關(guān)信息
[0002] 本申請(qǐng)為申請(qǐng)?zhí)枮?01110433598. X、申請(qǐng)日為2011年12月16日、發(fā)明名稱為"具 有補(bǔ)充電容性耦合節(jié)點(diǎn)的圖像傳感器"的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
[0003] 本申請(qǐng)案主張2010年12月17日申請(qǐng)的題為"具有補(bǔ)充電容性耦合節(jié)點(diǎn)的圖像傳 感器（IMAGE SENSOR HAVING SUPPLEMENTAL CAPACITIVE COUPLING NODE) "的第 12/972, 188 號(hào)美國(guó)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0004] 本發(fā)明一般來(lái)說(shuō)涉及圖像傳感器，且明確地說(shuō)（但非排他地）涉及互補(bǔ)金屬氧化 物半導(dǎo)體（"CMOS"）圖像傳感器。

【背景技術(shù)】
[0005] 圖像傳感器已變得普遍存在。其廣泛用于數(shù)碼靜物相機(jī)、蜂窩式電話、安全相機(jī) 以及醫(yī)學(xué)、汽車及其它應(yīng)用中。用以制造圖像傳感器且明確地說(shuō)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 ("CMOS"）圖像傳感器（"CIS"）的技術(shù)已不斷快速地發(fā)展。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)較高分辨率及較 低電力消耗的需求已促進(jìn)了這些圖像傳感器的進(jìn)一步小型化及集成。
[0006] 圖1是圖解說(shuō)明圖像傳感器陣列內(nèi)的兩個(gè)四晶體管（"4T"）像素單元Pa及Pb (統(tǒng) 稱為像素單元1〇〇)的像素電路的電路圖。像素單元Pa及Pb布置于兩行及一列中且對(duì)單 一讀出列線進(jìn)行分時(shí)。每一像素單元100包含光電二極管ro、傳送晶體管T1、復(fù)位晶體管 T2、源極跟隨器（"SF"）或放大器（"AMP"）晶體管T3及行選擇（"RS"）晶體管T4。
[0007] 在操作期間，傳送晶體管T1接收傳送信號(hào)TX，所述傳送信號(hào)將光電二極管ro中所 積累的電荷傳送到浮動(dòng)擴(kuò)散（FD)節(jié)點(diǎn)。復(fù)位晶體管T2耦合于電源軌VDD與所述FD節(jié)點(diǎn) 之間以在復(fù)位信號(hào)RST的控制下對(duì)像素進(jìn)行復(fù)位（例如，將所述FD及所述ro放電或充電 到預(yù)設(shè)電壓）。所述FD節(jié)點(diǎn)經(jīng)耦合以控制AMP晶體管T3的柵極。AMP晶體管T3耦合于電 源軌VDD與RS晶體管T4之間。AMP晶體管T3作為提供到所述FD節(jié)點(diǎn)的高阻抗連接的源 極跟隨器操作。最后，RS晶體管T4在信號(hào)RS的控制下選擇性地將像素電路的輸出耦合到 所述讀出列線。
[0008] 在正常操作中，通過(guò)暫時(shí)斷言復(fù)位信號(hào)RST及傳送信號(hào)TX來(lái)對(duì)光電二極管ro及 FD節(jié)點(diǎn)進(jìn)行復(fù)位。通過(guò)解除斷言所述傳送信號(hào)TX且準(zhǔn)許入射光來(lái)給光電二極管ro充電而 開(kāi)始圖像積累窗（曝光周期）。隨著光生電子在光電二極管ro上積累，所述光電二極管的 電壓降低（電子是負(fù)電荷載流子）。光電二極管ro上的電壓或電荷指示在所述曝光周期 期間入射于光電二極管ro上的光的強(qiáng)度。在所述曝光周期結(jié)束時(shí)，解除斷言復(fù)位信號(hào)rst 以隔離FD節(jié)點(diǎn)，且斷言傳送信號(hào)TX以將所述光電二極管耦合到所述FD節(jié)點(diǎn)且因此耦合到 AMP晶體管T3的柵極。電荷傳送致使FD節(jié)點(diǎn)的電壓下降與所述曝光周期期間在光電二極 管ro上所積累的光生電子成比例的量。此第二電壓偏置AMP晶體管T3,當(dāng)在RS晶體管T4 上斷言信號(hào)RS時(shí)，所述AMP晶體管T3耦合到所述讀出列線。
[0009] 像素單元100的轉(zhuǎn)換增益定義為電荷傳送之后FD節(jié)點(diǎn)處的電壓的改變與傳送到 FD節(jié)點(diǎn)的電荷的改變的比率（R)。轉(zhuǎn)換增益（R)與FD節(jié)點(diǎn)的電容成反比。高轉(zhuǎn)換增益R 可有益于改進(jìn)低光靈敏性。對(duì)于傳統(tǒng)圖像傳感器來(lái)說(shuō)，可通過(guò)減小FD節(jié)點(diǎn)的電容來(lái)增加轉(zhuǎn) 換增益。然而，隨著像素單元的大小不斷縮小，明亮環(huán)境下的像素飽和或曝光過(guò)度正變得更 加嚴(yán)重。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種圖像傳感器。所述傳感器包括以下組件：像素陣列， 其包含多個(gè)像素單元，每一像素單元包含：浮動(dòng)擴(kuò)散"FD"節(jié)點(diǎn)；及光敏元件，其經(jīng)耦合以選 擇性地將圖像電荷傳送到所述FD節(jié)點(diǎn)；位線，其經(jīng)耦合以選擇性地傳導(dǎo)從所述像素單元的 第一群組輸出的圖像數(shù)據(jù)；取樣與保持電路，其經(jīng)耦合到所述位線以從所述第一群組的所 述像素單元中的每一者中取樣和保持所述圖像數(shù)據(jù)；第一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線，其耦合到所述 像素單元的不同于所述第一群組的第二群組的所述FD節(jié)點(diǎn)；及控制電路，其耦合到所述第 一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線以選擇性地在所述第一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線上斷言FD升壓信號(hào)以選擇性地 增加所述第二群組的所述像素單元中的每一者的所述FD節(jié)點(diǎn)處的電位。
[0011] 本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及一種操作圖像傳感器的方法。該方法包括以下步驟：使 用光敏元件在用于捕獲圖像的多個(gè)像素單元的像素陣列中的第一像素單元內(nèi)捕獲圖像電 荷；將所述圖像電荷傳送到所述第一像素單元內(nèi)的浮動(dòng)擴(kuò)散"FD"節(jié)點(diǎn)；在耦合到所述多個(gè) 像素單元的位線上輸出圖像數(shù)據(jù)，所述圖像數(shù)據(jù)是基于傳送到所述FD節(jié)點(diǎn)的所述圖像電 荷；及將升壓信號(hào)斷言到耦合到所述第一像素單元的所述FD節(jié)點(diǎn)的FD升壓電容，通過(guò)：對(duì) 于所述第一像素單元的每個(gè)取樣周期，在復(fù)位所述FD節(jié)點(diǎn)后及在使用耦合到所述位線的 取樣與保持電容在所述位線上取樣所述圖像數(shù)據(jù)前，斷言所述升壓信號(hào)。。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012] 參考以下各圖描述本發(fā)明的非限制性及非窮盡性實(shí)施例，其中除非另有說(shuō)明，否 則貫穿各個(gè)視圖的相似參考編號(hào)指代相似部件。
[0013] 圖1(現(xiàn)有技術(shù)）是圖解說(shuō)明圖像傳感器陣列內(nèi)的兩個(gè)常規(guī)像素單元的電路圖。
[0014] 圖2是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的成像系統(tǒng)的框圖。
[0015] 圖3是圖解說(shuō)明圖像傳感器陣列內(nèi)的具有雙重轉(zhuǎn)換增益的兩個(gè)像素單元的電路 圖。
[0016] 圖4是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖像傳感器陣列內(nèi)的具有雙重轉(zhuǎn)換增益 的兩個(gè)像素單元的電路圖。
[0017] 圖5是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖像傳感器陣列內(nèi)的具有雙重轉(zhuǎn)換增益 的兩個(gè)像素單元的電路圖。
[0018] 圖6A是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例用于增加全阱容量及減小圖像滯后的耦合 到一行像素單元的FD升壓電路的功能性框圖。
[0019] 圖6B圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的FD升壓補(bǔ)充電容的逐行耦合及多重轉(zhuǎn)換增 益補(bǔ)充電容的逐列耦合。
[0020] 圖6C圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例從光電二極管到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的未導(dǎo)致電荷 共享的電荷傳送。
[0021] 圖6D圖解說(shuō)明從光電二極管到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的導(dǎo)致電荷共享的電荷傳送，所述 電荷共享致使圖像滯后。
[0022] 圖7是在不具有FD升壓電路的像素單元的操作期間的控制信號(hào)的時(shí)序圖，且圖解 說(shuō)明由于復(fù)位柵極關(guān)斷及傳送柵極導(dǎo)通所致的電容性耦合的效應(yīng)。
[0023] 圖8A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在包含F(xiàn)D升壓電路的像素單元的操作期間的控制信 號(hào)的時(shí)序圖。
[0024] 圖8B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在包含F(xiàn)D升壓電路的像素單元的替代操作模式期間 的控制信號(hào)的時(shí)序圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025] 本文中描述包含補(bǔ)充電容性耦合節(jié)點(diǎn)的CMOS圖像傳感器的實(shí)施例。在以下說(shuō)明 中，描述了眾多特定細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的透徹理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員 將認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可在不具有所述特定細(xì)節(jié)中的一者或一者以上的情況下實(shí)踐或者可借助 其它方法、組件、材料等來(lái)實(shí)踐。在其它實(shí)例中，未詳細(xì)展示或描述眾所周知的結(jié)構(gòu)、材料或 操作，但所述結(jié)構(gòu)、材料或操作仍囊括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0026] 本說(shuō)明書(shū)通篇所提及的"一個(gè)實(shí)施例"或"一實(shí)施例"意指結(jié)合所述實(shí)施例所描述 的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在本說(shuō)明書(shū)通篇的各處 出現(xiàn)的短語(yǔ)"在一個(gè)實(shí)施例中"或"在一實(shí)施例中"未必全部指代同一實(shí)施例。此外，所述 特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任何適合的方式組合于一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例中。參考正描述 的圖的定向使用例如"頂部"、"底部"、"下方"等方向性術(shù)語(yǔ)。
[0027] 圖2是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的成像系統(tǒng)200的框圖。成像系統(tǒng)200的所 圖解說(shuō)明實(shí)施例包含像素陣列205、讀出電路210、功能邏輯215及控制電路220。
[0028] 像素陣列205是圖像傳感器單元或像素單元（例如，像素 P1、P2、…、Pn)的二維 ("2D"）陣列。在一個(gè)實(shí)施例中，每一像素為一互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（"CMOS"）成像像 素。像素陣列205可實(shí)施為前側(cè)照明式圖像傳感器或背側(cè)照明式圖像傳感器。如所圖解說(shuō) 明，每一像素布置到一行（例如，行R1到Ry)及一列（例如，列C1到Cx)中以獲取人、地方 或?qū)ο蟮膱D像數(shù)據(jù)，接著可使用所述圖像數(shù)據(jù)來(lái)再現(xiàn)所述人、地方或?qū)ο蟮膱D像。
[0029] 在每一像素已獲取其圖像數(shù)據(jù)或圖像電荷之后，所述圖像數(shù)據(jù)由讀出電路210讀 出并傳送到功能邏輯215。讀出電路210可包含放大電路、模/數(shù)（"ADC"）轉(zhuǎn)換電路或其 它。功能邏輯215可簡(jiǎn)單地存儲(chǔ)所述圖像數(shù)據(jù)或甚至通過(guò)應(yīng)用后圖像效應(yīng)（例如，修剪、旋 轉(zhuǎn)、移除紅眼、調(diào)整亮度、調(diào)整對(duì)比度或其它）來(lái)操縱所述圖像數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，讀出 電路210可沿讀出列線（圖解說(shuō)明為類屬位線）一次讀出一行圖像數(shù)據(jù)或可使用多種其它 技術(shù)（未圖解說(shuō)明）讀出所述圖像數(shù)據(jù)，例如串行讀出、沿讀出行線的列讀出或所有像素的 同時(shí)全并行讀出。
[0030] 控制電路220耦合到像素陣列205且包含用于控制像素陣列205的操作特性的邏 輯。舉例來(lái)說(shuō)，如下文所論述，控制電路220可產(chǎn)生復(fù)位、行選擇及傳送信號(hào)。另外，如下文 所論述，控制電路220還可產(chǎn)生雙重轉(zhuǎn)換增益信號(hào)或FD升壓信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，控制 電路220可包含用以測(cè)量撞擊于像素陣列205上的光的強(qiáng)度并相應(yīng)地調(diào)整控制信號(hào)的光敏 電路。
[0031] 典型4T像素架構(gòu)包含沿導(dǎo)電線以各種方式連接到控制電路220或讀出電路210 的各種端子（例如，傳送柵極、復(fù)位柵極、復(fù)位漏極、源極跟隨器漏極、行選擇漏極、行選擇 柵極及位線輸出）。這些端子中的一些端子通過(guò)逐行延續(xù)的導(dǎo)電線連接（例如，傳送柵極、 復(fù)位柵極、行選擇），一些端子通過(guò)逐列延續(xù)的導(dǎo)電線連接（例如，位線輸出），而又一些端 子可通過(guò)沿行或列方向或者甚至沿一柵格圖案延續(xù)的導(dǎo)電線連接（例如，復(fù)位漏極、源極 跟隨器漏極、行選擇裝置）。因此，存在沿各種方向或圖案延續(xù)的若干個(gè)導(dǎo)電線。如下文所 論述，這些導(dǎo)電線以及沿類似路徑選路的額外線可用來(lái)將補(bǔ)充電容耦合到像素陣列205內(nèi) 的每一像素的像素電路中以提供多重轉(zhuǎn)換增益及/或FD升壓電容特征。
[0032] 高轉(zhuǎn)換增益可有利于在低光條件下操作的CMOS圖像傳感器，這是因?yàn)樵鲆媸窃?信號(hào)鏈的最早階段處施加，此產(chǎn)生低讀取噪聲。然而，對(duì)于固定的模/數(shù)轉(zhuǎn)換范圍來(lái)說(shuō)，較 高轉(zhuǎn)換增益通常伴隨有較低的全阱容量。當(dāng)光子散粒噪聲是主要的噪聲源時(shí)，在高光條件 下，此會(huì)導(dǎo)致較低信噪比。雙重轉(zhuǎn)換增益CMOS圖像傳感器具有高光環(huán)境下的高全阱容量 (因此較高信噪比）及低光環(huán)境下的較低讀取噪聲的優(yōu)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，控制電路確定 撞擊于像素陣列205上的光的亮度值，且如果確定存在高光條件，則通過(guò)經(jīng)由控制信號(hào)的 適當(dāng)斷言將補(bǔ)充電容解耦來(lái)減小像素陣列205的轉(zhuǎn)換增益。如果確定存在低光條件，則通 過(guò)經(jīng)由控制信號(hào)的適當(dāng)斷言耦合補(bǔ)充電容來(lái)增加像素陣列205的轉(zhuǎn)換增益。
[0033] 圖3是圖解說(shuō)明包含雙重轉(zhuǎn)換增益特征的像素陣列內(nèi)的兩個(gè)四晶體管（"4T"）像 素的像素電路300的電路圖。像素電路300是用于實(shí)施圖2的像素陣列205內(nèi)的每一像素 的一個(gè)可能像素電路架構(gòu)。然而，應(yīng)了解，本文中所揭示的教示內(nèi)容并不限于4T像素架構(gòu)； 而是，受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解本發(fā)明教示內(nèi)容還適用于各種其它像素 架構(gòu)。
[0034] 在圖3中，像素單元P1及P2布置于兩行及一列中。像素單元P1及P2類似于圖1 的像素 Pa及Pb地操作，但每一像素單元包含耦合到FD節(jié)點(diǎn)的雙重轉(zhuǎn)換增益（"DCG"）電 路340。DCG電路340的所圖解說(shuō)明實(shí)施例包含串聯(lián)耦合于FD節(jié)點(diǎn)與電壓軌（例如，VDD、 GND或其它）之間的補(bǔ)充電容器316及控制晶體管318。通過(guò)在信號(hào)DCG的控制下接通或切 斷控制晶體管118,可選擇性地補(bǔ)充節(jié)點(diǎn)FD的電容（例如，增加超過(guò)FD節(jié)點(diǎn)的固有電容）， 借此改變像素單元P1及P2的轉(zhuǎn)換增益。
[0035] 因此，通過(guò)在像素陣列205的每一像素單元內(nèi)添加補(bǔ)充電容器316及控制晶體管 318來(lái)實(shí)現(xiàn)圖3的雙重轉(zhuǎn)換增益解決方案?？苫谧詣?dòng)曝光控制全域地導(dǎo)通或關(guān)斷控制晶 體管318以將補(bǔ)充電容器316與節(jié)點(diǎn)FD連接或斷開(kāi)，借此實(shí)現(xiàn)雙重轉(zhuǎn)換增益。然而，電容 器及控制晶體管兩者均占用硅空間且減小光電二極管ro的填充因數(shù)。對(duì)于小像素大小的 成像器來(lái)說(shuō)，此可成問(wèn)題。
[0036] 圖4是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的包含雙重轉(zhuǎn)換增益特征的圖像傳感器400 的一部分的電路圖。圖像傳感器400的所圖解說(shuō)明部分包含給定列內(nèi)的兩個(gè)像素單元410、 取樣與保持電路420、位線430、雙重轉(zhuǎn)換增益電路440及補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450。每一像素單 元410表示圖2中所圖解說(shuō)明的像素單元P1到PN的一個(gè)可能實(shí)施方案。
[0037] 在所圖解說(shuō)明的實(shí)施例中，每一像素單元410包含光電二極管411、傳送晶體管 412、SF晶體管413、RS晶體管414、復(fù)位晶體管415、補(bǔ)充電容器416及FD節(jié)點(diǎn)417。行選 擇晶體管414耦合于SF晶體管413與像素單元410的第一輸出之間。像素單元410的第 一輸出經(jīng)由位線430耦合到取樣與保持電路420。補(bǔ)充電容器416可表示耦合到FD節(jié)點(diǎn) 417的額外物理電容器，或者可簡(jiǎn)單地表示與FD節(jié)點(diǎn)417相關(guān)聯(lián)的固有電容。盡管圖4圖 解說(shuō)明了 4T像素架構(gòu)，但應(yīng)了解，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于4T像素架構(gòu)，而且還適用于各 種其它像素架構(gòu)。
[0038] 可將補(bǔ)充電容器416制作為金屬板電容器、晶體管電容器或其它。補(bǔ)充電容器416 的第一端子耦合到FD節(jié)點(diǎn)417,補(bǔ)充電容器416的第二端子（其也為像素單元410的第二輸 出）耦合到補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450。一列中的每一像素單元410中的補(bǔ)充電容器416的第二 端子耦合到同一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450。補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450耦合到雙重轉(zhuǎn)換增益電路440。 在所圖解說(shuō)明的實(shí)施例中，雙重轉(zhuǎn)換增益電路440包含耦合于補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450與參考 電壓軌（例如，接地）之間且在信號(hào)DCG的控制下的晶體管441 (例如，PM0S晶體管）。在 所圖解說(shuō)明的實(shí)施例中，控制信號(hào)DCG還控制將補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450耦合到位線430的晶 體管442 (例如，NM0S晶體管）。
[0039] 補(bǔ)充電容器416具有CDra的電容。當(dāng)補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450耦合到接地時(shí)，補(bǔ)充電 容器416對(duì)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)417的貢獻(xiàn)為C Da;。當(dāng)補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450經(jīng)由晶體管442耦合 到位線430時(shí)，補(bǔ)充電容器416對(duì)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)417的貢獻(xiàn)為C Da;(l-A)，其中A為源極跟隨 器晶體管413的增益。對(duì)于0. 9的典型源極跟隨器增益來(lái)說(shuō)，反饋電容為0. lCDa;。舉例來(lái) 說(shuō)，如果浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)417 (不包含補(bǔ)充電容器416)處的電容為IfF且補(bǔ)充電容器416具 有0. 5fF的電容，則當(dāng)補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450耦合到接地時(shí)，由于電容的添加，因此FD節(jié)點(diǎn)處 的總電容為1.5fF。當(dāng)補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450耦合到位線430時(shí)，由于補(bǔ)充電容器416根據(jù) CDa;(l-A)將電容貢獻(xiàn)給FD節(jié)點(diǎn)，因此FD節(jié)點(diǎn)417處的總電容為1. 05fF。
[0040] 圖5是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的包含雙重轉(zhuǎn)換增益特征的圖像傳感器500 的一部分的電路圖。除對(duì)雙重轉(zhuǎn)換增益電路540的修改之外，圖像傳感器500的所圖解說(shuō) 明部分類似于圖像傳感器400。雙重轉(zhuǎn)換增益電路540的所圖解說(shuō)明實(shí)施例包含：晶體管 542 (例如，NM0S晶體管），其具有耦合于補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450與位線430之間的溝道；晶體 管541 (例如，PM0S晶體管），其具有耦合于補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450與雙重轉(zhuǎn)換增益放大器543 的輸出之間的溝道。雙重轉(zhuǎn)換增益放大器543的輸入耦合到位線430。
[0041] 在此實(shí)施例中，當(dāng)補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450經(jīng)由晶體管542耦合到位線430時(shí)，補(bǔ)充電 容器416對(duì)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)417的貢獻(xiàn)為C Da;(l-A)，其中A為SF晶體管413的增益。當(dāng)補(bǔ)充 電容節(jié)點(diǎn)線450經(jīng)由晶體管541及雙重轉(zhuǎn)換增益放大器543耦合到位線430時(shí)，反饋電容 為C Da;(l-G)，其中G為雙重轉(zhuǎn)換增益放大器543的增益。如果雙重轉(zhuǎn)換增益放大器543的 增益為-G，則反饋電容將為C Da;(l+G)。在不增加補(bǔ)充電容器416的物理尺寸的情況下便可 獲得較高反饋電容。
[0042] 還可實(shí)施DCG電路440及540的各種組合/重復(fù)，從而產(chǎn)生多重轉(zhuǎn)換增益。如此， 本說(shuō)明書(shū)通篇所提及的"雙重"轉(zhuǎn)換增益或DCG可一般地稱為多重轉(zhuǎn)換增益（"MCG"）以指 代兩個(gè)或兩個(gè)以上轉(zhuǎn)換增益實(shí)施例。因此，術(shù)語(yǔ)MCG電路可用來(lái)指代能夠?qū)嵤﹥蓚€(gè)或兩個(gè) 以上轉(zhuǎn)換增益的轉(zhuǎn)換增益電路。
[0043] 本發(fā)明的實(shí)施例適用于前側(cè)照明式及背側(cè)照明式圖像傳感器兩者，但背側(cè)照明式 圖像傳感器中的較少限制使本發(fā)明較容易實(shí)施。本發(fā)明的實(shí)施例適用于其中多個(gè)光電二極 管及傳送晶體管共享一浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的像素電路。在共享像素的這些情況下，由于難以設(shè) 計(jì)完全對(duì)稱的浮動(dòng)擴(kuò)散耦合電容，因此多重轉(zhuǎn)換增益特征可為有用的。
[0044] 盡管圖4及圖5圖解說(shuō)明了耦合到像素陣列205的給定列內(nèi)的像素且由所述像素 共享的單一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450及單一位線430,但應(yīng)了解，其它配置是可能的。而是，補(bǔ)充 電容節(jié)點(diǎn)線450及位線430可鏈接到像素陣列205內(nèi)的任何像素群組或圖案且可由所述像 素群組或圖案共享；然而，補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450及位線430通常將耦合到同一像素群組或圖 案。舉例來(lái)說(shuō)，補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線450及位線430可耦合到像素陣列205內(nèi)的一像素列（列 讀出）、一像素行（行讀出）、任何任意像素線或定制像素圖案（例如，柵格圖案）。
[0045] 一般來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的實(shí)施例涵蓋用于多種應(yīng)用的補(bǔ)充電容到FD節(jié)點(diǎn)417的選擇性 耦合。如上文所論述，可將補(bǔ)充電容添加到FD節(jié)點(diǎn)417以實(shí)施多重轉(zhuǎn)換增益特征。然而， 補(bǔ)充電容還可在像素陣列205的操作期間以特定定時(shí)選擇性地耦合到FD節(jié)點(diǎn)417以提供 FD電容性升壓，此增加像素的全阱容量同時(shí)也減小圖像滯后。圖6A是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明 一實(shí)施例用于在逐行基礎(chǔ)上用補(bǔ)充電容以電容方式選擇性地使FD節(jié)點(diǎn)417的電位升壓的 實(shí)例性架構(gòu)的功能性框圖。如下文結(jié)合圖8A及圖8B的時(shí)序圖所論述，所述電位升壓可經(jīng) 由在成像循環(huán)期間在選擇時(shí)間處于補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線607上FD升壓控制信號(hào)的適當(dāng)斷言而 以電容方式添加到FD節(jié)點(diǎn)417。
[0046] 圖6B是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例可如何將多重轉(zhuǎn)換增益特征及FD升壓特征 兩者以組合方式添加到像素陣列205的功能性框圖。在所圖解說(shuō)明的實(shí)施例中，可使用FD 升壓電路605逐行地添加及共享第一補(bǔ)充電容（本文中也稱為FD升壓電容），而也可使用 MCG電路610逐列地添加及共享第二補(bǔ)充電容。所述第一補(bǔ)充電容經(jīng)添加以解決全阱容量 及圖像滯后（下文中更詳細(xì)地論述），而所述第二補(bǔ)充電容經(jīng)添加以提供多重轉(zhuǎn)換增益特 征?？瑟?dú)立地或以組合方式添加這兩個(gè)補(bǔ)充電容。
[0047] 雖然圖6B圖解說(shuō)明了在逐行基礎(chǔ)上添加 FD升壓電容及在逐列基礎(chǔ)上添加多重轉(zhuǎn) 換增益電容，但如上文所論述，取決于像素陣列205的讀出配置，可以其它配置添加這兩個(gè) 補(bǔ)充電容。舉例來(lái)說(shuō)，可逐行地（圖6A及圖6B中所圖解說(shuō)明）、逐列地或以兩者的組合方 式耦合FD升壓電容。
[0048] 在一個(gè)實(shí)施例中，F(xiàn)D升壓電路605各自耦合到補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線607,所述補(bǔ)充電 容節(jié)點(diǎn)線鏈接到給定行的每一像素內(nèi)的補(bǔ)充電容器609的第一端子，而補(bǔ)充電容器609的 第二端子鏈接到所述行中的每一像素的FD節(jié)點(diǎn)417 (類似于電容器416及補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線 450,但是逐行的）?？墒褂枚喾N信號(hào)產(chǎn)生電路（包含能夠產(chǎn)生如圖8A或圖8B中所揭示的 控制脈沖的邏輯）來(lái)實(shí)施FD升壓電路605。在一個(gè)實(shí)施例中，F(xiàn)D升壓電路605是控制電路 220的子元件。
[0049] 隨著CMOS圖像傳感器的像素大小變得更小以實(shí)現(xiàn)更高像素密度及更低成本，光 電二極管ro的有源區(qū)域也變得更小。對(duì)于通常用于cmos圖像傳感器的釘扎光電二極管來(lái) 說(shuō)，較小光電二極管區(qū)域意味著所述光電二極管的釘扎電壓（Vpin)(光電二極管在其完 全空時(shí)的電位）需要較高以維持合理的全阱容量（光電二極管ro中可保持的電荷的最大 數(shù)目）。此又需要在電荷傳送期間浮動(dòng)漏極節(jié)點(diǎn)的電位較高以避免圖像滯后。如圖6C中 所示，在電荷傳送期間FD節(jié)點(diǎn)電位降低。像素單元的目標(biāo)全阱容量經(jīng)定義以使得在電荷傳 送結(jié)束時(shí)，F(xiàn)D節(jié)點(diǎn)電位仍高于傳送柵極及光電二極管的Vpin下的電位，從而實(shí)現(xiàn)全電 荷傳送。然而，對(duì)于具有高全阱容量的像素來(lái)說(shuō)，F(xiàn)D節(jié)點(diǎn)電位可降低到低于傳送柵極或甚 至的Vpin下的電位的電平，從而導(dǎo)致所謂的電荷共享滯后（圖6D)。如果在電荷傳送之 前，F(xiàn)D節(jié)點(diǎn)電位未復(fù)位到足夠高的電平，則通常必須限制全阱容量以避免任何電荷共享滯 后，此會(huì)導(dǎo)致較低動(dòng)態(tài)范圍及信噪比。因此，用以在電荷傳送期間增加 FD節(jié)點(diǎn)的電位的技 術(shù)可為合意的。
[0050] 復(fù)位之后的FD節(jié)點(diǎn)電位由施加到復(fù)位晶體管（例如，圖3中的T2)的柵極及漏極 電壓確定。另外，由于FD節(jié)點(diǎn)到復(fù)位柵極的電容性耦合，復(fù)位柵極脈沖（信號(hào)RST)的下降 沿致使FD節(jié)點(diǎn)電位下降。同樣，由于電容性耦合，傳送柵極（例如，圖3中的T1)的上升沿 也致使FD節(jié)點(diǎn)電位增加。圖7中圖解說(shuō)明在不具有FD升壓電路的常規(guī)圖像傳感器的操作 期間的這些電容性耦合效應(yīng)。
[0051] 通常管理像素設(shè)計(jì)以減小FD節(jié)點(diǎn)到復(fù)位柵極的耦合而準(zhǔn)許合理的FD節(jié)點(diǎn)到傳 送柵極的耦合，因?yàn)楹笳哂欣谳^好的電荷傳送。然而，對(duì)于共享像素來(lái)說(shuō)，一次僅一個(gè)地 導(dǎo)通多個(gè)傳送柵極，此促成有利的電壓耦合，而全部傳送柵極耦合電容促成總的FD節(jié)點(diǎn)電 容，從而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換增益的減小。此意味著為充分利用正電容性耦合的益處FD節(jié)點(diǎn)到傳送柵 極的耦合無(wú)法增加太多。另一困難為，通常無(wú)法完全對(duì)稱地設(shè)計(jì)到多個(gè)傳送柵極的FD節(jié)點(diǎn) 耦合電容，因此所述益處限于最小耦合電容。
[0052] 圖8A圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于控制像素單元的控制信號(hào)的時(shí)序圖 800。時(shí)序圖800包含在被斷言時(shí)增加FD節(jié)點(diǎn)的電位的FD升壓信號(hào)。在所圖解說(shuō)明的實(shí) 施例中，在解除斷言用以對(duì)FD節(jié)點(diǎn)進(jìn)行復(fù)位的復(fù)位信號(hào)RST之后且在針對(duì)給定像素執(zhí)行對(duì) 黑色電平值（取樣Blk)及圖像數(shù)據(jù)（取樣數(shù)據(jù)）的相關(guān)二重取樣之前，將FD升壓信號(hào)從 低切換到高。在此實(shí)施例中，在對(duì)所述黑色電平值及所述圖像數(shù)據(jù)兩者進(jìn)行取樣的持續(xù)時(shí) 間內(nèi)，F(xiàn)D升壓信號(hào)保持被斷言?；蛘撸€可在對(duì)所述黑色電平值進(jìn)行取樣之后且在對(duì)所述 圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行取樣之前，斷言FD升壓信號(hào)，如圖8B中所圖解說(shuō)明。在此實(shí)施例中，僅需要 在斷言施加到傳送晶體管的柵極的TX信號(hào)期間斷言FD升壓信號(hào)。
[0053] 用于對(duì)黑色電平值及圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行取樣的取樣電容器可位于取樣與保持電路420 內(nèi)，且用以使用相關(guān)二重取樣對(duì)位線430上的輸出圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行取樣并在執(zhí)行模/數(shù)轉(zhuǎn)換 時(shí)保持所述數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，取樣數(shù)據(jù)信號(hào)可控制串聯(lián)耦合于位線430與數(shù)據(jù)取樣電容器 之間的取樣晶體管的柵極，而取樣Blk信號(hào)可控制串聯(lián)耦合于位線430與黑色電平取樣電 容器之間的另一取樣晶體管的柵極。
[0054] FD升壓電容的一個(gè)實(shí)例性設(shè)計(jì)選擇為總FD節(jié)點(diǎn)電容的約10%。在此實(shí)例性設(shè)計(jì) 的情況下，像素的轉(zhuǎn)換增益減小約10%。如果FD升壓節(jié)點(diǎn)從0V切換到3. 3V，則FD節(jié)點(diǎn)電 位升壓0. 33V。對(duì)于約IV的典型FD信號(hào)擺幅來(lái)說(shuō)，所述升壓大約等效于容許全阱容量的 30 %增加。
[0055] 可選擇FD升壓電容的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是像素單元設(shè)計(jì)上的自由度的增加。FD升壓電容 可定位于靠近源極跟隨器柵極處且因此對(duì)具有共享像素群組的多個(gè)像素來(lái)說(shuō)更加對(duì)稱。另 夕卜，益處在于FD節(jié)點(diǎn)到傳送柵極的耦合的添加。
[0056] 包含發(fā)明摘要中所描述內(nèi)容的對(duì)本發(fā)明所圖解說(shuō)明實(shí)施例的以上說(shuō)明并非打算 為窮盡性或?qū)⒈景l(fā)明限于所揭示的精確形式。雖然出于說(shuō)明性目的而在本文中描述本發(fā)明 的特定實(shí)施例及實(shí)例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可在本發(fā)明的范圍內(nèi)作出各種修 改。
[0057] 可根據(jù)以上詳細(xì)說(shuō)明對(duì)本發(fā)明作出這些修改。以上權(quán)利要求書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)不 應(yīng)理解為將本發(fā)明限于說(shuō)明書(shū)中所揭示的特定實(shí)施例。而是，本發(fā)明的范圍將完全由以上 權(quán)利要求書(shū)來(lái)確定，所述權(quán)利要求書(shū)將根據(jù)權(quán)利要求解釋所創(chuàng)建的原則來(lái)加以理解。
【權(quán)利要求】
1. 一種圖像傳感器，其包括： 像素陣列，其包含多個(gè)像素單元，每一像素單元包含： 浮動(dòng)擴(kuò)散"FD"節(jié)點(diǎn)；及 光敏元件，其經(jīng)耦合以選擇性地將圖像電荷傳送到所述FD節(jié)點(diǎn)； 位線，其經(jīng)耦合以選擇性地傳導(dǎo)從所述像素單元的第一群組輸出的圖像數(shù)據(jù)； 取樣與保持電路，其經(jīng)耦合到所述位線以從所述第一群組的所述像素單元中的每一者 中取樣和保持所述圖像數(shù)據(jù)； 第一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線，其耦合到所述像素單元的不同于所述第一群組的第二群組的所 述FD節(jié)點(diǎn)；及 控制電路，其耦合到所述第一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線以選擇性地在所述第一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線 上斷言FD升壓信號(hào)以選擇性地增加所述第二群組的所述像素單元中的每一者的所述FD節(jié) 點(diǎn)處的電位。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述控制電路包含邏輯以通過(guò)在解除斷言 用于將所述FD節(jié)點(diǎn)復(fù)位到復(fù)位電位的復(fù)位信號(hào)后且在使用取樣與保持電路取樣所述位線 前斷言所述FD升壓信號(hào)，來(lái)增加所述FD節(jié)點(diǎn)處的所述電位。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中所述像素單元的所述第一群組被組織成所 述像素陣列中的一列，且所述像素單元中的第二群組被組織成所述像素陣列中的一行。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述控制電路包含邏輯以通過(guò)在從所述位 線取樣黑色參考值后且在使用所述取樣與保持電路從所述位線取樣所述圖像數(shù)據(jù)前斷言 所述FD升壓信號(hào)，來(lái)增加所述FD節(jié)點(diǎn)處的電位。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述像素單元中的每一者進(jìn)一步包括： 電容器，其具有耦合到所述FD節(jié)點(diǎn)的第一端子及耦合到所述第一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線的 第二端子，以使得所述電容器串聯(lián)耦合于所述FD節(jié)點(diǎn)與所述第一補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其進(jìn)一步包括： 第二補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線，其經(jīng)耦合到所述像素單元的所述第一群組的所述FD節(jié)點(diǎn)； 補(bǔ)充電容電路，其經(jīng)耦合到所述第二補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線以響應(yīng)于控制信號(hào)選擇性地將補(bǔ) 充電容加入到所述第一群組的所述像素單元中的每一者的所述FD節(jié)點(diǎn)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述補(bǔ)充電容電路包括多重轉(zhuǎn)換增益 "MCG"電路，所述MCG電路包括： 第一晶體管，其具有耦合于所述位線與所述第二補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線之間的溝道，所述第 一晶體管具有經(jīng)耦合以對(duì)所述控制信號(hào)作出響應(yīng)的控制端子；及 第二晶體管，其具有耦合到所述第二補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線的溝道，所述第二晶體管具有經(jīng) 耦合以對(duì)所述控制信號(hào)作出響應(yīng)的控制端子。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中所述第二晶體管的所述溝道耦合于所述第 二補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線與參考電壓軌之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其中所述第一晶體管包括具有經(jīng)耦合以接收所 述控制信號(hào)的柵極的NMOS晶體管，且所述第二晶體管包括也具有經(jīng)耦合以接收所述控制 信號(hào)的柵極的PMOS晶體管，以使得當(dāng)所述第二補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線經(jīng)由所述第一晶體管耦合 到所述位線時(shí)，由所述第二晶體管將所述第二補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線與所述參考電壓軌解耦。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中所述MCG電路進(jìn)一步包括： 放大器，其具有耦合到所述位線的輸入及耦合到所述第二晶體管的所述溝道的輸出， 以使得所述第二晶體管的所述溝道耦合于所述放大器的所述輸出與所述位線之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中所述放大器包括負(fù)增益放大器。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述像素陣列包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo) 體"CMOS"像素陣列，其中所述像素單元中的每一者進(jìn)一步包含： 傳送晶體管，其耦合于所述光敏元件與所述FD節(jié)點(diǎn)之間以用于在所述光敏元件與所 述FD節(jié)點(diǎn)之間選擇性地傳送所述圖像電荷；及 源極跟隨器晶體管，其具有經(jīng)耦合以對(duì)傳送到所述FD節(jié)點(diǎn)的所述圖像電荷作出響應(yīng) 且經(jīng)耦合以響應(yīng)于傳送到所述FD節(jié)點(diǎn)的所述圖像電荷而產(chǎn)生用于輸出到所述位線的所述 圖像數(shù)據(jù)的柵極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器，其中所述像素單元中的每一者進(jìn)一步包含： 復(fù)位晶體管，其具有耦合于參考電壓軌與所述FD節(jié)點(diǎn)之間的溝道；及 選擇晶體管，其具有耦合于所述位線與所述源極跟隨器晶體管之間的溝道。
14. 一種操作圖像傳感器的方法，所述方法包括： 使用光敏元件在用于捕獲圖像的多個(gè)像素單元的像素陣列中的第一像素單元內(nèi)捕獲 圖像電荷； 將所述圖像電荷傳送到所述第一像素單元內(nèi)的浮動(dòng)擴(kuò)散"FD"節(jié)點(diǎn)； 在耦合到所述多個(gè)像素單元的位線上輸出圖像數(shù)據(jù)，所述圖像數(shù)據(jù)是基于傳送到所述 FD節(jié)點(diǎn)的所述圖像電荷；及 將升壓信號(hào)斷言到耦合到所述第一像素單元的所述FD節(jié)點(diǎn)的FD升壓電容，通過(guò)： 對(duì)于所述第一像素單元的每個(gè)取樣周期，在復(fù)位所述FD節(jié)點(diǎn)后及在使用耦合到所述 位線的取樣與保持電容在所述位線上取樣所述圖像數(shù)據(jù)前，斷言所述升壓信號(hào)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述升壓信號(hào)在從所述位線取樣黑色電平值和 所述圖像數(shù)據(jù)之前被斷言。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括： 確定撞擊于所述像素陣列上的光的亮度值；且 通過(guò)調(diào)整耦合到所述第一像素單元中的所述FD節(jié)點(diǎn)的電容，基于所述亮度值調(diào)整所 述像素單元中的所述第一像素單元的轉(zhuǎn)換增益。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中基于所述亮度值調(diào)整所述第一像素單元的所述 轉(zhuǎn)換增益包括： 在低光條件下，將補(bǔ)充電容與所述FD節(jié)點(diǎn)解耦；或 在高光條件下，將所述補(bǔ)充電容耦合到所述FD節(jié)點(diǎn)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中調(diào)整耦合到所述第一像素單元內(nèi)的所述FD節(jié)點(diǎn) 的所述電容包括： 斷言或解除斷言用于控制耦合到所述多個(gè)像素單元的所述位線的轉(zhuǎn)換增益"CG"電路 的控制信號(hào)；及 經(jīng)由從所述CG電路延伸且耦合到所述多個(gè)像素單元中的每一者的所述FD節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)充 電容節(jié)點(diǎn)線而調(diào)整所述電容。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述CG電路包括： 第一晶體管，其具有串聯(lián)耦合于所述位線與所述補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線之間的溝道；及 第二晶體管，其具有串聯(lián)耦合于參考電壓軌與所述補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線之間的溝道， 其中所述第一及第二晶體管對(duì)所述控制信號(hào)作出響應(yīng)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述CG電路包括： 第一晶體管，其具有串聯(lián)耦合于所述位線與所述補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線之間的溝道；及 放大器，其具有耦合到所述位線的輸入；及 第二晶體管，其具有串聯(lián)耦合所述補(bǔ)充電容節(jié)點(diǎn)線及所述放大器的輸出的溝道， 其中所述第一及第二晶體管對(duì)所述控制信號(hào)作出響應(yīng)。
【文檔編號(hào)】H04N5/3745GK104092962SQ201410347541
【公開(kāi)日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2011年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2010年12月17日
【發(fā)明者】毛杜利, 戴幸志, 文森特·韋內(nèi)齊亞, 霍華德·E·羅茲, 真鍋?zhàn)谄? 申請(qǐng)人:全視科技有限公司