基于混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0.2階含x方Chen混沌系統(tǒng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基于混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0.2階含x方Chen混沌系統(tǒng)電路，混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊由六部分組成，每部分電阻由四個電阻和一個電位器串聯(lián)組成，每部分電容由四個電容并聯(lián)組成，第一部分為電阻和電容的并聯(lián)，以后部分中的電阻都是與前面部分的整體電路串聯(lián)，然后與該部分電容并聯(lián)組成通用分?jǐn)?shù)階積分模塊電路。本發(fā)明采用混合型結(jié)構(gòu)，設(shè)計制作了PCB電路，0.2階分?jǐn)?shù)階積分電路由四分組成，后兩部分的電阻為零，電容懸空，采用這種方法的實現(xiàn)0.2階分?jǐn)?shù)階混沌系統(tǒng)電路，可靠性高，不易出錯。
【專利說明】基于混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 2階含x方Chen混沌 系統(tǒng)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊及其〇. 2階混沌系統(tǒng)電路實現(xiàn)，特別涉 及一種基于混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的〇. 2階含X方的Chen混沌系統(tǒng)電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 因為實現(xiàn)分?jǐn)?shù)階混沌系統(tǒng)的電路的電阻和電容都是非常規(guī)電阻和電容，一般采用 電阻串聯(lián)和電容并聯(lián)的方法實現(xiàn)，目前，實現(xiàn)的主要方法是利用現(xiàn)有的電阻和電容在面包 板上組合的方法，這種方法可靠性和穩(wěn)定性比較低，并且存在容易出錯，出錯后不易查找等 問題，本發(fā)明為克服這個問題，采用混合型結(jié)構(gòu)，設(shè)計制作了 PCB電路，電路由六部分組成， 每部分電阻由四個電阻和一個電位器串聯(lián)組成，每部分電容由四個電容并聯(lián)組成，第一部 分為電阻和電容的并聯(lián)，以后部分中的電阻都是與前面部分的整體電路串聯(lián)，然后與該部 分電容并聯(lián)組成通用分?jǐn)?shù)階積分模塊電路，〇. 2階分?jǐn)?shù)階積分電路由前四部分組成，后兩部 分的電阻為零，電容懸空，采用這種方法的實現(xiàn)〇. 2階分?jǐn)?shù)階混沌系統(tǒng)電路，可靠性高，不 易出錯。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種基于混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 2階 含X方的Chen混沌系統(tǒng)電路，本發(fā)明采用如下技術(shù)手段實現(xiàn)發(fā)明目的：
[0004] 1、一種混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，其特征是在于：電阻Rx與電容Cx并聯(lián)，形成 第一部分，第一部分與電阻Ry串聯(lián)后再與電容Cy并聯(lián)，形成第二部分，前兩部分與電阻Rz 串聯(lián)后再與電容Cz并聯(lián)，形成第三部分，前三部分與電阻Rw串聯(lián)后再與電容Cw并聯(lián)，形成 第四部分，前四部分與電阻Ru串聯(lián)后再與電容Cu并聯(lián)，形成第五部分，前五部分與電阻Rv 串聯(lián)后再與電容Cv并聯(lián)，形成第六部分，輸出引腳A接第一部分，輸出引腳B接第六部分。
[0005] 2、根據(jù)權(quán)利要求1所述一種混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，其特征在于：所述電阻 Rx由電位器Rxl和電阻Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串聯(lián)組成，所述電容Cx由電容Cxi、Cx2、Cx3、 Cx4并聯(lián)組成；所述電阻Ry由電位器Ryl和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯(lián)組成,所述電容Cy 由電容〇71、〇72、〇73、〇74，并聯(lián)組成；所述電阻1^由電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5 串聯(lián)組成，所述電容Cz由電容Czl、Cz2、Cz3、Cz4并聯(lián)組成；所述電阻Rw由電位器Rwl和 電阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯(lián)組成，所述電容Cw由電容Cwl、Cw2、Cw3、Cw4并聯(lián)組成；所述 電阻Ru由電位器Rul和電阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串聯(lián)組成，所述電容Cu由電容Cul、Cu2、 &13、(：114并聯(lián)組成 ；所述電阻1^由電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5串聯(lián)組成，所述電 容〇由電容01、02、03、04并聯(lián)組成。
[0006] 3、根據(jù)權(quán)利要求1所述一種混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，所述0. 2階積分電路模 塊，其特征在于：所述電阻Rx = 〇. 9931M，所述電位器Rxl = 3. 1K，所述電阻Rx2 = 500K、 Rx3 = 470K、Rx4 = 10K、Rx5 = 0K，所述電容 Cx = 28. 680uF，所述電容 Cxl = 10uF、Cx2 =4. 7uF、Cx3 = luF、Cx4 = 470nF ;所述電阻 Ry = 0· 6624M，所述電位器 Ryl = 0· 4K,所 述電阻 Ry2 = 510Κ、Ry3 = 100Κ、Ry4 = 51Κ、Ry5 = 0Κ，所述電容 Cy = 2.6770uF，所述電 容 Cyl = 2.2uF、Cy2 = 470nF、Cy3 = 6.8nF、Cy4 懸空；所述電阻 Rz = 0.3881M，所述電位 器 Rzl = 4. IK 和所述電阻 Rz2 = 200K、Rz3 = 100K、Rz4 = 51K、Rz5 = 33K，所述電容 Cz =0.2736uF，所述電容 Czl = 220nF、Cz2 = 47nF、Cz3 = 6.8、Cz4 懸空；所述電阻 Rw = 0· 4685M，所述電位器 Rwl = 3· 4K 和所述電阻 Rw2 = 220K、Rw3 = 220K、Rw4 = 20K、Rw5 = 5· 1K，所述電容 Cw = 12. 59nF，所述電容 Cwl = 10nF、Cw2 = 2. 2nF、Cw3 = 0· 33nF、Cw4 懸 空；所述電阻Ru、Rv均為零，所述電容Cu、Cv均懸空。
[0007] 4、基于混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 2階含X方的Chen混沌系統(tǒng)電路，其特征 在于：
[0008] (1)含X方的Chen階混沌系統(tǒng)i為：

【權(quán)利要求】
1. 一種混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，其特征是在于：電阻Rx與電容Cx并聯(lián)，形成第一 部分，第一部分與電阻Ry串聯(lián)后再與電容Cy并聯(lián)，形成第二部分，前兩部分與電阻Rz串聯(lián) 后再與電容Cz并聯(lián)，形成第三部分，前三部分與電阻Rw串聯(lián)后再與電容Cw并聯(lián)，形成第四 部分，前四部分與電阻Ru串聯(lián)后再與電容Cu并聯(lián)，形成第五部分，前五部分與電阻Rv串聯(lián) 后再與電容Cv并聯(lián)，形成第六部分，輸出引腳A接第一部分，輸出引腳B接第六部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，其特征在于：所述電阻Rx由 電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5串聯(lián)組成，所述電容〇1由電容〇11、〇12、〇13、〇14并 聯(lián)組成；所述電阻Ry由電位器Ryl和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯(lián)組成，所述電容Cy由電 容〇71、〇72、〇73、〇74，并聯(lián)組成；所述電阻1^由電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5串聯(lián) 組成，所述電容Cz由電容Czl、Cz2、Cz3、Cz4并聯(lián)組成；所述電阻Rw由電位器Rwl和電阻 Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯(lián)組成，所述電容Cw由電容〇￥1、〇￥2、〇￥3、〇￥4并聯(lián)組成；所述電阻尺11 由電位器此1和電阻1?112、1?113、1?114、1?115串聯(lián)組成，所述電容(：11由電容(：111、(：112、(：113、(：114 并聯(lián)組成；所述電阻Rv由電位器Rvl和電阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串聯(lián)組成，所述電容Cv由 電容Cvl、Cv2、Cv3、Cv4并聯(lián)組成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，所述0. 2階積分電路模塊，其 特征在于：所述電阻Rx = 0. 9931M，所述電位器Rxl = 3. 1K，所述電阻Rx2 = 500K、Rx3 = 470K、Rx4 = 10K、Rx5 = 0K，所述電容 Cx = 28. 680uF，所述電容 Cxl = 10uF、Cx2 = 4. 7uF、 Cx3 = luF、Cx4 = 470nF ;所述電阻Ry = 0· 6624M，所述電位器Ryl = 0· 4K,所述電阻Ry2 = 510K、Ry3 = 100K、Ry4 = 51K、Ry5 = 0K，所述電容 Cy = 2. 6770uF，所述電容 Cyl = 2. 2uF、 Cy2 = 470nF、Cy3 = 6. 8nF、Cy4 懸空；所述電阻 Rz = 0. 3881M，所述電位器 Rzl = 4. IK 和 所述電阻 Rz2 = 200K、Rz3 = 100K、Rz4 = 51K、Rz5 = 33K，所述電容 Cz = 0· 2736uF，所述 電容 Czl = 220nF、Cz2 = 47nF、Cz3 = 6.8、Cz4 懸空；所述電阻 Rw = 0.4685M，所述電位器 Rwl = 3.4K 和所述電阻 Rw2 = 220K、Rw3 = 220K、Rw4 = 20K、Rw5 = 5· 1K，所述電容 Cw = 12. 59nF，所述電容 Cwl = 10nF、Cw2 = 2. 2nF、Cw3 = 0· 33nF、Cw4 懸空；所述電阻 Ru、Rv 均 為零，所述電容Cu、Cv均懸空。
4. 基于混合型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 2階含X方的Chen混沌系統(tǒng)電路，其特征在 于：（1)含X方的Chen階混沌系統(tǒng)i為：
(2)含X方的0. 2階Chen混沌系統(tǒng)ii為：
(3)根據(jù)含X方的0. 2階Chen混沌系統(tǒng)ii構(gòu)造模擬電路，利用運算放大器U1、運算放 大器U2及電阻和0. 2階積分電路模塊U5、0. 2階積分電路模塊U6、0. 2階積分電路模塊U7 構(gòu)成反相加法器和反相〇. 2階積分器，利用乘法器U3和乘法器U4實現(xiàn)乘法運算，所述運算 放大器Ul和運算放大器U2采用LF347N，所述乘法器U3和乘法器U4采用AD633JN ; 所述運算放大器Ul連接運算放大器U2、乘法器U3、乘法器U4和0. 2階積分電路模塊 U5、0. 2階積分電路模塊U6，所述運算放大器U2連接乘法器U3、乘法器U4和0. 2階積分電 路模塊U7，所述乘法器U3連接運算放大器Ul，所述乘法器U4連接運算放大器U2 ; 所述運算放大器Ul的第1引腳通過電阻R9與Ul的第6引腳相接，第2引腳通過電阻 R6與U1的第1引腳相接，第3、5、10、12引腳接地，第4引腳接VCC，第11引腳接VEE，第6 引腳接0. 2階積分電路模塊U6的A引腳，第7引腳接輸出y，接0. 2階積分電路模塊U6的 B引腳，通過電阻R5與第2引腳相接，通過電阻Rl與第13引腳相接，第8引腳接輸出X，通 過電阻R8與第6引腳相接，通過電阻R4與第9引腳相接，接0. 2階積分電路模塊U5的B 引腳，接乘法器U3的第1引腳，接乘法器U4的第1、3引腳，第9引腳接0. 2階積分電路模 塊U5的A引腳，第13引腳通過電阻R2與第14引腳相接，第14引腳通過電阻R3與第9引 腳相接； 所述運算放大器U2的第1、2、6、7引腳懸空，第3、5、10、12引腳接地，第4引腳接VCC， 第11引腳接VEE，第8引腳輸出z，接0. 2階積分電路模塊U7的B引腳，接乘法器U3的第 3引腳，通過電阻R12與第9引腳相接，第9引腳接0. 2階積分電路模塊U7的A引腳，第13 引腳通過電阻Rll與第14引腳相接，第14引腳接通過電阻R13與第9引腳相接； 所述乘法器U3的第1引腳接運算放大器Ul的第8腳，第3引腳接U2的第8引腳，第 2、4、6引腳均接地，第5引腳接VEE，第7引腳通過電阻R7接Ul第6引腳，第8引腳接VCC ; 所述乘法器U4的第1引腳接運算放大器Ul的第7腳，第3引腳接運算放大器Ul的第 8引腳，第2、4、6引腳均接地，第5引腳接VEE，第7引腳通過電阻RlO接運算放大器U2第 13引腳，第8引腳接VCC ; 所述〇. 2階積分電路模塊U5的A引腳接運算放大器Ul的第9引腳，B引腳接接運算 放大器Ul的第8引腳； 所述〇. 2階積分電路模塊U6的A引腳接運算放大器Ul的第6引腳，B引腳接接運算 放大器Ul的第7引腳； 所述〇. 2階積分電路模塊U7的A引腳接運算放大器U2的第9引腳，B引腳接接運算 放大器U2的第8引腳。
【文檔編號】H04L9/00GK104393983SQ201410631451
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月11日
【發(fā)明者】胡春華 申請人:胡春華