揚(yáng)聲器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種揚(yáng)聲器，包括外殼，磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)和所述振動(dòng)系統(tǒng)收容固定于外殼內(nèi)，所述磁路系統(tǒng)包括磁鐵、華司及導(dǎo)磁部，并且，所述揚(yáng)聲器還包括短路環(huán)，所述短路環(huán)包括第一短路環(huán)和第二短路環(huán)，所述第一、第二短路環(huán)分別設(shè)置于所述華司對(duì)應(yīng)所述音圈兩端的兩側(cè)，所述短路環(huán)與所述華司靠近所述磁間隙一側(cè)平齊。本實(shí)用新型的揚(yáng)聲器，華司上下雙短路環(huán)的設(shè)計(jì)可以有效降低揚(yáng)聲器工作時(shí)的音圈電感，尤其是提高揚(yáng)聲器高頻的頻率響應(yīng)，延伸揚(yáng)聲器高端頻率響應(yīng)范圍，提高揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能，兩部分短路環(huán)與華司靠近磁間隙一側(cè)平齊，短路環(huán)不占用磁間隙空間，避免短路環(huán)對(duì)音圈振動(dòng)影響，保證了揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能。
【專利說明】揚(yáng)聲器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲領(lǐng)域，尤其是涉及一種聲學(xué)性能好的揚(yáng)聲器。

【背景技術(shù)】
[0002]揚(yáng)聲器裝置在工作過程中，外部驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)音圈振動(dòng)的同時(shí)，也會(huì)引起相反方向的感應(yīng)電流，尤其在高頻時(shí)，音圈自身的自感過大，產(chǎn)生的感應(yīng)電流較大，對(duì)揚(yáng)聲器工作產(chǎn)生影響，導(dǎo)致高頻頻率響應(yīng)受損。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的揚(yáng)聲器，在華司下端、環(huán)繞磁鐵放置一個(gè)短路環(huán)，短路環(huán)可以抵消音圈感應(yīng)電流對(duì)揚(yáng)聲器內(nèi)磁場(chǎng)的影響，但僅設(shè)置一個(gè)短路環(huán)對(duì)揚(yáng)聲器裝置聲學(xué)性能的改善效果有限。
[0003]因此，有必要提出一種改進(jìn)以克服傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)揚(yáng)聲器缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種聲學(xué)性能好的揚(yáng)聲器。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0006]—種揚(yáng)聲器,包括外殼,磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)和所述振動(dòng)系統(tǒng)收容固定于外殼內(nèi)，所述磁路系統(tǒng)包括磁鐵、華司及導(dǎo)磁部，所述華司與所述磁鐵固定，所述導(dǎo)磁部與所述華司形成磁間隙，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括折環(huán)、連接件、球頂、彈波及音圈，所述音圈設(shè)置于所述磁間隙內(nèi)，并且:所述揚(yáng)聲器還包括短路環(huán)，所述短路環(huán)包括第一短路環(huán)和第二短路環(huán)，所述第一短路環(huán)與第二短路環(huán)分別設(shè)置于所述華司對(duì)應(yīng)所述音圈兩端的兩側(cè)，所述短路環(huán)靠近所述音圈設(shè)置，所述短路環(huán)與所述華司靠近所述磁間隙一側(cè)平齊。
[0007]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述導(dǎo)磁部為T鐵，所述磁鐵與所述華司為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述環(huán)形磁鐵及環(huán)形華司圍繞所述T鐵設(shè)置，所述短路環(huán)圍繞所述T鐵設(shè)置。
[0008]作為另一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述導(dǎo)磁部為盆架，所述磁鐵與所述華司設(shè)置于所述盆架內(nèi)，所述磁鐵與所述華司為柱狀結(jié)構(gòu)。
[0009]作為以上方案的進(jìn)一步優(yōu)選，所述導(dǎo)磁部為盆架，所述磁鐵與所述華司設(shè)置于所述盆架內(nèi)，所述磁鐵與所述華司為柱狀結(jié)構(gòu)。作為以上方案的另一種優(yōu)選，所述揚(yáng)聲器還包括第二磁鐵，所述第二磁鐵設(shè)置于所述華司靠近所述振動(dòng)系統(tǒng)一側(cè)。
[0010]作為上述方案的優(yōu)選，所述短路環(huán)為導(dǎo)電率高的材料，作為進(jìn)一步優(yōu)選，所述短路環(huán)材料為銅或招。
[0011]本實(shí)用新型揚(yáng)聲器，華司對(duì)應(yīng)音圈兩端的兩側(cè)均設(shè)置有短路環(huán)，短路環(huán)靠近音圈設(shè)置，可以在揚(yáng)聲器高頻發(fā)聲時(shí)更好地降低音圈電感，提高揚(yáng)聲器高頻的頻率響應(yīng)，延伸高端頻率響應(yīng)范圍，提高揚(yáng)聲器聲學(xué)性能，同時(shí)，兩部分短路環(huán)與華司靠近磁間隙的一側(cè)平齊，短路環(huán)不占用磁間隙空間，避免短路環(huán)對(duì)音圈振動(dòng)產(chǎn)生影響，保證了揚(yáng)聲器的聲學(xué)性倉泛。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器實(shí)施例一分解圖；
[0013]圖2為圖1所示揚(yáng)聲器剖視圖；
[0014]圖3為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器實(shí)施例二分解圖；
[0015]圖4為圖3所示揚(yáng)聲器剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本實(shí)用新型內(nèi)容:
[0017]實(shí)施例一:
[0018]如圖1及圖2所示，本實(shí)施例的揚(yáng)聲器，包括外殼2，外殼2內(nèi)部收容固定有振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，振動(dòng)系統(tǒng)包括一體設(shè)置的折環(huán)1、連接件3、球頂4、彈波5及骨架音圈6，如圖2所示，折環(huán)I通過連接件3與骨架音圈6固定，球頂4固定于骨架音圈6上，彈波5固定于骨架音圈6外周，對(duì)骨架音圈6起到定心作用；如圖1、圖2所示，本實(shí)施例的揚(yáng)聲器，振動(dòng)系統(tǒng)包括T鐵10,設(shè)置于T鐵10靠近振動(dòng)系統(tǒng)一側(cè)的磁鐵9,磁鐵9靠近振動(dòng)系統(tǒng)一側(cè)設(shè)置有華司8，磁鐵9與華司8圍繞T鐵10中心部位設(shè)置，華司8與T鐵10形成磁間隙，如圖2所示，骨架音圈6的音圈部分設(shè)置于磁間隙內(nèi)。如圖1及圖2所示，揚(yáng)聲器還設(shè)置有電連接部11，電連接部11將骨架音圈6與外部電路電連接，外部電路電信號(hào)通過電連接部11傳遞至骨架音圈6的音圈內(nèi)，設(shè)置于磁間隙內(nèi)的音圈內(nèi)電流變化使骨架音圈6收到洛侖茲力而上下振動(dòng)，帶動(dòng)振動(dòng)系統(tǒng)振動(dòng)發(fā)聲，揚(yáng)聲器工作。
[0019]如圖1及圖2所示，為了避免音圈自感產(chǎn)生的自感電流影響揚(yáng)聲器工作及聲學(xué)性能，華司8靠近折環(huán)I 一側(cè)設(shè)置有第一短路環(huán)71，華司8遠(yuǎn)離折環(huán)I 一側(cè)設(shè)置有第二短路環(huán)72，即第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72分別設(shè)置于華司8對(duì)應(yīng)骨架音圈6的音圈部分上下兩端的兩側(cè)。如圖2所示，第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72設(shè)置于磁間隙內(nèi)骨架音圈6振動(dòng)區(qū)域，第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72靠近骨架音圈6的音圈部分，第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72靠近T鐵10中心部位一側(cè)與華司8靠近T鐵10中心部位一側(cè)平齊，即第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72與華司8靠近磁間隙的一側(cè)平齊，本實(shí)用新型的揚(yáng)聲器，華司上下雙短路環(huán)的設(shè)計(jì)可以有效降低揚(yáng)聲器工作時(shí)的音圈電感，尤其是提高揚(yáng)聲器高頻的頻率響應(yīng)，延伸揚(yáng)聲器高端頻率響應(yīng)范圍，提高揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能，兩部分短路環(huán)與華司靠近磁間隙一側(cè)平齊，短路環(huán)不占用磁間隙空間，避免短路環(huán)對(duì)音圈振動(dòng)影響，保證了揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能。
[0020]圖1及圖2所示的揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)僅為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器的【具體實(shí)施方式】，如圖2所示，第二短路環(huán)72設(shè)置于磁鐵9內(nèi)側(cè)，第一短路環(huán)設(shè)置于華司8的上側(cè)，在實(shí)際應(yīng)用過程中，為了不影響磁鐵9體積，可以在華司8上對(duì)應(yīng)短路環(huán)設(shè)置避讓，短路環(huán)可以設(shè)置于華司8的避讓內(nèi)，提高揚(yáng)聲器內(nèi)部空間的利用率，從而進(jìn)一步提高揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能。
[0021]實(shí)施例二:
[0022]本實(shí)施例的揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一的揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路相同，與實(shí)施例一內(nèi)描述的揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)不同的是磁路系統(tǒng)設(shè)計(jì)，如圖3及圖4所示，本實(shí)施例的揚(yáng)聲器磁路系統(tǒng)，包括盆架10a，磁鐵及華司結(jié)構(gòu)設(shè)置于盆架1a內(nèi)部，磁鐵及華司為柱狀結(jié)構(gòu)，華司與盆架1a配合形成磁間隙。如圖3及圖4所示，為了提高磁間隙內(nèi)的磁通量，本實(shí)施例揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)，磁鐵包括第一磁鐵9a和第二磁鐵9b，第一磁鐵9a與第二磁鐵9b之間固定設(shè)置有華司8a。華司8a靠近第一磁鐵9a —側(cè)設(shè)置有第二短路環(huán)72a，華司8a靠近第二磁鐵9b —側(cè)設(shè)置有第一短路環(huán)71a，第一短路環(huán)71a、第二短路環(huán)72a分別設(shè)置于華司8a對(duì)應(yīng)骨架音圈6的音圈部分兩端的上下兩側(cè)，第一短路環(huán)71a、第二短路環(huán)72a設(shè)置于磁間隙內(nèi)骨架音圈6的振動(dòng)區(qū)域，靠近骨架音圈6的音圈部分，第一短路環(huán)71a、第二短路環(huán)72a與華司8a靠近盆架1a—側(cè)平齊，即兩部分短路環(huán)與華司8a靠近磁間隙的一側(cè)平齊。本實(shí)施例的揚(yáng)聲器，華司上下雙短路環(huán)的設(shè)計(jì)可以有效降低揚(yáng)聲器工作時(shí)的音圈電感，尤其是提高揚(yáng)聲器高頻的頻率響應(yīng)，延伸揚(yáng)聲器高端頻率響應(yīng)范圍，提高揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能，兩部分短路環(huán)與華司靠近磁間隙一側(cè)平齊，短路環(huán)不占用磁間隙空間，避免短路環(huán)對(duì)音圈振動(dòng)影響，保證了揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能。
[0023]如圖4所示，本實(shí)施例的揚(yáng)聲器，華司8a對(duì)應(yīng)第二短路環(huán)72a設(shè)置有避讓結(jié)構(gòu)，第_■短路環(huán)72a設(shè)直于華司8a的避讓結(jié)構(gòu)內(nèi)，提聞?chuàng)P聲器內(nèi)部空間利用率，從而進(jìn)一步提聞?chuàng)P聲器的聲學(xué)性能。本實(shí)施例的揚(yáng)聲器，第一短路環(huán)71a環(huán)繞第二磁鐵9b設(shè)置，在實(shí)際應(yīng)用過程中，華司8a可以對(duì)應(yīng)第一短路環(huán)71a設(shè)置避讓。華司對(duì)應(yīng)短路環(huán)設(shè)置避讓，短路環(huán)設(shè)置于避讓內(nèi)，可以提高揚(yáng)聲器內(nèi)部空間利用率，從而提高揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能。
[0024]在實(shí)際應(yīng)用中，短路環(huán)采用導(dǎo)電率高的材料，優(yōu)選地，短路環(huán)可以采用銅、鋁等常見金屬材質(zhì)。
[0025]以上僅為本實(shí)用新型實(shí)施案例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種揚(yáng)聲器，包括外殼，磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)和所述振動(dòng)系統(tǒng)收容固定于外殼內(nèi)，所述磁路系統(tǒng)包括磁鐵、華司及導(dǎo)磁部，所述華司與所述磁鐵固定，所述導(dǎo)磁部與所述華司形成磁間隙，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括折環(huán)、連接件、球頂、彈波及音圈，所述音圈設(shè)置于所述磁間隙內(nèi)，其特征在于:所述揚(yáng)聲器還包括短路環(huán)，所述短路環(huán)包括第一短路環(huán)和第二短路環(huán)，所述第一短路環(huán)與第二短路環(huán)分別設(shè)置于所述華司對(duì)應(yīng)所述音圈兩端的兩側(cè)，所述短路環(huán)靠近所述音圈設(shè)置，所述短路環(huán)與所述華司靠近所述磁間隙一側(cè)平齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于:所述導(dǎo)磁部為T鐵，所述磁鐵與所述華司為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述環(huán)形磁鐵及環(huán)形華司圍繞所述T鐵設(shè)置，所述短路環(huán)圍繞所述T鐵設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于:所述導(dǎo)磁部為盆架，所述磁鐵與所述華司設(shè)置于所述盆架內(nèi)，所述磁鐵與所述華司為柱狀結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器，其特征在于:所述華司對(duì)應(yīng)所述短路環(huán)設(shè)置避讓，所述短路環(huán)設(shè)置于所述華司避讓內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器，其特征在于:所述揚(yáng)聲器還包括第二磁鐵，所述第二磁鐵設(shè)置于所述華司靠近所述振動(dòng)系統(tǒng)一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于:所述短路環(huán)材料為銅或鋁。
【文檔編號(hào)】H04R9/02GK204014046SQ201420363804
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月2日
【發(fā)明者】焦其金, 李志
申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司