本公開總體上涉及一種成像裝置和方法。

背景技術(shù)：

1、已知類型的數(shù)字圖像傳感器是電荷耦合器件(ccd)和互補金屬氧化物半導體(cmos)有源像素傳感器。

2、最近，出現(xiàn)了包括基于單光子雪崩二極管(spad)的光敏元件陣列的圖像傳感器。

3、在光敏元件的spad中，由單個光子注入的單個自由電荷載流子可引起自由電荷載流子的雪崩，從而使得該單光子是可檢測的。

4、光敏元件的計數(shù)器對雪崩計數(shù)，并且因此能夠提供檢測到的光子的數(shù)量。

5、盡管存在用于成像裝置的技術(shù)，但通常還是希望提供改進的成像裝置和改進的方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)第一方面，本公開提供了一種成像裝置，包括：光敏元件陣列；以及第一計數(shù)器，用于對從第一組光敏元件接收的光子檢測事件進行計數(shù)，其中，在第一操作模式中，第一計數(shù)器連接至第一組光敏元件的第一子組，并且其中，在第二操作模式中，第一計數(shù)器連接至第一組光敏元件的第二子組。

2、根據(jù)第二方面，本公開提供一種用于操作成像裝置的方法，該方法包括：利用第一計數(shù)器對從光敏元件陣列的第一組光敏元件接收的光子檢測事件進行計數(shù)；在第一操作模式中，將第一計數(shù)器連接至第一組光敏元件的第一子組；在第二操作模式中，將第一計數(shù)器連接至第一組光敏元件的第二子組。

3、在從屬權(quán)利要求、附圖和以下描述中闡述了更多方面。

技術(shù)特征：

1.一種成像裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，還包括圖像數(shù)據(jù)生成單元，所述圖像數(shù)據(jù)生成單元被配置為生成圖像數(shù)據(jù)，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，還包括第二計數(shù)器，所述第二計數(shù)器用于對從所述光敏元件陣列的第二組光敏元件接收的光子檢測事件進行計數(shù)；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成像裝置，

11.一種用于操作成像裝置的方法，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，對光子檢測事件進行計數(shù)包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括生成圖像數(shù)據(jù)，

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，對光子檢測事件進行計數(shù)包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，對光子檢測事件進行計數(shù)包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種成像裝置，該成像裝置包括光敏元件陣列和第一計數(shù)器，該第一計數(shù)器用于對從第一組光敏元件接收的光子檢測事件進行計數(shù)；其中，在第一操作模式中，第一計數(shù)器連接至第一組光敏元件的第一子組，并且其中，在第二操作模式中，第一計數(shù)器連接至第一組光敏元件的第二子組。

技術(shù)研發(fā)人員：石井広康
受保護的技術(shù)使用者：索尼半導體解決方案公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9