本發(fā)明涉及揚(yáng)聲器，尤其是一種帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置及其參數(shù)識(shí)別、振動(dòng)優(yōu)化方法。

背景技術(shù)：

1、頸掛式揚(yáng)聲器等可穿戴電子設(shè)備因其提供的便利性而變得越來(lái)越受歡迎。典型頸掛式揚(yáng)聲器的一側(cè)由集成在揚(yáng)聲器盒中的微型揚(yáng)聲器和獨(dú)立于揚(yáng)聲器盒的線性振動(dòng)器組成，當(dāng)微型揚(yáng)聲器工作時(shí)，線性振動(dòng)器可以產(chǎn)生低頻振動(dòng)，其低帶寬使用戶能夠在從事某些活動(dòng)時(shí)播放音樂(lè)。然而，帶有線性振動(dòng)器的頸掛式揚(yáng)聲器價(jià)格昂貴，而且需要進(jìn)行集成設(shè)計(jì)，生產(chǎn)成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于至少一定程度上解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。

2、為此，本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的在于提供一種低成本的帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置。

3、本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)目的在于提供一種帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的參數(shù)識(shí)別方法和振動(dòng)優(yōu)化方法。

4、為了達(dá)到上述技術(shù)目的，本發(fā)明實(shí)施例所采取的技術(shù)方案包括：

5、一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置，包括外殼以及設(shè)置在所述外殼內(nèi)的微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器和無(wú)源振動(dòng)器，其中：

6、所述微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器包括音圈、內(nèi)磁體、外磁體以及導(dǎo)磁軛，所述導(dǎo)磁軛固定在所述外殼的底部，所述音圈設(shè)置在所述導(dǎo)磁軛的上方，所述內(nèi)磁體和所述外磁體均設(shè)置在所述導(dǎo)磁軛上，且所述內(nèi)磁體位于所述音圈的內(nèi)側(cè)，所述外磁體繞設(shè)在所述音圈的外側(cè)；

7、所述無(wú)源振動(dòng)器包括中心振膜和側(cè)振膜，所述側(cè)振膜繞設(shè)在所述音圈的外側(cè)，且位于所述外磁體的上方，所述中心振膜設(shè)置在所述音圈的上方，且與所述側(cè)振膜的內(nèi)邊緣連接。

8、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器還包括內(nèi)頂板、外頂板以及保護(hù)器，所述內(nèi)頂板固定在所述內(nèi)磁體上方，所述外頂板固定在所述外磁體的上方，所述保護(hù)器設(shè)置在所述外殼的頂部，且與所述音圈電連接。

9、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述中心振膜為鎢材質(zhì)膜，所述側(cè)振膜包括兩層熱塑性聚氨酯膜和一層丙烯酸膜，所述丙烯酸膜位于兩層所述熱塑性聚氨酯膜之間。

10、另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的參數(shù)識(shí)別方法，用于識(shí)別如前面所述的揚(yáng)聲器裝置的參數(shù)，其特征在于，包括以下步驟：

11、通過(guò)klippel測(cè)試工具獲取所述微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的第一參數(shù)和第一有效面積，所述第一參數(shù)包括電氣參數(shù)和第一機(jī)械參數(shù)；

12、通過(guò)所述klippel測(cè)試工具獲取所述無(wú)源振動(dòng)器的實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)和第二有效面積，并根據(jù)所述實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)匹配得到所述無(wú)源振動(dòng)器的第二機(jī)械參數(shù)。

13、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取所述微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的第一參數(shù)和第一有效面積，其具體包括：

14、獲取所述微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的電壓-位移譜，根據(jù)所述電壓-位移譜確定傳遞函數(shù)，并根據(jù)所述傳遞函數(shù)計(jì)算得到所述第一機(jī)械參數(shù)；

15、獲取所述微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的電壓-電流譜，根據(jù)所述電壓-電流譜確定阻抗函數(shù)，并根據(jù)所述第一機(jī)械參數(shù)和所述阻抗函數(shù)計(jì)算得到所述電氣參數(shù)；

16、獲取所述微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的第一復(fù)體積速度，并獲取所述音圈上的點(diǎn)的第一平均位移，根據(jù)所述第一復(fù)體積速度和所述第一平均位移確定所述第一有效面積；

17、其中，所述第一機(jī)械參數(shù)包括第一機(jī)械質(zhì)量、第一機(jī)械阻尼以及第一機(jī)械剛度，所述電氣參數(shù)包括音圈直流電阻、低頻音圈電感、高頻副電感以及渦流電阻。

18、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取所述無(wú)源振動(dòng)器的實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)和第二有效面積，并根據(jù)所述實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)匹配得到所述無(wú)源振動(dòng)器的第二機(jī)械參數(shù)，其具體包括：

19、獲取所述無(wú)源振動(dòng)器的實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)；

20、確定所述無(wú)源振動(dòng)器的第二機(jī)械質(zhì)量，調(diào)整所述無(wú)源振動(dòng)器的機(jī)械阻尼和機(jī)械剛度，并根據(jù)所述第二機(jī)械質(zhì)量以及調(diào)整后的所述機(jī)械阻尼和所述機(jī)械剛度確定所述無(wú)源振動(dòng)器的解析位移參數(shù)；

21、當(dāng)所述解析位移參數(shù)與所述實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)匹配一致，確定調(diào)整后的機(jī)械阻尼為第二機(jī)械阻尼，確定調(diào)整后的機(jī)械剛度為第二機(jī)械剛度；

22、獲取所述無(wú)源振動(dòng)器的第二復(fù)體積速度，并獲取所述中心振膜和所述側(cè)振膜上的點(diǎn)的第二平均位移，根據(jù)所述第二復(fù)體積速度和所述第二平均位移確定所述第二有效面積；

23、其中，所述第二機(jī)械參數(shù)包括所述第二機(jī)械質(zhì)量、所述第二機(jī)械阻尼以及所述第二機(jī)械剛度。

24、另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的振動(dòng)優(yōu)化方法，用于優(yōu)化如前面所述的揚(yáng)聲器裝置的振動(dòng)性能，包括以下步驟：

25、對(duì)所述揚(yáng)聲器裝置進(jìn)行加速度測(cè)試，得到所述揚(yáng)聲器裝置當(dāng)前的諧振頻率和最大振動(dòng)加速度；

26、增大所述無(wú)源振動(dòng)器的第二機(jī)械質(zhì)量，并減小所述無(wú)源振動(dòng)器的第二機(jī)械剛度，使得優(yōu)化后的所述揚(yáng)聲器裝置的諧振頻率小于等于預(yù)設(shè)的第一閾值，且優(yōu)化后的所述揚(yáng)聲器裝置的最大振動(dòng)加速度大于等于預(yù)設(shè)的第二閾值。

27、另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的參數(shù)識(shí)別系統(tǒng)，用于識(shí)別如前面所述的揚(yáng)聲器裝置的參數(shù)，包括：

28、第一測(cè)試模塊，用于通過(guò)klippel測(cè)試工具獲取所述微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的第一參數(shù)和第一有效面積，所述第一參數(shù)包括電氣參數(shù)和第一機(jī)械參數(shù)；

29、第二測(cè)試模塊，用于通過(guò)所述klippel測(cè)試工具獲取所述無(wú)源振動(dòng)器的實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)和第二有效面積，并根據(jù)所述實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)匹配得到所述無(wú)源振動(dòng)器的第二機(jī)械參數(shù)。

30、另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的振動(dòng)優(yōu)化系統(tǒng)，用于優(yōu)化如前面所述的揚(yáng)聲器裝置的振動(dòng)性能，包括：

31、第三測(cè)試模塊，用于對(duì)所述揚(yáng)聲器裝置進(jìn)行加速度測(cè)試，得到所述揚(yáng)聲器裝置當(dāng)前的諧振頻率和最大振動(dòng)加速度；

32、參數(shù)調(diào)整模塊，用于增大所述無(wú)源振動(dòng)器的第二機(jī)械質(zhì)量，并減小所述無(wú)源振動(dòng)器的第二機(jī)械剛度，使得優(yōu)化后的所述揚(yáng)聲器裝置的諧振頻率小于等于預(yù)設(shè)的第一閾值，且優(yōu)化后的所述揚(yáng)聲器裝置的最大振動(dòng)加速度大于等于預(yù)設(shè)的第二閾值。

33、另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括存儲(chǔ)器、處理器、存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并可在所述處理器上運(yùn)行的程序以及用于實(shí)現(xiàn)所述處理器和所述存儲(chǔ)器之間的連接通信的數(shù)據(jù)總線，所述程序被所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如前面所述的帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的參數(shù)識(shí)別方法的步驟或帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的振動(dòng)優(yōu)化方法的步驟。

34、另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)為計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，用于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有一個(gè)或者多個(gè)程序，所述一個(gè)或者多個(gè)程序可被一個(gè)或者多個(gè)處理器執(zhí)行，以實(shí)現(xiàn)如前面所述的帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的參數(shù)識(shí)別方法的步驟或帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置的振動(dòng)優(yōu)化方法的步驟。

35、另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種車(chē)輛，所述車(chē)輛包括如前面所述的帶無(wú)源振動(dòng)器的揚(yáng)聲器裝置。

36、本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和有益效果將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到：

37、本發(fā)明實(shí)施例的揚(yáng)聲器裝置包括外殼以及設(shè)置在外殼內(nèi)的微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器和無(wú)源振動(dòng)器，微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器包括音圈、內(nèi)磁體、外磁體以及導(dǎo)磁軛，導(dǎo)磁軛固定在外殼的底部，音圈設(shè)置在導(dǎo)磁軛的上方，內(nèi)磁體和外磁體均設(shè)置在導(dǎo)磁軛上，且內(nèi)磁體位于音圈的內(nèi)側(cè)，外磁體繞設(shè)在音圈的外側(cè)，無(wú)源振動(dòng)器包括中心振膜和側(cè)振膜，側(cè)振膜繞設(shè)在音圈的外側(cè)，且位于外磁體的上方，中心振膜設(shè)置在音圈的上方，且與側(cè)振膜的內(nèi)邊緣連接。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)中心振膜和側(cè)振膜組成的無(wú)源振動(dòng)器來(lái)產(chǎn)生振動(dòng)，無(wú)需使用獨(dú)立于揚(yáng)聲器盒的線性振動(dòng)器，降低了頸掛式揚(yáng)聲器的生產(chǎn)成本；通過(guò)klippel測(cè)試工具獲取微型揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的電氣參數(shù)、機(jī)械參數(shù)以及無(wú)源振動(dòng)器的實(shí)驗(yàn)位移參數(shù)，然后匹配得到無(wú)源振動(dòng)器的機(jī)械參數(shù)，提高了揚(yáng)聲器裝置的參數(shù)識(shí)別的準(zhǔn)確率；通過(guò)加速度測(cè)試得到揚(yáng)聲器裝置的諧振頻率和最大振動(dòng)加速度，通過(guò)優(yōu)化無(wú)源振動(dòng)器的機(jī)械質(zhì)量和機(jī)械剛度以減小揚(yáng)聲器裝置的諧振頻率、增大揚(yáng)聲器裝置的最大振動(dòng)加速度，提高了揚(yáng)聲器裝置的振動(dòng)性能，從而提高了用戶的使用體驗(yàn)。