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      開(kāi)關(guān)型電源的制作方法

      文檔序號(hào):7559493閱讀:379來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:開(kāi)關(guān)型電源的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及開(kāi)關(guān)型電源。
      舉例來(lái)說(shuō),有些電視接收機(jī)具有用于接收外部視頻輸入信號(hào)(例如,以接收機(jī)公共導(dǎo)體為基準(zhǔn)而產(chǎn)生的紅色,綠色及蘭色輸入信號(hào))的信號(hào)接頭。這些信號(hào)接頭及接收機(jī)的公共導(dǎo)體可以連接到外部裝置,如視頻通信接收機(jī)(VCR)或電視文字廣播接收機(jī)譯碼器的相應(yīng)的信號(hào)接頭及公共導(dǎo)體上。
      為了簡(jiǎn)化外部裝置與電視接收機(jī)之間信號(hào)的耦合,接收機(jī)和外部裝置的公共導(dǎo)體是連接在一起的,以便它們處在相同的電位。每個(gè)外部裝置的信號(hào)引線連接到對(duì)應(yīng)的接收機(jī)的信號(hào)接頭。在這種設(shè)備中,可以使每個(gè)裝置(例如電視接收機(jī))的公共導(dǎo)體相對(duì)于向該裝置供電的相應(yīng)的交流電源保持“浮動(dòng)”,或電絕緣狀態(tài)。當(dāng)公共導(dǎo)體浮動(dòng)時(shí),使用者摸到與公共導(dǎo)體同電位的接頭將不會(huì)遭受電擊。
      所以,希望把例如電視接收機(jī)的公共導(dǎo)體或地線與向該電視接收機(jī)供電的交流電源的接線端電位絕緣。這種絕緣一般用變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)。被絕緣的公共導(dǎo)體被叫作“冷”地線導(dǎo)體。
      例如,在電視接收機(jī)的一般開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中,交流電源電壓直接耦合到橋式整流器,以產(chǎn)生未穩(wěn)壓的直流輸入電源電壓,例如,該直流電壓以稱為“熱”地線的公共導(dǎo)體為基準(zhǔn),并且,是與冷地線導(dǎo)體絕緣的。脈寬調(diào)制器控制斷路器晶體管開(kāi)關(guān)的占空因數(shù),該開(kāi)關(guān)把未穩(wěn)壓的電源電壓跨接到回掃變壓器的初級(jí)繞組上。在變壓器的次級(jí)繞組上產(chǎn)生其頻率被調(diào)制器所確定的回掃電壓,并且該回掃電壓被整流,以產(chǎn)生諸如電壓B+的直流輸出電壓,用它來(lái)激勵(lì)電視接收機(jī)的水平偏轉(zhuǎn)電路,舉例來(lái)說(shuō),回掃變壓器的初級(jí)繞組被電連接到熱地線導(dǎo)體。回掃變壓器的次級(jí)繞組及電壓B+多半被由變壓器所形成的熱-冷絕緣層與熱地線導(dǎo)體絕緣。
      在一些先有技術(shù)的電路中,通過(guò)感測(cè)在回掃變壓器的隔離線圈中產(chǎn)生的電壓來(lái)讀出電壓B+。這么作是不利的,這么檢測(cè)到的電壓不能充分地跟蹤電壓B+的變化。為了更好地調(diào)整電壓B+,希望在產(chǎn)生電壓B+的端點(diǎn)直接感測(cè)該電壓。
      在實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)方面的SMPS中,根據(jù)電壓B的電平而產(chǎn)生回掃定時(shí)控制信號(hào),它們都以冷地線導(dǎo)體為基準(zhǔn)。定時(shí)控制信號(hào)被加到連接于熱地線導(dǎo)體的斷路晶體管開(kāi)關(guān),以實(shí)現(xiàn)斷路晶體管開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通占空系數(shù)的脈寬調(diào)制。
      希望在不另加絕緣變壓器的情況下來(lái)施加這種定時(shí)控制信號(hào)。
      實(shí)施本發(fā)明的另一個(gè)方面的SMPA包含輸入電壓源及具有第一和第二繞組的變壓器??煽亻_(kāi)關(guān)具有連接于第一繞組及輸入電壓源的主電流導(dǎo)通端??煽亻_(kāi)關(guān)由周期性的第一控制信號(hào)實(shí)施開(kāi)關(guān)動(dòng)作,以便在變壓器中的儲(chǔ)存磁能的第一繞組中產(chǎn)生第一開(kāi)關(guān)電流。第一開(kāi)關(guān)電流用來(lái)產(chǎn)生連接到負(fù)載的輸出電源電壓。把對(duì)第一阻抗取樣的電流接入包含第一繞組的電流通路中,用于至少把第一開(kāi)關(guān)電流的一部分導(dǎo)入第一阻抗。當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通時(shí),在用來(lái)指示第一開(kāi)關(guān)電流電平的第一阻抗中產(chǎn)生電流取樣信號(hào)。當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)電流按照電流取樣信號(hào)而超過(guò)預(yù)定電平時(shí),第一控制信號(hào)使可控開(kāi)關(guān)換向進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。在可控開(kāi)關(guān)的第一導(dǎo)通間隔過(guò)去以后,一個(gè)低阻抗被加到第二繞組,使第一開(kāi)關(guān)電流超過(guò)預(yù)定電平。第一導(dǎo)通間隔隨輸出電源電壓而變,以致可控開(kāi)關(guān)的占空因數(shù)按負(fù)反饋形式變化,以調(diào)整輸出電源電壓。
      第一開(kāi)關(guān)電流可以流過(guò)變壓器的第三繞組,以便由第三繞組的電流來(lái)產(chǎn)生輸出電源電壓。就電擊危險(xiǎn)而論,第一繞組可以與輸入電壓電源不絕緣,而第二和第三繞組可以與輸入電壓電源絕緣。這么作是有益的,變壓器提供以上要求的電絕緣,用于使第一開(kāi)關(guān)電流從一個(gè)方向越過(guò)絕緣層而流經(jīng)第三繞組,而使控制信息從另一方向經(jīng)由第二繞組越過(guò)絕緣層而耦合。
      在附圖中

      圖1a及1b說(shuō)明體現(xiàn)本發(fā)明的一個(gè)方面的電源;
      圖2a-2m說(shuō)明用于解釋圖1電路的正常運(yùn)行的波形;
      圖3a及3b說(shuō)明用于圖1電路中的隔離變壓器;
      圖4a-4b說(shuō)明用于解釋圖1的電源從正常運(yùn)行向等待運(yùn)行的轉(zhuǎn)變的波形;
      圖5a-5h說(shuō)明用于解釋圖1的電源從等待運(yùn)行向正常運(yùn)行的轉(zhuǎn)變的波形;
      圖6說(shuō)明圖1的電路在過(guò)負(fù)荷條件下的波形;
      圖7說(shuō)明用于解釋圖1的電路啟動(dòng)時(shí)的瞬態(tài)波形;
      圖8a-8c說(shuō)明略有修改的圖1電路在過(guò)負(fù)荷條件下的波形;以及圖9a-9e說(shuō)明略有修改的圖1電路啟動(dòng)時(shí)的波形。
      圖1說(shuō)明體現(xiàn)本發(fā)明的一個(gè)方面的開(kāi)關(guān)型電源(SMPA)。SMPS產(chǎn)生穩(wěn)壓的,例如用來(lái)激勵(lì)電視接收機(jī)偏轉(zhuǎn)電路(未示出)的+145伏的輸出電源電壓B+及+24伏的輸出電源電壓V+。交流電源電壓VAC被橋式整流電路100整流后產(chǎn)生未穩(wěn)壓的電壓VUR?;貟咦儔浩鱐的初級(jí)繞組W1連接在產(chǎn)生電壓VUR的接點(diǎn)100a和功率開(kāi)關(guān)晶體管Q1的集電極之間。變壓器T是按在圖3a及3b中示出的樣式構(gòu)成的。在圖1及3a和3b中,相同的符號(hào)及標(biāo)號(hào)表明相同的項(xiàng)目或功能。
      為了在電阻RS兩端產(chǎn)生正比于晶體管Q1集電極電流iC的電壓Vsense,圖1的晶體管Q1的發(fā)射極通過(guò)發(fā)射極電流取樣電阻R連接到在本文中稱為“熱”地線的公共導(dǎo)體。晶體管Q1的基極通過(guò)電容器102連接到產(chǎn)生開(kāi)關(guān)信號(hào)VC2的接點(diǎn)104。信號(hào)VC2在晶體管Q1中引起開(kāi)關(guān)操作。接點(diǎn)104通過(guò)電阻103連接到變壓器T的次級(jí)繞組W2的接點(diǎn)W2a。
      圖2a-2m說(shuō)明用于解釋圖1的SMPS的正常靜態(tài)運(yùn)行的波形。在圖1a及1b和2a-2m中,相同的符號(hào)及標(biāo)號(hào)表示相同的項(xiàng)目或功能。
      例如,在對(duì)應(yīng)周期的圖2a的時(shí)間間隔t0-t2期間,在圖1的繞組W中產(chǎn)生相對(duì)于熱地線為正的圖2d的電壓VW2,并且,該電壓按箭頭所指的方向產(chǎn)生流入晶體管Q1的基極的電流iB。電流iB在電容器102上按所指極性產(chǎn)生電壓VC102。圖2c的電流iB提供基極電流,后者在圖2a的時(shí)間間隔t0-t2期間維持圖1中晶體管Q1導(dǎo)通。隨后,如圖2b所示,在間隔t0-t2期間,集電極電流iC斜坡上升,使感應(yīng)的能量存儲(chǔ)在圖1的變壓器T中。如以后將要講到,在圖2a的時(shí)間t2,圖1中的晶體管Q1變成不導(dǎo)通。
      晶體管Q1變成不導(dǎo)通以后,存儲(chǔ)在繞組W1中的感應(yīng)能量被變壓器或回掃動(dòng)作轉(zhuǎn)移到變壓器T的次級(jí)繞組W4。在線圈W4的相應(yīng)接點(diǎn)108及109產(chǎn)生的相應(yīng)的回掃脈沖分別被二極管106及107整流,并且,分別被電容器121及122濾波,以分別產(chǎn)生以本文中稱為“冷”地線的第二公共導(dǎo)體為基準(zhǔn)的直流電壓B+及V+。冷地線與熱地線絕緣。
      接點(diǎn)109通過(guò)由電阻器110及111構(gòu)成的分壓器耦合到比較器U2b,的倒向輸入端113。當(dāng)圖1a的晶體管Q1導(dǎo)通時(shí),由于變壓器作用而在接點(diǎn)109產(chǎn)生的電壓為負(fù),導(dǎo)致耦合于接點(diǎn)113的保護(hù)二極管112導(dǎo)通,并且,在圖2m的時(shí)間間隔t0-t2中把在接點(diǎn)113所產(chǎn)生的信號(hào)VH箝位到二極管112的前向電壓,該電壓為負(fù)值。
      串聯(lián)連接在產(chǎn)生電壓B的接點(diǎn)150和比較器U2b的輸出接點(diǎn)114之間的圖1b的三個(gè)電阻R10,R11及R12,使連接在接點(diǎn)114和冷地線之間的電容器C10充電。所以,當(dāng)信號(hào)VH為負(fù)時(shí),在電阻器R10及R11之間的接點(diǎn)115上產(chǎn)生鋸齒信號(hào)VS的斜坡上升部分,后者具有如圖21所示的時(shí)間間隔t0-t2期間的波形。在時(shí)間間隔t0-t2之前,圖1b的電容器C10完全被放電,產(chǎn)生圖21中信號(hào)VS的平直部分,該部分的電平小于+12V平頂部分的電平?jīng)Q定于電阻R11及R12之和與R10之比。
      鋸齒信號(hào)VS耦合到比較器U2a的非倒相輸入端。比較器U2a的倒相輸入端連接+12伏的電平。開(kāi)關(guān)晶體管Q3的基極連接到產(chǎn)生圖2k的脈沖信號(hào)VB3的比較器U2a的輸出端116。晶體管Q3的集電極通過(guò)保護(hù)二極管D3及限流電感器L3連接到變壓器T的次級(jí)繞組W3。在鋸齒信號(hào)VS電平變成大于+12伏以后,在晶體管Q1的導(dǎo)通時(shí)間間隔的一部分時(shí)間內(nèi),例如,圖2k的t1-t2間隔內(nèi),晶體管Q3導(dǎo)通。
      導(dǎo)通時(shí),晶體管Q3與二極管D3及電感器L3一起構(gòu)成跨接在線圈W3的兩端的串聯(lián)電路,并且,該電路實(shí)質(zhì)上起跨接于線圈W3兩端的低阻抗的作用。電感器L3限制圖2j的短路電流iS的峰值幅度。由于變壓器作用合成的低阻抗被反映成跨接于圖1的繞組W1兩端的低阻抗。其結(jié)果是在圖2b的間隔t1-t2中,晶體管Q1的集電極電流iC以明顯地高于間隔t0-t1中的速率上升。因此,在圖2b的t1之后不久,與圖1a的電流iC成正比的電壓Vsense與在齊納二極管Z2.7兩端產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓VR1相等。
      電壓Vsense與VR1被耦合到具有輸出晶體管開(kāi)關(guān)(未示出)的比較器U1a,并且,在其中進(jìn)行比較,該開(kāi)關(guān)經(jīng)由輸出接點(diǎn)105跨接到電容器C2的兩端。當(dāng)電壓Vsense在圖2b的時(shí)間t2與電壓VR1變成相等時(shí),圖1a的電容器C2立刻放電,因此,如圖2f所示,產(chǎn)生于電容器C2的鋸齒信號(hào)Vin變成零。在每個(gè)周期的其余時(shí)間內(nèi),例如t2-t6期間,鋸齒信號(hào)Vin以由圖1a的電阻R2及電容器C2所確定的速率斜坡上升。信號(hào)Vin被耦合到比較器U1b的倒相輸入端。在齊納二極管Z5.1兩端產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓VR2連接到比較器U1b的非倒相輸入端。
      當(dāng)信號(hào)Vin在圖2f的時(shí)間t2變?yōu)榱銜r(shí),產(chǎn)生于比較器U1b的輸出端并且連接到開(kāi)關(guān)晶體管Q2基極的圖2g的輸出信號(hào)Vout接通晶體管Q2。當(dāng)圖1a的晶體管Q2在圖2e的時(shí)間t2被接通時(shí),晶體管Q2將電容器102的接點(diǎn)104連接到熱地線上。電容器102的另一端連接到相對(duì)于接點(diǎn)104處負(fù)電平的晶體管Q1的基極上。所以,晶體管Q1的基極電荷(它在圖2a的時(shí)間t2之前保持晶體管Q1導(dǎo)通)很快被清除,使圖1a的晶體管Q1立刻變成不導(dǎo)通。
      在圖2g的t2-t4期間,由鋸齒信號(hào)Vin控制的信號(hào)Vout維持晶體管Q2導(dǎo)通及晶體管Q1不導(dǎo)通。在時(shí)間t4,圖2f的斜坡上升信號(hào)Vin大于VR2,信號(hào)Vout變到零電平狀態(tài),這樣,就得到單穩(wěn)態(tài)操作。例如在圖2a時(shí)間間隔t2-t4內(nèi)(該時(shí)間間隔在每個(gè)周期中具有相同長(zhǎng)度),保持晶體管Q2導(dǎo)通及晶體管Q1不導(dǎo)通。
      例如,在間隔t2-t4的一部分時(shí)間內(nèi),次級(jí)繞組W4的接點(diǎn)108及109上的相應(yīng)的正回掃脈沖產(chǎn)生維持二極管106及107導(dǎo)通的電流,并且,分別使濾波電容器121及122充電。儲(chǔ)存于電容器121的電荷補(bǔ)充被通過(guò)例如接點(diǎn)150的負(fù)載電流iL移走的電荷,其充電量正比于圖1a的晶體管Q1維持導(dǎo)通時(shí)的圖2a的t0-t2間隔長(zhǎng)度。圖2a的t0-t2間隔長(zhǎng)度又受控于VB3。因此,舉例來(lái)說(shuō),控制晶體管Q1的占空因數(shù)的信號(hào)VB3對(duì)電壓B+起調(diào)整作用。
      如圖2m所示,在間隔t2-t4內(nèi),在晶體管Q1不導(dǎo)電期間出現(xiàn)在圖1b的接點(diǎn)109上的正電壓使比較器U2b的接點(diǎn)113的信號(hào)VH為正。其結(jié)果是圖1b的電容器C10立即放電,而鋸齒波信號(hào)VS保持低于+12伏的恒定電平(如圖21的間隔t2-t4),這為圖2a的相斷的時(shí)間間隔t4-t6做好準(zhǔn)備,在此時(shí)間間隔內(nèi),圖1a的晶體管Q1再次導(dǎo)通。
      直到圖2a的時(shí)間t23為止,用于產(chǎn)生電壓B+的二極管106一直保持導(dǎo)通。在時(shí)間間隔t2-t23內(nèi),晶體管Q1的集電極電壓VCl處在恒定的正電平+600V,該電壓是由電壓VUR,圖1b的電壓B+及變壓器T的匝數(shù)比確定的。
      在圖2a的t23-t4期間,由于圖1的電路120與繞組W1的電感形成諧振環(huán)路的作用,電壓VC1按照諧振方式變化。電路120包含圖1a的電容器119,后者與由阻尼電阻117及二極管118組成的并聯(lián)電路串聯(lián),構(gòu)成電路120。電路120連接在晶體管Q1的集電極與熱地線之間。在圖2a的間隔t2-t23期間,二極管118使電容器119兩端的電壓等于電壓VC1。
      在間隔t23-t4期間,圖1b的二極管106及107不導(dǎo)通,而集電極電壓Vci由于繞組W1,電容器119及電阻器117中產(chǎn)生的阻尼振蕩電流的結(jié)果而變化。阻尼振蕩電流使產(chǎn)生于變壓器T的繞組W2兩端的、并且,在圖2d的時(shí)間t3以前一直是負(fù)值的電壓VW2在t3以后按諧振形式更加正向增長(zhǎng)。
      在圖2g的時(shí)間t4,由于上述單穩(wěn)態(tài)操作的結(jié)果,圖1a的晶體管Q2的基極的信號(hào)電壓Vout為零,這使晶體管Q2變成不導(dǎo)通。在不導(dǎo)通以后,晶體管Q2能把正電壓VW2耦合到晶體管Q1的基極。通過(guò)電阻103及電容器102而耦合到晶體管Q1基極的正電壓VW2產(chǎn)生導(dǎo)致圖1的晶體管Q1導(dǎo)通的電流iB。適當(dāng)選擇電容器119和電阻117的值,以便保證在圖2的時(shí)間t4,當(dāng)圖2g的信號(hào)Vout變成零值時(shí),電壓VW2具有足夠的正值來(lái)導(dǎo)通晶體管Q1。在圖2k的脈沖VB3所確定按以前關(guān)于時(shí)間間隔t0-t2所描述的方式的圖2a的時(shí)間t以前,圖1a的晶體管Q1一直保持導(dǎo)通。
      在圖2a的時(shí)間t6之后(該時(shí)間和緊接的前一周期的時(shí)間t0類似,如以前關(guān)于圖2a的間隔t0-t1所敘述的那樣,圖1中的電容器C10按鋸齒波方式充電。信號(hào)VS的直流偏壓正比于電壓B+,并且,可以用調(diào)節(jié)電阻R11的辦法來(lái)調(diào)節(jié)。所以,在圖21的間隔t4-t5過(guò)去之后,在圖1b的晶體管Q3的基極上出現(xiàn)脈沖信號(hào)VB3,它具有出現(xiàn)在例如,圖2k的時(shí)間t5的脈沖前沿。表示圖1a的晶體管Q1的導(dǎo)通時(shí)間的間隔t4-t5的長(zhǎng)度正比于電壓B+。
      舉例來(lái)說(shuō),增加電壓B+造成信號(hào)VS的直流偏壓增加,所以,在給定的周期當(dāng)中晶體管Q3提前接通。如前所述,當(dāng)晶體管Q3被信號(hào)VB3的脈沖接通時(shí),晶體管Q1的集電極電流iC急速增加,導(dǎo)致晶體管Q2導(dǎo)通,依次,導(dǎo)致晶體管Q1緊接著關(guān)閉。所以,當(dāng)電壓B增加時(shí),晶體管Q1導(dǎo)通的間隔t0-t2或t4-t6的長(zhǎng)度降低。其結(jié)果為;可用少一些的磁能產(chǎn)生對(duì)形成電壓B+的圖1b的濾波電容器121充電的電流。另一方面,降低電壓B+將導(dǎo)致晶體管Q2及Q3在給定的周期中晚一些接通而晶體管Q1晚一些關(guān)閉。這樣,通過(guò)用電壓B+來(lái)進(jìn)行控制,在給定的周期中,提前或推遲晶體管Q3導(dǎo)通以及晶體管Q1截止的時(shí)刻的方法,以負(fù)反饋環(huán)的方式來(lái)抵消電壓B+的變化。這種負(fù)反饋環(huán)的增益確定于電容器C10的數(shù)值,并可選擇電容器C10的數(shù)值來(lái)使它升高或降低。
      圖1b的SMPS的第一部分(例如,包含繞組W4,產(chǎn)生電壓B+及信號(hào)VB3的對(duì)應(yīng)接點(diǎn)及繞組W3)電連接到冷地線。另一方面,SMPS的第二部分(例如,包含晶體管Q1及繞組W1)電連接到熱地線。變壓器T提供熱-冷絕緣層來(lái)使SMPS的第一部分與第二部分絕緣。
      根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,以冷地線為基準(zhǔn)的定時(shí)信號(hào)VB3通過(guò)回掃變壓器T的繞組W3加到電連接到熱地線的晶體管Q1的基極。這樣,變壓器T維持冷地線和熱地線的絕緣。如前所述,信號(hào)VB3根據(jù)電壓B+的電平來(lái)控制晶體管Q1的關(guān)閉時(shí)刻。
      在變壓器T中,能量從電連接到熱地線的SMPS的第二部分(例如,包含繞組W1)越過(guò)變壓器T的熱-冷絕緣層將能量傳遞到電連接到冷地線的SMPS的第一部分(例如,包含繞組W4)。這種越過(guò)熱-冷絕緣層傳遞能量的方向是與信號(hào)VB3越過(guò)該熱-冷絕緣層,而耦合的方向相反的。這樣,變壓器T用于使電源電流沿一個(gè)方向(即,從繞組W1到繞組W4)橫穿熱-冷絕緣層,并且,用于使定時(shí)信號(hào)VB3沿相反的方向越過(guò)熱-冷絕緣層,以控制晶體管Q1的并關(guān)時(shí)間。所以這么作是有益的,就不需要另加的絕緣變壓器從控制信號(hào)由那里產(chǎn)生并電連接到冷地線的SMPS的第一部分將控制定時(shí)信號(hào)VB3越過(guò)熱-冷絕緣層而耦合到完成控制操作并電連接到熱地線的SMPS的第二部分。這么作是有好處的,因?yàn)?,時(shí)標(biāo)信號(hào)VB3是在實(shí)際產(chǎn)生電壓B+的端點(diǎn)150通過(guò)感測(cè)電壓B+的電平而產(chǎn)生的。
      由電壓V+激勵(lì)的串聯(lián)的通過(guò)型穩(wěn)壓器VR2產(chǎn)生+12伏的穩(wěn)定電壓V+12。穩(wěn)定電壓V+12是作為在電阻124及125之間的結(jié)點(diǎn)126上產(chǎn)生的電壓的函數(shù)而產(chǎn)生的。電阻124及125構(gòu)成連接在電壓V+12及冷地線之間的串聯(lián)電路。
      在繞組W5產(chǎn)生的回掃電壓用二極管132整流而產(chǎn)生電壓VK。以熱地線為基準(zhǔn)的電壓VK用來(lái)激勵(lì),例如備用控制電路127的比較器U1c及U1d。被電容器Ck濾波的電壓VK通過(guò)包含電阻134及135的電阻分壓器連接到比較器U1c的倒相輸入端151,用來(lái)在接點(diǎn)151產(chǎn)生控制電壓Vj。電阻133具有連接到電阻154及153之間的結(jié)點(diǎn)151的第一端點(diǎn)及連接到比較器U1d輸出端152的第二端點(diǎn)。
      電壓VR2耦合到比較器U1c的非倒相輸入端。比較器U1d的倒相輸入端連接到產(chǎn)生電壓Vm的比較器U1c的輸出端153。基準(zhǔn)電壓VR1連接到比較器U1d的非倒相輸入端。
      圖4a-4h說(shuō)明用來(lái)解釋圖1的SMPS從正常運(yùn)行到等待運(yùn)行的轉(zhuǎn)變過(guò)程的波形。圖5a-5h說(shuō)明用來(lái)解釋返回到正常運(yùn)行的轉(zhuǎn)變過(guò)程的對(duì)應(yīng)波形。在圖1,2a-2m,4a-4h及5a-5h中,相同的符號(hào)及標(biāo)號(hào)表示相同的項(xiàng)目或功能。
      在正常運(yùn)行期間,圖1a的比較器U1c及U1d起維持在端點(diǎn)152的電壓為零的鎖存器的作用,使電壓Vj小于電壓VR2。所以,比較器U1c產(chǎn)生高于電壓VR1電平的電壓Vm來(lái)維持耦合到比較器U1a的非倒相輸入端的二極管D20不導(dǎo)通。
      如在圖4a的時(shí)間t10所示,等待運(yùn)行是在作為開(kāi)關(guān)并跨接在電阻器125兩端的圖1b的晶體管Q4導(dǎo)通時(shí)開(kāi)始的。因此,圖1的電壓V+12變成零。其結(jié)果為水平振蕩器(未示出)立即停止運(yùn)行,而開(kāi)始準(zhǔn)備運(yùn)行狀態(tài)。
      減少電壓V+12到零造成比較器U2a非倒相輸入端的電壓VS被鉗位到二極管D10的正向電壓。然而,在正常運(yùn)行和等待運(yùn)行期間,由電壓穩(wěn)壓器VR1所產(chǎn)生的在比較器U2a倒相輸入端的電壓VUR1還維持在約+12V。所以,晶體篇Q3還繼續(xù)保持在非導(dǎo)通狀態(tài);因此,晶體管Q1不再被以負(fù)反饋環(huán)路方式控制,而與變壓器T形成自激間歇振蕩器。所以,在晶體管Q4變成導(dǎo)通以后,晶體管Q1的占空因數(shù)開(kāi)始增加。在等待期間,在接點(diǎn)150的負(fù)載事實(shí)上只能拉出很少電流。因此,如圖4e及4g中時(shí)間間隔t12-t13期間所示,在晶體管Q4轉(zhuǎn)變到導(dǎo)通狀態(tài)以后,電壓VK,B+及Vj開(kāi)始增加。
      在圖4g的時(shí)間t13,電壓Vj變成等于電壓VR2,如圖4h所示,使圖1的比較器U1c產(chǎn)生零伏的輸出電壓Vm。在正常運(yùn)行期間被電壓Vm反向偏置的鉗位二極管D20在圖4h的時(shí)間t13變成導(dǎo)通的。在圖4h的時(shí)間t13以后,連接到比較器U1a的非倒向輸入端的圖1a的二極管D20的陽(yáng)極將比較器U1d的非倒向輸入端的電壓VR1鉗位到二極管D20的正向電壓。于是,在等待期間,電壓VR1的數(shù)值顯著地低于正常運(yùn)行期間的數(shù)值。因此,如圖4C的電壓Vsense的波形所示,在每周內(nèi),當(dāng)集電極電流iC的峰值電流顯著低于正常運(yùn)行期間的數(shù)值時(shí),晶體管Q1將被斷開(kāi)。所以,在晶體管Q1導(dǎo)通期間,儲(chǔ)存在圖1的繞組W1的能量顯著地減少。其結(jié)果為在等待期間,電壓B+及VK的數(shù)值總是低于正常運(yùn)行期間各對(duì)應(yīng)的數(shù)值。
      降低電壓VK同樣將使圖2f中斜坡上升信號(hào)Vin的變化率下降。因此,晶體管Q1的導(dǎo)通時(shí)間與非導(dǎo)通時(shí)間之比,即,占空因數(shù),將進(jìn)一步降低。其結(jié)果為電壓B+及VK將要比它們?cè)谡_\(yùn)行狀態(tài)下的數(shù)值更加下降。在典型的負(fù)載條件下,電壓B+在等待狀態(tài)下下降到正常運(yùn)行時(shí)的電平的約2/3。
      在從等待運(yùn)行向正常運(yùn)行的轉(zhuǎn)變過(guò)程中,為了在啟動(dòng)時(shí)減低水平偏轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)(未示出)的應(yīng)力,希望用低電平的B+來(lái)避免偏轉(zhuǎn)晶體管被二次擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。與此相反,例如,在一些采用集成電路TDA4600的先有技術(shù)SMPS中,電壓B+可能從正常運(yùn)行電平的+145V升到等待電平的+190V。
      在圖4h的時(shí)間t13以后,輸入端點(diǎn)跨接在導(dǎo)通二極管D20兩端的圖1a的比較器U1d把電阻133從電阻分壓器去耦。所以,圖4g的電壓Vj立刻變成高于電壓VR2。其結(jié)果為在整個(gè)等待過(guò)程中,圖1的比較器U1c維持圖4h的電壓Vm為零伏。因此,圖1a的比較器U1c及U1d在整個(gè)等待運(yùn)行過(guò)程中將被鎖定在它們的對(duì)應(yīng)狀態(tài),雖然如前所述,電壓VK在等待期間總是比它在正常運(yùn)動(dòng)期間小。
      如圖5a的時(shí)間t16所示,在由于晶體管Q4的運(yùn)行而開(kāi)始正常運(yùn)行以后,圖5e的電壓B+及圖5g的電壓Vj立刻按斜坡下降的方式減小。由于水平偏轉(zhuǎn)晶體管(未示出)開(kāi)始換向,使電壓B+突然加載,造成電壓B+及Vj下降。當(dāng)在圖5g的時(shí)間t17電壓Vj變成小于電壓VR2時(shí),圖1a的等待控制電路127的比較器U1c及U1d反轉(zhuǎn)它們各自的狀態(tài)。所以,圖1的二極管D20再次反向偏置,而電壓VR1回到它的正常電平2.7V,隨后,在圖5b的時(shí)間t18,晶體管Q3導(dǎo)通,導(dǎo)致恢復(fù)圖1的SMPS的反饋?zhàn)饔谩?br> 如果在偏轉(zhuǎn)電路中出現(xiàn)故障情況,導(dǎo)致產(chǎn)生電壓B+的接點(diǎn)150和冷地線之間短路或過(guò)負(fù)荷,則SMPS開(kāi)始工作于斷續(xù)方式。如在圖6中所示,在斷續(xù)方式中,每次電流ic的脈沖之后跟隨著相當(dāng)長(zhǎng)的無(wú)電流ic脈沖出現(xiàn)的空載時(shí)間。在每次電流ic的電流脈沖的終點(diǎn),由于短路而阻止電壓VCl顯著超過(guò)電壓VUR。所以,將不在變壓器T中產(chǎn)生阻尼振蕩電流。因此,電壓VW2就不會(huì)象在正常運(yùn)行中那樣成為正值。所以,電壓VW2不能觸發(fā)晶體管Q1導(dǎo)通。
      在給定的空載時(shí)間開(kāi)始時(shí),在電容器102上產(chǎn)生的負(fù)電壓使晶體管Q1維持截止。在空載期間,電容器102通過(guò)電阻156,二極管155,電阻103及繞組W2緩慢放電,從而產(chǎn)生與箭頭方向相反的電流iB。
      在產(chǎn)生電壓VUR的接點(diǎn)100a和晶體Q1的基極之間連接電阻101。當(dāng)由于電容器102而造成的按與箭頭相反的方向流動(dòng)的電流iB變成小于電阻101中的電流i101時(shí),晶體管Q1導(dǎo)通,并且,正反饋環(huán)路產(chǎn)生電流iC的脈沖。這樣,電阻101中的電流i101將空載時(shí)間結(jié)束。
      在由于短路,過(guò)負(fù)荷運(yùn)行而產(chǎn)生的電流iC的脈沖期間的一些點(diǎn),在晶體管Q1導(dǎo)通期間,電壓VW2所產(chǎn)生的電流iB不足以維持晶體管Q1飽和。所以,晶體管Q1集電極的電壓開(kāi)始增加,從而,電壓VW2變成較小的正值,使電流iB按正反饋環(huán)路方式下降。當(dāng)電流iB變成零時(shí),晶體管Q1斷開(kāi),從而,下一次空載時(shí)間間隔開(kāi)始。當(dāng)出現(xiàn)超負(fù)荷時(shí),這種斷續(xù)運(yùn)行是合乎要求的,因?yàn)?,它通過(guò)使晶體管Q1免于過(guò)熱而減小晶體管Q1的應(yīng)力。
      如前所述,在啟動(dòng)期間,圖1的SMPS起初被偏轉(zhuǎn)電路(未示出)超載。所以,如圖7中ton-tstart期間的電壓B的瞬態(tài)波形所示,如前所述,SMPS工作于斷續(xù)方式。這樣作是有益的,斷續(xù)方式提供一種軟啟動(dòng)操作。在時(shí)間Tstart圖1的晶體管Q1通過(guò)繞組W2接收適當(dāng)?shù)幕鶚O驅(qū)動(dòng)電壓,用于啟動(dòng)正反饋環(huán)路。其結(jié)果是斷續(xù)運(yùn)行方式結(jié)束。在圖7的時(shí)間t,負(fù)反饋環(huán)路被穩(wěn)定下來(lái)而操作于穩(wěn)態(tài),從而,軟啟動(dòng)導(dǎo)通操作到此結(jié)束。
      在本發(fā)明的上述實(shí)施例中,圖1a的電阻101提供啟動(dòng)基極電流,用于導(dǎo)通晶體管Q1。如圖1a中所示在本發(fā)明的第二個(gè)修正的實(shí)施例中,電阻101′連接在產(chǎn)生半波整流電壓V100b橋式整流器100的端點(diǎn)100b和晶體管Q1的基極之間。電阻101′用來(lái)代替從圖1a的SMPS中被取消的電阻101。
      當(dāng)用電阻101′來(lái)代替101時(shí),在超負(fù)荷或啟動(dòng)條件下,在交流電壓VAC的另外半周期間,事實(shí)上電阻101′中無(wú)電流通過(guò)。在端點(diǎn)100b的半波整流電壓V100b為零期間,每個(gè)這半周具有10ms時(shí)間(當(dāng)電源頻率為50赫時(shí))。分別如圖8a,8b,8c中電壓V100b,電壓VCl及電流iC的波形所示,上述無(wú)載時(shí)間間隔延續(xù)在每一個(gè)交替出現(xiàn)的10ms間隔中。如圖8c所示的10ms的持續(xù)空載時(shí)間能夠冷卻圖1a的晶體Q1,它很有效地防止及減輕晶體管Q1的應(yīng)力。10ms的空載時(shí)間可以增加軟啟動(dòng)操作的時(shí)間間隔。(如果用60赫電源,則空載時(shí)間將為8ms。)圖9a-9e說(shuō)明用于解釋用電阻101′來(lái)代替101時(shí)圖1a的SMPS的軟啟動(dòng)操作的波形。圖1a,2a-2m,7、8及9a-9e中相同的符號(hào)與標(biāo)號(hào)表示相同的項(xiàng)目或功能。在圖9c的時(shí)間tstart,電流iC大到足以使單穩(wěn)態(tài)電路觸發(fā),從而,使圖1a的晶體管Q1在每個(gè)周期的一部分時(shí)間內(nèi)斷開(kāi)。在晶體管Q1導(dǎo)通期間儲(chǔ)存于變壓器T的能量產(chǎn)生電流iB,它在晶體管Q1每個(gè)不導(dǎo)通間隔結(jié)束時(shí)使晶體管Q1導(dǎo)通。
      權(quán)利要求
      1.開(kāi)關(guān)型電源包含以下裝置輸入電壓源;具有第一及第二繞組的變壓器,具有連接到所述第一繞組及所述輸入電壓源的主電流導(dǎo)通端的可控開(kāi)關(guān),所述可控開(kāi)關(guān)為了在所述第一繞組中產(chǎn)生第一開(kāi)關(guān)電流而由周期性的第一控制信號(hào)施行開(kāi)關(guān)動(dòng)作,所述繞組在所述變壓器中儲(chǔ)存磁能,連接到所述變壓器并且對(duì)所述第一開(kāi)關(guān)電流起反應(yīng)的裝置,該裝置用于從所述儲(chǔ)能產(chǎn)生耦合到負(fù)載的輸出電源電壓,其特征在于還包括連接在包含所述第一繞組W1的電流通路中的電流取樣第一阻抗(R5)用于至少把所述第一開(kāi)關(guān)電流的一部分引入電流取樣第一阻抗(R5),以產(chǎn)生電流取樣信號(hào)Vsense,所述電流取樣信號(hào)指示當(dāng)所述可控開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通時(shí)所述第一開(kāi)關(guān)電流ic的電平,響應(yīng)于所述電流取樣信號(hào)(Vsense)的裝置(Ula,Ulb,Q2),用于當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)電流超過(guò)預(yù)定的電平時(shí),產(chǎn)生所述第一控制信號(hào)(iB),以使所述可控開(kāi)關(guān)器(Q1)換向而進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài),用于在所述可控開(kāi)關(guān)器(Q1)第一次導(dǎo)通期間過(guò)去以后,把低阻抗加到所述第二繞組(W3),以導(dǎo)致所述第一控制電流超過(guò)預(yù)定電平的裝置(Q3),以及用于按照所述輸出供電電壓(B+)來(lái)改變第一導(dǎo)通間隔,以致按負(fù)反饋方式來(lái)改變所述可控開(kāi)關(guān)器(Q1)的占空因數(shù),用于調(diào)整所述輸出電壓(B+)的裝置(U2a)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1的電源,其特征在于所述第一阻抗(RS),所述可控開(kāi)關(guān)(Q1)及所述第一繞組(W1)是串聯(lián)連接的。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1的電源,其特征在于所述第一阻抗包含電流取樣電阻(RS)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1的電源,其特征在于所述可控開(kāi)關(guān)包含第一開(kāi)關(guān)晶體管(Q1),并且,所述變壓器(T)的第三繞組(W2)連接到所述晶體管Q的所述控制端(基極),以構(gòu)成起間歇振蕩器作用的正反饋環(huán)路。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4的電源,其特征在于所述第三線圈(W2)經(jīng)由電容器(102)連接到所述晶體管(Q1)的控制端(基極),用于在所述電容器(102)上產(chǎn)生連接到所述晶體管(Q1)的控制端(基極)的、用來(lái)在所述晶體管中加快向斷開(kāi)轉(zhuǎn)變的速率的電壓。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5的電源,其特征在于包括用于在所述第一可控信號(hào)的每周內(nèi)產(chǎn)生脈沖的裝置(U2a,U2b)具有控制端(基極)的第二開(kāi)關(guān)晶體管(Q3),在該控制端產(chǎn)生用于在所述脈沖期間使所述第三繞組(W2)與所述第一開(kāi)關(guān)晶體管(Q1)的所述控制端分離的脈沖,以致產(chǎn)生在所述電容器(102)中的所述電壓導(dǎo)致所述第一開(kāi)關(guān)晶體管(Q1)斷開(kāi),為所述第一開(kāi)關(guān)晶體管(Q1)的下一周的導(dǎo)通做準(zhǔn)備。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6的電源,其特征在于所述脈沖產(chǎn)生裝置(U2a,U2b)包含單穩(wěn)態(tài)電路。
      8.根據(jù)權(quán)利要求4的電源,其特征在于所述變壓器(T)的過(guò)負(fù)荷條件阻止形成所述正反饋環(huán)路,所述第一控制信號(hào)發(fā)生裝置包含啟動(dòng)電流源(101,101′),該電流源連接于所述第一開(kāi)關(guān)晶體管(Q1)的控制端(基極),以便激勵(lì)所述開(kāi)關(guān)晶體管(Q1)的再啟動(dòng)操作。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8的電源,其特征在于當(dāng)出現(xiàn)過(guò)負(fù)荷條件時(shí),所述電容器(102)上的所述電壓在相當(dāng)長(zhǎng)間隔內(nèi)維持第一開(kāi)關(guān)晶體管(Q1)不導(dǎo)通,以提供保護(hù)。
      10.根據(jù)權(quán)利要求8的電源,其特征在于在以交流電流電壓的頻率交替地出現(xiàn)的時(shí)間間隔內(nèi)產(chǎn)生所述起動(dòng)電流。
      11.根據(jù)權(quán)利要求1的電源,其特征在于就電擊危險(xiǎn)而言,所述第一繞組(W1)與所述可控開(kāi)關(guān)(Q1)不是電絕緣的,而所述第二繞組(W3)由所述變壓器(T)與所述可控開(kāi)關(guān)(Q1)電絕緣。
      12.根據(jù)權(quán)利要求11的電源,其特征在于所述第一繞組(W1)與所述未穩(wěn)定電源電壓(VUR)不電絕緣。
      13.根據(jù)權(quán)利要求11的電源,其特征在于變壓器(T)形成絕緣阻擋層,用于在一個(gè)方向跨過(guò)所述絕緣阻擋層而耦合所述第一開(kāi)關(guān)電流(iC),以產(chǎn)生所述輸出電壓電源,并且,用于從相反的方向跨過(guò)所述絕緣阻擋層而把表征所述輸出電壓電源第二控制信號(hào)耦合到所述阻抗。
      14.根據(jù)權(quán)利要求1的電源,其特征在于包括所述變壓器(T)的第三繞組(W2),該繞組通過(guò)電容器(102)耦合到所述可控開(kāi)關(guān)(Q1)的所述控制端(基極),以形成在正常運(yùn)行時(shí)起間歇振蕩器作用的正反饋環(huán)路。
      15.根據(jù)權(quán)利要求1的電源,其特征在于所述可控開(kāi)關(guān)包含第一開(kāi)關(guān)晶體管(Q1),所述低阻抗施加裝置包含對(duì)產(chǎn)生于變壓器(T)的信號(hào)及表征所述輸出電壓電源(B+)的信號(hào)起反應(yīng)的裝置,用于產(chǎn)生耦合于第二開(kāi)關(guān)晶體管(Q3)的控制端(基極)第二控制信號(hào),所述第二開(kāi)關(guān)晶體管在所述第一控制信號(hào)(iB)的給定周期內(nèi)的可控制時(shí)刻,把所述低阻抗加到所述變壓器(T)的所述第二繞組(W3)的兩端,所述第一控制信號(hào)(iB)是按照所述輸出電源電壓(B+)而變化的,所述低阻抗(L3)引起所述第一繞組(W1)中的所述第一開(kāi)關(guān)電流(iC)的變化速率的增加,該速率顯著高于所述可控時(shí)刻的變化速率。
      16.根據(jù)權(quán)利要求15的電源,其特征在于所述第二開(kāi)關(guān)晶體管(Q3)形成產(chǎn)生于其集電極和發(fā)射極之間的所述低阻抗。
      17.根據(jù)權(quán)利要求15的電源,其特征在于所述第一控制信號(hào)產(chǎn)生裝置包含對(duì)所述第一開(kāi)關(guān)電流(iC)及第一基準(zhǔn)電平(22.7)起反應(yīng)的第一比較器(U1A),用于當(dāng)所述開(kāi)關(guān)電流大于由基準(zhǔn)電平確定的數(shù)值時(shí)產(chǎn)生所述第一控制信號(hào)脈沖,因此,所述第一開(kāi)關(guān)電流(iC)的峰值是根據(jù)基準(zhǔn)電平(22.7)而確定的。
      18.根據(jù)權(quán)利要求17的電源,其特征在于包括連接到所述負(fù)載的開(kāi)/關(guān)控制信號(hào)源(Q4),該信號(hào)源在運(yùn)行的等待方式導(dǎo)致減少流向所述負(fù)載的輸出電流,以致于在出現(xiàn)所述開(kāi)/關(guān)控制信號(hào)的從通電狀態(tài)到斷電狀態(tài)的轉(zhuǎn)變以后,所述輸出電流的減小最初使所述輸出電源電壓(B+)增加,對(duì)表征所述輸出電源電壓的電壓(VJ)以及第二基準(zhǔn)電平的第二比較器(U1c),用于在所述轉(zhuǎn)變發(fā)生以后,當(dāng)所述輸出電源電壓大于根據(jù)所述第二基準(zhǔn)電平而確定的電平后,產(chǎn)生第二控制信號(hào),所述第二控制信號(hào)耦合到第一比較器(U1A),用于改變所述第一基準(zhǔn)電平(Z2.7),這使所述第一開(kāi)關(guān)電流(iC)的所述峰值電平顯著低于它在正常運(yùn)行狀態(tài)下的電平。
      19.根據(jù)權(quán)利要求1的電源,其特征在于所述第一阻抗包含串聯(lián)耦合到所述可控開(kāi)關(guān)(Q1)的電流取樣電阻(R),所述第一控制信號(hào)產(chǎn)生裝置包含對(duì)產(chǎn)生于所述電磁取樣電阻(RS)以及基準(zhǔn)電平(Z2.7)的信號(hào)起反應(yīng)的比較器(Z2.7)用于產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào),對(duì)所述觸發(fā)信號(hào)起反應(yīng)的單觸發(fā)電路,用于當(dāng)產(chǎn)生于所述電流取樣電阻器(RS)的所述信號(hào)變成等于所述基準(zhǔn)電平(Z2.7)時(shí),產(chǎn)生所述第一控制信號(hào)(iB)的脈沖,所述脈沖被耦合到所述可控制開(kāi)關(guān)器(Q1)的所述控制端(基極),用于在所述脈沖整個(gè)持續(xù)時(shí)間中斷開(kāi)所述可控開(kāi)關(guān)(Q1),以致于看所述脈沖持續(xù)時(shí)間以外,所述可控開(kāi)關(guān)器(Q1)是導(dǎo)通的。
      20.根據(jù)權(quán)利要求19的電源,其特征在于所述第一控制信號(hào)的所述脈沖在每個(gè)周期中具有相同的長(zhǎng)度。
      21.根據(jù)權(quán)利要求1的電源,其特征在于所述低阻抗施加裝置(Q3)包含對(duì)所述輸出電源電壓(B+)起反應(yīng)的鋸齒波發(fā)生器(C10),用于產(chǎn)生具有其變化速率根據(jù)所述輸出電壓而變的第一斜坡部分的鋸齒波信號(hào)(VS),以及對(duì)所述鋸齒信號(hào)及基準(zhǔn)電平(+12V)起反應(yīng)的比較器(U2A),用于當(dāng)所述鋸齒信號(hào)(VS)處在根據(jù)所述基準(zhǔn)電平而確定的電平時(shí),產(chǎn)生第二控制信號(hào)(VB3),以致于所述可控開(kāi)關(guān)器(Q1)的占空因數(shù)根據(jù)所述輸出電源電壓(B+),以負(fù)反饋方式而變化,這調(diào)節(jié)了所述輸出電源電壓。
      22.根據(jù)權(quán)利要求21的電源,其特征在于所述鋸齒波發(fā)生器(C10)對(duì)產(chǎn)生于所述變壓器(T)的信號(hào)(VH)起反應(yīng),用于使所述第一斜坡部分與所述可控開(kāi)關(guān)器(Q1)的開(kāi)關(guān)時(shí)間同步,在所述可控開(kāi)關(guān)(Q1)變成不導(dǎo)通以后所述鋸齒信號(hào)的第二斜坡部分按與所述與第一斜坡部分相反的方式而變化。
      23.一種開(kāi)關(guān)型電源包含開(kāi)關(guān)晶體管,具有連接到所述第一開(kāi)關(guān)晶體的主電流電極的第一繞組的變壓器,連接到所述開(kāi)關(guān)晶體管的控制電極,用于在其中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)動(dòng)作的控制裝置,連接到所述變壓器的裝置,該裝置用于根動(dòng)作來(lái)產(chǎn)生加到負(fù)載輸出電源電壓以及耦合到所述負(fù)載以產(chǎn)生負(fù)載電流的輸出電流,對(duì)所述輸出電源電壓起反應(yīng)的裝置,用于產(chǎn)生耦合到所述控制裝置的第一控制信號(hào),以便在正常運(yùn)行方式時(shí)根據(jù)所述輸出電源電壓而改變所述開(kāi)關(guān)晶體管的占空因數(shù),其特征在于還包括耦合到所述負(fù)載的開(kāi)一關(guān)控制信號(hào)源,該信號(hào)源在電源運(yùn)行的等待狀態(tài)期間,相對(duì)于所述正常狀態(tài)的所述負(fù)載電流而減小所述負(fù)載中的所述負(fù)載電流,從而,在所述開(kāi)一關(guān)控制信號(hào)從通電狀態(tài)變到斷電狀態(tài)之后,使所述輸出電源電壓增加。對(duì)所述輸出電源電壓起反應(yīng)的裝置(UIC),用于當(dāng)所述輸出電源電壓變得大于表征轉(zhuǎn)變到所述等待操作狀態(tài)的預(yù)定電壓(VR1)時(shí),產(chǎn)生第二控制信號(hào)(Vm),所述第二控制信號(hào)被耦到所述第一控制信號(hào)發(fā)生裝置(U1A),用于在等待狀態(tài)期間改變所述第一控制信號(hào)(VIN),以把流入所述開(kāi)關(guān)晶體管(Q1)的第一開(kāi)關(guān)電流(iC)的峰值電平維持在顯著低于它在正常運(yùn)行狀態(tài)下的數(shù)值,以把所述輸出電源電壓減小到小于正常運(yùn)行狀態(tài)下的數(shù)值,以及用于在所述等待運(yùn)行狀態(tài)期間,當(dāng)所述電源電壓(B+)已經(jīng)降低到所述較小值時(shí),維持產(chǎn)生所述第二控制信號(hào)(Vm)的裝置(U1d)。
      24.根據(jù)權(quán)利要求23的電源,其特征在于所第二控制信號(hào)維持產(chǎn)生裝置包含利用正反饋的自鎖電路(U1c,U1d)。
      25.根據(jù)權(quán)利要求23的電源,其特征在于所述變壓器(T)包含耦合到所述晶體管(Q1)的控制極(基極)的第二繞組(W2),以構(gòu)成一起間歇振蕩器作用的正反饋環(huán)路。
      全文摘要
      開(kāi)關(guān)型電源(SMPS)包含輸入電壓源及具有第一和第二繞組的變壓器??煽亻_(kāi)關(guān)具有連接于第一繞組及輸入電壓源的主流導(dǎo)通端,該開(kāi)關(guān)由周期性的第一控制信號(hào)實(shí)周施開(kāi)關(guān)動(dòng)作,以便在第一繞組中產(chǎn)生第一開(kāi)關(guān)電流,后者用來(lái)產(chǎn)生連接到負(fù)載的輸出電流電壓(B
      文檔編號(hào)H04N5/63GK1035928SQ89101350
      公開(kāi)日1989年9月27日 申請(qǐng)日期1989年3月9日 優(yōu)先權(quán)日1988年3月10日
      發(fā)明者喬瓦尼·米歇爾·萊奧納爾迪 申請(qǐng)人:Rca許可公司
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