電子設(shè)備及控制程序的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電子設(shè)備及控制程序。
【背景技術(shù)】
[0002]提出有一種具有層疊背面照射型攝像芯片及信號處理芯片的攝像元件(以下將該攝像元件稱為層疊型攝像元件)的電子設(shè)備(例如參照專利文件I)。層疊型攝像元件中，背面照射型攝像芯片和信號處理芯片以按匯集多個像素而得到的塊單位經(jīng)由微凸塊連接的方式進(jìn)行層疊。
[0003]專利文件1:日本特開2006-49361號公報
[0004]但是，在現(xiàn)有的具有層疊型攝像元件的電子設(shè)備中，按多個塊單位的每一個進(jìn)行拍攝而獲得圖像的提案并不多，具有層疊型攝像元件的電子設(shè)備的使用便利性并不夠好。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在本發(fā)明的方式中，其目的在于，通過使實時取景圖像的第I區(qū)域的積蓄條件和第2區(qū)域的積蓄條件不同，從而能夠在實時取景圖像中，確認(rèn)與按每個區(qū)域的積蓄條件的變更對應(yīng)的圖像變化。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的第I方式，提供一種電子設(shè)備，其包括:攝像部，其具有攝像元件，并能夠?qū)Φ贗區(qū)域和第2區(qū)域進(jìn)行拍攝；控制部，其使顯示部顯示由攝像部拍攝的與第I區(qū)域和第2區(qū)域?qū)?yīng)的實時取景圖像；以及變更部，其使實時取景圖像的第I區(qū)域的積蓄條件和第2區(qū)域的積蓄條件不同。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第2方式，提供一種電子設(shè)備，其包括:顯示部，其能夠顯示攝像部拍攝到的實時取景圖像，其中，該拍攝部具有攝像元件并對第I區(qū)域和第2區(qū)域進(jìn)行拍攝；以及控制部，其在顯示部顯示由攝像部拍攝的與第I區(qū)域和第2區(qū)域?qū)?yīng)的實時取景圖像時，使顯示部顯示設(shè)定實時取景圖像的攝像條件的菜單。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的第3方式，提供一種控制程序，其使含有攝像部的電子設(shè)備的控制裝置執(zhí)行顯示處理和變更處理，其中，該攝像部具有攝像元件并能夠?qū)Φ贗區(qū)域和第2區(qū)域進(jìn)行拍攝在顯示處理中，使顯示部顯示由攝像部拍攝的與第I區(qū)域和第2區(qū)域?qū)?yīng)的實時取景圖像，在變更處理中，使實時取景圖像的第I區(qū)域的積蓄條件和第2區(qū)域的積蓄條件不同。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的第4方式，提供一種控制程序，使含有顯示部的電子設(shè)備的控制裝置執(zhí)行第I顯示處理和第2顯示處理，其中，該顯示部能夠顯示攝像部拍攝到的實時取景圖像，攝像部具有攝像元件并對第I區(qū)域和第2區(qū)域進(jìn)行拍攝，在第I顯示處理中，使顯示部顯示由攝像部拍攝的與第I區(qū)域和第2區(qū)域?qū)?yīng)的實時取景圖像，在第2顯示處理中，在正在進(jìn)行第I顯示處理時，使顯示部顯示設(shè)定實時取景圖像的攝像條件的菜單。
[0010]發(fā)明的效果
[0011]根據(jù)本發(fā)明的方式，通過使實時取景圖像的第I區(qū)域的積蓄條件和第2區(qū)域的積蓄條件不同，從而能夠在實時取景圖像中確認(rèn)與按每個區(qū)域的積蓄條件的變更對應(yīng)的圖像變化。
【附圖說明】
[0012]圖1是層疊型攝像元件的剖視圖。
[0013]圖2是說明攝像芯片的像素排列和單元組的圖。
[0014]圖3是與攝像芯片的單元組對應(yīng)的電路圖。
[0015]圖4是表示攝像元件的功能性結(jié)構(gòu)的框圖。
[0016]圖5是表示第I實施方式所涉及的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0017]圖6是表示顯示部中的顯示畫面的一個例子的圖。
[0018]圖7是第I實施方式中的圖像處理部及系統(tǒng)控制部的功能框圖。
[0019]圖8是用于說明第I實施方式所涉及的系統(tǒng)控制部執(zhí)行的攝影動作的流程圖。
[0020]圖9是表示在圖像顯示區(qū)域中設(shè)定少量塊的情況下的顯示畫面的顯示例的圖。
[0021]圖10是表示在圖像顯示區(qū)域中設(shè)定少量塊的情況下的顯示畫面的顯示例的圖。
[0022]圖11是表示在圖像顯示區(qū)域中設(shè)定少量塊的情況下的顯示畫面的顯示例的圖。
[0023]圖12是表示在圖像顯示區(qū)域中設(shè)定少量塊的情況下的顯示畫面的顯示例的圖。
[0024]圖13是表示第I實施方式所涉及的攝像處理的一個例子的流程圖。
[0025]圖14是表示在圖像顯示區(qū)域中設(shè)定大量塊的情況下的顯示畫面的顯示例的圖。
[0026]圖15是表示在圖像顯示區(qū)域中設(shè)定大量塊的情況下的顯示畫面的顯示例的圖。
[0027]圖16是表示在圖像顯示區(qū)域中設(shè)定大量塊的情況下的顯示畫面的顯示例的圖。
[0028]圖17是第2實施方式中的圖像處理部及系統(tǒng)控制部的功能框圖。
[0029]圖18是用于說明第2實施方式所涉及的系統(tǒng)控制部執(zhí)行的攝影動作的流程圖。
[0030]圖19是表示區(qū)域及攝像條件的自動設(shè)定處理的一個例子的流程圖。
[0031]圖20是表示第2實施方式所涉及的攝像處理的一個例子的流程圖。
[0032]圖21是表示僅對被選擇的區(qū)域進(jìn)行拍攝的情況下的顯示畫面的顯示例的圖。
[0033]圖22是表示第3實施方式所涉及的攝像裝置及電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0034]圖23是表示第4實施方式中的顯示畫面的顯示例的圖。
【具體實施方式】
[0035]以下參照附圖，說明本發(fā)明的實施方式。但本發(fā)明并不限定于此。另外，在附圖中，為了說明實施方式而將一部分放大或進(jìn)行強(qiáng)調(diào)地記載等，適當(dāng)變更比例尺而進(jìn)行了表現(xiàn)。
[0036]<第I實施方式>
[0037]圖1是層疊型攝像元件的剖視圖。此外，該層疊型攝像元件100是本申請的申請人此前申請的日本特愿2012-139026號中記載的部件。攝像元件100具有:攝像芯片113，其輸出與入射光對應(yīng)的像素信號；信號處理芯片111，其處理像素信號；以及存儲芯片112，其存儲像素信號。這些攝像芯片113、信號處理芯片111及存儲芯片112層疊并通過Cu等具有導(dǎo)電性的凸塊109而彼此電連接。
[0038]此外，如圖所示，入射光主要朝向以空心箭頭所示的Z軸正向入射。在本實施方式中，將攝像芯片113中入射光入射側(cè)的面稱為背面。另外，如坐標(biāo)軸所示，將與Z軸正交的紙面左方設(shè)為X軸正向，將與Z軸及X軸正交的紙面近前方向設(shè)為Y軸正向。在其后的一些圖中，以圖1的坐標(biāo)軸為基準(zhǔn)，為了理解各個圖的朝向而顯示坐標(biāo)軸。
[0039]攝像芯片113的一個例子為背面照射型的MOS圖像傳感器。H)層106配置在布線層108的背面?zhèn)?。H)層106 二維地配置，具有積蓄與入射光對應(yīng)的電荷的多個光電二極管(Photod1de，以下稱為PD) 104、以及與TO 104對應(yīng)地設(shè)置的晶體管105。
[0040]在H)層106中的入射光的入射側(cè)，隔著鈍化膜103設(shè)置彩色濾光片102。彩色濾光片102是使可見光中的特定波段通過的濾光片。該彩色濾光片102具有使彼此不同的波段透射的多個種類，與TO104分別對應(yīng)而具有特定排列。彩色濾光片102的排列將在后面記述。彩色濾光片102、F1D 104及晶體管105的組構(gòu)成一個像素。
[0041]在彩色濾光片102中的入射光的入射側(cè)，與各個像素對應(yīng)而設(shè)置微透鏡101。微透鏡ιο?朝向?qū)?yīng)的ro 104而將入射光聚光。
[0042]布線層108具有將來自H)層106的像素信號向信號處理芯片111傳輸?shù)牟季€107。布線107可以是多層，另外也可以設(shè)置無源元件及有源元件。在布線層108的表面配置多個凸塊109。這些多個凸塊109與在信號處理芯片111的相對的面上設(shè)置的多個凸塊109位置對合。并且，通過對攝像芯片113和信號處理芯片111加壓等，使位置對合了的凸塊109彼此接合而電連接。
[0043]相同地，在信號處理芯片111及存儲芯片112的彼此相對的面上配置多個凸塊109。這些多個凸塊109彼此位置對合。并且，通過對信號處理芯片111和存儲芯片112加壓等，使位置對合了的凸塊109彼此接合而電連接。
[0044]此外，凸塊109間的接合并不限于通過固相擴(kuò)散進(jìn)行的Cu凸塊接合，也可以采用通過焊錫熔融進(jìn)行的微凸塊結(jié)合。另外，凸塊109可以例如對后述的一個單元組設(shè)置一個左右。由此，凸塊109的尺寸可以大于H) 104的間距。另外，也可以在像素所排列的像素區(qū)域(圖2所示的像素區(qū)域113A)以外的周邊區(qū)域同時設(shè)置比與像素區(qū)域?qū)?yīng)的凸塊109更大的凸塊。
[0045]信號處理芯片111具有使分別設(shè)置在表面及背面的電路彼此連接的TSV (Through-Silicon Via，硅貫通電極)110。TSV 110設(shè)置在周邊區(qū)域。另外，TSV 110也可以設(shè)置在攝像芯片113的周邊區(qū)域或存儲芯片112中。
[0046]圖2是說明攝像芯片的像素排列和單元組的圖。在圖2中，特別示出從背面?zhèn)扔^察攝像芯片113的狀態(tài)。在攝像芯片113中，將排列有像素的區(qū)域稱為像素區(qū)域113A。在像素區(qū)域113A中以矩陣狀排列有2000萬個以上的像素。在圖2所示的例子中，相鄰的4像素X4像素的16像素形成一個單元組131。圖2的方格線表示將相鄰的像素成組化而形成單元組131的概念。形成單元組131的像素的數(shù)量并不限定于此，也可以是1000個左右，例如為32像素X64像素，還可以1000以上或1000以下。
[0047]如像素區(qū)域113A的局部放大圖所示，單元組131在上下左右內(nèi)含由綠色像素Gb、Gr、藍(lán)色像素B及紅色像素R這4個像素構(gòu)成的所謂拜耳陣列。綠色像素是作為彩色濾光片102而具有綠色濾光片的像素，接收入射光中的綠色波段的光。相同地，藍(lán)色像素是作為彩色濾光片102而具有藍(lán)色濾光片的像素，接收藍(lán)色波段的光。紅色像素是作為彩色濾光片102而具有紅色濾光片的像素，接收紅色波段的光。
[0048]圖3是與攝像芯片的單元組對應(yīng)的電路圖。在圖3中，作為代表的以虛線包圍的矩形表示與I個像素對應(yīng)的電路。此外，以下說明的各晶體管的至少一部分與圖1的晶體管105對應(yīng)。
[0049]如上述所示，單元組131由16個像素形成。與各個像素對應(yīng)的16個H) 104分別與傳輸晶體管302連接。在各傳輸晶體管302的柵極上連接供給傳輸脈沖的TX布線307。在本實施方式中，TX布線307相對于16個傳輸晶體管302共用地連接。
[0050]各傳輸晶體管302的漏極與對應(yīng)的各復(fù)位晶體管303的源極連接，并且傳輸晶體管302的漏極和各復(fù)位晶體管303的源極之間的所謂的浮置擴(kuò)散Π)(電荷檢測部)與放大晶體管304的柵極連接。各復(fù)位晶體管303的漏極與供給電源電壓的Vdd布線310連接。各復(fù)位晶體管303的柵極與供給復(fù)位脈沖的復(fù)位布線306連接。在本實施方式中，復(fù)位布線306相對于16個復(fù)位晶體管303共用地連接。
[0051]各個放大晶體管304的漏極與供給電源電壓的Vdd布線310連接。另外，各個放大晶體管304的源極與對應(yīng)的各個選擇晶體管305的漏極連接。在各個選擇晶體管305柵極上連接供給選擇脈沖的譯碼器布線308。在本實施方式中，譯碼器布線308相對于16個選擇晶體管305分別獨立地設(shè)置。并且，各個選擇晶體管305的源極與共用的輸出布線309連接。負(fù)載電流源311向輸出布線309供給電流。即，相對于選擇晶體管305的輸出布線309由源極跟隨器形成。此外，負(fù)載電流源311可以設(shè)置在攝像芯片113側(cè)，也可以設(shè)置在信號處理芯片111偵1|。
[0052]在這里，說明從積蓄電荷開始至積蓄結(jié)束后的像素輸出為止的流程。通過復(fù)位布線306而在復(fù)位晶體管303上施加復(fù)位脈沖。與此同時，通過TX布線307而在傳輸晶體管302上施加傳輸脈沖。由此，PD 104及浮置擴(kuò)散FD的電位被復(fù)位。
[0053]PD 104在解除傳輸脈沖施加后，將接收的入射光轉(zhuǎn)換為電荷并積蓄。然后，如果在沒有施加復(fù)位脈沖的狀態(tài)下再次施加傳輸脈沖，則ro 104中積蓄的電荷被傳輸至浮置擴(kuò)散FD。由此，浮置擴(kuò)散FD的電位從復(fù)位電位變?yōu)殡姾煞e蓄后的信號電位。并且，如果通過譯碼器布線308而向選擇晶體管305施加選擇脈沖，則浮置擴(kuò)散FD的信號電位的變化經(jīng)由放大晶體管304及選擇晶體管305傳輸至輸出布線309。通過上述電路的動作，與