一種二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及二總線通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前傳統(tǒng)的二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，驅(qū)動能力差，總線保護(hù)措施不完善，成本尚等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明目的:
為了避免【背景技術(shù)】中存在的不足之處，設(shè)計一種電路結(jié)構(gòu)簡單、驅(qū)動能力強(qiáng)、具有較強(qiáng)的總線保護(hù)功能的二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路。
[0004]技術(shù)方案:
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
一種二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路，包括:信號整形電路，大功率M0S管，M0S開關(guān)驅(qū)動電路，總線上的大功率電感。
[0005]在信號整形電路中，當(dāng)發(fā)送數(shù)據(jù)時微處理器輸出脈沖信號到非門U1A的2引腳，經(jīng)過與非U1A的引腳3輸出相位相反的脈沖信號，經(jīng)過電容C2，在與非門U1B的引腳6輸出和微處理器輸出脈沖相位相同的信號；經(jīng)過三極管Q2，Q3，Q4組成的驅(qū)動電路驅(qū)動大功率M0S管實現(xiàn)二總線上的電壓控制，完成二總線上的數(shù)據(jù)發(fā)送；由于C2的隔離直流作用，脈沖可以通過，當(dāng)微處理器出現(xiàn)故障時，與非門U1B的引腳4、5恢復(fù)為低電平，從而使與非門U1B的引腳6輸出高電平，使M0S管保持截止?fàn)顟B(tài)；其中R2和C2構(gòu)成阻容式時間常數(shù)電路，實現(xiàn)脈沖寬度限制，有利于提高傳輸速度，減少M(fèi)0S管功耗。
[0006]在M0S開關(guān)驅(qū)動電路中，M0S管采用低功耗大功率M0S管，總線上采用大功率電感，通過電流允許達(dá)到十幾安培，可以為二總線上提供很大的驅(qū)動能力。
[0007]優(yōu)點(diǎn)及效果:
本發(fā)明與【背景技術(shù)】相比，優(yōu)點(diǎn)如下:一是功率大，驅(qū)動能力強(qiáng)；二是具有脈沖寬度限制功能，有效防止總線短路；三是電路結(jié)構(gòu)簡單，元器件少，成本低，可靠性高。
[0008]【附圖說明】:
圖1一種二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路結(jié)構(gòu)圖。
[0009]【具體實施方式】:
下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明做進(jìn)一步說明，本發(fā)明保護(hù)范圍不僅局限于以下內(nèi)容的表述。
[0010]如圖1:包括微處理器接口 C，信號整形電路，大功率M0S管，M0S開關(guān)驅(qū)動電路和大功率電感L1 ;其中所述的微處理器接口 C輸出高低電平信號到信號整形電路U1A的2引腳；所述的信號整形電路包括:與非門U1A、U1B，電阻R1、R2，電容C1、C2 ;其中與非門U1A的1引腳連接電阻R1 —端，電阻R1另一端連接5V電源和電容C1，電容C1另一端接地；與非門U1A的3引腳連接電容C2的一端，電容C2另一端接電阻R2和與非門U1B的4、5引腳，其中R2另一端接地；與非門U1B的6引腳為信號整形電路輸出引腳。
[0011]所述的總線上的大功率電感為串聯(lián)在總線上，可以通過直流大電流，且隔離脈沖信號的大功率電感L1。
[0012]所述的M0S開關(guān)驅(qū)動電路包括:電阻R3、R4、R5、R6，三極管Q2、Q3、Q4 ;其中電阻R3 一端接信號整形電路輸出引腳，另一端接三極管Q2基極和電阻R4，其中R4另一端接地；三極管Q2發(fā)射極接地，集電極接電阻R5 —端和Q3和Q4的基極；電阻R5另一端接5V電源；三極管Q4的集電極接5V電源，發(fā)射極接三極管Q3發(fā)射極和電阻R6的一端，其中三極管Q3集電極接地；電阻R6另一端接大功率M0S管Q1柵極，其中大功率M0S管Q1漏極接二總線正極和電感L1，源極接地。
[0013]可以理解的是，以上關(guān)于本發(fā)明的具體描述，僅用于說明本發(fā)明而并非受限于本發(fā)明實施例所描述的技術(shù)方案，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，仍然可以對本發(fā)明進(jìn)行修改或等同替換，以達(dá)到相同的技術(shù)效果；只要滿足使用需要，都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)，本發(fā)明說明書中未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)。
【主權(quán)項】
1.一種二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路，包括:信號整形電路，大功率MOS管，MOS開關(guān)驅(qū)動電 路，總線上的大功率電感； 所述的信號整形電路，包括:與非門U1A、U1B，電阻R1、R2，電容C1、C2 ;其中與非門U1A的1引腳連接電阻R1 —端，電阻R1另一端連接5V電源和電容C1，電容C1另一端接地；與非門U1A的3引腳連接電容C2的一端，電容C2另一端接電阻R2和與非門U1B的4、5引腳，其中R2另一端接地；與非門U1B的6引腳為信號整形電路輸出引腳； 所述的總線上的大功率電感為串聯(lián)在總線上，可以通過直流大電流，且隔離脈沖信號的大功率電感L1 ； 所述的MOS開關(guān)驅(qū)動電路包括:電阻R3、R4、R5、R6，三極管Q2、Q3、Q4 ;其中電阻R3 —端接信號整形電路輸出引腳，另一端接三極管Q2基極和電阻R4，其中R4另一端接地；三極管Q2發(fā)射極接地，集電極接電阻R5 —端和Q3和Q4的基極；電阻R5另一端接5V電源；三極管Q4的集電極接5V電源，發(fā)射極接三極管Q3發(fā)射極和電阻R6的一端，其中三極管Q3集電極接地；電阻R6另一端接大功率MOS管Q1柵極，其中大功率MOS管Q1漏極與二總線和電感L1連接，源極接地。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路，其特征在于R2和C2構(gòu)成對脈沖寬度限制和短路保護(hù)的阻容式時間常數(shù)電路。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種二總線數(shù)據(jù)發(fā)送電路，由信號整形電路，大功率MOS管，MOS管開關(guān)驅(qū)動電路，總線上的大功率電感組成；其特征是微處理器產(chǎn)生的高低電平信號，經(jīng)過信號整形電路限寬整形，再經(jīng)過MOS管開關(guān)驅(qū)動電路，驅(qū)動大功率MOS管，控制二總線電壓，在總線上大功率電感的隔離作用下，數(shù)據(jù)與電源可以同時傳輸。
【IPC分類】H04B1/04
【公開號】CN105429655
【申請?zhí)枴緾N201511001998
【發(fā)明人】蹤念品, 蹤家?guī)? 徐倫
【申請人】蹤念品
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年12月29日