電耦接到各種電子設(shè)備(諸如，圖1中所示的ASIC)。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，圖3中未示出ASIC和到ASIC的電路徑。
[0023]供電焊盤(pán)302將電力電耦接到ASIC。輸出焊盤(pán)304是ASIC的輸出。客戶電子設(shè)備可以耦接到該焊盤(pán)。例如，麥克風(fēng)300可以設(shè)置在電子設(shè)備(諸如，蜂窩電話或者個(gè)人計(jì)算機(jī))中，并且這些設(shè)備的電部件可以耦接到MEMS麥克風(fēng)。麥克風(fēng)300還可以設(shè)置在其它類(lèi)型的設(shè)備上。
[0024]在初始編程期間，客戶將編程設(shè)備耦接到編程焊盤(pán)307。該步驟可在生產(chǎn)設(shè)備處完成。然而，在一些情況下，可以允許在客戶位置處發(fā)生。在完成編程裝置到MEMS麥克風(fēng)300的耦接之后，發(fā)生ASIC編程。例如，在MEMS麥克風(fēng)300的編程期間，可使用編程焊盤(pán)307將各種計(jì)算機(jī)指令、參數(shù)、或值編程到ASIC中。
[0025]在初始編程完成之后，期望消除未來(lái)或者未授權(quán)用戶對(duì)設(shè)備重新編程的能力。在這些方面，在接地區(qū)域306與編程焊盤(pán)307之間產(chǎn)生短路303。短路303是導(dǎo)電路徑。
[0026]更具體地，ASIC還包括反熔絲區(qū)域305。反熔絲區(qū)域308例如是氧化鎂變阻器(MOV)區(qū)域。MOV材料通過(guò)例如施加高壓被燃盡，以在接地區(qū)域306與編程焊盤(pán)307之間產(chǎn)生路徑
303。因此，在完成初始編程之后，由于ASIC的編程引腳現(xiàn)在被短路到地，ASIC的未來(lái)重新編程是不可能的。
[0027]現(xiàn)在參考圖4和圖5，示出了MEMS麥克風(fēng)的另一個(gè)示例。MEMS組件400包括基板402和蓋404。該組件400包括設(shè)置在組件中并且未示出的ASIC?；?02包括編程環(huán)406和氧化鎂變阻器(MOV)區(qū)域408。端口 405延伸穿過(guò)基板402到組件400的內(nèi)部，以允許聲音進(jìn)入組件。如所示，圖4和圖5中的設(shè)備是底部端口設(shè)備。然而，將想到，在此描述的方法還可以應(yīng)用至頂部端口設(shè)備。
[0028]MOV區(qū)域408與接地區(qū)域415相鄰。在初始編程期間，客戶將編程設(shè)備耦接到編程環(huán)406。編程環(huán)406電耦接到ASIC(圖4或者圖5中未示出)。在完成耦接之后，發(fā)生ASIC的編程。例如，可以將各種計(jì)算機(jī)指令、參數(shù)和值編程到ASIC中。該基板402還包括耦接到ASIC的輸出焊盤(pán)409，以提供針對(duì)ASIC的輸出。基板402另外包括耦接到ASIC并且允許給ASIC供電的供電焊盤(pán)411。
[0029]在完成初始編程之后，通常期望消除未授權(quán)用戶對(duì)ASIC重新編程的能力。在這些方面，對(duì)MOV區(qū)域408施加高壓。高壓的施加在編程環(huán)406與接地區(qū)域415之間產(chǎn)生一個(gè)或更多個(gè)短路413(導(dǎo)電路徑)。因此，ASIC不能被編程，這是因?yàn)榫幊汰h(huán)406(其耦接到ASIC上的編程引腳)現(xiàn)在被接地。
[0030]在此描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，包括發(fā)明人知曉的用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳模式。應(yīng)當(dāng)理解，所示的實(shí)施方式僅是示例性的，并且不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限制本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置，所述微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置包括: 基板，所述基板具有第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面在所述基板的相反側(cè)上； 編程接觸焊盤(pán)，所述編程接觸焊盤(pán)設(shè)置在所述基板的所述第二表面上； MEMS設(shè)備，所述MEMS設(shè)備設(shè)置在所述基板的所述第一表面上； 集成電路，所述集成電路設(shè)置在所述基板的所述第一表面上并且電連接至所述MEMS設(shè)備和所述接觸焊盤(pán)； 反熔絲區(qū)域，所述反熔絲區(qū)域耦接到所述焊盤(pán)并且耦接到地； 使得當(dāng)所述反熔絲區(qū)域不被熔化時(shí)，從所述編程接觸焊盤(pán)到所述集成電路存在第一電路徑； 使得當(dāng)所述反熔絲區(qū)域被熔化時(shí)，從所述編程接觸焊盤(pán)到地產(chǎn)生第二電路徑，并且所述第一電路徑不再能夠用于編程目的。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中，所述熔化是永久性的。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中，所述集成電路是執(zhí)行電壓放大的專(zhuān)用集成電路(ASIC) ο4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中，所述熔化通過(guò)燃燒執(zhí)行。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中，所述反熔絲區(qū)域包括氧化鎂變阻器。6.—種對(duì)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置編程的方法，所述MEMS裝置包括:基板，所述基板具有第一表面和第二表面;編程接觸焊盤(pán)，所述編程接觸焊盤(pán)設(shè)置在所述基板的所述第二表面上，所述第一表面和所述第二表面在所述基板的相反側(cè)上；以及MEMS設(shè)備，所述MEMS設(shè)備設(shè)置在所述基板的所述第一表面上；以及集成電路，所述集成電路設(shè)置在所述基板的所述第一表面上并且連接至所述MEMS設(shè)備和所述編程接觸焊盤(pán)；以及反熔絲區(qū)域，所述反熔絲區(qū)域耦接到所述焊盤(pán)并且耦接到地，所述方法包括: 最初使用從所述接觸焊盤(pán)到所述集成電路存在的第一電路徑對(duì)所述集成電路編程； 熔化所述反熔絲區(qū)域，使得當(dāng)所述反熔絲區(qū)域被熔化時(shí)，從所述焊盤(pán)到地產(chǎn)生第二電路徑，并且所述第一電路徑不再能夠用于編程目的。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述熔化是永久性的。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述集成電路是執(zhí)行電壓放大的專(zhuān)用集成電路(ASIC)09.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述熔化通過(guò)燃燒執(zhí)行。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述反熔絲區(qū)域包括氧化鎂變阻器。
【專(zhuān)利摘要】一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置包括基板。該基板包括第一表面和第二表面。第一表面和第二表面在基板的相反側(cè)上。編程接觸焊盤(pán)設(shè)置在基板的第二表面上。MEMS設(shè)備設(shè)置在基板的第一表面上。集成電路設(shè)置在基板的第一表面上并且電連接到MEMS設(shè)備和接觸焊盤(pán)。反熔絲區(qū)域耦接到焊盤(pán)并且耦接到地。當(dāng)反熔絲區(qū)域不被熔化時(shí)，從編程接觸焊盤(pán)到集成電路存在第一電路徑。當(dāng)反熔絲區(qū)域被熔化時(shí)，從編程接觸焊盤(pán)到地產(chǎn)生第二電路徑并且第一電路徑不再能夠用于編程目的。
【IPC分類(lèi)】H04R19/04, H01L29/84
【公開(kāi)號(hào)】CN105453591
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480034251
【發(fā)明人】J·J·阿伯斯
【申請(qǐng)人】美商樓氏電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2014年6月11日
【公告號(hào)】EP3011759A1, US9054223, US20140367809, WO2014204746A1