用于電子設(shè)備中的部件的一體式框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于電子設(shè)備中的部件的一體式框架。更具體而言，公開了一種電子設(shè)備，包括適于與音頻驅(qū)動(dòng)器一起使用的框架構(gòu)件。框架構(gòu)件可包括接收音頻驅(qū)動(dòng)器的凹陷區(qū)域?？蚣軜?gòu)件可以進(jìn)一步包括包圍凹陷區(qū)域的凸緣構(gòu)件?？蚣軜?gòu)件可以由具有相對熱導(dǎo)率系數(shù)的材料來形成。因此，框架構(gòu)件能夠消散由音頻驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的熱能(熱量)。此外，框架構(gòu)件可以按照允許框架構(gòu)件將熱能傳遞到外殼的方式位于電子設(shè)備的外殼中。此外，框架構(gòu)件可包括鐵磁材料，這可以使得框架構(gòu)件以所需方式定向來自音頻驅(qū)動(dòng)器的磁體的磁通量。
【專利說明】
用于電子設(shè)備中的部件的一體式框架
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]所描述的實(shí)施例一般地涉及具有音頻組件的電子設(shè)備。更具體而言，本實(shí)施例涉及用于散熱和增強(qiáng)音頻組件聲學(xué)性能的設(shè)備和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]已知的是，音頻驅(qū)動(dòng)器(通常被稱為揚(yáng)聲器或揚(yáng)聲器模塊)通過致動(dòng)音圈來產(chǎn)生聲音，這可以通過使電流通過音圈從而使得音圈成為電磁鐵來實(shí)現(xiàn)。進(jìn)一步地，電流可以以相反的方向被驅(qū)動(dòng)，從而產(chǎn)生改變磁極的電磁鐵。電磁鐵被吸引到永久磁鐵(當(dāng)電磁鐵包括與永久磁鐵相反的極性時(shí))和作為替代被永久磁鐵排斥(當(dāng)電磁鐵包括與永久磁鐵相同的極性時(shí))。根據(jù)電流的流動(dòng)，音圈可致動(dòng)。
[0003]然而，一些以電流形式輸入到音頻驅(qū)動(dòng)器的電能被轉(zhuǎn)換成熱能。隨著熱能增加，音頻驅(qū)動(dòng)器的性能(音質(zhì))降低，特別是當(dāng)音頻驅(qū)動(dòng)被封閉時(shí)。例如，被封閉在一個(gè)便攜式電子設(shè)備的金屬外殼內(nèi)的音頻驅(qū)動(dòng)器可能在連續(xù)使用下產(chǎn)生熱量，從而使音圈的電阻增加。其結(jié)果是，被輸送到音圈的電流量減少。這不僅降低了音頻驅(qū)動(dòng)器的性能，還降低了效率。關(guān)于后者，可能需要額外的電流以重新獲得性能，但是這可以汲取存儲(chǔ)在便攜式電子設(shè)備的電池中的額外電功率。
[0004]抵消這些不希望的影響的一種方法是，提供一種具有專用磁體的音頻驅(qū)動(dòng)器，該專用磁體具有相對高的熱容量并被配置為吸收額外的熱量。然而，這些專用磁體通常比傳統(tǒng)磁體更加昂貴。因此，與這些專用磁鐵相關(guān)聯(lián)的附加費(fèi)用增加了便攜式電子設(shè)備的總成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在一個(gè)方面，描述了一種框架構(gòu)件，該框架構(gòu)件由金屬形成并適合于承載設(shè)置在電子設(shè)備的外殼中的內(nèi)部部件。該框架構(gòu)件可包括能夠接納內(nèi)部部件的凹陷區(qū)域。該框架構(gòu)件可進(jìn)一步包括從凹陷區(qū)域延伸并接合到外殼的凸緣構(gòu)件。該框架構(gòu)件可進(jìn)一步包括從凹陷區(qū)域延伸并與外殼的開口對準(zhǔn)的彎曲區(qū)域。在一些實(shí)施例中，凸緣構(gòu)件接收由內(nèi)部部件產(chǎn)生的熱量，并將熱量傳遞到外殼。
[0006]在另一方面，描述了一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備可包括外殼。該電子設(shè)備可進(jìn)一步包括音頻驅(qū)動(dòng)器組件。該電子設(shè)備還可包括用于接納音頻驅(qū)動(dòng)器組件的框架構(gòu)件。框架構(gòu)件可以限定配置為消散來自音頻驅(qū)動(dòng)器組件產(chǎn)生的熱量并將熱量傳遞到外殼的熱橋。框架構(gòu)件可包括襯底，該襯底包括能夠接納音頻驅(qū)動(dòng)器組件的凹陷區(qū)域?？蚣軜?gòu)件可進(jìn)一步包括由襯底形成并且從凹陷區(qū)域延伸的凸緣構(gòu)件。凸緣構(gòu)件可接收由音頻驅(qū)動(dòng)器組件產(chǎn)生的熱量，并將熱量傳遞到外殼。
[0007]在另一方面，描述了一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備可包括外殼。該電子設(shè)備可進(jìn)一步包括音頻驅(qū)動(dòng)器組件，該音頻驅(qū)動(dòng)器組件包括磁體和音圈。該電子設(shè)備還可包括用于接納音頻驅(qū)動(dòng)器組件的框架構(gòu)件?？蚣軜?gòu)件可包括金屬襯底，該金屬襯底:I)將音頻驅(qū)動(dòng)器組件接收的熱量消散到外殼，以及2)將磁體的磁通量重定向到音圈。
[0008]基于對下面的附圖和詳細(xì)說明的審閱，對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，實(shí)施例的其他系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)將是或者將變得顯而易見。旨在使所有這些額外的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)被包括在本說明書和本公開內(nèi)容中，落入實(shí)施例的范圍，并且由下面的權(quán)利要求所保護(hù)。
附圖簡要說明
[0009]通過以下的詳細(xì)說明并結(jié)合附圖將容易理解本發(fā)明，其中類似的參考標(biāo)號(hào)指示類似的結(jié)構(gòu)元件，并且其中:
[0010]圖1示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的處于打開配置的電子設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的等距視圖；
[0011]圖2示出了在圖1中所示的電子設(shè)備的后視圖，其示出該電子設(shè)備處于閉合配置；
[0012]圖3示出了處于打開配置的電子設(shè)備的局部平面圖，其示出設(shè)置在頂殼和底殼之間的若干音頻驅(qū)動(dòng)器組件；
[0013]圖4示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的框架構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施例的等距視圖；
[0014]圖5示出了電子設(shè)備的局部內(nèi)部區(qū)域的等距視圖，其示出設(shè)置在框架構(gòu)件中的第一音頻組件，其中框架構(gòu)件和第一音頻組件兩者都設(shè)置在頂殼中；
[0015]圖6示出了電子設(shè)備的等距視圖，其示出沿著線6_6(如圖5所示)截取的第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件和框架構(gòu)件的局部橫剖面視圖；
[0016]圖7示出了在圖5和6中所示的電子設(shè)備的橫截面圖，其進(jìn)一步示出與頂殼組裝在一起的底殼；
[0017]圖8示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的電子設(shè)備的一個(gè)替代實(shí)施例的橫截面圖，該電子設(shè)備具有帶有備選特征的框架構(gòu)件；
[0018]圖9示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的電子設(shè)備的一個(gè)附加實(shí)施例的橫截面圖，該電子設(shè)備具有帶有備選特征的框架構(gòu)件；
[0019]圖10示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的框架構(gòu)件的一個(gè)替代實(shí)施例的側(cè)視圖，框架構(gòu)件具有帶有孔口的凹陷區(qū)域；
[0020]圖11示出了在圖10中所示的框架構(gòu)件的側(cè)視圖，其進(jìn)一步示出安裝在該框架構(gòu)件中的音頻驅(qū)動(dòng)器組件；
[0021]圖12示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的框架構(gòu)件的等距視圖，該框架構(gòu)件包括具有圓柱形的凹陷區(qū)域；
[0022]圖13示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的設(shè)置在框架構(gòu)件中的圓柱形音頻驅(qū)動(dòng)器組件的橫截面圖，該圓柱形音頻驅(qū)動(dòng)器組件和框架構(gòu)件位于電子設(shè)備的外殼內(nèi)；和
[0023]圖14示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的用于形成電子設(shè)備的方法的流程圖。
[0024]本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白和理解的是，根據(jù)常規(guī)實(shí)踐，下面討論的附圖的各個(gè)特征不一定按比例繪制，并且附圖的各種特征和元件的尺寸可以被擴(kuò)大或縮小，以更清楚地說明本文所述的本發(fā)明的實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0025]現(xiàn)在將對附圖中所示的代表性實(shí)施例作出詳細(xì)地參考。應(yīng)當(dāng)理解，下面的描述并不旨在將實(shí)施例限制為優(yōu)選的實(shí)施例。相反，旨在覆蓋可以被包括在由所附權(quán)利要求定義的所描述實(shí)施例的精神和范圍內(nèi)的替換、修改和等同物。
[0026]在下面的詳細(xì)描述中，將參考附圖，附圖形成說明書的一部分并且在附圖中以說明的方式示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的【具體實(shí)施方式】。雖然這些實(shí)施例被充分詳細(xì)的描述以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`所描述的實(shí)施例，但應(yīng)該理解，這些實(shí)施例不是限制性的，從而可以使用其它實(shí)施例，并且在不脫離所描述的實(shí)施例的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行更改。
[0027]本公開內(nèi)容包括一種電子設(shè)備(例如膝上型計(jì)算機(jī)裝置)，其包括若干修改以提高電子設(shè)備的聲學(xué)性能。電子設(shè)備可以包括以可聽見的聲音的形式發(fā)射聲能的一個(gè)或多個(gè)音頻驅(qū)動(dòng)器組件或揚(yáng)聲器組件?？蚣軜?gòu)件或磁軛(yoke)可被設(shè)計(jì)為接納和承載音頻驅(qū)動(dòng)器組件。在這個(gè)方面，可以使用多個(gè)框架構(gòu)件，每個(gè)框架構(gòu)件承載一個(gè)音頻驅(qū)動(dòng)器組件。
[0028]本公開內(nèi)容中的框架構(gòu)件可通過多種方式增強(qiáng)聲學(xué)性能。例如，本公開內(nèi)容中的框架構(gòu)件可以由具有相對較高熱導(dǎo)率的金屬(例如鋼、不銹鋼等)制成。此外，框架構(gòu)件可與金屬(例如鋁或鋁合金)形成的電子設(shè)備的外殼或殼體耦合。在一些情況下，外殼是一體式外殼。如本詳細(xì)描述和權(quán)利要求書中使用的術(shù)語“一體式”，指的是由單個(gè)連續(xù)片或襯底形成的結(jié)構(gòu)。為了形成一體式結(jié)構(gòu)，在一些情況下，單個(gè)連續(xù)片或襯底可經(jīng)歷消減(subtractive)制造工序以去除材料，從而限定一體式結(jié)構(gòu)的各種特征。框架構(gòu)件也可以包括一體式結(jié)構(gòu)。以這種方式，當(dāng)框架構(gòu)件承載音頻驅(qū)動(dòng)器組件時(shí)，框架構(gòu)件可以熱耦合音頻驅(qū)動(dòng)器組件，并充當(dāng)高效地將熱量從音頻驅(qū)動(dòng)器組件消散到外殼的熱橋。
[0029]框架構(gòu)件可包括用于接納音頻驅(qū)動(dòng)器組件的凹陷區(qū)域。此外，框架構(gòu)件可進(jìn)一步包括圍繞凹陷區(qū)域并從凹陷區(qū)域延伸的凸緣構(gòu)件。另外，凸緣構(gòu)件可延伸到外殼的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁。當(dāng)音頻驅(qū)動(dòng)器組件位于框架構(gòu)件中時(shí)，音頻驅(qū)動(dòng)器組件可以通過部分由外殼和框架構(gòu)件形成的聲導(dǎo)管或聲學(xué)路徑發(fā)射聲能(以可聽見的聲音的形式)。例如，框架構(gòu)件可包括形成用于音頻驅(qū)動(dòng)器組件的聲導(dǎo)管的至少一部分的彎曲區(qū)域。該彎曲區(qū)域不僅可以包括增強(qiáng)聲導(dǎo)管的尺寸和形狀，而且還與外殼的開口對準(zhǔn)，從而允許從音頻驅(qū)動(dòng)器組件發(fā)射的聲能(經(jīng)由開口)離開電子設(shè)備。
[0030]傳統(tǒng)的電子設(shè)備可包括具有分離和獨(dú)立功能的多個(gè)開口。例如，傳統(tǒng)的電子設(shè)備可包括用于散熱的一個(gè)或多個(gè)開口，以及允許音頻揚(yáng)聲器發(fā)射聲音的單獨(dú)的和獨(dú)立的一個(gè)或多個(gè)開口。然而，在本實(shí)施例中，電子設(shè)備可包括在外殼中預(yù)定一個(gè)或多個(gè)位置處的一個(gè)或多個(gè)開口，該開口可同時(shí)起熱出口和聲學(xué)開口的作用。因此，電子設(shè)備可包括更少的開口，這不僅減少了制造次數(shù)，而且降低了污染物(如灰塵或液體)進(jìn)入的可能性。
[0031]相比于包括非金屬材料的框架構(gòu)件，本實(shí)施例中描述的金屬框架構(gòu)件提供了若干優(yōu)點(diǎn)。例如，由塑料或其它聚合物材料制成的框架構(gòu)件不能以與金屬框架構(gòu)件相同的方式傳遞熱量，部分原因是金屬具有比塑料或聚合物材料更大的熱導(dǎo)率。此外，在電子設(shè)備的裝配過程中塑料框架構(gòu)件可能更容易破損或開裂，部分原因是與金屬相比塑料的相對較低的耐久性。另外，當(dāng)(承載塑料框架構(gòu)件的)電子設(shè)備被例如電子設(shè)備的用戶掉落時(shí)，塑料框架構(gòu)件也是更容易破損或開裂的。此外，從某些金屬(例如鋼、鐵、鐵-鈷等)創(chuàng)建框架構(gòu)件為框架構(gòu)件提供了可增強(qiáng)音頻驅(qū)動(dòng)器組件性能的鐵磁特性。例如，由鐵磁材料形成的框架構(gòu)件可提供用于音頻驅(qū)動(dòng)器組件(例如音圈)的增強(qiáng)的散熱，以及相對較低的磁阻磁通路徑。此外，音頻驅(qū)動(dòng)器組件可包括一個(gè)或多個(gè)磁體。已知的是，磁體對熱量敏感，因?yàn)轫憫?yīng)于熱量，磁體可以減少磁化。然而，通過從音頻驅(qū)動(dòng)器組件散熱，框架構(gòu)件可允許磁體在音頻驅(qū)動(dòng)器組件的操作期間維持(或至少基本上保持)其磁化。另外，雖然本文示出和描述的框架構(gòu)件可以被設(shè)計(jì)為接納音頻驅(qū)動(dòng)器組件，但是框架構(gòu)件還可以被設(shè)計(jì)為接納其他內(nèi)部的發(fā)熱部件，例如電池或處理器。因此，可在尺寸和/或形狀上修改框架構(gòu)件，以適應(yīng)不同的內(nèi)部的發(fā)熱部件。
[0032]下面將參考圖1-圖14討論這些和其它的實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，本文關(guān)于這些附圖給出的詳細(xì)描述是用于解釋的目的，不應(yīng)被解釋為限制。
[0033]圖1示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的在打開配置中的電子設(shè)備100的一個(gè)實(shí)施例的等距視圖。在一些實(shí)施例中，電子設(shè)備100是臺(tái)式計(jì)算設(shè)備。在其他實(shí)施例中，電子設(shè)備100是無線移動(dòng)通信設(shè)備，例如智能電話。在圖1所示的實(shí)施例中，電子設(shè)備100是便攜式計(jì)算設(shè)備，例如膝上型計(jì)算機(jī)設(shè)備。如圖所示，電子設(shè)備100包括外殼102。外殼102可包括與基部106耦合的顯示殼體104，其中耦合裝置允許顯示殼體104相對于基部106旋轉(zhuǎn)或樞轉(zhuǎn)，反之亦然。在一些實(shí)施例中，顯示殼體104和基部106由金屬(例如鋁或鋁合金)形成。
[0034]作為非限制性的示例，顯示殼體104可包括被設(shè)計(jì)為以視頻和/或靜止圖像的形式顯示可視化內(nèi)容的顯示組件108。顯示組件108可以與設(shè)置在基部106的一個(gè)或多個(gè)部件(未不出)(例如電池和處理器電路)電親合?；?06可包括頂殼110和親合到頂殼110的底殼(未示出)。在一些實(shí)施例中，頂殼110和/或底殼形成為一體式結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括由單一襯底形成的一個(gè)或多個(gè)特征。例如，頂殼110可包括在頂殼110的金屬移除過程中形成的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁，例如側(cè)壁112。這將在下面討論。基部106還可包括鍵盤114和觸摸板116，本領(lǐng)域中已知的是，鍵盤114和觸摸板116這兩者分別以輸入或手勢的形式提供命令到電子設(shè)備100。而且，電子設(shè)備100可包括被設(shè)計(jì)來發(fā)送和接收數(shù)據(jù)，和/或從外部電源接收電力的端P118o
[0035]圖2示出了在圖1中所示的電子設(shè)備100的后視圖，其中電子設(shè)備100處于閉合配置中。如圖所不，電子設(shè)備100可包括蓋122，蓋122被設(shè)計(jì)為覆蓋電子設(shè)備100的內(nèi)部部件，例如用于相對于基部106旋轉(zhuǎn)顯示殼體104的離合器組件(未示出)。同樣，頂殼110可與底殼126相組合以限定基部106(如圖1所示)。蓋122可以至少部分地覆蓋或從視圖中隱藏開口124(示為虛線)，開口 124可以被電子設(shè)備100用來允許將從內(nèi)部部件產(chǎn)生的熱量離開電子設(shè)備100。在一些實(shí)施例中，蓋122包括塑料。頂殼110和底殼126可被設(shè)計(jì)為暴露布置在蓋122后面的開口 124。然而，在一些實(shí)施例中(未示出)，開口 124由蓋122完全覆蓋。除了允許散熱以外，開口 124還可以允許以可聽見的聲音的形式的聲能穿過開口 124。這將在下面進(jìn)行討論。
[0036]圖3不出了在打開配置中的電子設(shè)備100的局部平面圖，其不出設(shè)置在基部106的音頻驅(qū)動(dòng)器組件130。例如，音頻驅(qū)動(dòng)器組件130可包括第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132、第二音頻驅(qū)動(dòng)器組件134、第三音頻驅(qū)動(dòng)器組件136和第四音頻驅(qū)動(dòng)器組件138。音頻驅(qū)動(dòng)器組件130被設(shè)計(jì)為產(chǎn)生以可聽見的聲音形式的聲能(在人類聽覺的范圍內(nèi))，并且作為非限制性示例，可以從存儲(chǔ)在電子設(shè)備100中的存儲(chǔ)器電路中的音頻文件或視頻文件中產(chǎn)生聲音(未示出)。如圖所示，音頻驅(qū)動(dòng)器組件130包括四個(gè)音頻驅(qū)動(dòng)器。然而，在其他實(shí)施例中，電子設(shè)備100包括三個(gè)或更少的音頻驅(qū)動(dòng)器組件，或五個(gè)或更多的音頻驅(qū)動(dòng)器組件。另外，每個(gè)音頻驅(qū)動(dòng)器組件130可以被布置在框架構(gòu)件中，該框架構(gòu)件被設(shè)計(jì)為消散從每個(gè)音頻驅(qū)動(dòng)器組件產(chǎn)生的熱量，并允許從每個(gè)音頻驅(qū)動(dòng)器組件130發(fā)射的聲音通過開口(例如開口 124中的一個(gè)(示于圖2中))離開電子設(shè)備100。這將在下面進(jìn)行討論。
[0037]圖4示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的框架構(gòu)件140的一個(gè)實(shí)施例的等距視圖?？蚣軜?gòu)件140可被稱為電子設(shè)備的內(nèi)部部件的磁軛或殼體?？蚣軜?gòu)件140可由襯底142形成。在一些實(shí)施例中，襯底142由具有低磁阻和相對較高的熱導(dǎo)率的金屬(例如鋼或不銹鋼)制成。然而，框架構(gòu)件140可以由本領(lǐng)域中通常已知的包括類似的或更大的熱導(dǎo)率以及類似的或相對低的磁阻的一種或多種材料制成。此外，框架構(gòu)件140的材料構(gòu)成可允許框架構(gòu)件140承載和重定向由磁體產(chǎn)生的磁通量(未示出)。例如，框架構(gòu)件140可以將音頻驅(qū)動(dòng)器組件中的磁體形成的磁通量重定向到音頻驅(qū)動(dòng)器組件的音圈的間隙或開口。
[0038]如圖所示，框架構(gòu)件140可包括被設(shè)計(jì)為接納電子設(shè)備的內(nèi)部部件的凹陷區(qū)域144。例如，內(nèi)部部件可包括音頻驅(qū)動(dòng)器組件，例如在電子設(shè)備100中的第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132(在圖3中示出)。另外，雖然沒有示出，凹陷區(qū)域144可包括各種形狀和尺寸，以接納其他內(nèi)部部件，例如處理器電路或各種形狀和尺寸的音頻驅(qū)動(dòng)器組件。此外，凹陷區(qū)域144可包括被設(shè)計(jì)為接合設(shè)置在凹陷區(qū)域144內(nèi)的內(nèi)部部件的支撐構(gòu)件146。基于設(shè)置在支撐構(gòu)件146上的粘合劑，內(nèi)部部件可粘性固定到框架構(gòu)件140。
[0039]框架構(gòu)件140還可包括通常圍繞凹陷區(qū)域144的凸緣部件148。另外，凸緣構(gòu)件148可包括一個(gè)尺寸和形狀，從而賦予框架構(gòu)件140足夠的熱容量用于從與框架構(gòu)件140熱耦合的部件(例如音頻驅(qū)動(dòng)器組件)的額外熱匯(heat sinking)或散熱。進(jìn)一步地，凸緣構(gòu)件148可被設(shè)計(jì)為接合頂殼110—個(gè)或多個(gè)內(nèi)部特征(示于圖2)。這將在下面示出。然而，在其它實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部特征位于底殼126上(示于圖2)，并且因此凸緣構(gòu)件148接合與底殼126相關(guān)聯(lián)的那些特征。此外，凸緣構(gòu)件148可過渡到彎曲區(qū)域150?？蚣軜?gòu)件140的彎曲區(qū)域150可包括非線性部分，例如第一彎曲部分152和第二彎曲部分154。因此，彎曲區(qū)域150可表征為具有一個(gè)或多個(gè)非共面的部分，這些部分相對于框架構(gòu)件140的先前描述的其他特征是不共面的。當(dāng)框架構(gòu)件140被組裝到電子設(shè)備的外殼中時(shí)，彎曲區(qū)域150可以包括與電子設(shè)備的開口對齊的尺寸和形狀，該開口可包括開口 124中的一個(gè)或多個(gè)(示于圖2)。以這種方式，當(dāng)音頻驅(qū)動(dòng)器組件被布置在凹陷區(qū)域144時(shí)，彎曲區(qū)域150可以限定用于音頻驅(qū)動(dòng)器組件的聲導(dǎo)管或聲學(xué)通路的至少一部分。這將在下面示出和說明。
[0040]此外，在一些實(shí)施例中，框架構(gòu)件140由金屬注射模制工藝形成。在其它實(shí)施例中，框架構(gòu)件140由擠壓工藝形成。在圖4所示的實(shí)施例中，框架構(gòu)件140由沖壓工藝形成，其可包括具有根據(jù)框架構(gòu)件140的一個(gè)或多個(gè)特征的尺寸和形狀的模具(未示出)。各種形成技術(shù)允許由單件材料形成框架構(gòu)件140的多個(gè)特征(例如凹陷區(qū)域144)。由于框架構(gòu)件140可以由允許熱量自由流動(dòng)的單片連續(xù)襯底形成，因此相比于由多個(gè)零件形成的框架構(gòu)件，以這種方式，框架構(gòu)件140不僅可以支持音頻驅(qū)動(dòng)器組件的聲學(xué)性能，還可以是允許從音頻驅(qū)動(dòng)器組件(或與框架構(gòu)件140熱耦合的任何內(nèi)部部件)產(chǎn)生的熱量從音頻驅(qū)動(dòng)器組件消散到電子設(shè)備的外殼的一種高效的熱橋。因此，框架構(gòu)件140可以允許音頻驅(qū)動(dòng)器組件以一致和可靠的方式運(yùn)行，部分原因是音頻驅(qū)動(dòng)器保持在低于音頻驅(qū)動(dòng)器組件的閾值操作溫度的一致的溫度下。
[0041]圖5示出了電子設(shè)備100的局部內(nèi)部區(qū)域的等距視圖，其示出設(shè)置在框架構(gòu)件140中的第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132，框架構(gòu)件140和第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132這兩者都設(shè)置在頂殼110中。如圖所示，第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132可包括膜片162，其可通過第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132的部件進(jìn)行聲學(xué)地驅(qū)動(dòng)，以便產(chǎn)生以可聽見的聲音的形式的聲能。(框架構(gòu)件140的)凸緣構(gòu)件148可圍繞膜片162。另外，頂殼110可經(jīng)歷材料去除工藝以限定多個(gè)側(cè)壁，使得頂殼110形成為側(cè)壁與頂殼110—體形成的一體式結(jié)構(gòu)。例如，頂殼110可包括第一側(cè)壁172、第二側(cè)壁174和第三側(cè)壁176，每一個(gè)側(cè)壁可以被設(shè)計(jì)為接納和/或接合凸緣構(gòu)件148的至少一部分。在凸緣構(gòu)件148與上述側(cè)壁中的至少一個(gè)接合時(shí)，凸緣部件148可以與所接合的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁熱耦合。以這種方式，框架構(gòu)件140可使用凸緣部件148接收由第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132產(chǎn)生的熱能(熱量)并且通過側(cè)壁將熱量傳遞到頂殼110。換句話說，凸緣構(gòu)件148可充當(dāng)熱橋。此外，頂殼110可以由金屬形成，并且進(jìn)一步地可以包括基本上比框架件140大的大小。以這種方式，頂殼110可以很容易地吸收從框架構(gòu)件140接收的熱能。
[0042]此外，頂殼110還可以包括第四側(cè)壁178，第四側(cè)壁178包括開口 182。開口 182可以是開口 124中的一個(gè)(如圖2所示)。此外，如圖5所示，框架構(gòu)件140的彎曲區(qū)域150可以被設(shè)計(jì)為與開口 182對準(zhǔn)，從而允許框架構(gòu)件140對于開口 182是打開的。以這種方式，開口 182不僅可被用作電子設(shè)備100的一個(gè)或多個(gè)部件的熱出口，也可作為第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132從電子設(shè)備100發(fā)射聲能的聲學(xué)通路的開口。然而，在一些實(shí)施例中(未不出)，開口 182被形成在除第四側(cè)壁178以外的結(jié)構(gòu)特征中，盡管如此，彎曲區(qū)域150被設(shè)計(jì)為與在其他結(jié)構(gòu)特征中的開口 182對準(zhǔn)。
[0043]圖6示出了電子設(shè)備100的等距視圖，其示出沿著線6_6(如圖5中所示)截取的第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132和框架構(gòu)件140的局部剖面圖。第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132可包括若干附加部件(除膜片162以外)，例如磁體164、鋼結(jié)構(gòu)166和音圈168。同樣，雖然未不出，但是一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線可以穿過凹陷區(qū)域144與音圈168耦合以提供電流到音圈168，并且使音圈168致動(dòng)和聲學(xué)地驅(qū)動(dòng)膜片162。在一些實(shí)施例中，凹陷區(qū)域144包括被設(shè)計(jì)為接收一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線的孔口 184。備選地或組合地，孔口 184可被設(shè)計(jì)為釋放在凹陷區(qū)域144內(nèi)的壓力。此外，在一些實(shí)施例中，凹陷區(qū)域144包括多個(gè)孔口。這將在下面示出。
[0044]鋼結(jié)構(gòu)166(或替代地一種不同的鐵磁材料)可以被設(shè)計(jì)為以期望的方式重定向或聚焦磁體164產(chǎn)生的磁通量(例如將磁通量重定向?yàn)檫h(yuǎn)離對磁通量敏感的部件)。此外，在第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132的操作期間，膜片162可以振動(dòng)以產(chǎn)生聲能，進(jìn)而導(dǎo)致膜片周圍的空氣壓力和氣流的變化。沿著包括彎曲區(qū)域150的聲學(xué)通路通過的氣流有助于提供強(qiáng)制對流冷卻，從而作用為自冷卻能力。對流冷卻可以包括消散由框架構(gòu)件140吸收的熱能。
[0045]此外，側(cè)壁可提供對凸緣構(gòu)件148的支撐特征。例如，第二側(cè)壁174可包括用于接納框架構(gòu)件140和/或粘接地將框架構(gòu)件140與第二側(cè)壁174固定的支撐構(gòu)件186。粘接劑(未示出)可包括增加從框架構(gòu)件140到側(cè)壁的熱傳遞的銀包覆的環(huán)氧樹脂?？砂ǜ郊拥闹螛?gòu)件(未示出)，并且這些附加的支撐構(gòu)件可以提供與支撐構(gòu)件186的特征類似的特征。圖6還示出了部分地基于第二彎曲部分154與開口 182對準(zhǔn)的彎曲區(qū)域150。此外，為了進(jìn)一步促進(jìn)彎曲區(qū)域150和開口 182之間的對準(zhǔn)，第四側(cè)壁178可包括被設(shè)計(jì)為接納彎曲區(qū)域150的至少一部分的凹口 188。
[0046]圖7不出了在圖5和6中所不的電子設(shè)備100的橫截面圖，其進(jìn)一步不出與頂殼110組裝在一起的底殼126。聲學(xué)密封件202可設(shè)置在頂殼110和底殼126之間，并且可被用于將從第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132發(fā)射的聲能或聲音沿著前體積206通過信道，前體積206定義了框架構(gòu)件140和底殼126之間的空隙或空間。聲學(xué)密封件202可選自例如硅樹脂、硼泡沫或通常地用于聲學(xué)密封應(yīng)用中的任何襯墊材料中的一種或多種材料。以這種方式，聲學(xué)密封件202、底殼126、框架構(gòu)件140(包括彎曲區(qū)域150)和開口 182能夠限定用于第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132的聲學(xué)通路(表示為虛線)，該聲學(xué)通路導(dǎo)向到電子設(shè)備100外部。圖7還示出了框架構(gòu)件140限定后體積204，后體積204被定義為框架構(gòu)件140和頂殼110之間的空間。因此，框架構(gòu)件140可具有電子設(shè)備100中的前體積206和后體積204之間的密封件，并分離這兩個(gè)體積。
[0047]盡管對于框架構(gòu)件140和第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132示出并描述了圖5-7中的特征和部件，但是根據(jù)所描述的實(shí)施例的電子設(shè)備100可包括若干音頻驅(qū)動(dòng)器組件和相關(guān)聯(lián)的特征(如框架構(gòu)件、開口等)，其可包括先前描述的與第一音頻驅(qū)動(dòng)器組件132相關(guān)聯(lián)的任何特征。進(jìn)一步地，根據(jù)所描述的實(shí)施例的電子設(shè)備100可包括用于每個(gè)音頻驅(qū)動(dòng)器組件的框架構(gòu)件，每個(gè)框架構(gòu)件具有先前為框架構(gòu)件140描述的特征。
[0048]根據(jù)所描述的實(shí)施例，框架構(gòu)件可包括用于接納不同形狀和尺寸的內(nèi)部部件和/或改變聲學(xué)通路的各種修改。例如，圖8示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的具有備選特征的框架構(gòu)件340的電子設(shè)備300的一個(gè)替代實(shí)施例的橫截面圖。相比于彎曲區(qū)域150(圖7中示出)，框架構(gòu)件340可包括形成為更接近框架構(gòu)件340的凹陷區(qū)域344的彎曲區(qū)域350。例如，彎曲區(qū)域350在靠近頂殼310的開口 382的位置處可以是相對平的。這可以允許用于設(shè)置在框架構(gòu)件340中的音頻驅(qū)動(dòng)器組件332中使用的聲學(xué)通路的較大的分離(由箭頭360表示)。
[0049]圖9示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的具有備選特征的框架構(gòu)件440的電子設(shè)備400的附加替代實(shí)施例的橫截面圖。如圖所示，框架構(gòu)件440可包括具有比先前描述的凸緣構(gòu)件(例如圖7所示的凸緣構(gòu)件148)尺寸更小的凸緣部件446 ο凸緣構(gòu)件446的相對較小的尺寸可以允許凹陷區(qū)域444和彎曲區(qū)域450(框架構(gòu)件440的兩部分)進(jìn)一步遠(yuǎn)離于頂殼410的開口482，從而形成一個(gè)相比于圖8所示的空間更大的空間(由箭頭460表示)用于聲學(xué)通路。應(yīng)當(dāng)理解，圖8和9中所示的框架構(gòu)件可包括先前描述的框架構(gòu)件的任何材料或工藝。
[0050]圖10示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的具有孔口550的凹陷區(qū)域544的框架構(gòu)件540的替代實(shí)施例的側(cè)視圖。如圖所示，孔口 550位于凹陷區(qū)域的側(cè)表面552上，側(cè)表面552是大致相對于框架構(gòu)件540的凸緣部件546垂直。例如，孔口 550可被用作接納電纜的通路，電纜與布置在框架構(gòu)件540的音頻驅(qū)動(dòng)器組件(未示出)的一個(gè)或多個(gè)部件電耦合。此外，孔口 550可進(jìn)一步提供用于音頻驅(qū)動(dòng)器組件引起的凹陷區(qū)域544中積聚的壓力的壓力釋放。雖然示出了離散個(gè)數(shù)量的孔口 550，但孔口 550的數(shù)量可以變化。例如，在一些實(shí)施例中(未示出)，框架構(gòu)件540包括單個(gè)孔口。此外，額外的孔口可設(shè)置在凹陷區(qū)域544的除側(cè)表面552以外的額外表面上。圖11示出了在圖10中所示的框架構(gòu)件540的側(cè)視圖，其進(jìn)一步示出了安裝在框架構(gòu)件540的音頻驅(qū)動(dòng)器組件532。如圖所示，當(dāng)音頻驅(qū)動(dòng)器組件532和框架構(gòu)件540被安裝在電子設(shè)備中時(shí)(未示出)，孔口 550可提供用于音頻驅(qū)動(dòng)器組件532到后體積的路徑。
[0051]框架構(gòu)件可包括不同的形狀和尺寸，以適應(yīng)各種部件。例如，圖12示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的框架構(gòu)件640的等距視圖，框架構(gòu)件640包括具有圓柱形形狀的凹陷區(qū)域644?？蚣軜?gòu)件640可以由襯底642形成，該襯底642可包括先前針對襯底所描述的任何材料或特征。如圖所示，框架構(gòu)件640可包括被設(shè)計(jì)為接收內(nèi)部部件(例如音頻驅(qū)動(dòng)器組件(未示出))的凹陷區(qū)域644。凹陷區(qū)域644的圓柱形形狀可以包括對應(yīng)于圓柱形內(nèi)部部件(例如圓柱形音頻驅(qū)動(dòng)器組件(未示出))的形狀?？蚣軜?gòu)件640可包括圍繞(或至少部分圍繞)凹陷區(qū)域644并且能夠接納音頻驅(qū)動(dòng)器組件的支撐構(gòu)件646。此外，框架構(gòu)件640可進(jìn)一步包括一般地圍繞凹陷區(qū)域644并且被設(shè)計(jì)為提供到電子設(shè)備的外殼(未示出)的熱橋的支撐構(gòu)件646。此外，框架構(gòu)件640可包括圍繞(或至少部分圍繞)凹陷區(qū)域644的凸緣構(gòu)件648。
[0052]框架構(gòu)件640可以進(jìn)一步包括具有多個(gè)彎曲部分的彎曲區(qū)域650，彎曲區(qū)域650具有被設(shè)計(jì)為與電子設(shè)備的外殼配合或?qū)R的尺寸和形狀(未示出)，并允許框架構(gòu)件640以先前描述的方式對于外殼的開口(未示出)是打開的。此外，彎曲區(qū)域650可包括相對于框架構(gòu)件640下方的假想水平面(未示出)較低的角度(相比于彎曲區(qū)域的先前的實(shí)施例)。這可以提供增強(qiáng)的聲學(xué)性能。
[0053]如圖12所示，凹陷區(qū)域644還可以包括在凹陷區(qū)域644的底面654上的開口 652，底面654大體上相對于框架構(gòu)件540的支承構(gòu)件646平行?？墒褂瞄_口 652以允許聲音傳遞進(jìn)入部分被電子設(shè)備的外殼限定的后體積(未示出)，以及對準(zhǔn)位于凹陷區(qū)域644內(nèi)的內(nèi)部部件。關(guān)于后者，工具(未示出)可通過開口 652延伸以調(diào)整內(nèi)部部件并且以所需的方式放置該部件。備選地或組合地，開口 652可以允許電纜通過凹陷區(qū)域644并與被設(shè)置在凹陷區(qū)域644中的內(nèi)部部件的一個(gè)或多個(gè)部件(例如音頻驅(qū)動(dòng)器組件)電耦合。
[0054]圖13示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的設(shè)置在框架構(gòu)件640中的音頻驅(qū)動(dòng)器組件632的橫截面視圖，音頻驅(qū)動(dòng)器組件632和框架構(gòu)件640位于電子設(shè)備600的外殼內(nèi)。盡管示出了橫截面視圖，然而音頻驅(qū)動(dòng)器組件632可包括圓柱形狀。外殼可以由頂殼610和底殼626定義，這兩者都可以分別包括先前針對頂殼和底殼所描述的任何一個(gè)或多個(gè)特征。如圖所示，開口 652可允許音頻驅(qū)動(dòng)器組件632傳遞聲能到后體積604(由框架構(gòu)件640和頂殼610之間的空隙或空間限定)，這可以改善音頻驅(qū)動(dòng)器組件632的聲學(xué)性能。
[0055]應(yīng)該理解，若干特征可以在所示的和所描述的幾個(gè)實(shí)施例之間互換。例如，開口652(在圖12和圖13中示出)可以被包括在框架構(gòu)件140(在圖4中示出)中。備選地或組合地，孔口550(在圖10和圖11示出)可以被包括在框架構(gòu)件640(在圖12和13示出)中。
[0056]圖14示出了根據(jù)所描述的實(shí)施例的表示用于形成框架構(gòu)件的方法的流程圖700，該框架構(gòu)件用于承載位于包括具有開口的外殼的電子設(shè)備中的內(nèi)部部件。在步驟702，由襯底形成凹陷區(qū)域。襯底可包括金屬，其可包括鐵磁材料。以這種方式，襯底可以被設(shè)計(jì)為重定向來自磁體的磁通量。磁體可以是位于框架構(gòu)件中的音頻驅(qū)動(dòng)器組件的一部分。
[0057]在步驟704，由襯底形成凸緣構(gòu)件。凸緣構(gòu)件可以從凹陷區(qū)延伸。凸緣構(gòu)件還可以被配置為接合外殼。此外，當(dāng)襯底進(jìn)而當(dāng)凸緣構(gòu)件由金屬制成時(shí)，襯底允許內(nèi)部部件接收的熱量容易地通過凸緣構(gòu)件，這是因?yàn)榻饘僖r底可以包括相對高的熱導(dǎo)率，并且熱量可以傳遞到外殼。另外，部分由于外殼(例如頂殼或底殼)由金屬形成并且具有比形成框架構(gòu)件的襯底大的多的尺寸，因此外殼可包括足夠的熱容量來接收來自凸緣構(gòu)件的熱量，且容易地消散從框架構(gòu)件所接收的熱量。
[0058]在步驟706，從襯底形成彎曲區(qū)域。彎曲區(qū)域可以從凹陷區(qū)域延伸，并且可以被配置為與開口對準(zhǔn)。以這種方式，當(dāng)內(nèi)部部件是音頻驅(qū)動(dòng)器組件時(shí)，彎曲區(qū)域可以限定聲學(xué)通路的至少一部分，這增強(qiáng)了音頻驅(qū)動(dòng)器組件的聲學(xué)性能。
[0059]出于解釋的目的，前面的描述使用了特定術(shù)語來提供對所述實(shí)施例的透徹理解。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，具體細(xì)節(jié)不是為了實(shí)踐所述實(shí)施例所必須的。因此，本文描述的具體實(shí)施例的前述描述是為了說明和描述的目的。它們不是旨在窮盡或限制所公開的實(shí)施例為精確形式。對本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，鑒于上述教導(dǎo)，許多修改和變化是可能的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種框架構(gòu)件，所述框架構(gòu)件由金屬形成并且適合于承載設(shè)置在電子設(shè)備的外殼中的內(nèi)部部件，所述框架構(gòu)件包括: 凹陷區(qū)域，能夠接納所述內(nèi)部部件； 凸緣構(gòu)件，從所述凹陷區(qū)域延伸并接合所述外殼;和 彎曲區(qū)域，從所述凹陷區(qū)域延伸并與所述外殼的開口對準(zhǔn)，其中所述凸緣構(gòu)件接收由所述內(nèi)部部件產(chǎn)生的熱量，并將所述熱量傳遞到所述外殼。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架構(gòu)件，其中所述凹陷區(qū)域由襯底形成，所述襯底包括重定向由所述內(nèi)部部件的磁體提供的磁通量的鐵磁材料。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架構(gòu)件，還包括所述凹陷區(qū)域內(nèi)的接合所述內(nèi)部部件的支撐構(gòu)件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架構(gòu)件，其中所述彎曲區(qū)域限定聲學(xué)通路的至少一部分，所述聲學(xué)通路允許所述內(nèi)部部件通過所述外殼的所述開口發(fā)射聲音。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的框架構(gòu)件，其中所述彎曲區(qū)域包括第一彎曲部分和第二彎曲部分，并且其中所述第一彎曲部分和所述第二彎曲部分中的至少一個(gè)與所述開口對準(zhǔn)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架構(gòu)件，其中所述凹陷區(qū)域包括孔口。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的框架構(gòu)件，其中所述孔口位于所述凹陷區(qū)域的側(cè)表面上。8.—種電子設(shè)備，包括: 夕卜殼； 音頻驅(qū)動(dòng)器組件;和 框架構(gòu)件，用于接納所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件，所述框架構(gòu)件限定了熱橋，所述熱橋被配置為消散從所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件產(chǎn)生的熱量，并將所述熱量傳遞到所述外殼，所述框架構(gòu)件包括: 襯底，包括能夠接納所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件的凹陷區(qū)域，和 凸緣構(gòu)件，由所述襯底形成并且從所述凹陷區(qū)域延伸，所述凸緣構(gòu)件接收由所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件產(chǎn)生的熱量并將所述熱量傳遞到所述外殼。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中所述凹陷區(qū)域包括接納所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件的至少一部分的支撐構(gòu)件。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件包括產(chǎn)生磁通量的磁體，并且其中所述框架構(gòu)件包括重定向所述磁通量的鐵磁材料。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中所述框架構(gòu)件包括孔口。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中: 所述外殼包括開口， 所述框架構(gòu)件還包括與所述開口對準(zhǔn)的彎曲區(qū)域，和 所述彎曲區(qū)域限定用于所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件的聲學(xué)路徑的一部分。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中所述開口散熱并允許從所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件產(chǎn)生的聲能穿過所述外殼。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中所述外殼包括多個(gè)側(cè)壁，并且其中所述多個(gè)側(cè)壁與所述框架構(gòu)件相結(jié)合以限定所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件的后容積。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子設(shè)備，其中所述外殼包括: 包含所述多個(gè)側(cè)壁的頂殼， 與所述頂殼密封的底殼，和 所述框架構(gòu)件與所述底殼相結(jié)合以限定用于所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件的前容積，所述前容積由所述框架構(gòu)件與所述后容積分開。16.—種框架構(gòu)件，適用于承載設(shè)置在電子設(shè)備的外殼中的內(nèi)部部件，所述外殼包括開口，所述框架構(gòu)件包括: 包括鐵磁材料的金屬襯底，所述金屬襯底包括: 凹陷區(qū)域，被配置為接納所述內(nèi)部部件，其中所述凹陷區(qū)域包括支撐構(gòu)件以接合所述內(nèi)部部件， 凸緣構(gòu)件，從所述凹陷區(qū)域延伸并接合所述外殼，所述凸緣構(gòu)件包括孔口，和 彎曲區(qū)域，從所述凹陷區(qū)域延伸并與所述開口對準(zhǔn)，其中所述凸緣構(gòu)件被配置為接收由所述內(nèi)部部件產(chǎn)生的熱量，并將所述熱量傳遞到所述外殼。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的框架構(gòu)件，其中所述彎曲區(qū)域包括: 第一彎曲部分;和 與所述開口對準(zhǔn)的第二彎曲部分。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的框架構(gòu)件，其中所述第一彎曲部分和第二彎曲部分相結(jié)合以限定聲學(xué)通路的一部分。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的框架構(gòu)件，其中: 所述內(nèi)部部件包括音頻驅(qū)動(dòng)器組件，并且 所述凸緣構(gòu)件接合所述外殼以限定用于所述音頻驅(qū)動(dòng)器組件的后容積。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的框架構(gòu)件，還包括被配置為接納所述內(nèi)部部件的支撐區(qū)域，所述支撐區(qū)域位于所述凹陷區(qū)域內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H04R9/02GK105992107SQ201610301724
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年3月18日
【發(fā)明人】M·D·麥克布魯姆, B·K·安德烈, M·M·西爾瓦托, D·K·布斯, M·A·多納爾斯基, A·V·薩爾瓦蒂, R·J·米海里奇, S·K·佩斯曼
【申請人】蘋果公司