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      空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器的制作方法

      文檔序號:8200830閱讀:722來源:國知局
      專利名稱:空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型提供一種晶體生長結(jié)晶器,特別是指一種空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器。
      空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器是空間低溫溶液法晶體生長的主體關(guān)鍵設(shè)備。其關(guān)鍵技術(shù)在于如何下籽晶。國際上有美國,俄羅斯,西歐和日本等國進(jìn)行過空間低溫溶液法晶體生長。他們的結(jié)晶器各有特點。EURECA空間實驗平臺的溶液法晶體生長結(jié)晶器由三個密封的罐子組成,如

      圖1所示,圖2是圖1中的一個罐體,圖2中左右二個罐體A、B是溶液貯存罐,分別貯存陰離子和陽離子兩種反應(yīng)試劑,中間罐放置緩沖液。當(dāng)平臺進(jìn)入太空軌道后罐體A、B兩個罐的閥門打開,陰陽離子溶液分別從兩頭向中間擴(kuò)散。擴(kuò)散前沿在在中間的罐中相遇,發(fā)生結(jié)晶反應(yīng),生成單晶體。這種方法的缺點是設(shè)備較大,不易控制。
      美國的空間TGS生長結(jié)晶器是進(jìn)入太空軌道前將籽晶用一個“帽子”蓋住,進(jìn)入太空軌道后,將“帽子”撤掉。籽晶和溶液接觸上開始生長。生長結(jié)束后再將“帽子”蓋上使晶體和溶液隔開。這種方法的缺點是生長結(jié)束后再將“帽子”蓋上時很難蓋嚴(yán)密。
      以上二種方法均不可進(jìn)行蒸發(fā)法生長,且結(jié)晶器的成本非常高。
      本實用新型的目的在于,提供一種空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其可有效克服上述技術(shù)的缺點,具有結(jié)構(gòu)簡單,成本低和可靠性高的優(yōu)點;該空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器可適用兩種生長方法—蒸發(fā)法和降溫法。
      本實用新型一種空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其中包括一變速機(jī)構(gòu),該變速機(jī)構(gòu)固定在密封蓋的內(nèi)面上;一外桶體,該外桶體固定在底座上;
      一中桶體容置于外桶體內(nèi),直徑小于外桶體,中桶體與外桶體共用一底,該中桶體與外桶體間形成為干燥室;一內(nèi)桶體容置于中桶體內(nèi),直徑小于中桶體,內(nèi)桶體中為溶液室;一密封活塞座為中空,該中空部為籽晶室,密封活塞座跨置于內(nèi)桶體的上面,在密封活塞座的內(nèi)面有一活塞,該活塞經(jīng)活塞桿與變速機(jī)構(gòu)連接。
      其中變速機(jī)構(gòu)包括一馬達(dá),該馬達(dá)的軸部與變速齒輪的大輪嚙合,變速齒輪的小輪連接一蝸桿,蝸桿連接蝸輪,蝸輪的中心與中央的導(dǎo)向槽連接。
      其中內(nèi)桶體的外壁粘覆有電加熱膜。
      其中兩個溫度傳感器焊接在密封活塞座的外側(cè)上。
      其中在密封蓋的外面套置有一隔離罩蓋。
      其中在外桶體與密封蓋之間、密封活塞座與活塞之間、密封活塞座與內(nèi)桶體之間裝有密封圈。
      其中在中桶體與外桶體之間的部分、密封活塞座的上部,有篩網(wǎng)蓋著的小通氣孔。
      為進(jìn)一步說明本實用新型的技術(shù)特征,以下結(jié)合實施例及附圖對本實用新型作一詳細(xì)的描述,其中圖1是習(xí)知溶液晶體生長裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是圖1中的一個罐體的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是本實用新型結(jié)晶器結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是圖3中X-X的剖視圖。
      請參閱圖3及圖4所示,本實用新型一種空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其中包括一變速機(jī)構(gòu)10,該變速機(jī)構(gòu)10固定在密封蓋16的內(nèi)面上,該密封蓋16的外面套置有一隔離罩蓋18;該變速機(jī)構(gòu)10包括一馬達(dá)11,該馬達(dá)11的軸部與變速齒輪12的大輪嚙合,變速齒輪12的小輪連接一蝸桿13,蝸桿13連接蝸輪14,蝸輪14的中心與中央的導(dǎo)向槽15連接,導(dǎo)向槽15實為一螺帽,徑向開一槽,其目的是和活塞桿上部的導(dǎo)向塊配合,使活塞不致于隨著螺帽一起轉(zhuǎn)動。
      一外桶體24,該外桶體24固定在底座31上;一中桶體27容置于外桶體24內(nèi),直徑小于外桶體24,中桶體27與外桶體24共用一底,該中桶體27與外桶體24間形成為干燥室60;一內(nèi)桶體28容置于中桶體27內(nèi),直徑小于中桶體27,內(nèi)桶體28中為結(jié)晶室50,該內(nèi)桶體28的外壁粘覆有電加熱膜。
      其中在外桶體24與密封蓋16之間、密封活塞座21與活塞22之間、密封活塞座21與內(nèi)桶體28之間裝有密封圈25。
      一密封活塞座21為中空,該中空部為籽晶室40,密封活塞座21跨置于內(nèi)桶體28的上面,在密封活塞座21的內(nèi)面有一活塞22,該活塞22經(jīng)活塞桿與變速機(jī)構(gòu)10連接;該密封活塞座21的外側(cè)焊接有兩個溫度傳感器23。
      其中在中桶體27與外桶體24之間的部分、密封活塞座21的上部,有篩網(wǎng)蓋著的小通氣孔29。
      本實用新型的工作過程為該裝置既可進(jìn)行降溫法生長也可進(jìn)行蒸發(fā)法生長。
      1、蒸發(fā)法晶體生長首先將籽晶粘在活塞22里端面的籽晶室40,溶液裝入內(nèi)桶體28的結(jié)晶室50,充滿度80%,在外桶體24與中桶體27間隙的干燥室60放置干燥劑。活塞22的位置如圖3所示,固定好活塞座21。
      設(shè)備進(jìn)入太空軌道后,啟動馬達(dá)11,馬達(dá)11帶動變速齒輪12的大輪,變速齒輪12的小輪帶動蝸桿蝸輪機(jī)構(gòu)的蝸桿13,蝸桿帶動蝸輪14,達(dá)到3000比1的減速比,帶動中央的導(dǎo)向槽15,使活塞22向結(jié)晶室即內(nèi)桶體28內(nèi)移動。此時,籽晶全部浸入溶液中,使得晶體不斷生長。
      2、降溫法晶體生長其工作過程和蒸發(fā)法晶體生長基本相同,只是不在外桶體24與中桶體27間隙的干燥室60內(nèi)放置干燥劑。
      本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有具有結(jié)構(gòu)簡單,成本低和可靠性高的優(yōu)點;該空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器可適用兩種生長方法—蒸發(fā)法和降溫法。
      權(quán)利要求1.一種空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其特征在于,其中包括一變速機(jī)構(gòu),該變速機(jī)構(gòu)固定在密封蓋的內(nèi)面上;一外桶體,該外桶體固定在底座上;一中桶體容置于外桶體內(nèi),直徑小于外桶體,中桶體與外桶體共用一底,該中桶體與外桶體間形成為干燥室;一內(nèi)桶體容置于中桶體內(nèi),直徑小于中桶體,內(nèi)桶體中為溶液室;一密封活塞座為中空,該中空部為籽晶室,密封活塞座跨置于內(nèi)桶體的上面,在密封活塞座的內(nèi)面有一活塞,該活塞經(jīng)活塞桿與變速機(jī)構(gòu)連接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其特征在于,其中變速機(jī)構(gòu)包括一馬達(dá),該馬達(dá)的軸部與變速齒輪的大輪嚙合,變速齒輪的小輪連接一蝸桿,蝸桿連接蝸輪,蝸輪的中心與中央的導(dǎo)向槽連接。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其特征在于,其中內(nèi)桶體的外壁粘覆有電加熱膜。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其特征在于,其中兩個溫度傳感器焊接在密封活塞座的外側(cè)上。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其特征在于,其中在密封蓋的外面套置有一隔離罩蓋。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其特征在于,其中在外桶體與密封蓋之間、密封活塞座與活塞之間、密封活塞座與內(nèi)桶體之間裝有密封圈。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,其特征在于,其中在中桶體與外桶體之間的部分、密封活塞座的上部,有篩網(wǎng)蓋著的小通氣孔。
      專利摘要一種空間低溫溶液法晶體生長結(jié)晶器,包括一變速機(jī)構(gòu),變速機(jī)構(gòu)固定在密封蓋的內(nèi)面上;一外桶體,外桶體固定在底座上;一中桶體容置于外桶體內(nèi),中桶體與外桶體共用一底,中桶體與外桶體間形成為干燥室;一內(nèi)桶體容置于中桶體中,內(nèi)桶體中為溶液室;一密封活塞座為中空,該中空部為籽晶室,密封活塞座跨置于內(nèi)桶體的上面,在密封活塞座的內(nèi)面有一活塞,該活塞經(jīng)活塞桿與變速機(jī)構(gòu)連接,該密封活塞座與活塞之間為溶液室。
      文檔編號C30B7/00GK2409216SQ0020085
      公開日2000年12月6日 申請日期2000年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月20日
      發(fā)明者陳萬春, 馬文漪, 張春林, 陳國幼, 謝安云, 劉道丹 申請人:中國科學(xué)院物理研究所
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