專(zhuān)利名稱：：復(fù)合襯底、使用該襯底的薄膜電致發(fā)光器件以及該器件的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種包含電介質(zhì)和電極的復(fù)合襯底，一種使用該襯底的電致發(fā)光器件(EL器件)，以及該器件的生產(chǎn)方法。在電場(chǎng)作用下，材料發(fā)光的現(xiàn)象稱為電致發(fā)光(EL)，其中利用這種現(xiàn)象的器件已經(jīng)在液晶顯示(LCD)和手表的背景光中投入使用。EL器件可以分成兩類(lèi)，即分散型器件和薄膜器件。前一種具有其中熒光材料粉末分散在有機(jī)材料或釉料中且電極分布在頂部和底部的結(jié)構(gòu)，后一種包含夾在兩個(gè)電極中間的薄膜熒光材料和兩個(gè)在電絕緣襯底上的薄膜絕緣體。此外，根據(jù)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的類(lèi)型，上述兩種類(lèi)型的器件的每一種又分為直流電壓驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和交流電壓驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。很久以來(lái)，就已經(jīng)知道分散型EL器件，它具有制備容易的優(yōu)點(diǎn)。然而，分散型EL器件亮度低、壽命長(zhǎng)，限制了其應(yīng)用。另一方面，薄膜EL器件亮度高、壽命長(zhǎng)，所以，它已經(jīng)大幅度擴(kuò)大了EL器件的實(shí)用范圍。到目前為止，在主要類(lèi)型的薄膜EL器件中，使用用于LCD或PDP的藍(lán)色玻璃板作為襯底，使用透明電極(如ITO)作為接觸襯底的電極，從熒光材料發(fā)出的光從襯底側(cè)面放出。作為熒光材料，主要使用能發(fā)出黃橙色光的含Mn的ZnS，因?yàn)樗龠M(jìn)薄膜的形成并具有良好的發(fā)光性能。為了制備彩色顯示器，必須使用能發(fā)出原色光，即紅、綠和藍(lán)，的熒光材料。作為這些材料，選擇含Ce的SrS和含Tm的ZnS用于藍(lán)光發(fā)射，選擇含Sm的ZnS和含Eu的CaS用于紅光發(fā)射，選擇含Tb的ZnS和含Ce的CaS用于綠光發(fā)射，并且繼續(xù)進(jìn)行這些材料方面的研究。然而，由于它們?cè)诹炼?、發(fā)光效率和顏色純度方面的不足，還不能投入實(shí)際應(yīng)用。作為解決這些問(wèn)題的一種措施，已知在高溫形成薄膜或在高溫下熱處理所形成的薄膜的方法是有前途的。在使用這種技術(shù)時(shí)，從耐熱性方面來(lái)看，不可能使用藍(lán)色玻璃板作為襯底。雖然也研究了使用具有耐熱性的石英襯底，但是，石英襯底非常昂貴，所以，它不適用于需要大面積的用途(如顯示器)。如在日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.50197/1995和日本專(zhuān)利公報(bào)No.44072/1995中提出的，近來(lái)已經(jīng)報(bào)道了其中使用具有電絕緣性能的陶瓷襯底作為襯底并用厚膜介電質(zhì)代替位于熒光材料下部的薄膜絕緣材料的器件的開(kāi)發(fā)。這種器件的基本結(jié)構(gòu)表示于圖8中。圖8所示的EL器件具有其中在陶瓷等制成的襯底11上依次形成下電極12、厚膜介電層13、發(fā)光層14、薄膜絕緣層15和上電極16的結(jié)構(gòu)。因此，與傳統(tǒng)的薄膜EL器件的結(jié)構(gòu)相反，為了從與襯底相反的上部放出熒光材料的光，在上部放置透明電極。這種器件的厚膜介電層厚度為幾十微米，是薄膜絕緣層厚度的幾百到幾千倍。所以，可以抑制由針孔等引起的絕緣體破壞，所以，上述器件的優(yōu)點(diǎn)是可以獲得高可靠性和生產(chǎn)時(shí)的成品率。通過(guò)用具有高介電常數(shù)的材料形成介電層，可以防止因使用厚介電層產(chǎn)生的在發(fā)光層上的電壓降。此外，通過(guò)使用陶瓷襯底和厚膜介電層可以提高熱處理溫度。因此，使得高發(fā)光材料的薄膜形成成為可能(這由于存在缺陷晶體到目前為止是不可能的)。然而，在通過(guò)厚膜形成方法把襯底、電極和介電層疊層時(shí)，在某些情況下，介電層表面不方便地變成不均勻的。在傳統(tǒng)方法中，先通過(guò)厚膜形成方法(如印刷法)以預(yù)定的圖形在氧化鋁等襯底上形成電極，通過(guò)厚膜形成方法在所述電極上形成介電層，然后燒結(jié)所得的整個(gè)疊層，獲得一種襯底/電極/介電層復(fù)合襯底。然而，如圖9所示，例如，擔(dān)心會(huì)在以預(yù)定圖形形成電極層12時(shí)，由于在電極層12和介電層13之間的收縮率和熱膨脹系數(shù)的不同，介電層13的表面可能不均勻。此外，在某些情況下，由于襯底11和介電層13之間的熱膨脹系數(shù)差，介電層13表面開(kāi)裂。因此，當(dāng)介電層13具有不均勻或開(kāi)裂的表面時(shí)，介電層13的厚度變得不均勻，或者在介電層13和其上形成的發(fā)光層之間發(fā)生剝離現(xiàn)象，從而明顯損害器件的性能和顯示質(zhì)量。所以，在傳統(tǒng)方法中，已經(jīng)要求通過(guò)研磨等除去大的不均勻部分，通過(guò)溶膠凝膠法除去小的不均勻部分。本發(fā)明的目的是提供一種復(fù)合襯底，其中，絕緣層表面不會(huì)受電極層的影響變成不均勻的，它既不需要研磨法，也不需要溶膠-凝膠法的處理，且容易生產(chǎn)，并且可以提供具有高顯示質(zhì)量的薄膜EL器件(在應(yīng)用于其上時(shí))。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種使用上述襯底的薄膜EL器件。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供上述器件的生產(chǎn)方法。即，通過(guò)下列結(jié)構(gòu)可以達(dá)到本發(fā)明的上述目的。(1)一種復(fù)合襯底，包含襯底；鑲嵌在所述襯底中的電極，其鑲嵌方式使得電極層和襯底在一個(gè)平面上；和一個(gè)在所述襯底和電極層的復(fù)合體上形成的絕緣層。(2)根據(jù)上述(1)的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層包含一個(gè)具有1000或更大的介電常數(shù)的介電層。(3)根據(jù)上述(1)或(2)的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層含有鈦酸鋇作為主要成分。(4)根據(jù)上述(3)的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層含有至少一種選自由氧化鎂、氧化錳、氧化鎢、氧化鈣、氧化鋯、氧化鈮、氧化鈷、氧化釔和氧化鋇組成的組中的成分作為次要成分。(5)根據(jù)上述(3)和(4)的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層含有至少一種選自由SiO2、MO(假定M是至少一種選自Mg、Ca、Sr和Ba的元素)、Li2O和B2O3組成的組中的成分作為次要成分。(6)根據(jù)上述(1)-(5)的任一項(xiàng)的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層含有鈦酸鋇作為主要成分，和至少一種選自由氧化鎂、氧化錳、氧化釔、氧化鋇和氧化鈣，以及氧化硅組成的組中的成分作為次要成分；氧化鎂含量用MgO表示為0.1-3摩爾，氧化錳含量用MnO表示為0.05-1.0摩爾，氧化釔含量用Y2O3表示為不大于1摩爾，用BaO表示的氧化鋇含量和用CaO表示的氧化鈣的用量和為2-12摩爾，氧化硅含量用SiO2表示為2～12摩爾，以100摩爾鈦酸鋇(用BaTiO3)為基準(zhǔn)。(7)根據(jù)上述(3)的復(fù)合襯底，其中，以BaTiO3、MgO、MnO和Y2O3的總含量為基準(zhǔn)，用(BaxCa1-xO)y·SiO2(假定x滿足0.3≤x≤0.7，且y滿足0.95≤y≤1.05)表示，BaO、CaO和SiO2的總含量為1-10重量％。(8)根據(jù)上述(1)-(7)的任一項(xiàng)的復(fù)合襯底，這是一種通過(guò)燒結(jié)由片形成方法或印刷法形成的疊層獲得的厚膜。(9)根據(jù)上述(1)-(8)的任一項(xiàng)的復(fù)合襯底，通過(guò)在絕緣層上形成功能薄膜，然后在600℃到襯底的燒結(jié)溫度或更低的范圍內(nèi)的溫度下加熱所述功能薄膜獲得的。(10)一種包含根據(jù)上述(1)-(6)的任一項(xiàng)中的復(fù)合襯底、和在所述復(fù)合襯底上順序形成發(fā)光層、另一個(gè)絕緣層和另一個(gè)電極層的薄膜EL器件。(11)根據(jù)上述(10)的薄膜EL器件，其中，所述的電極層。(12)一種生產(chǎn)薄膜EL器件的方法，包括下列步驟通過(guò)一種厚膜生產(chǎn)方法在具有平整表面的薄膜片上形成第一個(gè)絕緣層前驅(qū)體；在其上形成第一種圖形化的電極層前驅(qū)體；在其上形成襯底前驅(qū)體，使所述疊層經(jīng)過(guò)去除粘合劑的處理并燒結(jié)，獲得在所述襯底上形成有第一個(gè)電極層和第一個(gè)絕緣層的復(fù)合襯底；和在所述第一個(gè)絕緣層上再依次疊層一個(gè)發(fā)光層，第二個(gè)絕緣層和第二個(gè)電極層，獲得所述薄膜EL器件。(13)生產(chǎn)根據(jù)上述(10)的薄膜EL器件的方法，其中，在形成第二個(gè)絕緣層或第二個(gè)電極層之后，在600℃到襯底燒結(jié)溫度或更低的溫度下進(jìn)行熱處理。(14)根據(jù)上述(12)或(13)的生產(chǎn)薄膜EL器件的的方法，其中，所述襯底前驅(qū)體是一種襯底生坯片，含有至少一種選自由氧化鋁(Al2O3)、二氧化硅玻璃(SiO2)、氧化鎂(MgO)、塊滑石(MgO·SiO2)、鎂橄欖石(2MgO·SiO2)、莫來(lái)石(3Al2O3·2SiO2)、氧化鈹(BeO)、鋯石、以及Ba基、Sr基和Pb基鈣鈦礦組成的組中的成分。(15)根據(jù)上述(12)-(14)的任一項(xiàng)的生產(chǎn)薄膜EL器件的方法，其中，襯底前驅(qū)體主要成分的組成與絕緣層相同。(16)根據(jù)上述(12)-(15)的任一項(xiàng)的生產(chǎn)薄膜EL器件的方法，其中，所述電極前驅(qū)體包含至少一種選自由Ag、Au、Pd、Pt、Cu、Ni、W、Mo、Fe和Co組成的組中的成分，或Ag-Pd、Ni-Mn、Ni-Cr、Ni-Co和Ni-Al合金中的任一種。(17)根據(jù)上述(12)-(16)的任一項(xiàng)的生產(chǎn)薄膜EL器件的方法，其中，所述燒結(jié)溫度范圍為1,100-1,400℃。圖1是本發(fā)明的薄膜EL器件的生產(chǎn)方法的部分截面的圖解。圖2是本發(fā)明的薄膜EL器件的生產(chǎn)方法的部分截面的圖解。圖3是本發(fā)明的薄膜EL器件的生產(chǎn)方法的部分截面的圖解。圖4是本發(fā)明的薄膜EL器件的生產(chǎn)方法的部分截面的圖解。圖5是本發(fā)明的薄膜EL器件的生產(chǎn)方法的部分截面的圖解。圖6是本發(fā)明的薄膜EL器件的生產(chǎn)方法的部分截面的圖解。圖7是本發(fā)明的薄膜EL器件的生產(chǎn)方法的部分截面的圖解。圖8是現(xiàn)有技術(shù)的薄膜EL器件結(jié)構(gòu)的部分截面的圖解。圖9是現(xiàn)有技術(shù)的薄膜EL器件結(jié)構(gòu)的部分截面的圖解。本發(fā)明的復(fù)合襯底包含一種襯底；一種鑲嵌在所述襯底中的電極層，其鑲嵌方式使得電極層和襯底在一個(gè)平面上；和一個(gè)在所述襯底和電極層的復(fù)合體上形成的絕緣層。用這種方法，形成電極層，使其鑲嵌在襯底中，并使得鑲嵌電極層的表面和襯底表面平整地在一個(gè)平面上，從而使得絕緣層(介電層)的厚度可以均勻。此外，所述介電層的厚度是均勻的，從而使在所述介電層中的電場(chǎng)分布可以均勻，結(jié)果是可以減小介電層的變形。此外，通過(guò)使用上述復(fù)合襯底構(gòu)成所述薄膜EL器件，從而可以通過(guò)一種簡(jiǎn)單的方法形成高性能的顯示器。就此而論，通過(guò)后面所述的本發(fā)明的生產(chǎn)方法可以容易地形成具有平表面的復(fù)合襯底。本發(fā)明的襯底具有絕緣性能，不會(huì)污染絕緣層(介電層)和其上形成的電極層，并且沒(méi)有特別的限制，只要它能保持預(yù)定的強(qiáng)度。所述襯底的典型實(shí)例包括陶瓷襯底，如氧化鋁(Al2O3)、二氧化硅玻璃(SiO2)、氧化鎂(MgO)、鎂橄欖石(2MgO·SiO2)、塊滑石(MgO·SiO2)、莫來(lái)石(3Al2O3·SiO2)、氧化鈹(BeO)、氧化鋯(ZrO2)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(SiN)和碳化硅(SiC+BeO)。此外，也可以使用Ba基、Sr基和Pb基鈣鈦礦，在這種情況下，可以使用與絕緣層所用的相同組成。在這些化合物中，氧化鋁襯底是特別優(yōu)選的，在要求熱導(dǎo)率時(shí)，氧化鈹、氮化鋁、碳化硅等是優(yōu)選的。優(yōu)選的是使用與絕緣層所用的相同組成形成襯底，因?yàn)樵谶@種情況下，由于不同的熱膨脹導(dǎo)致的翹曲或剝離的等現(xiàn)象不會(huì)發(fā)生。襯底的燒結(jié)溫度為800℃或更高，優(yōu)選的是800-1500℃，更優(yōu)選的是1200-1400℃。所述襯底可以含有，例如用于降低燒結(jié)溫度的玻璃材料。玻璃材料的典型實(shí)例包括PbO、B2O3、SiO2、CaO、MgO、TiO2和ZrO2，它們可以單獨(dú)使用或者其兩種或多種混合使用。玻璃材料的含量范圍約為20-30重量％(以襯底材料為基準(zhǔn))。在制備襯底用的漿料時(shí)，可以使用有機(jī)粘合劑。所述有機(jī)粘合劑不特別限制，可是合適地選自一般用作陶瓷粘合劑的那些粘合劑。這樣的有機(jī)粘合劑的實(shí)例包括乙基纖維素、丙烯酸樹(shù)脂和縮丁醛樹(shù)脂，溶劑的實(shí)例包括α-松油醇、丁基甲醇和煤油。在所述漿料中的粘合劑和溶劑的含量不特別限制，它們可以與一般所用的相同。例如，所述粘合劑的含量范圍約1-5重量％，溶劑的含量范圍約10-50重量％。此外，根據(jù)需要，用于襯底的漿料也可以含有添加劑，如分散劑、增塑劑和絕緣體。這些添加劑的總含量?jī)?yōu)選的是1重量％或更小。襯底的厚度一般在約1-5毫米范圍內(nèi)，優(yōu)選的是1-3毫米。本文所用的電極材料優(yōu)選的是應(yīng)該含有Ag、Au、Pd、Pt、Cu、Ni、W、Mo、Fe和Co中的一種或兩種或多種，或者Ag-Pd、Ni-Mn、Ni-Cr、Ni-Co和Ni-Al合金的任意一種。在還原氣氛中進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，基礎(chǔ)金屬可以選自這些材料。含有Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Si、W、Mo等的一種或兩種或多種，或者Ni-Cu、Ni-Mn、Ni-Cr、Ni-Co和Ni-Al合金的任意一種的材料是更優(yōu)選的，且Ni、Cu和Ni-Cu合金等是最優(yōu)選的。在氧化氣氛下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，在氧化氣氛下不變成氧化物的金屬是優(yōu)選的。所述金屬的典型實(shí)例包括Ag、Au、Pt、Rh、Ru、Ir、Pb和Pd，它們可以單獨(dú)使用或者其兩種或多種聯(lián)合使用。其特別優(yōu)選的實(shí)例包括Ag、Pd和Ag-Pd合金。電極層可以含有玻璃熔塊，來(lái)增強(qiáng)其與作為電極層本身的底層的襯底的結(jié)合性。所述玻璃熔塊優(yōu)選的是例如即使在中性或還原氣氛中進(jìn)行燒結(jié)，也不會(huì)失去玻璃的特性。所述玻璃熔塊的組成不特別限制，只要它能滿足上述要求即可。所述玻璃熔塊的實(shí)例包括硅酸鹽玻璃(SiO2:20-80重量％，Na2O:80-20重量％)、硼硅酸鹽玻璃(B2O3:5-50重量％，SiO2:5-70重量％，PbO:1-10重量％，K2O:1-15重量％)和鋁硅酸鹽玻璃(Al2O3:1-30重量％，SiO2:10-60重量％，Na2O:5-15重量％，CaO:1-20重量％，B2O3:5-30重量％)，它們可以單獨(dú)使用或者其兩種或多種聯(lián)合使用。如果必要，所述玻璃熔塊可以預(yù)定的比例與至少一種選自由CaO(0.01-50重量％)、SrO(0.01-70重量％)、BaO(0.01-50重量％)、MgO(0.01-5重量％)、ZnO(0.01-70重量％)、PbO(0.01-5重量％)、Na2O(0.01-10重量％)、K2O(0.01-10重量％)和MnO2(0.01-20重量％)組成的組中的添加劑混合。雖然所述玻璃的含量不特別限制，但是，其通常在約0.5-20重量％范圍內(nèi)，優(yōu)選的是約1-10重量％(以金屬成分為基準(zhǔn))。此外，所述玻璃中的上述添加劑的總含量?jī)?yōu)選的是玻璃成分的50重量％或更少。在制備用于電極層的漿料過(guò)程中，可以使用有機(jī)粘合劑。所述有機(jī)粘合劑的實(shí)例與上述襯底的情況相同。此外，根據(jù)要求，用于所述電極層的漿料還可以含有添加劑，如分散劑、增塑劑和絕緣體。這些添加劑的總量?jī)?yōu)選的是1重量％或更少。所述電極層的厚度通常在約0.5-5微米范圍內(nèi)，優(yōu)選的是約1-3微米。構(gòu)成所述絕緣層的絕緣材料不特別限制，可以使用各種絕緣材料。其優(yōu)選的實(shí)例包括復(fù)合鈦氧化物、鈦酸鹽基復(fù)合氧化物以及這些氧化物的混合物。復(fù)合鈦氧化物的實(shí)例是根據(jù)要求含有總含量為0.001-30重量％的任何選自氧化鎳(NiO)、氧化銅(CuO)、氧化錳(Mn3O4)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鎂(MgO)、氧化硅(SiO2)等中物質(zhì)的氧化鈦(TiO2)；鈦酸鹽基復(fù)合氧化物是鈦酸鋇(BaTiO3)。在鈦酸鋇中的Ba/Ti摩爾比優(yōu)選的是在約0.95-1.20范圍內(nèi)。所述鈦酸鹽基復(fù)合氧化物(BaTiO3)可以含有至少一種選自由氧化鎂(MgO)、氧化錳(Mn3O4)、氧化鎢(WO3)、氧化鈣(CaO)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈮(Nb2O5)、氧化鈷(Co3O4)、氧化釔(Y2O3)和氧化鋇(BaO)組成的組中的成分，其總含量約為0.001-30重量％。此外，為了，例如調(diào)整燒結(jié)溫度和膨脹系數(shù)，所述絕緣層可以含有至少一種選自由SiO2、MO(假設(shè)M是至少一種選自由Mg、Ca、Sr和Ba的元素)、Li2O和B2O3組成的組中的成分作為次要成分。所述絕緣層的厚度不特別限制，但是其通常在5-1,000微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選的是5-50微米，更優(yōu)選的是約10-50微米。所述絕緣層可以用介電材料形成。特別是在所述復(fù)合襯底應(yīng)用于薄膜EL器件的情況下，介電材料是優(yōu)選的。所述介電材料不特別限制，可以使用任何介電材料。介電材料優(yōu)選的實(shí)例包括復(fù)合鈦氧化物、鈦酸鹽基復(fù)合氧化物及其混合物，如上所述。復(fù)合鈦氧化物的實(shí)例與上面列舉的相同。此外，為了，例如調(diào)整燒結(jié)溫度和膨脹系數(shù)，所述絕緣層可以含有至少一種選自由SiO2、MO(假設(shè)M是至少一種選自由Mg、Ca、Sr和Ba的元素)、Li2O和B2O3組成的組中的成分作為次要成分。特別優(yōu)選的介電材料如下。所述介電層(絕緣層)含有鈦酸鋇作為主要成分，和至少一種選自氧化鎂、氧化錳、氧化鋇和氧化鈣、氧化硅中的成分作為次要成分。在所述介電層中，氧化鎂含量用MgO表示為0.1-3摩爾，優(yōu)選的是0.5-1.5摩爾，氧化錳含量用MnO表示為0.05-1.0摩爾，優(yōu)選的是0.2-0.4摩爾，用BaO表示的氧化鋇和用CaO表示的氧化鈣的總含量為2-12摩爾，氧化硅含量用SiO2表示為2-12摩爾，以100摩爾鈦酸鋇為基準(zhǔn)(用BaTiO3表示)。(BaO+CaO)/SiO2的比例不特別限制，但是通常優(yōu)選的是在0.9-1.1范圍內(nèi)?？梢砸?BaxCa1-xO)y.SiO2的形式含有BaO、CaO和SiO2。在這種情況下，為了獲得致密的燒結(jié)，x和y應(yīng)該分別滿足0.3≤x≤0.7，0.95≤y≤1.05。(BaxCa1-x0)y·SiO2的含量?jī)?yōu)選的是在1-10重量％范圍內(nèi)，更優(yōu)選的是4-6重量％，以BaTiO3、MgO和MnO的總重量為基準(zhǔn)。每種氧化物的氧化態(tài)不特別限制，只要構(gòu)成每種氧化物的金屬元素含量在上述范圍內(nèi)即可。所述介電層優(yōu)選的是含有氧化釔作為次要成分，其含量用Y2O3表示為1摩爾或更少，以100摩爾鈦酸鋇為基準(zhǔn)(用BaTiO3表示)。Y2O3含量的下限不特別確定，但是為了獲得足夠的效果，優(yōu)選的是至少0.1摩爾。在含有氧化釔時(shí)，(BaxCa1-xO)y·SiO2的含量?jī)?yōu)選的是在1-10重量％范圍內(nèi)，更優(yōu)選的是4-6重量％，以BaTiO3、MgO、MnO和Y2O3的總重量為基準(zhǔn)。因?yàn)橄铝性蛳拗粕鲜龃我煞值暮俊．?dāng)氧化鎂含量低于上述范圍時(shí)，電容的溫度特性不在希望的范圍內(nèi)。當(dāng)氧化鎂的含量高于上述范圍時(shí)，介電層的燒結(jié)程度突然降低且所述介電層致密性很差。因此，IR加速壽命降低，并且不能獲得高介電常數(shù)。當(dāng)氧化錳含量低于上述范圍時(shí)，不能獲得良好的抗還原性能，IR加速壽命不足，并且難以降低損耗tanδ。當(dāng)氧化錳含量高于上述范圍時(shí)，在施加DC電場(chǎng)時(shí)，難以降低電容隨時(shí)間的變化。當(dāng)BaO+CaO、SiO2或(BaxCa1-xO)y·SiO2的含量太低時(shí)，在施加DC電場(chǎng)時(shí)，電容隨時(shí)間的變化增大，且IR加速壽命不足。當(dāng)該含量太高時(shí)，介電常數(shù)突然降低。氧化釔具有改善IR加速壽命的作用。當(dāng)氧化釔含量高于上述范圍時(shí)，電容降低，介電層的燒結(jié)程度降低，因此，所述介電層在某些情況下致密性很差。所述介電層也可以含有氧化鋁。氧化鋁具有使得在較低溫度下燒結(jié)成為可能的作用。氧化鋁的含量以Al2O3表示優(yōu)選的是1重量％或更少，以所有介電材料的總量為基準(zhǔn)。當(dāng)氧化鋁含量太高時(shí)，發(fā)生抑制燒結(jié)的問(wèn)題。所述介電層的厚度優(yōu)選的是100微米或更小，更優(yōu)選的是50微米或更小，特別優(yōu)選的是2-20微米。在制備絕緣層漿料中可以使用有機(jī)粘合劑。有機(jī)粘合劑的實(shí)例包括為襯底所列出的那些粘合劑。此外，根據(jù)需要，所述絕緣層漿料也可以含有添加劑，如分散劑、增塑劑和絕緣體。這些添加劑的總含量?jī)?yōu)選的是1重量％或更少。使用該漿料通過(guò)通常的印刷法或片形成方法，把絕緣層前驅(qū)體、電極層前驅(qū)體和襯底前驅(qū)體疊層，然后燒結(jié)所得的疊層，生產(chǎn)本發(fā)明的復(fù)合襯底。通過(guò)先在具有平整表面的薄膜片上形成絕緣層的生坯片，在其上形成電極層前驅(qū)體，然后形成襯底前驅(qū)體并燒結(jié)，可以使所述絕緣層(介電層)表面平整。在這種情況下，由于襯底的厚度比絕緣層的厚度大得多，即板的另一個(gè)表面不受電極層的影響。具有平整表面的薄膜片不特別限制，并且可以使用通常的樹(shù)脂薄膜片。特別優(yōu)選的是促進(jìn)生坯剝離的具有耐化學(xué)性的片。所述薄膜片的典型實(shí)例包括聚萘二甲酸乙二酯(PEN)薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯薄膜(PET)薄膜、聚萘二甲酸乙二酯耐熱薄膜；氟基均聚物薄膜如聚氯三氟乙烯(PCTFE:NeoflonCTFE,DaikinIndustries,Ltd.的一種產(chǎn)品)、聚偏氟乙烯(PCDF:DenkaDX薄膜，DenkiKagakuKogyouCo.,Ltd.的一種產(chǎn)品)和聚氟乙烯(PVF:TedoraPVF薄膜，DuPontCo.,Ltd.的一種產(chǎn)品)和共聚物如四氟乙烯-全氟乙烯基醚共聚物(PFA:Neoflon:PFA薄膜，DaikinIndustries,Ltd.的一種產(chǎn)品)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP:Toroflon薄膜FEP型，TorayIndustries,Inc.的一種產(chǎn)品)、四氟乙烯-乙烯共聚物(ETFETefzelETFE薄膜，DuPontCo.,Ltd.的一種產(chǎn)品；AFLEX薄膜，AsahiGlassCo.,Ltd.的一種產(chǎn)品)；芳族二羧酸-雙酚共聚的芳族聚酯型聚丙烯酸酯薄膜(PAR:Casting,KanekaCorporation制造的E1mec)、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜(PMMA:TechnolloyR526,SumitomoChemicalCo.,Ltd.的一種產(chǎn)品)；含硫聚合物薄膜如聚砜(PSF:SmiliteFS-1200,SumitomoChemicalCo.,Ltd.的一種產(chǎn)品)和聚醚砜(PES:SmiliteFS-1300,SumitomoChemicalCo.,Ltd.的一種產(chǎn)品)；聚碳酸酯薄膜(PC:Panlite,TeijinChemicalsLtd.)；官能降冰片烯基樹(shù)脂(ARTON,JSRCorporation的一種產(chǎn)品)；聚甲基丙烯酸樹(shù)脂(PMMA)；烯烴-馬來(lái)酰亞胺共聚物(TI-160,TosohCorporation的一種產(chǎn)品)、蜜亞胺(AramikaR:AsahiChemicalIndustryCo.,Ltd.的一種產(chǎn)品)，聚酰亞胺氟化物、聚苯乙烯、聚氯乙烯和纖維素三醋酸酯。PEN薄膜和PET薄膜是特別優(yōu)選的。也可以使用含纖維素的片(如紙)并與所述片一起經(jīng)過(guò)燒結(jié)。薄膜片的厚度不特別限制，但是從加工角度來(lái)說(shuō)，優(yōu)選的是在100-400微米。在燒結(jié)之前進(jìn)行的粘合劑去除處理的條件可以是通常使用的那些條件。在還原氣氛下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，下列條件是優(yōu)選的。加熱速度5-500℃/h，優(yōu)選的是10-400℃/h保溫溫度200-400℃，優(yōu)選的是250-300℃保溫時(shí)間0.5-24小時(shí)，優(yōu)選的是5-20小時(shí)氣氛在空氣中可以根據(jù)電極層漿料中所含導(dǎo)電材料的類(lèi)型適當(dāng)選擇燒結(jié)氣氛。在還原氣氛下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，所述燒結(jié)氣氛優(yōu)選的是含有作為主成分N2，1-10％的H2、以及通過(guò)在10-35℃的蒸氣壓下獲得的H2O蒸汽。氧分壓優(yōu)選的是10-8-10-12乇。當(dāng)氧分壓低于上述范圍時(shí)，在電極層中所用的導(dǎo)電材料引起異常燒結(jié)，從而在某些情況下，所述層破壞。當(dāng)氧分壓高于上述范圍時(shí)，電極層容易被氧化。在氧化氣氛下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，以與在空氣中進(jìn)行燒結(jié)相同的方式進(jìn)行燒結(jié)。燒結(jié)時(shí)的保溫溫度優(yōu)選的是800-1,400℃，更優(yōu)選的是1,000-1,400℃，特別優(yōu)選的是1,200-1,400℃。當(dāng)保溫溫度低于上述范圍時(shí)，電極層致密性差。當(dāng)保溫溫度高于上述范圍時(shí)，電極層容易破壞。燒結(jié)時(shí)的保溫時(shí)間優(yōu)選的是0.5-8小時(shí)，優(yōu)選的是1-3小時(shí)。所述復(fù)合襯底優(yōu)選的是在還原氣氛中燒結(jié)后經(jīng)過(guò)退火。所述退火是一種重新氧化絕緣層的處理，通過(guò)退火，可以明顯延長(zhǎng)IR加速壽命。在退火氣氛中的氧分壓優(yōu)選的是10-6乇或更高，特別優(yōu)選的是10-6-10-8乇。當(dāng)氧分壓低于上述范圍時(shí)，絕緣層或介電層不容易重新被氧化。當(dāng)其高于上述范圍時(shí)，內(nèi)部導(dǎo)體容易被氧化。退火時(shí)的保溫溫度優(yōu)選的是1,100℃或更低，更優(yōu)選的是1,000-1,100℃。當(dāng)保溫溫度低于上述范圍時(shí)，絕緣層或介電層不能充分被氧化，從而降低復(fù)合襯底的壽命。當(dāng)保溫溫度高于上述范圍時(shí)，電極層被氧化，從而降低電流容量。此外，被氧化的電極層與絕緣層和介電層的基礎(chǔ)材料反應(yīng)，從而降低復(fù)合襯底的壽命。所述退火可以只通過(guò)升溫或降溫進(jìn)行。在這種情況下，保溫時(shí)間為零，保溫溫度與最高溫度同義。保溫時(shí)間優(yōu)選的是0-20小時(shí)，特別優(yōu)選的是2-10小時(shí)。作為氣氛，例如，潮濕的H2是優(yōu)選的。為了在除去粘合劑、燒結(jié)和退火的上述步驟中使N2氣、H2氣或混合氣體潮濕，例如，可以使用濕潤(rùn)劑。在這種情況下，水溫優(yōu)選的是5-75℃。除去粘合劑、燒結(jié)和退火的步驟可以連續(xù)或分別進(jìn)行。在連續(xù)進(jìn)行所述步驟時(shí)，優(yōu)選的是如下進(jìn)行所述步驟。在粘合劑去除步驟之后，改變氣氛而不冷卻所述復(fù)合襯底，然后通過(guò)升溫到燒結(jié)保溫溫度進(jìn)行燒結(jié)。然后所得的復(fù)合襯底冷卻并在溫度達(dá)到退火保溫溫度時(shí)改變氣氛后進(jìn)行退火。在分別進(jìn)行所述步驟時(shí)，在粘合劑去除步驟后，把溫度升高到預(yù)定保溫溫度，在所述保溫溫度下保溫預(yù)定的時(shí)間，然后降低到室溫。在這種情況下，去除粘合劑步驟的氣氛與上述依次進(jìn)行的過(guò)程的氣氛相同。在退火步驟中，把溫度升高到預(yù)定的保溫溫度，在所述保溫溫度下保溫預(yù)定的時(shí)間，然后降低到室溫。在這種情況下，退火步驟的氣氛與上述依次進(jìn)行的過(guò)程的氣氛相同。此外，在上述依次進(jìn)行的過(guò)程中，退火步驟或者粘合劑去除步驟可以分別進(jìn)行。如上所述可以獲得所述復(fù)合襯底。通過(guò)形成功能薄膜如發(fā)光薄膜、另一個(gè)絕緣層或另一個(gè)電極層，本發(fā)明的復(fù)合襯底可以制成薄膜EL器件。特別地，通過(guò)使用本發(fā)明復(fù)合襯底的絕緣層的介電材料可以獲得具有良好特性的薄膜EL器件。由于本發(fā)明的復(fù)合襯底是用燒結(jié)材料制成的，所以，它適用于通過(guò)在所述襯底上形成作為功能薄膜的發(fā)光薄膜，并使所得的襯底經(jīng)過(guò)熱處理獲得的薄膜EL器件。為了獲得使用本發(fā)明的復(fù)合襯底的薄膜EL器件，在所述復(fù)合襯底的絕緣層上按照下列順序形成發(fā)光層、另一個(gè)絕緣層和另一個(gè)電極層。作為發(fā)光層的材料，可以使用，例如，在ShosakuTanaka的文章“顯示器發(fā)展的最新趨勢(shì)”，MonthlyDisplay,1998,4月，PP.1-10中提出的那些材料。所述材料的特定實(shí)例包括用于發(fā)紅光的ZnS和Mn/CdSSe，用于發(fā)綠光的ZnS:TbOF和ZnS:Tb，用于發(fā)藍(lán)光的SrS:Ce、(SrS:Ce/ZnS)n、Ca2Ga2S4:Ce和Sr2Ga2S4:Ce。對(duì)于白光發(fā)射，例如，SrS:Ce/ZnS:Mn是已知的。首先，對(duì)于具有SrS:Ce制成的藍(lán)色發(fā)光層的EL器件(這是在上述IDW(InternationalDisplayWorkshop)中研究的，1997,X.Wu,“MulticolorThin-FilmCeramicHybridELDisplays”,593-596頁(yè))，應(yīng)用本發(fā)明獲得了特別優(yōu)選的結(jié)果。所述發(fā)光層的厚度不特別限制。然而，當(dāng)所述厚度太大時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓降低，而當(dāng)所述厚度太小時(shí)，發(fā)光效率降低。具體地，盡管取決于發(fā)光材料，優(yōu)選的是所述厚度為100-1,000納米，特別優(yōu)選的是150-500納米?？梢酝ㄟ^(guò)氣相沉積法形成所述發(fā)光層。氣相沉積法的說(shuō)明性實(shí)例包括物理氣相沉積法，如濺射或沉積，和化學(xué)氣相沉積法，如CVD。當(dāng)然，化學(xué)氣相沉積法如CVD是優(yōu)選的。此外，如在上述IDW中詳細(xì)描述的，當(dāng)通過(guò)電子束沉積在H2S氣氛下形成SrS:Ce發(fā)光層時(shí)，可以獲得高純度的發(fā)光層。所形成的發(fā)光層優(yōu)選的是經(jīng)過(guò)熱處理?？梢栽陔姌O層、絕緣層和發(fā)光層疊層后，或者在電極層、絕緣層、發(fā)光層、另一個(gè)絕緣層、以及在某下情況下的另一個(gè)絕緣層疊層后，通過(guò)覆蓋退火(capannealing)從襯底側(cè)進(jìn)行熱處理。優(yōu)選的是通過(guò)覆蓋退火進(jìn)行熱處理。熱處理溫度優(yōu)選的是600℃到襯底的燒結(jié)溫度，更優(yōu)選的是600-1,300℃，特別優(yōu)選的是800-1,200℃。熱處理時(shí)間在10-600分鐘范圍內(nèi)，優(yōu)選的是30-180分鐘。退火氣氛優(yōu)選的是含有N2、Ar、He、或是含0.1％或更少O2的N2。在所述發(fā)光層上形成的絕緣層優(yōu)選的是具有108歐姆.厘米或更高的電阻率，特別優(yōu)選的是1010-1018歐姆·厘米。此外，所述絕緣層優(yōu)選的是用具有較高介電常數(shù)的材料制造。所述介電常數(shù)ε優(yōu)選的是3-1,000。所述絕緣層可以用如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化鉭(Ta2O5)、鈦酸鍶(SrTiO3)、氧化釔(Y2O3)、鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、氧化鋯(ZrO2)、氧氮化硅(SiON)、氧化鋁(Al2O3)和鈮酸鉛(PbNb2O6)。所述絕緣層用與形成上述發(fā)光層相同的方法用這些材料制造。在這種情況下，絕緣層的厚度優(yōu)選的是50-1,000納米，特別優(yōu)選的是100-500納米。下面將參考附圖描述本發(fā)明的復(fù)合襯底和薄膜EL器件的生產(chǎn)方法。首先，如圖1所示，在具有平整表面的薄膜片11上疊放絕緣層(介電層)生坯片，形成絕緣層(介電層)前驅(qū)體3。然后，如圖2所示，以預(yù)定的圖形在其上印刷電極層漿料(電極層前驅(qū)體)2。然后，如圖3所示，把襯底生坯片1疊層到要求的厚度，形成襯底前驅(qū)體。因此，獲得了復(fù)合層前驅(qū)體。然后，如圖4所示，從所得的復(fù)合襯底前驅(qū)體上剝離薄膜片11，然后按要求翻轉(zhuǎn)，并經(jīng)過(guò)粘合劑去除處理和燒結(jié)。在如上述的條件下進(jìn)行粘合劑去除處理和燒結(jié)。也可以進(jìn)行退火。當(dāng)所述薄膜片是含纖維素片(如紙)時(shí)，所得的復(fù)合襯底前驅(qū)體可以與所述薄膜片一起進(jìn)行燒結(jié)。在燒結(jié)后，獲得一種復(fù)合襯底。此外，用下列方法獲得薄膜EL器件。首先，如圖5所示，在所述復(fù)合襯底上形成發(fā)光層4。如上所述，可以通過(guò)電子束沉積形成發(fā)光層4。然后，如圖6所示，在發(fā)光層4上形成上絕緣層5，并且根據(jù)要求，使其上已經(jīng)形成絕緣層5的襯底1經(jīng)過(guò)熱處理。可以在形成發(fā)光層4之后，或者在上絕緣層5上形成上電極層6等之后，進(jìn)行熱處理。此后，如圖7所示，在上絕緣層5上形成上電極層6。當(dāng)上電極層6在熱處理之后形成時(shí)，它不限于耐熱材料，可以使用在采光方面最優(yōu)選的透明導(dǎo)電膜。此外，所述電極層可以是金屬薄膜，根據(jù)要求調(diào)整其厚度，以改善其透光性。雖然上述實(shí)例說(shuō)明了只存在一個(gè)發(fā)光層的情況，但是，薄膜EL層不限于所述構(gòu)造。在薄膜厚度方向可以疊層多個(gè)發(fā)光層，或者多個(gè)不同類(lèi)型的的發(fā)光層(像素)可以以矩陣的形式放在一起并放在一個(gè)平面內(nèi)。本發(fā)明的薄膜EL器件也可以應(yīng)用于高性能、高清晰度顯示器中，因?yàn)橥ㄟ^(guò)使用燒結(jié)獲得的襯底材料使得容易獲得能發(fā)出高強(qiáng)度藍(lán)光的發(fā)光層，并且因?yàn)樵谄渖席B層發(fā)光層的絕緣層具有平整的表面。此外，它可以以低生產(chǎn)成本用較簡(jiǎn)單的方法生產(chǎn)。此外，由于它能發(fā)出高效率、高強(qiáng)度的藍(lán)光，可以與濾色器結(jié)合使用，形成白光發(fā)射器件。作為濾色器，可以使用在LCD等中的濾色器等?？梢愿鶕?jù)EL器件發(fā)出的光調(diào)節(jié)濾色器的特性，來(lái)優(yōu)化光的采集和顏色純度。此外，在使用能屏蔽可能被EL器件材料和熒光轉(zhuǎn)換層吸收的短波外來(lái)光的濾色器時(shí)，可以改進(jìn)所述EL器件的耐光性和顯示對(duì)比度。光學(xué)薄膜，如介電多層薄膜，可以代替濾色器。熒光轉(zhuǎn)換濾色膜用于通過(guò)吸收來(lái)自EL器件的光并從所述熒光轉(zhuǎn)換濾色膜中所含的熒光材料放出光，來(lái)改變發(fā)光顏色。它包含粘合劑、熒光材料和吸光材料。作為熒光材料，基本使用具有高熒光量子效率的熒光材料，在EL發(fā)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有高吸收率的熒光材料是希望的。從實(shí)用觀點(diǎn)來(lái)看，染料激光器是合適的，可以使用若丹明基化合物、二萘嵌苯基化合物、花青基化合物、酞青基化合物(包括亞酞青)、萘酰亞胺(naphthaloimide)基化合物、稠環(huán)烴基化合物、稠雜環(huán)化合物、苯乙烯基化合物和香豆素基化合物。所述粘合劑基本用不引起猝滅的材料制造，優(yōu)選的是可能通過(guò)照相平板印刷術(shù)或印刷產(chǎn)生精細(xì)圖案的粘合劑。只有在所述熒光材料的光吸收不夠時(shí)使用吸光材料。所述吸光材料選自不引起猝滅的材料。本發(fā)明的薄膜EL器件一般是脈沖驅(qū)動(dòng)或交流驅(qū)動(dòng)的，外加電壓為50-300伏。附帶地，雖然已經(jīng)在上述實(shí)例中描述了薄膜EL器件作為所述復(fù)合襯底的應(yīng)用之一，本發(fā)明的復(fù)合襯底不限于該應(yīng)用，并且可以用于各種電材料。例如，它可以用于薄膜/厚膜混合高頻線圈器件等。實(shí)施例下面將描述本發(fā)明的實(shí)施例。在下面的實(shí)施例中的EL結(jié)構(gòu)是使用薄膜法在所述復(fù)合襯底的絕緣層表面順序疊層發(fā)光層、上絕緣層和上電極。實(shí)施例1把鈦酸鋇粉末與粘合劑(丙烯樹(shù)脂)和溶劑(松油醇)混合制備一種介電層漿料，來(lái)制備介電層前驅(qū)體。使用所述漿料通過(guò)流延法，在具有平整表面的PET薄膜上形成介電層生坯片。把多個(gè)生坯片疊在一起，達(dá)到預(yù)定的厚度。然后，把鈀粉末與粘合劑(乙基纖維素)和溶劑(松油醇)混合制備的電極層漿料以條紋的方式印刷在生坯疊層上。通過(guò)把氧化鋁粉末與粘合劑混合制備一種漿料來(lái)制備襯底前驅(qū)體，形成襯底生坯片，然后疊層。使用與介電層漿料相同組成的漿料制備另一種襯底前驅(qū)體。通過(guò)在其上印有電極層的介電層前驅(qū)體上疊層襯底前驅(qū)體制備復(fù)合襯底生坯。所制備的復(fù)合襯底生坯經(jīng)過(guò)在260℃空氣中8小時(shí)的粘合劑去除處理，然后在1,340℃空氣中燒結(jié)2小時(shí)。所制備的復(fù)合襯底的電極層和襯底的厚度分別約為30微米和約1.5毫米。通過(guò)在250℃加熱的復(fù)合襯底上用摻Mn的ZnS靶濺射，形成厚度為0.7微米的ZnS熒光材料基薄膜，把所得的復(fù)合襯底在600℃的真空中加熱10分鐘，并隨后通過(guò)濺射依次在所述復(fù)合襯底上形成Si3N4薄膜作為第二絕緣層和ITO薄膜作為第二電極，生產(chǎn)一種EL器件。從所得器件結(jié)構(gòu)中取出印刷并燒結(jié)的電極和ITO透明電極，并向所述電極施加50微秒的脈沖寬度為1kHz的電場(chǎng)，測(cè)量發(fā)光性能。此外，為了測(cè)量介電層的電學(xué)特性，制備另一樣品，其方法是在上述復(fù)合襯底的介電層上以條紋形式印刷另一個(gè)電極圖案使得所述電極圖案之一以直角與另一個(gè)電極圖案相交，干燥所形成的電極圖案并燒結(jié)所得的復(fù)合襯底。如上所述制備的復(fù)合襯底的介電層的電學(xué)特性和使用所述復(fù)合襯底制備的電致發(fā)光器件的發(fā)光性能表示于表1中。實(shí)施例2用與實(shí)施例1相同的方法制備一種復(fù)合襯底和使用所述復(fù)合襯底制備的電致發(fā)光器件，但是，在制備實(shí)施例1的介電層前驅(qū)體過(guò)程中，把BaTiO3在與粘合劑混合之前與預(yù)定量的MnO、MgO和V2O5在水中混合。所得的發(fā)光性能表示于表1。實(shí)施例3用與實(shí)施例1相同的方法制備一種復(fù)合襯底和使用所述復(fù)合襯底制備的電致發(fā)光器件，但是，使用含有Y2O3的實(shí)施例2的電介質(zhì)。所得的發(fā)光性能表示于表1。實(shí)施例4用與實(shí)施例1相同的方法制備一種復(fù)合襯底和使用所述復(fù)合襯底制備的電致發(fā)光器件，但是，使用含有(Ba0.5、Ca0.5)SiO3的實(shí)施例3的電介質(zhì)。所得的發(fā)光性能表示于表1。實(shí)施例5用與實(shí)施例1相同的方法制備一種復(fù)合襯底和使用所述復(fù)合襯底制備的電致發(fā)光器件，但是，使用含有(Ba0.4、Ca0.6)SiO3的實(shí)施例3的電介質(zhì)。所得的發(fā)光性能表示于表1。實(shí)施例6使用實(shí)施例4的電介質(zhì)和襯底前驅(qū)體并用Ni粉代替Pd粉，制備一種介電層漿料。在含有N2、5％的H2、和通過(guò)35℃的蒸氣壓獲得的H2O氣的氣氛中進(jìn)行燒結(jié)。使用10-8乇的氧分壓。燒結(jié)后，在含有N2和通過(guò)35℃的蒸氣壓獲得的H2O氣的氣氛中在1,050℃進(jìn)行3小時(shí)的再氧化。再氧化過(guò)程中所用的氧分壓也是10-8乇。除了這些以外，用與實(shí)施例1相同的方法制備一種復(fù)合襯底和使用所述復(fù)合襯底制備的電致發(fā)光器件。所得的發(fā)光性能表示于表1。實(shí)施例7用與實(shí)施例1相同的方法制備一種復(fù)合襯底和使用所述復(fù)合襯底制備的電致發(fā)光器件，但是，使用實(shí)施例4的介電質(zhì)前驅(qū)體和電極層漿料以及與所述介電質(zhì)前驅(qū)體漿料組成相同的漿料來(lái)制備襯底前驅(qū)體。所得發(fā)光性能表示于表1。表1表1(續(xù)表<tablesid="table2"num="002"><table>相對(duì)介電常數(shù)tanδ(％)介電強(qiáng)度(V/μm)熒光層的熱處理溫度(℃)發(fā)光引發(fā)電壓(V)施加210V電壓時(shí)的亮度實(shí)施例12.4203.1156001051,030實(shí)施例22,3101.4306001451,050實(shí)施例32,0501.5406001401,300實(shí)施例42,2601.2456001201,250實(shí)施例52,3201.3506001351,350實(shí)施例62,6700.8656001301,470對(duì)比實(shí)施例1121.1370-186150對(duì)比實(shí)施例281.0720-19260</table></tables>如上所述，根據(jù)本發(fā)明，提供一種復(fù)合襯底，其中，絕緣層表面不受電極層的影響，它既不需要研磨過(guò)程也不需要溶膠-凝膠過(guò)程的處理，并容易生產(chǎn)，在其中使用所述復(fù)合襯底時(shí)，可以提供一種顯示質(zhì)量高的薄膜EL器件；還提供一種使用該襯底的薄膜EL器件；以及所述器件的生產(chǎn)方法。權(quán)利要求1．一種復(fù)合襯底，包括襯底；鑲嵌在所述襯底中的電極層，其鑲嵌方式使得所述電極層和所述襯底在一個(gè)平面上；以及在所述襯底和所述電極層的復(fù)合體表面上形成的絕緣層。2．根據(jù)權(quán)利要求1的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層包含介電常數(shù)為1000或更大的電介質(zhì)。3．根據(jù)權(quán)利要求1或2的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層含有鈦酸鋇作為主要成分。4．根據(jù)權(quán)利要求3的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層含有至少一種選自由氧化鎂、氧化錳、氧化鎢、氧化鈣、氧化鋯、氧化鈮、氧化鈷、氧化釔和氧化鋇組成的組中的成分作為次要成分。5．根據(jù)權(quán)利要求3和4的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層含有至少一種選自由SiO2、MO(假定M是至少一種選自Mg、Ca、Sr和Ba的元素)、Li2O和B2O3組成的組中的成分作為次要成分。6．根據(jù)權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)的復(fù)合襯底，其中，所述絕緣層含有鈦酸鋇作為主要成分，和至少一種選自由氧化鎂、氧化錳、氧化釔、氧化鋇和氧化鈣以及氧化硅組成的組中的成分作為次要成分；并且氧化鎂含量用MgO表示為0.1-3摩爾，氧化錳含量用MnO表示為0.05-1.0摩爾，氧化釔含量用Y2O3表示為不大于1摩爾，用BaO表示的氧化鋇含量和用CaO表示的氧化鈣的用量和為2-12摩爾，氧化硅含量用SiO2表示為2-12摩爾，以100摩爾鈦酸鋇(以BaTiO3計(jì))為基準(zhǔn)。7．根據(jù)權(quán)利要求3的復(fù)合襯底，其中，以BaTiO3、MgO、MnO和Y2O3的總含量為基準(zhǔn)，用(BaxCa1-xO)y·SiO2(假定x滿足0.3≤x≤0.7，且y滿足0.95≤y≤1.05)表示，BaO、CaO和SiO2的總含量為1-10重量％。8．根據(jù)權(quán)利要求1-7的任一項(xiàng)的復(fù)合襯底，是一種通過(guò)燒結(jié)由片形成方法或印刷法形成的疊層獲得的厚膜。9．根據(jù)權(quán)利要求1-8的任一項(xiàng)的復(fù)合襯底，通過(guò)在絕緣層上形成功能薄膜，然后在600℃到襯底的燒結(jié)溫度或更低的溫度下加熱所述功能薄膜獲得的。10．一種薄膜EL器件，包含根據(jù)權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)中的復(fù)合襯底、和在所述復(fù)合襯底上順序形成發(fā)光層、另一個(gè)絕緣層和另一個(gè)電極層。11．根據(jù)權(quán)利要求10的薄膜EL器件，其中，所述的電極層包含至少一種選自由Ag、Au、Pd、Pt、Cu、Ni、W、Mo、Fe和Co組成的組中的材料，或Ag-Pd、Ni-Mn、Ni-Cr、Ni-Co和Ni-Al合金中的任一種。12．一種生產(chǎn)薄膜EL器件的方法，包括下列步驟通過(guò)一種厚膜形成方法在具有平整表面的薄膜片上形成第一個(gè)絕緣層前驅(qū)體；在其上形成第一種圖形化的電極層前驅(qū)體；在其上形成襯底前驅(qū)體，使所述疊層經(jīng)過(guò)去除粘合劑的處理并燒結(jié)，獲得在所述襯底上形成有第一個(gè)電極層和第一個(gè)絕緣層的復(fù)合襯底；和在所述第一個(gè)絕緣層上再依次疊層一個(gè)發(fā)光層，第二個(gè)絕緣層和第二個(gè)電極層，獲得所述薄膜EL器件。13．生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求10的薄膜EL器件的方法，其中，在形成權(quán)利要求2的第二個(gè)絕緣層或第二個(gè)電極層之后，在600℃到襯底燒結(jié)溫度或更低的溫度下進(jìn)行熱處理。14．根據(jù)權(quán)利要求12或13的生產(chǎn)薄膜EL器件的的方法，其中，所述襯底前驅(qū)體是一種襯底生坯片，含有至少一種選自由氧化鋁(Al2O3)、二氧化硅玻璃(SiO2)、氧化鎂(MgO)、塊滑石(MgO·SiO2)、鎂橄欖石(2MgO·SiO2)、莫來(lái)石(3Al2O3·2SiO2)、氧化鈹(BeO)、鋯石、以及Ba基、Sr基和Pb基鈣鈦礦組成的組中的成分。15．根據(jù)權(quán)利要求12-14的任一項(xiàng)的生產(chǎn)薄膜EL器件的方法，其中，襯底前驅(qū)體主要成分的組成與絕緣層相同。16．根據(jù)權(quán)利要求12-15的任一項(xiàng)的生產(chǎn)薄膜EL器件的方法，其中，所述電極層前驅(qū)體包含至少一種選自由Ag、Au、Pd、Pt、Cu、Ni、W、Mo、Fe和Co組成的組中的成分，或Ag-Pd、Ni-Mn、Ni-Cr、Ni-Co和Ni-Al合金中的任一種。17．根據(jù)權(quán)利要求12-16的任一項(xiàng)的生產(chǎn)薄膜EL器件的方法，其中，所述燒結(jié)溫度范圍為1,100-1,400℃。全文摘要提供一種復(fù)合襯底,其中,絕緣層表面不受電極層的影響,它既不需要研磨過(guò)程也不需要溶膠—凝膠過(guò)程的處理,并容易生產(chǎn),在其中使用所述復(fù)合襯底時(shí),可以提供一種顯示質(zhì)量高的薄膜EL器件;還提供一種薄膜EL器件;以及所述器件的生產(chǎn)方法。通過(guò)在包含襯底;鑲嵌在所述襯底中的電極層,其鑲嵌方式使得所述電極層和所述襯底在一個(gè)平面上;以及一個(gè)在所述襯底和所述電極層的復(fù)合體表面上形成的絕緣層的復(fù)合襯底上,依次形成發(fā)光層、另一個(gè)絕緣層和另一個(gè)電極層生產(chǎn)所述薄膜EL器件。文檔編號(hào)H05K3/46GK1300520SQ00800524公開(kāi)日2001年6月20日申請(qǐng)日期2000年4月6日優(yōu)先權(quán)日1999年4月7日發(fā)明者長(zhǎng)野克人,武石卓,高山勝,野村武史,中野幸惠,巖永大介申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社