專利名稱：半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備、載體基板及它們的制法、電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備、電子儀器、載體基板的制造方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備的制造方法，尤其適用于半導(dǎo)體封裝等的層疊結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的3維安裝，提出經(jīng)焊錫球并層疊已安裝半導(dǎo)體芯片的載體基板的方法。
但是，若將半導(dǎo)體芯片安裝在載體基板上，則由于半導(dǎo)體芯片與載體基板之間的線性膨脹系數(shù)等不同，所以在載體基板中產(chǎn)生翹曲，在封裝高度中產(chǎn)生差異(不均)。因此，存在載體基板對(duì)焊劑熔融溫度的翹曲余量少，必需嚴(yán)格管理焊劑熔融時(shí)的溫度的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種即使在封裝中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠使封裝的高度差異降低的半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備、電子儀器、載體基板的制造方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備的制造方法。
為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備形成厚度彼此不同的多個(gè)岸面的載體基板；和安裝在所述載體基板上的半導(dǎo)體芯片。
由此，能夠由岸面的厚度來(lái)吸收載體基板的高度差異，即使在載體基板中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體封裝高度的均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述岸面的厚度從所述載體基板的中央部向外周部緩慢變化。
由此，即使在載體基板中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠在抑制安裝工序復(fù)雜化的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)安裝在載體基板上的半導(dǎo)體封裝的高度均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的第1半導(dǎo)體封裝；和形成分別相對(duì)向配置在所述第1岸面上、并厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的第2半導(dǎo)體封裝。
由此，能夠由第1岸面和第2岸面的兩個(gè)面來(lái)吸收第1半導(dǎo)體封裝與第2半導(dǎo)體封裝之間的間隔差異。因此，即使在第1半導(dǎo)體封裝或第2半導(dǎo)體封裝中發(fā)生翹曲的情況下，也能夠在抑制第2半導(dǎo)體封裝的高度差異的同時(shí)，將第2半導(dǎo)體封裝安裝在第1半導(dǎo)體封裝上。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，隨著所述第1半導(dǎo)體封裝與所述第2半導(dǎo)體封裝間的間隙變寬，所述第1和第2岸面的厚度緩慢變大。
由此，即使在第1半導(dǎo)體封裝與第2半導(dǎo)體封裝之間的間隔產(chǎn)生差異的情況下，也能夠均勻化第1岸面與第2岸面之間的間隔，能夠?qū)崿F(xiàn)安裝在第1半導(dǎo)體封裝上的第2半導(dǎo)體封裝的高度的均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備接合在所述岸面上的突出電極。
由此，能夠?qū)盈B裝載半導(dǎo)體芯片的載體基板，能夠進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的3維安裝，可以縮小安裝面積。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述突出電極的體積實(shí)質(zhì)上相同。
由此，即使第1半導(dǎo)體封裝和第2半導(dǎo)體封裝的一方或雙方產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠不變更突出電極的大小來(lái)吸收第1半導(dǎo)體封裝和第2半導(dǎo)體封裝之間的間隔差異，能夠不使安裝效率惡化，實(shí)現(xiàn)安裝在第1半導(dǎo)體封裝上的第2半導(dǎo)體封裝的高度均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備分別形成于所述岸面上的絕緣膜；和形成于所述絕緣膜中、開口面積對(duì)應(yīng)于所述岸面的厚度不同的開口部。
由此，能夠?qū)?yīng)于形成于岸面上的絕緣膜的開口面積，使蝕刻岸面表面時(shí)的蝕刻速率變化。因此，能夠不對(duì)應(yīng)于岸面的厚度不同反復(fù)形成岸面，能夠使岸面的厚度變化，抑制制造工序的復(fù)雜化，同時(shí)，實(shí)現(xiàn)安裝在第1半導(dǎo)體封裝上的第2半導(dǎo)體封裝的高度均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，隨著所述岸面的厚度變厚，所述開口部的開口面積變小。
由此，通過(guò)減小形成于岸面上的絕緣膜的開口面積，能夠使蝕刻岸面表面時(shí)的蝕刻速率降低，能夠不對(duì)應(yīng)于岸面的厚度不同反復(fù)形成岸面，能夠容易調(diào)整岸面的厚度。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體封裝具備形成所述第1岸面的第1載體基板、和倒裝片安裝在所述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；所述第2半導(dǎo)體封裝具備形成所述第2岸面的第2載體基板、裝載在所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片、接合第1岸面和所述第2岸面，使所述第2載體基板的端部保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上的突出電極、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封件。
由此，即使在第1半導(dǎo)體封裝與第2半導(dǎo)體封裝的種類不同的情況下，也能夠抑制高度增大，同時(shí)，使第2半導(dǎo)體封裝層疊在第1半導(dǎo)體封裝上，并且即使在第1半導(dǎo)體封裝和第2半導(dǎo)體封裝的一方或雙方產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠吸收第1半導(dǎo)體封裝與第2半導(dǎo)體封裝之間的間隔差異，能夠?qū)崿F(xiàn)空間節(jié)省，同時(shí)，實(shí)現(xiàn)安裝在第1半導(dǎo)體封裝上的第2半導(dǎo)體封裝的高度均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體封裝是將所述第1半導(dǎo)體芯片倒裝片安裝在所述第1載體基板上的球柵陣列，所述第2半導(dǎo)體封裝是模制密封裝載在所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片的球柵陣列或芯片尺寸封裝。
由此，即使在使用通用封裝的情況下，也能夠在抑制突出電極變細(xì)的同時(shí)，層疊不同種類封裝，不使生產(chǎn)率惡化，而使不同種類封裝間的連接可靠性提高。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的電子設(shè)備，其特征在于，具備形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的第1載體基板；倒裝片安裝在所述第1載體基板上的第1電子部件；形成相對(duì)配置在所述第1岸面上、厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第2電子部件；和密封所述第2電子部件的密封件。
由此，能夠使第2載體基板層疊在第1載體基板上，同時(shí)，能夠由第1岸面和第2岸面的兩個(gè)面來(lái)吸收第1半導(dǎo)體封裝與第2半導(dǎo)體封裝之間的間隔差異。因此，即使在第1載體基板與第2載體基板間的間隔存在大的差異的情況下，也能夠在抑制岸面的厚度變化量的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)安裝在第1載體基板上的第2載體基板的高度均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的電子儀器，其特征在于，具備形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的第1半導(dǎo)體封裝；形成分別相對(duì)向配置在所述第1岸面上、厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的第2半導(dǎo)體封裝；和安裝了所述第2半導(dǎo)體封裝的母基板。
由此，通過(guò)使岸面的厚度變化，能夠吸收第1半導(dǎo)體封裝與第2半導(dǎo)體封裝之間的間隔差異，即使在第1半導(dǎo)體封裝或第2半導(dǎo)體封裝中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)安裝在第1半導(dǎo)體封裝上的第2半導(dǎo)體封裝的高度均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的載體基板的制造方法，其特征在于，具備在第1載體基板上形成多個(gè)岸面的工序；在形成于所述第1載體基板上的多個(gè)岸面上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜中形成具有不同的開口面積、使所述岸面的表面露出的開口部的工序；和通過(guò)經(jīng)所述開口部蝕刻所述岸面的表面，使所述岸面的厚度變化的工序。
由此，能夠?qū)?yīng)于形成于岸面上的絕緣膜的開口面積，使蝕刻岸面表面時(shí)的蝕刻速率變化。因此，能夠統(tǒng)一形成厚度不同的岸面，不必重復(fù)形成厚度不同的岸面，所以在抑制制造工序的復(fù)雜化的同時(shí)，能夠使岸面的厚度變化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備在第1載體基板上形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的工序；在所述第1載體基板上安裝第1半導(dǎo)體芯片的工序；在第2載體基板上形成厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的工序；在第2載體基板上安裝第2半導(dǎo)體芯片的工序；在所述第2岸面上形成突出電極的工序；和通過(guò)將形成于所述第2岸面上的突出電極接合在所述第1岸面上，以在所述第1載體基板上層疊所述第2載體基板的工序。
由此，能夠由第1岸面和第2岸面的兩個(gè)面來(lái)吸收第1載體基板與第2載體基板之間的間隔差異。因此，即使在第1載體基板或第2載體基板上產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠不調(diào)整突出電極的尺寸或焊劑補(bǔ)充量，抑制載體基板的高度差異，能夠在抑制安裝工序復(fù)雜化的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)安裝在第1載體基板上的第2載體基板的高度均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備在第1載體基板上形成多個(gè)第1岸面的工序；在形成于所述第1載體基板上的多個(gè)第1岸面上形成第1絕緣膜的工序；在所述第1絕緣膜中形成具有不同的開口面積、使所述第1岸面的表面露出的第1開口部的工序；通過(guò)經(jīng)所述第1開口部蝕刻所述第1岸面的表面，使所述第1岸面的厚度變化的工序；在所述第1載體基板上安裝第1半導(dǎo)體芯片的工序；在第2載體基板上形成多個(gè)第2岸面的工序；在形成于所述第2載體基板上的多個(gè)第2岸面上形成第2絕緣膜的工序；在所述第2絕緣膜中形成具有不同的開口面積、使所述第2岸面的表面露出的第2開口部的工序；通過(guò)經(jīng)所述第2開口部蝕刻所述第2岸面的表面，使所述第2岸面的厚度變化；在所述第2載體基板上安裝第2半導(dǎo)體芯片的工序；在所述第2岸面上形成突出電極的工序；和通過(guò)將形成于所述第2岸面上的突出電極接合在所述第1岸面上，在所述第1載體基板上層疊所述第2載體基板的工序。
由此，能夠在第1載體基板和第2載體基板上統(tǒng)一形成厚度不同的岸面，不必重復(fù)形成厚度不同的岸面，能夠由第1岸面和第2岸面的兩個(gè)面來(lái)吸收第1載體基板與第2載體基板之間的間隔差異。因此，能夠在抑制安裝工序復(fù)雜化的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)安裝在第1載體基板上的第2載體基板的高度的均勻化。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，具備在第1載體基板上形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的工序；在所述第1載體基板上安裝第1電子部件的工序；在第2載體基板上形成厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的工序；在第2載體基板上安裝第2電子部件的工序；在所述第2岸面上形成突出電極的工序；和通過(guò)將形成于所述第2岸面上的突出電極接合在所述第1岸面上，在所述第1載體基板上層疊所述第2載體基板的工序。
由此，能夠由第1岸面和第2岸面的兩個(gè)面來(lái)吸收第1載體基板與第2載體基板之間的間隔差異，不必調(diào)整突出電極的尺寸或焊劑補(bǔ)充量，能夠?qū)崿F(xiàn)安裝在第1載體基板上的第2載體基板的高度的均勻化。


圖1是表示根據(jù)實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。
圖3是表示根據(jù)實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4是表示根據(jù)實(shí)施方式3的載體基板的制造方法的截面圖。
圖5是表示根據(jù)實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖6是表示根據(jù)實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖中，11、31、41、51、71、81、111、131、141、211-載體基板，91-配線基板，12、13a～13d、32a～32c、42a～42c、52、53a～53d、72a～72c、82a～82c、96、96a～96c、112a～112c、113a～113c、132a～132c、142a～142c、152、212、213a～213d、234a～234c、244a～244c-岸面，14、15、33、43、54、55、73、83、94、97、114、115、133、143、153、214、215、233、243-絕緣膜，16、17、34、44、56、57a～57d、74a～74c、84a～84c、98a～98c、116、117、134、144、154、216、217、237、247-開口部，18、58、118、231、241-半導(dǎo)體芯片，19、21、36、46、59、61、76、86、119、121、136、146、219、221、238、248-突出電極，20、60、120、20-各向異性導(dǎo)電薄膜，91、92-粘接層，35、45、75、85、135、145-密封樹脂，151-母基板，232、242-電極底座，234、244-應(yīng)力緩和層，235、245-再布置配線，236、246-焊料抗蝕劑層，PK11～PK13、PK21～PK23、PK31～PK33、PK41～PK43-半導(dǎo)體封裝
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備和其制造方法。
圖1是表示根據(jù)實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。該實(shí)施方式1是，分別使接合突出電極36、46的半導(dǎo)體封裝PK11-PK13的岸面13a～13c、32a～32c、42a～42c的厚度進(jìn)行變化的。
圖1中，在半導(dǎo)體封裝PK11中設(shè)有載體基板11。另外，在載體基板11的里面設(shè)有用于配置突出電極21的岸面12。另外，在設(shè)置岸面12的載體基板11的里面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜14，在絕緣膜14中設(shè)有使岸面12的表面露出的開口部16。
另一方面，在載體基板11的表面分別設(shè)置分別配置突出電極36、46的岸面13a～13c，同時(shí)，設(shè)有用于配置突出電極19的岸面13d。另外，在設(shè)置岸面13a～13d的載體基板11的表面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜15，在絕緣膜15中設(shè)置使岸面13a～13d的表面露出的開口部17。
這里，能夠?qū)⒃O(shè)置在載體基板11表面中的岸面13a～13c的厚度設(shè)定成例如從載體基板11的中央部向外周部緩慢變厚。
另外，在載體基板11上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片18，在半導(dǎo)體芯片18中設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極19。另外，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片18中的突出電極19經(jīng)各向異性導(dǎo)電片20，ACF(Anisotropic Conductive Film)接合在岸面13d上。另外，在設(shè)置在載體基板11里面的岸面12上，設(shè)有用于將載體基板11安裝在母基板上的突出電極21。
另一方面，在半導(dǎo)體封裝PK12、PK13中分別設(shè)有載體基板31、41。另外，在各載體基板31、41的里面分別設(shè)有分別配置突出電極36、46用的岸面32a～32c、42a～42c。另外，在分別設(shè)置岸面32a～32c、42a～42c的載體基板31、41的里面分別形成焊料抗蝕劑等的絕緣膜33、43，在各絕緣膜33、43中分別設(shè)置有使各岸面32a～32c、42a～42c的表面露出的開口部34、44。另外，在載體基板31、41上分別安裝半導(dǎo)體芯片，由密封樹脂35、45分別密封了安裝了半導(dǎo)體芯片的載體基板31、41的單面整體。另外，也可以在載體基板31、41上安裝引線接合連接的半導(dǎo)體芯片，也可以倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片，或安裝半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)。
這里，設(shè)置在載體基板31、41里面的各岸面32a～32c、42a～42c的厚度可以分別設(shè)定成例如從載體基板31、41的中央部向外周部緩慢變厚的狀態(tài)。
另外，在分別設(shè)置在載體基板31、41里面的岸面32a～32c、42a～42c上分別設(shè)有用于將載體基板31、41安裝在載體基板11上的突出電極36、46，使載體基板31、41的端部保持在半導(dǎo)體芯片18上。這里，突出電極36、46分別避開半導(dǎo)體芯片18的裝載區(qū)域來(lái)配置，例如，可以將突出電極36、46分別配置在各載體基板31、41的里面周圍。
這里，由于載體基板11或半導(dǎo)體芯片19等的線性膨脹系數(shù)不同，半導(dǎo)體封裝PK11向下側(cè)翹曲。另外，例如在半導(dǎo)體封裝PK11向下側(cè)翹曲的狀態(tài)下，通過(guò)使突出電極36、46分別接合在設(shè)置在載體基板11上的岸面13a～13c，可以將載體基板31、41分別安裝在載體基板11上。
這里，通過(guò)使半導(dǎo)體封裝PK11-PK13的岸面13a～13c、32a～32c、42a～42c的厚度分別變化，能夠由岸面13a～13c、32a～32c、42a～42c來(lái)吸收半導(dǎo)體封裝PK11-PK13之間的間隔差異。因此，即使在半導(dǎo)體封裝PK11中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠在抑制半導(dǎo)體封裝PK12、PK13的高度差異的同時(shí)，將半導(dǎo)體封裝PK12、PK13安裝在半導(dǎo)體封裝PK11上。
另外，通過(guò)使半導(dǎo)體封裝PK11-PK13的岸面13a～13c、32a～32c、42a～42c的厚度分別變化，即使在半導(dǎo)體封裝PK11中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠不變更突出電極36、46的大小，吸收半導(dǎo)體封裝PK11-PK13之間的間隔差異，不使安裝效率惡化，能夠?qū)崿F(xiàn)安裝在半導(dǎo)體封裝PK11上的半導(dǎo)體封裝PK12、PK13的高度均勻化。
另外，作為載體基板11、31、41，例如可以使用雙面基板、多層配線基板、內(nèi)建(build up)基板、帶狀基板或薄膜基板等，作為載體基板11、31、41的材質(zhì)，例如可以使用聚酰亞胺樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、BT樹脂、芳族聚酰胺與環(huán)氧樹脂的復(fù)合、或陶瓷等。另外，作為突出電極19、21、26、36，例如可以使用Au突塊、由錫焊材料等覆蓋的Cu突塊或Ni突塊、或錫焊球等。
另外，在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明通過(guò)ACF接合將半導(dǎo)體芯片18安裝在載體基板11上的方法，但例如也可以使用NCF(Nonconductive Film)接合等其它粘接劑接合，或使用焊錫接合或合金接合等金屬接合。另外，必要時(shí)也可以在載體基板11與載體基板31、41之間的間隙中注入樹脂。
另外，在上述實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了上側(cè)載體基板31、41中無(wú)翹曲、下側(cè)載體基板11向下側(cè)翹曲的情況，但同樣能夠適用于下側(cè)載體基板11向下側(cè)翹曲、上側(cè)載體基板31、41向上側(cè)翹曲的情況，下側(cè)載體基板11沒有翹曲、上側(cè)載體基板31、41向上側(cè)翹曲的情況，載體基板11、31、41都向下側(cè)翹曲、下側(cè)載體基板11的翹曲大的情況，載體基板11、31、41都向上側(cè)翹曲、上側(cè)載體基板31、41的翹曲大的情況。
并且，也可以適用于下側(cè)載體基板11向上側(cè)翹曲、上側(cè)載體基板31、41向下側(cè)翹曲的情況，下側(cè)載體基板11沒有翹曲、上側(cè)載體基板31、41向下側(cè)翹曲的情況，上側(cè)載體基板31、41沒有翹曲、下側(cè)載體基板11向上側(cè)翹曲的情況，載體基板11、31、41都向下側(cè)翹曲、上側(cè)載體基板31、41的翹曲大的情況，載體基板11、31、41都向上側(cè)翹曲、下側(cè)載體基板11的翹曲大的情況。另外，在這些情況下，分別設(shè)置在載體基板11、31、41表面中的岸面13a～13c、32a～32c、42a～42c的厚度最好分別設(shè)置成例如從載體基板11、31、41的中央部向外周部緩慢變薄。
圖2是表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。
在圖2(a)中，設(shè)半導(dǎo)體封裝PK11向下側(cè)翹曲。另外，在半導(dǎo)體封裝PK11上分別層疊半導(dǎo)體封裝PK12、PK13的情況下，在載體基板31、41的各岸面32a～32c、42a～42c上分別形成突出電極36、46。這里，作為突出電極36、46，例如在使用焊錫球的情況下，能夠?qū)⑶驈皆O(shè)定得實(shí)質(zhì)上相等。
接著，如圖2(b)所示，在半導(dǎo)體封裝PK11上分別安裝分別形成突出電極36、46的半導(dǎo)體封裝PK12、PK13，進(jìn)行回流處理，從而使突出電極36、46分別接合在各岸面32a～32c、42a～42c上。
這里，通過(guò)使半導(dǎo)體封裝PK11-PK13的岸面13a～13c、32a～32c、42a～42c的厚度分別變化，即使在使用球徑相等的焊錫球作為突出電極36、46的情況下，也能夠使載體基板31、41的安裝高度對(duì)應(yīng)于載體基板11的翹曲。
接著，如圖2所示，在設(shè)置在載體基板11里面的岸面12上，形成將載體基板11安裝在母基板上的突出電極21。
圖3是表示根據(jù)實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。該實(shí)施方式2蝕，對(duì)應(yīng)于分別形成于岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c上的絕緣膜55、73、83的開口部57a～57c、74a～74c、82a～82c的開口面積，分別使岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c的厚度變化的。
圖3中，在半導(dǎo)體封裝PK21中設(shè)有載體基板51。另外，在載體基板51的里面設(shè)有用于配置突出電極61的岸面52。另外，在設(shè)置岸面52的載體基板51的里面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜54，在絕緣膜54中設(shè)有使岸面52的表面露出的開口部56。
另一方面，在載體基板51的表面，分別設(shè)置分別配置突出電極76、86的岸面53a～53c，同時(shí)，設(shè)有用于配置突出電極59的岸面53d。另外，在設(shè)置岸面53a～53d的載體基板51的表面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜55，在絕緣膜55中分別設(shè)有使岸面53a～53d的表面露出的開口部57a～57d。
這里，能夠?qū)⒃O(shè)置在載體基板51表面中的岸面53a～53c的厚度設(shè)定成例如從載體基板51的中央部向外周部緩慢變厚。另外，開口部57a～57c的開口面積能夠設(shè)定成隨岸面53a～53c的厚度變厚而變小。
另外，在載體基板51上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片58，在半導(dǎo)體芯片58中設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極59。另外，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片58中的突出電極59經(jīng)各向異性導(dǎo)電片60ACF接合在岸面53d上。另外，在設(shè)置在載體基板51里面的岸面52上面，設(shè)有用于將載體基板51安裝在母基板上的突出電極61。
另一方面，在半導(dǎo)體封裝PK22、PK23中分別設(shè)有載體基板71、81。另外，在各載體基板71、81的里面分別設(shè)有分別配置突出電極76、86用的岸面72a～72c、82a～82c。另外，在分別設(shè)置岸面72a～72c、82a～82c的載體基板71、81的里面分別形成焊料抗蝕劑等絕緣膜73、83，在各絕緣膜73、83中分別設(shè)有使各岸面72a～72c、82a～82c的表面露出的開口部74a～74c、84a～84c。另外，在載體基板71、81上分別安裝半導(dǎo)體芯片，由密封樹脂75、85分別密封安裝了半導(dǎo)體芯片的載體基板71、81的單面整體。另外，也可以在載體基板71、81上安裝引線接合連接的半導(dǎo)體芯片，也可以倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片，也可以安裝半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)。
這里，設(shè)置在載體基板71、81里面的各岸面72a～72c、82a～82c的厚度可以分別設(shè)定成例如從載體基板71、81的中央部向外周部緩慢變厚。另外，各開口部74a～74c、84a～84c的開口面積可以設(shè)定成隨各岸面72a～72c、82a～82c的厚度變厚而變小。
另外，在分別設(shè)置在載體基板71、81里面的岸面72a～72c、82a～82c上分別設(shè)有用于將載體基板71、81安裝在載體基板51上的突出電極76、86，以使載體基板71、81的端部保持在半導(dǎo)體芯片58上。這里，突出電極76、86分別避開半導(dǎo)體芯片58的裝載區(qū)域來(lái)配置，例如，可以將突出電極76、86分別配置在各載體基板71、81的里面周圍。
另外，例如在半導(dǎo)體封裝PK12向下側(cè)翹曲的狀態(tài)下，通過(guò)使突出電極76、86分別接合在設(shè)置在載體基板51上的岸面53a～53c上，可以將載體基板71、81分別安裝在載體基板51上。
這里，通過(guò)使半導(dǎo)體封裝PK21-PK23的岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c的厚度分別變化，能夠由岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c來(lái)吸收半導(dǎo)體封裝PK2 1-PK23之間的間隔差異。因此，即使在半導(dǎo)體封裝PK21中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠在抑制半導(dǎo)體封裝PK22、PK23的高度差異的同時(shí)，將半導(dǎo)體封裝PK22、PK23安裝在半導(dǎo)體封裝PK21上。
另外，通過(guò)使分別使岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c的表面露出的開口部57a～57c、74a～74c、84a～84c的開口面積分別對(duì)應(yīng)于各岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c的厚度變化，蝕刻岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c的表面，能夠使岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c的厚度變化。因此，能夠分別統(tǒng)一形成厚度不同的岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c，不必對(duì)應(yīng)于各岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c的厚度差異分別反復(fù)形成岸面53a～53c、72a～72c、82a～82c，所以能夠在抑制制造工序的復(fù)雜化的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)安裝在半導(dǎo)體封裝PK21上的半導(dǎo)體封裝PK22、PK23的高度均勻化。
圖4是表示根據(jù)實(shí)施方式3的載體基板的制造方法的截面圖。
在圖4(a)中，在配線基板91中形成配線圖案92，經(jīng)粘接層92層疊形成配線圖案92的配線基板91，由此形成例如4層基板。另外，在4層基板的里面形成厚度一定的岸面95，以使岸面95的表面露出的形態(tài)，形成有焊料抗蝕劑等絕緣膜94。另外，例如通過(guò)進(jìn)行形成于4層基板表面的銅箔的圖案形成(布圖)，在4層基板的表面形成厚度一定的岸面96。
接著，如.4(b)所示，在形成岸面96的4層基板的表面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜97。另外，如圖4(c)所示，通過(guò)進(jìn)行絕緣膜97的圖案形成，形成使岸面96的表面露出的開口部98a～98c。這里，各開口部98a～98c的開口面積分別對(duì)應(yīng)于安裝在4層基板上的封裝的起伏或翹曲來(lái)設(shè)定，例如，可以設(shè)定成從4層基板的中央部向外周部緩慢變大。
接著，如圖4(d)所示，蝕刻分別經(jīng)開口部98a～98c露出的岸面96的表面。這里，對(duì)應(yīng)于開口部98a～98c的開口面積，可以使蝕刻岸面96表面時(shí)的蝕刻速率變化，例如，通過(guò)減小開口部98a～98c的開口面積，能夠使岸面96表面的蝕刻速率降低。因此，通過(guò)分別經(jīng)開口面積不同的開口部98a～98c蝕刻岸面96的表面，能夠統(tǒng)一形成厚度不同的岸面96a～96c，并能夠在抑制制造工序的復(fù)雜化的同時(shí)，使岸面96a～96c的厚度變化。
另外，在上述實(shí)施方式中，以4層基板為例說(shuō)明了載體基板的制造方法，但載體基板也可以是4層以外的基板。
圖5是表示根據(jù)實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。該實(shí)施方式4是，分別使接合突出電極136、146的半導(dǎo)體封裝PK31～PK33的岸面113a～13c、132a～132c、142a～142c的厚度變化，同時(shí)，分別使粘合突出電極121的半導(dǎo)體封裝PK31的岸面112a～112c的厚度變化。
圖5中，在半導(dǎo)體封裝PK31中設(shè)有載體基板111。另外，在載體基板111的里面設(shè)有用于配置突出電極121的岸面112a～112c。另外，在設(shè)置岸面112a～112c的載體基板111的里面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜114，在絕緣膜114中設(shè)有分別使岸面112a～112c的表面露出的開口部116。這里，設(shè)置在載體基板111里面的岸面112a～112c的厚度可以設(shè)定成例如從載體基板111的中央部向外周部緩慢變薄。
另一方面，在載體基板111的表面，分別設(shè)置分別配置突出電極136、146的岸面113a～113c，同時(shí)，設(shè)有用于配置突出電極119的岸面113d。另外，在設(shè)置岸面113a～113d的載體基板111的表面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜115，在絕緣膜115中分別設(shè)有使岸面113a～113d的表面露出的開口部117。
這里，能夠?qū)⒃O(shè)置在載體基板111表面中的岸面113a～113c的厚度設(shè)定成例如從載體基板111的中央部向外周部緩慢變厚。
另外，在載體基板111上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片118，在半導(dǎo)體芯片118中設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極119。另外，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片118中的突出電極119經(jīng)各向異性導(dǎo)電片120ACF接合在岸面113d上。
另外，在設(shè)置在載體基板111里面的岸面112a～112c中，設(shè)有用于將載體基板111安裝在母基板151上的突出電極121。
另一方面，在半導(dǎo)體封裝PK32、PK33中分別設(shè)有載體基板131、141。另外，在各載體基板131、141的里面分別設(shè)有分別配置突出電極136、146用的岸面132a～132c、142a～142c。另外，在分別設(shè)置岸面132a～132c、142a～142c的載體基板131、141的里面分別形成焊料抗蝕劑等絕緣膜133、143，在各絕緣膜133、143中分別設(shè)有使各岸面132a～132c、142a～142c的表面露出的開口部134、144。另外，在載體基板131、141上分別安裝半導(dǎo)體芯片，由密封樹脂135、145分別密封安裝了半導(dǎo)體芯片的載體基板131、141的單面整體。另外，也可以在載體基板131、141上安裝引線接合連接的半導(dǎo)體芯片，也可以倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片，也可以安裝半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)。
這里，設(shè)置在載體基板131、141里面的各岸面132a～132c、142a～142c的厚度可以分別設(shè)定成例如從載體基板131、141的中央部向外周部緩慢變厚。
另外，在分別設(shè)置在載體基板131、141里面的岸面132a～132c、142a～142c上，以使載體基板131、141的端部保持在半導(dǎo)體芯片118上的形態(tài)，分別設(shè)有用于將載體基板131、141安裝在載體基板111上的突出電極136、146。這里，將突出電極136、146可以分別避開半導(dǎo)體芯片118的裝載區(qū)域來(lái)配置，例如，可以將突出電極136、146分別配置在各載體基板131、141的里面周圍。
另外，在母基板151上形成使突出電極121接合的岸面152，同時(shí)，形成有設(shè)置了使岸面152的表面露出的開口部154的焊料抗蝕劑等絕緣膜153。
另外，例如在半導(dǎo)體封裝PK31向下側(cè)翹曲的狀態(tài)下，通過(guò)分別使突出電極136、146接合在設(shè)置在載體基板111上的岸面113a～113c上，可以將載體基板131、141分別安裝在載體基板111上。并且，通過(guò)分別使突出電極121接合在設(shè)置在母基板151上的岸面152上，可以將層疊載體基板131、141的載體基板111安裝在母基板151上。
這里，通過(guò)使半導(dǎo)體封裝PK31-PK33的岸面113a～113c、132a～132c、142a～142c的厚度分別變化，能夠由岸面113a～113c、132a～132c、142a～142c來(lái)吸收半導(dǎo)體封裝PK31-PK33之間的間隔差異。因此，即使在半導(dǎo)體封裝PK31中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠在抑制半導(dǎo)體封裝PK32、PK33的高度差異的同時(shí)，將半導(dǎo)體封裝PK32、PK33安裝在半導(dǎo)體封裝PK31上。
另外，通過(guò)使半導(dǎo)體封裝PK31的岸面112a～112c的厚度變化，能夠由岸面112a～112c吸收半導(dǎo)體封裝PK31與母基板151的間隔差異。因此，即使在半導(dǎo)體封裝PK31中產(chǎn)生翹曲的情況下，也不會(huì)使突出電極121的高度變化，將半導(dǎo)體封裝PK31穩(wěn)定安裝在母基板151上。
圖6是表示根據(jù)實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。實(shí)施方式5中，分別使接合突出電極238、248的半導(dǎo)體封裝PK41-PK43的岸面213a～213c、234a～234c、244a～244c的厚度變化，同時(shí)，將W-CSP(晶片等級(jí)芯片尺寸封裝)用作半導(dǎo)體封裝PK42、PK43。
圖6中，在半導(dǎo)體封裝PK41中設(shè)有載體基板211。另外，在載體基板211的里面設(shè)有用于配置突出電極221的岸面212。另外，在設(shè)置岸面212的載體基板211的里面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜214，在絕緣膜214中設(shè)有使岸面212的表面露出的開口部216。
另一方面，在載體基板211的表面，分別設(shè)置分別配置突出電極238、248的岸面213a～213c，同時(shí)，設(shè)有用于配置突出電極219的岸面213d。另外，在設(shè)置岸面213a～213d的載體基板211的表面形成焊料抗蝕劑等絕緣膜215，在絕緣膜215中分別設(shè)有使岸面213a～213d的表面露出的開口部217。
這里，可以將設(shè)置在載體基板211表面中的岸面213a～213c的厚度設(shè)定成例如從載體基板211的中央部向外周部緩慢變厚。
另外，在載體基板211上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片218，在半導(dǎo)體芯片218中設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極219。另外，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片218中的突出電極219經(jīng)各向異性導(dǎo)電片220ACF接合在岸面213d上。
另外，在設(shè)置在載體基板211里面的岸面216上，設(shè)有用于將載體基板211安裝在母基板上的突出電極221。
另一方面，在半導(dǎo)體封裝PK42、PK43中分別設(shè)置半導(dǎo)體芯片231、241，在各載體基板231、241中分別設(shè)置電極襯墊232、242，同時(shí)，以使各電極襯墊232、242的表面分別露出的形態(tài)，分別設(shè)有絕緣膜233、243。另外，在各半導(dǎo)體芯片231、241上，使電極襯墊232、242分別露出地分別形成應(yīng)力緩和層234、244，在各電極襯墊232、242上分別形成在應(yīng)力緩和層234、244上延伸的再配置配線235、245，同時(shí)，在各應(yīng)力緩和層234、244上分別設(shè)有分別配置突出電極238、248用的岸面234a～234c、244a～244c。另外，在再配置配線235、245和岸面234a～234c、244a～244c上分別形成焊料抗蝕劑膜236、246，在焊料抗蝕劑膜236、246中分別形成使各岸面234a～234c、244a～244c在應(yīng)力緩和層234、244上露出的開口部237、247。
這里，設(shè)置在應(yīng)力緩和層234、244上的各岸面234a～234c、244a～244c的厚度可以分別設(shè)定成例如從半導(dǎo)體芯片231、241的中央部向外周部緩慢變厚。
另外，在分別經(jīng)開口部237、247露出的各岸面234a～234c、244a～244c上，分別設(shè)置分別面朝下安裝半導(dǎo)體芯片231、241的突出電極238、248，以使半導(dǎo)體芯片231、241的端部分別保持在半導(dǎo)體芯片218上。另外，突出電極238、248可以避開半導(dǎo)體芯片218的裝載區(qū)域來(lái)分別配置，例如可以分別將突出電極238、248配置在半導(dǎo)體芯片231、241的周圍。
另外，例如在半導(dǎo)體封裝PK41向下側(cè)翹曲的狀態(tài)下，通過(guò)分別使突出電極238、248接合在設(shè)置在載體基板211上的岸面213a～213c上，可以將半導(dǎo)體芯片231、241安裝在載體基板211上。
從而，可以在倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片218的載體基板211上層疊W-CSP，即使在半導(dǎo)體芯片218、231、241的種類或尺寸不同的情況下，也能夠不在半導(dǎo)體芯片218、231、241之間插入載體基板，將半導(dǎo)體芯片231、241三維安裝在半導(dǎo)體芯片218上，同時(shí)，能夠由岸面213a～213c、234a～234c、244a～244c來(lái)吸收半導(dǎo)體封裝PK41-PK43之間的間隔差異。
因此，即使在半導(dǎo)體封裝PK41中存在翹曲的情況下，也能夠在抑制半導(dǎo)體芯片231、241層疊時(shí)的高度增大的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)安裝在半導(dǎo)體封裝PK41上的半導(dǎo)體封裝PK42、PK43的高度均勻化。
另外，上述半導(dǎo)體裝置和電子部件例如可以適用于液晶顯示裝置、便攜電話、便攜信息終端、視頻攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MD(Mini Disc)播放器等電子儀器中，可以實(shí)現(xiàn)電子儀器的小型、輕量化，同時(shí)，能夠提高電子儀器的可靠性。
另外，在上述實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了安裝半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝的方法，但本發(fā)明不一定限于安裝半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝的方法，例如也可以安裝彈性表面波(SAW)元件等陶瓷元件、光調(diào)制器或光開關(guān)等光學(xué)元件、磁傳感器或生物傳感器等各種傳感器類等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備形成厚度彼此不同的多個(gè)岸面的載體基板；和安裝在所述載體基板上的半導(dǎo)體芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述岸面的厚度從所述載體基板的中央部向外周部緩慢變化。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的第1半導(dǎo)體封裝；和形成分別相對(duì)配置在所述第1岸面上、厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的第2半導(dǎo)體封裝。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，隨著所述第1半導(dǎo)體封裝與所述第2半導(dǎo)體封裝間的間隙變寬，所述第1和第2岸面的厚度緩慢變大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任意1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備接合在所述岸面上的突出電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述突出電極的體積實(shí)質(zhì)上相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任意1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備分別形成于所述岸面上的絕緣膜；和形成于所述絕緣膜中、開口面積對(duì)應(yīng)于所述岸面的厚度不同的開口部。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，隨著所述岸面的厚度變厚，所述開口部的開口面積變小。
9.根據(jù)權(quán)利要求3～7中的任意1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體封裝，具備形成所述第1岸面的第1載體基板和倒裝片安裝在所述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；所述第2半導(dǎo)體封裝，具備形成所述第2岸面的第2載體基板，裝載在所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片，接合第1岸面和所述第2岸面、使所述第2載體基板的端部保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上的突出電極，和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體封裝是將所述第1半導(dǎo)體芯片倒裝片安裝在所述第1載體基板上的球柵陣列，所述第2半導(dǎo)體封裝是模制密封裝載在所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片的球柵陣列或芯片尺寸封裝。
11.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的第1載體基板；倒裝片安裝在所述第1載體基板上的第1電子部件；形成相對(duì)配置在所述第1岸面上、厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第2電子部件；和密封所述第2電子部件的密封件。
12.一種電子儀器，其特征在于，具備形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的第1半導(dǎo)體封裝；形成分別相對(duì)配置在所述第1岸面上、厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的第2半導(dǎo)體封裝；和安裝所述第2半導(dǎo)體封裝的母基板。
13.一種載體基板的制造方法，其特征在于，具備在第1載體基板上形成多個(gè)岸面的工序；在形成于所述第1載體基板上的多個(gè)岸面上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜中形成具有不同的開口面積、使所述岸面的表面露出的開口部的工序；和通過(guò)經(jīng)所述開口部蝕刻所述岸面的表面，使所述岸面的厚度變化的工序。
14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備在第1載體基板上形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的工序；在所述第1載體基板上安裝第1半導(dǎo)體芯片的工序；在第2載體基板上形成厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的工序；在第2載體基板上安裝第2半導(dǎo)體芯片的工序；在所述第2岸面上形成突出電極的工序；和通過(guò)將形成于所述第2岸面上的突出電極接合在所述第1岸面上，在所述第1載體基板上層疊所述第2載體基板的工序。
15.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備在第1載體基板上形成多個(gè)第1岸面的工序；在形成于所述第1載體基板上的多個(gè)第1岸面上形成第1絕緣膜的工序；在所述第1絕緣膜中形成具有不同的開口面積、使所述第1岸面的表面露出的第1開口部的工序；通過(guò)經(jīng)所述第1開口部蝕刻所述第1岸面的表面，使所述第1岸面的厚度變化的工序；在所述第1載體基板上安裝第1半導(dǎo)體芯片的工序；在第2載體基板上形成多個(gè)第2岸面的工序；在形成于所述第2載體基板上的多個(gè)第2岸面上形成第2絕緣膜的工序；在所述第2絕緣膜中形成具有不同的開口面積、使所述第2岸面的表面露出的第2開口部的工序；通過(guò)經(jīng)所述第2開口部蝕刻所述第2岸面的表面，使所述第2岸面的厚度變化的工序；在所述第2載體基板上安裝第2半導(dǎo)體芯片的工序；在所述第2岸面上形成突出電極的工序；和通過(guò)將形成于所述第2岸面上的突出電極接合在所述第1岸面上，在所述第1載體基板上層疊所述第2載體基板的工序。
16.一種電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，具備在第1載體基板上形成厚度彼此不同的多個(gè)第1岸面的工序；在所述第1載體基板上安裝第1電子部件的工序；在第2載體基板上形成厚度彼此不同的多個(gè)第2岸面的工序；在第2載體基板上安裝第2電子部件的工序；在所述第2岸面上形成突出電極的工序；和通過(guò)將形成于所述第2岸面上的突出電極接合在所述第1岸面上，在所述第1載體基板上層疊所述第2載體基板的工序。
全文摘要
即使在封裝中產(chǎn)生翹曲的情況下，也能夠使封裝的高度差異降低。從載體基板11的中央部向外周部緩慢變厚地設(shè)定設(shè)置在載體基板11表面中的岸面(land)13a～c的厚度，同時(shí)，從載體基板31、41的中央部向外周部緩慢變厚地分別設(shè)定設(shè)置在載體基板31、41里面的各岸面32a～32c、42a～42c的厚度。
文檔編號(hào)H05K1/14GK1531091SQ20041003973
公開日2004年9月22日 申請(qǐng)日期2004年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月17日
發(fā)明者澤本俊宏 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社