專利名稱：電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)驅(qū)動(dòng)類似有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件等電流型被驅(qū)動(dòng)器件的晶體管的特性差異進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膯卧娐?、電子電路、電子裝置、電光學(xué)裝置、驅(qū)動(dòng)方法及電子機(jī)器。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為替代現(xiàn)有的LCD(Liquid Crystal Display)器件的新一代發(fā)光裝置，有機(jī)EL(Electronic Luminescence)器件受到注目。由于有機(jī)EL器件是自發(fā)光型，所以受視角影響較小，另外，因不需要背光源和反射光而電力消耗少等，因而作為顯示屏具有出色的特性。
作為用于驅(qū)動(dòng)這種有機(jī)EL器件的現(xiàn)有的電路，例如，可以舉出圖14所示的構(gòu)成。在該電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的漏極，經(jīng)空穴注入用電極，與電流型被驅(qū)動(dòng)器件L(有機(jī)EL器件)連接。開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的柵極與掃描線S、源極與數(shù)據(jù)線D、漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極和電容元件C的一端分別連接。電容元件C的另一端與電源線V連接。開(kāi)關(guān)晶體管Tr3，由來(lái)自掃描線S供給到柵極的選擇電位的控制而導(dǎo)通·截止，并在該導(dǎo)通期間由來(lái)自數(shù)據(jù)線D所供給的信號(hào)電壓向電容元件中積蓄電荷。
并且，通過(guò)由該電荷所產(chǎn)生的電容元件C的端子間電壓，向驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極施加電壓，從而使對(duì)應(yīng)該電壓量的電流Ids由電源線V供給被驅(qū)動(dòng)器件L。另外，相應(yīng)施加在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極上的電壓而使驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的源極-漏極間的電導(dǎo)受到控制，因而可以確定作為被驅(qū)動(dòng)器件的有機(jī)EL器件的亮度。
但是，在應(yīng)用上述電路的顯示屏制造過(guò)程中，對(duì)于構(gòu)成像素的被驅(qū)動(dòng)器件L的特性，可以使整個(gè)顯示屏的各像素得到相對(duì)平均的狀態(tài)，而對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的特性，因受到半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)、或膜厚、雜質(zhì)濃度或擴(kuò)散區(qū)域、柵極絕緣膜等的材質(zhì)、或膜厚、動(dòng)作溫度等各種條件的影響，很難使整個(gè)顯示屏的各像素具有均勻的特性。
在此，當(dāng)通過(guò)薄膜晶體管構(gòu)成上述電路的各晶體管時(shí)，容易引起各晶體管特性的不均一，特別是在用上述電路構(gòu)成顯示屏?xí)r，會(huì)造成對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極電壓的漏極-源極間電流特性的不均一的問(wèn)題。也就是說(shuō)，即使在各像素的驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極上施加相同的電壓，由于流過(guò)有機(jī)EL器件的電流量，因所述不均一的存在而使每一像素不同，所以造成各像素的發(fā)光亮度差異，因而明顯降低了顯示屏的圖像質(zhì)量。
由于上述原因，所以需要用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)電流型被驅(qū)動(dòng)器件的驅(qū)動(dòng)晶體管的不均一的電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述原因而提出的，其目的在于，提供一種不易受驅(qū)動(dòng)晶體管特性差異的影響，可以向類似有機(jī)EL器件等電流型被驅(qū)動(dòng)器件，供給目標(biāo)電流的單元電路、電子電路、電光學(xué)裝置、驅(qū)動(dòng)方法、以及電子機(jī)器。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的特征在于，包括被驅(qū)動(dòng)器件；控制流向所述被驅(qū)動(dòng)器件的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件；以及與所述柵極直接連接、并構(gòu)成二極管連接的補(bǔ)償晶體管，相應(yīng)通過(guò)所述補(bǔ)償晶體管的、作為數(shù)據(jù)信號(hào)所供給的數(shù)據(jù)電流，設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)這一構(gòu)成，例如，由于補(bǔ)償晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極直接連接，所以使這兩個(gè)晶體管相互接近設(shè)置的結(jié)果，可以對(duì)使這兩個(gè)晶體管的特性趨于一致，和調(diào)整特性比變得容易。另外，流過(guò)補(bǔ)償晶體管的數(shù)據(jù)電流，直接反映到由驅(qū)動(dòng)晶體管所控制的電流量上。在此，最好使其構(gòu)成為包括所述補(bǔ)償晶體管、和通過(guò)源極或漏極中的一個(gè)極被串聯(lián)連接的第1開(kāi)關(guān)晶體管，所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極，與信號(hào)線連接，并當(dāng)通過(guò)所述第1開(kāi)關(guān)晶體管使所述信號(hào)線與所述補(bǔ)償晶體管電連接時(shí)，所述數(shù)據(jù)電流流過(guò)所述補(bǔ)償晶體管。
另外，為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明是，包括被驅(qū)動(dòng)器件；控制流向所述被驅(qū)動(dòng)器件的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的第1開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接的第1信號(hào)線；與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的一個(gè)極連接的第2信號(hào)線；以及施加電源電壓的電源線的單元電路，其特征在于，在所述電源線與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極之間，具有串聯(lián)連接的補(bǔ)償晶體管及第2開(kāi)關(guān)晶體管，所述補(bǔ)償晶體管構(gòu)成二極管連接，所述第2開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與不同于所述第1信號(hào)線的第3信號(hào)線連接。另外，本發(fā)明是，包括受電流驅(qū)動(dòng)的被驅(qū)動(dòng)器件；控制流向所述被驅(qū)動(dòng)器件的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的第1開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接的第1信號(hào)線；與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的一個(gè)極連接的第2信號(hào)線；以及施加電源電壓的電源線的單元電路，其特征在于，在所述電源線與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極之間，串聯(lián)地連接有補(bǔ)償晶體管及第2開(kāi)關(guān)晶體管，所述補(bǔ)償晶體管構(gòu)成二極管連接，所述第2開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述第1信號(hào)線連接。無(wú)論哪種構(gòu)成，均可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的不均一。在此，若對(duì)前一構(gòu)成和后一構(gòu)成進(jìn)行比較時(shí)，在后一構(gòu)成中，由于第1及第2開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與同一信號(hào)線連接，所以不需要第3信號(hào)線，因而可以減少布線數(shù)量。另外，所謂構(gòu)成二極管連接的晶體管，就是其源極或漏極中的一個(gè)極，處于與柵極連接的狀態(tài)的晶體管。另外，在前一構(gòu)成中，最好使其構(gòu)成為設(shè)有使所述第1開(kāi)關(guān)晶體管及所述第2開(kāi)關(guān)晶體管都成為導(dǎo)通狀態(tài)的期間。
在此，在前一構(gòu)成及后一構(gòu)成中，最好構(gòu)成為使所述第2信號(hào)線，是供給作為數(shù)據(jù)信號(hào)的電流的數(shù)據(jù)線。
另外，也可以構(gòu)成為使對(duì)應(yīng)流過(guò)所述補(bǔ)償晶體管的電流量的電荷，蓄積在所述電容元件中。
雖然在所述驅(qū)動(dòng)晶體管與所述補(bǔ)償晶體管中，也希望相對(duì)于柵極電壓的源極-漏極間的電流特性大致相同，但也可以構(gòu)成為使流過(guò)所述補(bǔ)償晶體管的電流量，大于由所述驅(qū)動(dòng)晶體管所控制的電流量。
再有，最好使所述被驅(qū)動(dòng)器件為有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。
另外，最好使所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第1及第2開(kāi)關(guān)晶體管、以及所述補(bǔ)償晶體管，分別為薄膜晶體管，而對(duì)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管，最好是隨使用期間變化小的P溝道型。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的特征在于，包括相應(yīng)供給到第1掃描線上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通或截止、并且源極或漏極中的一個(gè)極與數(shù)據(jù)線連接的第1開(kāi)關(guān)晶體管；在施加電源電壓的電源線與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極之間串聯(lián)連接的補(bǔ)償晶體管及第2開(kāi)關(guān)晶體管中起二極管作用的補(bǔ)償晶體管；相應(yīng)供給到與所述第1掃描線不同的第2掃描線上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通或截止的第2開(kāi)關(guān)晶體管；柵極與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極連接、驅(qū)動(dòng)被驅(qū)動(dòng)器件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及保持所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的電容元件。
另外，本發(fā)明的特征在于，包括相應(yīng)供給到第1掃描線上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通或截止、并且源極或漏極中的一個(gè)極與數(shù)據(jù)線連接的第1開(kāi)關(guān)晶體管；在施加電源電壓的電源線與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極之間串聯(lián)連接的補(bǔ)償晶體管及第2開(kāi)關(guān)晶體管中起二極管作用的補(bǔ)償晶體管；相應(yīng)供給到所述第1掃描線上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通或截止的第2開(kāi)關(guān)晶體管；柵極與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極連接、驅(qū)動(dòng)被驅(qū)動(dòng)器件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及保持所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的電容元件。無(wú)論哪種構(gòu)成，均可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的不均一。在此，若對(duì)前一構(gòu)成和后一構(gòu)成進(jìn)行比較時(shí)，在后一構(gòu)成中，由于第1及第2開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與同一信號(hào)線連接，所以不需要第2信號(hào)線，因而可以減少布線數(shù)量。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的特征在于，包括相應(yīng)供給到掃描線上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通或截止、源極或漏極中的一個(gè)極與數(shù)據(jù)線連接的開(kāi)關(guān)晶體管；在所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通期間中的至少一部分或全部期間內(nèi)施加第1電源電壓的第1電源線與所述開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極之間起二極管作用的補(bǔ)償晶體管；柵極與所述開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極連接、自身的源極或漏極中的一個(gè)極與施加第2電源電壓的第2電源線連接、并驅(qū)動(dòng)被驅(qū)動(dòng)器件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及保持所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的電容元件。
另外，本發(fā)明的特征在于，包括柵極與供給掃描信號(hào)的掃描線連接、源極或漏極中的一個(gè)極與數(shù)據(jù)線連接的開(kāi)關(guān)晶體管；在柵極與源極或漏極連接的補(bǔ)償晶體管中，源極或漏極中的一個(gè)極，與相應(yīng)所述掃描信號(hào)在所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通期間中的至少一部分或全部期間內(nèi)、施加第1電源電壓的第1電源線連接，自身的源極或漏極中的另一個(gè)極，與所述開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極連接的補(bǔ)償晶體管；柵極與所述開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極連接的同時(shí)、自身的源極或漏極中的一個(gè)極與施加第2電源電壓的第2電源線連接、并驅(qū)動(dòng)被驅(qū)動(dòng)器件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及保持所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的電容元件。無(wú)論哪種構(gòu)成，均可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的不均一，并可減少一個(gè)晶體管。
在此，最好使所述第1電源電壓與所述第2電源電壓大致相等。
另外，也可以至少用一個(gè)所述的單元電路，構(gòu)成電光學(xué)裝置、存儲(chǔ)裝置、及傳感裝置等各種電子裝置。例如，若將所述單元電路用作像素電路可以構(gòu)成電光學(xué)裝置。也可以將這種電光學(xué)裝置安裝于電子機(jī)器。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的特征在于，具有多個(gè)單元電路，所述多個(gè)單元電路中的每一個(gè)電路，包括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管；具有第3端子及第4端子、所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的補(bǔ)償晶體管；具有第5端子及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述第3端子連接的開(kāi)關(guān)晶體管；保持對(duì)應(yīng)流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的電流的電荷量，并且其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件，所述第4端子，與所述多個(gè)單元電路中其它單元電路的所述第4端子一起，與第1電源線連接，所述第2端子與第2電源線連接，并具有將所述第1電源線設(shè)定在多種電位、并且，控制所述第1電源線與電源電位斷開(kāi)與接通的控制電路。根據(jù)這一構(gòu)成，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的構(gòu)成補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
在該電子電路中的所述單元電路的每一個(gè)電路中，不存在除了所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管之外的晶體管。因此，不但可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，與現(xiàn)有的電路相比還可以減少一個(gè)所使用的晶體管的個(gè)數(shù)。
在該電子電路中，所述補(bǔ)償晶體管的柵極與所述第3端子連接。因此，可以通過(guò)充入電容元件的電壓，控制流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。
在該電子電路中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管與所述補(bǔ)償晶體管的導(dǎo)電類型相同。因而，可以方便地對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管進(jìn)行補(bǔ)償。
在該電子電路中，在所述第1端子上連接有電子器件。由于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓受到補(bǔ)償，所以可以高精度地控制流過(guò)電子器件的電流值。另外，電子器件是受電流驅(qū)動(dòng)的被驅(qū)動(dòng)器件。
在該電子電路中，所述控制電路，是包括第7端子及第8端子的晶體管，所述第7端子與電源連接，而所述第8端子與所述第1電源線連接。這樣，可以方便地構(gòu)成控制電路。
在該電子電路中，在電流流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的期間，至少使所述第1電源線及所述第2電源線的電位實(shí)質(zhì)上為同電位。這樣，可以將通過(guò)補(bǔ)償晶體管生成的與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓近似相等的電壓，可靠地供給到該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上。
在該電子電路中，所述第1電源線和所述第2電源線可以與具有相同電位的電源電連接。這樣，可以方便地使供給到第1電源線和第2電源線上的電壓近似相等。
在該電子電路中，將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓設(shè)定為不高于所述補(bǔ)償晶體管的閾值電壓。這樣，可以可靠地對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償。
在該電子電路中，最好使流過(guò)所述補(bǔ)償晶體管的電流量，大于由所述驅(qū)動(dòng)晶體管所控制的電流量。根據(jù)這一構(gòu)成，當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通時(shí)，可以使對(duì)應(yīng)流過(guò)該開(kāi)關(guān)晶體管及補(bǔ)償晶體管的電流量的電荷迅速蓄積到電容元件中。
也可以至少用一個(gè)所述電子電路，構(gòu)成例如電光學(xué)裝置、存儲(chǔ)裝置、及傳感裝置等各種電子裝置。
另外，本發(fā)明的特征在于，具有多個(gè)單元電路，所述多個(gè)單元電路中的每一個(gè)電路，包括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管；具有第3端子及第4端子、所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的補(bǔ)償晶體管；具有第5端子及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述第3端子連接的開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1端子連接的電光學(xué)器件；保持對(duì)應(yīng)流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的電流的電荷量，并且其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件，與所述第4端子連接的第1電源線，也與所述多個(gè)單元電路中至少一個(gè)其它單元電路的所述第4端子共同連接，所述第2端子與第2電源線連接，并具有將所述第1電源線設(shè)定在多種電位、并且，控制所述第1電源線與電源電位斷開(kāi)與接通的控制電路。這樣，不但可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，與現(xiàn)有的電路相比可以減少一個(gè)所使用的晶體管，因而，可以提高開(kāi)口率，提高顯示質(zhì)量。另外，由于與現(xiàn)有的電路相比可以減少一個(gè)構(gòu)成單元電路的晶體管的個(gè)數(shù)，所以可以提高成品率。
在該電光學(xué)裝置中，所述電光學(xué)器件為有機(jī)EL器件。這樣，與現(xiàn)有的電路相比通過(guò)減少一個(gè)所使用的晶體管，可以提高開(kāi)口率，并且，可以高精度地控制有機(jī)EL期間的亮度等級(jí)。
在該電光學(xué)裝置中，所述控制電路，是包括第7端子及第8端子的晶體管，所述第7端子與電源連接，而所述第8端子與所述第1電源線連接。這樣，不但可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，與現(xiàn)有的電路相比還可以方便地構(gòu)成減少一個(gè)所使用的晶體管的單元電路。
在該電光學(xué)裝置中，在電流流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的期間，至少使所述第1電源線及所述第2電源線的電位實(shí)質(zhì)上為同電位。這樣，可以將由補(bǔ)償晶體管所生成的與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓近似相等的電壓可靠地供給到該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上。
在該電光學(xué)裝置中，所述第1電源線和所述第2電源線可以與具有相同電位的電源電連接。這樣，可以方便的使供給到第1電源線和第2電源線上的電壓近似相等。
在該電光學(xué)裝置中，將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓設(shè)定為不高于所述補(bǔ)償晶體管的閾值電壓。這樣，可以可靠地對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償。因此，可以高精度地控制電光學(xué)器件的亮度等級(jí)。
本發(fā)明是一種電光學(xué)裝置，包括多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線；對(duì)應(yīng)所述多條掃描線與所述多條數(shù)據(jù)線的各交叉部分別設(shè)置的單元電路；以及多條第1電源線，其特征在于，所述單元電路中的每一個(gè)電路，包括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管；具有第3端子及第4端子、所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的補(bǔ)償晶體管；具有第5端子及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述第3端子連接的開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1端子連接的電光學(xué)器件；保持對(duì)應(yīng)流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的電流的電荷量，并且其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件，一連串單元電路中的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與一條掃描線共同連接，所述一連串單元電路的第4端子與一條第1電源線共同連接，并具有將所述第1電源線中的每一條設(shè)定在多種電位、并且，控制所述第1電源線與電源電位斷開(kāi)與接通的控制電路。這樣，不但可以對(duì)設(shè)置在單元電路內(nèi)的所有的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，與現(xiàn)有的電路相比還可以減少一個(gè)所使用的晶體管，因而，可以提高開(kāi)口率和顯示質(zhì)量。另外，由于與現(xiàn)有的電路相比可以減少一個(gè)構(gòu)成單元電路的晶體管的個(gè)數(shù)，所以可以提高成品率。
在該電光學(xué)裝置中，所述一連串的單元電路的第2端子，與一條第2電源線共同連接。這樣，可以提高顯示質(zhì)量。
在該電光學(xué)裝置中，所述補(bǔ)償晶體管的柵極，與其自身的第3端子連接。這樣，可以將由補(bǔ)償晶體管所生成的與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓近似相等的電壓可靠地供給到該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上。
在該電光學(xué)裝置中，所述電光學(xué)器件為有機(jī)EL器件。這樣，可以高精度地控制有機(jī)EL器件的亮度等級(jí)。
在該電光學(xué)裝置中，沿所述掃描線，設(shè)置同色的電光學(xué)器件。這樣，可以進(jìn)一步提高開(kāi)口率。
本發(fā)明是具有多個(gè)包括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管；具有第3端子及第4端子、所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的補(bǔ)償晶體管；具有第5端子及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述第3端子連接的開(kāi)關(guān)晶體管；以及一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件的單元電路，一連串單元電路的第4端子與第1電源線共同連接，其特征在于，具有通過(guò)使所述一連串單元電路的第4端子的每一個(gè)與所定電位電連接，并且，使所述一連串單元電路中的開(kāi)關(guān)晶體管的每一個(gè)都成為導(dǎo)通狀態(tài)，而將對(duì)應(yīng)流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管的電流的電荷量保持在電容元件中，從而通過(guò)對(duì)所述驅(qū)動(dòng)晶體管施加對(duì)應(yīng)所述電荷量的電壓，設(shè)定所述第1端子與所述第2端子之間的導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；和將所述一連串單元電路的第4端子的每一個(gè)從所述所定電位上實(shí)施電分離的步驟。這樣，可以對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償后驅(qū)動(dòng)電子電路。
本發(fā)明是對(duì)應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的各交叉部，分別設(shè)置有包括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管；具有第3端子及第4端子、所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的補(bǔ)償晶體管；具有第5端子及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述第3端子連接的開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1端子連接的電光學(xué)器件；以及一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件的單元電路，一連串單元電路中的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與一條掃描線共同連接，所述一連串單元電路的第4端子與一條第1電源線共同連接，其特征在于，具有通過(guò)使所述一連串單元電路的第4端子的每一個(gè)與所定電位電連接，并且，分別向所述一連串單元電路中的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極供給掃描信號(hào)使其成為導(dǎo)通狀態(tài)，從而在與所述多條數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線電連接的期間，將對(duì)應(yīng)流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管的電流的電流電平的電荷量保持在電容元件中，從而通過(guò)對(duì)所述第1柵極施加對(duì)應(yīng)所述電荷量的電壓，設(shè)定所述第1端子與所述第2端子之間的導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；將所述一連串單元電路的第4端子的每一個(gè)從所述所定電位上實(shí)施電分離的步驟。這樣，可以對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償后驅(qū)動(dòng)電光學(xué)裝置。
本發(fā)明的電子機(jī)器，由于安裝有所述電子電路或所述電光學(xué)裝置，所以不但可以對(duì)電路內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，與現(xiàn)有的電路相比還可以減少一個(gè)所使用的晶體管，因而可以提高電子機(jī)器的成品率。


圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例1的單元電路的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的方框圖。
圖2(a)、(b)是分別表示作為單元電路的像素電路的構(gòu)成的圖。
圖3是用于說(shuō)明該像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
圖4(a)～(d)是分別表示該電光學(xué)裝置的制造過(guò)程的局部的圖。
圖5(a)、(b)是分別表示該電光學(xué)裝置的制造過(guò)程的局部的圖。
圖6是表示應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例2的單元電路的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的方框圖。
圖7是表示該電光學(xué)裝置的顯示屏等構(gòu)成的圖。
圖8是表示作為該單元電路的像素電路的構(gòu)成的圖。
圖9是用于說(shuō)明該像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
圖10是表示在實(shí)施例2的應(yīng)用例的電光學(xué)裝置中的顯示屏等構(gòu)成的圖。
圖11是表示應(yīng)用具有實(shí)施例的單元電路的電光學(xué)裝置的便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)的構(gòu)成的立體圖。
圖12是表示應(yīng)用該電光學(xué)裝置的攜帶電話的構(gòu)成的立體圖。
圖13是表示應(yīng)用該電光學(xué)裝置的數(shù)碼照相機(jī)的構(gòu)成的立體圖。
圖14是表示現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電流型被驅(qū)動(dòng)器件的單元電路一例的圖。
其中C-電容器；L-被驅(qū)動(dòng)器件；Tr1-驅(qū)動(dòng)晶體管；Tr2-開(kāi)關(guān)晶體管(第2開(kāi)關(guān)晶體管)；Tr3-開(kāi)關(guān)晶體管(第1開(kāi)關(guān)晶體管)；Tr4-補(bǔ)償晶體管；V-電源線；D-數(shù)據(jù)線；S-掃描線。
具體實(shí)施例方式
下面，結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
(實(shí)施例1)首先，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例1的單元電路的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的圖。如該圖所示，在該電光學(xué)裝置中，相互交叉地布設(shè)有多條掃描線(S1、S2、S3、……)以及多條數(shù)據(jù)線(D1、D2、D3、……)，并且在其交叉的各處，矩陣狀地分別設(shè)置有作為本實(shí)施例的單元電路一例的像素電路20。
掃描線驅(qū)動(dòng)電路130，以所定的時(shí)刻分別向掃描線S1、S2、S3、……施加選擇電位Vse1。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140，分別向數(shù)據(jù)線D1、D2、D3、……供給作為數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)電流Idata。
另外，在圖1中省略了后面將敘述的電源線V。另外，在該說(shuō)明中，有時(shí)將矩陣狀地布設(shè)有像素電路20的部分也稱為顯示屏。在本實(shí)施例中，應(yīng)顯示的一個(gè)像素對(duì)應(yīng)一個(gè)像素電路20，但也可以構(gòu)成為用多個(gè)子像素顯示一個(gè)像素。
圖2(a)是表示作為本實(shí)施例的單元電路的像素電路20的具體構(gòu)成的電路圖。另外，該圖中的像素電路，是對(duì)應(yīng)一般的掃描線S與數(shù)據(jù)線D的交叉方式的一種。
在該圖中，被驅(qū)動(dòng)器件L，例如，是受電流驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL器件，在該圖中是用二極管符號(hào)表示的。該單元電路，除了被驅(qū)動(dòng)器件L，還包括驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1、開(kāi)關(guān)晶體管Tr2(第2開(kāi)關(guān)晶體管)、開(kāi)關(guān)晶體管Tr3(第1開(kāi)關(guān)晶體管)、補(bǔ)償晶體管Tr4、以及積蓄電荷的電容元件C。其中，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1、補(bǔ)償晶體管Tr4，都是抗時(shí)間老化強(qiáng)的P溝道型薄膜晶體管(Thin Film TransistorTFT)，而開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3是N溝道型TFT。
另外，各晶體管究竟是選擇P溝道型還是N溝道型哪種導(dǎo)電類型，不局限于這里所表示情況。并且，開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3的導(dǎo)電類型(N溝道型還是P溝道型)也可以相互不同。但是，如果使開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3的導(dǎo)電類型相互不同時(shí)，需要在掃描線S的基礎(chǔ)上另外設(shè)置與其邏輯電平相反的掃描線，并與選為P溝道型的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接。
被驅(qū)動(dòng)器件L的一端，經(jīng)圖中沒(méi)有表示的空穴注入用電極與驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的漏極連接，而被驅(qū)動(dòng)器件L的另一端與陰極E連接。
另外，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的源極與電源線V連接，而其柵極分別與電容元件C的一端、開(kāi)關(guān)晶體管Tr4的漏極、以及晶體管Tr4的漏極連接。電容元件C的另一端與電源線V連接。
補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極與其自身的柵極連接。因此，補(bǔ)償晶體管Tr4為二極管式連接。
另外，補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極與柵極，與電容元件C的一端(驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極、開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的漏極)連接，并且，補(bǔ)償晶體管Tr4的源極，與開(kāi)關(guān)晶體管Tr2的源極連接。開(kāi)關(guān)晶體管Tr2的漏極與電源線V連接。開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的源極與數(shù)據(jù)線D連接，開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3的柵極分別與掃描線S連接。
下面，對(duì)圖2(a)的單元電路的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3，經(jīng)掃描線S受施加在各自柵極上的選擇電位VSEL控制而導(dǎo)通·截止。在這里的本實(shí)施例中，由于開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3都是N溝道型，所以當(dāng)選擇電位VSEL為高電平時(shí)分別導(dǎo)通。當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3為導(dǎo)通狀態(tài)經(jīng)數(shù)據(jù)線D供給數(shù)據(jù)電流Idata時(shí)，由于補(bǔ)償晶體管Tr4的柵極與源極電位相等，所以對(duì)于補(bǔ)償晶體管Tr4而言，Vgs(柵極與源極的電位差)＝Vds(漏極與源極的電位差)成立，因而對(duì)應(yīng)這一狀態(tài)的電荷被積蓄在電容元件C中，由此使電容元件C的端子間電壓施加在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極上。也就是說(shuō)，通過(guò)由數(shù)據(jù)線D所供給的數(shù)據(jù)電流Idata的量控制驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極電壓，從而使驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的漏極-源極間的電流量受到控制，進(jìn)而使流過(guò)被驅(qū)動(dòng)器件L的電流Ids的值受到控制。
在上述電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與補(bǔ)償晶體管Tr4，構(gòu)成了所謂的電流鏡電路，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的漏極-源極間的電流Ids的值，也就是供給被驅(qū)動(dòng)器件L的電流值，與補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極-源極間的電流量成正比。
另外，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的漏極-源極間的電流Ids，與流過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極-源極間的數(shù)據(jù)電流Idata之比，取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與補(bǔ)償晶體管Tr4的特性。因此，通過(guò)使作為驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與補(bǔ)償晶體管Tr4的特性之一的增益常數(shù)(當(dāng)在晶體管的柵及源極上施加一定的電壓時(shí)流過(guò)該晶體管的電流量)一致，可以使流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的電流Ids，與流過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的數(shù)據(jù)電流Idata一致。特別是在本實(shí)施例中，由于補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極是與驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極直接連接的，所以通過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的數(shù)據(jù)電流Idata，直接反映由驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1所控制的電流Ids，從而可以提高二者的一致性。
因此，如果使驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與補(bǔ)償晶體管Tr4的增益常數(shù)一致地構(gòu)成顯示屏?xí)r，即使對(duì)應(yīng)每個(gè)顯示屏的像素所形成的驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1有差異，也可以向顯示屏的各像素中所包含的被驅(qū)動(dòng)器件L供給相同大小的電流Ids。因此，可以抑制因驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的特性不均一所引起的亮度差異。
如眾所周知的那樣，在含有被驅(qū)動(dòng)器件L的顯示屏的制造過(guò)程中，使臨近的晶體管的特性相互一致是比較容易的。在如上所述的本實(shí)施例中，補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極接近到了直接連接的程度。因此，在同一像素電路中，使驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與補(bǔ)償晶體管Tr4的增益常數(shù)一致，并不困難，因而，制造亮度差異少的顯示屏比較容易。
另外，在本實(shí)施例中，雖然驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極電壓是相應(yīng)由數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140所供給的數(shù)據(jù)電流Idata而設(shè)定的，但由于驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與補(bǔ)償晶體管Tr4構(gòu)成了所謂的電流鏡電路，所以可以抑制因溫度變化等所引起的驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的漏極-源極間的電流Ids的變動(dòng)，因而也能起到穩(wěn)定電路的目的。
在圖2(a)的電路中，使補(bǔ)償晶體管Tr4介于開(kāi)關(guān)晶體管Tr2與開(kāi)關(guān)晶體管Tr3之間，但如圖2(b)所示，也可以使其介于開(kāi)關(guān)晶體管Tr2與電源線V之間。另外，在該電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的漏極-源極間電流Ids，也與圖2(a)所示的電路同樣，取決于流過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的數(shù)據(jù)電流Idata。
圖3是用于說(shuō)明圖2所示的單元電路動(dòng)作的時(shí)序圖。
首先，使掃描線驅(qū)動(dòng)電路130供給掃描線S的選擇電位VSEL為高電平，并使數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140向數(shù)據(jù)線D供給數(shù)據(jù)電流Idata。
當(dāng)選擇電位VSEL為高電平時(shí)，由于開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3均變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，所以數(shù)據(jù)電流Idata，沿電源線V、開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、補(bǔ)償晶體管Tr4、開(kāi)關(guān)晶體管Tr3、以及數(shù)據(jù)線D這一路徑流動(dòng)。
相應(yīng)該數(shù)據(jù)電流Idata，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極電壓被確定，從而由電源線V供給相應(yīng)該柵極電壓的電流Ids使被驅(qū)動(dòng)器件L發(fā)光的同時(shí)，該柵極電壓由電容元件C所保持。因此，即使選擇電位VSEL變?yōu)榈碗娖蕉归_(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3都變成截止?fàn)顟B(tài)，相應(yīng)所保持的柵極電壓的電流Ids仍能繼續(xù)流入被驅(qū)動(dòng)器件L中，因而，被驅(qū)動(dòng)器件L的發(fā)光狀態(tài)一直維持到下一次選擇電位VSEL再次成為高電平為止。
但是，構(gòu)成電流鏡電路的驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與補(bǔ)償晶體管Tr4的增益常數(shù)，并不局限于如上所述的使其一致的情況，可以相應(yīng)應(yīng)用該單元電路的顯示屏的尺寸和掃描頻率等各種要求適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
例如，也可以構(gòu)成使補(bǔ)償晶體管Tr4的增益常數(shù)，大于驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的增益常數(shù)。根據(jù)這種構(gòu)成，由于流過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的電流Idata，會(huì)大于流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的電流Ids，所以可以縮短在電容元件C中電荷蓄積的所需的時(shí)間。因此，可以解決伴隨顯示屏的像素?cái)?shù)量的增加或大尺寸化所需的掃描頻率的高頻率化。
與此相反，也可以構(gòu)成使補(bǔ)償晶體管Tr4的增益常數(shù)，小于驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的增益常數(shù)。根據(jù)這種構(gòu)成，由于取決于補(bǔ)償晶體管Tr4的數(shù)據(jù)電流Idata，會(huì)小于取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的電流Ids，所以可以抑制在電容元件C中的電荷蓄積時(shí)所消耗的電力。
另外，在圖2(a)或圖2(b)中，同一行的像素電路20的開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3的柵極，具有相互與同一掃描線S連接的構(gòu)成。但并不局限于這種構(gòu)成，也可以構(gòu)成為設(shè)置與掃描線S不同的掃描線，也就是說(shuō)，對(duì)應(yīng)每一行設(shè)置兩條掃描線，并使開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、Tr3的柵極與相互不同的掃描線S連接。在此，若對(duì)兩種構(gòu)成進(jìn)行比較，前一構(gòu)成(對(duì)應(yīng)每一行像素電路20具有一條掃描線的構(gòu)成)與后一構(gòu)成(對(duì)應(yīng)每一行像素電路20具有兩條掃描線的構(gòu)成)相比，由于有較少的所需布線區(qū)域即可，所以容易提高通過(guò)確保有效光學(xué)面積而決定的開(kāi)口率。
下面，對(duì)在上述像素電路20的制造過(guò)程中的TFT及像素的制造過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明。
首先，在玻璃基板上，通過(guò)用SiH4的PECVD或用Si2H6的LPCVD，形成非晶硅的同時(shí)，通過(guò)激元激光等激光照射或固相生長(zhǎng)，使該非晶硅多晶化，形成多晶硅層2(參照?qǐng)D4(a))。
將多晶硅層2圖形化，并形成柵極絕緣膜3后，進(jìn)而形成柵極4(參照?qǐng)D4(b))。
然后，把柵極4用作掩膜，通過(guò)自身整合將磷或硼等雜質(zhì)摻入多晶硅層2，形成晶體管5a、5b。另外，在這里，晶體管5a、5b的導(dǎo)電型分別為P型和N型。形成第1層間絕緣膜6后，開(kāi)結(jié)點(diǎn)孔，進(jìn)而形成源極及漏極7(參照?qǐng)D4(c))。
然后，形成第2層間絕緣膜8后，開(kāi)結(jié)點(diǎn)孔，進(jìn)而形成由ITO(IndiumTin Oxide)形成的像素電極9(參照?qǐng)D4(d))。
通過(guò)形成緊貼層10使其覆蓋這樣形成的第2層間絕緣膜8及像素電極9，對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域形成開(kāi)口部。進(jìn)而，形成層間層11，同樣對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域形成開(kāi)口部(參照?qǐng)D5(a))。
然后，通過(guò)氧等離子體或CF4等離子體等等離子處理，控制基板表面的濕潤(rùn)性。然后，通過(guò)液相處理或真空處理分別形成空穴注入層12及發(fā)光層13。另外，對(duì)于液相處理，可以舉出旋轉(zhuǎn)涂敷、橡膠滾軸涂敷、噴墨處理等，而對(duì)于真空處理，可以舉出濺射和蒸鍍等。再接著，形成含有鋁等金屬的陰極14。最后，形成密封層15，完成有機(jī)EL器件(參照?qǐng)D5(b))。
在此，緊貼層10的作用是提高基板與層間層11的接觸程度，和得到正確的發(fā)光面積。另外，層間層11的作用是，使陰極14遠(yuǎn)離柵極4、源極及漏極7從而降低寄生電容，和通過(guò)液相處理形成空穴注入層12和發(fā)光層13時(shí)，控制表面的濕潤(rùn)性使其能進(jìn)行正確的圖形形成。另外，也可以在發(fā)光層13上設(shè)置電子輸送層(圖中沒(méi)有表示)。
(實(shí)施例2)在上述實(shí)施例1中，例如，通過(guò)使驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1與補(bǔ)償晶體管Tr4的增益常數(shù)相同，可以使驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的漏極-源極間的電流Ids，與流過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極-源極間的數(shù)據(jù)電流Idata一致。因此，即使在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1方面產(chǎn)生特性差異，也可以向所有像素的被驅(qū)動(dòng)器件L供給相同大小的電流Ids，因而可以抑制因驅(qū)動(dòng)晶體管的特性差異所引起的亮度不勻。
但是，在實(shí)施例1中，由圖2(a)或圖2(b)中可以看出，在一個(gè)像素電路中共需要四個(gè)晶體管。因此，從顯示屏的角度出發(fā)，容易造成相應(yīng)晶體管數(shù)量份的成品率下降和開(kāi)口率下降。
因此，下面對(duì)在抑制驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的特性差異所引起的亮度不均勻的基礎(chǔ)上，可以減少一個(gè)像素中所需晶體管個(gè)數(shù)的實(shí)施例2進(jìn)行說(shuō)明。
圖6表示應(yīng)用實(shí)施例2的單元電路的有機(jī)EL顯示器的構(gòu)成的方框圖。
如該圖所示，有機(jī)EL顯示器100，包括信號(hào)生成電路110、顯示屏部120、掃描線驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140、以及電源線控制電路150。
有機(jī)EL顯示器100中的信號(hào)生成電路110、掃描線驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140、以及電源線控制電路150，也可以分別由單獨(dú)的電子零件構(gòu)成。例如，信號(hào)生成電路110、掃描線驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140、以及電源線驅(qū)動(dòng)電路150，也可以分別由單片半導(dǎo)體集成電路裝置構(gòu)成。另外，信號(hào)生成電路110、掃描線驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140、及電源線控制電路150中的全部或一部分，也可以由可編程IC芯片構(gòu)成，并通過(guò)寫入該IC芯片的程序以軟件的方法實(shí)現(xiàn)其功能。
信號(hào)生成電路110，根據(jù)來(lái)自圖中沒(méi)有表示的外部裝置的圖像數(shù)據(jù)，在顯示屏部120上作成用于顯示圖像的掃描控制信號(hào)及數(shù)據(jù)控制信號(hào)。并且，信號(hào)生成電路110，向掃描線驅(qū)動(dòng)電路130輸出所述掃描控制信號(hào)的同時(shí)，向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140輸出所述數(shù)據(jù)控制信號(hào)。另外，信號(hào)生成電路110，向電源線控制電路150輸出定時(shí)控制信號(hào)。
圖7是表示顯示屏部120及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140內(nèi)部構(gòu)成的圖。如該圖所示，顯示屏部120，在對(duì)應(yīng)沿列方向延伸的M條數(shù)據(jù)線Xm(m＝1～M；m為整數(shù))，與沿行方向延伸的N條掃描線Yn(n＝1～N；n為整數(shù))的交叉部的位置，分別具有作為單元電路的像素電路200。也就是說(shuō)，各像素電路200，通過(guò)分別與沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線Xm，和沿行方向延伸的掃描線Yn連接，排列成矩陣狀構(gòu)成電子電路。
另外，在每行中，分別沿行方向(掃描線的延設(shè)方向)設(shè)有第1電源線L1和第2電源線L2。
像素電路200，包括與實(shí)施例1中的被驅(qū)動(dòng)器件L同樣的有機(jī)EL器件210。1行份的像素電路200，與對(duì)應(yīng)該行的第1電源線L1及第2電源線L2連接。也就是說(shuō)，1行份的像素電路200，相互共用第1電源線L1及第2電源線L2。
在此，各行的第1電源線L1，經(jīng)晶體管Q分別間接地與電壓供給線VL連接，而各行的第2電源線L2，分別直接地與電壓供給線VL連接，從而構(gòu)成向像素電路200供給驅(qū)動(dòng)電壓Vdd。
掃描線驅(qū)動(dòng)電路130，相應(yīng)由信號(hào)生成電路110所輸出的掃描控制信號(hào)，在多條掃描線Yn中按順序一條條選擇掃描線，并對(duì)所選擇的掃描線供給代表這一選擇的掃描信號(hào)。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140，具有對(duì)應(yīng)每一條數(shù)據(jù)線的線驅(qū)動(dòng)器230，一個(gè)線驅(qū)動(dòng)器230，與與其對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的一端連接。在此，線驅(qū)動(dòng)器230，根據(jù)由信號(hào)生成電路110所輸出的數(shù)據(jù)控制信號(hào)，生成數(shù)據(jù)電流Idata，并供給所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線。
一般來(lái)說(shuō)，第m列的線驅(qū)動(dòng)器230，在選擇第n行的掃描線Yn時(shí)，向第m列的數(shù)據(jù)線Xm中，供給指示包含位于n行m列的像素電路200的有機(jī)EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata。
另外，在像素電路200中，如后面將要敘述的那樣，當(dāng)相應(yīng)供給在對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電流Idata設(shè)定內(nèi)部狀態(tài)時(shí)，構(gòu)成為相應(yīng)該內(nèi)部狀態(tài)控制供給到有機(jī)EL器件210的驅(qū)動(dòng)電流Ids。
電源線控制電路150，分別向設(shè)在每一行的電源線控制線F供給電源線控制信號(hào)，控制各行晶體管Q的導(dǎo)通·截止。具體而言，電源線控制電路150，根據(jù)由信號(hào)生成電路110所輸出的掃描控制信號(hào)，生成某行的電源線控制信號(hào)，使其與代表該行的掃描線的選擇的掃描信號(hào)完全一致，并且，使其選擇狀態(tài)在時(shí)間上有部分重復(fù)，并供給對(duì)應(yīng)該行的電源線控制線F。
圖8是表示作為實(shí)施例2的單元電路的像素電路200的具體構(gòu)成的電路圖。在該圖中，示出了各像素電路200中，對(duì)應(yīng)第n行的掃描線Yn與第m列的數(shù)據(jù)線Xm的交叉處。
如圖8所示，像素電路200，包括三個(gè)晶體管和一個(gè)電容元件。具體地說(shuō)，像素電路200，包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trd、補(bǔ)償晶體管TrC、開(kāi)關(guān)晶體管Trs、以及作為電容元件的保持用電容器C1。
另外，在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd及補(bǔ)償晶體管TrC的導(dǎo)電類型分別為P型(P溝道)，而開(kāi)關(guān)晶體管Trs的導(dǎo)電類型為N型(N溝道)，但對(duì)于這些導(dǎo)電類型的選擇，并不局限于這里所示的情況。另外，像素電路200中的晶體管，通常由TFT(薄膜晶體管)形成。
驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的漏極(第1端子)，與由及EL器件210的陽(yáng)極連接。有機(jī)EL器件210的陰極接地。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極(第2端子)，與第2電源線L2連接。第2電源線L2，與設(shè)置在顯示屏部120的右端的電壓供給線VL連接。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極(第1柵極)，與接點(diǎn)N連接。另外，接點(diǎn)N指的是，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極、保持用電容器C1的一端、開(kāi)關(guān)晶體管Trs的漏極、以及補(bǔ)償晶體管TrC的漏極的連接點(diǎn)。保持用電容器C1的另一端，與驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極，也就是第2電源線L2連接。
開(kāi)關(guān)晶體管Trs的漏極(第6端子)，與數(shù)據(jù)線Xm連接，其漏極(第5端子)，與接點(diǎn)N連接。另外，開(kāi)關(guān)晶體管Trs的柵極，與掃描線Yn連接。因此，當(dāng)向掃描線Yn中，供給代表該掃描線Yn被選擇的掃描信號(hào)時(shí)(成為高電平時(shí))，開(kāi)關(guān)晶體管Trs成為導(dǎo)通狀態(tài)。
在接點(diǎn)N上，不僅連接有補(bǔ)償晶體管TrC的漏極(第3端子)，還連接有它的柵極。另外，補(bǔ)償晶體管TrC的源極(第4端子)，與第1電源線L1連接。因此，補(bǔ)償晶體管TrC，起到了把從第1電源線L1到接點(diǎn)N作為通過(guò)方向的二極管的作用。
另外，在各像素電路200內(nèi)所布置形成的晶體管，通常由TFT(薄膜晶體管)形成。
第1電源線L1，經(jīng)作為控制電路的晶體管Q與電壓供給線VL連接。而且，第1電源線L1與第2電源線L2構(gòu)成電源線L。
晶體管Q的柵極，與電源線控制線F連接。晶體管Q，相應(yīng)經(jīng)電源線控制線F、由電源線控制電路150所供給的電源線控制信號(hào)，成為電切斷狀態(tài)(截止?fàn)顟B(tài))或電連接狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))中的一種狀態(tài)。由于晶體管Q的導(dǎo)電類型為P型(P溝道)，所以當(dāng)電源線控制信號(hào)為低電平時(shí)，晶體管Q成為導(dǎo)通狀態(tài)。
其次，參照?qǐng)D9對(duì)有機(jī)EL顯示器100的像素電路200的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說(shuō)明。圖9是用于說(shuō)明這一驅(qū)動(dòng)方法時(shí)序圖。
首先，在數(shù)據(jù)寫入期間TrP，當(dāng)通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路130供給代表掃描線Yn的選擇的掃描信號(hào)時(shí)(掃描線Yn為高電平時(shí))，開(kāi)關(guān)晶體管Trs為導(dǎo)通狀態(tài)。配合這一掃描信號(hào)的供給，由于向電源線控制線F供給使晶體管Q導(dǎo)通的低電平電源線控制信號(hào)，所以在數(shù)據(jù)寫入期間TrP，晶體管Q也成為導(dǎo)通狀態(tài)。
因此，電流沿電壓供給線VL、晶體管Q、第1電源線L1、補(bǔ)償晶體管TrC、開(kāi)關(guān)晶體管Trs、以及數(shù)據(jù)線Xm這一路徑流過(guò)。這時(shí)流過(guò)的電流，就是由線驅(qū)動(dòng)器230所生成的數(shù)據(jù)電流Idata，也就是指示n行m列的像素電路200中有機(jī)EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata。
并且，在接點(diǎn)N上產(chǎn)生相應(yīng)這時(shí)流過(guò)的數(shù)據(jù)電流Idata的電壓VC1，被保持用電容器C1所保持的同時(shí)，施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極。因此，驅(qū)動(dòng)電流Ids流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，從而使有機(jī)EL器件210開(kāi)始發(fā)光。
然后，當(dāng)數(shù)據(jù)寫入期間TrP結(jié)束，到達(dá)發(fā)光期間TEL時(shí)，掃描線Yn變成低電平。因此，開(kāi)關(guān)晶體管Trs成為截止?fàn)顟B(tài)。配合這種掃描信號(hào)的狀態(tài)變化，由于電源線控制信號(hào)變?yōu)楦唠娖?，所以晶體管Q也成為截止?fàn)顟B(tài)。即使開(kāi)關(guān)晶體管Trs及晶體管Q都成為截止?fàn)顟B(tài)，由于在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極上，施加有由保持用電容器C1所保持的電壓VC1，所以有機(jī)EL器件210的發(fā)光狀態(tài)，一直會(huì)維持到下一次掃描線Yn被再次選擇為止(晶體管Q再次導(dǎo)通為止)。
并且，這一動(dòng)作，在對(duì)應(yīng)掃描線Yn的一行份的像素電路200的每一電路中，也分別同時(shí)進(jìn)行。另外，從像素電路200整體來(lái)看，是按第1、2、3、……、N行的掃描線順序進(jìn)行。
另外，數(shù)據(jù)寫入期間TrP和發(fā)光期間TEL構(gòu)成驅(qū)動(dòng)周期Tc。該驅(qū)動(dòng)周期Tc，是指有機(jī)EL器件210的亮度一次接一次被更新的周期意思，與所謂的幀期間(垂直掃描期間)意思相同。
為了簡(jiǎn)要地說(shuō)明上述像素電路的動(dòng)作機(jī)理，若考慮補(bǔ)償用晶體管TrC的閾值電壓VTH2并進(jìn)行表示時(shí)，所述接點(diǎn)N的電位Vn，可以表示為產(chǎn)生在保持用電容器C1的電壓VC1，與由驅(qū)動(dòng)電壓Vdd中減去補(bǔ)償用晶體管TrC的閾值電壓VTH2的值(Vn＝Vdd-Vth2)之和補(bǔ)償用晶體管TrC的閾值電壓VTH2的值(Vn＝Vdd-Vth2)之和。也就是說(shuō)，可以用下列式(1)表示。
Vg＝VC1+Vdd-Vth2 ……(1)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極-源極電壓Vgs，由于是其柵極電位Vg與驅(qū)動(dòng)用晶體管Trd的源極電位Vs(等于Vdd)之差(Vg-Vs)，所以驅(qū)動(dòng)晶體管柵極-源極間電壓Vgs，可以表示為下列式(2)。
Vgs＝Vg-Vs ……(2)在該式(2)中，當(dāng)代入式(1)中所示的Vg及Vs(等于Vdd)時(shí)，可以得到下列式(3)。
Vgs＝VC1+Vdd-Vth2-Vdd＝VC1-Vth2 ……(3)在此，若如上所述使補(bǔ)償晶體管TrC的閾值電壓Vth2，與驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓Vth1近似相等時(shí)，式(3)中表示的柵極-源極間電壓Vgs，可以表示為下列式(4)。
Vgs＝VC1-Vth1 ……(4)而流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極-漏極間的電流Ids，可以表示為下列式(5)。
Ids＝(1/2)β(-Vgs-Vth1)2……(5)該式中的β為增益常數(shù)，可以表示為β＝(μAW/L)。
其中，μ為載流子遷移率，A為柵極電容，W為信道頻寬，L為信道長(zhǎng)。
將式(4)中的Vgs代入使(5)時(shí)，Ids＝(1/2)β(-VC1+Vth1-Vth1)2＝(1/2)β(-VC1)2……(6)從式(6)中可以看出，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極-漏極間的電流Ids，僅取決于產(chǎn)生在保持用電容器C1上的電壓VC1。
一般來(lái)說(shuō)，使相互靠近的晶體管的閾值特性等趨于一直比較容易。因此，由于使類似同一像素電路這種極其靠近的補(bǔ)償晶體管TrC與驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓特性趨于一致也比較容易，所以可以使流過(guò)有機(jī)EL器件210的電流Ids，不受驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓特性的影響，而取決于數(shù)據(jù)電流Idata。
也就是說(shuō)，在實(shí)施例2中，由于補(bǔ)償晶體管TrC的漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極直接連接，所以其靠近的結(jié)果，可以容易地使兩個(gè)晶體管的特性趨于一致的同時(shí)，使通過(guò)補(bǔ)償晶體管的數(shù)據(jù)電流Idata，直接反映在由驅(qū)動(dòng)晶體管Trd所控制的電流Ids中，并可以提高二者的一致性。
因此，在顯示屏部120中的每個(gè)像素電路200中，即使因不均一而產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓不同，由于不會(huì)對(duì)流過(guò)有機(jī)EL器件210的電流Ids產(chǎn)生影響，所以與所述實(shí)施例1同樣，也可以抑制由驅(qū)動(dòng)晶體管的特性差異所引起的亮度不均勻。
再有，在實(shí)施例2中，形成在一個(gè)像素電路200中的晶體管是三個(gè)，與實(shí)施例1的像素電路20的四個(gè)相比，可以減少一個(gè)。因此，根據(jù)實(shí)施例2，除了可以抑制由驅(qū)動(dòng)晶體管的特性差異所引起的亮度不均勻這一點(diǎn)之外，還可以防止由晶體管不良所引起的成品率下降，并通過(guò)確保相當(dāng)于一個(gè)像素的開(kāi)口面積，從而可以提高開(kāi)口率。
另外，在實(shí)施例2中，也可以與實(shí)施例1同樣進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)定。例如，也可以使補(bǔ)償晶體管TrC的增益常數(shù)，構(gòu)成為大于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的增益常數(shù)。根據(jù)這種構(gòu)成，由于流過(guò)補(bǔ)償晶體管TrC的電流Idata，大于流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的電流Ids，所以可以縮短在電容元件C中積蓄電荷的所需時(shí)間。因此，可以針對(duì)伴隨顯示屏的像素?cái)?shù)量的增加或大尺寸化所需的掃描頻率的高頻率化。
與此相反，也可以使補(bǔ)償晶體管TrC的增益常數(shù)，構(gòu)成為小于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的增益常數(shù)。根據(jù)這種構(gòu)成，由于取決于補(bǔ)償晶體管TrC的數(shù)據(jù)電流Idata，小于取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的電流Ids，所以可以降低在電容元件C的電荷積蓄時(shí)的電力消耗。
在實(shí)施例2中，雖然最好將開(kāi)關(guān)用晶體管Trs及晶體管Q設(shè)定為，在數(shù)據(jù)寫入期間TrP均為導(dǎo)通狀態(tài)，在發(fā)光期間TEL均為截止?fàn)顟B(tài)，但并不特別限定于此。另外，雖然最好使驅(qū)動(dòng)電流Ids設(shè)定為，在數(shù)據(jù)寫入期間TrP不流過(guò)有機(jī)EL器件210，而在發(fā)光期間TEL流過(guò)，但并不特別限定于此。
通過(guò)使補(bǔ)償晶體管TrC的信道寬度等大于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的，與驅(qū)動(dòng)晶體管Trd和補(bǔ)償晶體管TrC的尺寸相同使相比，由于在供給低灰度的數(shù)據(jù)時(shí)作為數(shù)據(jù)電流Idata也可以利用相對(duì)高的電流，所以可以抑制由寄生電容等引起的動(dòng)作延遲。
另外，在像素電路200中，最好將驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓VTH1設(shè)定為大于補(bǔ)償晶體管TrC的閾值電壓VTH2，但并不特別限定于此。例如，使有機(jī)EL器件210在數(shù)據(jù)寫入期間TrP也發(fā)光時(shí)，也可以將驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓VTH1設(shè)定為小于補(bǔ)償晶體管TrC的閾值電壓VTH2。
另外，供給電源線控制信號(hào)的期間與供給掃描信號(hào)的期間在時(shí)間上設(shè)定為完全或部分地重疊。也就是，在與數(shù)據(jù)寫入期間TrP幾乎相同的期間將晶體管Q設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)。但是，通過(guò)在供給代表掃描線的選擇的掃描信號(hào)之前供給使晶體管Q導(dǎo)通的電源線控制信號(hào)，有時(shí)可以得到所期望的抑制由數(shù)據(jù)電流Idata所設(shè)定的驅(qū)動(dòng)用晶體管Trd的柵極電壓隨驅(qū)動(dòng)電壓Vdd變化的情況。
另外，在圖7中，是將電壓供給線VL設(shè)置在顯示屏部120的右端，但并不局限于此，例如，也可以設(shè)置在顯示屏部120的左端，另外，雖然將晶體管Q及電壓供給線VL，與電源線控制電路150分開(kāi)單獨(dú)構(gòu)成，但也可以設(shè)置在電源線控制電路150內(nèi)部。
再有，雖然將晶體管Q用作控制電路，但替代晶體管Q，也可以設(shè)置能在低電位與高電位之間進(jìn)行切換的開(kāi)關(guān)。為了提高驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的驅(qū)動(dòng)能力，也可以采用包括緩沖電路或源極跟隨器電路的電壓輸出器電路等，充分降低第2電源線L2或電壓供給線VL的阻抗。
(實(shí)施例2的應(yīng)用)在圖7所示的顯示屏中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，對(duì)用單色進(jìn)行灰度顯示的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但當(dāng)考慮作為實(shí)際的顯示屏的功能時(shí)，有時(shí)需要進(jìn)行彩色顯示。因此，作為實(shí)施例2的應(yīng)用例，對(duì)用于彩色顯示的電光學(xué)裝置進(jìn)行說(shuō)明。
圖10是表示該應(yīng)用例的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的方框圖。另外，圖10中的電光學(xué)裝置，是采用作為電光學(xué)器件的有機(jī)EL器件的有機(jī)EL顯示器，對(duì)于與圖7中相同的構(gòu)成部分使用了相同的符號(hào)，而省略其詳細(xì)說(shuō)明。
在圖10中，顯示屏部120，由具有輻射紅色光的有機(jī)EL器件210的紅用像素電路200R、具有輻射綠色光的有機(jī)EL器件210的綠用像素電路200G、和具有輻射藍(lán)色光的有機(jī)EL器件210的藍(lán)用像素電路200B構(gòu)成。
在此，在顯示屏部120中，第1行布設(shè)紅用像素電路200R，第2行布設(shè)綠用像素電路200G，第3行布設(shè)藍(lán)用像素電路200B，第4行布設(shè)紅用像素電路200R，之后，重復(fù)這一布設(shè)狀態(tài)。也就是說(shuō)，相同顏色的像素電路，沿掃描線的延設(shè)方向布設(shè)一行份，并且，一行份的同色像素電路，兼用掃描線、第1電源線L1及第2電源線L2。
另外，各色的像素電路200R、200G、200B的電路構(gòu)成，分別與圖8所示的像素電路200的電路構(gòu)成相同。
在該應(yīng)用例中的電壓供給線，為了供給每種顏色專用的驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)置有三條。也就是說(shuō)，電壓供給線VLR，供給紅用像素電路200R的驅(qū)動(dòng)電壓VddR，電壓供給線VLG，供給綠用像素電路200G的驅(qū)動(dòng)電壓VddG，電壓供給線VLB，供給藍(lán)用像素電路200B的驅(qū)動(dòng)電壓VddB。
另外，分別沿行方向，每行設(shè)置有第1電源線L1及第2電源線L2。在此，對(duì)應(yīng)位于同一行的紅用像素電路200R的第1電源線L1，經(jīng)晶體管QR間接地與電壓供給線VLR連接，當(dāng)該晶體管QR導(dǎo)通時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddR，而第2電源線L2，與電壓供給線VLR直接連接，常時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddR。
對(duì)于位于同一行的綠用像素電路200G和藍(lán)用像素電路200B，也分別與紅用像素電路200R相同。也就是說(shuō)，對(duì)應(yīng)位于同一行的綠用像素電路200G的第1電源線L1，當(dāng)該晶體管QG導(dǎo)通時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddG，而第2電源線L2，常時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddG，另外，對(duì)應(yīng)位于同一行的藍(lán)用像素電路200B的第1電源線L1，當(dāng)該晶體管QB導(dǎo)通時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddB，而第2電源線L2，常時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddB。
下面，對(duì)在應(yīng)用例的電光學(xué)裝置中的像素電路200R、200G、200B的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，當(dāng)選擇第1行的掃描線Y1并供給代表這一消息的掃描信號(hào)時(shí)(當(dāng)掃描線Y1為高電平時(shí))，在每個(gè)位于第1行的紅用像素電路200R中，開(kāi)關(guān)晶體管Trs變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。配合這一掃描信號(hào)的供給，由于第1行的電源線控制信號(hào)成為低電平，所以第1行的晶體管QR也變成導(dǎo)通狀態(tài)。
再有，配合這一掃描信號(hào)的供給，指示第1行的像素電路200R中的有機(jī)EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata，分別供給到各列的數(shù)據(jù)線。
因此，在第1行的每個(gè)像素電路200R中，通過(guò)在保持用電容器C1中積蓄對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電流Idata的電荷，可以保持驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極電壓。因而，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，開(kāi)始向紅用有機(jī)EL器件210供給對(duì)應(yīng)該柵極電壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，從而使紅用有機(jī)EL器件210開(kāi)始發(fā)光。
然后，當(dāng)選擇第2行的掃描線Y2并供給代表這一消息的掃描信號(hào)時(shí)(當(dāng)掃描線Y2為高電平時(shí))，在每個(gè)位于第2行的綠用像素電路200G中，開(kāi)關(guān)晶體管Trs變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。配合這一掃描信號(hào)的供給，由于第2行的電源線控制信號(hào)成為低電平，所以第2行的晶體管QG也變成導(dǎo)通狀態(tài)。
配合這一掃描信號(hào)的供給，指示第2行的像素電路200G中的有機(jī)EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata，分別供給到各列的數(shù)據(jù)線。
因此，在第2行的每個(gè)像素電路200G中，通過(guò)在保持用電容器C1中積蓄對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電流Idata的電荷，可以保持驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極電壓。因而，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，開(kāi)始向綠用有機(jī)EL器件210供給對(duì)應(yīng)該柵極電壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，從而使綠用有機(jī)EL器件210開(kāi)始發(fā)光。
另外，當(dāng)選擇第2行掃描線Y2時(shí)，在第1行的每個(gè)像素電路200R中，雖然開(kāi)關(guān)晶體管Trs及晶體管QR都成為截止?fàn)顟B(tài)，但其驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，由于向紅用有機(jī)EL器件210供給相應(yīng)由保持用電容器C1所保持的柵極電壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，所以紅用有機(jī)EL器件210的發(fā)光狀態(tài)將被維持。
其次，當(dāng)選擇第3行的掃描線Y3并供給代表這一消息的掃描信號(hào)時(shí)(當(dāng)掃描線Y3為高電平時(shí))，在每個(gè)位于第3行的藍(lán)用像素電路200B中，開(kāi)關(guān)晶體管Trs變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。配合這一掃描信號(hào)的供給，由于第3行的電源線控制信號(hào)成為低電平，所以第3行的晶體管QB也變成導(dǎo)通狀態(tài)。
配合這一掃描信號(hào)的供給，指示第3行的像素電路200B中的有機(jī)EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata，分別供給到各列的數(shù)據(jù)線。
因此，在第3行的每個(gè)像素電路200B中，通過(guò)在保持用電容器C1中積蓄對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電流Idata的電荷，可以保持驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極電壓。因而，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，開(kāi)始向藍(lán)用有機(jī)EL器件210供給對(duì)應(yīng)該柵極電壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，從而使藍(lán)用有機(jī)EL器件210開(kāi)始發(fā)光。
另外，當(dāng)選擇第3行掃描線Y3時(shí)，在第2行的每個(gè)像素電路200G中，雖然開(kāi)關(guān)晶體管Trs及晶體管QG都成為截止?fàn)顟B(tài)，但其驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，由于向綠用有機(jī)EL器件210供給相應(yīng)由保持用電容器C1所保持的柵極電壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，所以綠用有機(jī)EL器件210的發(fā)光狀態(tài)將被維持。
接下去，相同的動(dòng)作在第4、5、6、……、直到第N行為止按順序重復(fù)進(jìn)行后，再次選擇第1行掃描線Y1，數(shù)據(jù)(對(duì)應(yīng)蓄積在保持用電容器C1中的數(shù)據(jù)電流Idata的電荷)將被重寫。
這種應(yīng)用例的有機(jī)EL顯示器100，也可以得到與實(shí)施例2同樣的效果。
一般來(lái)說(shuō)，紅、綠、藍(lán)有機(jī)EL器件210的發(fā)光效率相互不同，對(duì)于驅(qū)動(dòng)電壓，有時(shí)也需要針對(duì)每種顏色設(shè)定最佳值。在應(yīng)用例的構(gòu)成中，由于將同一色的像素電路布設(shè)在同一行內(nèi)，并且，共用第1電源線L1及第2電源線L2，按每種顏色供給驅(qū)動(dòng)電壓，所以比較容易針對(duì)每種顏色設(shè)定最佳驅(qū)動(dòng)電壓。另外，因有機(jī)EL器件210長(zhǎng)期發(fā)光而造成劣化等，也有需要針對(duì)每種顏色再次設(shè)定驅(qū)動(dòng)電壓的時(shí)候，但在應(yīng)用例中，這種針對(duì)每種顏色的驅(qū)動(dòng)電壓的再設(shè)定也比較容易。
另外，在如上所述的實(shí)施例1、2及其應(yīng)用例中，作為單元電路(電子電路)舉了像素電路的例子，但也可以應(yīng)用于RAM等(特別是MRAM)存儲(chǔ)裝置。另外，作為被驅(qū)動(dòng)器件舉出了有機(jī)EL器件的例子，但也可以是無(wú)機(jī)EL器件也可以是LED或FED。甚至也可以是光檢測(cè)器件等傳感器件。
(電子機(jī)器)下面，對(duì)應(yīng)用包括實(shí)施例1、2及其應(yīng)用例的單元電路的電光學(xué)裝置的電子機(jī)器中的幾種情況進(jìn)行說(shuō)明。
圖11是表示應(yīng)用該電光學(xué)裝置的便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的立體圖。如該圖所示，包括實(shí)施例的單元電路的電光學(xué)裝置300，被用作個(gè)人計(jì)算機(jī)2100的顯示單元。另外，在個(gè)人計(jì)算機(jī)2100的主體2104上，具有鍵盤2102。
圖12是表示應(yīng)用上述電光學(xué)裝置300的攜帶電話機(jī)構(gòu)成的立體圖。在該圖中，攜帶電話機(jī)2200，除了具有多個(gè)操作按鈕2202之外，還具有受話口2204、送話口2206，以及上面所述的電光學(xué)裝置300。
圖13是表示將上述電光學(xué)裝置300應(yīng)用于取景器的數(shù)碼照相機(jī)的構(gòu)成的立體圖。銀鹽照相機(jī)，是通過(guò)被攝體的光像使膠片感光，而數(shù)碼照相機(jī)2300，是通過(guò)CCD(Charge Coupled Device)等攝像器件對(duì)被攝體進(jìn)行光電變換生成并存儲(chǔ)攝像信號(hào)。在此，在數(shù)碼照相機(jī)2300的主體2302的背面，設(shè)置了如上所述的電光學(xué)裝置300。該電光學(xué)裝置300，因相應(yīng)攝像信號(hào)進(jìn)行顯示，所以可以起到顯示被攝體的取景器的作用。另外，在主體2302的前面(圖13中的背面)上，設(shè)置有包括光學(xué)鏡頭和CCD等的受光單元2304。
當(dāng)攝影者確認(rèn)顯示在電光學(xué)裝置300中的被攝體像，并按下快門2306時(shí)，對(duì)應(yīng)這一時(shí)刻的CCD攝像信號(hào)，就被輸送并存儲(chǔ)到電路板2308的存儲(chǔ)器中。
另外，在該數(shù)碼照相機(jī)2300的外殼2302的側(cè)面上，設(shè)置有用于實(shí)施外部顯示的視頻信號(hào)輸出端子2312、和數(shù)據(jù)通信用輸入輸出端子2314。
另外，作為應(yīng)用上述電光學(xué)裝置的電子機(jī)器，除了圖11所示的個(gè)人計(jì)算機(jī)、圖12所示的攜帶電話機(jī)、及圖13所示的數(shù)碼照相機(jī)之外，還可以舉出液晶電視機(jī)、取景器型或監(jiān)視器型攝像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子筆記本、計(jì)算器、文字處理器、工作站、可視電話、電子收款機(jī)系統(tǒng)終端、以及具有觸摸操作屏的機(jī)器等。并且，作為這些各種各樣的電子機(jī)器的顯示部，毫無(wú)疑問(wèn)，都可以應(yīng)用實(shí)施例的電光學(xué)裝置。
綜上所述，通過(guò)本發(fā)明可以做到，不易受驅(qū)動(dòng)晶體管的差異的影響地，向類似有機(jī)EL器件等電流型被驅(qū)動(dòng)器件，供給作為目標(biāo)的電流。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，包括多條第一信號(hào)線；多條第二信號(hào)線；以及多個(gè)單元電路；包括在多個(gè)單元電路的每一個(gè)中的晶體管，所述晶體管是第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管；第一晶體管具有第一柵極、第一端子和第二端子；第二晶體管具有第二柵極、第三端子和第四端子；第三晶體管具有第三柵極、第五端子和第六端子；第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)確定提供給被驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)電壓中的至少之一的電平；第二柵極被連接到所述多條第一信號(hào)線的一條第一信號(hào)線；以及對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括對(duì)第一晶體管的特性進(jìn)行補(bǔ)償。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，根據(jù)流經(jīng)第一柵極和一條第二信號(hào)線的數(shù)據(jù)電流的電流電平、通過(guò)第二晶體管來(lái)設(shè)定第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子裝置，其特征在于，第三柵極被連接到第五端子和第六端子之一。
4.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，第二晶體管根據(jù)通過(guò)一條第一信號(hào)線提供的第一信號(hào)控制一條第一信號(hào)線和第一柵極之間的電連接。
5.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，還包括多條第一電源線；所述多條第一電源線與所述多條第二信號(hào)線交叉。
6.如權(quán)利要求5所述的電子裝置，其特征在于，數(shù)據(jù)電流在一條第二信號(hào)線和所述多條第一電源線的一條第一電源線之間流過(guò)。
7.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，還包括多條第一電源線和多條第二電源線；第二端子被連接到所述多條第二電源線的一條第二電源線；第一端子被連接到第三端子；數(shù)據(jù)電流流過(guò)第一晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述多條第一電源線和所述多條第二電源線與所述多條第二信號(hào)線交叉。
9.如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述多條電源線的電勢(shì)可以被設(shè)定為多個(gè)電壓。
10.如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述多條第一電源線能夠被設(shè)定為浮動(dòng)狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，還包括多條第一電源線；所述多條電源線的一條電源線被連接到控制該一條電源線的電勢(shì)的開(kāi)關(guān)元件。
12.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述多條第一信號(hào)線是多條掃描線；所述多條第二信號(hào)線是多條數(shù)據(jù)線；以及所述被驅(qū)動(dòng)元件是電光元件。
13.一種電子裝置，包括多條第一信號(hào)線；多條第二信號(hào)線；多條電源線；以及多個(gè)單元電路，所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)包括第一晶體管；第一晶體管具有第一柵極、第一端子和第二端子；第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)確定通過(guò)第一晶體管提供給被驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)電壓中的至少之一的電平；以及所述多條電源線與所述多條第一信號(hào)線交叉；對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括根據(jù)從所述多條第二信號(hào)線的一條第一信號(hào)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)設(shè)定第一柵極的柵極電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，所述多條第一信號(hào)線是多條掃描線；所述多條第二信號(hào)線是多條數(shù)據(jù)線；以及所述被驅(qū)動(dòng)元件是電光元件。
15.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括對(duì)第一晶體管的特性進(jìn)行補(bǔ)償。
16.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)包括第二晶體管；以及根據(jù)流經(jīng)第一柵極和一條第二信號(hào)線的數(shù)據(jù)電流的電流電平、通過(guò)第二晶體管來(lái)設(shè)定第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)進(jìn)一步包括具有第二柵極、第三端子和第四端子的第二晶體管；以及第二柵極被連接到所述多條第一信號(hào)線的一條第一信號(hào)線。
18.如權(quán)利要求17所述的電子裝置，其特征在于，第二晶體管根據(jù)通過(guò)一條第一信號(hào)線提供的第一信號(hào)控制該一條第一信號(hào)線和第一柵極之間的電連接。
19.如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，還包括多個(gè)附加電源線；所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)包括具有第三柵極、第五端子和第六端子的第三晶體管；以及第六端子被連接到所述多個(gè)附加電源線的一條附加電源線；數(shù)據(jù)電流在一條附加電源線和一條信號(hào)線之間的流過(guò)；以及根據(jù)數(shù)據(jù)電流的電流電平設(shè)定第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
20.如權(quán)利要求19所述的電子裝置，其特征在于，多條附加電源線的電勢(shì)可以被設(shè)定為多個(gè)電壓。
21.如權(quán)利要求19所述的電子裝置，其特征在于，所述多條附加電源線能夠被設(shè)定為浮動(dòng)狀態(tài)。
22.一種電子裝置，包括多條第一信號(hào)線；多條第二信號(hào)線；多條第一電源線；以及多個(gè)單元電路；所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)包括第一晶體管；第一晶體管具有第一柵極、第一端子和第二端子；第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)應(yīng)于提供給被驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)電壓的至少之一的電平；第二端子被連接到所述多條第一電源線的一條第一電源線；對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括根據(jù)從所述多條第二信號(hào)線的一條第二信號(hào)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)對(duì)第一柵極的柵極電壓進(jìn)行設(shè)定；以及所述多條第一電源線的電勢(shì)可以被設(shè)定為多個(gè)電壓。
23.如權(quán)利要求22所述的電子裝置，其特征在于，所述多條第一電源線的一條第一電源線被連接到控制該一條第一電源線的電勢(shì)的開(kāi)關(guān)元件。
24.如權(quán)利要求22或23所述的電子裝置，其特征在于，對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括多第一晶體管的特性進(jìn)行補(bǔ)償。
25.如權(quán)利要求22所述的電子裝置，其特征在于，根據(jù)流經(jīng)第一柵極和一條第二信號(hào)線的數(shù)據(jù)電流的電流電平、通過(guò)第二晶體管來(lái)設(shè)定第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
全文摘要
一種單元電路、電子電路、電子裝置、電光學(xué)裝置、驅(qū)動(dòng)方法及電子機(jī)器，在包括電流型被驅(qū)動(dòng)器件L；控制對(duì)其供給的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1；與其柵極連接的電容元件C；與驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極連接的開(kāi)關(guān)晶體管Tr3與開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的柵極連接的掃描線S；與開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的源極或漏極連接的數(shù)據(jù)線D；經(jīng)開(kāi)關(guān)晶體管Tr3與信號(hào)線連接的電源線V的像素電路中，使構(gòu)成二極管連接的補(bǔ)償晶體管Tr4介于電源線V與開(kāi)關(guān)晶體管Tr3之間。從而補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的特性不均一。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1645460SQ200510009460
公開(kāi)日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2002年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月10日
發(fā)明者宮澤貴士 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社