專利名稱：一種新型的防偽標識的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及防偽標識領(lǐng)域，具體說涉及一種新型的有機電致發(fā)光器件(OLED)防偽標識。
背景技術(shù)：
優(yōu)質(zhì)的商品在市面上銷售后，會受到消費者的青睞，同時也會遭到造假商的仿冒。為了辨別商品的真?zhèn)?，減少假冒偽劣產(chǎn)品對生產(chǎn)者、經(jīng)營者和消費者造成的危害，制止虛假產(chǎn)品，杜絕仿冒，各種防偽商標等標識應(yīng)運而生。
標簽、全息圖、刻圖是目前應(yīng)用在消費品上典型的傳統(tǒng)防偽技術(shù)。這些防偽標識的技術(shù)方式，有的是在表層或通過透明層顯示特定的標記，盡管為特定標記，但由于能夠顯示出來，容易被仿制，真假不易辨別，起不到應(yīng)有的效果。為了防止偽造，有些標識采用比較復(fù)雜的模式，這些復(fù)雜的標識通常需要專家知識來確認真?zhèn)?。但常見的這些防偽手段都是低技術(shù)水平，仍容易被他人仿制。
在一些特殊的領(lǐng)域，電子、磁性材料和光學(xué)編碼被用來防偽。這些手段提供了足夠的安全防偽性能，但是，一般消費者沒有這些特殊的儀器去閱讀檢測這些編碼，反而成為一般消費者識別真?zhèn)紊唐返恼系K。
為了維護真品制造商的商譽以及避免不必要的損失，生產(chǎn)消費者易識別、技術(shù)含量高的防偽標識一直是人們追求的目標。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的就是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種易于識別的、技術(shù)含量高，不易被仿造或挪用的防偽標識。具體說，本實用新型提供了采用有機電致發(fā)光器件(OLED)制成的防偽標識。由于制作OLED的技術(shù)門檻很高，因此難以仿造，同時消費者無須專家知識和特殊儀器就可以識別真?zhèn)紊唐贰?br> 因此，本實用新型的一個目的是提供一種新型的防偽標識，其由有機電致發(fā)光器件構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)包括基板、陽極、多層有機薄膜層、陰極和封裝層，在基板和封裝層上的任何一處設(shè)有一缺陷。該缺陷可以是溝痕、劃痕、凹陷，但該缺陷不致于使空氣和水份接觸器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)，包括陽極、多層有機薄膜層、陰極。
完好的OLED器件，要求在高度清潔和低濕度的環(huán)境中進行蒸鍍和封裝，以保持OLED器件的壽命。當OLED器件的內(nèi)部，包括陽極、多層有機薄膜層、陰極接觸空氣和水份時，就會加速OLED器件的老化，而不能再次使用。因此，制作OLED的技術(shù)門檻很高，一般的仿造者不易達到，同時為了防止OLED器件制成的防偽標識被造假者挪用來防冒，本實用新型的防偽標識設(shè)計成在OLED器件的基板和封裝層上的任何一處設(shè)有一缺陷。該缺陷可以是溝痕、劃痕、凹陷，但該缺陷不致于使空氣和水份接觸器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)，包括陽極、多層有機薄膜層、陰極。本實用新型的防偽標識可與商品包裝結(jié)合在一起，當消費者和造假商拆封由本實用新型OLED器件制成的防偽標識或商品包裝時，就容易造成OLED器件封裝的破壞，在基板和封裝層的缺陷處使空氣和水份接觸OLED器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，而導(dǎo)致OLED的老化，而不能再次使用，這樣就防止了造假商再次使用該標識。
本實用新型中所述的有機電致發(fā)光器件可以是現(xiàn)有技術(shù)中的任何一種有機電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)包括，但不限于基板、陽極、多層有機薄膜層、陰極和封裝層。更具體地說，本實用新型的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括，但不限于基板、陽極、空穴傳導(dǎo)層、發(fā)光層、陰極和封裝層；或者基板、陽極、空穴傳導(dǎo)層、發(fā)光層、電子傳導(dǎo)層、陰極和封裝層。在靠近陰極的封裝層內(nèi)側(cè)可粘附干燥劑諸如硅膠。
本實用新型采用有機電致發(fā)光器件制成的防偽標識可以根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)商的要求制作特殊的色彩和圖案，以區(qū)別真?zhèn)紊唐?。在制造實用新型的有機導(dǎo)致發(fā)光器件防偽標識時，在陽極刻蝕和金屬膜陰極蒸鍍時，通過設(shè)計有預(yù)定圖案的掩膜，就可以使OLED標識顯示預(yù)定的圖像，以代表所防偽的產(chǎn)品。
本實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識中的基板可以是常規(guī)的任何材料，包括聚合成分、玻璃等、聚酯如MYLAR.RTM.，聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚異丁烯酸酯、聚砜、石英等。還可選擇其他基板，它們基本上是非功能性的并可支撐其他層?；宓暮穸壤缈蔀榧s25至約1000微米，更具體地，約50-6000微米。
本實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識中的導(dǎo)電膜陽極材料可以是常規(guī)的任何材料，包括氧化銦-錫、氧化錫、金、鉑或其他材料諸如導(dǎo)電的碳、共軛聚合物諸如聚苯胺、聚吡咯等。陽極的厚度可在約10-5000埃，優(yōu)選的厚度范圍是約20-1000埃。
本實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識中的空穴傳導(dǎo)層的材料是本領(lǐng)域公知的任何空穴傳導(dǎo)材料，不限于一種，其可以是，包括但不限于在JP-A-6-25659、6-203963、6-215874、7-145116、7-224012、7-157473、8-48656、7-126226、7-188130、8-40996、8-40997、7-126225、7-1011911和7-97355中公開的芳胺類化合物，其具體實例包括N，N，N’N’-四苯基-4，4’-二氨基聯(lián)苯、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-二氨基聯(lián)苯、2，2-二(4-二對甲苯基氨基苯基)丙烷、N，N，N’N’-四對甲苯基-4，4’-二氨基聯(lián)苯、二(4-二對甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N，N’-二苯基-N.N’-二(4-甲氧基苯基)-4，4’-二氨基聯(lián)苯、N，N，N’N’-四苯基-4，4’-二氨基二苯基醚、4-N，N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、1，1-二(4-二對三氨基苯基)環(huán)己烷、1，1-二(4-二對三氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷、二(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N，N，N-三(對甲苯基)胺、4-(二對甲苯基氨基)-4’-[4-(二對甲苯基)氨基)苯乙烯基]芪、N，N，N’N’-四苯基-4，4’-二氨基聯(lián)苯N-苯基咔唑、4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對三聯(lián)苯、4，4’-二[N-(2-萘基)-N-苯氨基]聯(lián)苯、4，4’-二[N-(3-乙酰萘次甲基)-N-苯基氨基]萘、4，4’-二[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4”-二[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]對三聯(lián)苯、4，4’二[N-(2-菲基)-N-苯氨基]聯(lián)苯、4，4’-二[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-二[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-二[N-(1-蔻基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、2，6-二(二-對甲苯基氨基)萘、2，6-二[二(1-萘基)氨基]萘、2，6-二[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4，4”-二[N，N-二(2-萘基)氨基]三聯(lián)苯、4，4’-二[N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基]聯(lián)苯、4，4’-二[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯(lián)苯、2，6-二[N，N-二(2-萘基)氨基]茐、4，4’-二(N，N-二對甲苯基氨基)三聯(lián)苯、二(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺?？昭▊鲗?dǎo)層的厚度為300-5000，空穴傳導(dǎo)層材料最常用的是三苯胺衍生物(TPD或NPB)。
本實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識中的發(fā)光層的材料可以是本領(lǐng)域公知的用于有機電致發(fā)光器件中的任何有機發(fā)光材料，可采用在薄膜狀態(tài)下具有高熒光或磷光效率的有機材料，例如ALQ。
本實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識中的電子傳導(dǎo)層的材料包括在U.S4,539,507；5,151,629和5,150,006中公開的8-羥基喹啉的金屬螯合劑。這種金屬螯合物的實例包括三(8-羥基喹啉酸)鋁(AIQ3)，三(8-羥基喹啉酸)鎵，二(8-羥基喹啉酸)鎂、二(8-羥基喹啉酸)鋅，三(5-甲基-8-羥基喹啉酸)鋁，三(7-丙基-8-喹啉醇)鋁，雙苯并-8-喹啉酸鋅，雙(10-羥基苯并喹啉酸)鈹，雙(2-甲基喹啉醇)鋁(III)、雙(2-甲基-8-喹啉醇)鋁(III)，雙(2-甲基-8-喹啉醇)(苯酚)鋁，雙(2-甲基-8-喹啉醇)(對苯基苯酚)鋁，雙(2-甲基-8-喹啉醇)(2-萘酚)鋁等。
以上各專利公開的所有內(nèi)容在本文引用作參考。另一類優(yōu)選的電子傳導(dǎo)層材料是在美國專利5648542中公開的金屬thioxinoid化合物。該化合物的實例包括雙(8-喹啉硫醇)鋁，雙(8-喹啉硫醇)鎘，三(8-喹啉硫醇)鎵，三(8-喹啉硫醇)銦，雙(5-甲基喹啉硫醇)鋅，三(5-甲基喹啉硫醇)鎵，三(5-甲基喹啉硫醇)銦，三(5-甲基喹啉硫醇)鎘，二(3-甲基喹啉硫醇)鎘，二(5-甲基喹啉硫醇)鋅，雙苯并-8-喹啉硫醇鋅，二-甲基苯并-8-喹啉硫醇鋅，雙7-二甲基苯并-8-喹啉硫醇鋅等。
本實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識中的陰極可由本領(lǐng)域公知的任何金屬構(gòu)成，包括高或低功函的金屬。陰極可由低功函金屬例如低于約4eV，更具體地是約2-4eV，和至少一種其他金屬的混合物制成，其可提供其他優(yōu)點諸如改善器件的性能和穩(wěn)定性。低功函金屬的具體實例包括堿金屬、第2A族或堿土金屬，和第III族金屬包括稀土金屬和錒系族金屬。鋰、鎂和鈣是特別優(yōu)選的。
陰極的厚度例如為約10-5000埃，更具體地，為約50-250埃。美國專利4,885,211中公開的Mg:Ag陰極構(gòu)成了優(yōu)選的陰極結(jié)構(gòu)。另一種優(yōu)選的陰極結(jié)構(gòu)描述在美國專利5,429,884中，其中陰極是由鋰合金與其他高功函金屬諸如鋁和銦形成。該專利的公開內(nèi)容全部在本文引用作參考。
本實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識中的封裝層材料可以是玻璃、鋼、鋁等材料。
本實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識中的各膜層可采用常規(guī)真空蒸鍍、高頻濺射、甩膠等方法制得，然后將封裝層四周與基板通過密封膠粘合，所述基板或封裝層上設(shè)有的一缺陷可用常規(guī)的刀具通過劃刻來造成，從而制成有機電致發(fā)光器件防偽標識。
將實用新型有機電致發(fā)光器件防偽標識附著在包裝上，通過加以電池(諸如紐扣電池)驅(qū)動，此OLED標識所顯示的圖像使消費者很容易地識別產(chǎn)品的真?zhèn)?。本實用新型的有機電致發(fā)光器件防偽標識的基板或封裝層可以和要防偽的商品的包裝粘合在一起，當消費者打開商品包裝時，就會破壞OLED標識的基板和封裝層上設(shè)置的缺陷，導(dǎo)致OLED內(nèi)部結(jié)構(gòu)與空氣或濕氣接觸氧化，不能再次使用。從而使造假者沒有造假的可乘之機，避免了因假冒偽劣品充斥市場給真品制造商造成的損失。
上文已描述了本實用新型在不同情況下的具體模式。應(yīng)該說明的是，上述的這些模式只是部分可能采取的模式，而不應(yīng)局限在上述模式。有經(jīng)驗的行內(nèi)人士可以很方便地從上述模式中推導(dǎo)出新的模式。例如，OLED標識可以制作成商品包裝的一部分。打開商品包裝，OLED器件的封裝即被破壞。另外，OLED標識可以在不同的區(qū)域采用不同的發(fā)光材料產(chǎn)生復(fù)雜的顯示圖形作為防偽標識。所有這些不同的模式及其改進都包含在本實用新型中。


圖1是本實用新型OLED防偽標識的截面圖圖中的編號分別是基板1，陽極2，空穴傳導(dǎo)層3，發(fā)光層4，電子傳導(dǎo)層5，陰極6，封裝層7，干燥劑8，被防偽的商品的包裝9具體實施方式
在經(jīng)過清洗后的玻璃基板上蒸鍍透明的ITO導(dǎo)電膜層，用光刻的方法劃出預(yù)定圖案的導(dǎo)電膜陽極，經(jīng)清洗后，用真空蒸發(fā)的方法蒸鍍一層TPD空穴傳導(dǎo)層，厚度為500，然后蒸鍍一層三(8-羥基喹啉)鋁(Alq)發(fā)光層，厚度為400。在形成發(fā)光層后，蒸鍍4LiF，形成金屬鹽層，然后蒸鍍金屬Al，厚度為1000。在蒸鍍過程中，保持6×10-6乇。然后將基板轉(zhuǎn)入常壓室，將用來封裝的蓋板玻璃的四周涂上UV密封膠，合蓋后將UV膠進行UV照射，完成封裝。用刻刀在封裝的蓋板玻璃上劃一溝痕，但該溝痕不接觸到該器件內(nèi)部的發(fā)光層。當使用時，將該防偽標識的基板四周涂上粘合膠，與商品包裝粘合在一起，防偽標識圖案暴露在商品包裝外面。
權(quán)利要求1.一種新型的防偽標識，其特征是它由有機電致發(fā)光器件構(gòu)成，該有機電致發(fā)光器件包括基板、陽極、多層有機薄膜層、陰極和封裝層，在基板和封裝層上設(shè)有溝痕、劃痕或凹陷，但所述的溝痕、劃痕或凹陷不致于使空氣和水份接觸有機電致發(fā)光器件的陽極、多層有機薄膜層或陰極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽標識，其特征是在靠近陰極的封裝層內(nèi)側(cè)粘附有干燥劑。
專利摘要本發(fā)明涉及防偽標識領(lǐng)域，具體說涉及一種新型的防偽標識。該防偽標識由有機電致發(fā)光器件構(gòu)成，在該有機電致發(fā)光器件的基板和封裝層上的任何一處設(shè)有一缺陷，該缺陷可以是溝痕、劃痕、凹陷，但該缺陷不致于使空氣和水份接觸器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)。當消費者和造假商拆封本發(fā)明的防偽標識時，就容易造成OLED器件封裝的破壞，在基板和封裝層的缺陷處使空氣和水份接觸OLED器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，而導(dǎo)致OLED的損壞，而不能再次使用，這樣就防止了造假商再次使用該標識。
文檔編號H05B33/14GK2833728SQ200520011100
公開日2006年11月1日 申請日期2005年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月6日
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