專利名稱：等離子處理方法及等離子處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對半導(dǎo)體元件、搭載半導(dǎo)體芯片的基板、布線基板、 平板型顯示裝置基板等電子裝置的基板或被處理物實(shí)施等離子處理的方 法及其處理裝置、利用該等離子處理制造電子裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，在利用等離子對硅半導(dǎo)體等被處理物表面進(jìn)行氧化、氮化、氧 氮化，或在被處理物表面上形成氧化膜、氮化膜、氧氮化膜、聚硅膜、有機(jī)EL膜等，或蝕刻被處理表面之際的等離子處理中，利用單一的稀有氣 體產(chǎn)生等離子。作為稀有氣體，為了減小對被處理物的等離子損傷，從而 采用與電子的碰撞截面積大、等離子的電子溫度低的氪(Kr)氣和氙(Xe) 氣(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1中揭示了采用Kr作為等離子激勵氣體以形成氧化膜及氮 化膜的裝置。該裝置采用的構(gòu)成是在作為處理室的真空容器上部從外側(cè)依 次設(shè)有同軸導(dǎo)波管、徑向線路隙縫天線、微波導(dǎo)入窗，在真空容器內(nèi)部設(shè) 有簇射板，在其下部配置用來放置被處理物的帶加熱機(jī)構(gòu)的工作臺。作為 等離子處理方法，是將真空容器內(nèi)排氣成真空，從簇射板導(dǎo)入Ar氣，接 下來從Ar氣切換成Kr氣，使壓力為133Pa。接下來，將實(shí)施了稀氟酸清 洗的硅基板(被處理物)導(dǎo)入到處理室內(nèi)，放置在工作臺上，加熱被處理 物使被處理物保持在40(TC。從同軸導(dǎo)波管向徑向線路隙縫天線供給微波， 例如供給1分鐘，將微波經(jīng)由介電體板(微波導(dǎo)入窗及簇射板)導(dǎo)入到處 理室內(nèi)。這樣一來，通過在處理室內(nèi)生成的高密度Kr等離子照射硅基板 表面，從而去除表面終端氫。接下來，保持處理室內(nèi)的壓力為133Pa左右， 從簇射板導(dǎo)入預(yù)定分壓比的Kr/02混合氣體，在硅基板表面形成納米單位 厚度的硅氧化膜。接下來，暫時停止微波供給，停止02氣導(dǎo)入，用Kr凈化了處理室內(nèi)后，從簇射板導(dǎo)入K2/NH3混合氣體，設(shè)定處理室內(nèi)的壓力為133Pa左右，再次供給微波，在處理室內(nèi)生成高密度等離子，在硅氧化 膜表面形成鈉米單位厚度的硅氮化膜。再有，形成了硅氮化膜后，停止微 波動力的導(dǎo)入，結(jié)束等離子激勵，再有，將Kr/NH3混合氣體置換成Ar氣， 結(jié)束氧化氮化工序。像這樣可以利用上述裝置進(jìn)行半導(dǎo)體集成電路裝置的 制造。不過，Kr氣、Xe氣與通常用于等離子處理的Ar氣相比，在自然界 的存在量少而高價，在工業(yè)中應(yīng)用很困難。 專利文獻(xiàn)l:特開2002—261091號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于能夠盡量抑制高價氪氣、氙氣的消耗量，同時降低 等離子處理時對被處理物的損傷。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的等離子處理方法及等離子處理裝置中， 等離子中的電子溫度按照與電子的碰撞截面積大的稀有氣體定義，氣體的 稀釋用比它廉價的稀有氣體進(jìn)行，由這2種以上的稀有氣體構(gòu)成等離子中 的氣體。艮P，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，利用稀有氣體產(chǎn)生等離 子并利用該等離子進(jìn)行被處理物的處理，所述等離子處理方法的特征在 于，作為所述稀有氣體采用2種以上的不同的稀有氣體。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述等 離子處理方法中，所述不同的稀有氣體是與電子的碰撞截面積相互不同的 稀有氣體。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，作為所述2種以上的不同的稀有氣體中的一種 采用氬氣，作為其以外的氣體采用與電子的碰撞截面積大于氬氣的氣體。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，作為所述2種以上的不同的稀有氣體中的一種 采用氬氣，作為其以外的氣體采用氪及氙的一種或兩種。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任意一項(xiàng)等離子處理方法中，通過微波激勵產(chǎn)生所述等離子。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，所述處理是所述基板表面的至少一部分的氧 化、氮化或氧氮化，向所述基板表面的至少一部分成膜或者所述基板表面 的至少一部分的蝕刻。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，為了利用所述等離子將所述基板表面的至少一 部分氧化、氮化或氧氮化，將氮化性氣體或氧化性氣體導(dǎo)入所述等離子中。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，為了在所述基板表面的至少一部分上進(jìn)行成 膜，將成膜所需的氣體導(dǎo)入所述等離子中。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，所述成膜是絕緣膜的形成。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，將蝕刻所需的氣體導(dǎo)入所述等離子中，對所述 基板表面的被選擇的部分或整個面進(jìn)行蝕刻。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，將所述2種以上的不同的稀有氣體中與電子的 碰撞截面積大的氣體導(dǎo)入等離子激勵區(qū)域，將碰撞截面積小的氣體導(dǎo)入等 離子激勵區(qū)域之外。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理方法，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理方法中，為了再利用而回收所述稀有氣體的一部分或全 部。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種半導(dǎo)體裝置、平板型顯示裝置、計(jì)算機(jī) 和便攜電話終端等電子裝置的制造方法，其特征在于，具有利用所述任意 一項(xiàng)等離子處理方法處理被處理物的工序。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，能夠向等離子處理室供給2種以上的不同的稀有氣體。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述等 離子處理裝置中，所述稀有氣體與電子的碰撞截面積不同。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理裝置中，所述稀有氣體中的一種是氬氣，其以外的氣體 是與電子的碰撞截面積大于氬氣的氣體。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理裝置中，所述稀有氣體中的一種是氬氣，其以外是氪、 氙的任意一種或兩種。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理裝置中，通過微波激勵產(chǎn)生所述等離子。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理裝置中，向所述等離子室除了供給稀有氣體以外還能夠 供給氮化性氣體或氧化性氣體。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理裝置中，向所述等離子室除了供給稀有氣體以外還添加 所希望的氣體并在被處理物上進(jìn)行成膜。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理裝置中，向所述等離子室除了供給稀有氣體以外還對被 處理物的一部分或整個面進(jìn)行蝕刻。另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理裝置中，將所述稀有氣體中與電子的碰撞截面積大的氣 體導(dǎo)入等離子激勵區(qū)域、將碰撞截面積小的氣體導(dǎo)入等離子激勵區(qū)域之另外，根據(jù)本發(fā)明，獲得一種等離子處理裝置，其特征在于，所述任 意一項(xiàng)等離子處理裝置中，具備稀有氣體回收裝置。再有，本發(fā)明中，獲得一種等離子處理方法，是通過將使用后的稀有 氣體回收再生利用，從而能夠更高效率地使用高價的稀有氣體。根據(jù)本發(fā)明，采用在Xe、 Kr的一種或兩種中添加了 Ar氣的氣體， 不過，該混合氣體中的Xe、 Kr的必要比例隨著各種條件而變化，不過大 多情況下最低20體積％是必要的，從40%左右到100%的情況下沒有發(fā)現(xiàn) 太大效果差異，只要是50%以上就沒問題。當(dāng)然要不足100%。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，由于采用在Kr、 Xe的一種或兩種中添加了 Ar氣的氣 體進(jìn)行等離子產(chǎn)生，因此，能夠降低等離子處理中的損傷，同時能夠謀求 高價Kr、 Xe氣使用量的削減。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1中采用的微波激勵等離子處理裝置的截面圖。圖2是表示各稀有氣體的電子溫度和碰撞截面積的說明圖和分別表示 Ar、 Kr、 Xe氣的激勵能量、離子化能量、電子溫度的圖。 圖3是表示等離子測量方法的截面圖。圖4是表示Ar/Xe混合等離子的發(fā)光強(qiáng)度的圖，分別是(a)表示Xe + (466.8nm)的20mTorr (2.66Pa)的相對強(qiáng)度，(b)表示Xe+ (466.8nm) 的40mTorr (5.33Pa)的相對強(qiáng)度，(c)表示Ar (750.4nm)的20mTorr (2.66Pa)的相對強(qiáng)度，(d)表示Ar (750.4nm)的40mTorr (5.33Pa)的相對強(qiáng)度。圖5是表示等離子電子密度的圖，(a)是表示Ar工作壓力(mTorr =X0.133Pa)和電子數(shù)(1012cm—3)的關(guān)系的圖，(b)是表示Xe工作壓 力(mTorr=0.133Pa)和電子數(shù)(1012cm—3)的關(guān)系的圖。圖6(a)、 (b)、 (c)、 (d)是分別表示Ar/Xe混合等離子的電子密度、 VSWR、離子電流、電子溫度的圖。圖7 (a)是表示變化混合氣體壓力時的離子電流密度的圖，(b)是表 示變化混合氣體壓力時的電子溫度的圖。圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式2及3中采用的二級簇射板微波激勵等離子 處理裝置的截面圖。圖中，1 —微波照射用天線，2 —絕緣體，3 —簇射板，4一晶片，5_ 排氣口， 6 —排氣管道，7a、 7b—小型泵流入管(排氣管)，IO —腔室，13 一氣體導(dǎo)入管，15 —安裝構(gòu)件，19一氣流，21 —上級簇射板，22—下級簇 射板，25—RF偏壓電源，101 —微波激勵等離子處理裝置，102 — 二級簇 射板微波激勵等離子處理裝置。
具體實(shí)施方式
以下關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例參照附圖進(jìn)行說明。 (第l實(shí)施例)本發(fā)明的第l實(shí)施例中，關(guān)于等離子處理為硅的直接氧化/氮化處理的 情況下的方式進(jìn)行說明。圖1是微波激勵的等離子處理裝置的截面圖。圖2是表示電子能量和 全離子化截面積的關(guān)系的圖。圖3是表示等離子測量方法的截面圖。圖4 是表示Ar/Xe混合等離子的發(fā)光強(qiáng)度的圖，分別是(a)表示Xe+(466.8nm) 的2.66Pa (20mTorr)的相對強(qiáng)度，(b)表示Xe+ (466.8nm)的5.33Pa(40mTorr)的相對強(qiáng)度，(c)表示Ar (750.4nm)的2.66Pa (20mTorr) 的相對強(qiáng)度，(d)表示Ar (750.4nm)的5.33Pa (40mTorr)的相對強(qiáng)度。 另外，圖5是表示等離子電子密度的圖，(a)是表示Ar工作壓力(mTorr =X0.133Pa)和電子數(shù)(1012cm—3)的關(guān)系的圖，(b)是表示Xe工作壓 力(mTorr二X0.133Pa)和電子數(shù)(1012cm—3)的關(guān)系的圖。圖6 (a)、 (b)、(c)、 (d)是分別表示Ar/Xe混合等離子的電子密度、VSWR、離子電流、 電子溫度的圖。圖7 (a)是表示將Ar/Xe混合氣體中Xe的比例從0到1 變化時的離子電流密度的圖，圖7 (b)是表示同樣變化Ar/Xe混合氣體中 Xe的比例(壓力)時的電子溫度的圖。參照圖1，微波通過隔著絕緣體板2設(shè)置在等離子處理裝置101上部 的天線1向裝置內(nèi)部11放射。Ar氣和Kr氣(或Xe氣)及氧氣(氮化處 理時是N2/H2或NH3氣、氧氮化處理時是02皿3或02/^0、 CVNO氣等 氧化性氣體和氮化性氣體的混合氣體)從氣體導(dǎo)入管13經(jīng)由簇射板3導(dǎo) 入裝置內(nèi)部ll，在那里利用上述照射的微波，在裝置內(nèi)部ll、被處理物4 上部激勵等離子。回到圖1，被處理物的基板即硅晶片4設(shè)置在處理室11內(nèi)等離子直接 照射的部位，在利用等離子激勵的氧原子團(tuán)等的作用下被氧化。此時，被 處理物4不是設(shè)置在處理室11內(nèi)等離子所激勵的空間，優(yōu)選是設(shè)置在等 離子所擴(kuò)散的空間。另外，處理室ll內(nèi)的排氣經(jīng)由排氣口5，通過排氣管道6內(nèi)，如虛線 箭頭19所示，從通向小型泵的任意一個流入口 7a、 7b，分別導(dǎo)到?jīng)]有圖示的小型泵中。測量所激勵的等離子時，如圖3所示，設(shè)置前端部穿入處理室11內(nèi)的探測器9，該探測器9由安裝構(gòu)件15固定。發(fā)光測量14從其他窗口如 箭頭所示進(jìn)行。在此，如圖2所示，Kr、 Xe氣比Ar電子溫度低，而與電子的碰撞截 面積小，離子化能量也小，從而，若向Ar和Kr(或Xe)的混合氣體照射 微波，則Kr (或Xe)選擇性地離子化，形成等離子，等離子的電子溫度 按照Kr(或Xe)定義，能夠抑制對成膜過程中的或所形成的Si02膜(Si3N4 膜、SiON膜)的損傷，同時能夠抑制高價Kr (或Xe)氣的使用。另外，參照圖4 (a)、 (b)、 (c)、 (d)可知，Xe+的發(fā)光強(qiáng)度(相對 強(qiáng)度)是40mTorr (5.33Pa)的大于20mTorr (2.66Pa)的，而Ar的發(fā)光 強(qiáng)度在Xe的分壓(摩爾分率)為0.2以上時不依賴于壓力。另夕卜，參照圖5可知，若Xe的流量比(即、分壓)變大，則Ar的電 子密度增加，而流量比增加，則Xe的電子密度減少。另外，參照圖6可知，電子密度從Xe的構(gòu)成比率為20。/。起增加，以 后，隨著構(gòu)成比率變大而單調(diào)增加，VSWR隨著Xe的構(gòu)成比率變大而單 調(diào)減少一些。離子電流在Xe的構(gòu)成比率為20%急劇增加，電子溫度在Xe 的Xe的構(gòu)成比率到達(dá)20%之前急劇減少，其以后隨著構(gòu)成比率變大而單 調(diào)減少。再有，參照圖7 (a)可知，離子電流密度在全流量為20mTorr (2.66Pa) 的情況下，在Xe的流量比0.75附近急劇增加。另外可知，在全流量為 40mTorr (5.33Pa)的情況下，若Xe的流量比超過0.2則急劇增加。另外 可知，在全流量為100mTorr (13.33Pa)的情況下，呈大致單調(diào)增加傾向。另外，參照圖7 (b)可知，電子溫度隨著Xe的流量比變大，隨著全 流量成為20mTorr (2.66Pa)、 40mTorr (5,33Pa)、 100mTorr (13.33Pa)而 變小，同時分別隨著Xe的流量比從0.2增加而單調(diào)減少。以上數(shù)據(jù)均表示，即使Xe的構(gòu)成比率不為100%、只要在20%以上、 優(yōu)選是50%以上，就能夠獲得與100%的情況相同的效果。即可知，即使 80%左右、優(yōu)選是50%左右為廉價的Ar，也能夠降低等離子處理中的損傷。 其結(jié)果是根據(jù)本發(fā)明能夠謀求高價Kr、 Xe氣使用量的削減。(第2實(shí)施例)接下來，表示將本發(fā)明的等離子處理適用于成膜的例子。第2實(shí)施例中，作為成膜是利用CVD (Chemical Vapor Deposition)處理進(jìn)行Si02膜形成。圖8是本發(fā)明的第2實(shí)施例中使用的二級簇射板微波激勵等離子處理 裝置的概略截面圖。圖8的裝置其結(jié)構(gòu)是在圖1所示的微波激勵等離子處 理裝置的擴(kuò)散等離子區(qū)域設(shè)置下級簇射板22。從上級簇射板21導(dǎo)入等離 子激勵用的Kr (或Xe)及Ar及02氣。從下級簇射板22導(dǎo)入用于成膜的 反應(yīng)性氣體即SiH4氣。在上級簇射板21和下級簇射板22間的空間激勵高 密度等離子，該等離子從下級簇射板22的格子狀管(具有排放反應(yīng)性氣 體的多個孔)的間隙擴(kuò)散到硅晶片4表面上，利用向此處供給的反應(yīng)性氣 體在被處理物4表面形成Si02膜。此時，如果從上級簇射板21流進(jìn)Kr (或Xe)及Ar和NH3 (或N2/H2 混合)氣，從下級簇射板22流進(jìn)SiH4氣，就能夠形成Si3Nj莫。另外，如果從上級簇射板21流進(jìn)Kr (或Xe)及Ar，從下級簇射板 22流進(jìn)CxFy (C5F8， QFs等)氣，就能夠形成碳氟化合物膜。另外，如果從上級簇射板21流進(jìn)Kr (或Xe)及Ar，從下級簇射板 22流進(jìn)SiH4氣，就能夠形成硅膜。以上，任意情況均像圖2、圖6及圖7所表明的那樣，由于Kr、 Xe 氣比Ar電子溫度低，而與電子的碰撞截面積小，離子化能量也小，從而， 若向Ar和Kr (或Xe)的混合氣體照射微波，則Kr (Xe)選擇性地離子 化，形成等離子，等離子的電子溫度按照Kr (Xe)定義，能夠抑制對成 膜過程中的或所形成的各種膜的損傷，同時能夠抑制高價Kr (Xe)氣的 使用。(第3實(shí)施例)接下來，表示將本發(fā)明的等離子處理適用于蝕刻處理的情況的例子。 參照圖8，從上級簇射板21導(dǎo)入用于等離子激勵的Kr (或Xe)及Ar氣。從 下級簇射板22導(dǎo)入反應(yīng)性氣體即CxFy氣。在此，對基板4外加偏壓(RF) 25，從而對硅晶片4側(cè)加載負(fù)的DC偏壓，硅基板4上的Si02被蝕刻。還有， 符號17所示的白色箭頭17表示用于等離子激勵的微波，符號26表示高密度等離子區(qū)域。此時，也像圖2、圖6及圖7所表明的那樣，由于Kr、 Xe氣比Ar電 子溫度低，而與電子的碰撞截面積小，離子化能量也小，從而，若向Ar 和Kr (或Xe)的混合氣體照射微波，則Kr (Xe)選擇性地離子化，形成 等離子，等離子的電子溫度由Kr (Xe)定義，能夠抑制對蝕刻過程中的 硅基板4表面及硅基板上形成的膜的損傷，同時能夠抑制高價Kr (Xe) 氣的使用。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如以上說明，本發(fā)明的等離子處理裝置及等離子處理方法能夠適用于 半導(dǎo)體制造工藝是不言而喻的，還能夠適用于電子/電氣設(shè)備的制造、各種 機(jī)械部件的制造。
權(quán)利要求
1.一種等離子處理方法，利用稀有氣體產(chǎn)生等離子并利用該等離子進(jìn)行被處理物的處理，所述等離子處理方法的特征在于，作為所述稀有氣體采用2種以上的不同的稀有氣體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 所述不同的稀有氣體是與電子的碰撞截面積相互不同的稀有氣體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 作為所述2種以上的不同的稀有氣體中的一種采用氬氣，作為其以外的氣體采用與電子的碰撞截面積大于氬氣的氣體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 作為所述2種以上的不同的稀有氣體中的一種采用氬氣，作為其以外的氣體采用氪及氙的一種或兩種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 通過微波激勵產(chǎn)生所述等離子。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 所述處理是所述被處理物表面的至少一部分的氧化、氮化或氧氮化，向所述被處理物表面的至少一部分成膜或者所述被處理物表面的至少一 部分的蝕刻。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于，為了利用所述等離子將所述被處理物表面的至少一部分氧化、氮化或 氧氮化，將氮化性氣體或氧化性氣體導(dǎo)入所述等離子中。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 為了在所述被處理物表面的至少一部分上進(jìn)行成膜，將成膜所需的氣體導(dǎo)入所述等離子中。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子處理方法，其特征在于， 所述成膜是絕緣膜的形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 將蝕刻所需的氣體導(dǎo)入所述等離子中，對所述被處理物表面的被選擇的部分或整個面進(jìn)行蝕刻。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理方法，其特征在于， 將所述2種以上的不同的稀有氣體中與電子的碰撞截面積大的氣體導(dǎo)入等離子激勵區(qū)域，將碰撞截面積小的氣體導(dǎo)入等離子激勵區(qū)域之外。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子處理方法，其特征在于， 為了再利用而回收所述稀有氣體的一部分或全部。
13. —種等離子處理裝置，其特征在于，設(shè)有向等離子處理室供給2種以上的不同的稀有氣體的機(jī)構(gòu)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述稀有氣體中的一種是氬氣，其以外的氣體是與電子的碰撞截面積大于氬氣的氣體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述其以外的氣體是氪及氙的一種或兩種。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子處理裝置，其特征在于， 具備用于在所述等離子處理室中產(chǎn)生等離子的微波激勵機(jī)構(gòu)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子處理裝置，其特征在于， 設(shè)有還向所述等離子室供給氮化性氣體或氧化性氣體的機(jī)構(gòu)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子處理裝置，其特征在于， 設(shè)有還向所述等離子室供給用于在被處理物上進(jìn)行成膜的氣體的機(jī)構(gòu)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子處理裝置，其特征在于， 設(shè)有還向所述等離子室供給用于蝕刻被處理物的至少一部分的氣體的機(jī)構(gòu)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子處理裝置，其特征在于， 供給所述稀有氣體的機(jī)構(gòu)包括將所述與電子的碰撞截面積大的稀有氣體導(dǎo)入等離子激勵區(qū)域的機(jī)構(gòu)和將所述氬氣導(dǎo)入等離子激勵區(qū)域之外 的機(jī)構(gòu)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子處理裝置，其特征在于， 具備稀有氣體回收裝置。
22. —種電子裝置的制造方法，其特征在于，具有利用權(quán)利要求1所述的等離子處理方法處理被處理物的工序。
全文摘要
本發(fā)明能夠盡量抑制高價氪、氙氣的消耗量，同時降低等離子處理時對被處理物的損傷。在利用稀有氣體進(jìn)行的基板的等離子處理中，使用2種以上的不同的稀有氣體，稀有氣體之一采用廉價的氬氣，其以外的氣體采用與電子的碰撞截面積大于氬氣的氪、氙的一種或兩種，能夠盡量抑制高價氪、氙氣的消耗量，同時降低等離子處理時對被處理物的損傷。
文檔編號H05H1/00GK101273671SQ20058005167
公開日2008年9月24日 申請日期2005年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月26日
發(fā)明者大見忠弘, 寺本章伸 申請人:大見忠弘