專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件(OLED)，更具體地，涉及具有摻雜的空穴傳輸層和/或空穴注入層的有機電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固化、視角寬、重量輕、組成和工藝簡單等一系列的優(yōu)點，與液晶顯示器相比，有機電致發(fā)光顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器，因此，有機電致發(fā)光顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景。
有機電致發(fā)光器件的一般結(jié)構(gòu)依次包括基體、陽極、有機層、陰極，有機功能層又包括發(fā)射層(EML)，還可以包括位于陽極與發(fā)射層之間的空穴注入層(HIL)和/或空穴傳輸層(HTL)，以及位于發(fā)射層與陰極之間的電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)，還可以包括位于發(fā)射層與電子傳輸層之間的空穴阻擋層(HBL)等。
OLED的工作原理如下當(dāng)電壓施加于陽極和陰極之間時，空穴從陽極通過空穴注入層和空穴傳輸層注入到發(fā)射層中，同時電子從陰極通過電子注入層和電子傳輸層注入到發(fā)射層中，注入到發(fā)射層中的空穴和電子在發(fā)射層復(fù)合，從而產(chǎn)生激子(exciton)，在從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榛鶓B(tài)的同時，這些激子發(fā)光。
在目前傳統(tǒng)的雙層或多層結(jié)構(gòu)器件中，空穴傳輸層是必不可少的，其具有強的載流子傳輸能力，通過能級匹配在器件中擔(dān)當(dāng)空穴傳輸?shù)淖饔谩５?，對于OLED器件，一般的，空穴傳輸?shù)哪芰σ獜娪陔娮觽鬏斈芰?0-1000倍，這會導(dǎo)致器件的效率下降和壽命減小。為了獲得高的OLED發(fā)光效率，就必須平衡空穴注入量和電子注入量。
另一方面，由于目前常用的三芳胺類衍生物作為空穴傳輸材料，如N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺(NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-雙(間甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺(TPD)等，因它們的熱穩(wěn)定性都較差，NPB的玻璃化溫度Tg為96℃，TPD的Tg僅為65℃，所以導(dǎo)致相應(yīng)的OLED器件穩(wěn)定性較差，壽命較短。
針對上述兩方面問題，為整體提高OLED器件的性能，現(xiàn)有技術(shù)中大多提出了在空穴傳輸層中采用摻雜技術(shù)的解決方案。
文獻Zhang Zhi-lin，Jiang Xue-yin and O Omoto et al.，J.Phys.DAppl.Phys.，31，32-35，1998公開了在空穴傳輸層中摻雜5，6，11，12-四苯基并四苯(rubrene)，因rubrene具有較低的最高占有軌道能級(HOMO＝-5.5eV)和較高的最低未占有軌道能級(LUMO＝-2.9eV)，在ITO/空穴傳輸層和Alq3/空穴傳輸層界面上有利于空穴和電子的注入，使OLED器件在工作中產(chǎn)生的焦耳熱受到降低，從而限制了界面分子的聚集和結(jié)晶，提高了器件的穩(wěn)定性。但是，因為rubrene本身發(fā)光，使用它作為摻雜劑，導(dǎo)致器件的發(fā)光光譜中引入了雜質(zhì)發(fā)光，影響器件的光譜特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)的前述問題，準(zhǔn)備提供一種可以大大提高發(fā)光效率和穩(wěn)定性的OLED器件。
一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極、陰極，以及介于所述陽極與陰極之間的有機功能層，有機功能層包括發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層中的至少一層，以上的至少一層功能層中包含基質(zhì)材料和摻雜材料，其中摻雜材料為惰性材料。
本發(fā)明所指的惰性材料，是指該材料在光電方面為非活性的，即是惰性材料在光、電場作用下無受激輻射和能量轉(zhuǎn)移過程，僅僅是透過或吸收光，在OLED中對光譜沒有任何影響。
功能層中的摻雜材料在基質(zhì)材料中的摻雜方式可以是全面均勻摻雜，也可以是全面梯度摻雜，還可以是區(qū)域摻雜，摻雜的區(qū)域為n個，n為1-5的整數(shù)。
摻雜材料在摻雜區(qū)域中的摻雜濃度為1-100wt％，優(yōu)選的摻雜濃度為15-70wt％。
摻雜材料選自無機惰性材料或有機惰性材料。無機惰性材料選自金屬鹵化物、金屬氮化物或金屬氧化物。有機惰性材料選自惰性小分子材料或惰性聚合物材料。
無機材料中優(yōu)選包括氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化銣、氟化鎂、氟化鈣、氟化鋁、氟化鎵、氯化鋁、氯化鈉、氯化鎂或氯化鐵等，還包括氧化鋯、氧化鉭、氧化鎂、氧化硅、氧化鋅、氧化釔、氧化鋁、氮化鋰、氮化鉀或氮化鈉等。
有機惰性小分子材料優(yōu)選自苯甲酰丙銅合鋰、甘油三醇、丙烯酰胺、乙二酸鈣等。
惰性聚合物材料選自飽和碳鏈聚合物、飽和雜鏈聚合物或飽和元素有機聚合物。優(yōu)選自聚乙烯、聚丙烯、聚異丁烯、聚丙烯腈、聚乙烯基烷基醚、聚苯乙烯，聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、聚四氟乙烯(以下簡稱Teflon)、聚氯乙烯、聚氯丁二烯、聚偏二氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯—六氟丙烯、聚四氟乙烯—全氟乙烯基烷基醚、聚丙烯酰胺、聚脲、聚砜或聚苯硫醚中的至少一種。
在各有機功能層摻雜無機或有機惰性材料，能夠有效調(diào)控載流子濃度，使空穴和電子達到最佳匹配，增強空穴和電子的有效復(fù)合，提高激子的生成效率，從而提高整個有機電致發(fā)光器件的效率。空穴受到阻擋，能夠減少Alq3正離子的生成幾率；電子注入和傳輸層材料與惰性材料發(fā)生相互作用，利于電子的注入和傳輸。借助摻雜材料的高穩(wěn)定性抑制各功能層材料的結(jié)晶，改善熱穩(wěn)定性，提高整個有機電致發(fā)光器件的穩(wěn)定性。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，可在空穴傳輸層中包含至少一種基質(zhì)材料和至少一種作為摻雜材料的惰性材料。其中基質(zhì)材料為選自芳胺類和枝聚物族類低分子材料。芳胺類材料包括N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺、N，N’-二苯基-N，N’-雙(間甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺。枝聚物族類材料包括4，4’4”-三(N-咔唑基)三苯基胺、4，4’4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺、1，3，5-三(N，N-二(4-甲氧基-苯基)-氨基苯基)-苯。該空穴傳輸層中的基質(zhì)材料和摻雜的惰性材料是通過真空氣相沉積的方法或者旋涂的方法形成的。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，可在空穴注入層中包含至少一種基質(zhì)材料和至少一種作為摻雜材料的惰性材料。其中基質(zhì)材料選自銅酞菁(CuPc)。該空穴注入層中的基質(zhì)材料和摻雜的惰性材料是通過真空氣相沉積的方法或者旋涂的方法形成的。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件具有以下優(yōu)點1.有效地提高了器件的發(fā)光效率。因為在各有機功能層摻雜了惰性材料，能夠調(diào)控載流子的濃度，使空穴和電子達到最佳匹配，大大提高了空穴和電子的復(fù)合效率，即達到了提高器件發(fā)光效率的目的。
2.空穴傳輸?shù)臏p弱使得Alq3正離子生成的幾率降低，有利于減緩工作器件的衰減。
3.摻雜材料的高熱穩(wěn)定性有效地抑制空穴傳輸材料和注入材料的晶化，使得有機薄膜的熱穩(wěn)定性明顯提高，而有機薄膜的熱穩(wěn)定性正是決定器件溫度使用范圍和熱穩(wěn)定的關(guān)鍵要素。
4.器件的發(fā)光光譜不受摻雜材料的影響，保證了色純度。


圖1是本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為實施例3的器件相關(guān)性能圖，a為起亮電壓圖，b為亮度—電壓圖，c為電流密度—電壓圖，d為效率—電流密度圖，e為半衰期圖(初始亮度1000cd/m2)。
具體實施例方式
本發(fā)明提出的有機電致發(fā)光器件中的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中1為透明基體，可以是玻璃或是柔性基片，柔性基片采用聚酯類、聚酰亞胺類化合物中的一種材料；2為第一電極層(陽極層)，可以采用無機材料或有機導(dǎo)電聚合物，無機材料一般為ITO、氧化鋅、氧化錫鋅等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，最優(yōu)化的選擇為ITO，有機導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(以下簡稱PEDOT:PSS)、聚苯胺(以下簡稱PANI)中的一種材料；3為第二電極層(陰極層、金屬層)，一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層，本發(fā)明優(yōu)選為依次的Mg:Ag合金層、Ag層和依次的LiF層、Al層。
圖1中的4為空穴注入層HIL(非必須)，其基質(zhì)材料可以采用銅酞菁(CuPc)，摻雜的無機材料可以采用氟化鎂；5為空穴傳輸層HTL，其基質(zhì)材料可以采用芳胺類和枝聚物族類低分子材料，優(yōu)選為NPB，摻雜的無機材料可以采用氟化鎂；6為有機電致發(fā)光層EML，一般采用小分子材料，可以為熒光材料，如金屬有機配合物(如Alq3、Gaq3、Al(Saph-q)或Ga(Saph-q))類化合物，該小分子材料中可摻雜有染料，摻雜濃度為小分子材料的0.01wt％～20wt％，染料一般為芳香稠環(huán)類(如rubrene)、香豆素類(如DMQA、C545T)或雙吡喃類(如DCJTB、DCM)化合物中的一種材料，發(fā)光層材料也可采用咔唑衍生物如CBP、聚乙烯咔唑(PVK)，該材料中可摻雜磷光染料，如三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)，二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)銥(Ir(ppy)2(acac))，八乙基卟啉鉑(PtOEP)等；7為電子傳輸層，使用材料也為小分子電子傳輸材料，一般為金屬有機配合物(如Alq3、Gaq3、Al(Saph-q)、BAlq或Ga(Saph-q))，芳香稠環(huán)類(如pentacene、苝)或鄰菲咯啉類(如Bphen、BCP)化合物；8為電源。
下面將給出若干實施例并結(jié)合附圖，具體解釋本發(fā)明的技術(shù)方案。應(yīng)當(dāng)注意到，下面的實施例僅用于幫助理解發(fā)明，而不是對本發(fā)明的限制。
實施例1(器件編號OLED-1)Glass/ITO/NPB/NPB:CaF2/NPB/Alq/Mg:Ag/Ag(1)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(1)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下①利用煮沸的洗滌劑超聲和去離子水超聲的方法對玻璃基片進行清洗，并放置在紅外燈下烘干，在玻璃上蒸鍍一層陽極材料，膜厚為80～280nm；②把上述帶有陽極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa在上述陽極層膜上繼續(xù)蒸鍍空穴傳輸層，先蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為20nm；再采用雙源共蒸的方法進行摻雜，NPB和CaF2的蒸鍍速率比為1∶1，CaF2在NPB中的摻雜濃度為50wt％，蒸鍍總速率為0.2nm/s，蒸鍍總膜厚為10nm；再繼續(xù)蒸鍍一層NPB薄膜，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為20nm；③在空穴傳輸層之上，繼續(xù)蒸鍍一層Alq3材料作為器件的電子傳輸層，其蒸鍍速率為0.1～0.3nm/s，蒸鍍總膜厚為50nm；④最后，在上述電子傳輸層之上依次蒸鍍Mg:Ag合金層和Ag層作為器件的陰極層，其中Mg:Ag合金層的蒸鍍速率為2.0～3.0nm/s，厚度為100nm，Ag層的蒸鍍速率為0.3nm/s，厚度為100nm。
對比例1(器件編號OLED-對1)Glass/anode/NPB:CaF2/Alq3/Mg:Ag/Ag(2)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(2)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實施例1，步驟②中采用雙源共蒸同時蒸鍍NPB和CaF2，保證CaF2全面均勻摻雜在NPB中，NPB和CaF2的蒸鍍速率比為1∶1，CaF2在NPB中的摻雜濃度為50wt％，總厚度為50nm。
對比例2(器件編號OLED-對2)Glass/anode/NPB:CaF2/Alq3/Mg:Ag/Ag(2)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(2)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實施例1，步驟②中采用雙源蒸發(fā)同時蒸鍍NPB和CaF2，保證CaF2全面梯度摻雜在NPB中，NPB和CaF2的蒸鍍速率比為從1∶9至9∶1，CaF2在NPB中的摻雜濃度從90至10wt％，總厚度為50nm。
對比例3(器件編號OLED-對3)Glass/anode/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag(2)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(2)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實施例1，步驟②中只蒸鍍NPB，厚度為50nm。
上面實施例1和對比例1、2和3的OLED器件結(jié)構(gòu)性能如下表1所示表1


實施例2(器件編號OLED-2)Glass/ITO/NPB/NPB:MgF2(x％)/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag (3)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(3)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下①利用煮沸的洗滌劑超聲和去離子水超聲的方法對玻璃基片進行清洗，并放置在紅外燈下烘干，在玻璃上蒸鍍一層陽極材料，膜厚為80～280nm；②把上述帶有陽極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa的在上述陽極層膜上繼續(xù)蒸鍍空穴傳輸層，先蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s；再采用雙源共蒸的方法進行摻雜，NPB和MgF2的蒸鍍速率比為1∶x，MgF2在NPB中的摻雜濃度為xwt％，蒸鍍總速率為0.1～0.8nm/s；再繼續(xù)蒸鍍一層NPB薄膜，蒸鍍速率為0.1nm/s；③在空穴傳輸層之上，繼續(xù)蒸鍍一層Alq3材料作為器件的電子傳輸層，其蒸鍍速率為0.2～0.3nm/s，蒸鍍總膜厚為50nm；④最后，在上述電子傳輸層之上依次蒸鍍Mg:Ag合金層和Ag層作為器件的陰極層，其中Mg:Ag合金層的蒸鍍速率為2.0～3.0nm/s，厚度為100nm，Ag層的蒸鍍速率為0.3nm/s，厚度為100nm。
OLED-2的器件結(jié)構(gòu)性能數(shù)據(jù)如下表2所示，相應(yīng)的器件性能圖參見圖2表2


從圖2和表2中可以看到，摻雜層遠(yuǎn)離發(fā)光層和陽極時，器件的性能有顯著提高，降低了起亮電壓和驅(qū)動電壓，提高了器件效率。若摻雜層緊靠發(fā)光層時，氟化鎂中的氟離子與發(fā)光材料有相互作用，會造成發(fā)光淬滅；若摻雜層靠近陽極，摻雜層和陽極的界面勢壘會妨礙空穴注入，進而引起起亮電壓的升高。所以摻雜層處于空穴傳輸層中間部位時能夠避免前述情況，利于器件性能的提高。
實施例3(器件編號OLED-3)Glass/ITO/NPB/NPB:AlF3(30％)/NPB/NPB:AlF3(30％)/NPB/Alq/Mg:Ag/Ag(4)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(4)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實施例1，步驟②中采用先蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s，再采用雙源蒸鍍的方法在NPB中摻雜AlF3，再蒸鍍NPB，再雙源蒸鍍蒸鍍NPB中摻雜AlF3，最后再蒸鍍一層NPB薄膜的方法。
實施例4(器件編號OLED-4)Glass/ITO/NPB/〔NPB:MgO(15％)/NPB〕5/Alq/Mg:Ag/Ag(5)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(5)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實施例1，步驟②中采用先蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s，然后采用雙源共蒸的方法在NPB中摻雜MgO，接著再蒸鍍NPB，這樣交替制備薄膜共五次。
實施例5(器件編號OLED-5)Glass/ITO/CuPc/CuPc:Li3N(70％)/NPB/NPB:LiF(50％)/NPB/NPBLiF(15％)/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag(6)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(6)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下
步驟①、③和④同實施例3，步驟②中采用先蒸鍍一層CuPc薄膜，速率為0.1～0.2nm/s，然后采用雙源蒸鍍的方法在CuPc中摻雜Li3N，接著再蒸鍍NPB，再采用雙源蒸鍍的方法在NPB中摻雜LiF，再蒸鍍NPB，再雙源蒸鍍蒸鍍NPB中摻雜LiF，最后再蒸鍍一層NPB薄膜的方法。
實施例6(器件編號OLED-6)Glass/ITO/CuPc/NPB/NPB:Teflon(20％)/NPB/NPB:Teflon(15％)/NPB/Alq3/Mg:Ag/Ag(7)制備具有以上結(jié)構(gòu)式(7)的有機電致發(fā)光器件具體制備方法如下步驟①、③和④同實施例三，步驟②中采用先蒸鍍一層CuPc薄膜，速率為0.1～0.2nm/s，然后接著再蒸鍍NPB，再采用雙源蒸鍍的方法在NPB中摻雜Teflon，再蒸鍍NPB，再雙源蒸鍍蒸鍍NPB中摻雜Teflon，最后再蒸鍍一層NPB薄膜的方法。
實施例7(器件編號OLED-6)Glass/ITO/NPB/NPB:Teflon(20％)/NPB/Alq3/Alq3:Teflon(10％)/Alq3/Mg:Ag/Ag(8)步驟①、③和④同實施例1，步驟②中先蒸鍍一層NPB薄膜，速率為0.1nm/s，再采用雙源共蒸的方法在NPB中摻雜Teflon，再蒸鍍NPB；步驟③中先蒸鍍一層Alq3薄膜，再采用雙源共蒸的方法在Alq3中摻雜Teflon，最后蒸鍍一層Alq3薄膜，速率為0.1nm/s。OLED-3、OLED-4、OLED-5、OLED-6和OLED-7的器件結(jié)構(gòu)性能數(shù)據(jù)如下表3所示表3

盡管結(jié)合優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明并不局限于上述實施例，應(yīng)當(dāng)理解，所附權(quán)利要求概括了本發(fā)明的范圍，在本發(fā)明構(gòu)思的引導(dǎo)下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)意識到，對本發(fā)明的各實施例方案所進行的一定的改變，都將被本發(fā)明的權(quán)利要求書的精神和范圍所覆蓋。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極、陰極，以及介于所述陽極與陰極之間的有機功能層，有機功能層包括發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層中的至少一層，其特征在于，有機功能層中的至少一層中包含基質(zhì)材料和摻雜材料，該摻雜材料為惰性材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述的摻雜材料全面均勻摻雜在基質(zhì)材料中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述的摻雜材料全面梯度摻雜在基質(zhì)材料中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述的摻雜材料區(qū)域摻雜在基質(zhì)材料中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4的有機電致發(fā)光器件，其中所述摻雜材料的摻雜區(qū)域為n個，n為1～5的整數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述摻雜材料在摻雜區(qū)域中的摻雜濃度為1～100wt％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6的有機電致發(fā)光器件，其中所述摻雜材料在摻雜區(qū)域中的摻雜濃度為15～70wt％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述摻雜材料選自無機惰性材料或有機惰性材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8的有機電致發(fā)光器件，其中所述用作摻雜材料的無機材料選自金屬鹵化物、金屬氮化物或金屬氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的有機電致發(fā)光器件，其中所述用作摻雜材料的無機材料選自堿金屬或堿土金屬的氟化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的有機電致發(fā)光器件，其中所述用作摻雜材料的無機材料選自氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化銣、氟化鎂或氟化鈣中的一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的有機電致發(fā)光器件，其中所述用作摻雜材料的無機材料選自氟化鋁、氟化鎵、氯化鋁、氯化鈉、氯化鎂、氯化鐵、氧化鋯、氧化鉭、氧化鎂、氧化硅、氧化鋅、氧化釔、氧化鋁、氮化鋰、氮化鉀或氮化鈉中的一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或8的有機電致發(fā)光器件，其中所述用作摻雜材料的有機惰性材料選自惰性小分子材料或惰性聚合物材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的有機電致發(fā)光器件，其中所述用作摻雜材料的有機惰性小分子材料選自苯甲酰丙銅合鋰、甘油三醇、丙烯酰胺、乙二酸鈣等。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的有機電致發(fā)光器件，其中所述用作摻雜材料的惰性聚合物材料選自飽和碳鏈聚合物、飽和雜鏈聚合物或飽和元素有機聚合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的有機電致發(fā)光器件，其中所述惰性聚合物材料選自下列化合物中的至少一種聚乙烯、聚丙烯、聚異丁烯、聚丙烯腈、聚乙烯基烷基醚、聚苯乙烯，聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、聚氯丁二烯、聚偏二氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯-六氟丙烯、聚四氟乙烯-全氟乙烯基烷基醚、聚丙烯酰胺、聚脲、聚砜或聚苯硫醚中的至少一種。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極、陰極，以及介于兩電極之間的有機功能層，有機功能層中的至少一層包含基質(zhì)材料和摻雜材料，該摻雜材料選自惰性材料。本發(fā)明克服了現(xiàn)有OLED器件穩(wěn)定性較差、壽命較短的缺陷，在器件中采用惰性材料摻雜的結(jié)構(gòu)，有效地提高了器件的發(fā)光效率，同時有利于減緩工作器件的衰減，并使得器件的熱穩(wěn)定性得到很好的提高，從而使器件壽命獲得顯著提高。
文檔編號H05B33/22GK1897777SQ20061001191
公開日2007年1月17日 申請日期2006年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月16日
發(fā)明者邱勇, 謝靜, 王立鐸, 段煉 申請人:清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司