專利名稱：：金屬基電路基板、led及l(fā)ed光源單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及確保散熱性和電絕緣性且電磁波屏蔽性良好的可彎折的金屬基電路基板、使用該基板的發(fā)光二極管(LED:LightEmittingDiode)及LED光源單元，特別是涉及適合于液晶顯示裝置的背光源的LED光源單元。
背景技術(shù)：
：近年來，半導體搭載用的電路基板被要求基板的小型化、高密度安裝化和高性能化，還由于半導體元件等的小型化、高功率化，產(chǎn)生了在狹小的空間內(nèi)如何散發(fā)從半導體元件等發(fā)出的熱量的問題。特別是在以電源領(lǐng)域和汽車電子裝飾領(lǐng)域為主的領(lǐng)域中，由于散熱性良好，一直以來采用在金屬板上隔著絕緣層接合金屬箔并形成電路的金屬基電路基板。但是，金屬基電路基板的基底基板厚度一般為1.0mm3.Omm，因此難以薄型化，設(shè)置位置受到限制。此外，由于是在金屬板上介以薄的絕緣層的結(jié)構(gòu)，存在容易產(chǎn)生噪聲、容易引起模塊的誤動作的問題。為了提供噪聲屏蔽和散熱性，例如公知有在金屬基電路基板上的整面或一部分通過粘接劑層疊具有電路的上層電路基板而得的金屬基多層基板(參照專利文獻l)。這樣的結(jié)構(gòu)中，由于在金屬板和上層基板之間存在導熱性差的粘接劑層，因此在上層電路圖案上搭載高功率元件的情況下，存在散熱性不充分，元件的溫度上升，進而發(fā)生誤動作的問題。為了解決上述的散熱性的問題，公知有具有高導熱性絕緣層的金屬基電路基板(參照專利文獻2)。但是，由于金屬板厚，無法沿彎曲的盒等盒體形狀貼附設(shè)置，所以無法充分發(fā)揮絕緣層的散熱性，而且由于無法實現(xiàn)彎曲的設(shè)置等，因此設(shè)置需要大的空間，存在模塊無法小型化的問題。另一方面，在金屬板上設(shè)置由填充了無機填料的環(huán)氧樹脂等形成的絕緣層并在其上形成電路圖案的金屬基電路基板由于散熱性和電絕緣性良好，被用作安裝高發(fā)熱性電子部件的通信設(shè)備和汽車等的電子設(shè)備用電路基板(參照專利文獻3)。如果金屬基電路基板可以任意地彎折，則通常設(shè)置于平坦部分的安裝位置的限制得到緩解，可以通過粘接、接合和螺釘固定等使其密合于盒體的側(cè)面或底面或者錯層或曲面等，可以實現(xiàn)安裝高發(fā)熱性電子部件的電子設(shè)備的小型化。此外，如果可以使金屬基電路基板本身變薄，則可以插入或固定于間隔狹小的空間，因此可以實現(xiàn)安裝高發(fā)熱性電子部件的電子設(shè)備的薄型化。提出有以下的技術(shù)方案通過將金屬基電路基板在12(TC以上的溫度下加熱的方法，即在將金屬基電路基板加熱至比絕緣層的玻璃化溫度(Tg)高l(TC以上的溫度的狀態(tài)下進行彎曲加工或擠壓加工，將具有不平坦的部分的金屬基電路基板與盒體或電子電路管殼兼用(參照專利文獻4)。此外，將發(fā)光二極管用作光源的發(fā)光二極管光源單元被用于各種領(lǐng)域，但例如液晶顯示裝置的背光光源通常使用被稱作CFL(冷陰極管)的小型熒光管。前述CFL的光源采用在放電管中封入Hg(水銀)，從通過放電被激發(fā)的水銀放出的紫外線射到CFL的管壁的熒光體，被轉(zhuǎn)化為可見光的結(jié)構(gòu)。因此，最近考慮到環(huán)境方面，要求使用不采用有害的水銀的替代光源。作為新的光源，雖然提出使用發(fā)光二極管(以下略作"LED")，但LED對光存在指向性，特別是對于柔性基板等進行面安裝的類型從一個方向獲取光，因此與以往的使用CFL的結(jié)構(gòu)不同，光的損失也少，因此被用于面狀光源方式的背光源(參照專利文獻5)。將LED作為光源的背光源伴隨低價格化和發(fā)光效率提高以及環(huán)境限制，作為液晶顯示裝置的背光源開始普及。同時，隨著液晶顯示裝置的高亮度化和顯示區(qū)域的大型化，為了使發(fā)光量提高，LED向柔性基板等的搭載數(shù)不斷增加，而且輸出功率越來越大。然而，LED的光源的發(fā)光效率低，因此LED發(fā)光時輸入電力大部分被轉(zhuǎn)化為熱量放出。LED通電就產(chǎn)生熱量，由于產(chǎn)生的熱量而形成高溫，若其程度嚴重，貝IJLED被破壞。將LED作為光源的背光源中，該發(fā)生熱量積聚于LED和安裝其的基板，隨著LED的溫度上升，導致LED本身的發(fā)光效率下降。而且，如果為了增加背光的亮度而增加LED的安裝數(shù)或增加輸入電力，則其發(fā)熱量增大，所以重要的是除去該熱量。為了減少LED安裝基板的熱量積聚，減小LED芯片的溫度上升，提出了以下的技術(shù)方案在LED安裝基板的LED芯片安裝面形成安裝LED芯片的安裝金屬膜、向LED芯片供給驅(qū)動電流的金屬驅(qū)動配線、用于散熱的金屬膜圖案，在與LED芯片安裝面相對的面形成散熱用金屬膜，在LED芯片安裝基板的厚度方向形成連接一主面?zhèn)鹊慕饘賵D案和另一主面?zhèn)鹊纳嵊媒饘倌さ慕饘偻祝瑢⒆訪ED的發(fā)熱通過金屬通孔散熱到背面的金屬膜(參照專利文獻6)。但是，安裝的LED的形狀小的情況下，存在安裝金屬膜的面積受到限制、形成于LED正下方的金屬通孔的數(shù)量受到限制的問題，因基板面積的限制而無法在安裝基板上形成金屬膜圖案的情況下，存在無法高效地將LED中產(chǎn)生的熱量散熱到基板背面等問題。另外，如果使用采用厚2mra的金屬基底板的金屬基電路基板代替柔性基板，則可以不設(shè)置金屬通孔而獲得良好的散熱性，但存在基板厚度變厚，而且與柔性基板相比需要增大自電極和配線圖案等的沖切尺寸，基板面積增大的問題。另外，由于除LED搭載部分以外無法任意地彎折，因此輸入端子的形成位置受到限制。除此之外，如果采用減小前述金屬基電路基板的金屬基底厚度而與柔性基板同樣地減小自電極和配線圖案等的沖切尺寸的結(jié)構(gòu)，則金屬基電路基板稍有彎曲就在絕緣層形成裂縫，無法使用。同樣存在LED搭載部分無法任意地彎折的問題。此外，由于可在室溫下彎折使用，具有彎折加工性，因此開發(fā)了隔著絕緣層設(shè)置導體電路而成的采用940um左右的金屬箔的金屬基電路基板，所述絕緣層采用填充了導熱性填料、室溫下的彎折性良好、具有散熱性的絕緣層替代以往的聚酰亞胺類絕緣層。然而，如果導體電路以O(shè).5mm以下的非常小的曲率半徑彎折9(T以上，則被彎折的部分的絕緣層可能會出現(xiàn)裂縫而無法使用。因此，如果通過在聚酰亞胺膜上形成了環(huán)氧粘接層的被覆層進行補強，則可以防止彎折部分的絕緣層產(chǎn)生裂縫，但是彎折性下降，因此存在難以以0.5mm以下的非常小的曲率半徑彎折90°以上的問題。此外，半導體搭載用的電路基板或搭載了小型精密電動機的情況下，存在容易產(chǎn)生噪聲而容易引起模塊的誤動作的問題。專利文獻l:日本專利特開平05-037169號公報專利文獻2:日本專利特開平09-139580號公報專利文獻3:日本專利特開昭62-271442號公報專利文獻4:日本專利特開2001-160664號公報專利文獻5:日本專利特開2005-293925號公報專利文獻6:日本專利特開2005-283852號公報發(fā)明的揭示本發(fā)明將解決前述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題作為課題，提供散熱性良好且具有良好的彎折性、電磁波屏蔽性和絕緣性也良好的金屬基電路基板及其制法，以及使用該基板的混合集成電路、以被覆層補強的LED模塊、LED的損傷得到防止且亮度高的長壽命LED光源單元。艮卩，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下。(1)金屬基電路基板，它是交錯層疊有絕緣層和導體電路或金屬箔的電路基板，其特征在于，導體電路或金屬箔的厚度為5"m450um，絕緣層由含有無機填料和熱固化性樹脂的樹脂組合物的固化體形成，前述絕緣層的厚度為9um300um。(2)如(1)所述的金屬基電路基板，其中，用于電連接導體電路或金屬箔的通孔中的至少l個在0.0078mrr^以上。(3)如(1)或(2)所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層的熱導率為l4W/mK。(4)如(1)(3)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層的玻璃化溫度為04(TC。(5)如(1)(4)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層為含有2560體積X熱固化性樹脂且其余部分由鈉離子濃度在500ppm以下的無機填料構(gòu)成的樹脂組合物的固化體，所述無機填料由最大粒徑75um以下的平均粒徑540um的球狀粗粒和平均粒徑O.33.Oum的球狀微粒構(gòu)成。(6)如(1)(5)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂含有經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂。(7)如(6)所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂含有環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的環(huán)氧樹脂。(8)如(6)或(7)所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂含有作為固化劑的聚氧化烯多胺。(9)如(6)(8)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂中的氯化物離子濃度在500ppm以下。(10)如(1)(9)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，將該電路基板在任意位置以l5mm的曲率半徑彎折90。以上時，導體電路或金屬箔的各層間的耐電壓在1.0kV以上。(11)如(1)(10)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，在金屬箔上隔著絕緣層設(shè)置導體電路，再設(shè)置厚度為5um25nra的被覆層而成，被覆層的至少一部分被除去而形成的縫隙形成于未設(shè)置前述導體電路的部分。(12)如(11)所述的金屬基電路基板，其中，前述縫隙被加工成相對于彎折部分的長度為50%95%。(13)如(11)或(12)所述的金屬基電路基板，其中，前述被覆層的厚度為5um25um。(14)如(11)(13)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，在前述縫隙部彎折。(15)如(11)(14)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層表面以O(shè).10.5mm的曲率半徑彎折90。以上。(16)如(11)(15)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，在被覆層的表面上層疊有具有磁性損耗的層或具有介電損耗的層。(17)如(11)(16)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，具有磁性損耗的層由縱橫比在2以上的磁性材料和有機粘結(jié)材料形成，前述磁性材料的含量為3070體積％，而且該具有磁性損耗的層的厚度為3uffl50um。(18)如(11)(16)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，具有介電損耗的層由比表面積為20110m7g的碳粉和有機粘結(jié)材料形成，前述碳粉的含量為560體積％，該具有磁性損耗的層的厚度為3um50um。(19)混合集成電路，其特征在于，使用(1)(10)中的任一項所述的金屬基電路基板。(20)LED，其特征在于，在(11)(18)中的任一項所述的金屬基電路基板上電連接至少1個LED而成。(21)LED光源單元，其特征在于，將(1)(18)中的任一項所述的金屬基電路基板通過粘膠帶配置于盒體表面，并且在前述金屬基電路基板的導體電路上搭載l個以上的發(fā)光二極管而成。(22)如權(quán)利要求(21)所述的LED光源單元，其中，粘膠帶的熱導率為12W/mK,厚度為50tim150tim。(23)如權(quán)利要求(21)或(22)所述的LED光源單元，其中，粘膠帶含有含丙烯酸和/或甲基丙烯酸的高分子。(24)如權(quán)利要求(21)(23)中的任一項所述的LED光源單元，其中，粘膠帶含有4080體積％導熱性電絕緣劑。(25)如權(quán)利要求(21)(24)中的任一項所述的LED光源單元，其中，導熱性電絕緣劑的最大粒徑在45tim以下，平均粒徑為O.530"m。本發(fā)明的金屬基電路基板具有電磁波屏蔽性、散熱性、電絕緣性且在室溫下可彎折，因此不僅可設(shè)置于平坦的部分，還可以使其密合于盒體的側(cè)面或底面或者錯層或曲面等。另外，因為可以在安裝了需要散熱的半導體元件或阻抗芯片等電氣部件的狀態(tài)下容易地在室溫下彎折，所以可以實現(xiàn)以往很困難的安裝了高發(fā)熱性電子部件的電子設(shè)備的小型化或薄型化。另外，因為可以將從LED光源發(fā)出的熱量散熱到基板背面?zhèn)?，通過導熱性粘膠帶散發(fā)到外部，所以可以降低LED安裝基板的熱量積聚，減小LED的溫度上升。因此，可以抑制LED的發(fā)光效率下降，防止LED的損傷，提供亮度高且壽命長的LED光源單元。附圖的簡單說明圖l-l為使用本發(fā)明的金屬基電路基板的混合集成電路的一例的示意圖。圖2-l為本發(fā)明的金屬基電路基板的一例的平面圖。圖2-2為本發(fā)明的金屬基電路基板(在圖2-l的表面上配置了被覆層)的一例的平面圖。圖2-3為本發(fā)明的金屬基電路基板(在圖2-2的表面上配置了具有磁性損耗的層或具有介電損耗的層)的一例的平面圖。圖2-4為本發(fā)明的金屬基電路基板(在圖2-3的表面上配置了散熱部件)的一例的平面圖。圖2-5為本發(fā)明的另一金屬基電路基板的截面圖。圖2-6為本發(fā)明的另一金屬基電路基板的平面圖。圖2-7為本發(fā)明的另一金屬基電路基板的平面圖。圖3-1為本發(fā)明的LED光源單元的一例的截面圖。符號的說明l:金屬箔，2:絕緣層，3:導體電路，4:散熱器，5:輸出用半導體，6:控制用半導體，7:接合線，8:芯片部件，9:軟釬焊部，IO:熱傳導性粘接劑，ll:具有散熱性的盒體，21:金屬箔，22:絕緣層，23:導體電路，24:電極，25:縫隙部，26:被覆層，26a:環(huán)氧粘接層，27:部件搭載部，28:輸入端子，29a:具有磁性損耗的層，29b:具有介電損耗的層，210:發(fā)熱部件(LED)，211:彎折位置，212:盒體，213:熱傳導性粘膠帶，31:金屬箔，32:絕緣層，33:導體電路，34:輸入電路(引出配線)，35:軟釬焊部，36:LED，37:導熱性粘膠帶，38:盒體。實施發(fā)明的最佳方式本發(fā)明的金屬基電路基板、混合集成電路、LED模塊、LED光源單元的優(yōu)選形態(tài)如下。(l-l)金屬基電路基板，它是在金屬箔上隔著絕緣層設(shè)置導體電路的電路基板，其中，前述金屬箔的厚度為5um300um，含有無機填料和熱固化性樹脂的前述絕緣層的厚度為80um200ura，前述導體電路的厚度為9"m140u(l-2)如(l-l)所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂含有經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂。(1-3)如(1-2)所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂含有環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的高分子量環(huán)氧樹脂。(1-4)如(1-1)(1-3)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂中的氯化物離子濃度在500ppm以下。(1-5)如(1-1)(1-4)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層的玻璃化溫度為04(TC。(1-6)如(1-1)(1-5)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層含有2550體積％熱固化性樹脂，其余部分為由最大粒徑75ura以下的平均粒徑1040iim的球狀粗粒和平均粒徑O.41.2"m的球狀微粒構(gòu)成的鈉離子濃度在500ppm以下的無機填料。(l-7)如(l-l)(l-6)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，向?qū)w電路側(cè)或與導體電路的相反側(cè)彎折。(1-8)如(1-1)(1-6)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，以l5mm的曲率半徑向?qū)w電路側(cè)或與導體電路的相反側(cè)彎折9(T以上。(1-9)如(1-1)(1-6)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層的熱導率為l4W/mK，在以l5mm的曲率半徑彎折90。以上的狀態(tài)下，導體電路與金屬箔之間的耐電壓在l.5kV以上。(1-10)(l-7)(l-9)中的任一項所述的金屬基電路基板的制造方法，其特征在于，在室溫下彎折。(1-11)使用(l-l)(卜9)中的任一項所述的金屬基電路基板的混合集成電路。(2-l)電路基板，它是交錯層疊有絕緣層和導體電路或金屬箔的電路基板，其特征在于，導體電路或金屬箔的厚度為5um450iim，絕緣層由含有無機填料和熱固化性樹脂的樹脂組合物的固化體形成，前述絕緣層的厚度為9tim300tim。(2-2)如(2-l)所述的電路基板，其中，用于電連接導體電路或金屬箔的通孔中的至少l個在O.0078mm2以上。(2-3)如(2-1)或(2-2)所述的電路基板，其中，絕緣層的熱導率為l4W/raK。(2-4)如(2-1)(2-3)中的任一項所述的電路基板，其中，絕緣層的玻璃化溫度為04CTC。(2-5)如(2-1)(2-4)中的任一項所述的電路基板，其中，絕緣層為含有2560體積％熱固化性樹脂且其余部分由無機填料構(gòu)成的樹脂組合物的固化體，所述無機填料由最大粒徑75um以下的平均粒徑540um的球狀粗粒和平均粒徑O.33.0nm的球狀微粒構(gòu)成。(2-6)如(2-1)(2-5)中的任一項所述的電路基板，其中，將該電路基板在任意位置以l5mm的曲率半徑彎折9(T以上時，導體電路或金屬箔的各層間的耐電壓在l.OkV以上。(3-l)金屬基電路基板，它是在金屬箔上隔著絕緣層設(shè)置導體電路并再設(shè)置被覆層而成的金屬基電路基板，其特征在于，至少被覆層的一部分被除去而形成的縫隙形成于未設(shè)置前述導體電路的部分。(3-2)如(3-l)所述的金屬基電路基板，其中，前述縫隙被加工成相對于彎折部分的長度為50%95%。(3-3)如(3-l)或(3-2)所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層由含有無機填料的熱固化性樹脂形成，該絕緣層的厚度為30um80um，金屬箔的厚度為5tim40um，而且導體電路的厚度為9ura40um。(3-4)如(3-1)(3-3)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層由5075體積X由最大粒徑30um以下的平均粒徑215um的球狀粒子組成的鈉離子濃度在500ppm以下的無機填料和其余部分的熱固化性樹脂形成。(3-5)如(3-l)(3-4)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂含有經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂。(3-6)如(3-l)(3-5)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂含有環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的高分子量環(huán)氧樹脂。(3-7)如(3-l)(3-6)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，熱固化性樹脂中的氯化物離子濃度在500ppm以下。(3-8)如(3-1)(3-7)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層的玻璃化溫度為04(TC。(3-9)如(3-l)(3-8)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，被覆層的厚度為5"m25"m。(3-10)如(3-1)(3-9)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，在縫隙部彎折。(3-11)如(3-1)(3-10)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層表面以O(shè).10.5mm的曲率半徑彎折9(T以上。(3-12)如(3-l)(3-ll)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，在被覆層的表面上層疊有具有磁性損耗的層或具有介電損耗的層。(3-13)如(3-12)所述的金屬基電路基板，其中，具有磁性損耗的層由縱橫比在2以上的磁性材料和有機粘結(jié)材料形成，前述磁性材料的含量為3070體積％，而且該具有磁性損耗的層的厚度為3um50ym。(3-14)如(3-12)所述的金屬基電路基板，其中，具有介電損耗的層由比表面積為20110m7g的碳粉和有機粘結(jié)材料形成，前述碳粉的含量為560體積%，該具有磁性損耗的層的厚度為3um50iira。(3-15)如(3-14)所述的金屬基電路基板，其中，碳粉為基于JISK1469的體積電阻率在O.lQcm以下的硼固溶的炭黑。(3-16)如(3-l)(3-15)中的任一項所述的金屬基電路基板，其中，絕緣層的熱導率為l4W/mK，導體電路與金屬箔之間的耐電壓在1.0kV以上。(3-17)LED，其特征在于，在(3-1)(3-16)中的任一項所述的金屬基電路基板的導體電路上電連接至少1個的LED。(4-l)LED光源單元，它是將在金屬箔上隔著絕緣層設(shè)置導體電路的金屬基電路基板通過粘膠帶配置于盒體表面并在前述金屬基電路基板的導體電路上搭載1個以上的發(fā)光二極管而成的LED光源單元，其特征在于，前述金屬箔的厚度為18"m300um,前述絕緣層含有無機填料和熱固化性樹脂，厚度為80ym200um，前述導體電路的厚度為9um140"m。(4-2)如(4-l)所述的LED光源單元，其中，絕緣層的熱導率為l4W/mK。(4-3)如(4-l)或(4-2)所述的LED光源單元，其中，絕緣層含有2550體積%熱固化性樹脂，其余部分為由最大粒徑75nm以下的平均粒徑1040um的球狀粗粒和平均粒徑O.41.2um的球狀微粒構(gòu)成的無機填料。(4-4)如(4-1)(4-3)中的任一項所述的LED光源單元，其中，絕緣層中的熱固化性樹脂的玻璃化溫度為04(TC。(4-5)如(4-l)(4-4)中的任一項所述的LED光源單元，其中，熱固化性樹脂含有經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂。(4-6)如(4-1)(4-5)中的任一項所述的LED光源單元，其中，熱固化性樹脂含有環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的環(huán)氧樹脂。(4-7)如(4-l)(4-6)中的任一項所述的LED光源單元，其中，熱固化性樹脂含有聚氧化烯多胺。(4-8)如(4-1)(4-7)中的任一項所述的LED光源單元，其中，以活性氫當量相對于熱固化性樹脂所含的環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當量為O.8l倍的條件，含有聚氧化烯多胺。(4-9)如(4-1)(4-8)中的任一項所述的LED光源單元，其中，金屬基電路基板在除安裝LED的部分以外的1處以上的部分向?qū)w電路面或與導體電路面的相反側(cè)以l5mm的曲率半徑彎折90。以上，而且前述彎折了的金屬基電路基板的導體電路與金屬箔之間的耐電壓在1.5kV以上。(4-10)如(4-1)(4-9)中的任一項所述的LED光源單元，其中，粘膠帶的熱導率為l2W/mK,厚度為50um150"m。(4-11)如(4-1)(4-IO)中的任一項所述的LED光源單元，其中，粘膠帶含有含丙烯酸和/或甲基丙烯酸的高分子。(4-12)如(4-1)(4-ll)中的任一項所述的LED光源單元，其中，粘膠帶含有4080體積％導熱性電絕緣劑。(4-13)如(4-1)(4-12)中的任一項所述的LED光源單元，其中，導熱性電絕緣劑為丙烯酸橡膠。(4-14)如(4-1)(4-13)中的任一項所述的LED光源單元，其中，前述高分子為將包含(甲基)丙烯酸酯單體的單體聚合而成的丙烯酸聚合物。(4-15)如(4-1)(4-14)中的任一項所述的LED光源單元，其中，前述(甲基)丙烯酸酯單體為丙烯酸-2-乙基己酯。(4-16)如(4-1)(4-15)中的任一項所述的LED光源單元，其中，導熱性電絕緣劑的最大粒徑在45um以下，平均粒徑為O.530Um。(4-17)如(4-1)(4-16)中的任一項所述的LED光源單元，其中.，導熱性電絕緣劑為選自氧化鋁、結(jié)晶性二氧化硅和氫氧化鋁的l種以上。以下，對用于實施本發(fā)明的優(yōu)選方式進行詳細說明。下述的金屬基電路基板的結(jié)構(gòu)及作為主要構(gòu)成材料的金屬箔、無機填料、熱固化性樹脂、導體電路等適用于對混合集成電路、LED模塊、LED光源單元。〈金屬基電路基板〉對作為本發(fā)明的基礎(chǔ)的金屬基電路基板的結(jié)構(gòu)、構(gòu)成材料的特性等進行說明。本發(fā)明的電路基板是交錯層疊有絕緣層和導體電路或金屬箔的電路基板，導體電路或金屬箔的厚度為5um450um，絕緣層由含有無機填料和熱固化性樹脂的樹脂組合物的固化體形成，前述絕緣層的厚度為9um300um。其原因在于，導體電路或金屬箔的厚度在5"ra以下時，由于處理等的問題而無法制造，在450"m以上時，不僅彎折性下降，而且電路基板整體變厚。本發(fā)明中，金屬基電路基板可以在室溫下彎折使用，而且由于即使反復彎折也可以使用，因此加工性高，可以實現(xiàn)再利用等。[金屬箔]作為金屬箔的材質(zhì)，可以使用鋁或鋁合金、銅或銅合金、鐵、不銹鋼等。此外，根據(jù)金屬箔的材質(zhì)，為了使粘接性提高，較好是對金屬箔的絕緣層側(cè)實施電解處理、蝕刻處理、等離子體處理、底涂處理或偶聯(lián)處理等表面處理。[絕緣層]本發(fā)明中，絕緣層的熱導率較好是l4W/mK，更好是23W/mK。如果熱導率不到lW/mK，電路基板的熱阻高，可能會無法獲得目標的散熱性。此外，為了獲得4W/mK以上的熱導率，需要增加無機填料的量，因此失去柔軟性，可能會無法獲得良好的彎曲性能。此外，絕緣層的玻璃化溫度較好是04(TC，更好是103(TC。如果玻璃化溫度不到(TC，則剛性和電絕緣性低，如果超過4(TC，則彎曲性低下。如果玻璃化溫度為04CTC，不會像以往的金屬基基板中所用的絕緣層那樣在室溫下堅硬，在室溫下即使實施彎曲加工或擠壓加工也不易發(fā)生與金屬箔的剝離或絕緣層開裂等引起的耐電壓的下降。絕緣層的厚度較好是9um300um。本發(fā)明中，絕緣層為含有2560體積％熱固化性樹脂且其余部分由無機填料構(gòu)成的樹脂組合物的固化體，所述無機填料由最大粒徑75um以下的平均粒徑540wm的球狀粗粒和平均粒徑O.33.0iim的球狀微粒構(gòu)成。如果熱固化性樹脂的含量在上述體積％以上，則散熱性下降，無法獲得上述的熱導率。作為構(gòu)成絕緣層的熱固化性樹脂，可以在以環(huán)氧當量為8004000的直鏈狀的高分子環(huán)氧樹脂以及經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂為主體的樹脂中再摻入酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠等，如果考慮到室溫下的彎折性、電絕緣性、耐熱性等，它們的摻入量相對于與環(huán)氧樹脂的總量較好是在30質(zhì)量％以下。作為構(gòu)成絕緣層的熱固化性樹脂，可以使用環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、有機硅樹脂、丙烯酸樹脂等。其中，較好是含有無機填料的同時，在固化狀態(tài)下金屬箔l與導體電路的粘合力良好，而且室溫下彎曲性良好的以環(huán)氧樹脂和加成聚合型的環(huán)氧固化劑為主要成分的材料。.作為加成聚合型的環(huán)氧固化劑，較好是具有在熱固化后使熱固化性樹脂的彎曲性提高的效果的聚氧化烯多胺，為了確保絕緣層的剛性、彎曲加工性、絕緣性等，較好是以活性氫當量相對于熱固化性樹脂所含的環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當量為0.81倍的條件進行添加。另外，作為構(gòu)成絕緣層的熱固化性樹脂，較好是使用經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂，如果環(huán)氧當量為180240，則在室溫下呈液狀，在熱固化性樹脂中可以在60100質(zhì)量％的范圍內(nèi)使用。該經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂與常用的雙酚F型和A型相比，不是剛硬的結(jié)構(gòu)，因此作為固化性樹脂組合物時彎曲性良好。此外，由于樹脂的粘度低，因此可以在熱固化性樹脂中添加040質(zhì)量％環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的高分子量環(huán)氧樹脂，在絕緣層中添加5075體積％無機填料。經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當量不到180時，環(huán)氧樹脂的純化過程中殘存的具有環(huán)氧基的低分子量雜質(zhì)多，粘接強度和絕緣性下降，因此是不理想的。此外，如果環(huán)氧當量超過240，則樹脂粘度高，樹脂粘度由于環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的高分子量環(huán)氧樹脂的添加而進一步上升，難以在熱固化性樹脂中添加040質(zhì)量％高分子量環(huán)氧樹脂，在絕緣層中可以添加5075體積％無機填料。如果使絕緣層中含有環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的高分子量環(huán)氧樹脂，與在熱固化性樹脂中僅使用環(huán)氧當量不到800的直鏈狀的環(huán)氧樹脂的情況相比，粘合性提高。另外，如果環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的高分子量環(huán)氧樹脂采用經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂，則不僅粘合性提高，室溫下的彎曲性也提高，所以是更理想的。此外，如果使絕緣層中含有環(huán)氧當量超過4000的直鏈狀的高分子量環(huán)氧樹脂，則無機填料的填充困難，與其它環(huán)氧樹脂的相溶困難，在環(huán)氧樹脂、環(huán)氧固化劑、無機填料和其它含有成分等不均勻的狀態(tài)下形成絕緣層，因此散熱性和電絕緣性低下。環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的環(huán)氧樹脂較好是在固化性樹脂中添加40質(zhì)量％以下，如果超過40質(zhì)量％，則環(huán)氧固化劑的添加量變少，熱固化性樹脂的玻璃化溫度(Tg)上升，彎曲性可能會下降。構(gòu)成絕緣層的熱固化性樹脂中的氯化物離子濃度較好是在500ppm以下，更好是在250ppm以下。以往的金屬基電路基板中，如果構(gòu)成絕緣層的熱固化性樹脂中的氯化物離子濃度在1000ppm以下，則電絕緣性在高溫下、直流電壓下也良好。然而，構(gòu)成本發(fā)明的金屬基電路基板中使用的上述絕緣層的固化性樹脂組合物是在室溫下也可形成彎折的程度的柔軟結(jié)構(gòu)，如果固化性樹脂組合物中的氯化物離子濃度超過500ppm，則在高溫下、直流電壓下發(fā)生離子性雜質(zhì)的移動，可能會顯示出電絕緣性下降的傾向。作為絕緣層中所含的無機填料，較好是電絕緣性且導熱性良好的材料，例如可使用氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氮化硼等。關(guān)于無機填料的粒度，較好是含有最大粒徑在75"m以下的平均粒徑為540um的球狀粗粒和平均粒徑為O.33.0"m的球狀微粒。在該范圍內(nèi)，更好是含有平均粒徑為1040ura的球狀粗粒和平均粒徑為0.41.2um的球狀微粒。此外，如果將球狀粗粒和球狀微?；旌希瑒t與單獨使用破碎粒子或球狀粒子的情況相比，可以實現(xiàn)更高密度的填充，室溫下的彎折性提高。絕緣層中的無機填料的含量較好是5075體積％，更好是5565體積％。無機填料中的鈉離子濃度較好是在500ppm以下，更好是在100ppm以下。如果無機填料中的鈉離子濃度超過500ppm，則在高溫下、直流電壓下發(fā)生離子性雜質(zhì)的移動，可能會顯示出電絕緣性下降的傾向。本發(fā)明中，更好是用于電連接導體電路或金屬箔間的通孔中的至少l個在0.0()78rai]2以上。將導體電路或金屬箔和絕緣層以化學、物理或機械的方式除去而形成通孔用的孔，在該空隙內(nèi)部通過鍍覆、印刷法等填充導電性物質(zhì)等或者從上層導體電路實施引線接合，從而通孔可以實現(xiàn)電連接?？梢孕纬赏祝部梢圆恍纬赏?。[導體電路]本發(fā)明中，較好是可以將該電路基板在任意位置以l5mm的曲率半徑彎折90°以上，而且導體電路或金屬箔的各層間的耐電壓在1.0kV以上。如果以lmm以下的曲率半徑彎折90。以上，由于絕緣層開裂等導體電路或金屬箔的各層間的耐電壓可能會在1.0kV以下。曲率半徑在5咖以上或彎折90。以下時，可能會無法實現(xiàn)目標的模塊的小型化。導體電路的厚度較好是9nm140iini，不到9nm時，作為導體電路的機能不充分，如果超過140um，則不僅彎曲性下降，而且厚度增加，小型化和薄型化困難?！椿旌霞呻娐贰狄韵?，對使用本發(fā)明的金屬基電路基板的混合集成電路的優(yōu)選形態(tài)進行說明。使用本發(fā)明的金屬基電路基板的混合集成電路可以適當使用作為上述的金屬基電路基板中的主要構(gòu)成材料的金屬箔、無機填料、熱固化性樹脂、導體電路等。圖l-l為本發(fā)明的金屬基電路基板和使用該基板的混合集成電路的一例。本發(fā)明的混合集成電路中，由金屬箔l、絕緣層2和導體電路3構(gòu)成的金屬基電路基板的導體電路3上通過軟釬焊部9等接合搭載有多個半導體，即輸出用半導體5、控制用半導體6和芯片部件8，通過導熱性粘接劑10與具有散熱性的盒體11密合。輸出用半導體5通常為了促進熱量的散發(fā)而在與導體電路3的連接中介以散熱器4，但也有不使用它的情況。此外，控制用半導體6由于通常不伴有大的發(fā)熱，所以與導體電路3不介以散熱器接合，但也可以介以散熱器。作為上述導熱性粘接劑，可使用將金、銀、鎳、氮化鋁、鋁、氧化鋁等高導熱性填料填充環(huán)氧樹脂或聚氨酯樹脂、有機硅樹脂等而得的粘接劑。也可以使用事先制成片狀的導熱性粘接片代替導熱性粘接劑。此外，可以是采用硅脂的密合或基于螺釘固定的固定等，只要是金屬基電路基板與具有散熱性的盒體ll良好地密合而得的金屬基電路基板與具有散熱性的盒體ll的熱傳導良好的固定方法即可。此外，導熱性粘接劑是為了促進輸出用半導體5的熱量散發(fā)和混合集成電路的保護、固定等而使用，但也可以不使用它。來自控制用半導體6的信號通過導體電路3和接合線7電接合于輸出用半導體5。除了安裝有輸出用半導體5、控制用半導體6和芯片部件8的部分以外的構(gòu)成金屬基電路基板的金屬箔l、絕緣層2和導體電路3可以根據(jù)散熱板或具有散熱性的盒體ll的形狀在室溫下實施彎曲加工或擠壓加工。而且，不僅可設(shè)置于平坦的部分，還可以根據(jù)散熱板或具有散熱性的盒體的形狀使其密合于盒體的側(cè)面或底面或者錯層或曲面等。因此，可以實現(xiàn)通過以往的金屬基電路基板和柔性線路板無法適用的高發(fā)熱性混合集成電路的小型化或薄型化。使用本發(fā)明的金屬基電路基板的混合集成電路由上述的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，而且具有絕緣層的熱導率為l4W/mK、導體電路與金屬箔之間的耐電壓在l.5kV以上的與以往的具有平坦的金屬板的金屬基電路基板同等的特性。除此之外，不僅可設(shè)置于平坦的部分，還可以使其密合于盒體的側(cè)面或底面或者錯層或曲面等。另外，在安裝了需要散熱的半導體元件或阻抗芯片等電氣部件的狀態(tài)下也可以容易地在室溫下彎折，因此可以消除只能將金屬基電路基板用于平面部分的以往的限制。所用的金屬箔l的厚度為5um450um，由于可以確保金屬基電路基板的剛性、彎曲加工性、擠壓加工性等，更好是35"m70ura。絕緣層2的厚度較好是80"m200um，不到80um時絕緣性低，若超過200"m，則不僅散熱性下降，而且厚度增加，小型化和薄型化困難。〈LED模塊〉以下，對于在金屬基電路基板的表面具有被覆層的LED模塊(以下也簡稱"LED陣列")的優(yōu)選形態(tài)進行說明。使用本發(fā)明的金屬基電路基板的LED陣列可以適當使用作為上述的金屬基電路基板中的主要構(gòu)成材料的金屬箔、無機填料、熱固化性樹脂、導體電路等。圖2-1圖2-7為表示本發(fā)明的金屬基電路基板和使用該基板的LED模塊的一例的大致結(jié)構(gòu)的平面圖。使用本發(fā)明的金屬基電路基板的LED模塊中，由金屬箔21、絕緣層22、導體電路23和電極24構(gòu)成的金屬基電路基板中，去除未形成導體電路23和電極24的位置的部分金屬箔21和絕緣層22，形成縫隙部25。圖2-2中，通過在圖2-l的金屬基電路基板的導體電路23和電極24的形成面?zhèn)瘸考钶d部24和輸入端子28以外貼附被覆層26，從而補強基板。在這里，與金屬箔21和絕緣層22同樣地去除未形成導體電路23和電極24的位置的部分被覆層26，形成縫隙部25。前述被覆層26的縫隙部25較好是被加工成相對于彎折部分的長度為50%95%。此外，如果相對于彎折部分的長度在50%以上，則可以以O(shè).5國以下的曲率半徑彎折90。，如果加工成95%以下，則彎折位置沒有被覆層的補強效果，也不會產(chǎn)生彎折位置的導體電路斷路或絕緣層產(chǎn)生裂縫等問題。上述被覆層的厚度較好是5"m25ura。圖2-3中，圖2-2的金屬基電路基板的貼附了被覆層26的上部形成有具有磁性損耗的層29a或具有介電損耗的層29b。具有磁性損耗的層29a由縱橫比在2以上的磁性材料和有機粘結(jié)材料形成，磁性材料的含量為3070體積％，層的厚度為3"ra50um的情況下，發(fā)揮良好的磁性損耗特性。此外，在圖2-3的金屬基電路基板中，形成具有介電損耗的層29b的情況下，如果具有介電損耗的層29b由比表面積為20110m7g的碳粉和有機粘結(jié)材料形成，前述碳粉的含量為560體積％，厚度為3um50ura，則發(fā)揮良好的介電損耗特性。由于可發(fā)揮良好的介電損耗特性，因此有介電損耗的層的碳粉較好是基于JISK1469的體積電阻率在0.lQcm以下的硼固溶的炭黑。圖2-4中，本發(fā)明的金屬基電路基板中，部件搭載部搭載有發(fā)熱部件210。在這里，圖2-4中所示的虛線表示本發(fā)明的金屬基電路基板的彎折位置211。在彎折位置211形成有縫隙部25，所以可簡單地彎折，即使彎折，彎折位置的導體電路也通過被覆層26被補強，因此不會發(fā)生斷路，絕緣層也不會產(chǎn)生裂縫。這樣本發(fā)明的金屬基電路基板具有通過被覆層補強基板，即使彎折也可以防止導體電路的斷路和絕緣層的開裂等問題，而且通過縫隙加工使彎折性良好的巨大優(yōu)點。另外，通過具有磁性損耗的層或具有介電損耗的層的形成，成為具有良好的電磁波吸收特性的金屬基電路基板。以往，基板厚度為150um左右的金屬基電路基板如果以O(shè).5mm以下的曲率半徑彎折90。以上，則產(chǎn)生導體電路的斷路和絕緣層的開裂等問題，需要通過被覆層補強。然而，如果通過被覆層補強，則金屬基電路基板變得剛硬，難以在所需的位置彎折。本發(fā)明是同時實現(xiàn)應(yīng)對彎折的基板的補強和彎折性，而且兼具電磁波吸收特性的劃時代的金屬基電路基板。圖2-5表示本發(fā)明的金屬基電路基板和使用該基板的LED模塊的一例的大致結(jié)構(gòu)，是對于圖2-4的金屬基電路基板將輸入電路在縫隙部彎折180。的情況的截面圖。本發(fā)明的金屬基電路基板中，由金屬箔21、絕緣層22、導體電路23和電極24構(gòu)成的金屬基電路基板上通過粘接層形成有被覆層26，并在其上形成有具有磁性損耗的層29a或具有介電損耗的層29b。圖2-5的金屬基電路基板中，導體電路23和電極24被電連接，電極24上通過軟釬焊等電連接并搭載有發(fā)熱部件210。此外，金屬基電路基板的背面通過導熱性粘膠帶213與具有散熱性的盒體212密合。導體電路23和引出配線(輸入電路)24被電連接，形成可以向LED等發(fā)熱部件從外部進行電源輸入的狀態(tài)。另外，圖2-5中向金屬箔21側(cè)彎折，但是本發(fā)明中也可以容易地向具有磁性損耗的層29a或具有介電損耗的層29b側(cè)彎折。如果至少對于欲彎折的部分的被覆層通過縫隙加工加工成相對于彎折部分的長度為50%95%，則可以根據(jù)具有散熱性的盒體212的形狀以各種形狀彎折。上述的縫隙加工不僅可以是圖2-l圖2-4的金屬基電路基板中所示的長方形加工，也可以是圖2-6所示的角呈銳角狀的形狀或楔形，或者是圖2-7所示的實施多個圓形的形態(tài)等。當然，由于容易確定彎折部分，較好是圓形。使用本發(fā)明的金屬基電路基板的LED陣列較好是具有如上所述的結(jié)構(gòu)，金屬箔21的厚度為5um40um，絕緣層22含有無機填料和熱固化性樹脂，厚度為30um80um，上述導體電路的厚度為9um40ura。滿足這些條件時，可以更可靠地實現(xiàn)本發(fā)明的目的。如果金屬箔21的厚度在5um以上，則金屬基電路基板的剛性不會下降，用途也不會受到限制。如果金屬箔21的厚度在40um以下，則不需要金屬基電路基板的彎曲加工用模具或擠壓加工用模具以及壓機等加工設(shè)備，也不會難以使金屬基電路基板密合于盒體的曲面等。另外，在金屬基電路基板上安裝了需要散熱的半導體元件或阻抗芯片等電氣部件的狀態(tài)下，不會難以在室溫下彎折。由于金屬基電路基板的剛性、彎曲加工性、擠壓加工性等、特別是曲率半徑0.10.5mm且90。以上的彎折加工性良好，所以金屬箔21的厚度更好是12ym35lim。使用本發(fā)明的金屬基電路基板的LED陣列中，絕緣層22較好是含有無機填料和熱固化性樹脂，厚度為30um80um。關(guān)于絕緣層22的厚度，如果在30nm以上，則可以確保絕緣性，如果在80"tn以下，則曲率半徑O.10.5mra且90。以上的彎折加工性也不會低下。使用本發(fā)明的金屬基電路基板的LED陣列中，導體電路的厚度較好是9"m40um。如果在9um以上，則可以充分確保作為導體電路的機能，在40yra時可以確保足夠的彎曲性，可確保足夠?qū)崿F(xiàn)小型化和薄型化的厚度。另外，本發(fā)明中使用的導熱性粘膠帶213可以使用將由氧化鋁、二氧化鈦等金屬氧化物，氮化鋁、氮化硼、氮化硅等氮化物，碳化硅，氫氧化鋁等無機物質(zhì)或丙烯酸橡膠等有機物質(zhì)形成的導熱性電絕緣劑填充到高分子樹脂材料中而得的導熱性粘膠帶，也可以使用將通過硅垸偶聯(lián)劑等進行了表面處理的材料填充到高分子樹脂中而得的導熱性粘膠帶。為了使由發(fā)熱部件產(chǎn)生的熱量通過金屬基電路基板由金屬基電路基板的背面向盒體高效地散熱，導熱性粘膠帶213較好是使用熱導率比以往的粘膠帶更高的粘膠帶。'作為導熱性粘膠帶213，可適當使用具有下述的〈LED光源單元〉中所使用的材料和特性的粘膠帶?！碙ED光源單元〉對于使用本發(fā)明的金屬基電路基板的LED光源單元的優(yōu)選形態(tài)進行說明。使用本發(fā)明的金屬基電路基板的LED光源單元可以適當使用作為上述的金屬基電路基板中的主要構(gòu)成材料的金屬箔、無機填料、熱固化性樹脂、導體電路等。圖3-1為表示本發(fā)明的LED光源單元的一例的大致結(jié)構(gòu)的截面圖。本發(fā)明的LED光源單元中，由金屬箔31、絕緣層32和導體電路33構(gòu)成的金屬基電路基板的導體電路33上通過軟釬焊部35等接合、搭載有l(wèi)個以上的LED36，介以導熱性粘膠帶37與具有散熱性的盒體38密合。導體電路33和引出配線(輸入電路)34被電連接，形成可以向LED從外部進行電源輸入的狀態(tài)。另外，圖3-l中整體的形狀呈箱形，但本發(fā)明中只要除安裝有LED36的部分以外的構(gòu)成金屬基電路基板的金屬箔l、絕緣層32和導體電路33密合于具有散熱性的盒體38即可，可以根據(jù)具有散熱性的盒體38的表面形狀采用各種形狀。本發(fā)明的LED光源單元較好是具有如上所述的結(jié)構(gòu)，金屬箔31的厚度為18um300um，絕緣層32含有無機填料和熱固化性樹脂，厚度為80um200wm，導體電路33的厚度為9um140um。作為金屬箔31的厚度，較好是18um300ym。金屬箔31的厚度不到18um的情況下，金屬基電路基板的剛性下降，用途受到限制。如果超過300um，則不僅需要金屬基電路基板的彎曲加工用模具或擠壓加工用模具以及壓機等加工設(shè)備，而且難以使金屬基電路基板密合于盒體的曲面等。另外，在金屬基電路基板上安裝了需要散熱的半導體元件或阻抗芯片等電氣部件的狀態(tài)下，難以在室溫下彎折。由于金屬基電路基板的剛性、彎曲加工性、擠壓加工性等、特別是曲率半徑l5mni且9(r以上的彎折加工性良好，所以更好是35um70um。絕緣層32較好是含有無機填料和熱固化性樹脂，厚度為80yra200um。關(guān)于絕緣層32的厚度，不到80ym時絕緣性低，如果超過200yffl，不僅散熱性下降，而且厚度增加，小型化和薄型化困難。本發(fā)明的LED光源單元中，導體電路的厚度較好是9yra140ui不到9um時，作為導體電路的機能的不充分，如果超過140um，則不僅彎曲性下降，而且厚度增加，小型化和薄型化困難。本發(fā)明的LED光源單元即使反復彎折也可以使用，因此加工性高，可以實現(xiàn)再利用等。此外，通過在金屬基電路基板上搭載LED后，粘接于具有平面部的盒體，然后與盒體一起加工、變形，從而可以容易地實現(xiàn)具備具有曲面的盒體的LED光源單元的生產(chǎn)，所以可以低成本地提供大量的LED光源單元。本發(fā)明中使用的導熱性粘膠帶37可以使用如后所述將由氧化鋁、二氧化鈦等金屬氧化物，氮化鋁、氮化硼、氮化硅等氮化物，碳化硅，氫氧化鋁等無機物質(zhì)或丙烯酸橡膠等有機物質(zhì)形成的導熱性電絕緣劑填充到高分子樹脂材料中而得的導熱性粘膠帶。另外，也可以使用將通過硅垸偶聯(lián)劑等進行了表面處理的材料填充到高分子樹脂中而得的導熱性粘膠帶。對于不具有導熱性的粘膠帶，伴隨LED發(fā)光的熱量向盒體的熱傳導不充分，導致LED的溫度上升，所以無法使用。根據(jù)本發(fā)明人的研究結(jié)果，較好是使用熱導率為l2W/mK、厚度為50um150"m的導熱性粘膠帶。導熱性粘膠帶37的特征在于，為了使LED發(fā)光時產(chǎn)生的熱量通過金屬基電路基板由金屬基電路基板的背面向盒體高效地散熱，使用熱導率比以往的粘膠帶更高的粘膠帶。導熱性粘膠帶37所使用的高分子材料沒有特別限定，為了提高對金屬的密合性，較好是選擇含丙烯酸和/或甲基丙烯酸的高分子。即，較好是具有碳數(shù)212的烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯、碳數(shù)為212的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸垸基酯。，.從柔軟性和加工性的角度來看，單體較好是選自丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸癸酯或(甲基)丙烯酸十二垸基酯的1種或2種以上混合使用。其中，單體更好是丙烯酸-2-乙基己酯。導熱性粘膠帶37較好是含有導熱性電絕緣劑。作為導熱性電絕緣劑，只要是在電絕緣性和導熱性方面良好的無機或有機物質(zhì)即可，可以是任意的，有機物質(zhì)較好是天然橡膠或NBR、EPDM等橡膠，特別好是含有丙烯酸橡膠。此外，由于可以確保良好的散熱性，因此導熱性電絕緣劑較好是在粘膠帶7中含有4080體積％。5070體積％是更理想的范圍。作為前述丙烯酸橡膠用的單體，可以例舉丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正戊酯、丙烯酸異戊酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸-2-乙基戊酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸正癸酯、丙烯酸正十二烷基酯、丙烯酸正十八烷基酯、丙烯酸氰基甲酯、丙烯酸-l-氰基乙酯、丙烯酸-2-氰基乙酯、丙烯酸-卜氰基丙酯、丙烯酸-2-氰基丙酯等。較好是將選自其中的1種以上組合而得的單體或數(shù)％的交聯(lián)點單體共聚而得的丙烯酸橡膠。橡膠含量在導熱性粘膠帶37中較好是0.130質(zhì)量份。如果不到O.1質(zhì)量份，則將高導熱性填料填充到高分子樹脂材料中后填料沉淀，如果超過30質(zhì)量份，則粘度上升，加工時產(chǎn)生問題。如果橡膠含量為O.130質(zhì)量份，則不僅可以防止填料沉淀，而且加工性良好。作為前述單體，從柔軟性和粘合性的角度來看，較好是具有碳數(shù)212的垸基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯、碳數(shù)為212的丙烯酸烷基酯或甲基丙烷基酯。作為從柔軟性和粘合性的角度來看優(yōu)選的單體，是選自丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸癸酯、甲基丙烯酸癸酯或甲基丙烯酸十二烷基酯的1種或2種以上的混合物。更優(yōu)選的單體是丙烯酸-2-乙基己酯。對于被用作導熱性電絕緣劑的無機物質(zhì)，例如可以例舉氧化鋁、二氧化鈦等金屬氧化物，氮化鋁、氮化硼、氮化硅等氮化物，碳化硅，氫氧化鋁等。其中，較好是選自氧化鋁、結(jié)晶性二氧化硅和氫氧化鋁的l種以上。此外，也可以選擇通過硅垸偶聯(lián)劑等進行了表面處理的材料。此外，對于導熱性電絕緣劑的大小，從粘膠帶的厚度、填充性的角度來看，較好是最大粒徑在45um以下，平均粒徑為O.530lim。導熱性粘膠帶37在不損害作為本發(fā)明的目標的特性的范圍內(nèi)可以含有公知的聚合化合物。此外，在導熱性粘膠帶37固化時沒有影響的范圍內(nèi)，可以根據(jù)需要添加公知的添加劑。作為添加劑，可以例舉例如用于控制粘度、粘性的各種添加劑以及改性劑、防老化劑、熱穩(wěn)定劑、著色劑等。導熱性粘膠帶37可以通過一般的方法使其固化。例如，可以通過采用熱聚合引發(fā)劑的熱聚合、采用光聚合引發(fā)劑的光聚合、采用熱聚合引發(fā)劑和固化促進劑的聚合等方法使其固化，但從生產(chǎn)性等的角度來看，較好是采用光聚合引發(fā)劑的光聚合。實施例以下，對實施例進行說明，但本發(fā)明并不局限于這些實施例。<金屬基電路基板>[實施例l-l]如表1-l所示，在厚40ura的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份環(huán)氧當量為187的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學工業(yè)公司制EPICL0N830-S)加入63質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》、乂7:/公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積X的條件摻入平均粒徑2.2"m、最大粒徑20ym的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，固化后的厚度為100ym。接著，貼合厚35um的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板。然后，對于得到的金屬基基板，在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。對于得到的金屬基電路基板，通過以下所示的方法考察(l)室溫下的彎曲性、(2)絕緣層的熱導率、(3)導體電路與絕緣層的粘接強度、(4)絕緣層的玻璃化溫度、(5)26(TC下加熱處理10分鐘后的絕緣層擊穿電壓、(6)室溫下彎折90°的狀態(tài)下的絕緣層耐電壓值、(7)125T:下施加直流電壓1000V(圖案側(cè)+)時的絕緣層擊穿時間、(8)室溫下彎折9(T的狀態(tài)下的絕緣層開裂的有無。這些結(jié)果示于表1-2。得到的金屬基電路基板的所有物性都良好。(1)對于室溫下的彎曲性，將金屬基電路基板加工成10瞧X100mm，在25±rc的溫度氣氛下，通過雙手可以向?qū)w電路形成面?zhèn)群团c導體電路形成面相反側(cè)以5mm的曲率半徑彎折90。以上的情況視為良好，實施彎折時，需要使用彎曲加工用的模具和壓機等情況視為不良。(2)對于熱導率的測定，將作為金屬基電路基板的基材的金屬箔和導體電路除去，將絕緣層加工成4)10mmX100um(部分60um)，通過激光閃光法求得。(3)對于導體電路與絕緣層的粘接強度，將金屬基電路基板的導體電路加工成寬10鵬的帶狀，通過JISC6481中規(guī)定的方法求得。(4)對于玻璃化溫度(Tg)的測定，將作為金屬基電路基板的基材的金屬箔和導體電路除去，將絕緣層加工成5鵬X50mmX100nm(部分60um)，通過動態(tài)彈性測定法求得。(5)對于26(TC下加熱處理10分鐘后的絕緣層擊穿電壓的測定，將導體電路采用4)20mm的圓形圖案的金屬基電路基板放入加熱至26(TC的軟釬焊槽處理10分鐘，冷卻至室溫后通過JISC2110中規(guī)定的階梯升壓法測定圓形圖案與鋁箔之間的耐電壓。(6)對于室溫下彎折9(T的狀態(tài)下的絕緣層耐電壓值的測定，在包含作為導體電路形成了4)20mm的圓形圖案的金屬基電路基板的4)20mm的圓形圖案的狀態(tài)以lmm的曲率半徑彎折9(T的狀態(tài)下，通過JISC2110中規(guī)定的階梯升壓法測定圓形圖案與鋁箔之間的耐電壓。(7)對于125"C下施加直流電壓1000V(圖案側(cè)+)時的絕緣層擊穿時間的測定，將作為導體電路形成了4)20mm的圓形圖案的金屬基電路基板的圓形圖案側(cè)設(shè)為+，將金屬箔側(cè)設(shè)為一，125'C下施加直流電壓1000V，測定這時的絕緣層擊穿時間。(8)室溫下彎折90。的狀態(tài)下的絕緣層開裂的有無通過肉眼進行觀察。[實施例1-2]如表1-l所示，在厚40"ra的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份環(huán)氧當量為201的經(jīng)氫化(表1中標記為氫化)的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制YX-8000)加入63質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W;/7y公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積％的條件摻入平均粒徑2.2um、最大粒徑20um的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35wm的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例1-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表1-2。由于絕緣層的玻璃化溫度(Tg)的下降，室溫下的彎曲性顯著提高。其它物性也良好。[實施例l-3]如表1-l所示，在厚40"m的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由70質(zhì)量X環(huán)氧當量為201的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制YX-8000)和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1900的雙酚A型環(huán)氧樹脂(東都化成公司制YD-927H)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》、乂7乂公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積％的條件糝入平均粒徑2.2um、最大粒徑20ym的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35um的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例1-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表1-2。得到的金屬基電路基板的導體電路與絕緣層的粘接強度顯著提高。其它物性也良好。[實施例1-4]如表1-l所示，在厚40urn的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由70質(zhì)量X環(huán)氧當量為201的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制YX-8000)和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1024的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(東都化成公司制ST-4100D)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入50質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂"W公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積％的條件摻入平均粒徑2.2um、最大粒徑20um的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，固化后的厚度為100ura。接著，貼合厚35Pm的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例1-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表l-2。得到的金屬基電路基板除了導體電路與絕緣層的粘接強度提高之外，由于絕緣層的玻璃化溫度(Tg)的下降，室溫下的彎曲性也顯著提高。其它物性也良好。[實施例1-5]如表l-l所示，在厚40um的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為181的經(jīng)氫化的雙酚F型環(huán)氧樹脂(曰本環(huán)氧樹脂公司制YL-6753)和30質(zhì)量^環(huán)氧當量為1024的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(東都化成公司制ST-4100D)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入55質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》、;/7:/公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積X的條件摻入平均粒徑2.2nm、最大粒徑20um的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，固化后的厚度為100"m。接著，貼合厚35um的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例卜l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表1-2。得到的金屬基電路基板除了導體電路與絕緣層的粘接強度提高之外，由于絕緣層的玻璃化溫度(Tg)的下降，室溫下的彎曲性也顯者提咼。[實施例l-6]如表1-l所示，在厚40iim的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為207的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學工業(yè)公司制EXA-7015)和30質(zhì)量％環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制YL-7170)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂7:/公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積X的條件摻入平均粒徑2.2nm、最大粒徑20um的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度為250ppm,固化后的厚度為100ym。接著，貼合厚35um的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例l-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表l-2。得到的金屬基電路基板除了導體電路與絕緣層的粘接強度提高之外，由于絕緣層的玻璃化溫度(Tg)的下降，室溫下的彎曲性也顯著提高。另外，125。C下施加直流電壓1000V(圖案側(cè)+)時的絕緣層擊穿時間延長。其它物性也良好。[實施例l-7]如表l-l所示，在厚40um的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為207的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大曰本油墨化學工業(yè)公司制EXA-7015)和30質(zhì)量％環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制YL-7170)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂7y公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21um、鈉離子濃度為10ppm的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制CB-A20)和平均粒徑為0.7"m、鈉離子濃度為8ppm的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件慘入，固化后的厚度為IOOPm。接著，貼合厚35tim的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppm以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在50ppm以下的金屬基基板，此外通過與實施例1-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表1-2。得到的金屬基電路基板的125t:下施加直流電壓1000V(圖案側(cè)+)時的絕緣層擊穿時間顯著延長，其它物性也良好。[實施例1-8]如表卜1所示，在厚40um的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由70質(zhì)量X環(huán)氧當量為207的170ppm的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學工業(yè)公司制EXA-7015)和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制YL-7170)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂7:/公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21iim、鈉離子濃度為10ppm的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制CB-A20)和平均粒徑為0.7ura、鈉離子濃度為8ppm的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到66體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為100"ra。接著，貼合厚35ura的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppm以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在60卯ra以下的金屬基基板，此外通過與實施例1-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表1-2。得到的金屬基電路基板的熱導率進一步提高，其它物性也良好。[比較例l-l]如表l-l所示，在厚400"m的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份環(huán)氧當量為187的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學工業(yè)公司制EPICL0N850-S)加入63質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》、:/7:/公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到80體積^的條件摻入平均粒徑2.2ttm、最大粒徑20ym的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，固化后的厚度為lOOum。接著，貼合厚210um的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例1-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表1-2。得到的金屬基電路基板幾乎沒有彎曲性，在室溫下用手無法彎折，使用彎折用模具和壓機彎折至9(T。此外，導體電路與絕緣層的粘接強度弱，室溫下彎折9(T的狀態(tài)下的絕緣層耐電壓值極低。另外，125。C下施加直流電壓1000V(圖案側(cè)+)時的絕緣層擊穿時間也極短。此外，熱導率局部不同，偏差大。[比較例卜2]如表l-l所示，在厚40um的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份環(huán)氧當量為187的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學工業(yè)公司制EPICL0N850-S)加入63質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W;/7y公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積％的條件摻入平均粒徑57"m、最大粒徑90"rn的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制A-13-L)，固化后的厚度為60"m。接著，貼合厚35wm的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例1-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表l-2。得到的金屬基電路基板在導體電路面的絕緣層暴露部分確認大量被認為是氧化鋁填料的突起的凹凸，在室溫下彎折時絕緣層產(chǎn)生裂縫。此外，導體電路與絕緣層的粘接強度弱，室溫下彎折90。的狀態(tài)下的絕緣層耐電壓值極低。另外，125t:下施加直流電壓1000V(圖案側(cè)+)時的絕緣層擊穿時間也極短。[比較例l-3]如表1-l所示，在厚400tim的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由40質(zhì)量％環(huán)氧當量為187的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學工業(yè)公司制EPICLON850-S)和60質(zhì)量X環(huán)氧當量為4000的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制工t°^一卜1010)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入51質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂7乂公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積X的條件摻入平均粒徑2.2pm、最大粒徑20ura的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35um的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例l-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表l-2。得到的金屬基電路基板幾乎沒有彎曲性，在室溫下用手無法彎折，雖然使用彎折用模具和壓機彎折至9(T，但玻璃化溫度(Tg)上升，室溫下的彎曲性不充分，室溫下彎折90。的狀態(tài)下的絕緣層耐電壓值顯著低下。[比較例1-4]如表1-l所示，在厚400um的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由70質(zhì)量％環(huán)氧當量為238、樹脂中的氯化物濃度為1500卯m的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(共榮社化學公司制EP0LIGHT4000)和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200、樹脂中的氯化物濃度為920ppm的雙酚F型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制工tf3一卜4004P)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入42質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》:y7V公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，以在絕緣層中達到50體積％的條件摻入平均粒徑2.2um、最大粒徑20um的經(jīng)粉碎的氧化鋁(昭和電工公司制AL-173)，熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度為1000ppm，固化后的厚度為100"m。接著，貼合厚35um的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到金屬基基板，此外通過與實施例l-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表1-2。得到的金屬基電路基板的125。C下施加直流電壓1000V(圖案側(cè)+)時的絕緣層擊穿時間極短。[比較例1-5]如表卜1所示，在厚400"m的鋁箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由70質(zhì)量％環(huán)氧當量為238、樹脂中的氯化物濃度為1500ppm的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(共榮社化學公司制EP0LIGHT4000)和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200、樹脂中的氯化物濃度為920ppm的雙酚F型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制工tf〕—卜4004P)構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入63質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》!y7乂公司制D-400和D-2000的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為25um、鈉離子濃度為530ppra的球狀粗粒的氧化鋁(MICRON公司制AX-25)和平均粒徑為1.2um、鈉離子濃度為396ppm的球狀微粒的氧化鋁(MICR0N公司制AW15-25)以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35um的電解銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度為1000ppm、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度為500ppm的金屬基基板，此外通過與實施例l-l同樣的方法制成金屬基電路基板，測定各種物性。這些結(jié)果示于表1-2。得到的金屬基電路基板的125'C下施加直流電壓1000V(圖案側(cè)+)時的絕緣層擊穿時間非常短。金屬基電路基板的各層的厚度、熱固化性樹脂的種類和摻入量、含有的氯化物離子濃度、無機填料的種類和含有的鈉離子濃度示于表l-l。表H<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>制成的金屬基電路基板的各種物性示于表1-2.<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table><多層電路基板>(實施例2-l)在厚35um的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為201的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YX-8000")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(/W乂7乂公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21um的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為O.6um的球狀微粒的氧化鋁(Admatechs公司制"A0-802")以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為6:4)的條件摻入，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35"m的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，獲得內(nèi)層的貼箔基板。然后，對于得到的基板，在規(guī)定的位置用干膜形成掩模，蝕刻銅箔后，除去干膜，形成電路，制成內(nèi)層電路基板。將得到的內(nèi)層電路基板作為基底，貼合上述絕緣層和厚35"m的銅箔，使其加熱固化，制成多層基板。接著，在外層電路的規(guī)定位置用鉆機鉆直徑O.5誦的孔，貫通內(nèi)層電路和外層電路后，實施鍍銅而形成通孔。再于其表面通過上述方法蝕刻外層電路，得到多層電路基板。對于多層電路基板，通過以下所示的方法測定評價(l)絕緣層的熱導率、(2)絕緣層的玻璃化溫度、(3)彎折時的耐電壓、(4)彎曲性、(5)功率元件的工作穩(wěn)定性。(1)絕緣層的熱導率測定將電路基板的絕緣層另外制成直徑10腿X厚2mm的圓盤狀固化體，通過激光閃光法求得。(2)絕緣層的玻璃化溫度使用多層化前的一層的電路基板，通過蝕刻法將作為基材的金屬箔和導體電路除去，將取出的絕緣層加工成5醒X50mm,通過動態(tài)粘彈性測定法求得。(3)彎折時的耐電壓在包含作為外層電路形成了直徑20mm的圓形圖案的多層電路基板的直徑20mm的圓形圖案的狀態(tài)以lmra的曲率半徑彎折90。的狀態(tài)下，通過JISC2110中規(guī)定的階梯升壓法測定內(nèi)層電路與鋁箔之間的耐電壓。(4)室溫下的彎曲性將多層電路基板(使用在內(nèi)層、外層不形成電路圖案而呈整面導體箔的基板)加工成10mmX100mm，在25±1°C的溫度氣氛下，通過雙手可以向?qū)w電路形成面?zhèn)群团c導體電路形成面相反側(cè)以5mm的曲率半徑彎折9(T以上的情況視為良好，實施彎折時，需要使用彎曲加工用的模具和壓機等情況視為不良。(5)功率元件的工作穩(wěn)定性制成以2mm的間隔安裝了3個日立制作所公司制pios-FET(2SK2174S)的模塊，在10(TC的環(huán)境下以每1個元件消費10W電力的條件連續(xù)運轉(zhuǎn)96小時，評價誤動作的有無。未發(fā)生誤動作的情況下，再加入10W的消費電力再次進行評價，以發(fā)生誤動作時的消費電力量評價功率元件的工作穩(wěn)定性。這些結(jié)果示于表2-1。表2-1<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>(實施例2-2)除了絕緣層的組成釆用相對于100質(zhì)量份由70質(zhì)量％的環(huán)氧當量為201的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YX-8000")和30質(zhì)量％環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/P、少7乂公司制"D-400"禾n"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21um的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為O.6"m的球狀微粒的氧化鋁(Admatechs公司制"AO-802")以在絕緣層中達到65體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為6:4)的條件摻入之外，通過與實施例2-1同樣的方法制成多層電路基板，通過與實施例2-l同樣的方法進行評價。它們的結(jié)果示于表2-1。(實施例2-3)除了相對于100質(zhì)量份環(huán)氧當量為187的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學工業(yè)公司制EPICL0N850-S)加入63質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》、乂7y公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75ura以下、平均粒徑為21um的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為0.6wm的球狀微粒的氧化鋁(Admatechs公司制"A0-802")以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為6:4)的條件慘入之外，通過與實施例2-l同樣的方法制成多層電路基板，通過與實施例2-l同樣的方法進行評價。它們的結(jié)果示于表2-1。(實施例2-4)除了相對于100質(zhì)量份環(huán)氧當量為201的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YX-8000")加入60質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》少7乂公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21um的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為O.6um的球狀微粒的氧化鋁(Admatechs公司制"A0-802")以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為6:4)的條件摻入之外，通過與實施例2-l同樣的方法制成多層電路基板，通過與實施例2-l同樣的方法進行評價。它們的結(jié)果示于表2-1。(比較例2-1)除了相對于100質(zhì)量份環(huán)氧當量為187的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學工業(yè)公司制EPICL0N850-S)加入63質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八》、乂7乂公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75"m以下、平均粒徑為21txm的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為0.6um的球狀微粒的氧化鋁(Admatechs公司制"A0-802")以在絕緣層中達到80體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為6:4)的條件摻入之外，通過與實施例2-l同樣的方法制成多層電路基板，通過與實施例2-l同樣的方法進行評價。它們的結(jié)果示于表2-1。得到的多層電路基板幾乎沒有彎曲性，在室溫下用手無法彎折，使用彎折用模具和壓機彎折至90。。此外，耐電壓低。(比較例2-2)除了在厚1500um的Al板上形成絕緣層之外，通過與實施例2-l同樣的方法進行評價。它們的結(jié)果示于表2-l。得到的多層電路基板幾乎沒有彎曲性，在室溫下用手無法彎折，使用彎折用模具和壓機彎折至9(T。多層電路基板的各種特性示于表2-l。〈LED模塊〉(實施例3-l)在厚18um的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為207的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨公司制"EXA-7015")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂7乂公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在30um以下、平均粒徑為10"m、鈉離子濃度為90卯m的球狀粗粒的氧化鋁(電氣化學工業(yè)公司制"DAW-IO")和平均粒徑為O.7um、鈉離子濃度為8ppm的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為50ura。接著，貼合厚18um的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppm以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在50ppm以下的金屬基基板。對于金屬基基板，在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。然后，通過在金屬基電路基板的除部件搭載部分和輸入端子部分以外的部分貼附厚12.5um的被覆層(尼關(guān)工業(yè)公司制"NIKAFLEXCKSE")，從而補強基板。接著，使用安裝了與所需的縫隙形狀同一形狀的湯姆遜模具的壓制沖切裝置，去除未形成導體電路和電極的位置的部分金屬箔、絕緣層和被覆層，加工成相對于彎折部分的長度為80%，得到包含加工而得的縫隙部的可以容易地彎折的金屬基電路基板。然后，在金屬基電路基板的部件搭載部分的電極上通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036B")。然后，以包含縫隙部的狀態(tài)，使用寬200鵬、厚0.6mm的一邊加工成曲率半徑0.3mm的不銹鋼制彎折工具，將金屬基電路基板以0.3腿的曲率半徑進行彎折，使用導熱性粘膠帶固定在厚lmm的鋁制盒體上，得到LED模塊。通過以下所示的方法對于(l)室溫下的抗拉強度、(2)室溫下的彎曲性、(3)導體電路的評價、(4)彎折時的耐電壓、(5)電磁波吸收特性進行測定。(1)室溫下的抗拉強度將金屬基電路基板加工成10mmX100mm,在25±1°C的溫度氣氛下，通過TENSILON抗拉強度試驗機測定金屬基電路基板破裂時的強度，作為抗拉強度。(2)室溫下的彎曲性將金屬基電路基板加工成10mmX100mm,在25±TC的溫度氣氛下，通過雙手可以向?qū)w電路形成面?zhèn)群团c導體電路形成面相反側(cè)以O(shè).5匪的曲率半徑彎折9(T以上的情況視為良好，實施彎折時，需要使用彎曲加工用的模具和壓機等情況視為不良。(3)導體電路的評價在25士rC的溫度氣氛下，在得到的LED模塊上連接穩(wěn)定電源，通過10V電壓、150rnA電流，使LED點亮1小時以上。這時LED點亮1小時以上的情況視作良好，LED未點亮或未點亮1小時以上的情況視作不良。(4)彎折時的耐電壓將金屬基電路基板以O(shè).3mm的曲率半徑彎折90。的狀態(tài)下，通過JISC2110中規(guī)定的階梯升壓法測定導體電路與基底金屬箔(Cu箔)之間的耐電壓。(5)電磁波吸收特性對于得到的基板，使用網(wǎng)絡(luò)分析器(8517D，安捷倫科技公司制)，對于300MHz和lGHz的頻率測定電磁波吸收特性。吸收特性使用微帶線法，根據(jù)線上的電磁波的反射信號Sll和傳送信號S21的測定結(jié)果算出吸收比例(Ploss/Pin)。這些結(jié)果示于表3-l。表3-1<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>(實施例3-2)在厚18um的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為207的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨公司制"EXA-7015")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/w;/7y公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4),組合最大粒徑在30tim以下、平均粒徑為10um、鈉離子濃度為90ppm的球狀粗粒的氧化鋁(電氣化學工業(yè)公司制"DAW-10")和平均粒徑為0.m、鈉離子濃度為8ppm的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為50yi接著，貼合厚18ixm的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppm以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在50ppm以下的金屬基基板。對于金屬基基板，在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。然后，通過在金屬基電路基板的除部件搭載部分和輸入端子部分以外的部分貼附厚12.5wm的被覆層(尼關(guān)工業(yè)公司制"NIKAFLEXCKSE")，從而補強基板。接著，在被覆層的上面形成由縱橫比為4的磁性材料和有機粘結(jié)材料形成的前述磁性材料的含量為50體積X的厚30"m的具有磁性損耗的層。接著，使用寬200mm、厚0.6mm的一邊加工成曲率半徑O.3鵬的不銹鋼制彎折工具，去除未形成導體電路和電極的位置的部分金屬箔、絕緣層、被覆層和具有磁性損耗的層，加工成相對于彎折部分的長度為80%，得到包含加工而得的縫隙部的可以容易地彎折的金屬基電路基板。接著，在金屬基電路基板的部件搭載部分的電極上通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036B")。然后，以包含縫隙部的狀態(tài)將金屬基電路基板以0.3mm的曲率半徑進行彎折，使用導熱性粘膠帶固定在厚lmm的鋁制盒體上，得到LED模塊。與實施例3-l同樣地進行評價的結(jié)果示于表3-1。(實施例3-3)在厚18"m的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為207的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨公司制"EXA-7015")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂7乂公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4),組合最大粒徑在30ym以下、平均粒徑為10yra、鈉離子濃度為90ppm的球狀粗粒的氧化鋁(電氣化學工業(yè)公司制"DAW-IO")和平均粒徑為O.7uni、鈉離子濃度為8ppra的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為50um。接著，貼合厚18"m的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppm以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在50卯m以下的金屬基基板。對于金屬基基板，在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。然后，通過在金屬基電路基板的除部件搭載部分和輸入端子部分以外的部分貼附厚12.5um的被覆層(尼關(guān)工業(yè)公司制"NIKAFLEXCKSE")，從而補強基板。接著，在被覆層的上面形成由作為碳粉的比表面積為100m7g、基于JISK1469的電阻率在0.lQcm以下的硼固溶的炭黑和有機粘結(jié)材料形成的前述碳粉的含量為50體積％的厚30"m的具有介電損耗的層。接著，使用寬200mm、厚O.6mm的一邊加工成曲率半徑O.3mm的不銹鋼制彎折工具，去除未形成導體電路和電極的位置的部分金屬箔、絕緣層、被覆層和具有介電損耗的層，加工成相對于彎折部分的長度為80%，得到包含加工而得的縫隙部的可以容易地彎折的金屬基電路基板。接著，在金屬基電路基板的部件搭載部分的電極上通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036B")。然后，以包含縫隙部的狀態(tài)將金屬基電路基板以O(shè).3nmi的曲率半徑進行彎折，使用導熱性粘膠帶固定在厚lmm的鋁制盒體上，得到LED模塊。與實施例3-l同樣地進行評價的結(jié)果示于表3-1。(比較例3-1)除了不實施通過貼附被覆層而對基板進行的補強和彎折部分的縫隙加工之外，實施與實施例3-l全部同樣的處理，得到金屬基電路基板。接著，在金屬基電路基板的部件搭載部分的電極上通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036B")。然后，將金屬基電路基板以O(shè).3mm的曲率半徑進行彎折，使用導熱性粘膠帶固定在厚lram的鋁制盒體上，得到LED模塊。與實施例3-1同樣地進行評價的結(jié)果示于表3-1。(比較例3-2)除了不實施彎折部分的縫隙加工之外，實施與實施例3-l全部同樣的處理，得到金屬基電路基板。接著，在金屬基電路基板的部件搭載部分的電極上通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036B")。然后，將金屬基電路基板以0.3咖的曲率半徑進行彎折，使用導熱性粘膠帶固定在厚lmm的鋁制盒體上，得到LED模塊。與實施例3-1同樣地進行評價的結(jié)果示于表3-1。'(比較例3-3)除了在被覆層的上面形成由縱橫比為l的磁性材料和有機粘結(jié)材料形成的前述磁性材料的含量為20體積X的厚2urn的具有磁性損耗的層之外，實施與實施例3-2全部同樣的處理，得到金屬基電路基板。接著，在金屬基電路基板的部件搭載部分的電極上通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036B")。然后，以包含縫隙部的狀態(tài)將金屬基電路基板以0.3mm的曲率半徑進行彎折，使用導熱性粘膠帶固定在厚lmm的鋁制盒體上，得到LED模塊。與實施例3-1同樣地進行評價的結(jié)果示于表3-1。(比較例3-4)除了在被覆層的上面形成由作為碳粉的比表面積為10m7g、基于JISK1469的體積電阻率為0.2Qcm的硼固溶的炭黑和有機粘結(jié)材料形成的前述碳粉的含量為4體積X的厚2um的具有介電損耗的層之外，實施與實施例3-3全部同樣的處理，得到金屬基電路基板。接著，在金屬基電路基板的部件搭載部分的電極上通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036B")。然后，以包含縫隙部的狀態(tài)將金屬基電路基板以O(shè).3薩的曲率半徑進行彎折，使用導熱性粘膠帶固定在厚lmm的鋁制盒體上，得到LED模塊。與實施例3-l同樣地進行評價的結(jié)果示于表3-l?！碙ED光源單元〉(實施例4-l)在厚35ura的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為207的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨公司制"EXA-7015")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/w;/7y公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21um、鈉離子濃度為10ppm的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為0.7um、鈉離子濃度為8卯m的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35um的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppm以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在50ppm以下的金屬基基板。對于金屬基基板，在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。對于導熱性粘膠帶，在90質(zhì)量X溶解了10質(zhì)量X丙烯酸橡膠(日本ZEON公司制"AR-53L")的丙烯酸-2-乙基己酯(東亞合成公司制"2EHA")中混合10質(zhì)量％丙烯酸(東亞合成公司制"AA")，再添加作為光聚合引發(fā)劑的O.5質(zhì)量％2,2-二甲氧基-l，2-二苯基乙烷-l-酮(汽巴精化公司制)、0.2質(zhì)量％三甘醇二硫醇(丸善化學公司制)、0.2質(zhì)量％2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二丙烯酸酯(共榮社化學公司制)混合，得到樹脂組合物。在前述樹脂組合物中填充300質(zhì)量份氧化鋁(電氣化學工業(yè)公司制"MW-10")，混合、分散，得到導熱樹脂組合物。將導熱樹脂組合物進行脫泡處理，以100um的厚度涂布在表面實施了脫模處理的厚75"m的聚酯膜上，被覆表面實施了脫模處理的聚酯膜，從正反兩面以3000mJ/cn^照射365nm的紫外線，得到導熱粘膠帶。在金屬基電路基板的導體電路的規(guī)定位置通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036AT")。然后，在金屬基電路基板的未安裝LED的一側(cè)通過熱導率為lW/mK、厚100um的導熱性粘膠帶固定于U字形的盒體，得到LED光源單元。在溫度23'C、濕度30%的環(huán)境下，在得到的LED光源單元上連接穩(wěn)定電源，通過450mA的電流，點亮LED。這時的電壓為11.8V。通過熱電偶測定了被點亮的LED的溫度，結(jié)果LED的溫度為45'C。通過以下所示的方法對于(l)室溫下的彎曲性、(2)絕緣層的熱導率、(3)導熱粘膠帶的熱導率、(4)室溫下固定于U字形盒體時的絕緣層開裂的有無、(5)LED點亮時的LED溫度進行測定。(1)室溫下的彎曲性將金屬基電路基板加工成10mmX100mm，在25±1°C的溫度氣氛下，通過雙手可以向?qū)w電路形成面?zhèn)群团c導體電路形成面相反側(cè)以5mra的曲率半徑彎折90°以上的情況視為良好，實施彎折時，需要使用彎曲加工用的模具和壓機等情況視為不良。(2)絕緣層的熱導率將金屬基電路基板的金屬箔和導體電路除去，將絕緣層加工成直徑10mmX厚100um，通過激光閃光法求得。(3)導熱性粘膠帶的熱導率將測定樣本以10mm的厚度進行層疊，加工成50腿X120誦，通過快速熱導率計(QTM-500，京都電子工業(yè)公司制)求得。(4)絕緣層開裂的有無對室溫下彎折90。的狀態(tài)下的絕緣層開裂的有無通過肉眼進行觀察。(5)LED點亮時的LED溫度對LED加450mA的額定電流點亮LED，測定15分鐘后的LED軟釬焊部的溫度。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>(實施例4-2)在厚35"m的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由70質(zhì)量％的環(huán)氧當量為207的170ppm的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨公司制"EXA-7015")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂7y公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75uni以下、平均粒徑為21nm、鈉離子濃度為10ppm的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為O.7ura、鈉離子濃度為8ppm的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到66體積X(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35wra的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300卯m以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在60ppm以下的金屬基基板。對于金屬基基板，對一側(cè)的銅箔面在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。在金屬基電路基板的導體電路的規(guī)定位置通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036AT")。然后，在金屬基電路基板的未安裝LED的一側(cè)通過實施例1中得到的熱導率為1WAiiK、厚100ym的導熱性粘膠帶固定于U字形的盒體，得到LED光源單元。在溫度23T、濕度30%的環(huán)境下，在得到的LED光源單元上連接穩(wěn)定電源，通過450mA的電流，點亮LED。這時的電壓為11.7V。通過熱電偶測定了被點亮的LED的溫度，結(jié)果LED的溫度為43t:。評價的結(jié)果示于表4-1。由于絕緣層的熱導率的上升，點亮的LED的溫度下降。其它物性也良好。(實施例4-3)在厚35um的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為207的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨公司制"EXA-7015")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W7乂公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4),組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21tim、鈉離子濃度為10ppm的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為O.7ixm、鈉離子濃度為8ppm的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35um的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppra以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在50卯m以下的金屬基基板。對于金屬基基板，在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。在金屬基電路基板的導體電路的規(guī)定位置通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036AT")。然后，在金屬基電路基板的未安裝LED的一側(cè)通過后述的熱導率為2W/mK、厚10O"m的導熱性粘膠帶固定于U字形的盒體，得到LED光源單元。除了填充400質(zhì)量份氧化鋁(電氣化學工業(yè)公司制"DAW-10")之外，導熱性粘膠帶的樹脂組合物為實施例4-l中得到的組成，通過實施例4-l所示的工序得到。在溫度23。C、濕度30%的環(huán)境下，在得到的LED光源單元上連接穩(wěn)定電源，通過450mA的電流，點亮LED。這時的電壓為11.7V。通過熱電偶測定了被點亮的LED的溫度，結(jié)果LED的溫度為42匸。(實施例4-4)在厚35um的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由70質(zhì)量％的環(huán)氧當量為207的170卯m的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨公司制"EXA-7015")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(八/W乂7乂公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21um、鈉離子濃度為10卯ra的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為O.7um、鈉離子濃度為8ppm的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到66體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為100um。接著，貼合厚35"m的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppm以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在60ppffl以下的金屬基基板。對于金屬基基板，對一側(cè)的銅箔面在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。在金屬基電路基板的導體電路的規(guī)定位置通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036AT")。然后，在金屬基電路基板的未安裝LED的一側(cè)通過實施例4-3中得到的熱導率為2W/mK、厚100iim的導熱性粘膠帶固定于U字形的盒體，得到LED光源單元。在溫度23'C、濕度30%的環(huán)境下，在得到的LED光源單元上連接穩(wěn)定電源，通過450raA的電流，點亮LED。這時的電壓為11.6V。通過熱電偶測定了被點亮的LED的溫度，結(jié)果LED的溫度為38'C。評價的結(jié)果示于表4-l。由于絕緣層的熱導率的上升，點亮的LED的溫度下降。其它物性也良好。(比較例4-1)對在厚35um的銅箔上隔著厚50txm的聚酰亞胺膜類絕緣層形成有厚35um的銅箔的聚酰亞胺類柔性基板(松下電工公司制"R-F775")，在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。在金屬基電路基板的導體電路的規(guī)定位置通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036AT")。然后，在金屬基電路基板的未安裝LED的一側(cè)通過厚125pm的粘膠帶(住友3M公司制"F-9469PC")固定于U字形的盒體，得到LED光源單元。在溫度23'C、濕度30%的環(huán)境下，在得到的LED光源單元上連接穩(wěn)定電源，通過450iiiA的電流，點亮LED。這時的電壓為12.5V。通過熱電偶測定了被點亮的LED的溫度，結(jié)果LED的溫度為65"C。(比較例4-2)在厚35ura的銅箔上形成絕緣層，其中相對于100質(zhì)量份由環(huán)氧樹脂整體中70質(zhì)量X的環(huán)氧當量為207的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(大日本油墨公司制"EXA-7015")和30質(zhì)量X環(huán)氧當量為1200的經(jīng)氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂公司制"YL-7170")構(gòu)成的環(huán)氧樹脂加入48質(zhì)量份作為固化劑的聚氧丙烯二胺(/、》、》7乂公司制"D-400"和"D-2000"的質(zhì)量比為6:4)，組合最大粒徑在75um以下、平均粒徑為21"m、鈉離子濃度為10ppm的球狀粗粒的氧化鋁(昭和電工公司制"CB-A20")和平均粒徑為0.7um、鈉離子濃度為8ppm的球狀微粒的氧化鋁(住友化學公司制AKP-15)以在絕緣層中達到50體積％(球狀粗粒和球狀微粒的質(zhì)量比為7:3)的條件摻入，固化后的厚度為100ym。接著，貼合厚35um的銅箔，通過加熱使絕緣層熱固化，得到絕緣層中的熱固化性樹脂整體的氯化物離子濃度在300ppm以下、絕緣層中的無機填料整體的鈉離子濃度在50ppm以下的金屬基基板。對于金屬基基板，在規(guī)定的位置用抗蝕劑形成掩模，蝕刻銅箔后，除去抗蝕劑，形成電路，制成金屬基電路基板。在金屬基電路基板的導體電路的規(guī)定位置通過絲網(wǎng)印刷涂布焊錫膏(千住金屬公司制"M705")，通過回流焊接安裝LED(日亞化學公司制"NFSW036AT")。然后，在金屬基電路基板的未安裝LED的一側(cè)通過厚125^m的粘膠帶(住友3M公司制"F-9469PC")固定于U字形的盒體，得到LED光源單元。在溫度23'C、濕度30%的環(huán)境下，在得到的LED光源單元上連接穩(wěn)定電源，通過450mA的電流，點亮LED。這時的電壓為11.2V。通過熱電偶測定了被點亮的LED的溫度，結(jié)果LED的溫度為55"C。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的金屬基電路基板具有散熱性和電絕緣性，而且在安裝了需要散熱的半導體元件或阻抗芯片等電氣部件的狀態(tài)下也可以容易地在室溫下彎折，所以可以實現(xiàn)以往難以實現(xiàn)的安裝高發(fā)熱性電子部件的電子設(shè)備的小型化或薄型化。艮P，本發(fā)明的金屬基電路基板可以用于各種用途領(lǐng)域，例如與復雜形狀的盒體或散熱部件相接的混合集成電路，因為貼附被覆層并在所需的位置實施了縫隙加工而確保了彎曲性或者形成了具有磁性損耗的層或具有介電損耗的層的LED模塊，對于具有將由LED光源產(chǎn)生的熱量高效地散熱到基板背面?zhèn)榷筁ED的溫度上升小、LED的發(fā)光效率下降得到抑制、亮度高、壽命長的特征的LED光源單元的應(yīng)用等。另外，在這里引用2005年4月19日提出申請的日本專利申請2005-120891號、2006年1月23日提出申請的日本專利申請2006-013289號、2006年2月7日提出申請的日本專利申請2006-030024號和2006年3月28日提出申請的日本專利申請2006-87688號的說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要的所有內(nèi)容作為本發(fā)明說明書的揭示。權(quán)利要求1.金屬基電路基板，它是交錯層疊有絕緣層和導體電路或金屬箔的電路基板，其特征在于，導體電路或金屬箔的厚度為5μm～450μm，絕緣層由含有無機填料和熱固化性樹脂的樹脂組合物的固化體形成，前述絕緣層的厚度為9μm～300μm。2.如權(quán)利要求l所述的金屬基電路基板，其特征在于，用于電連接導體電路或金屬箔的通孔中的至少l個在0.0078imn2以上。3.如權(quán)利要求1或2所述的金屬基電路基板，其特征在于，絕緣層的熱導率為l4W/raK。..4.如權(quán)利要求13中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，絕緣層的玻璃化溫度為04(TC。5.如權(quán)利要求14中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，絕緣層為含有2560體積X熱固化性樹脂且其余部分由鈉離子濃度在500ppm以下的無機填料構(gòu)成的樹脂組合物的固化體，所述無機填料由最大粒徑75um以下的平均粒徑540um的球狀粗粒和平均粒徑O.33.0"m的球狀微粒構(gòu)成。6.如權(quán)利要求15中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，熱固化性樹脂含有經(jīng)氫化的雙酚F型和/或A型的環(huán)氧樹脂。7.如權(quán)利要求6所述的金屬基電路基板，其特征在于，熱固化性樹脂含有環(huán)氧當量8004000的直鏈狀的環(huán)氧樹脂。8.如權(quán)利要求6或7所述的金屬基電路基板，其特征在于，熱固化性樹脂含有作為固化劑的聚氧化烯多胺。9.如權(quán)利要求68中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，熱固化性樹脂中的氯化物離子濃度在500ppm以下。10.如權(quán)利要求19中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，將該電路基板在任意位置以l5mm的曲率半徑彎折90。以上時，導體電路或金屬箔的各層間的耐電壓在1.0kV以上。11.如權(quán)利要求110中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，在金屬箔上隔著絕緣層設(shè)置導體電路，再設(shè)置厚度為5um25um的被覆層而成，被覆層的至少一部分被除去而形成的縫隙形成于未設(shè)置前述導體電路的部分。12.如權(quán)利要求ll所述的金屬基電路基板，其特征在于，前述縫隙被加工成相對于彎折部分的長度為50%95%。13.如權(quán)利要求11或12所述的金屬基電路基板，其特征在于，前述被覆層的厚度為5uffl25wra。14.如權(quán)利要求1113中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，在前述縫隙部彎折。15.如權(quán)利要求1114中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，絕緣層表面以O(shè).10.5mm的曲率半徑彎折90。以上。16.如權(quán)利要求1115中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，在被覆層的表面上層疊有具有磁性損耗的層或具有介電損耗的層。17.如權(quán)利要求1116中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，具有磁性損耗的層由縱橫比在2以上的磁性材料和有機粘結(jié)材料形成，前述磁性材料的含量為3070體積％，而且該具有磁性損耗的層的厚度為3um50um。18.如權(quán)利要求1116中的任一項所述的金屬基電路基板，其特征在于，具有磁性損耗的層由比表面積為20110m7g的碳粉和有機粘結(jié)材料形成，前述碳粉的含量為560體積％，該具有磁性損耗的層的厚度為3um50um。19.混合集成電路，其特征在于，使用權(quán)利要求110中的任一項所述的金屬基電路基板。20.LED，其特征在于，在權(quán)利要求1118中的任一項所述的金屬基電路基板的導體電路上電連接至少1個LED而成。21.LED光源單元，其特征在于，將權(quán)利要求118中的任一項所述的金屬基電路基板通過粘膠帶配置于盒體表面，并且在前述金屬基電路基板的導體電路上搭載l個以上的發(fā)光二極管而成。22.如權(quán)利要求21所述的LED光源單元，其特征在于，粘膠帶的熱導率為12W/mK，厚度為50um150um。23.如權(quán)利要求21或22所述的LED光源單元，其特征在于，粘膠帶含有含丙烯酸和/或甲基丙烯酸的高分子。24.如權(quán)利要求2123中的任一項所述的LED光源單元，其特征在于，粘膠帶含有4080體積％導熱性電絕緣劑。25.如權(quán)利要求2124中的任一項所述的LED光源單元，其特征在于，導熱性電絕緣劑的最大粒徑在45um以下，平均粒徑為O.530um。全文摘要本發(fā)明提供不僅可設(shè)置于平坦的部分，還可以使其密合于盒體的側(cè)面或底面或者錯層或曲面等，散熱性、電絕緣性、彎曲性良好的薄型化了的金屬基電路基板及其制法，以及使用該基板的混合集成電路、LED模塊、亮度高且壽命長的LED光源單元。金屬基電路基板及使用該基板的混合集成電路，所述基板是交錯層疊有絕緣層和導體電路或金屬箔的電路基板，其特征在于，導體電路或金屬箔的厚度為5μm～450μm，絕緣層由含有無機填料和熱固化性樹脂的樹脂組合物的固化體形成，前述絕緣層的厚度為9μm～300μm。另外，提供在前述導體電路上搭載1個以上的發(fā)光二極管而成的金屬基電路基板。文檔編號H05K1/05GK101161039SQ20068001238公開日2008年4月9日申請日期2006年4月19日優(yōu)先權(quán)日2005年4月19日發(fā)明者八島克憲,岡島芳彥,岡田拓也,高野敬司申請人:電氣化學工業(yè)株式會社