專利名稱：通用反電磁系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及反電》茲系統(tǒng)，包括至少 一個輻射有害電》茲波的波
源以及至少一個發(fā)射反電》茲波的^氐消單元，用于通過該反波(counter wave)抵消該有害波。具體來說，本發(fā)明涉及反電》茲系統(tǒng)的通用抵 消單元并涉及通過該4氐消單元4氐消該有害波的各種結(jié)構(gòu)，例如通過 將該4氐消單元的結(jié)構(gòu)與該波源的結(jié)構(gòu)匹配、將該反波的形狀與該有 害波的形^l犬匹配，等等。本發(fā)明還涉及通過源匹配或波匹配，用該 反波抵消該有害波的各種方法，以及提供該抵消單元和反波的各種 方法。本發(fā)明進一步涉及提供該系統(tǒng)、該系統(tǒng)的該4氐消單元等等的 各種工藝。本發(fā)明涉及的各種電和/或磁場，可單獨應(yīng)用或與該抵消 單元結(jié)合應(yīng)用，以4吏該系統(tǒng)的有害波輻射減至最<氐。
背景技術(shù)：
目前已為科學界所接受的是，由各種設(shè)備輻射的具有不同頻 率的電磁波可能危害人類健康。在某些情況下，在兆赫茲到千兆赫 茲范圍內(nèi)的電萬茲波可能是罪^b禍首，然而在其它情況下，60赫茲的 電磁波可能是主要的健康殺手。有一點再怎么強調(diào)也不過分，那就 是，屏蔽60赫茲電磁波的磁波是非常困難的，其波長達幾千公里， 且該60赫茲的/ 茲波在當代社會的任何角落無處不在。然而，該電磁波的強度通常與從該波源到目標的距離的平方 成反比降^f氐。因此，來自該電》茲波的潛在的不利影響可通過與該源 保持安全的距離而減至最低。然而，某些電氣設(shè)備往往在非常接近
8于"f吏用者處4吏用，該i殳備的典型示例為電吹風、巻發(fā)器、電床墊或 毯子、電熱墊、耳機、頭戴式耳機、移動電話、剃刀、電牙刷等等。 然而，所有的先有設(shè)備都未能彌補該潛在危害。

發(fā)明內(nèi)容
能夠與各種現(xiàn)有技術(shù)設(shè)備結(jié)合以及將該設(shè)備轉(zhuǎn)換為反電磁 系統(tǒng)，以使從其輻射的有害電磁波減至最低的通用抵消單元，是迫 切需要的。還需要提供用于抵消由具有不同形狀和/或尺寸的各種波 源輻射的該有害波的可行的解決方案。進一步需要4是供用于纟氏消該 有害波的另一可4于的解決方案，該有害波定義具有各種特性的波前。本發(fā)明涉及反電磁系統(tǒng)，其包括至少一個輻射有害電磁波的 波源以及至少一個發(fā)射反電》茲波的一氏消單元，用以通過該反波4氐消 該有害波，例如，通過用該反波消滅至少吾卩分該有害波，通過4中制 該有害波傳播至目標區(qū)，等等。尤其是，本發(fā)明涉及該反電^茲系統(tǒng) 的通用抵消單元，且涉及用于通過該抵消單元抵消該有害波的各種 結(jié)構(gòu)，該有害波由該波源的各種基本單元輻射。因此，該^氐消單元 可—皮定制形狀、尺寸和/或^fc沒置為將其構(gòu)造與該波源的基本單元的 構(gòu)造匹配，由此發(fā)射自動匹配該有害波的特征的反波。作為選擇， 該抵消單元可^皮定制形狀、尺寸和/或位于^L定義為沿該有害波的一 個或多個波前的設(shè)置，由此發(fā)射自動匹配該有害波的特征的反波。 本發(fā)明還涉及各種抵消單元，其被提供為該波源的基本單元的模擬 單元(analog),其中該才莫擬單元可與比該4氐消單元更復雜的基本單 元近似、(approximate )，其中三維或二維的基本單元也可與該二維或 一維的模擬單元近似，等等。本發(fā)明還涉及多個簡單的抵消單元， 其比該基本單元更簡單，但位于與該基本單元的形狀和/或設(shè)置近似 的設(shè)置中。本發(fā)明還涉及該抵消單元，其根據(jù)該基本單元的構(gòu)造及 其布置被定制形狀和/或尺寸。另夕卜，本發(fā)明涉及各種抵消機制，其 中單個4氐消單元可^氐消單個基本單元、至少兩個^f旦并非所有的多個基本單元、或者所有的多個基本單元，其中多個4氐消單元可4氐消單 個基本單元、更多的基本單元、或者不太多的單元，等等。本發(fā)明 涉及各種電和/或磁屏蔽，可單獨應(yīng)用或與該抵消單元結(jié)合應(yīng)用，以 4吏來自該系統(tǒng)的有害波輻射減至最低。本發(fā)明還涉及通過該種源匹配或波匹配，由該反波4氐消該有 害波的各種方法。尤其是，本發(fā)明涉及形成作為該基本單元的模擬
單元的該4氐消單元，4妄著發(fā)射與該有害波匹配的反波的各種方法；
以多個更簡單的抵消單元接近該基本單元的各種方法。本發(fā)明還涉 及沿該有害波的波前布置該4氐消單元，4妄著發(fā)射用以自動匹配該有 害波的波前的反波的各種方法；沿該有害波的波前布置多個坤氐消單 元4妻著由該4氐消單元發(fā)射用于與該波前自動匹配的該反波的各種方 法，等等。另外，本發(fā)明涉及通過將該4氐消單元布置為關(guān)于該基本 單元進一步接近和/或遠離該目標區(qū)，控制該反波的波前的各種方 法；通過結(jié)合一個或多個發(fā)射具有相同或相反相位角的反波的4氐消 單元，控制該反波波前的曲率半徑的各種方法；通過布置一個或多 個定義與該基本單元的形狀類似或不同的形狀的4氏消單元，調(diào)整該 反波波前的各種方法，等等。本發(fā)明還涉及用由該單個或多個4氐消 單元發(fā)射的反波，4氏消來自一個或多個基本單元的該有害波的各種 方法。因此，本發(fā)明涉及對于由一個或多個基本單元輻射的有害波， 發(fā)射來自單個抵消單元的反波的各種方法；對于由單個或多個基本 單元輻射的有害波，由兩個或多個抵消單元發(fā)射該反波的各種方法， 等等。另外，本發(fā)明涉及通過結(jié)合該電屏蔽、通過結(jié)合該》茲屏蔽、 通過結(jié)合這些屏蔽的一個或兩者，連同上述4氐消單元，〗吏該有害波 輻射減至最低的各種方法，等等。本發(fā)明進一步涉及用于l是供各種4氐消單元以及結(jié)合一個或 多個抵消單元于其內(nèi)的各種系統(tǒng)的各種工藝。尤其是，本發(fā)明涉及用于形成該4氐消單元以發(fā)射反波的各種工藝，該反波具有與該抵消
單元的形狀類似(或不同)的波前；用于形成該4氐消單元作為該基 本單元的上述模擬單元的各種工藝；用于提供發(fā)射反波的抵消單元 的各種工藝，該反波定義類似或相反的相位角；用于提供該4氐消單 元的各種工藝，該抵消單元具有形狀類似于該有害波的波前；各種 工藝用于以預定設(shè)置布置該4氐消單元并由其發(fā)射反波的各種工藝， 該反波具有類似于該設(shè)置的波前，等等。本發(fā)明還涉及用于指派單 個4氐消單元4氏消由單個基本單元輻射的有害波，用于局部4氐消，或 者抵消來自多個基本單元的該有害波，用于整體抵消的各種工藝； 用于指派多個4氐消單元4氐消由單個基本單元輻射的有害波，用于整 體抵消，或者抵消來自多個基本單元的有害波，根據(jù)該抵消和基本 單元的數(shù)量，用于局部或整體抵消的各種工藝。本發(fā)明進一步涉及 用于結(jié)合該電和/或》茲屏蔽，以〗吏該有害波輻射減至最^氐的各種工 藝；以及通過應(yīng)用這些屏蔽以及上述抵消單元，用于使該有害波輻 射減至最低的各種工藝。因此，本發(fā)明的首要目的是提供反電磁(此后簡稱為'EMC') 系統(tǒng)(此后簡稱為'EMC系統(tǒng)'或'系統(tǒng)')，其通過用該反波4氐消該有害 波，能夠使來自至少一個波源的至少一個基本單元的有害波輻射減 至最低。因此，本發(fā)明的相關(guān)目的是提供EMC系統(tǒng)，通過用該反波 消滅至少部分該有害波，和/或通過用該反波抑制該有害波向預定方 向傳播，能夠抵消該有害波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是通過該抵消 該有害波，該反波并非所有圍繞該EMC系統(tǒng)的基本單元的反波、而 是^皮定義在該系統(tǒng)的^叉一側(cè)的該目標區(qū)(或區(qū)域)的反波。大體而 言，該目標區(qū)凈皮定義在介于該基本單元與該系統(tǒng)的4吏用者或者該4吏 用者的特定部位之間。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是設(shè)置該反波為定義 該相位角至少部分與該有害波的相位角相反，以<更當傳#番至該目標 區(qū)時，該反波消滅和/或抑制該有害波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是設(shè) 置該反波為定義該相位角至少部分與該有害波的一IH立角類^以，以<更
ii當從該基本單元的相對側(cè)傳播至該目標區(qū)時，該反波消滅和/或抑制 該有害波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是從與該基本單元關(guān)于該目標區(qū) 的相同或相對側(cè)發(fā)射反波，同時控制其相位角，從而使來自不同抵 消單元的該反波4氐消目標區(qū)的有害波。本發(fā)明的另一目的是提供該EMC系統(tǒng)，其具有至少一個能夠 發(fā)射該反波的抵消單元。因此，本發(fā)明的相關(guān)目的是將該抵消單元 的至少一個特征或構(gòu)造(例如每個意味著形狀、尺寸、設(shè)置，等等) 與該基本單元的特;f正或構(gòu)造匹配，從而^f吏由該抵消單元發(fā)射的反波 匹配由該基本單元輻射的有害波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是定義單 個基本單元的形狀匹配單個^氐消單元的形狀，從而^f吏由該^氐消單元 發(fā)射的反波匹配來自該基本單元的有害波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的 是4吏單個4氐消單元的形狀與多個基本單元的i殳置匹配，A人而^吏由該 抵消單元發(fā)射的反波與由多個基本單元輻射的有害波的加合匹配。 本發(fā)明的另 一相關(guān)目的是設(shè)置與單個基本單元的形狀匹配的多個抵 消單元，從而使由多個抵消單元發(fā)射的反波的加合與來自該基本單 元的有害波匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是設(shè)置多個抵消單元，其 與多個基本單元的另 一設(shè)置匹配，從而使由多個抵消單元發(fā)射的反 波的加合與來自多個基本單元的有害波的另一加合匹配。本發(fā)明的 另一相關(guān)目的是提供該抵消單元，同時使用最少量的導體、半導體 和/或絕緣材料、同時使該抵消單元的總體積或尺寸減至最低、同時 使該抵消單元的總重量減至最低，等等。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是 發(fā)射來自該4氐消單元的反波，同時使用最少的電能、同時乂人該EMC 系統(tǒng)的基本單元或其它部件汲耳又最少量的電流或電壓，等等。本發(fā)明的另一目的是提供EMC系統(tǒng)，其包括與至少一個基 本單元的形狀匹配的至少一個抵消單元于其中。因此，本發(fā)明的相 關(guān)目的是形成該抵消單元作為該三維基本單元的一維、二維或三維 才莫擬單元，以及通過該單個或多個模擬單元4氐消該單個或多個基本
12單元。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是提供該4氐消單元作為該三維基本單 元的一維或二維才莫擬單元，以及用該單個或多個才莫擬單元4氐消該單 個或多個基本單元。本發(fā)明的另 一相關(guān)目的是提供該抵消單元作為 該二維基本單元的一維或二維才莫擬單元，4妄著用該單個或多個才莫擬 單元^氐消該單個或多個基本單元。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是形成該 抵消單元作為該二維基本單元的一維模擬單元，以及用該單個或多 個模擬單元抵消該單個或多個基本單元。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是 4是供該4氏消單元作為一維基本單元的一維才莫擬單元，以及用單個或 多個才莫擬單元^氐消該單個或多個基本單元。本發(fā)明的另一相關(guān)目的
是提供該抵消單元作為一維、二維和/或三維基本單元的一維、二維 和/或三維模擬單元，接著用混合尺寸的抵消單元抵消該混合尺寸的 基本單元。在這些目的中，該抵消單元發(fā)射能夠與由該基本單元輻 射的有害波匹配的反波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是形成與該基本單 元的形狀適應(yīng)的抵消單元，以使由其發(fā)射的反波與該有害波匹配。 本發(fā)明的另一相關(guān)目的是形成該4氐消單元，其與該基本單元的形狀 不相適應(yīng)，但。故布置在一i殳置中，用以4吏由其發(fā)射的反波匹配該有 害波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是形成形狀為線狀、條狀、板狀、管 狀、線圈、螺旋形、網(wǎng)狀、其混合、其組合、和/或其排列中的一個 或多個的4氐消單元，用以與該基本單元的形狀匹配，以及發(fā)射與該 有害波匹配的反波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是將上述任一4氐消單元 布置在與該基本單元預定距離內(nèi)，用以使由其發(fā)射的反波的至少某 些波前與該有害波的至少某些波前匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是 將上述4壬一4氏消單元關(guān)于該基本單元以預定i殳置布置，^人而將該反 波的至少某些波前與該有害波的至少某些匹配。本發(fā)明的另一目的是提供EMC系統(tǒng)，其包括至少一個抵消 單元于其內(nèi)，該抵消單元具有操作性地與該基本單元的尺寸匹配的 尺寸，用于使由該基本單元輻射的有害波與由其發(fā)射的反波匹配。 因此，本發(fā)明的一個相關(guān)目的是提供比該基本單元更大、更寬和/
13或更長的該4氐消單元，其中該^氐消單元優(yōu)選5殳置在該基本單元與目 標區(qū)之間(此后稱為'前部i殳置')，用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān) 目的是形成定義尺寸、寬度、和/或長度與該基本單元類似(或相同) 的抵消單元，其中該抵消單元優(yōu)選被設(shè)置為關(guān)于該目標區(qū)與該基本
單元側(cè)部i殳置或肩并肩i殳置(此后稱為'側(cè)部i殳置')，用于該匹配。 本發(fā)明的另一相關(guān)目的是形成比該基本單元更小、更窄和/或更短的 4氐消單元，其中該4氐消單元4尤選相對于該基本單元^皮"i殳置在該目標 區(qū)的相對側(cè)(此后稱為'后部設(shè)置')，用于該匹配。本發(fā)明的另一相 關(guān)目的是通過該基本單元容納至少部分該抵消單元，或者作為選擇， 通過該抵消單元容納至少部分該基本單元(此后稱為'同心設(shè)置')， 用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是在該前部、側(cè)部、后部或同 心i殳置中，關(guān)于該單個基本單元i殳置多個4氐消單元，用于該匹配。 本發(fā)明的另一相關(guān)目的是關(guān)于多個基本單元，在該前部、側(cè)部、后 部或同心i殳置中形成單個或多個^氐消單元，用于該匹配。本發(fā)明的 另一相關(guān)目的是定義多個^^消單元，所有4氐消單元關(guān)于所有的多個 基本單元，#^殳置在該前部、側(cè)部、后部和同心i殳置中的〗又一個中， 或者其中兩個4氐消單元關(guān)于至少兩個該多個基本單元，^皮i殳置為不 同(或混合)的i殳置，用于該匹配。本發(fā)明的另一目的是提供EMC系統(tǒng)，其以與該基本單元的 布置匹配的布置(例如，方位、排列和距離)結(jié)合至少一個抵消單 元。因此，本發(fā)明的相關(guān)目的是該4氐消單元定向為該有害波的傳播 方向、另一個該電流在該基本單元內(nèi)流動的方向、另一個向該基本 單元施力口電壓的方向，i亥基本單元的玄從壽由的方向、和/或其4豆4由的方 向，用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是形成多個^氐消單元，其 中所有定向為相同的方向或軸之一，其中至少兩個定向為沿不同方 向和/或軸，以及其中所有,皮定向為不同方向或軸，用于該匹配。本 發(fā)明的另一相關(guān)目的是關(guān)于該基本單元軸向排列該抵消單元(此后 稱為'軸向排列')，以便由該抵消單元發(fā)射的反波與由該基本單元輻射的有害波軸向排列，用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是使該 抵消單元與該基本單元軸向不重合(此后稱為'離軸排列')，但以預 定設(shè)置布置該抵消單元，用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是提 供關(guān)于該單個基本單元以該軸向或離軸排列"i殳置的多個4氐消單元， 用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是提供單個或多個抵消單元， 其關(guān)于多個基本單元以軸向或離軸排列設(shè)置，用于該匹配。本發(fā)明 的另一相關(guān)目的是定義多個抵消單元，其中所有關(guān)于所有多個基本 單元以軸向或離軸排列i殳置，或者其中至少兩個關(guān)于該多個基本單 元的至少兩個以不同(或混合)排列設(shè)置，用于該匹配。本發(fā)明的 另 一相關(guān)目的是在與該基本單元預定距離處設(shè)置該抵消單元，從而 使來自該纟氏消單元的反波的至少某些波前與來自該基本單元的有害 波的至少某些波前匹配，用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是在 與多個基本單元的每一個(或至少兩個)預定距離處設(shè)置該單個4氐 消單元，用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是在與該單個基本單 元預定距離處，或者作為選擇，在與多個基本單元的每一個(或至
少兩個)預定3巨離處，i殳置多個4氐消單元，用于該匹配。本發(fā)明的另一目的是提供EMC系統(tǒng)，其包括至少一個抵消 單元于其內(nèi)，用于發(fā)射具有與該有害波的波幅匹配的波幅的反波。 因此，本發(fā)明的一個相關(guān)目的是提供該抵消單元，其發(fā)射的反波的 波幅大于該有害波的波幅，其中相比于該基本單元，該4氐消單元優(yōu) 選i殳置為更加遠離該目標區(qū)，或者為后部i殳置，用于該匹配。本發(fā) 明的另一相關(guān)目的是形成該4氐消單元，其發(fā)射的反波的波幅與該有 害波的波幅類似、(或相同)，其中該4氐消單元伊C選關(guān)于該目標區(qū)與該 基本單元肩并肩i殳置，或者以側(cè)部"i殳置，用于該匹配。本發(fā)明的另 一相關(guān)目的是形成該抵消單元，其發(fā)射的反波的波幅小于該有害波 的波幅，其中該抵消單元優(yōu)選設(shè)置為比該基本單元更接近該目標區(qū)， 或者以前部設(shè)置，用于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是才是供多個 抵消單元，其發(fā)射的反波的加合可定義波幅大于、類似于或小于該單個基本單元、所有多個基本單元、至少兩個^f旦并非所有該多個4氐 消單元，等等的波幅。本發(fā)明的另 一 目的是提供包括至少 一 個抵消單元的該EMC 系統(tǒng)，該4氐消單元能夠發(fā)射與該有害波的至少部分匹配的反波，且 因此，抵消該有害波。因此，本發(fā)明的一個相關(guān)目的是提供該抵消 單元，用于發(fā)射定義與在該目標區(qū)的該有害波的至少一個波前匹配 的多個波前的反波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是沿該有害波的至少一 個波前的至少一部分i殳置該一氏消單元，并發(fā)射與該有害波的該部分 波前匹配的反波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是沿該有害波的至少一個 波前的至少一部分i殳置多個4氐消單元，并發(fā)射反波，其加合與該有 害波的該部分波前匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是一黃^爭該有害波的 至少兩個波前i殳置該4氏消單元，4旦發(fā)射能夠與該有害波的至少一個 波前的至少一部分匹配的反波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是4是供多個 4氐消單元，其中至少兩個片黃5,該有害波的至少兩個波前i殳置，^f旦發(fā) 射能夠與該有害波的波前的該部分匹配的反波。本發(fā)明的另一相關(guān) 目的是定制該抵消單元的形狀和尺寸，以便發(fā)射具有與該有害波的 至少一部分匹配的曲率半徑的反波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是以預 定位置或在與該基本單元預定距離處設(shè)置該抵消單元，其中由其發(fā) 射的反波定義與該有害波的至少部分匹配的曲率半徑。本發(fā)明的另 一相關(guān)目的是定制發(fā)射該反波的多個抵消單元的形狀和尺寸，該反 波的加合定義與由該單個基本單元或多個基本單元輻射的有害波匹 配的曲率半徑。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是提供形狀為線狀、條狀、 板狀、管狀、線圈、螺旋形、網(wǎng)狀、其混合、其組合、和/或其排列 中的一個或多個的4氐消單元，且發(fā)射能夠與來自該基本單元的該有 害波的至少一個波前的至少一部分匹配的反波。本發(fā)明的另一相關(guān) 目的是制備該抵消單元為其上未形成任何開口或孔的實心形狀，用 于該匹配。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是制備該抵消單元為定義多個孔 或開口于其上的陣列，用于該匹配。[15]本發(fā)明的另 一 目的是提供包括至少一個抵消單元于其內(nèi)的 EMC系統(tǒng)，該抵消單元用于發(fā)射該反波，且用于局部抵消由該基本 單元輻射的該有害波。因此，本發(fā)明的一個相關(guān)目的是提供單個抵 消單元，用以通過由其發(fā)射的反波局部抵消來自該基本單元的有害 波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是提供多個抵消單元，其中每一個抵消 單元用由多個4氐消單元的每一個發(fā)射的反波，局部4氐消來自4又一個 相同(或較少數(shù)量的)基本單元的有害波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的 是提供單個抵消單元(或多個抵消單元)，其定義該特征(或構(gòu)造) 與該單個基本單元(或多個基本單元)類似(或相同)，用于該局部 抵消。本發(fā)明的另 一相關(guān)目的是提供單個4氐消單元(或多個4氐消單 元)，其發(fā)射的反波定義與由該單個基本單元(或多個基本單元)輻 射的有害波的至少一個波前匹配的波前，用于該局部4氏消。本發(fā)明 的另 一相關(guān)目的是提供多個抵消單元，其中至少一個定義該特征(或 構(gòu)造)與該基本單元類似(或相同)，以及其中至少另一個定義的波 前與來自該基本單元的有害波的至少一個波前匹配，用于該局部才氐 消。本發(fā)明的另 一 目的是提供包括至少 一 個抵消單元于其內(nèi)的 EMC系統(tǒng)，該4氐消單元用于發(fā)射反波，且用于整體4氐消由該基本單 元輻射的有害波。因此，本發(fā)明的一個相關(guān)目的是形成一個或多個 抵消單元，每個發(fā)射用于與由一個或較少數(shù)量的基本單元輻射的有 害波整體匹配的反波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是提供單個抵消單元， 用于通過由其發(fā)射的反波整體4氐消由多個基本單元輻射的有害波的 加合。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是形成多個4氐消單元，其中每一個4氐 消單元通過由多個抵消單元的每一個發(fā)射的反波，整體抵消由至少 兩個基本單元輻射的有害波。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是定義該單個 抵消單元(或多個抵消單元)，其定義與至少兩個(或數(shù)量更多的) 基本單元類似(或相同)的特征(或構(gòu)造)，用于該整體抵消。本發(fā) 明的另一相關(guān)目的是提供單個抵消單元(或多個抵消單元)，其發(fā)射
17的反波定義的波前與由至少兩個(或更多l(xiāng)t量的)基本單元輻射的 有害波的至少一個波前匹配，用于該整體4氐消。本發(fā)明的另一相關(guān) 目的是提供多個抵消單元，其中至少一個定義與至少兩個基本單元 類似(或相同)的特征(或構(gòu)造)，以及其中至少另一個定義的波前 與由其它基本單元的至少兩個輻射的有害波的至少一個波前匹配， 用于該局部4氐消。本發(fā)明的另 一 目的是提供包括至少 一 個抵消單元于其內(nèi)的 EMC系統(tǒng)，該4氐消單元#皮設(shè)置在相對于該基本單元和/或目標區(qū)定義 的預定位置或地點。因此，本發(fā)明的一個相關(guān)目的是將該4氐消單元 布置在該基本單元的外部表面上(或其上方)、將該4氐消單元布置在 該基本單元的內(nèi)部表面上(或其下方)、將該抵消單元的至少一部分 嵌入到該基本單元內(nèi)部，等等。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是提供具有 箱體構(gòu)件的系統(tǒng)，JM尋該^氐消單元布置在該箱體構(gòu)件的外部表面上
(或其上方)、將該抵消單元布置在該箱體構(gòu)件的內(nèi)部表面上(或其 下方)、將該抵消單元的至少一部分嵌入到該箱體構(gòu)件內(nèi)部、將該抵 消單元布置在該箱體構(gòu)件與基本單元之間，等等。本發(fā)明的另一相 關(guān)目的是以與該箱體構(gòu)件成預定關(guān)系布置該4氐消單元，例如穿過該 箱體構(gòu)件暴露該;l氏消單元的至少一部分(或全部)、將該4氏消單元的
全部容納在該箱體構(gòu)件內(nèi)部，等等。本發(fā)明的另 一 目的是提供包括至少一個抵消單元于其內(nèi)的 EMC系統(tǒng)，該抵消單元發(fā)射沿預定方向傳播的反波。因此，本發(fā)明 的一個相關(guān)目的是將該抵消單元設(shè)置為關(guān)于該基本單元總是以固定 方向發(fā)射反波，以便該反波沿著基于與該有害波的傳播方向的預定 關(guān)系定義的方向傳纟番。例如平4于于該有害波、垂直于該有害波、與 該有害波成預定角度，等等。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是設(shè)置該抵消 單元為關(guān)于該有害波的傳纟番方向以可變的方向發(fā)射該反波，其中該 抵消單元被設(shè)置為改變其設(shè)置和/或定向，和/或沿該可變的方向接收
18該電流和/或電壓，用以改變該反波的方向。本發(fā)明的另 一相關(guān)目的 是設(shè)置該抵消單元為在由該有害波的可變的傳播方向適應(yīng)性確定的 方向發(fā)射該反波，其中該抵消單元可改變?nèi)缟纤龅姆床ǖ姆较颉?因此，該抵消單元可基于其設(shè)置和/或定向改變抵消程度。本發(fā)明的 另一相關(guān)目的是基于如上所述的預定關(guān)系， -使該反波的傳^番方向與 該有害波同步。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是以與用以控制其方向的那 些機制類似的各種機制，設(shè)置該抵消單元以控制該反波的波幅。本發(fā)明的另 一 目的是^是供具有上述^氏消單元的至少一個的
EMC系統(tǒng)，以及向其供應(yīng)電流或電壓，用以通過由其發(fā)射的反波4氐 消該有害波。因此，本發(fā)明的一個相關(guān)目的是向該抵消單元提供該 電流或電壓，其一皮供應(yīng)至上述基本單元或多個基本單元的至少一個。 本發(fā)明的另 一相關(guān)目的是向該抵消單元提供該電流或電壓的至少一 部分^旦并非全部，其一皮供應(yīng)至該基本單元或多個基本單元的至少一 個。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是向該抵消單元提供該部分電流或電壓， 在供應(yīng)至其上之前，其波幅和/或方向#:<奮改。在所有這些示例中， 施力口至該4氐消單元的該電流或電壓與施加至該基本單元或多個基本 單元的至少一個的電流或電壓自動同步。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是 向該4氐消單元供應(yīng)電流或電壓，其不是供應(yīng)至該基本單元或多個基 本單元的至少一個的該電流或電壓，而是與供應(yīng)至該基本單元的電 流或電壓至少部分同步的電流或電壓。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是取 決于該抵消單元的構(gòu)造和/或布置，控制該電流或電壓的波幅或方 向。本發(fā)明的另一相關(guān)目的是將該抵消單元以平行、連續(xù)或混合機 制與該基本單元電氣耦合。本發(fā)明的另 一相關(guān)目的是基于各種順序 供應(yīng)該電;充或電壓，例:^首先向該基本單元然后向該4氐消單元、首 先向該4氏消單元然后向該4氏消單元、首先向多個4氏消單元的一個然 后向剩余的抵消單元或基本單元、首先向多個基本單元的一個然后 向剩余的基本單元或抵消單元、同時向該抵消和基本單元，等等。[20]應(yīng)當理解，在所有這些目的中，該抵消單元優(yōu)選被設(shè)置為
不會不利;也影響該系統(tǒng)的其它予貞期才乘4乍(intended operation )。例如， 該EMC揚聲器系統(tǒng)的4氐消單元可有效地4氐消由其聲音生成基本單 元輻射的有害波，但不會不利地影響由其生成的聲音的品質(zhì)。在另 一示例中，該EMC驅(qū)動系統(tǒng)的4氐消單元可有效地4氐消由其電動基本 單元輻射的該有害波J旦不會不利地影響由其生成的電動勢的波幅。 在另 一示例中，該EMC力口熱系統(tǒng)的4氐消單元也可有承文i也4氐消由其力口 熱基本單元輻射的有害波，但不會不利地影響由其生成的熱能的量。 在另 一示例中，該EMC變壓器系統(tǒng)的4氐消單元可有效地4氐消由其轉(zhuǎn) 換線圈輻射的有害波，但不會不利地影響由其獲得的電壓電平。同 樣應(yīng)當注意，在所有這些目的中，該4氐消單元更優(yōu)選地被i殳置為發(fā) 射反波，該反波定義的相^f立角至少部分與該有害波的相4立角相反， 用于該4氐消， <旦是，當該4氐消單元位于關(guān)于該目標區(qū)的基本單元相 對側(cè)時，或者當該系統(tǒng)包括多個4氐消單元，且需要々務(wù)改該反波的波 前的曲率半徑時，該4氏消單元也可發(fā)射定義至少部分與該有害波類 似的相位角的反波。進一步應(yīng)當注意，在該共同待決申請中揭示的 電和/或萬茲屏蔽可#皮單獨結(jié)合至，或與上述4氏消單元組合結(jié)合至上述 任一EMC系統(tǒng)，用于最大程度的抵消該有害波。本發(fā)明的通用反電磁系統(tǒng)的該抵消單元的基本原理是發(fā)射 該反波，該反波形成的波前與該有害波的波前類似(或相同)，4旦定 義的相位角至少部分與該有害波的相4立角相反。因此，通過一夸該反 波傳4番至該目標區(qū)，該反波可通過例如消滅其內(nèi)的至少一部分該有 害波和/或承「制該有害波向其傳4番，有效i也4氐消在該目標區(qū)內(nèi)的該有 害波。為此目的，該一氏消單元一皮-沒置為發(fā)射該反波，其定義以各種 才幾制與該有害波的波前匹配的波前。在一個示例中，該4氐消單元尋皮 定制形狀為與該波源的基本單元類似(或相同)，或i殳置為與該基本 單元類似(或相同)，且因此發(fā)射可抵消目標區(qū)內(nèi)的有害波的反波。 在另一示例中，該4氐消單元沿該有害波的一個或多個波前i殳置并發(fā)射與該有害波類似(或相同)的反波，且因此抵消在該目標區(qū)內(nèi)的 該有害波。在這兩個示例中，該4氐消單元爿尋發(fā)射具有與該4氐消單元 本身的形狀類似(或相同)的波前的反波，且該反波將定義至少部 分與該有害波的相位角相反的相位角。在另一示例中，該^氐消單元 被定制形狀為與該基本單元不同，但被設(shè)置為由其發(fā)射的反波可與
該目標區(qū)內(nèi)的該有害波匹配的i殳置中。在另一示例中，該4氐消單元 橫跨該有害波的不同波前設(shè)置，但將發(fā)射與該有害波類似(或相同) 的反波，且因此抵消在該目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在最后兩個示例中， 該4氐消單元可一皮i殳置為發(fā)射其波前可或可不與該4氏消單元本身的形 狀類似(或相同)的反波，同時該反波3夸定義至少部分與該有害波 的相位角相反的相位角。本發(fā)明通用反電磁系統(tǒng)的抵消單元的基本原理可結(jié)合至各 種現(xiàn)有設(shè)備，用于使產(chǎn)生的有害波輻射減至最低。例如，該抵消單 元可能^皮應(yīng)用到由導電線纜、線圏、和/或板構(gòu)成的任何基本單元， 或作為選i奪，應(yīng)用到任何半導電的和/或絕緣的線、線圈、和/或板構(gòu)
成的任^r基本單元，用于由該反波4氐消該有害波，例如通過消滅該 目標區(qū)的至少部分有害波和/或抑制該有害波向該目標區(qū)傳一番， <吏該 有害波輻射減至最低，其中該抵消單元可由至少一個導體、絕緣體 或半導體材料構(gòu)成和/或包括至少一個導體、絕緣體或半導體材料。
該4氐消單元可能,皮應(yīng)用到限定該線狀的^壬一該種基本單元，該形狀 可通過結(jié)合線狀、線圈、和/或板狀的一個或多個、通過^務(wù)改線狀、 線圏和/或板狀的一個或多個形狀形成，其中修改的形狀的幾個示例 可包括螺線管狀和螺旋管狀，每一個均通過》務(wù)改該線圈的形狀形成。 因此，且在一個示例中，該^氐消單元可凈皮應(yīng)用到各種揚聲器，例如 紙盆-驅(qū)動揚聲器、靜電揚聲器和壓電揚聲器，用于^f吏有害波輻射減 至最低。因此，包括該反電磁揚聲器的任何現(xiàn)有設(shè)備，例如耳機、 頭戴式耳機、有線電話、移動電話和視聽器，可被轉(zhuǎn)化為該反電磁 系統(tǒng)。類似地，該抵消單元可被應(yīng)用到各種麥克風，其為該揚聲器的反例，且包括該反電磁麥克風的任何現(xiàn)有設(shè)備，例如有線電話、 移動電^舌、音頻和/或一見聽系統(tǒng)、耳4幾和麥克風的組合可一皮轉(zhuǎn)4匕為該 反電萬茲系統(tǒng)。在另一示例中，該^板消單元可凈皮應(yīng)用到各種馬達，例
如DC馬達、萬用馬達、AC同步馬達、AC感應(yīng)馬達、線性馬達，等 等，用于使該有害波的輻射減至最低。因此，包括反電磁馬達的任 何現(xiàn)有驅(qū)動設(shè)備，例如廚房用具(如食品料理4幾、攪拌器、榨汁器、 粉碎機、混合器、壓榨機、開罐器、洗碗機、電冰箱、冷凍機、冷 卻器，等等)，烹飪用具(如電烤爐、電烤箱、電爐、電灶、電烤面 包爐、電風扇，諸如此類等等)，家用電器(如洗衣才幾、干衣4幾、空 調(diào)器、車庫開啟器、干的或濕的真空吸塵器，等等)，工具(如電鉆、 電鋸、電動改錐、電動射釘槍或訂書機、電動砂光機，等等)，以及 個人衛(wèi)生設(shè)備(如電動剃刀、電動牙刷、電吹風，等等)可被轉(zhuǎn)化 為該反電石茲系統(tǒng)。類似地，該坤氐消單元也可一皮應(yīng)用到各種發(fā)電才幾， 具有該反電磁發(fā)電機的任何現(xiàn)有發(fā)生裝置，例如AC發(fā)電機、DC發(fā) 電才幾、以及(汽車)交流發(fā)電才幾也可^皮轉(zhuǎn)4匕為該反電i茲系統(tǒng)。在另 一示例中，該4氐消單元可—皮應(yīng)用到各種變壓器，該變壓器包4舌至少 兩個線圈于其內(nèi)，且包括包含該反電磁變壓器的任何現(xiàn)有設(shè)備，例 如各種電子設(shè)備的升壓變壓器、降壓變壓器、以及AC/DC適配器， 可被轉(zhuǎn)化為該反電磁系統(tǒng)。在另一示例中，該抵消單元可被應(yīng)用到 包4舌熱電阻加熱絲、力。熱條、加熱々反和/或加熱線圏的至少一個的各 種加熱單元，用于在加熱過程中4吏有害波輻射減至最低。因此，任 何現(xiàn)有加熱設(shè)備，例如個人供熱設(shè)備(如電床墊或席子、電熱毯、 電熱墊，等等)，烹飪用具(如電烤爐、電烤箱、電爐、電灶、電烤 面包爐、電烤面包箱，等等)，和/或美容相關(guān)用具(如電吹風、臨 時巻發(fā)器、巻發(fā)器、蒸發(fā)器，等等)，可被轉(zhuǎn)化為該反電磁系統(tǒng)。在 另一示例中，該4氐消單元可^皮應(yīng)用到各種發(fā)光單元，用于Y吏該有害 波輻射在發(fā)光過程中減至最低。因此，任何現(xiàn)有顯示設(shè)備，例如陰 極射線管、光發(fā)射設(shè)備、有機發(fā)光i殳備、無才幾發(fā)光設(shè)備、和等離子 顯示面并反可祐j爭4匕為該反電》茲系統(tǒng)。
22[23]應(yīng)當注意，本發(fā)明通用EMC系統(tǒng)的各種抵消單元可被結(jié)合 至任何電氣和/或電子i殳備，其中每一個可包括至少 一個基本單元， 且因此可輻射包括具有約50至60Hz的頻率的電波(此后稱為'EW') 和萬茲波(此后稱為'MW')的有害波，和/或包4舌具有更高頻率的其它 EW和MW的有害波。同樣應(yīng)當注意，本發(fā)明的通用EMC系統(tǒng)也可 —皮結(jié)合至包4舌至少一個基本單元的4壬4可<更攜式或固定的電氣和/或 電子設(shè)備，其詳細示例已經(jīng)在之前^是供，并將在此后4是供。進一步 應(yīng)當注意的是，該抵消單元可提供為微米尺寸并結(jié)合至半導體芯片 和電^各，例如LSI和VLSH殳備，且該4氐消單元可才是供為納米尺寸并 結(jié)合至包括至少一個基本單元的各種納米設(shè)備，其在本案中可為單 分子或可為多個分子或化合物的簇?，F(xiàn)在列舉該通用反電^茲系統(tǒng)的各種系統(tǒng)、方法和/或工藝方 面及其各種實施例。然而，應(yīng)當理解，本發(fā)明的下述系統(tǒng)、方法、 和/或工藝方面可以4艮多其它不同形式體現(xiàn)，并因此應(yīng)當^f皮限定在此 處將要提出的該方面和/或其實施例。相反，提供描述于此后的各種 示例性方面及其實施例，以〗更該揭示更徹底和完整，并將本發(fā)明的
范圍完整地傳達至相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。在本發(fā)明的一個方面，可4是供示例性系統(tǒng)，用于通過消滅 在目標區(qū)內(nèi)的有害波和/或抑制該有害波向該目標區(qū)傳4番，4氐消由至 少一個波源的基本單元輻射的有害電磁波，其中該基本單元僅包括 負責輻射該有害波并影響有害波穿過其內(nèi)的^4圣的部分波源，且其 中該目標區(qū)3皮定義在介于該系統(tǒng)與〗吏用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個4氏消單元，其被設(shè)置為定義與該基本單元相同(或類似的)形 狀，并^妄著發(fā)射反電^茲波，其中該反波^皮:沒置為定義相4立角至少部 分與該有害波的相^立角相反，歸因于該形狀，定義波特4正至少部分
與該有害波的波特征類似，并因此，歸因于在該目標區(qū)內(nèi)的相反的相位角，纟氐消該有害波。應(yīng)當注意，那些反波在》匕后#1稱為'第一類 反波'或'第一反波'。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包4舌單個 抵消單元，其被設(shè)置為具有該基本單元的一維(或1-D)、 二維(或
2- D)或三維(或3-D)才莫擬單元的形狀，并發(fā)射該第一反電^t波。 可選;也，該單個^氐消單元可^皮i殳置為定義多個基本單元中至少兩個 的1-D(或2-D、 3-D)模擬單元的形狀，并發(fā)射該第一反電磁波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括多個 抵消單元，其中至少兩個被設(shè)置為定義該基本單元的l-D (或2-D、
3- D)才莫擬單元的形狀，并發(fā)射反電石茲波，該電^茲波^皮i殳置為定義相 位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該形狀，定義波特 ^正至少部分與該有害波的波特4正類似、，以及因此，歸因于在該目標 區(qū)的該相反的相位角，抵消該有害波。作為選擇，該多個單元的至 少兩個可相反^皮i殳置為定義多個基本單元的至少兩個的1-D (或 2-D、 3-D)模擬單元的形狀，并發(fā)射本段如上所述的反電磁波。在本發(fā)明的另一方面，才是供示例性系統(tǒng)，以通過4吏該基本 單元的形狀和/或i殳置與該系統(tǒng)的至少 一個部件的另外的形狀和/或 i殳置匹配以及通過消滅在目標區(qū)內(nèi)的該波和/或抑制該波傳4番至該 目標區(qū)，抵消由至少一個波源的基本單元輻射的有害電^茲波，其中
該基本單元被i殳置為僅包括負責輻射該有害波和影響該波穿過其中 的路徑的部分波源，且其中該目標區(qū)被定義在介于該系統(tǒng)和使用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個4氐消單元，其一皮設(shè)置為具有與該基本單元的形狀類似(或相同) (或適應(yīng))的形狀并發(fā)射該第一反電^茲波。[31]在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個4氏消單元，其^皮i殳置為具有與該基本單元的形狀不同(或不適 應(yīng))的形狀、相對于該基本單元以預定i殳置、和發(fā)射反電石茲波，其 被設(shè)置為定義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該 設(shè)置，具有至少部分與該有害波的波特征類似的波特征，以及因此， 歸因于該相反的相4立角，4氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。應(yīng)當注意，該 反波在此后被稱為'第二類反波'或'第二反波'。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個4氏消單元，其以各種i殳置一皮才是供，^f旦發(fā)射上述第一反波。在一 個示例中，該抵消單元^皮設(shè)置為定義1-D、 2-D或3-D基本單元的l-D 才莫擬單元的形狀，并發(fā)射該第一反波。在另一示例中，該^氐消單元 被設(shè)置為定義多個1-D、 2-D或3-D基本單元的至少 一個1 -D模擬單元 的形狀，并發(fā)射該第一反波。在另一示例中，該坤氐消單元凈皮i殳置為 定義l-D、 2-D或3-D基本單元的2-D模擬單元的形狀，并發(fā)射上述第 一反波。在另一示例中，該抵消單元被設(shè)置為具有多個1-D、 2-D或 3-D基本單元的至少一個2-D模擬單元的形狀，且發(fā)射第一反波。在 另一示例中，該抵消單元被設(shè)置為定義1-D、 2-D或3-D基本單元的 3-D才莫擬單元的形狀，并發(fā)射第一反波。在另一示例中，該4氐消單元 被設(shè)置為具有多個1-D、 2-D或3-D基本單元的至少一個3-D模擬單元 的形狀，并發(fā)射第一反波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置被提供。在一個示例中，該系統(tǒng)可包括至少一個抵消單元，其被 :沒置為定義與該基本單元的形狀匹配的形狀，并同樣發(fā)射該第一反 波。在另一示例中，系統(tǒng)可包括至少一個抵消單元，其^皮設(shè)置為定 義與多個基本單元的形狀匹配的形狀，且發(fā)射第一反波。在另一示 例中，系統(tǒng)也可具有多個4氐消單元，其^皮:沒置為形成與該基本單元 的形狀匹配的大體形狀，并發(fā)射該第一反波。在另一示例中，系統(tǒng)可具有多個抵消單元，其被設(shè)置為形成與多個基本單元的另 一大體 形狀匹配的大體形狀，并發(fā)射第一反波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置被提供。在一個示例中，該系統(tǒng)可包括至少一個抵消單元，其被 設(shè)置為位于該基本單元與目標區(qū)之間、寬度比該基本單元的寬度更 寬，并發(fā)射反電^茲波，該反電》茲波被設(shè)置為定義相位角至少部分與 該有害波的相位角相反，歸因于該寬度，具有波特征至少部分與該 有害波的波特征類似，且因此，歸因于該相反的相位角，抵消該目 標區(qū)內(nèi)的該有害波。在另一示例中，系統(tǒng)可具有至少一個4氐消單元， 其被設(shè)置為結(jié)合在該目標區(qū)與多個基本單元之間、寬度比由所有基 本單元形成的輪廓(contour)更寬，接著發(fā)射本段中如上所述的反 波。在另一示例中，系統(tǒng)可包"fe多個4氐消單元，其也凈皮i殳置為4立于 該基本單元與目標區(qū)之間，沿比該基本單元的寬度更寬的寬度i殳置， 且發(fā)射本革史如上所述的該反波。在另一示例中，系統(tǒng)可包括多個坤氐 消單元，其一皮i殳置為〗立于該目標區(qū)與多個基本單元之間，沿比由所 有基本單元定義的輪廓更寬的寬度設(shè)置，并發(fā)射本段如上所述的反 波。在另一示例中，系統(tǒng)可包4舌至少一個4氐消單元，其初。沒置為4立 于該目標區(qū)關(guān)于該基本單元的相對側(cè)，定義比該基本單元的寬度更 窄的寬度，且發(fā)射本l殳如上所述的該反波。在另一示例中，系統(tǒng)可 包括至少 一個抵消單元，其被設(shè)置為位于該目標區(qū)關(guān)于多個基本單 元的相對側(cè)，寬度比由該基本單元形成的輪廓更窄，并發(fā)射本,殳如 上所述的該反波。在另一示例中，另一系統(tǒng)可具有多個4氐消單元， 其一皮i殳置為關(guān)于該基本單元4立于該目標區(qū)的相對側(cè)，沿比該基本單 元的寬度更窄的寬度設(shè)置，且發(fā)射本段如上所述的該反波。在另一 示例中，作為替換，該系統(tǒng)可具有多個4氐消單元，其祐 沒置為關(guān)于 多個基本單元位于該目標區(qū)的相對側(cè)，沿比由所有基本單元形成的 壽侖廓更窄的寬度i殳置，且發(fā)射本,殳如上所述的該反波。[35]在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個抵消單元，其被設(shè)置為定義線狀、條狀、板狀、管狀、線圈、 螺旋形、網(wǎng)狀的形狀、其混合、其組合和/或其排列，同時使其形狀 與該基本單元的形狀相符合，并發(fā)射第一反波。作為選4奪，該4氐消 單元可i皮:沒置為定義線狀、條狀、板狀、管狀、線圈、螺旋形、網(wǎng) 狀的至少一個、其混合、其組合、和/或其排列的形狀，同時使其形 狀與多個基本單元的大體形狀相符合，并發(fā)射第一反波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包4舌至少 一個4氐消單元，其^皮-沒置為與該基本單元的形狀類似(或相同)的 設(shè)置，并發(fā)射該第二反波。在本發(fā)明該方面的另 一 示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個4氐消單元，其凈皮i殳置為不同于該基本單元的形狀，并發(fā)射該第 二反波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包才舌至少 一個抵消單元，其被設(shè)置為定義尺寸比該基本單元的尺寸更大，位 于該基本單元和目標區(qū)之間，4妄著發(fā)射反電石茲波，該反電；茲波祐:i殳
置為定義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，基于該尺寸， 具有的波特4正至少部分與該有害波的波特4正類似、，并因此，歸因于 該相反的相位角，4氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。作為選才奪，該4氐消單 元可一皮i殳置為定義尺寸比該基本單元的尺寸更大，關(guān)于該基本單元 位于該目標區(qū)的相對側(cè)，且發(fā)射本,殳如上所述的該反波。在本發(fā)明的另一方面，可提供示例性系統(tǒng)，通過使該基本 單元的布置與該系統(tǒng)的至少 一 個部件的布置匹配，以及通過消滅目 標區(qū)內(nèi)的該有害波和/或抑制該有害波向該目標區(qū)傳纟番，4氐消至少一 個波源的基本單元輻射的有害電磁波，其中該基本單元僅包括負責輻射該有害波和影響該有害波穿過其內(nèi)的贈4圣的;皮源部分，且其中 該目標區(qū)一皮定義在該系統(tǒng)和^吏用者之間。在本發(fā)明該方面的 一個示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少
一個抵消單元，其被設(shè)置為位于下列排列(alignment)中，該排列 與該有害波的傳4番方向匹配，與電流在該基本單元內(nèi)的流動方向匹 配，與施加至該基本單元的電壓方向匹配，與沿該基本單元的纟從軸 的方向匹配，和/或與垂直于該縱軸的該基本單元的短軸方向匹配， 且發(fā)射反電磁波，其中該反波被設(shè)置為定義相位角至少部分與該有 害波的相位角相反，歸因于該排列，具有至少部分與該有害波的波 特征類似的波特征，且因此，歸因于該相反的相位角，4氐消目標區(qū) 內(nèi)的i亥有害〉皮。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個抵消單元，其被設(shè)置為位于該目標區(qū)與基本單元之間，并發(fā)射 反電》茲波，該反電》茲波定義波幅小于該有害波的波幅。在另一示例 中，該4氐消單元^皮i殳置為關(guān)于該基本單元位于該目標區(qū)的相^"側(cè)， 且發(fā)射反電》茲波，該反電石茲波定義波幅大于該有害波的波幅。在任 一示例中，該反波也被設(shè)置為定義相位角至少部分與該有害波的相 位角相反，歸因于該位置，具有波特征至少部分與該有害波的類似， 且因此，歸因于該相反的相位角，抵消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個^氐消單元，其凈皮i殳置為容納該基本單元的至少一部分(或全部)
于其內(nèi)，且發(fā)射反電磁波。在另一示例中，該4氐消單元可被設(shè)置為 被該基本單元的至少一部分(或全部)容納，且發(fā)射反電磁波。在 另一示例中，該4氐消單元可^^殳置為關(guān)于該基本單元的側(cè)部(或肩 并肩)i殳置，且發(fā)射反電萬茲波。在這些示例的每一個中，該反波祐: 設(shè)置為定義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該設(shè)
28置，具有波特征至少部分與該有害波類似，且因此，歸因于該相反 的相位角，4氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在本發(fā)明的該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至 少一個4氏消單元，其^皮i殳置為關(guān)于該基本單元的至少一部分對稱(或 不對稱)布置，接著發(fā)射反電磁波，該反電》茲波#1設(shè)置為具有的相 位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該布置，具有的波 特征至少部分與該有害波的波特征類似，且因此，歸因于該相反的 相^立角，^氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在本發(fā)明的該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包4舌至 少一個抵消單元，其被設(shè)置為關(guān)于該基本單元固定布置，且發(fā)射反 電磁波，該反電磁波被設(shè)置為定義相位角至少部分與該有害波的相 位角相反，歸因于該固定的布置，具有的波特4正至少部分與該有害 波的波凈爭4正類似，且因jt匕，歸因于該相反的才EH立角，沖氐消目標區(qū)內(nèi) 的該有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例'f生實施例中，系統(tǒng)可包4舌至少 一個4氐消單元，其被i殳置為關(guān)于該基本單元可移動布置，接著發(fā)射 反電磁波，該反電磁波被設(shè)置為定義相位角至少部分與該有害波的 相位角相反，具有的波特征至少部分與該有害波的波特4i類似，同 時關(guān)于該基本單元移動，且因此歸因于該相反的相位角，抵消目標 區(qū)內(nèi)的該有害^皮。在本發(fā)明的另一方面，可^是供示例性的系統(tǒng)，通過使該反 波沿其波前與該有害波匹配，以及通過消滅目標區(qū)內(nèi)的有害波和/ 或用該反波抑制該有害波向該目標區(qū)傳-# ，由反電萬茲波4氐消由至少 一個波源的基本單元輻射的有害電磁波，其中該基本單元被設(shè)置為 4又包括負責輻射該有害波并影響該有害波穿過其內(nèi)的^各徑的部分波 源，同時該目標區(qū)被形成為介于該系統(tǒng)與使用者之間。[47]在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個抵消單元，其被設(shè)置為沿(關(guān)于)至少一個上述波前預定設(shè)置， 且發(fā)射該反波，其被設(shè)置為具有相位角至少部分與該有害波的相位 角相反，歸因于該i殳置，至少部分與該目標區(qū)內(nèi)的該有害波的波前 匹配，且因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，^氐消該有害 波。應(yīng)當注意，此后該反波被稱為'第三類反波'或簡稱為'第三反波'。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置被提供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其被設(shè)置為 沿至少一個該波前定義的前部i殳置，4妻著發(fā)射該反波，該反波定義 波幅小于該有害波的波幅，其中在該設(shè)置中，該4氐消單元位于該基 本單元與該目標區(qū)之間。在另一示例中，該系統(tǒng)可包括多個抵消單 元，其中每個凈皮i殳置為以該前部i殳置，沿至少一個該;皮前i殳置，并 發(fā)射該反波，該反波定義波幅小于該有害波的〉皮幅，其中在該i殳置 中，該抵消單元位于該基本單元與該目標區(qū)之間。在這兩個示例中， 該4氐消單元一皮i殳置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明的該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種 設(shè)置才是供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個4氐消單元，其被設(shè)置為 后部"i殳置，并發(fā)射該反波，該反波定義波幅大于該有害波的波幅， 其中在該i殳置中，該4氐消單元關(guān)于該基本單元^f立于該目才示區(qū)的沖目7于 側(cè)。在另一示例中，系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其中每個被設(shè)置為 后部i殳置，并發(fā)射反波，該反波定義;皮幅大于該有害》皮的波幅，其 中在該i殳置中，該4氐消單元關(guān)于該基本單元位于該目標區(qū)的相對側(cè)。 在這兩個示例中，該4氐消單元4皮i殳置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置提供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其被設(shè)置為沿 一個該波前以前部i殳置，并發(fā)射反波，該反波定義波幅小于該有害 波的波幅，其中該波前凈皮由多個基本單元輻射的有害波定義，且其中在該設(shè)置中，該一氐消單元位于該基本單元和目標區(qū)之間。在另一 示例中，系統(tǒng)可具有多個抵消單元，其中每個^皮i殳置為沿一個上述 波前以前部^殳置，并發(fā)射反波，該反波定義波幅小于該有害波的;皮 幅，其中該波前一皮由多個基本單元輻射的有害波定義，且其中在i亥 設(shè)置中，所有這些^氐消單元位于該基本單元和目標區(qū)之間。在這兩 個示例中，該4氐消單元,皮，沒置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種"i殳 置沖是供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其凈皮設(shè)置為后
部i殳置，并發(fā)射反波，該反波具有的波幅大于該有害波的波幅，其 中該波前一皮由多個基本單元輻射的該有害波定義，且其中在該i殳置 中，該4氐消單元關(guān)于該基本單元4立于該目標區(qū)的相只于4則。在另 一示 例中，系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其被設(shè)置為以后部設(shè)置，且發(fā)射 反波，該反波定義波幅大于該有害波的波幅，其中該波前#1由多個 基本單元輻射的有害波形成，且其中在該i殳置中，該4氐消單元關(guān)于 該基本單元位于該目標區(qū)的相對側(cè)。在這兩個示例中，該抵消單元 被設(shè)置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明的另一方面，可4是供示例性系統(tǒng)，通過4吏該反波 沿該有害波的波前與該有害波匹配，以及通過由該反波消滅目標區(qū) 內(nèi)的該有害波和/或用該反波抑制該有害波向該目標區(qū)傳#番，由反電 磁波抵消由至少一個波源的基本單元輻射的有害波，其中該基本單 元被設(shè)置為僅包括負責輻射該有害波且影響該有害波穿過其內(nèi)的路 徑的部分波源，同時該目標區(qū)^皮定義為4立于該系統(tǒng)和4吏用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實實施例中，該系統(tǒng)可以各 種i殳置4是供。在一個示例中，該系統(tǒng)可包括單個4氐消單元，其被設(shè) 置為發(fā)射該反波以及以預定設(shè)置被結(jié)合，該設(shè)置被沿至少一個該波 前定義。在另一示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其被設(shè)置為發(fā) 射該反波，且以預定設(shè)置^皮結(jié)合，該i殳置^皮沿至少一個由多個波源的多個基本單元形成的該波前定義。在另一示例中，系統(tǒng)可包^舌多 個抵消單元，其被設(shè)置為發(fā)射該反波，且被設(shè)置為預定設(shè)置，該預
定i殳置^皮沿至少一個該波前定義。在另一示例中，系鄉(xiāng)克可包4舌多個
抵消單元，其被設(shè)置為發(fā)射該反波，且被設(shè)置為預定設(shè)置，該預定
i殳置^皮沿至少一個該波前定義，該波前由多個波源的多個基本單元 定義。在所有這些示例中，該4氐消單元被設(shè)置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置一皮才是供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個4氐消單元，其被設(shè)置為 發(fā)射該反波，且基于一設(shè)置，位于該目標區(qū)與基本單元之間，該設(shè) 置被沿至少一個該波前定義且比該基本單元更寬。在另一示例中， 該系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其中每個被設(shè)置為發(fā)射該反波，且在 一設(shè)置中4立于該基本單元和目標區(qū)之間，該i殳置一皮沿至少一個該波 前形成，且其也^皮i殳置為比該基本單元更寬。在這兩個示例中，該 4氐消單元^皮i殳置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置,皮提供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個4氐消單元，其被i殳置為 發(fā)射該反波，且基于一設(shè)置，位于該目標區(qū)與基本單元之間，該設(shè) 置^皮沿至少一個該波前定義，且比該基本單元更窄。在另一示例中， 系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其中每個被設(shè)置為發(fā)射該反波，且在一 :沒置中，位于該基本單元與目標區(qū)之間，該i殳置4皮沿至少一個該波 前定義，且其也比該基本單元更窄。在這兩個示例中，該抵消單元 一皮設(shè)置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置被提供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其被設(shè)置為 發(fā)射該反波，且基于一設(shè)置，位于該基本單元和目標區(qū)之間，該設(shè) 置與至少一個該波前類似(或相同、符合)。在另一示例中，系統(tǒng)可 包括單個抵消單元，其被設(shè)置為發(fā)射該反波，且在一設(shè)置中，關(guān)于該基本單元^f立于該目標區(qū)的斗目只于側(cè)，該i殳置祐 沒置為與至少一個〉皮 前的設(shè)置類似(或相同、符合)。在另一示例中，系統(tǒng)可包括多個抵 消單元，其中每個被設(shè)置為發(fā)射該反波，且在一設(shè)置中位于該基本 單元和目標區(qū)之間，該i殳置^皮-沒置為與至少一個波前類々乂 (或相同、 符合)。在又一示例中，系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其中每個被設(shè)置
為發(fā)射該反波，并在一i殳置中，關(guān)于該基本單元〗立于目才示區(qū)的相7于
側(cè)，該設(shè)置被設(shè)置為與至少一個波前類似(或相同、符合)。在所有
這些示例中，該4氐消單元凈皮i殳置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置4皮4是供。在一個示例中，該系統(tǒng)可包4舌至少一個4氐消單元，其#皮 -沒置為發(fā)射該反波、定義形狀與至少一個波前的形狀不類似(或相 同、符合)、且基于一設(shè)置，位于該基本單元和目標區(qū)之間，該設(shè)置 與至少一個波前的i殳置不類似(或相同、符合)。在另一示例中，系 統(tǒng)可包4舌至少一個4氏消單元，其一皮i殳置為發(fā)射該反波、定義形爿大與 至少一個波前的形狀不類似(或相同、符合)、且在一設(shè)置中，關(guān)于 該基本單元位于該目標區(qū)的相對側(cè)，該設(shè)置與至少一個波前的i殳置 不類似(或相同、符合)。在這兩個示例中，該反波被-沒置為具有的 相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該形狀，至少部 分與目標區(qū)內(nèi)的該有害波的波前匹配，且因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi) 的該相反的相位角，抵消的有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置提供。在一個示例中，該系統(tǒng)可包括至少一個抵消單元，其被設(shè) 置為發(fā)射該反波并位于容納至少一部分(或全部)該波前于其內(nèi)的 一設(shè)置內(nèi)。在另一示例中，系統(tǒng)可包括至少一個抵消單元，其^^i殳 置為發(fā)射該反波并位于^皮至少一部分(或全部)該波前容納的i殳置 中。在另一示例中，系統(tǒng)可包4舌至少一個4氐消單元，其^皮i殳置為發(fā)射該反波，且關(guān)于至少一部分(或全部)波前以側(cè)部(或肩并肩) 設(shè)置。在所有這些示例中，該抵消單元被設(shè)置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè) 置沖是供。在一個示例中，該系統(tǒng)可包括至少一個4氐消單元，其^皮i殳 置為發(fā)射該反波，同時在一i殳置中沿至少一個波前設(shè)置，該設(shè)置定 義線狀、條狀、板狀、管狀、線圈、螺旋形、網(wǎng)狀、其混合、其組
合、和/或其排列，且位于該基本單元和目標區(qū)之間。在另一示例中， 系統(tǒng)可包括至少一個4氐消單元，其#皮-沒置為發(fā)射該反波，同時在由 線狀、條狀、板狀、管狀、線圏、螺旋形、網(wǎng)狀、其混合、其組合、 和/或其排列構(gòu)成的設(shè)置中，沿至少一個波前設(shè)置，且關(guān)于該基本單 元位于該目標區(qū)的相對側(cè)。在這兩個示例中，該^氐消單元被設(shè)置為 發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 兩個抵消單元，其中每個位于被定義為關(guān)于該基本單元在該目標區(qū) 4交遠的一側(cè)，并發(fā)射該反波，以1更由該4氐消單元分別發(fā)射的該反波 的加合定義該波前具有比各個反波的波前更大的曲率半4圣。該4氐消 單元的至少一個或者兩者可一皮，沒置為發(fā)射該第三反波。在本發(fā)明的另一方面，可4是供示例性的系統(tǒng)，通過用該反 波沿該有害波的波前與該有害波匹配，以及通過用該反波消滅目標: 區(qū)內(nèi)的有害波和/或用該反波抑制該有害波向該目標區(qū)傳纟番，以由反 電磁波抵消由至少一個波源的基本單元輻射的有害電磁波，其中該 基本單元被設(shè)置為僅包括負責輻射該有害波且負責影響該有害波穿 過其內(nèi)的路徑的部分波源，同時該目標區(qū)被定義為介于該系統(tǒng)和使 用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，該系統(tǒng)可以各種 設(shè)置提供。在一個示例中，該系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其可被設(shè)置為定義形狀與單個基本單元的形狀匹配，且發(fā)射該反波。在另一示例中，系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其被設(shè)置為定義大體形狀與單個基本單元的形狀匹配，并發(fā)射該反波。在這兩個示例中，該反波蜂皮-沒置為定義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于目標區(qū)內(nèi)的該形狀，至少部分與該有害波的波前匹配，以及因》匕，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，4氐消有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè)
置提供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其被設(shè)置為定義形狀與多個基本單元的至少一個〗旦并非全部的大體形狀和/或i殳
置匹配，且發(fā)射該反波。在另一示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其,皮設(shè)置為定義形狀與全部多個基本單元的大體形狀和/或總體"i殳置匹配，且發(fā)射該反波。在另一示例中，系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其被設(shè)置為定義大體形狀與多個基本單元的至少一個但并非全部的大體形狀和/或總體設(shè)置匹配，且發(fā)射該反波。在另一示例中，系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其被設(shè)置為定義大體形狀與全部多個基本單元的大體形狀和/或i殳置匹配，且發(fā)射該反波。在所有這些示例中，該反波進一步— 皮設(shè)置為具有相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于在目標區(qū)內(nèi)的該形狀和/或i殳置，至少部分與該有害波的波前匹配，以及因此，歸因于在該目標區(qū)內(nèi)的相反的相位角，4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一 示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種i殳置才是供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其被設(shè)置為定義預定形狀，基于關(guān)于單個基本單元的預定i殳置設(shè)置，以及發(fā)射該反波，其中該形一犬和/或"i殳置可祐:i殳置為與至少一個該波前匹配。在另一示例中，系統(tǒng)可包4舌多個4氐消單元，其凈皮i殳置為定義預定的大體形狀，^立于關(guān)于多個基本單元的予貞定^殳置內(nèi)，以及發(fā)射該反波，其中該形狀和/或^殳置可4皮i殳置為與至少一個波前匹配。在這兩個示例中，該反波一皮i殳置為具有與該形狀和/或i殳置類似(或相同)的波
前，具有至少部分與該有害波的相位角相反的相位角，同時使其波
前與目標區(qū)內(nèi)的有害波的波前匹配，以及因jJ:匕，歸因于該目才示區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè)置提供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括單個抵消單元，其一皮定制形狀、尺寸，且發(fā)射的反波與來自單個基本單元的有害波的至少一個波前匹配。在另一示例中，該系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其被定制形狀、尺寸，且發(fā)射該反波，其加合被設(shè)置為與由單個基本單元發(fā)射的有害波的至少一個波前匹配。在另一示例中，系統(tǒng)可具有單個4氐消單元，其也^皮定制形狀、尺寸，且發(fā)射的反波與由多個源的多個基本單元輻射的有害波力口合的至少一個波前匹配。在另一示例中，系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其被定制形狀、尺寸，且發(fā)射的反波與由多個源的多個基本單元輻射的有害波加合的至少一個波前匹配。在所有這些示例中，該反波凈皮i殳置為形成與該抵消單元的形狀、尺寸和/或布置類似(或相同)的波前，具有的相位角至少部分與該有害波的力口合的相位角相反，同時與目標區(qū)內(nèi)的該波前匹配，以及因此，歸因于其內(nèi)的相反的相位角，抵消該有害波。在本發(fā)明的另一方面，可4是供示例性系統(tǒng)，通過由該系統(tǒng)
的另外的部件發(fā)射的反電磁波,以及通過消滅目標區(qū)內(nèi)的有害波和/
或由該反波抑制該有害波傳l番至該目標區(qū)，以4氐消由至少一個波源
的基本單元輻射的有害電磁波，其中該基本單元被設(shè)置為僅包括負責輻射該有害波以及影響該有害波穿過其內(nèi)的^4圣的部分波源，其
中該有害波被設(shè)置為傳播同時定義多個波前，且其中該目標區(qū)被形成在該系統(tǒng)與 <吏用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，系統(tǒng)可包4舌至少一個4氏消單元，其#皮_沒置為定義預定形狀和/或尺寸，以沿至少一個波前的至少一部分定義的設(shè)置設(shè)置，且發(fā)射沿目標區(qū)內(nèi)的波前傳^番的反波，其中該反波可一皮i殳置為定義相位角至少部分與該有害波的相^立角相反，同時與該有害波的至少一個波前匹配，以及因j]:匕，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可以各種設(shè)置提供。在一個示例中，系統(tǒng)可包括多個抵消單元，其中每個被設(shè)置為定義預定的形狀和尺寸，且其^皮i殳置為以沿至少 一個波前的至少一部分定義的^殳置i殳置，且發(fā)射沿目標區(qū)內(nèi)的波前傳^番的反波。在另一示例中，該系統(tǒng)可具有多個4氐消單元，其中每個^皮設(shè)置為定義預定形狀和/或尺寸，且其一皮-沒置為以與任一波前均不符合的i殳置i殳置，^旦發(fā)射沿目標區(qū)內(nèi)的波前傳播的反波。在這兩個示例中，由至少兩個該抵消單元發(fā)射的該反波的加合可被設(shè)置為具有的相位角至少分與該有害波的相^f立角相反，同時與該有害波的波前匹配，以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相4立角，4氐消該有害波。在本發(fā)明的另一方面，可才是供示例性揚聲器系統(tǒng)，其包括具有多個基本單元的至少一個揚聲器，當電流流經(jīng)其內(nèi)時，該基本單元輻射有害電》茲波，且通過消滅目標區(qū)內(nèi)的該有害波和/或抑制該有害波向該目標區(qū)傳4番，該系統(tǒng)能4氐消該有害波，其中該基本單元被設(shè)置為僅包括負責輻射該有害波且影響該有害波穿過其內(nèi)的路徑的部分揚聲器，以及其中該目標區(qū)被定義為介于使用者與該系統(tǒng)之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，系統(tǒng)可包4舌至少一個紙盆、至少一個音圈、至少一個永石茲體及至少一個4氐消單元。
該紙盆^皮-沒置為定義至少兩個末端，同時該音圈祐:i殳置為形成或包括沿該紙盆的一個末端形成的至少一個電磁鐵，流動源信號于其內(nèi)，充當該基本單元的一個，以及發(fā)射該有害波，同時定義圍繞其周圍
的動態(tài)石茲場，以及充當響應(yīng)該源1言號的一個基本單元。該7JOf茲體4皮設(shè)置為在其周圍形成靜態(tài)動態(tài)場，與該音圈磁耦合，以及充當另一基本單元，用以使該有害波經(jīng)過其內(nèi)。接著，該靜態(tài)和動態(tài)》茲場之間的交互作用被設(shè)置為使該紙盆振動以及響應(yīng)該源信號產(chǎn)生聽得到的聲音。在一個示例中，該4氐消單元^皮i殳置為定義與該音圏和/或》茲體相同(或類似)的形狀，以及發(fā)射反電磁波，該反電》茲波定義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該形狀定義波特4i至少部分與該有害波的波特征類似，以及因此，基于該相反的相位
角4氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在另一示例中，該4氐消單元^皮i殳置為
以沿由音圏和永》茲體形成的有害波的多個波前中的至少 一個定義的設(shè)置設(shè)置，并發(fā)射反電》茲波，其定義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該設(shè)置定義波特征至少部分與有害波的波特征類似，以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少一個薄爿莫(diaphragm)、至少兩個網(wǎng)4冊(grids)以及至少一個4氐消單元。該薄膜被設(shè)置為載電并在其周圍定義靜態(tài)電場，同時當振動時，充當一個該基本單元。該網(wǎng)柵被設(shè)置為位于該薄膜的相對側(cè)，在其內(nèi)流動源信號，同時在其間形成響應(yīng)該源信號的動態(tài)電場，歸
因于該靜態(tài)和動態(tài)電場的交互作用，4吏該薄膜振動同時產(chǎn)生聽得到的聲音，發(fā)射響應(yīng)該源信號的有害波同時充當另一基本單元。在一個示例中，該抵消單元被設(shè)置為定義與該薄膜和/或網(wǎng)柵相同(或類似)的形狀，以及發(fā)射反電磁波，該反電磁波具有的相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該形狀具有的波特4正至少部分與該有害波的波特征類似，以及因此，基于該相反的相位角，抵消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在另一示例中，該4氐消單元凈皮^殳置為沿該有害波的多個波前的至少一個定義的設(shè)置設(shè)置，以及發(fā)射反電磁波，該有害波由該薄膜和/或網(wǎng)柵定義，該反電》茲波具有的相位角至少部分與該有害波的相位角相反，基于該設(shè)置，定義的波特征至少部分與該有害波的波特征類似，以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反 的相^f立角，4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個壓電纟反、至少兩個電纟及、至少一個4氏消單元等等。該壓電纟反坤皮 設(shè)置為將源電壓轉(zhuǎn)化為其振動，同時當振動時，起到一個基本單元 的作用，而該電極被設(shè)置為與該壓電板的相對側(cè)電性耦合、向該板 施加該源電壓、以及響應(yīng)該源電壓^f吏其與該一反一起4展動，同時發(fā)射 該有害波作為對該源信號的響應(yīng)，同時起到另 一 個基本單元的作用。 在一個示例中，該抵消單元可被設(shè)置為定義與該壓電板和/或電極相 同(或類似)的形狀，以及發(fā)射反電磁波，該反電磁波定義的相位 角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該形狀，定義的波特 征至少部分與該有害波的波特^正類似，以及因此，歸因于該目標區(qū) 內(nèi)的該相反的相位角，^氐消該有害波。在另一示例中，該4氐消單元 被設(shè)置為沿該有害波的多個波前的至少 一個設(shè)置，以及發(fā)射反電磁 波，該有害波由該壓電一反和電才及的至少一個定義，該反電石茲波具有 的相^立角至少部分與該有害波的相^f立角相反，歸因于該i殳置，定義 的波特征至少部分與該有害波的波特征類似，以及因此，歸因于該 目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個主體、揚聲器、以及至少一個4氏消單元。該主^M皮i臾置為位于 使用者的耳朵上方和/或位于4吏用者的外耳道內(nèi)，而該揚聲器^皮:沒置 為由該主體支撐且包括用于發(fā)射有害波的該基本單元。在一個示例 中，該沖氐消單元被設(shè)置為定義與該揚聲器的至少一個基本單元相同 (或類似)的形狀以及發(fā)射反電磁波，該反電磁波定義的相位角至 少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該形狀，具有的波特征至 少部分與該有害波的波特征類似，以及因此，歸因于該相反的相位 角，4氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在另一示例中，作為^^換，該4氐消單元被設(shè)置為沿由該基本單元形成的有害波的多個波前的至少 一個 定義的設(shè)置設(shè)置，且發(fā)射反電磁波，該反電磁波定義的相位角至少 部分與該有害波的相位角相反，歸因于該設(shè)置，定義的波特征至少 部分與該有害波的波特^正類似，以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該 相反的相4立角，纟氐消該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，通信系統(tǒng)可祐j是供為包括輻射有害 電；茲波的多個基本單元以及通過消滅目標區(qū)內(nèi)的該波和/或抑制該 有害波向該目標區(qū)傳l番，同4f能夠4氐消該有害波，其中該基本單元 被設(shè)置為僅包括負責輻射該有害波且影響有害波在其內(nèi)的路徑的部 分系統(tǒng)，以及其中該目標區(qū),皮定義為介于4吏用者與系統(tǒng)之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，該系統(tǒng)可具有主 體、電話聽筒、至少一個輸入模塊、至少一個輸出模塊、以及至少 一個4氐消單元。該電話聽筒,皮i殳置為通過線纜電性連4妄至該主體， 而該輸入沖莫塊^皮i殳置為位于該電話聽筒內(nèi)、具有充當基本單元之一 的至少一個麥克風、以及將使用者聽得到的聲音轉(zhuǎn)化為輸出信號。 該輸出模塊被設(shè)置為位于該電話聽筒內(nèi)、具有充當另 一基本單元的 至少一個揚聲器、以及將外部源信號轉(zhuǎn)化為聽得到的聲音，同時輻 射來自該基本單元的有害波。在一個示例中，該抵消單元被設(shè)置為 位于該電話聽筒內(nèi)部、定義與該輸入和/或輸出模塊的至少 一個基本 單元相同(或類似)的形^1犬、以及發(fā)射反電^茲波，該反電^茲波定義 相^[立角至少部分與該有害波的相4立角相反，歸因于該形一犬，具有至 少部分與該有害波的波特;f正類々乂的波特4i,以及因此，歸因于該目
標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，抵消該有害波。在另一示例中，該抵消 單元被設(shè)置為沿該有害波的多個波前的至少一個形成的設(shè)置設(shè)置， 且發(fā)射反電磁波，該有害波由該輸出沖莫塊的基本單元形成，該反電 》茲波定義的相^f立角至少部分與該有害波的相4立角相反，歸因于該i殳置，定義的波特;f正至少部分與該有害波的波特;f正類^f以，以及因此， 歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相>[立角，4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該系統(tǒng)可包括電 話聽筒、至少一個輸入模塊、至少一個傳輸模塊、至少一個接收模 塊、至少一個輸出才莫塊、以及至少一個4氐消單元。該輸入才莫塊被i殳 置為位于該電話聽筒內(nèi)、包括充當基本單元之一的至少一個麥克風、 以及將使用者聽得到的聲音轉(zhuǎn)化為輸出信號，而該傳輸模塊被設(shè)置 為無線傳輸該輸出信號。該接收模塊被設(shè)置為無線接收源信號，以 及該輸出才莫塊^皮i殳置為位于該電話聽筒內(nèi)、具有至少一個充當另一 基本單元的揚聲器，以及將該源信號轉(zhuǎn)化為聽得到的聲音，同時輻 射來自該基本單元的有害波。在一個示例中，該4氏消單元一皮設(shè)置為 位于該電話聽筒內(nèi)、同樣定義與該輸入和/或輸出模塊的至少一個基 本單元相同(或類似)的形狀、以及發(fā)射反電磁波，該反電磁波定 義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該形狀，定義 波特征至少部分與該有害波的波特征類似，以及因此，歸因于該目 標區(qū)內(nèi)的該相反的相4立角，4氐消該有害波。在另一示例中，該抵消 單元被設(shè)置為位于沿該有害波的多個波前的至少一個定義的設(shè)置，
以及發(fā)射反電》茲波，該有害波由該llr出才莫塊的基本單元形成，該反
電石茲波定義相4立角至少部分與該有害波的相4立角相反，歸因于該i殳 置，還具有至少部分與該有害波的波特4i類似的波特4正，以及因此， 歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，抵消該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，示例性系統(tǒng)可^皮4是供為包括至少一 個馬達，該馬達包括輻射有害電》茲波的多個基本單元，且通過抑制 該有害波傳，播至目才示區(qū)和/或消滅目標區(qū)內(nèi)的該有害波，該系統(tǒng)也能 抵消該有害波，其中該基本單元僅包括負責輻射該有害波以及影響 該有害波在其內(nèi)的^各徑的部分馬達，以及其中該目標區(qū)定義為介于 使用者與系統(tǒng)之間。[78]在本發(fā)明該方面的 一個示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個主體、至少一個定子、至少一個轉(zhuǎn)子、和至少一個纟氐消單元。 該定子包括至少一個永f茲體，其^皮設(shè)置為與該主體固定耦合、在其
周圍產(chǎn)生靜態(tài)^茲場、以及充當上述基本單元之一，同時在其內(nèi)傳凈lr
該有害波。該轉(zhuǎn)子具有至少一個電》茲《失，其^皮i殳置為可動地位于該 定子內(nèi)，當電流流經(jīng)其內(nèi)時，在其周圍定義動態(tài)萬茲場，以及當電;虎 流經(jīng)其內(nèi)時，由于該^爭態(tài)和動態(tài)^磁場之間的交互^f乍用而凝j爭，同時 發(fā)射該有害波，并充當另一基本單元。在一個示例中，該4氐消單元 被設(shè)置為定義與該定子和/或轉(zhuǎn)子相同(或類似)的形狀，以及發(fā)射 反電磁波，該反電》茲波定義的相位角至少部分與該有害波的相位角 相反，歸因于該形狀，還具有至少部分與該有害波的波特征類似的 波特征，以及因此，由于該相反的相位角，4氐消目標區(qū)內(nèi)的有害波。
該抵消單元此后#:稱為'第一類4氐消單元'或'第一4氐消單元'。在另一 示例中，該4氐消單元祐:i殳置為沿由該轉(zhuǎn)子和/或定子形成的該有害波 的多個波前的至少一個形成的i殳置，以及發(fā)射反電^茲波，該反電^茲 波定義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該i殳置，
定義波特征至少部分與該有害波的波特征類似，以及因此，歸因于 該目才示區(qū)內(nèi)的該相反的相4立角，4氐消該有害波。該4氐消單元》匕后#皮 稱為'第二類抵消單元'或'第二抵消單元'。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個主體、至少一個定子、至少一個轉(zhuǎn)子、以及至少一個第一4氐消 單元或至少一個第二4氏消單元。該定子包4舌至少一個第一電》茲纟失， 其被設(shè)置為固定耦合至該主體、當電流流經(jīng)其內(nèi)時在其周圍產(chǎn)生第
一動態(tài)》茲場、以及充當上述基本單元之一，同時傳車lr該有害波。該
轉(zhuǎn)子包括至少一個第二電》茲4失，其一皮i殳置為可動地位于該定子內(nèi)、
當電流流經(jīng)其內(nèi)時定義第二動態(tài)f茲場、以及當電流流經(jīng)其內(nèi)時，由 于該第一和第二動態(tài)》茲場之間的交互作用而s走轉(zhuǎn)，同時發(fā)射該有害波，并充當另一基本單元。因此，該第一或第二^氐消單元可由該反 波4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個主體、至少一個定子、至少一個轉(zhuǎn)子、以及至少一個第一纟氐消 單元或至少一個第二抵消單元。該定子形成或包括至少一個電磁鐵， 其一皮設(shè)置為與該主體固定耦合、當電流流經(jīng)其內(nèi)時在其周圍產(chǎn)生動 態(tài)磁場、以及充當基本單元之一，同時傳輸該有害波。該轉(zhuǎn)子包括 至少一個永f茲體，其纟皮，沒置為與該定子可動地耦合、在其周圍定義 請爭態(tài)》茲場、當電5危在該定子內(nèi)-u動時，由于該^爭態(tài)禾口動態(tài)f茲場之間 的交互作用而旋轉(zhuǎn)，同時在其內(nèi)傳輸該有害波，且充當另一基本單 元。因此，該第一或第二4氐消單元可由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一 示例性實施例中，系統(tǒng)可包4舌至少
一個主體、至少一個定子、至少一個轉(zhuǎn)子、以及至少一個第一4氐消 單元或至少一個第二4氏消單元。該定子具有至少一個電,茲4^,其#皮
i殳置為固定耦合至該主體、當電流流經(jīng)其內(nèi)時在其周圍產(chǎn)生動態(tài)》茲 場、以及充當基本單元之一，同時傳輸該有害波。該轉(zhuǎn)子包括至少 一個電導體，其,皮i殳置為與該定子可動;也茅禹合、響應(yīng)該動態(tài)》茲場感 應(yīng)出電;克、以及由于介于該動態(tài)》茲場與由感應(yīng)電;克定義的制衡、磁場 之間的交互作用而》走轉(zhuǎn)，同時在其內(nèi)傳l命該有害波，并充當另一基 本單元。因此，該第一或第二4氐消單元可由該反波纟氐消該有害波。*在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包4舌至少 一個主體、至少一個定子、至少一個轉(zhuǎn)子、以及至少一個第一4氐消 單元或至少一個第二4氐消單元。該定子包4舌或形成至少一個電》茲4失， 其被設(shè)置為固定耦合至該主體、當電流流經(jīng)其內(nèi)時，在其周圍產(chǎn)生 動態(tài)》茲場、充當一個基本單元，同時傳輸該有害波。該轉(zhuǎn)子具有至少一個永f茲體，其^^殳置為可動地耦合至該定子、在其周圍形成請爭 態(tài)^t場、以及當電流在該定子內(nèi)沫u動時，歸因于該靜態(tài)和動態(tài){茲場 的交互作用，而線性變換，同時傳輸該有害波通過并充當另一基本 單元。因》匕，該第一或第二4氐消單元可由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，系統(tǒng)可被制備為包括發(fā)射有害電》茲 波的多個基本單元，以及通過抑制該有害波向目標區(qū)傳一番和/或消滅 目標區(qū)內(nèi)的有害波，抵消由該基本單元輻射的有害波，其中該基本 單元一皮i殳置為 <又包括負責輻射該有害波以及影響該有害波在其內(nèi)的 路徑的部分系統(tǒng)，以及其中該目標區(qū)也被定義為介于使用者與系統(tǒng) 之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，該系統(tǒng)可具有主 體、至少一個電動才幾、至少一個軸、以及至少一個第一4氐消單元或 至少一個第二4氐消單元。該電動扭4皮i殳置為由該主體支撐，包4舌至 少一個4爭子和至少一個定子，兩者均充當該基本單元，當電;充流經(jīng) 其內(nèi)時，4吏該轉(zhuǎn)子S走轉(zhuǎn)(或變4灸)。該軸祐 沒置為由該主體可動地/f呆 留，與該轉(zhuǎn)子可動i也耦合，以及與該轉(zhuǎn)子一起^走轉(zhuǎn)，同時產(chǎn)生電動 勢。因此，該第一或第二4氐消單元可由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另一個示例性實施例中，該系統(tǒng)可具有 主體，該主體具有至少一個網(wǎng)習犬物(mesh)、至少一個葉片、至少 一個電動才幾、以及至少 一 個第一 4氐消單元或至少 一 個第二 4氐消單元。 該葉片 一皮i殳置為可動地位于該網(wǎng)狀物下方，且切斷露出該網(wǎng)狀物的 頭發(fā)，而該電動枳」被設(shè)置為由該主體支撐、包括至少一個轉(zhuǎn)子和至 少一個定子(兩者均充當該基本單元)、與該葉片枳4成4禺合、以及當 電流流經(jīng)其內(nèi)時使該葉片旋轉(zhuǎn)(或變換)，由此切斷頭發(fā)。因此，該 第 一或第二^氐消單元可由該反波4氐消該有害波。[87]在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可具有柄、 刷、至少一個電動才幾、以及至少一個第一 (或第二) ^氐消單元。該 刷一皮i殳置為可動地/f立于該柄的一端，而該電動枳^皮i殳置為由該主體 支撐、包括充當該基本單元的至少一個轉(zhuǎn)子和至少一個定子、與該 刷機械耦合、以及當電流流經(jīng)其內(nèi)時，使該刷旋轉(zhuǎn)(或變換)。因此， 該第 一或第二4氐消單元可由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括主體、 至少一個風扇、至少一個電動才幾、至少一個力口熱單元、以及至少一
個第一;f氐消單元或至少一個第二4氏消單元。該主體包4舌具有至少一 個空氣入口和至少一個空氣出口的空氣通道，而該風扇沿該空氣通 道設(shè)置。該電動機被設(shè)置為由該主體支撐、包括均充當基本單元的 至少一個轉(zhuǎn)子和至少一個定子、與該風扇枳4成津禺合、當電流流經(jīng)其
內(nèi)時，4吏風扇旋轉(zhuǎn)(或變換)，以通過該空氣入口吸入空氣、 -使空氣 在空氣通道內(nèi)流動、以及通過該空氣出口釋》文該空氣。該加熱單元 被設(shè)置為沿該空氣通道設(shè)置，且加熱流經(jīng)該空氣通道的空氣，由此 ^f吏4皮加熱的空氣乂人該空氣出口釋力i至4吏用者的頭發(fā)和身體上的衣物 之一。因此，該第一或第二^氐消單元可由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括主體、 室、至少一個風扇、至少一個電動才幾、以及至少一個第一4氏消單元 或至少一個第二4氏消單元。該主體包4舌具有至少一個空氣入口和至 少一個空氣出口的空氣通道，該室被設(shè)置為沿該通道設(shè)置，該風扇 沿該空氣通道i殳置。該電動枳4^沒置為由該主體支撐、具有均充當 基本單元的至少一個轉(zhuǎn)子和至少一個定子、與該風扇機械耦合、當 電流流經(jīng)其內(nèi)時，使該風扇旋轉(zhuǎn)以通過該空氣入口吸入空氣、使該 空氣在空氣通道內(nèi)流動同時在室內(nèi)部建立真空、以及4吏空氣乂人空氣 出口釋出，以及收集室內(nèi)的不受歡迎的粒子。因此，該第一或第二
4氐消單元可由該反波4氐消該有害波。
45[90]在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括主體、 至少一個發(fā)生器(applicator )、至少一個電動才幾、以及至少一個第一 ^氐消單元或至少一個第二^氏消單元。該發(fā)生器^皮i殳置為與該主體可 動地耦合，而該電動扭^皮i殳置為由該主體支撐、其內(nèi)具有均充當基 本單元的至少一個轉(zhuǎn)子和至少一個定子、與該發(fā)生器機械耦合、以 及當電流流經(jīng)其內(nèi)時使該發(fā)生器旋轉(zhuǎn)(或變換)。因此，該第一或第 二4氐消單元可由該反波4氐消該有害波。該系統(tǒng)j皮i殳置為用作電動開 罐器(其中該發(fā)生器被設(shè)置為握持該罐并使其旋轉(zhuǎn))、具有軸的電鉆
(其中該發(fā)生器被設(shè)置為使該軸角旋轉(zhuǎn))、具有軸的電螺絲刀(其中 該發(fā)生器被設(shè)置為使該軸旋轉(zhuǎn))、具有軸的打磨器(其中該發(fā)生器被 設(shè)置為使該軸移動(或變換))、洗碗:才幾(其中該馬達被i殳置為使水 在主體內(nèi)部從一個位置傳輸?shù)搅?一個位置，以及其中該發(fā)生器^皮i殳 置為在該主體內(nèi)噴射(或噴灑)水)、洗衣機(其中該發(fā)生器被設(shè)置 為4吏至少一個軸以及至少一部分主體^t轉(zhuǎn))，等等。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括主體、 至少一個電動才幾、至少一個壓縮才幾、以及至少一個第一4氏消單元或 至少一個第二^氐消單元。該主體包4舌至少一個室，且該電動枳4皮i殳 置為由該主體支撐、具有均充當基本單元的至少一個轉(zhuǎn)子和至少一 個定子、機械耦合至該發(fā)生器、以及當電流流經(jīng)其內(nèi)時使該發(fā)生器 旋轉(zhuǎn)(或變換)。該壓縮機被設(shè)置為使至少一種氣體壓縮與擴張，同 時產(chǎn)生冷空氣并供應(yīng)該冷空氣進出該室。因此，該第一或第二4氐消 單元可由該反波4氐消該有害波。該系統(tǒng)-坡設(shè)置為用作每個能夠產(chǎn)生 冷空氣的電冰箱、冷卻器、冷凍機、和/或空調(diào)器。在本發(fā)明的另 一方面，示例性的發(fā)生系統(tǒng)可一皮制備為包括 發(fā)射有害電》茲波同時產(chǎn)生AC和/或DC電的多個基本單元，以及還通 過消滅目標區(qū)內(nèi)的有害波和/或水卩制該有害波4專4番至該目標、區(qū)，4氐消 由基本單元輻射的該有害波，其中該基本單元^皮設(shè)置為^f又包括負責輻射該有害波和影響該有害波在其內(nèi)的3各徑的部分系統(tǒng)，以及其中 該目標區(qū)凈皮定義為介于^f吏用者與系統(tǒng)之間。在本發(fā)明該方面的 一個示例性實施例中，該系統(tǒng)可具有至
少一個主體、至少一個定子、至少一個轉(zhuǎn)子、以及至少一個第一4氐 消單元或至少一個第二抵消單元。該定子被設(shè)置為與該主體耦合并 在其周圍產(chǎn)生第一萬茲場，而該轉(zhuǎn)子被設(shè)置為可動地與該主體耦合、
在其周圍產(chǎn)生第二f茲場、響應(yīng)外力而;^走轉(zhuǎn)、以及歸因于該第一和第 二》茲場的交互作用，響應(yīng)該力產(chǎn)生電。因此，該第一或第二4氐消單 元可由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個汽車或^t空器主體、至少一個定子、至少一個轉(zhuǎn)子以及至少一 個第一<^消單元或至少一個第二4氏消單元。該定子纟皮i殳置為位于該 汽車或航空器內(nèi)部，并在其周圍產(chǎn)生第一磁場，而該轉(zhuǎn)子被設(shè)置為 與該定子耦合、在其周圍產(chǎn)生第二磁場、響應(yīng)外力旋轉(zhuǎn)、以及歸因 于該第一和第二^茲場的交互作用，響應(yīng)該力產(chǎn)生電。因此，該第一 或第二對氐消單元可由該反波^氐消該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，示例性系統(tǒng)可祐j是供為包括至少一 個導線線圈，當電流流經(jīng)其內(nèi)時該導線線圏輻射有害電》茲波，以及 通過抑制該有害波傳播至目標區(qū)和/或消滅目標區(qū)內(nèi)的有害波，抵消 由該線圈輻射的有害波，其中該基本單元被設(shè)置為4又包4舌負責輻射 該有害波以及影響該有害波在其內(nèi)的^各徑的部分系統(tǒng)，以及其中該 目標區(qū)被定義為介于使用者與系統(tǒng)之間。在本發(fā)明該方面的 一個示例性實施例中，系統(tǒng)可包括至少 一個插入物、該線圈、以及至少一個第一4氐消單元或至少一個第二 抵消單元。該插入物被設(shè)置為其內(nèi)包括鐵磁性、順磁性材料、和/ 或亞《失石茲性材并+的至少 一個，而該線圈^皮i殳置為沿該插入物的預定部分以預定方向和以預定匝數(shù)纏繞，以及當電流流經(jīng)其內(nèi)時發(fā)射該 有害波。在一個示例中，該沖氐消單元一皮i殳置為定義與該線圈相同(或 類似)的形狀，以及發(fā)射反電》茲波，該反電萬茲波定義相位角至少部 分與該有害波的相^f立角相反，歸因于該形狀，其也具有至少部分與 該有害波的類似的波特4正，以及因jt匕，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反 的相位角，4氐消該有害波。在另一示例中，作為^^:換，該^氐消單元 被設(shè)置為沿由線圈形成的有害波的多個波前的至少 一個形成的設(shè)置 i殳置，并發(fā)射反電^茲波，該反電f茲波定義相《立角至少部分與該有害 波的相位角相反，歸因于該i殳置，具有波特^正至少部分與該有害波 的波特征類似，以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角， 4氐消該有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例')"生實施例中，系纟克可包4舌至少 一個插入物、至少兩個線圈、以及至少一個^氐消單元。該4翁入物祐L 設(shè)置為在其內(nèi)包括鐵磁性、順磁性和/或抗磁性材料的至少一個，并 在其上定義至少兩個側(cè)部。 一個線圈^皮i殳置為以預定方向和預定匝 H環(huán)繞該插入物的第 一側(cè)部，另 一個線圈^皮i殳置為以另 一預定方向 和另 一預定臣凄t環(huán)繞該4翁入物的第二側(cè)部，兩個線圈均祐:i殳置為拔: 此間隔設(shè)置，且當電流流經(jīng)其內(nèi)時，發(fā)射該有害波。在一個示例中， 該4氐消單元^^殳置為定義與至少一個線圈相同(或類似)的形狀， 且發(fā)射反電》茲波，該反電》茲波具有相4立角至少部分與該有害波的相 反，歸因于該形狀，包括至少部分與該有害波的類似的波特征，以 及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，4氐消該有害波。該 4氐消單元在此后纟皮稱為'第三類4氐消單元'或'第三4氐消單元'。在另一 示例中，該4氐消單元進一步^皮設(shè)置為沿由線圏形成的該有害波的多 個波前的至少一個形成的設(shè)置設(shè)置，并發(fā)射反電^茲波，該反電磁波 定義相位角至少部分與該有害波的相位角相反，歸因于該i殳置，具 有的波特征至少部分與該有害波的波特征類似，以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相^立角，4氐消該有害波。該4氐消單元在jt匕后 被稱為'第四類抵消單元'或'第四抵消單元'。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括主體、 至少一個4翁入物、至少兩個線圏、以及至少一個第三4氐消單元或至 少一個第四抵消單元。該主體被設(shè)置為在至少兩個電耦合器中終止， 其中一個與電源耦合，而另一個與電子設(shè)備耦合。該插入物被設(shè)置 為位于該主體內(nèi)，且包括《失》茲性、順》茲性、和/或亞4失》茲性才才泮牛的至 少一個，并在其上定義至少兩個側(cè)部。 一個線圈一皮i殳置為以預定方 向和預定匝數(shù)環(huán)繞該插入物的第 一側(cè)部，另 一線圈被設(shè)置為沿另一 預定方向以及另 一預定匝凄t環(huán)繞該插入物的第二側(cè)部，且兩個線圏 均被設(shè)置為彼此間隔，且當電流流經(jīng)其內(nèi)時發(fā)射該有害波。因此， 該第三或第四4氐消單元可由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，波發(fā)射系統(tǒng)可被提供為包括至少一 個輻射有害電石茲波的基本單元，以及通過抑制該有害波向目標區(qū)傳
播和/或消滅目標區(qū)內(nèi)的該有害波，抵消該有害波，其中該基本單元 被設(shè)置為僅包括負責輻射該有害波以及影響該有害波在其內(nèi)的路徑 的部分系統(tǒng)，以及其中該目標區(qū)被定義為介于使用者與系統(tǒng)之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，系統(tǒng)可具有主 體、至少一個發(fā)射單元、以及至少一個4氐消單元。該發(fā)射單元^皮設(shè) 置為保留在該主體內(nèi)或內(nèi)部，以及當電流流經(jīng)其內(nèi)時，發(fā)射可見光 波，同時充當用于輻射該有害波的基本單元，其中至少部分該發(fā)射 單元被設(shè)置為露出該主體，以將該光波傳播至該主體外部。在一個 示例中，該4氐消單元一皮i殳置為定義形^l大與該發(fā)射單元相同(或類々乂 )， 以及發(fā)射反電》茲波，該反電》茲波定義的相位角至少部分與該有害波 的相位角相反，歸因于該形狀，定義的波特征至少部分與該有害波 的波特4正類似，以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角， 4氐消該有害波。該4氏消單元此后一皮稱為'第五類纟氏消單元'或'第五4氐消單元'。在另一示例中，該抵消單元被設(shè)置為沿由該發(fā)射單元形成的
有害波的多個波前的至少一個定義的i殳置i殳置，且發(fā)射反電石茲波， 該反電》茲波具有的相<立角至少部分與該有害波的相4立角相反，歸因 于該:沒置，定義的波特4正至少部分與該有害波的波特4正類<以，以及 因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，抵消該有害波。該抵 消單元此后一皮稱為'第六類4氐消單元'或'第六4氏消單元'。在本發(fā)明該方面的另 一 示例'性實施例中，系鄉(xiāng)充可包4舌主 體、至少一個發(fā)射單元、以及至少一個第五(或第六) -抵消單元。 該發(fā)射單元可相當于陰極射線管、發(fā)光二極體、有機發(fā)光二極體、 和/或等離子顯示面々反，且可,皮i殳置為由該主體支撐，且當電流流經(jīng) 其內(nèi)時，發(fā)射可見光波同時充當用于輻射該有害波的該基本單元。 至少部分該發(fā)射單元也一皮i殳置為露出該主體，用于爿尋該光波傳纟番至 該主體外部。因此，該第五或第六4氐消單元可由該反波4氐消該有害 波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括主 體、至少一個發(fā)射單元、以及至少一個第五(或第六)4氐消單元。
該發(fā)射單元包括至少一個石茲電管和至少一個波導管。該石茲電管^皮i殳 置為在其內(nèi)產(chǎn)生微波，同時該波導管^皮設(shè)置為將該孩"皮導出其內(nèi)，
其中該》茲電管和/或波導;管可,皮設(shè)置為充當用于輻射該有害波的基
本單元。因此，該第五或第六纟氐消單元可由該反波^^'肖該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，示例性加熱系統(tǒng)可被制備為包括至 少一個輻射有害電石茲波的基本單元，且通過消滅目標區(qū)內(nèi)的該有害 波和/或抑制該有害波向該目標區(qū)傳纟番，4氐消該有害波，其中該基本 單元—皮i殳置為<又包括負責輻射該有害波以及影響該有害波在其內(nèi)的 ^各徑的部分該系統(tǒng)，以及其中該目標區(qū)被定義為介于〗吏用者與系統(tǒng) 之間。[1(M]在本發(fā)明該發(fā)面的一個示例性實施例中，系統(tǒng)可具有主 體、至少一個力口熱單元、以及至少一個4氐消單元。該力口熱單元^皮i殳 置為由該主體支撐，且當電流流經(jīng)其內(nèi)時，發(fā)射熱波(或紅外線波) 同時充當用于輻射有害波的基本單元。該加熱單元^皮設(shè)置為包括至 少一個直的電阻絲和/或纟座繞的電阻絲，且該力口熱單元的至少一部分 一皮i殳置為露出該主體，用于將熱波傳纟番至該主體的外部。在一個示 例中，該4氐消單元一皮i殳置為定義與該加熱單元相同(或類似、)的形 狀，以及發(fā)射反電》茲波，該反電》茲波定義的相位角至少部分與該有 害波的相位角相反，歸因于該形狀，具有的波特征至少部分與該有 害波的波特4正類似，以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相4立 角，抵消該有害波。此4氐消單元此后^^皮稱為'第七類4氐消單元'或'第七 4氐消單元'。在另一示例中，該抵消單元祐J沒置為沿由該加熱單元形 成的有害波的多個波前的至少一個定義的設(shè)置設(shè)置，且發(fā)射反電磁 波，該反電》茲波定義的相4立角至少部分與該有害波的相4立角相反， 歸因于該i殳置，具有的波4爭4正至少部分與該有害波的波4爭4正類如乂 ， 以及因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，4氐消該有害波。 該4氐消單元此后一皮稱為'第乂乂類4氐消單元'或'第^\4氐消單元'。在本發(fā)明該發(fā)面的另 一 示例性實施例中，系統(tǒng)可包才舌主 體、至少一個加熱單元、以及至少一個第七(或第八)4氐消單元。 該主體被設(shè)置為形成電熱趙、電席子(或床墊)、電熱墊、臨時巻發(fā) 器或巻發(fā)器，且在4吏用過程中與使用者的至少局部物理4秦觸。該加 熱單元一皮i殳置為保留在主體內(nèi)、產(chǎn)生熱量、以及通過熱傳導將熱量 傳遞至4吏用者，同時當電流流經(jīng)其內(nèi)時，充當用于輻射該有害波的 基本單元，其中該加熱單元^皮i殳置為具有至少 一個直的電阻絲和/ 或至少一個纏繞的電阻絲。因此，該第七或第/^氐消單元可由該反 波4氐消有害波。
51[106]在本發(fā)明該發(fā)面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包^舌主 體、至少一個加熱單元、至少一個馬區(qū)動器、以及至少一個第七(或
第八)4氐消單元。該主體祐:設(shè)置為形成電吹風或?qū)α骷訜崞?，且?括具有至少一個空氣入口和至少一個空氣出口的至少一個空氣通
道。該加熱單元^皮i殳置為沿該空氣通道i殳置，且當電流流經(jīng)其內(nèi)時，
加熱該空氣通道內(nèi)的空氣，同時充當基本單元且輻射該有害波。該 驅(qū)動器,皮i殳置為與該通道流體耦合，并通過該空氣出口釋》文加熱的
空氣。因此，該第七或第/v4氏消單元可由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明該發(fā)面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可包括主 體、至少一個加熱單元、以及至少一個第七(或第7\) 4氐消單元。 該主體被設(shè)置為形成一個區(qū)域，在該區(qū)域上(或該區(qū)域內(nèi)的室中) ;改置食物用于烹個壬。該加熱單元^皮i殳置為包4舌至少一個直的電阻絲 和/或纏繞的電阻絲、由該主體才幾才成支撐或支撐在該主體上、露出至 少部分該區(qū)i或(或熱摔禺合至該室的至少一部分)、當電流:流經(jīng)其內(nèi)時， 產(chǎn)生熱量，同時充當基本單元并輻射該有害波，以及將熱量傳遞至 食物。因此，該第七或第/\4氐消單元可由該反波4氐消該有害波。*本發(fā)明這種系統(tǒng)的 一個方面的實施例可包括一個或多個
隨附特;f正，且上述系統(tǒng)的構(gòu)造和/或才乘作上的改變和/或》》正也落入本 發(fā)明范圍內(nèi)。該基本單元的至少一部分(或全部)可露出該波源或者該
基本單元可一皮布置在該波源內(nèi)，其中該基本單元可包括該系統(tǒng)的導 線、板、和/或盤。該系統(tǒng)可為包括至少一個電導體的線圏的任何電 子設(shè)備，其中包括該線圈的該設(shè)備可為電磁體、螺線管狀、螺旋管 狀、揚聲器、馬達、發(fā)電機、變壓器，等等。這種設(shè)備的該基本單 元可包括線圏、由至少一個纟失石茲性材料構(gòu)成的插入物、不穩(wěn)定電流流經(jīng)其中的任何設(shè)備部件、不穩(wěn)定電壓施加其上的任何設(shè)備部件，等等。該系統(tǒng)可為包含至少一個能夠?qū)⒃撀曇艮D(zhuǎn)換為電和/或光 信號的揚聲器的任何電子設(shè)備，其中這種設(shè)備的示例可包括但并不 限于耳機、頭戴式耳機、電話的手持部和主體部、移動電話，等等。
這種揚聲器可包括錐輪傳動揚聲器、靜電揚聲器、壓電揚聲器，等 等，且該揚聲器的基本單元可包^"線圈、永》茲體、壓電單元、電才及、 不穩(wěn)定電流流經(jīng)其內(nèi)的任何設(shè)備部件、施加不穩(wěn)定電壓于其內(nèi)或其 上的任何設(shè)備部件，等等。該具有揚聲器的設(shè)備可包括容納于單個 箱體構(gòu)件內(nèi)的至少兩個相同(或類似、不同)的揚聲器、分別容納 于不同箱體構(gòu)件內(nèi)部的至少兩個箱體(或類似、不同)的揚聲器、 一對耳^L、 一對頭戴式耳^L、至少一個揚聲器以及至少一個麥克風 的組合，等等。該信號可為電信號、光信號、磁信號等等。該系統(tǒng)可為包含可將電和/或光信號轉(zhuǎn)才奐為聲音的至少一 個機制的任何電子設(shè)備，其中這種設(shè)備的示例可包括但并不限于麥 克風，其中這種信號可為電信號、光信號、磁信號，等等。該系統(tǒng) 可為包括至少一個馬達于其內(nèi)的任何電子設(shè)備，用于由電能產(chǎn)生枳^ 械能。該馬達可為包括由永磁體構(gòu)成的定子以及包括電磁鐵的轉(zhuǎn)子 的DC馬達、包括由電磁鐵構(gòu)成的定子以及由電磁鐵構(gòu)成的轉(zhuǎn)子的萬 用馬達、包括由電磁鐵構(gòu)成的定子以及由永磁體構(gòu)成的轉(zhuǎn)子的同步 AC馬達、包括由電磁鐵構(gòu)成的定子以及由電導體構(gòu)成的轉(zhuǎn)子的感應(yīng) AC馬達、包括由電磁鐵構(gòu)成的定子以及由永磁體構(gòu)成的轉(zhuǎn)子的線性 馬達，等等。該基本單元可包括該轉(zhuǎn)子、該定子、永^茲體、不穩(wěn)定 電流沿其流經(jīng)的任何設(shè)備部件、不穩(wěn)定電壓施加于其上的任何設(shè)備 部件，等等。具有該馬達的該設(shè)備可包括任何廚房用具，其示例可 包括但并不限于食品料理機、攪拌器、開罐器、具有風扇的電烤爐 (或烤箱、多爐爐灶)、洗碗機、電冰箱、冷凍機、冷卻器，等等。
53具有該馬達的該i殳備可為家用電器，其示例可包括〃f旦并不限于洗衣 機、干衣機、空調(diào)器、干(或濕的)真空吸塵器，等等。具有該馬 達的該設(shè)備可為工具，包括電鉆、螺絲刀、電子射釘槍、訂書機、 打磨器、等等。具有該馬達的該設(shè)備可為各人衛(wèi)生用具，包括剃刀、 電動牙刷、電吹風，等等。該系統(tǒng)可為任何電子設(shè)備，其可包括至 少 一 個能夠從機械能產(chǎn)生電能的發(fā)電機。具有該發(fā)電機的該設(shè)備可 包括汽車的AC發(fā)電機、DC發(fā)電機、交流發(fā)電機，等等。該設(shè)備的 基本單元可為電》茲4失、永石茲體、不穩(wěn)定電流沿其流動的任^可設(shè)備部 件、不穩(wěn)定電壓施加于其上的任何設(shè)備部件，等等。該系統(tǒng)可為包4舌能夠乂人源增大或降4氐電壓的至少一個變 壓器的任何電子設(shè)備。具有該變壓器的該設(shè)備可為升壓變壓器、降 壓變壓器、用于改變電子設(shè)備的電壓的適配器，等等。該設(shè)備的基 本單元也可包4舌該線圏、由至少一個4失一磁性材^f構(gòu)成的插入物、不 穩(wěn)定電流沿其流動的任何i殳備部件、不穩(wěn)定電壓施加于其上的任何 設(shè)備部件，等等。該系統(tǒng)可為包括能夠從電能產(chǎn)生熱能的至少一個加熱單 元的^f壬^T電子i殳備。該加熱單元可包4舌直的加熱絲、i座繞的加熱絲、 螺線管狀纏繞的絲、螺旋管狀纏繞的絲，等等。該i殳備的基本單元 可為線圏、包括至少一個鐵》茲性材料的支撐件、不穩(wěn)定電流流經(jīng)其 內(nèi)的任何設(shè)備部件、不穩(wěn)定電壓施加于其上的任何設(shè)備部件，等等。 具有該加熱單元的該i殳備可為任何個人供熱i殳備，包括電熱床墊、 電熱趙、電熱墊，等等。具有該加熱單元的該i殳備可為烹飪用具， 例如電烤爐(或烤箱、多爐爐灶)、面包烤箱，等等。具有該加熱單 元的設(shè)備可為頭發(fā)處理設(shè)備，包括電吹風、臨時巻發(fā)器、巻發(fā)器、 蒸發(fā)器，等等。該系統(tǒng)可為包括至少一個發(fā)光單元的任何電子i殳備。具有 該發(fā)光單元的設(shè)備可包括CRT、 LED、 OLED、 PDP，等等。該系統(tǒng)可為包括至少一個波發(fā)射單元的任何電子設(shè)備。具有該波發(fā)射單元 的該設(shè)備可包括微波烤箱、雷達，等等。該有害波可包括具有小于從約50Hz至60Hz的頻率的載波 頻率波、頻率小于300Hz的4及j氐頻率波等等，且該反波可具有類似、 頻率。可選地，該有害波可包括頻率小于3kHz的超低頻率波、頻率 小于30kHz的甚低頻率波、頻率小于300kHz的低頻率波，等等，且 該反波可具有類似、的頻率。該目標區(qū)可形成在該4氏消單元和基本單 元的一側(cè)、關(guān)于該4氐消單元的預定角度、介于該4氐消單元和基本單 元之間，等等。若需要，該有害波可定義大于300kHz、 lMHz、 10MHz、 100MHz、 lGHz、 lOGHz、 100GHz、 lTHz,等等的頻率。該4氐消可包括上述消滅和/或抑制。該4氐消單元可包括電流 沿其流動的電導體、電壓施加于其上的電導體和/或絕緣體，等等。 該抵消單元可一皮i殳置為與(或關(guān)于)該基本單元肩并肩i殳置，可在 該基本單元的預定部分纏繞，可關(guān)于該基本單元以同心，沒置，可關(guān) 于該基本單元軸向設(shè)置，等等。該4氏消單元可由至少一個支撐件保 持并維持其形狀或可改變其形狀，同時發(fā)射該反波。該4氐消單元可 包括至少 一個穿過其i殳置的4失》茲性插入物。才艮據(jù)4氐消單元是否可^皮設(shè)置為與該基本單元的形狀匹配 或與該有害波(的形狀)匹配，可確定該4氐消單元的形狀。該抵消 單元的形狀可與該基本單元和/或源的形狀柏同、類似或不同。該4氐 消單元可定義線狀、條狀、寺反狀、管狀、線圏、螺旋形、網(wǎng)狀的形 狀、這些形狀的至少一種混合、組合、排列，等等。該排列可具有 束狀、編織狀、線圏、網(wǎng)狀物，等等形狀。該4氐消單元的形狀可與 (或不與)該基本單元和/或源一f丈。該4氏消單元可形成該基本單元 和/或源的l-D、 2-D和/或3-D才莫擬單元，可定義該基本單元和/或源的 4又一種該4莫擬單元，可定義該基本單元和/或源的至少兩種一莫擬單 元，可定義該基本單元和/或源的〗義一種纟莫擬單元，作為^^換，可形成該基本單元和/基片源的至少兩種沖莫擬單元，等等。該才莫擬單元可
4皮i殳置為維持與該基本單元和/或源的相似性。該才莫擬單元可被i殳置
為維持與該基本單元和/或源的相似性。該抵消單元的至少兩部分和 /或至少兩個4氐消單元可定義具有不同尺寸的相同形狀、具有類似、或 不同尺寸的不同形狀，等等。該4氐消單元的形狀和/或尺寸沿其至少 主體部分沿其縱軸至少大體均勻，可具有沿該部分和/或軸變化的形
狀和/或尺寸，等等。該抵消單元的尺寸可與(或不與)該基本單元和/或源的尺 寸一致。該抵消單元可以與該基本單元和/或源的i殳置相同、類似或 不同。該4氐消單元可與該基本單元和/或源的i殳置一致(或不一至文)。 該4氐消單元可進一步關(guān)于4皮此或關(guān)于該基本單元和/或源對稱(或不 對稱)i殳置。該4氐消單元可與該有害波的傳纟番方向、電流和/或電壓 的方向、該基本單元或源的縱軸、該基本單元或源的短軸，等等重 合(或不重合)。所有、僅某些、僅一個或沒有抵消單元可與至少一 個這些方向和/或4由重合(或不重合)。該4氐消禾口基本單元也可4皮i殳 置為與該目標區(qū)的相同(或類似)距離處。至少部分該^^消和/或基 本單元可凈皮設(shè)置在另一單元內(nèi)，或可選地，該4氐消單元和基本單元 可沿這些單元的單個公共軸線軸向設(shè)置，等等。該抵消單元可一皮設(shè) 置為有角度地圍繞該基本單元或源的縱軸。該4氐消單元可動地或固 定地3皮i殳置在比該基本單元(或源)更靠近(或更遠離)該目標區(qū)。 該抵消單元和基本單元可位于該目標區(qū)的相同側(cè)，或作為選4奪，該 4氐消單元和基本單元可4立于該目標區(qū)的相對側(cè)。該4氐消單元可與該 基本單元(或單元們) 一致，或作為選擇，該4氏消單元可與該基本 單元(或單元們) 一致，等等。該4氐消單元可^皮i殳置在該基本單元和/或源的外部、位于該 內(nèi)部上、和/或嵌在該基本單元和/或源內(nèi)。該4氐消單元可浮皮"i殳在該系 統(tǒng)的箱體構(gòu)4牛上、其內(nèi)或內(nèi)部。該4氐消單元禾口基本單元可由至少一個普通材料構(gòu)成和/或包括至少 一個普通材料，可由相同材^牛構(gòu)成和 /或包括相同材料，可不包括任何普通材料。該^氐消單元和基本單元 可以預定距離彼此分離，可彼此機械耦合，可形成單一物件，等等。 該4氐消單元可凈皮直4妻井禺合至該系統(tǒng)的箱體構(gòu)件、基本單元、和/或其 它部件，可通過至少一個耦合器間接耦合至其上，等等。該抵消單
元可一皮i殳置為以最少量的材料發(fā)射該反波，同時消庫C最少量的電流
和/或電壓，等等。該基本單元可由源電流和/或電壓供應(yīng)，其中該源電流或可 一皮供應(yīng)至該^氏消單元作為4氐消電流或電壓，其中^f又部分源電流或電
壓可一皮供應(yīng)至該沖氐消單元作為4氐消電濟u或電壓，其中至少部分源電
流或電壓的波幅和/或方向可#皮改變或供應(yīng)至該4氐消單元作為4氐消 電流或電壓，其中外部電流或電壓可與該源電流或電壓同步形成， 并供應(yīng)至該抵消單元作為抵消電流或電壓，等等。該抵消單元可被 供應(yīng)相同的4氐消電流或電壓、不同的4氐消電流或電壓，等等。該4氐 消單元和基本單元也可4皮此以串耳關(guān)方式、并聯(lián)方式或混合方式電氣 耦合，或者作為選擇，可彼此不直接耦合。該抵消單元可以串聯(lián)方 式、并聯(lián)方式或混合方式彼此電氣耦合，或者作為選擇，可彼此不 直接耦合。所有(或4又某些)該4氏消單元可與該基本單元以相同的
方式電氣耦合，或者作為選4奪，沒有4氐消單元可以相同的方式電氣
耦合至該基本單元。該反波可定義波幅大于、類似于或小于該有害 波的波幅，取決于其關(guān)于該基本單元的布置。該4氏消和基本單元也 可定義大體上相同、類似或不同的共"t展頻率，或者作為選4奪，可定 義相同、類似、或不同的共4展頻率。至少部分該4氐消單元和/或至少一 個該抵消單元可具有與其余不同的共振頻率。該系統(tǒng)也可包括如上所述或共同待決申請中所述的至少 一個f茲屏蔽。該》茲屏蔽可凈皮i殳置在至少一個該4氐消單元和/或基本單 元內(nèi)、其上、其上方、其周圍、其內(nèi)部或穿過至少一個該4氐消單元和/或基本單元。該》茲屏蔽可定義形狀至少部分與該^氐消單元和/或基 本單元的形狀一致，或者作為選^奪，可定義形狀至少部分與該^氐消 單元和/或基本單元的形狀不同。該》茲屏蔽可具有至少一個相對;茲導
率大于1,000、 10,000、 100,000、 1,000,000等等的3各徑構(gòu)件。該》茲屏
蔽可包括至少一個磁性構(gòu)件，定義至少一個南極。該》茲屏蔽可包括 至少一個分流構(gòu)件，其可直4妾或間4妄耦合至該》茲體構(gòu)件。該分流構(gòu)
件可具有大于1,000、 IO，OOO、 100,000、 l,OOO,OOO等等的相對;茲導率。
如上所述或在共同4寺決申i青中所述的該》茲屏蔽可凈皮結(jié)合至此處所述 的任何設(shè)備。該系統(tǒng)可包^"此處所述或在共同4寺決申i青中所述的至少
一個電屏蔽。此處所述的和/或在共同待決申請中所述的該電屏蔽可 被包含至此處所述的任何設(shè)備中。該》茲和/或電屏蔽可形成沿該抵消 單元和/或基本單元的縱軸保持均勾或沿其變化的形狀和/或尺寸。該 》茲和/或電屏蔽的形爿犬和/或尺寸可與該4氐消單元和/或基本單元相 同、類似、或不同。該系統(tǒng)可包括多個》茲和/或電屏蔽。至少兩個該A茲 和/或電屏蔽可以相同或不同程度屏蔽具有相同或不同頻率的有害 波的萬茲波和/或電波。該磁和/或電屏蔽可被設(shè)置為至少部分(或全部) 該4氐消和/或基本單元的上方。在本發(fā)明的另一方面，可提供用于通過發(fā)射反電磁波、通 過調(diào)整該反波的形狀、以及通過抑制該有害波傳:潘至目標區(qū)和消滅 目標區(qū)內(nèi)的有害波中的至少一個，4氐消由至少一個波源的至少一個 基本單元輻射的有害電磁波的方法，其中該基本單元被設(shè)置為僅包 括負責輻射該有害波以及影響該有害波在其內(nèi)的^各徑的部分波源， 以及其中該目標區(qū)被定義為介于該源與使用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，方法可包括下列 步驟才是供至少一個抵消單元(此后稱為'第一l是供')；〗吏該4氏消單 元延伸為比該源更寬；將該抵消單元布置為介于該源與使用者之間，
58同時使其寬度與該有害波的至少部分波前一致；以及由該抵消單元 發(fā)射與該有害波類似的反波，以及因此抵消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。 上述延伸和布置可^皮下列步驟代替使該4氏消單元延伸為比該波源 更窄；以及將該4氐消單元布置在該目標區(qū)關(guān)于該波源的相對側(cè)，同 時使其寬度與該有害波的至少部分波前一致。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該方法可包括下 列步驟提供單個抵消單元；由該抵消單元發(fā)射具有第一套多個波 前的反波；識別該有害波的第二套多個波前；沿該第二套波前估定 至少一個^立置，其中該第一套波前與該第二套波前在目才示區(qū)內(nèi)匹配；
以及將該^氐消單元布置在該位置，由此由該反波4氐消目標區(qū)內(nèi)的該
有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該方法可包4舌下 列步驟 -提供至少兩個4氐消單元；由該4氐消單元發(fā)射具有類似(或 相同)相位角的反波，并形成第一套多個波前，其中每個為由該至 少兩個^氐消單元產(chǎn)生的至少兩個波前的力。合；尋才戈這些4氐消單元之 間的距離與該第 一套的每個波前的曲率半徑增大之間的關(guān)系；識別 該有害波的第二套多個波前；選擇該抵消單元之間的距離，其中該 第 一套波前與該第二套波前匹配；估定該4氐消單元在該第二套波前 的至少兩個位置，其中該第一套波前與該第二套波前匹配；以及將 該4氐消單元布置在彼此隔開一定距離的位置，由此由該反波4氐消目 標區(qū)內(nèi)的該有害波。上述發(fā)射和尋找可由下列步驟替代由該4氐消 單元發(fā)射該反波，該反波具有至少部分相反的相位角并定義第一套 多個波前，每個代表由該至少兩個抵消單元產(chǎn)生的至少兩個波前的 加合；以及尋找這些抵消單元之間的距離與第一套的每個波前的曲 率半徑減小之間的關(guān)系。在本發(fā)明的另 一方面，可提供用于通過匹配該基本單元的 至少一個特4i，然后通過抑制該有害波向目標區(qū)傳播和消滅目標區(qū)
59內(nèi)的該有害波中的至少 一個，4氐消由至少 一個波源的至少 一個基本 單元輻射有害電^茲波的方法。該基本單元被設(shè)置為^又包括負責輻射 該有害波以及同才羊影響該有害波在其內(nèi)的^各徑的部分波源，其中該
目標區(qū)被定義為介于該源與使用者之間，以及其中該特征包括形狀、
尺寸和/或"i殳置。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，方法可包4舌下列 步驟第一提供；將該抵消單元配置為與該基本單元的特征匹配； 歸因于該配置，由該抵消單元發(fā)射與該有害波類似的反電》茲波；以 及將該抵消單元布置在一位置，以由該反波匹配目標區(qū)內(nèi)的有害波。 該配置可由下列步艱《之一^,fC:爿尋該4氐消單元配置為定義比該基本 單元的構(gòu)造更簡單的構(gòu)造，同時至少最低限度保持該特征；將該抵 消單元配置為定義比該基本單元的構(gòu)造更復雜的構(gòu)造，同時至少最 低限度保持該特征；將該4氐消單元配置為定義一尺寸，該尺寸由比 該基本單元數(shù)量更少的單元軸定義，同時至少最低限度保持該特征； 以及將該4氐消單元配置為具有由比該基本單元凄t量更多的單元軸定 義的尺寸，同時至少最低限度保持該特征。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可包括下 列步驟4是供單個4氏消單元；將該4氏消單元配置為具有比單個基本 單元更簡單的構(gòu)造，同時^f呆持該特^t;歸因于該配置，由該4氐消單 元發(fā)射與該有害波類似的反電石茲波；以及將該4氏消單元布置在一4立 置，用于由該反波4氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波，由此由該反波4氐消其 內(nèi)的該有害波。上述配置可由下列步駛《之一*,4戈將該4氐消單元配 置為定義與多個基本單元的設(shè)置類似(或相同)的構(gòu)造，同時保持 該特征；將該4氐消單元配置為具有由比多個基本單元的i殳置正交度 更小的單元軸形成的尺寸，同時保持該特征；以及將該抵消單元配 置為具有由比多個基本單元的尺寸正交度更大的單元軸形成的尺 寸，同時保持該特征。[131]在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可包括下 列步驟提供多個抵消單元；以比單個基本單元的構(gòu)造更簡單的構(gòu) 造設(shè)置至少兩個上述抵消單元，同時保持該特征；歸因于該配置， 由該4氐消單元發(fā)射與該有害波類似的反電^茲波；以及爿夸該^氐消單元 布置在這些位置，用于由該反波匹配目標區(qū)內(nèi)的該有害波，由此由 該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。該i殳置可纟皮下列步-驟之一耳又^R:以與 多個基本單元類似或相同的構(gòu)造i殳置至少兩個該4氐消單元，同時保 4爭該特征；以比單個基本單元的另一尺寸正交度更小的單元軸形成 的尺寸設(shè)置該抵消單元，同時保持該特征；以及以由比多個基本單 元的尺寸正交度更大的單元軸形成的尺寸i殳置該4氐消單元，同時係: 持該特征。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該方法可包4舌下 列步驟對于較大量的基本單元提供較少量的該抵消單元；設(shè)置該 抵消單元，同時近似該基本單元的設(shè)置，并保持該特征；歸因于該 布置，由該抵消單元發(fā)射與該有害波類似的反電磁波；以及將該抵 消單元布置在一^立置，用于由該反;;皮匹配目才示區(qū)內(nèi)的該有害波，由
此由該反波抵消其內(nèi)的該有害波。該提供和設(shè)置可由下列步驟替代
對于較少量的基本單元提供較大量的抵消單元；以及設(shè)置該抵消單
元，同時圍繞至少一個該基本單元布置至少兩個該4氐消單元，同時
保持該特征。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下
列步-驟第一4是供；將該4氏消單元配置為關(guān)于該基本單元移動；由 該抵消單元發(fā)射反電磁波；尋找該抵消單元與該基本單元之間的距 離與該反波和有害波的匹配程度(或水平)之間的關(guān)系；估定該反 波與該有害波最匹配的4立置；以及一尋該4氐消單元移動至該4立置'以 最好的由該反波匹配目標區(qū)內(nèi)的有害波，由此由該反波4氐消其內(nèi)的 該有害波。[134]在本發(fā)明的另一方面，可才是供用于通過匹配該有害波，以 及通過抑制該有害波傳4番至目標區(qū)和消滅該目標區(qū)內(nèi)的該有害波中 的至少 一個，4氏消至少一個波源的至少 一個基本單元輻射的有害電 磁波的方法。該基本單元被設(shè)置為僅包括負責輻射該有害波以及影 響其穿過其內(nèi)的路徑的部分波源，且該目標區(qū)被定義為介于該源與 4吏用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，方法可包括下列 步驟識別該有害波的第一套多個波前；沿至少一個該波前布置至 少一個4氐消單元；以及由該4氐消單元發(fā)射形成第二套多個波前的反 電磁波，歸因于該布置，其與目標區(qū)內(nèi)的第一套波前類似(或相同)， 由此由該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例'l"生實施例中，該方法可具有下 列步驟識別該有害波的多個波前；提供至少一個抵消單元用于發(fā) 射反電石茲波，該反電；茲波定義與該4氐消單元的形狀和/或i殳置類似的 多個波前；沿該有害波的至少一個波前布置該4氐消單元；以及發(fā)射 該反波，同時歸因于該4是供和布置，4吏其波前與目標區(qū)內(nèi)的該有害 波的波前一致，由此由該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。上述4是供和布 置也可由下列步驟替代提供至少一個抵消單元用于發(fā)射反電磁波， 該反電磁波定義與該抵消單元的形狀和/或設(shè)置不同的多個波前；以 及基于該提供，將該抵消單元布置為跨過(或沿)該有害波的至少 兩個波前。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可包括下 列步備聚識別該有害波的多個波前；以沿至少一個該波前定義的i殳 置布置多個抵消單元；將該抵消單元配置為發(fā)射反電磁波，該反電 磁波定義與該抵消單元的設(shè)置類似的多個波前；以及發(fā)射該反波， 同時歸因于該設(shè)置，使其波前與該目標區(qū)內(nèi)的該有害波的波前一致， 由此由該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。上述布置和配置也可由下列步驟替代以橫跨或沿至少兩個該波前的設(shè)置布置多個抵消單元；以 及將該抵消單元配置為發(fā)射反電磁波，該反電磁波定義與該抵消單 元的i殳置不同的多個波前。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，方法可具有下列 步驟第一提供；識別該有害波的多個波前；由該^氐消單元發(fā)射具 有多個波前的反電》茲波；將該4氐消單元力欠置在該基本單元和目標區(qū) 之間；將該反波波前的較短的曲率半徑與該有害波的較長的曲率半 徑進4亍對比；以及S夸該4氐消單元布置在一位置，其中該反波和有害 波的曲率半徑被設(shè)置為彼此在目標區(qū)內(nèi)最好的匹配，由此由該反波 4氐消其內(nèi)的該有害波。該i丈置和對比可由下列步驟替代將該4氐消 單元放置在該目標區(qū)關(guān)于該基本單元的相對側(cè)；以及將該反波波前 的專交長的曲率半徑與該有害波的專交短的曲率半徑進4于對比。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步-驟第一^是供；將該4氐消單元配置為關(guān)于該基本單元移動；由 該對氐消單元發(fā)射反電石茲波；尋找該4氐消單元與基本單元之間的距離
與該反波的曲率半徑與有害波的曲率半徑匹配禾呈度(或水平)之間 的關(guān)系；估定該反波與該有害波最好地匹配的位置；以及將該抵消 單元移動至該4立置，用于由該反波匹配該目標區(qū)內(nèi)的該有害波，由 此由該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，可提供用于通過由至少一個抵消單 元發(fā)射反電石茲;皮以及通過以予貞定方向向i亥有害滋 f專4番該反波，4氐消 由至少 一個波源的至少一個基本單元輻射的有害電^茲波的方法。該 基本單元^皮配置為僅包括負責輻射該有害波以及影響該有害波在其 內(nèi)的路徑的部分源，而該目標區(qū)被定義為介于該波源與使用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，方法可包括下列 步驟將該反波配置為定義與該有害波類似的形狀以及至少部分相反的相位角(此后稱為'第一配置')；由該抵消單元容納至少部分該 基本單元；以及發(fā)射該反波，同時將該有害波容納在該目標區(qū)內(nèi)， 由此由該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。上述容納可由下列步-驟^,^^: 在至少部分該基本單元周圍布置多個抵消單元。*在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有 下列步驟第一配置；將至少部分該抵消單元布置在該基本單元內(nèi)； 以及發(fā)射該反波同時,皮該有害波容納在目標區(qū)內(nèi)，由此由該反波4氐 消其內(nèi)的該有害波。上述布置可由下列步驟替代由多個基本單元 容納至少部分該纟氏消單元。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟第一配置；將該抵消單元布置在該基本單元的側(cè)部；以及 將該反波發(fā)射至具有有害波的目標區(qū)，由此由該反波4氐消其內(nèi)的該 有害波。上述布置可由下列步驟之一替代沿該基本單元的縱軸以 及遠離該縱軸布置該4氐消單元；以及由另外的這些單元容納該4氐消 單元和基本單元之一的至少部分。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟第一配置；使該抵消單元與該有害波的傳播方向重合；以 及向具有該有害波的目標區(qū)內(nèi)發(fā)射該反波，由此由該反波抵消其內(nèi) 的該有害波。上述重合可由下列步驟之一替代4吏該抵消單元與施 加至該基本單元的電流和/或電壓方向重合； -使該^氐消單元與該基本 單元的縱軸重合；使該抵消單元與該基本單元的短軸重合，等等。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該方法可包4舌下 列步驟第一配置；將該抵消單元布置在該基本單元與目標區(qū)之間； 由該^氐消單元發(fā)射波幅小于該有害波的波幅的該反波；以及將該反
64波向具有該有害波的目標區(qū)傳，燔，由此由該反波^氐消其內(nèi)的該有害
波。上述布置和發(fā)射可由下列步驟替代將該抵消單元布置在該目 標區(qū)關(guān)于該基本單元的相對側(cè)；以及由該^氐消單元發(fā)射該反波，其 定義波幅大于該有害波的波幅。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟第一配置；將該4氐消單元布置在該基本單元與目標區(qū)之間； 將該4氏消單元以垂直于該有害波的傳纟番方向的方向延伸為具有比該 基本單元更大的寬度；以及向具有該有害波的目標區(qū)發(fā)射該反波， 由此由該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。上述布置和延伸可由下列步備聚 將該4氐消單元布置在該目標區(qū)關(guān)于該基本單元的相對側(cè)；以 及將該抵消單元以垂直于該有害波的傳播方向的方向延伸為小于該 基本單元的寬度。在本發(fā)明的另一方面，可提供用于通過發(fā)射反電磁波，以 及通過用該反波消滅目標區(qū)內(nèi)的有害波以及由該反波^卩制該有害波 向目^;區(qū)內(nèi)傳^番中的至少一個，^氐消由至少一個波源的至少一個基 本單元輻射的有害電磁波的方法。該基本單元被配置為僅包括負責 輻射該有害波以及同樣影響在其內(nèi)的路徑的部分源，而該目標區(qū)祐L 定義為介于該波源與4吏用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，方法可包4舌下列 步驟提供發(fā)射該反波的單個抵消單元；第一配置；以及由該反波 4氐消由單個基本單元輻射的有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟^是供發(fā)射該反波的單個4氏消單元；第一配置；以及用該反 波4氐消由所有多個基本單元輻射的有害波的加合。上述4氐消可由下 列步吝聚—務(wù)4戈由該反波4氐消由至少一個4旦并非所有該多個基本單元 輻射的該有害波。
65[151 ]在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該方法可包括下 列步驟才是供發(fā)射該反波的多個抵消單元；第一配置；以及通過由 所有抵消單元發(fā)射的所有反波的加合抵消由單個基本單元輻射的有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該方法可包括下 列步驟3是供發(fā)射該反波的多個4氐消單元；第一配置；以及用由至 少兩個抵消單元發(fā)射的反波的另外的加合抵消由所有多個基本單元 輻射的有害波的加合。上述抵消可由下列步驟替代通過由至少兩 個抵消單元發(fā)射的反波的另外的加合抵消由至少一個但并非所有多 個基本單元輻射的該有害波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟 一是供至少兩個纟氏消單元，每個發(fā)射一套反波；將至少一個 4氐消單元配置為關(guān)于另一個移動；第一配置；以及在該發(fā)射中，關(guān) 于該基本單元移動該至少一個抵消單元，由此用不同套的反波抵消
由單個基本單元輻射的該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，可提供用于通過發(fā)射反電石茲波4氐消 由至少 一 個波源輻射的有害電》茲波的方法，該至少 一 個波源#皮定制 形狀為至少一個曲線形。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，方法可包括下列 步驟第一提供；將抵消單元定制形狀為線、條以及板之一；將該 4氐消單元沿該線爿犬或近卩以該線狀布置；以及3夸電流以相反方向供應(yīng) 至線波源和該4氐消單元，同時乂人該4氐消單元發(fā)射該反波，用以由該 反波抵消該有害波(此后其被稱為'第一供應(yīng)')。上述布置可由下列 步-驟^#^^:在該線周圍或近似、該線編織該4氐消單元。[156]在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟提供多個抵消單元，每個被定制線狀為線、條狀和/或板； 在該線周圍或4妻近該線布置該4氏消單元；以及第一供應(yīng)。該布置可 由下列步驟替代在該線周圍或接近該線以相同或不同方向編織每 個4氐消單元。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟第一提供；將該抵消單元定制形狀為線圈或螺旋形的至少 一個；圍繞該線i座繞該4氏消單元；以及第一供應(yīng)。上述定制線狀和 纏繞可由下列步驟替代將該4氐消單元定制形狀為一反狀或網(wǎng)狀；以 及圍繞該線纏繞該4氐消單元。上述定制形狀和纏繞也可由下列步艱纟 替代將該抵消單元定制形狀為具有內(nèi)腔的環(huán)管；以及將該線布置 在該沖氐消單元的內(nèi)腔內(nèi)。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟識別圍繞該線形成的有害波的多個波前；沿上述至少一個 波前布置至少 一個抵消單元；以及由該抵消單元發(fā)射多個波前的反 波，該波前與該線的波前類如乂 (或相同)，由此用該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，可提供用于通過發(fā)射反電磁波抵消 有害電》茲波的方法，該有害電》茲波由至少一個波源輻射，該波源#皮 定制形狀為至少一個曲線條(或板)。
網(wǎng)*在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，方法可包括下 列步驟第一提供；將該抵消單元定制形狀為線、條或板；沿或接 近該條(或板)布置該抵消單元；以及將電流以相反的方向供應(yīng)至 條狀(或—反狀)波源以及該4氐消單元，同時由該冷氐消單元發(fā)射該反波，用以由該反波抵消該有害波(此后稱為'第二供應(yīng)')。該布置也
可由下列步驟替代圍繞或接近該條(或板)編織該^J肖單元。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟提供多個抵消單元，每個被定制形狀為線、條或板；將該 4氐消單元圍繞或4妻近該條(或々反)布置；以及第二供應(yīng)。該布置可 由下列步驟替代圍繞或接近該條(或板)以相同或不同方向之一 編織每個4氐消單元。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟第一提供；將該抵消單元定制形狀為至少一個線圏和至少 一個螺^走形之一；圍繞該線(或斥反)纏繞該4氐消單元；以及第二供 應(yīng)。該定制形狀和纏繞可由下列步驟替代將該纟氏消單元定制形狀 為才反狀或網(wǎng)狀；以及圍繞該條(或玲反)纏繞該4氐消單元。上述定制 形狀和纏繞也可由下列步驟替代將該抵消單元定制形狀為 一對條 (或板)；以及將該線布置在這些條(或4反)之間。*在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可包括 下列步驟識別圍繞該條(或板)的有害波的多個波前；沿至少一 個該波前布置至少一個4氐消單元；以及由該4氐消單元發(fā)射該反波， 該反波具有與該條(或才反)的波前類似(或相同)的多個波前，由 jt匕由該反波4氐消該有害波。在本發(fā)明的另 一方面，可提供用于通過發(fā)射反電磁波4氐消 由至少 一個波源輻射的有害電磁波的方法，該波源被定制形狀為具 有內(nèi)腔的至少一個曲線管。[167]在本發(fā)明該方面的一個示例'1"生實施例中，方法可包4舌下列 步驟第一提供；將該抵消單元定制形狀為線、條或板；沿或接近 該管布置該4氏消單元；以及爿夸電流沿相反的方向供應(yīng)至管^R波源和 4氐消單元，同時由it4氐消單元發(fā)射i亥反》皮，用以由i亥反;皮4氐消i亥有 害波(此后一皮稱為'第三供應(yīng)')。該布置可由下列步驟替代圍繞或 4妻近該管編織該4氏消單元。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟提供多個抵消單元，每個被定制形狀為線、條或板；圍繞 或4妾近該管布置該4氐消單元；以及第三供應(yīng)。上述布置可由下列步 驟一務(wù)4、圍繞或4妾近該管以相同或不同的方向編織每個4氐消單元。在本發(fā)明該方面的另一示例4生實施例中，方法可具有下列 步驟第一提供；將該抵消單元定制形狀為線或條的至少一個；將 該4氐消單元布置在管狀內(nèi)腔的內(nèi)部；以及第三供應(yīng)。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟第一提供；將該抵消單元定制形狀為線圈或螺旋形的至少 一個；圍繞該管l座繞該4氏消單元；以及第三供應(yīng)。上述定制形狀和 纏繞可由下列步驟替代將該抵消單元定制形狀為板和網(wǎng)狀之一， 且圍繞該管纏繞該沖氐消單元；將該4氐消單元定制形狀為具有內(nèi)月空的 更大的管，且將該管布置在該抵消單元的內(nèi)腔內(nèi)部；以及將該抵消 單元定制形狀為具有內(nèi)腔的更小的管，且將該4氐消單元布置在該管 的內(nèi)月空內(nèi)部。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步備聚識別圍繞該管形成的有害波的多個波前；沿至少一個波前 布置至少一個4氐消單元；以及由該4氏消單元發(fā)射具有與該管的波前 類似(或相同)的多個波前的反波，由此用該反波4氐消該有害波。
69[172]在本發(fā)明的另 一方面，可提供用于通過發(fā)射反電磁波抵消
由至少一個波源輻射的有害電i茲波的方法，該波源;故定制形狀為至 少一個曲線線圈。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，方法可包括下列 步驟第一提供；通過將該線圈的相對的末端彼此接近，將該抵消 單元定制形狀為螺;爽管狀；在該線圈內(nèi)供應(yīng)電流；以及將電流以相 反的方向供應(yīng)至該線圈的波源以及該抵消單元，同時由該抵消單元 發(fā)射反波，用于由該反波4氏消該有害波(此后稱為'第四供應(yīng)')。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該方法可具有下 列步驟第一提供；將該抵消單元定制形狀為比該基本單元的線圏 更小的線、條或螺旋形；圍繞該4氐消單元纏繞該基本單元的線圏； 以及第四供應(yīng)。上述定制形狀和纏繞可由下列步-紫替代將該4氐消 單元定制形狀為比該基本單元的線圏更小的另一線圏；以及圍繞該 4氐消單元》座繞該基本單元的線圈。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，方法可包括下列 步驟第一提供；將該抵消單元定制形狀為另一線圏；將該抵消單 元和基本單元的線圏布置為4皮此靠近；以及第四供應(yīng)。該布置可由 下列步專聚^辦^:編織該4氐消單元和基本單元的線圈。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該方法可具有下 列步-驟識別圍繞該線圏形成的有害波的多個波前；沿至少一個波 前布置至少 一個4氏消單元；以及由該纟氏消單元發(fā)射具有與該管的波 前類似(或相同)的多個波前的該反波，由jt匕由該反波4氐消該有害波。本發(fā)明該方法方面的實施例可包括一個或多個下述特征， 且上述方法的構(gòu)造和/或才喿作改變和/或4務(wù)正也落入本發(fā)明范圍內(nèi)。[178]該抵消可包括下列步驟抵消該有害波但保留(preserving ) 聽得到的聲波。該抵消可包括下列步驟的至少一個通過該反波抑 制至少部分有害波傳纟番至該目標區(qū)；通過該反波消滅目標區(qū)內(nèi)的部 分有害波，等等。該4氐消也可包括下列步驟的至少一個4氐消頻率 小于約50Hz至60Hz的該有害波；抵消頻率小于約300Hz的該有害波； 以及抵消頻率小于約lkHz的該有害波。該抵消也可包括下列步驟的 至少一個抵消頻率小于約10kHz的有害波；抵消頻率小于約100kHz 的該有害波；4氐消頻率小于約lMHz、 lOMHz、 lOOMHz、 lGHz、 lOGHz、 lOOGHz、 lTHz的該有害波，等等。該4氐消可包括下列步 驟的至少 一 個1"又4氐消部分預定頻率范圍的該有害波同時保留剩余 的； 一氏消該有害波的萬茲波； 一氏消該有害波的全部，等等。該影響可包括下列步驟的至少一個包括永》茲體；施加該 電壓；流動該電流，等等。該延伸可包括下列步驟之一使該4氐消 單元沿其長度加長；使該抵消單元沿其寬度加寬，等等。該提供可 包括下列步驟的至少一個將該4氏消單元的形狀形成為線、條、板、 管、線圈、螺;旋形、以及網(wǎng)狀的至少一個；將該4氐消單元形成為這 些形狀的混合、這些形狀的組合、以及這些形狀的排列等等之一。 該形成可包4舌下列步驟的至少一個由該多個線一犬4氐消單元的4非列 (或束)容納至少部分該基本單元；由該多個條狀抵消單元的排列 (或束)容納部分該基本單元；由該多個板狀抵消單元的排列(或 束)容納部分該基本單元；由多個管狀抵消單元的排列(或束)容 納部分該基本單元；圍繞部分該基本單元纏繞該4氐消單元的至少一 個線圏；用多個線圈的排列(或束)纏繞部分該基本單元；以及用 至少一個管網(wǎng)狀的該4氐消單元容納部分該基本單元。該形成該4氐消 單元可進一 步包括下列步驟的至少 一個對于至少部分該4氏消單元， 延伸成單個線；對于該部分單元，延伸成多個線的排列(或束)；對 于該部分單元，延伸成單個條；對于該部分單元，延伸成多個條的 排列(或束)；對于該部分單元，延伸成單個4反；對于該部分單元，延伸成多個板的排列(或束)；對于該部分單元，延伸成單個管；對 于該部分單元，延伸成多個管的束(或排列)；對于該部分單元，纏 繞單個線圈；對部分單元，纏繞多個線圈的束(或排列)；對于 該部分單元，延伸成單個環(huán)網(wǎng)狀；以及對于該部分單元，延伸成多 個環(huán)網(wǎng)狀的排列(或束)。該提供可包括下列步驟之一將該抵消單元露出該基本單 元；將該抵消單元藏在該基本單元下方(或內(nèi)部)，等等。該提供可 包括下列步驟的至少一個將該4氐消單元固定布置；將該^氐消單元 可動地布置，等等。該^是供可包括下列步驟之一形成由相同材料 構(gòu)成的基本單元和4氐消單元；形成由不同材料構(gòu)成的該基本單元和 抵消單元；將至少一個但并非所有材料包括在該基本單元和抵消單 元內(nèi)，等等。該提供可包括下列步驟之一將該基本單元和抵消單 元設(shè)置為具有類似(或相同)的共振頻率；將該基本單元和4氐消單 元設(shè)置為定義不同的共振頻率，等等。該布置可包括下列步驟的至少一個將該4氏消單元布置為 與該基本單元側(cè)部(或肩并肩)_沒置；用另外的這些單元容納該4氐 消單元和基本單元的至少一個；軸向排列該基本單元和4氐消單元， 等等。該容納可包括下列步驟之一將該抵消單元間接布置在該基 本單元(或源)的上方(或周圍)；將該4氐消單元直接布置在該基本 單元(或源)的表面(或周圍)，等等。該容納也可包括下列步驟的 至少一個同心設(shè)置至少兩個該抵消單元；以串聯(lián)方式、并聯(lián)方式 和混合方式之一電氣井禹合該4氏消單元，等等。該重合可包4舌下列步 驟之一將該抵消單元與該基本單元的縱軸重合；將該4氐消單元與 該基本單元的4豆軸重合； 一尋該4氐消單元與電流;危入(或電壓施力口至) 該基本單元的方向重合，將該4氏消單元與該有害波的傳纟番方向重合，等等。[182]配置該抵消單元可包括下列步驟的至少 一個控制該抵消 單元的形狀；控制該抵消單元的尺寸；控制該抵消單元的設(shè)置，等 等。該布置可包括下列步驟的至少一個控制該4氏消單元關(guān)于該基 本單元(或目標區(qū))的方向；控制該4氏消單元關(guān)于其的纟非列；控制 該抵消單元與基本單元(或目標區(qū))之間的第一距離；控制這些一氐 消單元之間的第二距離，等等。該發(fā)射可具有下列步驟之一當該反波和有害波沿至少部 分相反的方向傳才番時，控制該反波的相位角為至少與該有害波的相 4立角類似；當該反波和有害波沿至少類似方向4專4番時，4空制該反波 的相^立角為至少與該有害波的相^f立角相反；以及當該反波和有害波 以彼此相反的方向傳播時，控制該反波的相位角為與該有害波的相 位角相反。該發(fā)射可包括下列步驟的至少一個當在目標區(qū)內(nèi)測量 時，控制該反波的波幅大于(或小于)該有害波的波幅；當在基本 單元內(nèi)測量時，4空制該反波的波幅與該有害波的波幅類似、(或相同)， 等等。該發(fā)射可包括下列步驟的至少一個以與該有害波相同的方 向傳播該反波；以與每個基本單元輻射的有害波的方向不同，但與 來自該基本單元的有害波的加合的方向相同的方向，傳4番該反波， 等等。該發(fā)射可包括下列步驟控制該反波的相位角為至少部分(或 基本上)與該有害波的相位角相反。該方法也可包括下列步驟之一使電流在全部基本單元內(nèi) 流動；4吏電流4又在部分基本單元內(nèi);;充動；^!夸該電壓施力口至全部基本 單元；以及將該電壓^f叉施加到部分基本單元。該方法可包括下列步 驟之一〗吏電流以單個方向在該基本(或4氐消)單元內(nèi)流動；Y吏該 電流沿不同方向在該基本(或4氐消)單元的不同部分流動；,人單個 方向供應(yīng)電壓通過該基本(或4氐消)單元；從不同方向沿該基本(或 抵消)單元的不同部分施加電壓，等等。該方法可包括下列步驟 提供多個用于產(chǎn)生有害波的基本單元，接下來可包括下列步驟之一
73使具有相同波幅的電流沿相同的方向在所有的基本(或4氐消)單元
內(nèi)流動；^f吏具有相同波幅的電流以不同的方向沿該基本(iU氐消) 單元流動；^f吏具有不同波幅的電流以相同的方向在所有基本(或^氐 消)單元內(nèi)流動；^f吏具有不同波幅的電流以不同方向在該基本(或 4氐消)單元內(nèi)流動，等等。該方法可包^"下列步-驟^是供多個用于 產(chǎn)生有害波的基本單元，且該"施加"可包括下列步驟之一沿相 同方向在所有的基本(或抵消)單元內(nèi)施加具有相同波幅的該電壓； 以不同方向沿該基本(或4氐消)單元施加具有相同波幅的電壓；以 相同的方向在所有的基本(或4氐消)單元內(nèi)施加具有不同波幅的電 壓；以不同方向在該基本(或4氐消)單元內(nèi)施加具有不同波幅的電 壓，等等。該流動可包括下列步驟之一使具有相同(或不同)波幅 的電;充在該4氐消單元內(nèi)；克動；4吏另夕卜的電力化在i亥4氐消單元內(nèi)；充動， 該電流可能不是來源于施加至該基本單元的電流，但可具有至少部 分與施加至該基本單元的電流類似的時程分配型式(temporal pattern ); <吏另外的電流沿該4氐消單元流動，該電流可不來源于施加 至該基本單元的電流，且可具有與施加至該基本單元的電流不同的 時禾呈分配型式，等等。該電流流動可包4舌下列步-驟之一^使該電流 在it基本單元內(nèi)；危動^妾著在i亥4氐消單元內(nèi)5危動；4吏it電纟危在i亥4氐消
單元內(nèi)流動4妄著在該基本單元內(nèi)流動；4吏該電流至少同時在該基本 和才氐消單元內(nèi)流動，等等。在本發(fā)明的另一方面，可4是供用于通過發(fā)射反電磁波、通 過控制該抵消單元的形狀、以及通過由該反波抑制該有害波向目標 區(qū)傳播以及由該反波消滅目標區(qū)內(nèi)的有害波其中至少一個，4氐消由 至少一個波源的至少一個基本單元輻射的有害電^茲波的方法，其中 該基本單元^皮配置為僅包4舌負責輻射該有害波以及影響該有害波在其內(nèi)的^各徑的部分源，以及其中該目標區(qū)#皮定義為介于該系統(tǒng)與 <吏 用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，該系統(tǒng)可由包括 下列步驟的工藝制得將至少一個抵消單元設(shè)置為具有比該基本單 元更寬的寬度；將該4氐消單元布置在該波源與使用者之間，同時使 其寬度與該有害波的至少部分波前重合；將該抵消單元配置為發(fā)射 該反波，該反波定義波特4正與該有害波類似4旦具有至少部分與其相 反的相位角；以及使該抵消單元與該反波向目標區(qū)的傳播重合，由 此由該反波4氐消其內(nèi)的該有害波(此后稱為'第一重合')。該i殳置和 布置可由下列步驟替代將至少一個抵消單元設(shè)置為定義比該基本 單元更窄的寬度；以及將該4氐消單元布置在該目標區(qū)關(guān)于該波源的 相對側(cè)，同時^f吏其寬度與該有害波的至少部分波前重合。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可由包括下 列步驟的工藝制得識別該有害波的多個波前；將單個4氐消單元配 置為發(fā)射該反波，該反波定義的多個波前具有至少部分與該有害波 相反的相位角，且當位于與該基本單元的預定距離處時，同樣能與 該有害波的波前匹配；將該4氐消單元布置在與該基本單元的該^巨離 處；以及第一重合。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可由包括下 列步驟的工藝制得才是供至少兩個4氐消單元；將該4氐消單元配置為 發(fā)射反波，該反波定義類似(或相同)的相位角，且具有第一套多 個波前，每個對應(yīng)由該4氏消單元產(chǎn)生的至少兩個波前的加合；尋找 這些抵消單元之間的距離與該第一套的每個波前的曲率半徑增長之 間的關(guān)系；識別該有害波的第二套多個波前；將該4氐消單元配置為 當位于與該基本單元的預定距離時，4吏第 一套的波前的曲率半徑與 第二套的波前的曲率半徑匹配；將該4氐消單元布置在該^巨離處；以 及第一重合。上述配置和尋找也可由下列步驟替代將該4氏消單元配置為發(fā)射反波，該反波定義至少部分相反的相^立角且第一套多個 波前的每一個與由該^氐消單元產(chǎn)生的至少兩個波前的加合對應(yīng)；以 及尋找這些抵消單元之間的距離與第一套的每個波前的曲率半徑之 間的關(guān)系。在本發(fā)明的另一方面，可提供用于通過發(fā)射反電磁波、通 過與該基本單元的至少一個特4正匹配、以及通過用該反波消滅目標 區(qū)內(nèi)的有害波以及由該反波抑制該有害波向該目標區(qū)傳播其中的至 少 一個，抵消由至少 一個波源的至少一個基本單元輻射的有害電磁 波的系統(tǒng)，其中該基本單元被配置為僅包括負責輻射該有害波以及 影響該有害波在其內(nèi)的^各徑的部分源，同時該目標區(qū)^皮定義為介于 該系統(tǒng)和-使用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，該系統(tǒng)可由包括「 下列步驟的工藝制得將至少一個4氐消單元i殳置為與該基本單元的 特征匹配；將該抵消單元配置為發(fā)射反波，歸因于該設(shè)置，該反波 與該有害波類似(或相同)，但具有的相位角至少部分與該有害波的 相位角相反(此后稱為'第二抵消')；以及第一重合。上述設(shè)置可由 下列步驟之一替代將至少一個4氏消單元i殳置為定義比該基本單元 更簡單，同時至少最低限度保持該特征的構(gòu)造；將至少一個4氐消單 元設(shè)置為定義比該基本單元更復雜，同時至少最低限度保持該特征 的構(gòu)造；將至少一個4氏消單元i殳置為具有由比該基本單元更少的單 元軸定義的，同時至少最低限度保持該特征的尺寸；以及將至少一 個才氐消單元i殳置為具有由比該基本單元更多的單元軸定義的，同時 至少最低限度保持該特征的尺寸。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可由包括下 列步驟的工藝制得將單個抵消單元設(shè)置為定義比單個基本單元更 簡單，同時保持該特征的構(gòu)造；第二抵消；以及第一重合。上述設(shè) 置可由下列步驟之一替代將單個抵消單元設(shè)置為定義與多個基本單元的設(shè)置類似(或相同)，同時保持該特征的構(gòu)造；將單個抵消單
元設(shè)置為定義由比多個基本單元的設(shè)置正交度較小的單元軸形成的
尺寸，同時保持該特征；以及將單個4氐消單元設(shè)置為定義由比多個 基本單元的尺寸正交度更大的單元軸形成的尺寸，同時保持該特征。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可由包4舌下 列步驟的工藝制得提供多個抵消單元；將至少兩個該抵消單元設(shè) 置為比單個基本單元更簡單，同時保持該特征的構(gòu)造；歸因于該設(shè) 置，將該抵消單元配置為發(fā)射的反波與該有害波類似(或相同)，但 定義的相位角至少部分與該有害波的相位角相反；以及使該抵消單 元與該反波向目標區(qū)的傳播重合，由此由該反波抵消其內(nèi)的該有害 波。上述設(shè)置也可由下列步驟之一替代將至少兩個該4氐消單元設(shè) 置為與多個基本單元的設(shè)置類似(或相同)同時保持該特征的構(gòu)造；
將該抵消單元設(shè)置為定義由比單個基本單元的尺寸正交度較小的單 元軸形成的尺寸，同時保持該特征的設(shè)置；以及將該抵消單元設(shè)置 為定義由比多個基本單元的尺寸正交度更大的單元軸形成的尺寸， 同時保持該特征的i殳置。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可由包4舌下 列步驟的工藝制得才是供比該基本單元更少的^J肖單元；用該4氐消 單元近似該基本單元的i殳置，同時保持該特征；將該4氐消單元配置 為發(fā)射反波，歸因于該近似，該反波與該有害波類似(或相同)，但 定義的相位角至少部分與該有害波的相位角相反；以及^f吏該4氐消單 元4非列為傳4番該反波至目標區(qū)，由此由該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。 上述提供和接近也可由下列步驟替代對于較少的基本單元提供較 多的抵消單元；以及由該抵消單元接近該基本單元的設(shè)置，同時圍
繞至少一個該基本單元布置至少兩個纟氏消單元，JU呆持該特4正。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可由包4舌下 列步驟的工藝制得將至少一個抵消單元設(shè)置為關(guān)于該基本單元移
77動；將該抵消單元配置為發(fā)射反波，該反波與該有害波類似(或相同)，但定義的相位角至少部分與該有害波的相位角相反；尋找該抵消單元與該基本單元之間的距離與該反波與有害波之間的匹配程度之間的關(guān)系；以及將該4氐消單元移動至匹配禾呈度最高的位置，由此由該反波4氐消目才示區(qū)內(nèi)的該有害波。在本發(fā)明的另一方面，提供系統(tǒng)，其通過發(fā)射反電磁波并用其匹配該有害波，以及通過用目才示區(qū)內(nèi)的反波消滅有害波以及用該反波抑制該有害波傳纟番至該目標區(qū)中的至少 一個，來4氐消由至少一個波源的至少一個基本單元輻射的有害電》茲波。這種基本單元#皮配置為包括負責輻射有害波以及影響其傳纟番^各徑的部分源，而該目標區(qū)凈皮定義介于該系統(tǒng)與應(yīng)用者之間。在本發(fā)明一個方面的一個示例性實施例中，該系統(tǒng)可通過包括下列步驟的工藝制得識別該有害波的第一套多個波前；沿至少一個該波前布置至少一個抵消單元；配置該抵消單元發(fā)射反波，該反波形成第二套多個波前，由于該布置，該多個波前與該目標區(qū)的第一套波前類似(或相同)；以及第一次排列。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可通過包括下列步驟的工藝制得識別該有害波的多個波前；配置至少一個4氐消單元發(fā)射反波，該反波定義與該4氐消單元的形狀和/或i殳置相似的多個波前；沿該有害波的至少一個波前布置該4氐消單元；以及i殳置該一氐消單元發(fā)射這種反波，基于該配置，其波前與該目標區(qū)內(nèi)的該
有害波的波前重合(aligned),由此用該反波4氐消其中的該有害波。上述配置和布置可由下列步-驟^奪^^:配置至少一個4氐消單元發(fā)射具有多個波前的反波，該波前與該4氐消單元的形狀和_沒置的至少 一個不同；以及基于該配置，斗黃過(或沿)該有害波的至少兩個波前布置這種4氐消單元。
78[199]在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，這種系統(tǒng)可用包括下列步驟的工藝制得識別該有害波的多個波前；在一個設(shè)置中沿至少一個該波前布置多個4氐消單元；配置該4氐消單元發(fā)射這種具有多個波前的反波，該波前與該4氐消單元的i殳置類似、；以及i殳置該抵消單元發(fā)射這種反波，其波前基于該配置與該目標區(qū)內(nèi)的該有害波一致，由此用該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。上述布置和配置可由下列步驟替代在一個設(shè)置中，橫過(或沿)至少兩個該波前布置多個抵消單元；以及配置該抵消單元發(fā)射基于多個波前的反波，該波前與該4氐消單元的i殳置不同。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，系統(tǒng)可通過包才舌下列步驟的工藝制得識別這種有害波的多個波前；配置至少一個4氐消單元發(fā)射具有多個波前的這種反波，每個波前定義一個曲率半徑；在該基本單元和目才示區(qū)內(nèi)》文置該4氐消單元； 一夸這種反波波前的摔交#豆的曲率半徑與該有害波的4交長的曲率半徑進4于對比；以及配置該沖氐消單元^立于該處，其中該反波波前的曲率半徑^皮配置為與該目才示區(qū)內(nèi)的該有害波波前的曲率半徑匹配，由ot匕用該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。上述》文置和對比可進一步由下列步驟替代將該4氏消單元相對于該基本單元i文置在該目標區(qū)內(nèi)的相對側(cè)；以及將該反波波前的較長的曲率半徑與該有害波的較短的曲率半徑進行對比。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可用包括下列步驟的工藝制得i殳置至少一個4氐消單元關(guān)于該基本單元移動；配置該4氐消單元發(fā)射該反波，該反波與該有害波類々乂 (或相同)但-具有至少部分與該有害波的相位角相反的相位角；找到該4氐消單元與該基本單元之間的距離關(guān)系并使該反波的曲率半徑與該有害波的曲率半徑匹配；估定該反波的波前與該有害波的波前4皮此4艮好匹配的位置；以及將該纟氐消單元移動至該位置，以4吏該反波更好地匹配目標區(qū)內(nèi)的有害波，由此用該反波4氐消其內(nèi)的該有害波。[202]在本發(fā)明的另一方面，提供系統(tǒng)，其用于通過^氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波以及抑制該有害波向該目標區(qū)傳^番中的至少一個，^氐消由至少 一個波源的基本單元輻射的有害電磁波，其中這種基本單元被配置為僅包括部分該波源，該波源負責輻射該有害波以及影響該有害波穿過其內(nèi)的路徑，以及其中該目標區(qū)被定義介于該系統(tǒng)與應(yīng)用者之間。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施中，這種系統(tǒng)可用包括下列步驟的工藝制得設(shè)置至少 一個抵消單元具有與該基本單元相同(或類似)的形狀以及發(fā)射反電磁波，以及配置這種反波具有至少部分與該有害波的相位角相反的相位角；以及由于該形狀，定義
波特征至少部分與該有害波的波特4i類似、，且因此，歸因于該目標區(qū)內(nèi)的該相反的相位角，抵消該有害波(此后稱為'第三次配置')。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可通過包含下列步驟的工藝形成設(shè)置單個抵消單元以定義基本單元的1 -D (或2-D、 3-D)模擬單元的形狀并發(fā)射反電磁波；以及第三抵消。這種設(shè)置可由下列步驟替代設(shè)置單個抵消單元以定義多個基本單元的至少兩個的1-D (或2-D、 3-D)模擬單元的形狀并發(fā)射反電磁波。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，系統(tǒng)可通過包含下列步驟的方法形成i殳置多個4氐消單元，其中至少兩個^皮配置為定義基本單元的1-D (或2-D、 3-D)模擬單元的形狀，以及發(fā)射反電磁波；以及第三抵消。上述設(shè)置也可由下述步驟之一替代設(shè)置多個4氐消單元，其中至少兩個^皮配置為定義至少兩個4旦并非所有多個基本單元的1-D (或2-D、 3-D)模擬單元的形狀并發(fā)射反電》茲波；以及設(shè)置多個抵消單元，其中至少兩個^皮配置為定義多個基本單元的每一個的1-D (或2-D、 3-D);模擬單元的形狀并發(fā)射反電^茲波。
80[206]通過〗爹改前述裝置和/或方法纟又利要求的前序部分，以及通過添加該裝置和/或方法一又利要求的特;f正部分，可構(gòu)建更多由工藝定義產(chǎn)品的權(quán)利要求。另外，這種工藝權(quán)利要求可包括本發(fā)明裝置和/或方法4又利要求的一個或多個上述特^正。如此處所用，術(shù)語'單元'總體來說指的是本發(fā)明反電磁系統(tǒng)的'基本單元'和'4氐消單元'兩者，其中該系統(tǒng)凈皮縮寫為'EMC系統(tǒng)'或者此后簡稱為'系統(tǒng)'。'單元'之間的該分類主要基于其預期的功能。也就是i兌，該'基本單元'代表該EMC系統(tǒng)的不同部件，其用于扭J亍該系統(tǒng)的預期功能，例如從由源信號(揚聲器及包含其的設(shè)備)產(chǎn)生聽得到的聲音，反之亦然(麥克風及包含其的設(shè)備)；通過轉(zhuǎn)換電能(電動機及包含其的設(shè)備)產(chǎn)生電動勢，反之亦然(發(fā)電機)；從源信號(顯示單元，例如CRT、 LED、 OLED及PDP，以及包含其的i殳備)產(chǎn)生可一見圖像，從電能(直的或巻曲的加熱元件，以及包含其的設(shè)備)產(chǎn)生熱量，等等。所有該'基本單元'在實現(xiàn)其預期功能的同時輻射有害波，且這些'基本單元'經(jīng)常結(jié)合在上述設(shè)備內(nèi)。相反，該
4氐消單元'代表該EMC系統(tǒng)的另外的部件，其用于實現(xiàn)4氐消功能，例如4氐消該目標區(qū)的至少部分有害波和/或抑制或防止這部分有害波向該目標區(qū)傳播。若需要，該'4氐消單元'也可^皮安排為實施用于該'基本單元'的功能并，因此，起到也實施該抵消功能的額夕卜'基本單元'的作用。然而，除特別指定外，這個單元凈皮i人為是本發(fā)明范圍內(nèi)的'4氐消單元'。因此，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，該'基本單元'在4壬何現(xiàn)有i殳備中無所不在，而該'4氏消單元'在物理上及功能上均未存在于-見有i殳備中。在本發(fā)明范圍內(nèi)，該'基本單元'與'波源'相區(qū)分。具體來說，該'波源'總體來說指的是輻射這種有害波的該EMC系統(tǒng)的部分，然而該'基本單元'特別〗義指該'波源'的部分，其直4妄導致輻射該有害波和/或影響該波的傳插J各徑。例如，移動電話的揚聲器為'波源'，而該電
81話的'基本單元'包括音圏和永磁體，其中耦合至這種線圏和》茲體的紙 盆和托架是該'波源'的部分而非該'基本單元'的部分，因為該紙盆和/ 或托架既不產(chǎn)生有害波又不影響其傳播路徑。類似地，驅(qū)動設(shè)備的 馬達是'波源'，而該馬達的'基本單元'是與馬達的轉(zhuǎn)子和/或定子結(jié)合 的永磁體和/或電磁鐵，其中馬達的軸和箱體是'波源'部分，而不是' 基本單元'部分，因為該軸和/或箱體既不產(chǎn)生有害波又不影響其傳播-路徑。類似地，加熱設(shè)備的加熱器是'波源'，而該加熱設(shè)備的'基本單 元'是直的或纏繞的加熱元件，其中絕緣支撐件和外部覆膜是'波源' 部分，而非'基本單元'部分，因為該支撐件和/或覆膜既不產(chǎn)生這種 有害波又不影響其傳播路徑。因此，'波源'的形狀通常不同于'基本單 元'的形狀，其中該'基本單元'可具有比'波源'更簡單或更復雜的形
狀。然而，該'基本單元'可被視為該'波源'的子集(subset),并因此 該'基本單元'通常定義小于或至多等于該'波源'的尺寸。如此處所用，術(shù)語'構(gòu)造'總體來說指的是形狀、尺寸和/或 設(shè)置，而術(shù)語'布置'總體來說包括朝向、排列和/或距離。因此，該 (抵消或基本)單元的'構(gòu)造'可指的是該單元的形狀、該單元的尺寸、 和/或該單元相對于其它基本單元和4氐消單元的i殳置。類似;也，該單 元的'布置'可指該單元相對于其它基本單元和4氐消單元、相對于目標 區(qū)、相對于有害波或反波傳播方向、相對于電^^流入或電壓施加向 該單元或其它基本單元和4氏消單元的方向，等等的朝向和/或排列。 該單元的'布置'也可指與其它基本單元和抵消單元、與目標區(qū)等等的 距離。當該系統(tǒng)包括多個抵消單元時，其'布置'可包括至少兩個抵消 單元之間的3巨離。在本發(fā)明范圍內(nèi)，術(shù)語'線狀'總體來說指的是具有線、纖 維、纖維、細絲、4干、和/或繩的形狀，以及4壬4可其它類似、的可為直 線或彎曲的(即曲線)細長形物件的形狀的物件，且每個可形成環(huán)、 線圏、巻、螺旋形、網(wǎng)狀，等等。術(shù)語'條狀'總體來說指的是具有條、棒、墊、和/或帶的形狀，以及具有大縱橫比(即長寬比或長高比) 的任何其它平面或曲線物件的形狀的物件，每個可被設(shè)置為直線或 彎曲，每個可被設(shè)置為二維或三維構(gòu)造，每個可被設(shè)置為環(huán)、線圏、 巻、螺旋形、網(wǎng)狀，等等。另外，術(shù)語'板狀'總體來說指的是具有片、 平板、薄片、膜、薄板和/或?qū)拥男螤?，以及任何其它物件的?條狀
'更寬的形狀的物件，每個可為平面(即，二維或2-D)或曲面(即， 三維或3-D)，每個可形成為線段、巻，等等。術(shù)語'管狀'總體來說指 的是可定義如上所述以及此后將要描述的任何形狀并穿過其中形成 至少一個內(nèi)腔的物件。該'管狀'可被設(shè)置為直線或曲線，可被設(shè)置為 環(huán)、線圏、巻、螺旋形、網(wǎng)狀，等等。術(shù)語'線圏'總體來說指的是定 義螺旋和/或彈簧的形狀，以及在與 一對象恒定距離處沿該對象的縱 軸或短軸環(huán)繞該對象的任何其它物件的形狀的物件，等等。該'線圈 '可一皮i殳置為直線或曲線，也可"i殳置為環(huán)(例如螺S走管狀)，、線圏、 巻、螺旋形、網(wǎng)狀，等等。術(shù)語'螺旋形'總體來說指的是定義另一螺 :旋和/或彈簧形4犬，然而其可沿一^"象的纟從軸或4豆軸擴張或*1丈縮，以 及在不同距離環(huán)繞該對象的任何其它物件的形狀的物件，等等。應(yīng) 當注意，平面'螺;旋形'可形成在單個垂直于該對象的^v軸或短軸的曲 平面上。術(shù)語'網(wǎng)狀'總體來說指的是網(wǎng)狀、網(wǎng)、篩、被狀物、織物和 /或月良裝形狀的物件，以及可形成網(wǎng)纟各結(jié)構(gòu)、編織結(jié)構(gòu)、交織結(jié)構(gòu)， 等等的任何其它物件的形狀。術(shù)語'束狀'總體來說指的是定義兩個或 多個相同或不同的細長形以下列方式肩并肩或側(cè)部排列形狀的物 件'束狀'或'束狀物件'的橫切面內(nèi)可包括至少兩個這些形狀。術(shù)語' 編織狀'總體來il指的是具有兩個或多個相同或不同的細長形以下 列方式編織的形狀的物件在垂直于其縱軸和/或短軸的橫切面上， 該'編織爿犬'或'編織狀物件'可由至少兩個這些形狀構(gòu)成，其中這些物 件的示例可包括-f旦并不限于線、紗、由現(xiàn)有編織4支術(shù)制得的任何其 它物件，等等。應(yīng)當理解，才艮據(jù)本革殳上述術(shù)語所形成的至少部分物 件的每一個可—皮i殳置為實心、中空或多孔的，例如泡沫、海綿，等等。也應(yīng)當注意，才艮據(jù)本革殳前述術(shù)語所形成的每個這種物件可凈皮"i殳 置為包括(或定義)至少一個孔、間隙或開口。類似地且如此處所用，術(shù)語'混合物'總體來"^兌指的是液體、
溶液、溶膠、凝膠、乳液、懸浮液、漿狀物和/或粉末，其中每一個 可包括多個粒子、微粒、顆粒、細粒、屑、碎片，和/或顆粒狀物于 其中，每個也可具有^i形、橢^t形、圓筒形、薄片、'線狀'、'條狀' 等形狀，且每個可為毫米、《效米或納米范圍。適當時，這種'混合物 '可包括至少一個溶劑、至少一個化學、電性和/或石茲性惰性填料，用 于向其提供機械強度和/或機械完整性等等。另外，術(shù)語'組合'指的是不同形狀的集合，其示例可包括 但并不限于，上述線狀、條狀、板狀、管狀、線圏、螺旋形、網(wǎng)狀 物、其編織狀、以及其束狀。術(shù)語'排列'類似地指的是這些形狀的集 合。然而，該'排列'指的是此外在其中形成多個孔或開口的'集合'。如此處所用，術(shù)語'軸向的'、'半徑的'以及'角的'將用在關(guān)于 該系統(tǒng)的中心軸?；谝陨?，術(shù)語'軸向'指的是沿該系統(tǒng)的中心軸的 方向，而術(shù)語'徑向'指的是垂直于該'軸向'的另一方向，并因此其代 表從該系統(tǒng)的中心延伸出去或向外延伸的方向。應(yīng)當注意，該'徑向 '可為從該系統(tǒng)的中心延伸出去或向外延伸的其它方向且可為橫向 但并不必要垂直于該'軸向'。術(shù)語'角方向'指的是以順時針或反時針 方式圍繞該'軸向^走轉(zhuǎn)的另一方向。應(yīng)當注意，本發(fā)明關(guān)于各種電和》茲屏蔽的定義與在前述共 同待決申請中4是供的類似。因此，為使描述簡單，此處刪除這些定義。除非在隨后的i兌明書中定義，此處所用的所有科4支術(shù)語與 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。盡管此處所述的方法或材料的等同物或才莫擬單元可用于本發(fā)明的實施或 實-驗，下文將描述適當?shù)姆椒ê筒慕蚺！４颂巀是及的所有出版物、專 利申請、專利和/或其它參考文獻將以整體結(jié)合于此。萬一有任何沖
突，本說明書，包括定義將起作用(control )。另夕卜，該材料、方法、 和示例但、為示例'l"生的而非用于限制。從下文的具體描述以及權(quán)利要求，本發(fā)明的其它特征和/ 或優(yōu)點將更明顯。


圖1A至1F是示例性電磁抵消結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，在每個結(jié) 構(gòu)中，單個^l氐消單元發(fā)射反波，以^U肖由單個波源的單個基本單元
輻射的有害波，才艮據(jù)本發(fā)明；圖2A至2F為示例性電磁抵消結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，在每個結(jié) 構(gòu)中，多個4氐消單元發(fā)射反波，以4氐消由單個波源的單個基本單元 輻射的有害波，根據(jù)本發(fā)明；圖3A至31為示例性的與揚聲器結(jié)合的抵消單元的透視示 意圖，其包括各種基本單元，根據(jù)本發(fā)明；圖4A至4F為示例性的與馬達結(jié)合的抵消單元的透視示意 圖，其包括各種基本單元，根據(jù)本發(fā)明；圖5A至5H為示例性的與加熱單元結(jié)合的4氐消單元的透—見 示意圖，其包括各種基本單元，根據(jù)本發(fā)明；以及圖6A至6H為示例性的揚聲器的透視示意圖，其具有抵消 單元以及電i茲(或磁)屏蔽，根據(jù)本發(fā)明。
具體實施例方式本發(fā)明涉及反電》茲系統(tǒng)，其包括至少一個輻射有害電》茲波 的波源以及至少一個發(fā)射反電》茲波的抵消單元，用于通過該反波抵 消該有害波，例如，通過該反波4氐消至少一部分該有害波，通過#卩 制該有害波傳播至目標區(qū)，等等。具體來說，本發(fā)明涉及該反電磁 系統(tǒng)的通用抵消單元，并涉及用于由該抵消單元抵消該波源的各種 基本單元輻射的該有害波的各種結(jié)構(gòu)。因此，該4氏消單元可定制形 狀、尺寸、和/或設(shè)置為將其構(gòu)型與該波源的基本單元的構(gòu)型匹配， 由此發(fā)射該自動與該有害波特征匹配的反波。可選4奪地，該抵消單 元可定制形狀、尺寸，和/或#皮配置成定義為沿該有害波的一個或多 個波前設(shè)置，由此發(fā)射自動與該有害波的特性匹配的反波。本發(fā)明 還涉及各種4氏消單元，其作為該波源的基本單元的沖莫擬單元 (analog)被提供，其中該模擬單元可類似于比該抵消單元更復雜 的基本單元，其中該三維或二維的基本單元也可近卩以于該二維或一 維的模擬單元，等等。本發(fā)明還涉及多個簡單的抵消單元，其比該 基本單元更簡單，但;故配置為近似于該基本單元的形狀和/或設(shè)置而 設(shè)置。本發(fā)明還涉及該抵消單元，其形狀和/或尺寸可根據(jù)該基本單 元的構(gòu)造及其配置—皮定制。另夕卜，本發(fā)明涉及各種坤氐消方式，其中 單個4氐消單元可4氐消單個基本單元、至少兩個而并非全部的多個基 本單元或者所有的多個基本單元，其中多個抵消單元可抵消單個基 本單元、多個基本單元或少于多個單元，等等。其后，本發(fā)明涉及 各種電和/或磁屏蔽，其可單獨應(yīng)用或與該抵消單元結(jié)合應(yīng)用，以使 該系統(tǒng)輻射的有害波最少。本發(fā)明還涉及通過該源匹配或波匹配，由該反波4氐消該有 害波的各種方法。具體來說，本發(fā)明涉及形成作為該基本單元的才莫 擬單元的4氏消單元并4妄著發(fā)射與該有害波匹配的反波的各種方法， 通過用于抵消的該更簡單的抵消單元與該基本單元類似的各種方法，以及通過多個更簡單的抵消單元與該基本單元類似的各種方法。
本發(fā)明還涉及沿該有害波的波前i殳置該4氐消單元并接著發(fā)射用于與 該有害波的波前自動匹配的反波的各種方法，沿該有害波的波前設(shè) 置多個抵消單元以及接著由該抵消單元發(fā)射用于與該波前自動匹配 的反波的各種方法，等等。另夕卜，本發(fā)明涉及通過將該抵消單元設(shè) 置為相對于該基本單元接近和/或遠離該目標區(qū)，控制該反波的波前 的各種方法，通過將一個或多個發(fā)射具有相同或相反相位角的反波 的4氐消單元結(jié)合，控制該反波的波前的曲率半徑的各種方法，通過 設(shè)置一個或多個抵消單元，其形狀被定義為與該基本單元的形狀類 似或不同，調(diào)整該反波的波前的各種方法，等等。本發(fā)明還涉及用 該單個或多個4氐消單元發(fā)射的反波4氐消來自 一個或多個基本單元的 該有害波的各種方法。因此，本發(fā)明涉及乂人單個4氐消單元發(fā)射該反 波，用于(抵消)由一個或多個基本單元輻射的該有害波的各種方 法，由兩個或多個^氐消單元發(fā)射該反波，用于U氐消)由一個或多 個基本單元輻射的該有害波的各種方法，等等。另外，本發(fā)明涉及 通過將該電屏蔽與上述抵消單元結(jié)合、通過將該f茲屏蔽與上述4氐消 單元結(jié)合、通過將該屏蔽的一個或者兩者均與上述4氐消單元結(jié)合， 使該有害波輻射最小的各種方法，等等。本發(fā)明進一步涉及用于4是供結(jié)合一個或多個4氐消單元于 其中的各種抵消單元和各種系統(tǒng)的各種工藝。具體來i兌，本發(fā)明涉 及用于形成該4氐消單元以發(fā)射該反波的各種工藝，該反波具有與該 4氐消單元的形狀類似(或不同)的波前；用于形成該4氏消單元的各 種工藝，該抵消單元作為該基本單元的上述才莫擬單元；用于提供發(fā) 射該反波的4氏消單元的各種工藝，該反波定義相似的或相反的相4立 角；用于^是供具有形狀類似該有害波波前的該4氐消單元的各種工藝； 用于在預先設(shè)置中布置該4氐消單元并乂人該4氐消單元發(fā)射反波的各種 工藝，該反波具有類似于預先^殳置的波前，等等。本發(fā)明還涉及用 于指定該單個4氐消單元來局部4氐消由該單個基本單元輻射的該有害
87波，或者整體抵消該來自多個基本單元的有害波的各種工藝；用于 指定多個抵消單元來整體抵消由該單個基本單元輻射的有害波，或 者根據(jù)抵消單元和基本單元的數(shù)量局部或整體^氐消來自多個基本單 元的有害波的各種工藝。本發(fā)明進一 步涉及用于結(jié)合該電和/或磁屏 蔽以將該有害波輻射減至最j氐程度的各種工藝，以及通過應(yīng)用該屏 蔽以及上述抵消單元將該有害波輻射減至最低程度的各種工藝。本發(fā)明通用反電^茲系統(tǒng)的<|氐消單元的基本原理是發(fā)射該 反波，該反波形成與該有害波的波前類似(或相同)的波前，^旦定 義與該有害波的相位角部分相反的相位角。因此，通過傳播該反波 至該目標區(qū)，該反波可通過例如將其中至少部分該有害波^氐消和/ 或抑制該有害波向該目標區(qū)傳^番，有效地^氐消該目標區(qū)內(nèi)的該有害 波。為此目的，該4氐消單元^皮布置為通過各種才幾制發(fā)射該反波，該 反波定義與該有害波的波前相匹配的波前。在一個示例中，該4氐消 單元凈皮定制為與該波源的基本單元形狀類似(或相同)，或者^f皮布置 為與該基本單元類似(或相同)，并因此發(fā)射該反波，該反波可抵消 在該目才示區(qū)內(nèi)的該有害波。在另 一示例中，該4氐消單元^皮沿該有害 波的一個或多個波前布置并發(fā)射與該有害波類似(或相同)的反波， 以及因此4氐消在該目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在這兩個示例中，該沖氐消 單元用以發(fā)射反波，該反波具有與該4氐消單元本身的形狀類似(或 相同)的波前，且該反波用以定義與該有害波的相位角至少部分相 對的相位角。在另一個示例中，該抵消單元被定制為形狀不同于該 基本單元，而是被設(shè)置為由其發(fā)射的反波可與在該目標區(qū)內(nèi)的該有 害波匹配。在另一示例中，該抵消單元被設(shè)置為遍布不同的有害波 波前，但用以發(fā)射與該有害波類似(或相同)的反波，且因此抵消 該目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在最后兩個示例中，該4氐消單元可凈皮i殳置 為發(fā)射反波，該反波具有可與或可不與該抵消單元本身的形狀類似 (或相同)的波前，同時該反波用以定義與該有害波的相4立角至少 部分相反的相位角。[227]本發(fā)明通用反電磁系統(tǒng)的抵消單元的基本原理可被用于 將其有害波輻射減至最低的各種現(xiàn)有設(shè)備。例如，該抵消單元可被
用于導電線纜、線圈、和/或薄板的任何基本單元，或者，作為選擇， 用于任何半導電和/或絕緣線纜、線圏、和/或薄板，用以通過用反波 4氐消該有害波例如，通過4氐消該目標區(qū)內(nèi)的至少部分有害波和/或抑 制該有害波向該目標區(qū)傳播，將該有害波輻射減至最低，其中該抵 消單元可由至少一個導電、絕緣或半導體材料構(gòu)成和/或包括至少一 個導電、絕纟彖或半導體材料。該4氐消單元可一皮用于任何該基本單元， 該基本單元定義通過結(jié)合一個或多個線纜、線圈和/或薄板、通過修 改一個或多個線纜、線圈和/或薄^^反的形狀而形成的形狀，其中^f奮改 的形狀的一些示例可包4舌螺線形和超環(huán)面形，每個均通過l奮改該線 圏的形狀形成。由此且在一個示例中，該4氐消單元可用于各種揚聲 器，例如錐輪傳動揚聲器、靜電揚聲器和壓電揚聲器，用以將有害 波輻射減至最低。由此，任何包含該反電》茲揚聲器的現(xiàn)有i殳備，例 如耳機、頭戴式耳機、有線電話、移動電話、以及視聽器，可被轉(zhuǎn) 化為該反電磁系統(tǒng)。類似地，該抵消單元可用于各種麥克風(這類 揚聲器的反例)、以及包含該反電磁麥克風的任何現(xiàn)有設(shè)備，例如有 線電話、移動電話、音頻和/或視聽音響系統(tǒng)，以及耳機和麥克風的 組合可被轉(zhuǎn)化為反電磁系統(tǒng)。在另一示例中，該抵消單元可被用于 各種馬達例如DC馬達、通用式馬達、AC同步馬達、AC感應(yīng)馬達、 線性馬達，等等，用以將這類有害波輻射減至最〗氐。因此，包含該 反電》茲馬達的任何現(xiàn)有驅(qū)動(actuator ) i殳備，例如廚房用具(例如， 食品料理機、攪拌器、果汁器、粉碎機、混合器、壓榨機、開罐機、 洗碗機、電冰箱、冷凍機、冷卻器，等等)，烹飪用具(例如，電烤 爐、電烤箱、電爐、電灶、電烤面包爐、電風扇，i者如此類)，家用 電器(例如，洗衣才幾、干衣才幾、空調(diào)器、車庫開啟器、干或濕的真 空吸塵器等等)，工具(例如，電鉆、電鋸、電動改錐、電動射4丁才全 或訂書機、電動石少光機，等等)，以及個人衛(wèi)生設(shè)備(例如，電動剃 刀、電動牙刷、電吹風，等等)，可凈皮轉(zhuǎn)化為反電f茲系統(tǒng)。類似地，
89該4氐消單元也可凈皮用于各種發(fā)電才幾，以及具有反電》茲發(fā)電4幾的任^f可
現(xiàn)有發(fā)生裝置，例如AC發(fā)電機、DC發(fā)電機，且(汽車)交流發(fā)電 才幾也可一皮轉(zhuǎn)化為該反電^茲系統(tǒng)。在另 一示例中，該4氐消單元可^皮用 于至少包括兩個線圏于其中的各種變壓器，及包括該反電f茲變壓器 的任何現(xiàn)有設(shè)備，例如升壓變壓器、降壓變壓器，且各種電子i殳備 的AC/DC適配器可被轉(zhuǎn)化為該反電磁系統(tǒng)。在另一示例中，該抵消 單元可一皮用于各種加熱單元，包4舌至少一個阻熱絲、力o熱條、加熱 氺反、和/或加熱線圈，用以在加熱過矛呈中一尋該有害波輻射減至最《氐。 因此，任何現(xiàn)有加熱設(shè)備例如個人供熱設(shè)備(例如，電床墊或席子、 電熱毯、電熱墊，等等)，烹飪用具(例如，電烤爐、電烤箱、電爐、 電灶、電烤面包爐、電烤面包箱，等等)，和/或美容相關(guān)用具(例 如，吹風機、臨時巻發(fā)器、巻發(fā)器、蒸發(fā)器，等等)，可被轉(zhuǎn)化為該 反電磁系統(tǒng)。在另一示例中，該抵消單元可被用于各種發(fā)光單元， 用以在發(fā)光過程中將該有害波輻射減至最低。由此，任何現(xiàn)有顯示 設(shè)備，例如陰極射線管狀、發(fā)光設(shè)備、有機發(fā)光設(shè)備、無機發(fā)光設(shè) 備、以及等離子顯示面板可被轉(zhuǎn)化為該反電磁系統(tǒng)?？梢岳斫?，本發(fā)明通用反電》茲系統(tǒng)(簡稱為'EMC系統(tǒng)'或 此后簡寫為'系統(tǒng)')的各種4氐消單元可^皮結(jié)合為4壬4可電氣和/或電子 ^殳備，其中每個可具有至少一個基本單元，且因此，可輻射包4舌具 有約50至60Hz的頻率的電波(此后簡稱'EW')以及磁波(此后簡稱 為'MW')的有害波，和/或包^"具有更高頻率的其它EW和MW的有 害波。同樣應(yīng)當注意的是，本發(fā)明的該通用EMC系統(tǒng)也可被結(jié)合入 包括至少一個基本單元的任何便攜式或固定式電氣和/或電子設(shè)備， 其詳細示例在之前已經(jīng)提供且將于此后提供。進一步要注意的是， 該抵消單元可以微尺寸提供且被結(jié)合入半導體芯片和電路，例如LSI
和VLSI設(shè)備，以及該抵消單元可以納米尺寸提供并結(jié)合入包含至少 一個基本單元的各種納米設(shè)備，在本申請中其可為單個分子或化合 物或可為多個分子或化合物的簇。[229]現(xiàn)在將參考隨附附圖及說明書，對本發(fā)明的各種系統(tǒng)、方 法和/或工藝的各種方面和/或?qū)嵤├M^f亍更加詳細的描述，其中該方 面和/或?qū)嵤├?義代表不同的形式。然而，本發(fā)明的該系統(tǒng)、方法和 /或工藝也可體現(xiàn)在其它很多不同的形式，因此不應(yīng)當被限制在此處 提出的該方法和/或?qū)嵤├?。更確切的說，提供此處所描述的各種示 例性的方面和/或?qū)嵤├浴礁摻衣陡鼤兜缀腿?，并向相關(guān)4頁i或 的普通技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的范圍。除非特別指定，應(yīng)當理解，為便于圖解，本發(fā)明各種系統(tǒng) 的各種構(gòu)件、單元、元件及部件通常并未按照一定尺寸和/或比例繪 制。還應(yīng)當理解，由相同標號所指定的本發(fā)明各種系統(tǒng)的該構(gòu)件、 單元、元件和/或部件通?？煞謩e代表相同、相似和/或功能上等同的 構(gòu)件、單元、元件和/或部件。在本發(fā)明的通用方面，EMC系統(tǒng)包括至少一個波源和至少 一個4氐消單元，且用由該4氐消單元發(fā)射的反電》茲波(此后簡稱為' 反波')抵消由波源輻射的有害電磁波(此后簡稱為'有害波')。該波 源通常包纟舌至少 一個基本單元，該基本單元為該有害波的真正來源， 即，輻射該有害波，影響該有害波的傳播路徑同時保持或改變其波 幅和/或相位角，等等，其中該基本單元的示例可包括但并不限于 傳導性或半傳導性物件，例如絲、條、板、其環(huán)、其線圈、其螺旋 形物以及其網(wǎng)狀物，當電流在其中流過時，所有這些發(fā)射該有害波； 絕緣物件，例如絲、條、板、其環(huán)、其線圈、螺旋形物及網(wǎng)狀物， 當施加電壓于其上時，所有這些不能傳導該電流卻發(fā)射該有害波； 永》茲體，其能夠影響該有害波的方向、^各徑和/或波幅，等等。該波 源進一步包括至少一個任選部件，其才幾械性支撐或保留該基本單元， 但其既不輻射又不影響該有害波的傳插-路徑，其中該任選部件的示 例包括但并不限于裝有該基本單元的箱子、防護罩、耦合器、該電 流不在其中流過的任何部件、未對其施加電壓的任何部件，等等。該抵消單元被設(shè)置為發(fā)射該反波，能夠抵消該反波，例如，通過抵 消該有害波和/或通過抑制該有害波沿特定方向傳#"。該^氏消單元可 被設(shè)置為在各個方向例如，在該基本單元的上方、下方和圍繞該基 本單元，4氐消來自該波源的基本單元的該有害波。然而，該實施例 可能實施昂貴，可能不可行，以及可能不必要，尤其當被保護免受
該有害波的應(yīng)用者在特定方向應(yīng)用該EMC系統(tǒng)時。在該情況下，4又 圍繞特定目標區(qū)(或區(qū)i或)i殳置該4氐消單元以4氐消該有害波，該4氐 消單元通常定義在該基本單元與應(yīng)用者(或其特定身體部位)之間。為了使該反波抵消(即，消滅和/或抑制)該有害波，該反 波必須滿足幾個先決條件。第一個是該反波的相位角。通常，該反 波Y尤選定義的相^f立角至少部分或大體上與該有害波的4HH立角相反， 以便當從與該基本單元相同的一側(cè)傳播至該目標區(qū)時，該反波可消 滅和/或抑制該有害波。作為選纟奪，該反波的相4立角可至少部分與該 有害波的相位角類似(或相同)，以便當從該基本單元的相對側(cè)傳播 至該目標區(qū)時，該反波消滅和/或抑制該有害波。當該系統(tǒng)包括多個 4氐消單元時，每個4氐消單元可發(fā)射具有相同、類似或不同相位角的 反波。下一個是該反波的波幅。與相4立角不同，該反波可定義有歲文 ;也4氐消該目標區(qū)的有害波的各種波幅。當》文置在比該基本單元更才妄 近目標區(qū)時，該抵消單元僅4叉發(fā)射波幅小于該有害波的波幅的反波。 出于同樣的原因，放置為遠離該基本單元的該抵消單元發(fā)射波幅大 于該有害波的波幅的反波，同時該抵消單元被設(shè)置為相對于該目標 區(qū)與該基本單元齊平，發(fā)射與該有害波具有相似或相同波幅的反波。 當該系統(tǒng)包括多個抵消單元時，所有該抵消單元可設(shè)置為與該基本 單元和/或目標區(qū)的距離相似，或者可選地，至少兩個4氐消單元凈皮設(shè) 置為與該基本單元和/或目標區(qū)的S巨離不同。除3巨離和/或其配置之 外，該反波可具有各種密度，取決于該反波抵消遍布目標區(qū)的整個 區(qū)域的有害波還是4叉^U氐消該目標區(qū)的預定位置的有害波。例如， 該抵消單元優(yōu)選發(fā)射能夠抵消遍布該目標區(qū)范圍的有害波的反波，此時應(yīng)用者可^f立于該目標區(qū)的各處。然而，當該應(yīng)用者^5U立于該目 標區(qū)的預定位置時，該抵消單元可被定制形狀、大小、設(shè)置，然后 配置為發(fā)射反波，該反波4氏消在該^f立置的該有害波效果最好，而只于 在該目標區(qū)的其它部分的有害波纟氏消效果不佳?！┰摰窒麊卧辉O(shè)置為發(fā)射定義恰當?shù)南辔唤呛筒ǚ?的反波，該抵消單元可被定制形狀、尺寸、設(shè)置，并按次序配置， 以4氐消該有害波，耳又決于詳細的纟氏消才幾制。在一個示例中，該纟氐消單元可一皮定制形4犬、尺寸和/或i殳置 為與該基本單元類似(或相同)，其在此后指的是'源匹配'。該'源匹 配'的基本概念是該抵消單元發(fā)射的反波定義了與該抵消單元的構(gòu) 造(即，形狀、尺寸和設(shè)置)類似的波前，以及該反波的波前與該 有害波的波前自動匹配，并且由于該抵消單元與該基本單元的構(gòu)造 之間的相似性，該反波4氐消該有害波。當該系統(tǒng)包括多個基本單元 時，該單個抵消單元可被設(shè)置為其發(fā)射的反波能夠抵消由該基本單 元之一輻射的該有害波，或者能夠纟氏消至少兩個或所有該基本單元 輻射的有害波的加合。當該系統(tǒng)包4舌多個4氐消單元時，該4氐消單元 發(fā)射的反波能夠抵消該單個基本單元或多個基本單元發(fā)射的該有害 波。當該系統(tǒng)包括多個4氐消單元和基本單元時，來自每個4氐消單元 的該反波可抵消每個基本單元的有害波，來自至少兩個4氏消單元的 該反波的加合可抵消來自該基本單元之一的有害波，來自單個抵消 單元的反波可4氏消來自至少兩個基本單元的有害波的加合，來自所 有這些抵消單元的反波的加合可4氏消來自所有基本單元的有害波的 加合，等等。在該'源匹配'中，優(yōu)選該^氐消單元發(fā)射的反波具有與該 抵消單元的構(gòu)造類似的波前。然而，該抵消單元發(fā)射的反波具有與 該抵消單元構(gòu)造不同的波前，以及由多個抵消單元發(fā)射的反波的加 合的波前的構(gòu)造與每個4氏消單元的構(gòu)造或者該4氏消單元的設(shè)置不 同，等等，都是有可能的，只要該反波可#^肖該目標區(qū)的該有害波。[235]在另一示例中，該抵消單元可以該方式布置為(即，朝向、 排列為、和/或位于)該反波的至少一個波前與該有害波的至少一個 波前匹配，此處該才幾制在此后指的是'波匹配'。該'波匹配'的基本才既 念在于，當該4氐消單元一皮布置在一位置中，用以4吏這些反波的波前 與該有害波的波前匹配，直到(as far as )適當調(diào)整該4氐消單元的構(gòu) 造滿足該'波匹配'的^立置時，該反波可^氐消該有害波。當該系統(tǒng)包招-
多個基本單元時，單個抵消單元被設(shè)置為其發(fā)射的反波能夠匹配并 抵消由一個基本單元輻射的有害波，或者可選地，能夠匹配并抵消 由至少兩個或所有基本單元輻射的有害波的加合。當這一 系統(tǒng)包括 多個抵消單元時，該抵消單元發(fā)射的反波能夠抵消由單個基本單元
或多個基本單元發(fā)射的該有害波。當該系統(tǒng)包括多個抵消單元和基 波，由至少兩個4氐消單元發(fā)射的反波的加合可4氐消來自一個基本單
元的有害波的加合，來自所有這些纟氏消單元的該反波的加合可^氐消
由所有基本單元輻射的有害波的加合，等等，只要該反波的至少一 個波前與該目標區(qū)內(nèi)的該有害波的至少 一個波前匹配。此后將揭露基于該源匹配和/或波匹配建立的各種抵消單 元。對于源匹配應(yīng)當注意，在該抵消單元的構(gòu)造與由此發(fā)射的反波 的構(gòu)造之間不存在任何一對一的關(guān)聯(lián)。也就是說，某種構(gòu)造(或波 特征)的反波可通過下列抵消單元獲得通過定義了某種形狀和尺 寸并以某種設(shè)置4是供的單個4氏消單元、通過定義了類似的形狀和尺 寸但以另一設(shè)置提供的另 一抵消單元、通過具有不同的形狀和尺寸 但以類似設(shè)置提供的另一抵消單元、通過定義了預定的形狀和尺寸 并以預定設(shè)置提供的至少兩個4氐消單元、通過定義了不同形狀和/ 或尺寸或以不同設(shè)置提供的同樣數(shù)量的抵消單元、通過定義了類似 形狀和/或尺寸或以類似設(shè)置提供的不同數(shù)量的抵消單元。對上迷波 匹配，類似地應(yīng)注意，在該4氐消單元的布置與由該4氐消單元發(fā)射的
94反波的波前之間不存在一對一的關(guān)聯(lián)。換句話說，具有某種形狀的 波前可通過定義了某種構(gòu)造并相對于該基本單元和/或目標區(qū)布置 在某一位置的單個4氐消單元獲得，通過形成另 一構(gòu)造并位于另 一位 置的另一單個抵消單元，通過具有預定構(gòu)造并位于預定位置的至少 兩個抵消單元，通過定義不同構(gòu)造并位于不同位置的相同數(shù)量的抵 消單元，通過定義不同構(gòu)造并位于不同位置的不同數(shù)量的抵消單元， 等等。因此，應(yīng)當注意，該抵消單元可以很多其它不同形式體現(xiàn)且 不應(yīng)限于此處將要提出的下文的方面和/或其實施例。更確切地說， 提供此處所描述的各種示例性方面和/或?qū)嵤├员憬衣稄氐浊彝?整，并向相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)普通人員完整的傳達本發(fā)明的范圍。在本發(fā)明的另 一方面，可向單個通用基本單元4是供單個通 用^氐消單元，用以通過來自^氐消單元的反波4氐消來自該基本單元的 有害波。圖1A至1F顯示示例性電^^氐消^L制的俯一見示意圖，才艮據(jù)本 發(fā)明，在每個抵消機制中，單個抵消單元發(fā)射能夠抵消由單個波源 的單個基本單元輻射的該有害波的反波，其中圖1A至1C及1F中的該 基本單元是點狀源，而在圖1D和1E中的該基本單元是細長形源。然 而，應(yīng)當5主意，這些圖也可以不同的立體圖(perspective )表示。 例^口 ， 這些圖可表示為剖面^f府浮見示意圖(top cross-sectional view )， 此時圖1A至1C及1F的基本單元是垂直于紙面延伸的線，且圖1D及 1E的基本單元是同樣垂直于紙面延伸的條狀或矩形棒。在另一示例 中，這些圖可表示為更復雜物件的剖視圖，其中圖1A至1C及1F的基 本單元可對應(yīng)線圈、螺旋形物、網(wǎng)狀物，等等部分(section )，而圖 1D及1E的基本單元可類似地對應(yīng)曲線棒或條狀部分。這些圖中應(yīng)當 注意，這種基本單元容納在波源中，該波源可為不輻射這類有害波 的這類系統(tǒng)的箱體或其它部件。進一步應(yīng)當注意的是，所有這些圖 中，該EMC系統(tǒng)以下述方式布置該目標區(qū)形成在4氐消單元和基本 單元的右側(cè)。
95[238]在本發(fā)明這一方面，且如圖1A所迷的一個示例性實施例 中，EMC系統(tǒng)5包4舌單個矩形波源10及單個4氐消單元40，其中該源 IO內(nèi)包^"定義點狀源形狀的單個基本單元10B。該4氐消單元40與另 一點狀源形狀相似且位于該基本單元10B的右側(cè)。在這一設(shè)置中， 該^氐消單元40發(fā)射反波，該反波的波前與由該基本單元10B輻射的 有害波的波前相同。由于該4氐消單元404妄近在圖的右側(cè)的々支定目標 區(qū)，通常這種反波波前定義的曲率半徑小于該有害波波前的曲率半 徑。因此，該4氐消單元40可4又沿著連4妄該4氐消單元40和基本單元10B 的線或者在其附近，抵消(即，消滅或抑制)該有害波。應(yīng)當注意， 該實施例只于應(yīng)該源匹配，由于該反波與有害波的波前曲率半徑的差 異，其證實為無效。在本發(fā)明這一方面并描述于圖1B的另一示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包括單個抵消單元40以及具有單個基本單元10B位于其 內(nèi)的單個矩形波源IO。該基本單元10B類似于圖1A的基本單元，然 而，該抵消單元40為細長形，沿其長度方向垂直于該基本單元10B, 并位于該基本單元10B的右側(cè)。由于其細長形，該抵消單元40發(fā)射 的反波其波前也為縱向伸長，且因此定義的曲率半徑大于圖1A并與 該有害波的曲率半徑匹配。因此，這種4氐消單元40定義該目標區(qū)50， 在該目標區(qū)，該反波4氐消該有害波至預定考呈度。應(yīng)當理解，該實施 例對應(yīng)波匹配4幾制，因為該4氐消單元40形狀與該有害波波前形狀類 似。在本發(fā)明這一方面并如圖1 C所示的另 一示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包^舌單個^氐消單元40以及單個基本單元10B^f立于其內(nèi)的 單個矩形波源IO。該基本單元10B與圖1A中的類似，然而，該4氐消 單元40被定制形狀及尺寸以符合(conform )這種有害波的一個波前。 也就是i兌，該4氐消單元4(H皮定制形狀為卩瓜形并凹向該圖的右側(cè)或該 目標區(qū)50。由于其弧形形狀，這種^氐消單元40發(fā)射的反波其波前也為弧形并因此定義與該有害波的曲率半徑類似或相同的曲率半徑。
因此，該抵消單元40定義目標區(qū)50,在該目標區(qū)，該反波^氐消該有 害波至預定程度。應(yīng)當注意，該實施例對應(yīng)另一波匹配才幾制，并且 與圖1 A和1 B相比，/人該弧形^氏消單元40發(fā)射的該反波與這種有害波 波前更加匹配并定義圍繞該基本單元10B在更廣角度延伸的該目標 區(qū)50。在本發(fā)明一個方面且如圖1D所示的另一示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包4舌單個4氐消單元40以及具有單個基本單元IOB的單個 矩形波源IO。與上述相反，該基本單元10B為矩形并沿其長度方向 或其長軸縱向延伸，并輻射其波前定義縱向及相對直的部分的該有 害波，這歸因于該基本單元10B的長度或長軸。該抵消單元40被定 制為形狀及尺寸與該基本單元10B類似或相同，且與該基本單元10B 位于相同方向。這個方向可看到將該4氐消單元40沿該有害波波前的 縱向部分布置。該抵消單元40也發(fā)射該反波，類似地由于其長度或 長軸，該反波的波前定義縱向或相對直的部分。由于反波波前的這 些部分與該有害波波前匹配，該^氐消單元40在右側(cè)形成該目標區(qū)40。 這個實施例對應(yīng)該源匹配、波匹配或其組合。應(yīng)當理解，圖1A的該 抵消單元被定制形狀及尺寸為與基本單元相同，4旦是由于該反波與 該源波的波前的曲率半徑之間的差異而無效。本實施例的該4氐消單 元4(H皮定制形狀及尺寸為與該基本單元10B類似，j旦有效地4氐消該 目標區(qū)50內(nèi)的這種有害波。該4氐消的主要原因在于有害波與反波兩 者沿其波前定義通常不耳又決于其曲率半徑的縱向垂直部分(vertical straight portion )。除此以外，將該4氐消單元40配置為與該基本單元 IOB類似，然后在該基本單元10B與目標區(qū)之間布置這種抵消單元 10, —般不提供有效的抵消，下文將對該前部設(shè)置(front arrangement) ^是供進一步的詳述。應(yīng)當理解，該實施例對應(yīng)該源匹 配，其中該^氐消單元4(H皮定制形狀、尺寸，和/或"i殳置為與該基本單 元10B類似(或相同)。[242]在本發(fā)明這一方面及如圖1E所述的本發(fā)明示例性實施例 中，EMC系統(tǒng)5包括單個抵消單元40及具有與如圖1D所示類似的單 個基本單元IOB的單個矩形波源IO。然而，該4氏消單元4(H皮定制形 狀及尺寸以符合這種有害波的一個波前。與圖1C類似，該抵消單元 40被定制形狀為弧形并凹向該圖的右側(cè)或目標區(qū)50。由于其弧形形 狀，這種4氐消單元40發(fā)射這種反波，其波前也為卩瓜形并因此定義與 有害波的曲率半徑類似或相同的、不4又沿其縱向垂直部分還沿其弧 形部分的曲率半徑，主要由于該4氐消單元40的f瓜形形狀。因此，這 種抵消單元40定義目標區(qū)50，該目標區(qū)也在周圍的更大范圍內(nèi)延伸， 且在該目標區(qū)內(nèi)該反波有效地抵消這種有害波。應(yīng)當理解，這個實 施例對應(yīng)另 一波匹配才幾制。在本發(fā)明這一方面并如圖1F所述的另 一示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包括單個抵消單元40及其內(nèi)具有單個基本單元10B的單 個矩形波源IO。抵消單元40與基本單元10B兩者與圖1A中相同。然 而，該^氐消單元40關(guān)于該基本單元10B位于目標區(qū)50的相對側(cè)，并 對準該基本單元10B，如在先的圖所示的情況。在該i殳置中，該4氐 消單元40發(fā)射反波，其波前與由該基本單元10B輻射的該有害波的 波前相同。由于該^氐消單元40遠離該目標區(qū)50,當位于與該基本單 元10B適當距離處時，這類反波波前定義的曲率半徑4妄近于且與該 有害波波前的曲率半徑匹配。因此，處于這沖羊的后部i殳置的該4氐消 單元40可有效i也4氐消該有害波，并定義該目標區(qū)50在圍繞該基本單 元10B的較寬角度內(nèi)延伸。應(yīng)當注意，圖1A與1F中的抵消單元之間 的唯一區(qū)別是其i殳置，即， 一個位于圖lA的'前部i殳置'而另一個位 于圖1F的'后部設(shè)置'。同樣要注意的是，該后部設(shè)置不一定優(yōu)于該前 部設(shè)置，下文將對選擇恰當?shù)脑O(shè)置提供進一步的詳細描述。進一步 要注意的是，本實施例對應(yīng)于波匹配，其中該^氐消單元40位于^f吏該 有害波波前與該反波波前匹配的^f立置。[2斗4]盡管未顯示在附圖中，單個抵消單元可設(shè)置為相對于該 目標區(qū)與該基本單元在同 一平面，與該有害波的傳^番方向在同 一平 面上、與電流在該基本單元或4氐消單元內(nèi)流動所沿著的另 一方向在 同一平面、與在該基本單元或抵消單元上施加電壓的另一方向在同 一平面上，等等。在該'側(cè)部'i殳置中，該反波波前的曲率半徑與該有 害波波前的曲率半徑自動匹配，并因此該反波有效地匹配并4氐消在 該目標區(qū)內(nèi)的該有害波。然而，對于這種設(shè)置，該波源要提供容納 該4氐消單元的空間。因ot匕，該^氐消單元可在該波源內(nèi)實施，并在適 用時靠近該基本單元。否則，作為^^換，該4氐消單元可4立于該波源 的上方、下方或旁邊并盡可能靠近該基本單元。然而，應(yīng)當注意， 靠近該基本單元的該^氏消單元可傳纟番該反波至該基本單元且妨^尋該 基本單元的正常運作。因此，僅當這種設(shè)置不會妨礙該基本單元、 包含其的波源或包含其的EMC系統(tǒng)的正常運作時，該側(cè)部i殳置^尤選 立也一皮選用。當該側(cè)部i殳置不影響該基本單元的運作，而該4氐消單元 由于空間限制不靠近該基本單元時，兩個或多個4氐消單元可位于這 種基本單元的相^j"側(cè)(例3。，左禾口右、上部禾口下部、前部禾n后部， 等等)并盡可能靠近該基本單元。這種^氐消單元也可i殳置為發(fā)射該 反波，其加合可為基于該有害波的波特4正，向預定方向上對稱或刮-叉。在本發(fā)明的另 一方面，可對單個通用基本單元提供多個通 用抵消單元，用以通過由所有這些抵消單元發(fā)射的或由至少兩個但 不是全部這種4氐消單元發(fā)射的反波來4氐消由該基本單元輻射的該有 害波。根據(jù)本發(fā)明，圖2A至2F是示例性反電磁機制的俯視示意圖， 在每個機制中，多個抵消單元發(fā)射反波以抵消由單個波源的單個基 本單元輻射的有害波，其中在圖2A至2E中該基本單元是點狀源，而 在圖2F中該基本單元是細長形源。然而應(yīng)當注意，這些圖也可表示 為不同的立體圖。例如，這些圖可作為剖面俯視圖，其中圖2A至2E 的該基本單元是垂直于紙面延伸的線，圖2F的該基本單元是同樣垂直于紙面延伸的條狀或矩形;唪。在另一示例中，這些圖可表示為更
加復雜物件的剖面圖，其中圖2A至2E的基本單元可對應(yīng)于線圈、螺 旋形物、網(wǎng)狀物等等部分，然而圖2F的該基本單元可類似地對應(yīng)于 曲線棒或條狀部分。在這些圖中應(yīng)當注意，這種基本單元被容納在 該波源中，該波源可為該種系統(tǒng)的不輻射這種有害波的箱體或其它 部件。在所有這些圖中進一步應(yīng)當注意，該EMC系統(tǒng)以這種方式放 置該目標區(qū)形成在該4氐消單元和基本單元的右側(cè)。在本發(fā)明該方面并如圖2A所述的 一 個示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包括兩個抵消單元40及包含單個基本單元10B的單個波 源IO。該基本單元10B與圖1A至1C的類似，而一對4氐消單元40位于 該基本單元10B與目標區(qū)50之間。這些4氐消單元40同樣相對于該基 本單元10B對稱分布且4皮此相對于該基本單元10B在同一平面，即， 該4氐消單元40與該基本單元10B和/或目標區(qū)50距離相等。這些4氐消 單元40被設(shè)置為發(fā)射具有相同相位角的反波，以便來自每個抵消單 元40的反波的波前彼此迭加同時增大其波幅。當該反波傳播時，其 波前，對應(yīng)來自每個抵消單元40的每套波前的加合，增大其曲率半 徑，就像它們是由圖1B至1E的細長形抵消單元發(fā)射的。因此，當定 義該目標區(qū)50在有限角度附近擴張時，該反波波前與該有害波波前 匹配，且該對4氐消單元40匹配并4氐消該基本單元10B。應(yīng)當理解， 布置兩個或多個4氐消單元40導致補償(flattening )該反波波前并增 大反波波前迭加部分的曲率半徑。進一步應(yīng)當注意的是，該i殳置只于 應(yīng)波匹配，其中多個^氐消單元40沿該有害波的一個波前i殳置。在本發(fā)明該方面及如圖2B所述的另 一 示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包括三個抵消單元40以及容納單個基本單元10B于其中 的單個波源IO。該基本單元10B與圖1A至1C的類似，而該4氐消單元 40與圖2A的類似，以《更所有抵消單元40位于該基本單元10B與目標 區(qū)50之間，并與該基本單元10B在同一平面。然而，該系統(tǒng)5包括又
100一4氐消單元40以Y更三個4氐消單元40的陣列比圖2A更4妄近這種有害 波的波前。因此，該抵消單元40發(fā)射的該反波，其更好地抵消該基 本單元10B并定義該目標區(qū)50比圖2A在更寬的角度附近擴張。應(yīng)當 注意，布置三個4氐消單元40導致進一步補償(flattening)該反波波 前的迭加，并同樣導致增大該反波波前的該部分的曲率半徑。同才羊 應(yīng)當注意的是，這種i殳置是另一種波匹配，其中所有三個4氐消單元 40沿該有害波的 一個波前i殳置。在本發(fā)明該方面及如圖2C所述的另 一示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包括兩個4氐消單元40和包含單個基本單元10B的單個波 源IO，該基本單元10B與圖1A至1C的類似。兩個抵消單元40位于該 基本單元10B兩側(cè)并與該基本單元的距離相等，且同樣相對于目標 區(qū)50與該基本單元10B在同一平面內(nèi)(flush with )。與所有在前的實 施例類似，這種抵消單元40發(fā)射定義類似或相同的相位角的反波以 便由每個這種抵消單元40發(fā)射的反波彼此迭加，不僅用于增大其波 幅，還在增大這種波前的曲率半^圣的同時，^M嘗其波前的迭加部分。 因此，該^氐消單元40^氐消該有害波并定義該目標區(qū)50在相當有限的 角度附近分布。應(yīng)當注意，該i殳置是源匹配而非波匹配，因為該4氐 消單元40對稱設(shè)置且影響與該基本單元10B在同 一平面設(shè)置的細長 形4氐消單元。在本發(fā)明該方面及如圖2D所述的另 一 示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包括三個4氐消單元40及單個波源10，單個基本單元10B容 納于該波源中，并與圖1A至1F中的類似。與圖2B相反，三個抵消單 元40相對于該基本單元10B^f立于目標區(qū)50的對面。該4氐消單元40相 對于該基本單元10B和目標區(qū)50彼此設(shè)置在同一平面，并彼此等距 離間隔開。與圖2A至2C類似，兩個最外面的抵消單元40A、 40C被 設(shè)置為發(fā)射的反波定義的相位角至少部分與該有害波的相位角相 反，以便在增大其曲率半徑的同時補償該反波波前的迭加部分。與在先的圖相反，中間的抵消單元40B被設(shè)置為發(fā)射的反波其定義的 相位角至少部分類似于該有害波的相位角并與該最外面的抵消單元 40A、 40C發(fā)射的反波的相位角相反。因此，結(jié)合該抵消單元40B的 凈效應(yīng)是^f吏該反波加合的波前的迭加部分曲率變尖4兌(sharpen ), 以及定義該目標區(qū)50圍繞該基本單元10B周圍的變窄的角度擴張， 如圖1 F及2D的目標區(qū)50之間的對比所示。也就是說，通過將發(fā)射相 位角彼此相反的反波的多個抵消單元40A-40C結(jié)合，精確控制這種 反波加合的波前及其曲率半徑以更好i也與該有害波的波前匹配，是 可4亍的。應(yīng)當注意，這一實施例可只十應(yīng)源匹配、波匹配或其iEL合。本實施例的^I氐消單元40A-40C可以不同設(shè)置結(jié)合。例如，
可4又包含兩個^l氐消單元來發(fā)射具有相反相位角的反波，其中獲得的 該反波力口合的波前并不乂于一爾^f旦向一傷'J或另 一俯H頃存牛(skewed )。另夕卜， 可控制該4氐消單元之間的距離以調(diào)整該反波加合的波前，而不管該 4氐消單元的lt量。而且，該4氐消單元發(fā)射的反波定義的相位角與該 有害波的相4立角類似，可^皮用作外面的單元以4吏該反波的迭加部分 變得尖銳(sharpen )。在本發(fā)明該方面以及如圖2E所述的另 一示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包括三個抵消單元40以及單個波源10，單個基本單元10B 容納于該波源中，并與圖1A至1C的類似。該抵消單元40A-40C同樣 與圖2B的類似，以4更所有這些4氐消單元40A-40C位于該基本單元 IOB與目標區(qū)50之間并且彼此類似，抵消單元40A-40C發(fā)射具有相同 或相似相位角的反波，等等。然而，每個抵消單元40A-40C被設(shè)置 為形成弧形物件，該物件被定制形狀及尺寸以匹配部分反波波前。 另夕卜，上部和下部^氐消單元40A、 40C兩者^皮此間隔并同樣沿該有害 波一波前設(shè)置，而中間的抵消單元40B,位于該上部和下部抵消單 元40A、 40C之間，并沿該有害波的相鄰波前以這種方式i殳置在定 義更大的曲率半徑并與該有害波的波前匹配的同時，4吏該反波加合的波前的迭加部分變平(flattened),由此形成圍繞該基本單元10B 在寬角度范圍內(nèi)擴張的目標區(qū)50。應(yīng)當理解，該設(shè)置為另一波匹配， 其中所有三個^氐消單元40A-40C沿該有害波的多個波前i殳置。在本發(fā)明該方面及如圖2F所述的另 一 示例性實施例中， EMC系統(tǒng)5包括三個抵消單元40及容納單個基本單元10B于其中的 單個波源IO。該基本單元10B與圖1D及1E的類似，而該4氐消單元40 與圖2B的類似，并發(fā)射變平的(flattened)反波，且沿其定義縱向 垂直區(qū)域。因此，該反波與該有害波的S從向垂直區(qū)i或匹配并定義與 圖1D類似的目標區(qū)50。應(yīng)當注意，本實施例是另一源匹配，其中三 個4氐消單元40^妻近該細長形基本單元10B 。在本發(fā)明的另 一方面，也可向多個通用基本單元^是供單個 通用4氐消單元，以用來自該4氐消單元的反波4氐消來自這種基本單元 的該有害波。在一個示例中，這種4氐消單元可^^殳置為4氐消由每個 基本單元輻射的有害波的加合，其中該4氏消單元的詳細i殳置可取決 于該基本單元的構(gòu)造和/或位置、由這種基本單元輻射的有害波的波 幅和/或方向，等等?；谝陨?，該纟氏消單元可與所有或至少某些該 基本單元對稱設(shè)置，可被結(jié)合于該前部、后部或側(cè)部i殳置，等等， 此處這種設(shè)置在此后通常指的是'整體或全部抵消'。在另一示例中， 該抵消單元相反地被設(shè)置為抵消由多個基本單元的僅一個輻射的有 害波，此處這種設(shè)置在此后通常指的是'局部或單獨抵消'。僅當其它 未抵消的基本單元輻射可忽略量的有害波時、當其它未抵消的基本 單元輻射不可忽略量的有害波至其它方向而非該目標區(qū)方向時等 等，這種局部抵消可有效。在其它方面，優(yōu)選地，控制該抵消單元 4氐消未4氏消基本單元的有害波，以及包含用于4氏消這些有害波的額 外的抵消單元，等等。應(yīng)當注意，上面描述的用于單個基本單元的各種抵消機制 可同樣運用于整體抵消機制的具有多個基本單元的系統(tǒng)。也就是說，
103上述抵消機制可被運用于由多個基本單元輻射的有害波加合，而非 由單個基本單元輻射的這種有害波。當該系統(tǒng)在該局部^氐消才幾制中 運作時，上面提到的機制也可運用于每個該多個基本單元，而不管 這種基本單元的確切凄t量。在本發(fā)明的另 一方面，也可向多個通用基本單元提供多個 通用4氐消單元，以用來自該4氐消單元的反波4氐消來自這種基本單元 的該有害波。在一個示例中，才是供多個4氐消單元，與該基本單元凄t 量相同，且在該局部抵消機制中，每個抵消單元被設(shè)置為僅抵消該 基本單元的一個?？蛇xi也，基于該局部坤氐消才幾制，至少一個該4氐消 單元可^U氐消一個該基本單元，而在整體4氐消4幾制中，至少一個另 一4氐消單元可4氐消至少兩個該基本單元。在另一示例中，^是供專交少 數(shù)量的抵消單元以便每個抵消單元被設(shè)置為基于該整體抵消機制抵 消該基本單元的至少兩個，以及基于該局部4氐消才幾制，該4氐消單元 的至少一個抵消該基本單元的一個，而在該整體抵消機制，至少一 個另一抵消單元抵消該基本單元的至少兩個，等等。在另一示例中， 提供數(shù)量更多的抵消單元以便每個基本單元可被至少兩個該抵消單 元才氐消，以及在局部々氐消才幾制中至少一個4氐消單元4氐消一個基本單 元而在整體^氐消才幾制中至少一個另一^氐消單元可4氐消至少兩個這種 基本單元，等等。在所有這些示例中，上述前部、后部或側(cè)部4氐消 機制的任一個可用于該抵消單元，此處這些抵消機制對于每個抵消 單元可相同或不同。這種EMC系統(tǒng)及其4氐消單元的構(gòu)造和/或才喿作改變，以及 這種EMC系統(tǒng)及其4氐消單元的構(gòu)造和/或才喿作^修改，如圖1A至1F以 及圖2A至2F所例示，同樣落入本發(fā)明范圍內(nèi)。如上所述，典型的EMC系統(tǒng)包者舌至少一個波源和至少 一個 4氐消單元，其中該波源則包"t舌或容納至少一個基本單元于其中，其 中該^氐消單元可包^舌至少一個可選的電連4妄器例3o導線以及至少一個可選的耦合器用以—尋該4氏消單元津馬合至該系統(tǒng)的其它部4牛。該
EMC系統(tǒng)還可包括至少一個可選的箱體構(gòu)件，其容納至少一部分該 基本單元、至少一部分該4氏消單元，等等。可選地，該^氏消單元和/更具體地-說，該4氏消單元由各種部件構(gòu)成，例如至少一個 主體、至少一個可選的支撐4牛、以及至少一個纟翁入物(insert )。該 4氐消單元的主體乂人本質(zhì)上"i井(qualitatively)與i亥波源的基本單元只于 應(yīng)，因為該主體是該4氐消元件的口焦一組成，并且當電流流經(jīng)其內(nèi)時、 當電壓施加于其上時，等等，該4氐消單元發(fā)射該反波。因此，這一 主體優(yōu)選i也，當電流流經(jīng)其內(nèi)時可由至少一個導電體構(gòu)成和/或包招「 至少一個導電體，當施加電壓于其上時可由導電的、半導電的或絕 緣材料構(gòu)成和/或包括導電的、半導電的或絕緣材料，等等。該支撐 件起到機械支撐上述主體和/或保持該主體于其中以起到機械保護 和/或電器絕鄉(xiāng)彖的作用。該4t入物通常用于增大(augment)反波波 幅，尤其當該4氐消單元包括至少一個導線線圈時，該插入物位于其 內(nèi)。該插入物可由各種磁性材料構(gòu)成和/或包括各種磁性材料，例如 鐵磁性材料、順磁性材料、抗磁性材料、以及亞鐵磁性材料，其中 優(yōu)選《失石茲性材并牛。應(yīng)當注意，當發(fā)射該種反波時，該4氐消單元一詢殳 被設(shè)置為保持其構(gòu)造，其中這種固定的構(gòu)造可體現(xiàn)在由剛性材料 形成4氏消單元的主體、固定耦合該4氐消單元的主體至該支撐件，等 等?？蛇x地，該抵消單元可被設(shè)置為當發(fā)射這種反波時改變其形狀， 其中這種可變的構(gòu)造可體現(xiàn)在由彈性或可變形材4牛形成該4氐消單 元的主體、可動地耦合該4氐消單元的主體至該支撐件，等等。應(yīng)當 注意發(fā)射這種反波的該抵消單元將被輻射具有相反《茲極性的有害 波的基本單元抵制(be opposed )。因此，這種4氐消單元在發(fā)射該反 波時易于移動，且當在運作過程中需要將該抵消單元固定時，可實 施對爭另l]i殳備(special provision )。
105[259]可提供具有各種構(gòu)造的抵消單元，該構(gòu)造通常指的是形 狀、尺寸、設(shè)置等。 一般而言，該抵消單元的構(gòu)造取決于上述抵消 方式(例如源匹配和波匹酉己)和/或^氐消才幾制(例如前部、后部或側(cè) 部設(shè)置、局部或整體匹配，等等)，這通常耳又決于該基本單元的構(gòu) 造特性、該有害波的波特征等。另夕卜，該抵消單元的構(gòu)造還取決于 將形成在該4氐消單元的一側(cè)的該目標區(qū)的形狀、尺寸、朝向和/或位 置。該抵消單元的形狀可被設(shè)置為與該基本單元的形狀相同 或類似，其中這種抵消單元將被構(gòu)建為發(fā)射自動與有害波匹配的反 波。相反，該抵消單元的形狀可被設(shè)置為不同于該基本單元的形狀， 其中這種4氐消單元可以其它形狀4是供，可為圍繞該基本單元纏繞、 可將至少部分該基本單元容納于其內(nèi)、可一皮至少部分基本單元容納， 等等。這種抵消單元可定義絲狀、條狀、板狀、管狀、線圈、螺旋 形物和/或網(wǎng)狀物的形狀，可定義兩個或多個這種形狀的iE合而沒有 定義^f壬^T孔或開口通過、可定義兩個或多個這種形狀的陣列同時定 義多個孔和/或開口通過，等等，其中這些組合和/或陣列的示例可包 括但并不限于包含彼此綁定(bundling)的多個相同或不同形狀的 束狀、 一長串沿彼此串接的多個相同或不同形狀，等等。該抵消單 元也可由混合物構(gòu)成，該混合物包括至少兩種材料且同沖羊為上述任 何形狀、組合和/或陣列。應(yīng)當注意，該線圈(包含螺線管狀或螺旋 管狀)、該螺旋形物、該網(wǎng)狀物、以及其陣列在波匹配中特別有用， 這點將在下文描述。同樣應(yīng)當注意，所有多個4氐消單元可定義相同 的形狀或者至少兩個4旦并非全部這種4氐消單元可定義相同的形^1犬。 可選地，所有這種4氐消單元可定義不同形狀。該4氐消單元可一皮定制形4犬以適應(yīng)(conform to)該基本單 元，以1更由該4氐消單元發(fā)射的反波更好i也匹配該有害波，其中當4妾 近該基本單元或向該基本單元一是供進一步的細節(jié)時，這種抵消單元可與這種基本單元適應(yīng)。可選地，當控制該反波匹配該有害波時，
該4氐消單元可^皮定制形狀為不與該基本單元適應(yīng)。這種i殳置可體J見
在單個4氐消單元4氐消多個基本單元時，或多個抵消單元抵消單個基
本單元時。在該i殳置中應(yīng)當注意，可向該4氐消單元才是供適當?shù)碾娔?br> (例如電流或電壓)用以發(fā)射能夠匹配并抵消在目標區(qū)的該有害波
的反波。同樣應(yīng)當注意，所有多個4氐消單元可與該基本單元相適應(yīng) 或至少兩個/f旦并非全部該4氏消單元可與該基本單元適應(yīng)?？蛇xi也，
所有4氏消單元可不與該基本單元適應(yīng)。當 一個或多個抵消單元被定制形狀為與 一個或多個基本 單元類似或相同，該4氐消單元優(yōu)選地設(shè)置為4妄近該基本單元。當該 基本單元形成三維(或3-D )形狀時，該4氐消單元可凈皮構(gòu)建為具有類 似形狀或更簡單形狀的三維模擬單元、二維(或2-D )模擬單元或一 維(或1-D)模擬單元。當該基本單元定義2-D形狀時，該抵消單元 可被制備為具有類似或更簡單形狀的2-D或l-D才莫擬單元。當該基本 單元形成1-D形狀時，該抵消單元可為定義相似或更簡單形狀的另一 1-D才莫擬單元。當單個抵消單元抵消多個基本單元時，該4氐消單元可 4妻近作為這種才莫擬單元之一的主要基本單元，可使至少兩個這種基 本單元接近這些才莫擬單元之一，等等。當多個4氐消單元4氐消單個基 本單元時，每個4氐消單元可4妄近該基本單元的4又一部分。當多個4氐 消單元4氐消多個基本單元時，該4氐消單元可^f吏這些基本單元4妻近具 有相同尺寸的模擬單元，或者接近以不同尺寸提供的各種模擬單元。 應(yīng)當注意，那些才莫擬單元與該基本單元相適應(yīng)，以及因此這些才莫擬 單元可耳又決于該基本單元的形狀定義相當直或彎曲的形^l犬。同才羊應(yīng) 當注意，這些模擬單元優(yōu)選保持與該基本單元的相似性，其中可從 這種抵消單元和基本單元的長度、其寬度、其高度、其厚度、其直 徑或半徑、其曲率半徑、其旋轉(zhuǎn)或轉(zhuǎn)動次數(shù)、長度比、寬度比、厚 度或高度比、直徑或半徑比、數(shù)量比，等等角度來保持這種相似性。 當單個基本單元一皮單個4氐消單元4氐消時，這種構(gòu)造參凄丈-波定義在該基本單元和抵消單元的每一個中。當單個抵消單元抵消多個基本單 元時，這些構(gòu)造參婆t一皮定義在該^氐消單元內(nèi)、在所有這種基本單元 的陣列內(nèi)、在至少兩個但并非所有這種基本單元的陣列內(nèi)，等等。 當多個4氐消單元^氐消單個基本單元時，這些構(gòu)造參凝::被定義在該基 本單元內(nèi)、在所有這種4氐消單元的陣列內(nèi)、在至少兩個^f旦并非所有 這種抵消單元的陣列內(nèi)，等等。當多個抵消單元抵消相同或不同數(shù) 量的基本單元時，這種構(gòu)造參數(shù)同樣分別予以定義或在如上所述的 陣列內(nèi)予以定義。當單個或多個4氐消單元凈皮定制形狀為與該單個或多個基 本單元類似或相同時，該^J肖單元被設(shè)置為向該基本單元提供細節(jié) (details),不是指增加未存在于該基本單元的結(jié)構(gòu)，而是指使該反 波的波前更合理4匕(streamlining ),用以^吏這種反波波前更好i也匹配 該有害波的波前。例如， 一個或多個小的4氐消單元可圍繞一個或多 個主要抵消單元設(shè)置(或在其內(nèi))，用以控制由這些主要抵消單元發(fā) 射的反波加合的波前的外部(或內(nèi)部)邊*彖。在另一示例中， 一個 或多個小的4氐消單元也可祐 沒置為接近(或遠離) 一個或多個主要 抵消單元，以控制由這些主要抵消單元發(fā)射的反波加合的波前的曲 率半徑。該小的或4交小的^氐消單元可相對于一個或多個主要4氐消單 元以各種關(guān)系結(jié)合，也用于其它目的，直到這種較小的抵消單元的 結(jié)合可沖是高該反波與在目標區(qū)內(nèi)的有害波的匹配。因此，當該系統(tǒng) 包括多個抵消單元時，所有這些抵消單元可被設(shè)置為接近基本單元， 所有這些抵消單元可被設(shè)置為向基本單元提供細節(jié)(details),或者 一些但并非全部這些抵消單元可接近基本單元。該抵消單元可,皮設(shè)置為沿縱向或其長軸、其短軸定義各種 橫剖面，該短軸可垂直于或者相反一黃向該長軸，等等。在一個示例 中，該4氐消單元^皮設(shè)置為沿這些軸的至少一個定義均勻的一黃剖面， 以《更由其發(fā)射的反波同樣定義沿該軸定義系統(tǒng)形狀的波前。在另一示例中，該4氐消單元可#:構(gòu)建為沿這些軸的至少一個改變其4黃剖面， 以便由其發(fā)射的反波同樣定義沿這些軸的至少一個改變其形狀的波 前。當該系統(tǒng)具有多個4氐消單元時，所有這些單元可定義相同的形 狀或至少兩個這種4氏消單元可定義不同的形狀。該抵消單元可被設(shè)置為具有各種尺寸，其中這種抵消單元 可發(fā)射適當波幅的反波，能夠有效地抵消由其發(fā)射的有害波。例如， 結(jié)合在該前部i殳置的該4氐消單元，由于其更4妄近目標區(qū)，可定義比 基本單元更小的尺寸，然而，結(jié)合在該后部^殳置中的4氐消單元，由 于其更遠離目標區(qū)，可定義比基本單元更大的尺寸。然而，4氐消單 元的尺寸可由其它因素決定，例如抵消單元的形狀、所施加的電能 的波幅(即，電流和/或電壓)等等。因此，在前部i殳置中的4氐消單
少，然而在后部設(shè)置中的^氐消單元可比基本單元定義更小的尺寸同 時每個單元區(qū)域內(nèi)發(fā)射的反波的量更大，等等。也就是說，抵消單
例^口4氐消單元的升
狀、所施加的電能的波幅、與基本單元和/或目標區(qū)的距離、抵消單 元的設(shè)置、其朝向等等。該抵消單元可被設(shè)置為沿其長軸和/或短軸具有各種尺寸。 在一個示例中，該4氐消單元^皮i殳置為沿這些軸的至少一個定義均勻 的尺寸，以便由其發(fā)射的反波同樣定義沿這些軸定義相同形狀的波 前，々支定施加相同量的電能。在另一示例中，該4氐消單元可一皮構(gòu)建 為沿這些軸的至少一個改變其尺寸，以便由其發(fā)射的反波同樣定義 沿這些軸改變其形狀的波前。另外，該抵消單元可沿這些軸的至少 一個保持相同的尺寸同時沿其改變形狀。當該系統(tǒng)包括多個4氐消單 元時，這種4氐:^ 尺寸。
109[267]多個抵消單元也可結(jié)合各種設(shè)置，其中由于該設(shè)置，這種 4氐消單元一皮:沒置為發(fā)射能夠自動與該有害波匹配的反波。在一個示 例中，這種4氏消單元可結(jié)合與單個基本單元的形狀相適應(yīng)的i殳置或 與多個基本單元的另一i殳置相適應(yīng)，以^^該反波與目標區(qū)內(nèi)的該有 害波適應(yīng)。在另一示例中，該4氐消單元可結(jié)合一種i殳置，該i殳置與 該單個基本單元的形狀不相適應(yīng)或者與多個基本單元的設(shè)置不相適 應(yīng)。該i殳置可體現(xiàn)在當多個4氐消單元4氐消單個基本單元時或當多個 抵消單元抵消不同數(shù)量的多個基本單元時。在該設(shè)置中應(yīng)當注意， 可向該抵消單元提供適當?shù)碾娔?例如電流或電壓)用于發(fā)射能夠 匹配并4氐消目標區(qū)內(nèi)的有害波的反波。該抵消單元可^皮i殳置為關(guān)于 該基本單元和/或目標區(qū)對稱，以便由其發(fā)射的反波同樣匹配對稱的 有害波。相反地，該4氐消單元也可^皮i殳置為關(guān)于該基本單元或目標 區(qū)不對稱，以1更不對稱的反波4氐消目標區(qū)內(nèi)的不對稱的有害波。該 單個4氐消單元或多個4氐消單元可i殳置為容納一個或多個基本單元的 至少一部分于其中。相反i也，該單個4氐消單元或多個4氐消單元可i殳 置為這種抵消單元的至少一部分一皮容納在一個或多個基本單元中。 應(yīng)當注意，該i殳置通常表示多個4氐消單元的布局，^旦該i殳置也可表 示單個^氏消單元的朝向和/或排列。該抵消單元也可為各種布置，其通常指朝向、排列、距離、 活動性，等等。通常，抵消單元的這種布置取決于抵消模式(例如 源匹配或波匹配)、^氐消才幾制(例如前部、后部或側(cè)部"i殳置，局部或 整體抵消，等等)、抵消單元的構(gòu)造，等等，每一個通常取決于基本 單元的構(gòu)造特征、有害波的波特征等等。另外，抵消單元的布置也 取決于形狀、尺寸、朝向，和/或定義在抵消單元一側(cè)的目標區(qū)的布 置。作為經(jīng)-瞼法則應(yīng)當注意，在局部4氐消才幾制中這種4氐消單元通常 比專交靠近基本單元以及在整體4氐消才幾制中這種4氐消單元可遠離基本 單元。[269]該抵消單元可以各種朝向設(shè)置，以便由其發(fā)射的反波可準 確朝向并4氐消這種有害波。在一個示例中，該4氐消單元可i殳置為關(guān) 于有害波傳播方向定義其朝向，例如，使其長軸垂直于該傳播方向。 在另一示例中，該4氐消單元可一皮布置為關(guān)于電流或電壓的方向定義 的另一朝向，例如，使其長軸朝向平行于、垂直于該電能的方向或 關(guān)于該電能方向成預定角度。在另一示例中，該4氐消單元可^皮布置 為關(guān)于該基本單元的長軸和/或短軸的另一朝向。應(yīng)當注意，該4氐消 單元的這種朝向通常取決于基本單元的其它構(gòu)造，尤其當該基本單 元被設(shè)置為從不同于其至少一個軸的方向、不同于其線圈或其它部 件的纏繞方向等輻射有害波。當該系統(tǒng)包括多個4氐消單元時，所有 這些抵消單元可以系統(tǒng)朝向設(shè)置、每個抵消單元可以不同朝向設(shè)置、 至少兩個<旦并非所有4氏消單元可以系統(tǒng)朝向"i殳置，等等。該抵消單元可以各種排列設(shè)置，以^更由其發(fā)射的反波可正 確;也對準并^氐消有害波。在一個示例中，該4氐消單元可在一個或多 個上述方向和/或軸上排列，可在與基本單元系統(tǒng)的方向上纏繞，等 等。在另一示例中，該4氐消單元可偏離至少一個上述方向和/或軸， 可在不同于基本單元的方向上纏繞，等等。當該系統(tǒng)包括多個4氐消 單元時，所有這些4氐消單元可在相同方向和/或軸上排列，每個4氐消 單元可在不同方向或軸上4非列，至少兩個^f旦并非全部該4氐消單元可 在相同方向或軸上排列，等等。當該系統(tǒng)包4舌多個4氐消單元時，所 有這些抵消單元可以相同排列方式設(shè)置，每個4氐消單元可以不同排 列方式設(shè)置、至少兩個但并非全部抵消單元可以相同朝向排列，等 等。該抵消單元可進一步以側(cè)部排列、軸向排列、同心排列等 設(shè)置。在側(cè)部排列中， 一個或多個抵消單元可沿基本單元的長和/ 或短軸關(guān)于基本單元或在基本單元之間肩并肩i殳置。在軸向排列中， 一個或多個4氐消單元在與該基本單元預定距離處沿一個或多個軸的方向i殳置。在同心排列中， 一個或多個4氐消單元可祐:設(shè)置在單個基 本單元內(nèi)部、可一皮多個基本單元圍繞、可容納單個或多個基本單元，等等。該抵消單元可在與基本單元和/或目標區(qū)相距各種距離處 設(shè)置。在一個示例中，該抵消單元可在相距基本單元預定距離處固 定耦合至該系統(tǒng)，從而發(fā)射與有害波的波前匹配的反波。若需要， 該抵消單元可接收不同的電能(即電流或電壓)以便據(jù)此改變反波 的波幅,人而^氐消不同波幅的有害波，以定義不同目標區(qū)，等等。在 另一示例中，該4氐消單元可移動l禺合至該系統(tǒng)，并在兩個位置之間 變4灸或S走轉(zhuǎn)，/人而發(fā)射該反波并在改變或未改變該反波波幅的情況 下，在不同位置關(guān)于該有害波設(shè)置其波前。因此，該4氐消單元用具 有該波前的反波4氐消有害波，該〉皮前才艮才居4氐消單元關(guān)于基本單元詳W 或目標區(qū)的位置改變特性。在另一示例中，該系統(tǒng)可包括多個抵消 單元于其內(nèi)且控制每個抵消單元的波發(fā)射操作。在控制或未控制由 其發(fā)射的反波的波幅的情況下，通過適當應(yīng)用(recruiting)所有或 某些這種抵消單元，該系統(tǒng)可抵消有害波同時在關(guān)于基本單元的各 種4立置定義目標區(qū)。當該系統(tǒng)包才舌多個4氐消單元時，所有這些單元 可固定結(jié)合于其內(nèi)、所有這些單元可動地結(jié)合于其內(nèi)、或至少兩個 但并非所有這些單元可動地結(jié)合于其內(nèi)，等等。可就沿該基本單元的縱軸、沿其短軸、在至少一個軸的周 圍等等測得的距離等方面估定該4氐消單元的布置。該4氐消單元可凈皮 布置為當在前部i殳置時，比基本單元更4妄近目標區(qū)，當在后部i殳置 時比基本單元遠離目標區(qū)，當在側(cè)部設(shè)置時與目標區(qū)在同一平面， 等等。當該系統(tǒng)包括多個4氐消單元時，所有這些單元可以相同i殳置 布置，或者至少兩個這種單元可以不同設(shè)置布置。另外，所有這些 抵消單元可布置為與該基本單元等距或者，可選地，至少兩個這種 一氐消單元可布置為與該基本單元不等距。應(yīng)當注意，優(yōu)選地該4氐消單元關(guān)于該目標區(qū)^皮布置在該基本單元的同側(cè)。然而，當該^氐消單元關(guān)于該目標區(qū),皮布置在該基本單元的相對側(cè)時，該^氐消單元仍然能夠抵消有害波，盡管這種布置不是優(yōu)選實施例。該抵消單元可被結(jié)合在該系統(tǒng)的各種部件內(nèi)，同樣可以各種4妄觸方式i殳置。當該系鄉(xiāng)充包4舌箱體構(gòu)4牛時，該4氐消單元可^皮布置在該箱體構(gòu)件的外表面或其上方、該箱體構(gòu)件的內(nèi)表面或其下方、
嵌在該箱體構(gòu)件內(nèi)、和/或位于該箱體構(gòu)件內(nèi)部。這種^氐消單元可反過來位于波源的外表面或其上方、該波源的內(nèi)表面或其下方、嵌在波源的這些表面之間、位于波源內(nèi)部，等等。該^^消單元也可位于基本單元的外表面或其上方、基本單元內(nèi)表面或其下方、嵌在基本單元的這些表面之間、位于基本單元內(nèi)部，等等。另外，該4氐消單
元可,皮i殳置為容納在該基本單元的至少一部分內(nèi)。類似:也，該4氐消單元的至少一部分或整個部分也可露出該系統(tǒng)、該箱體構(gòu)件、該波源、該基本單元，等等。而且，該4氐消單元可固定;也或可動i也與該系統(tǒng)、波源、和/或基本單元的一個或多個現(xiàn)有部件耦合，或者，可選地，通過耦合器耦合。類似地，該4氐消單元可與該系統(tǒng)、波源、和/或基本單元遠離或可形成具有該系統(tǒng)、波源和/或基本單元的單一物件。
用以發(fā)
射具有響應(yīng)所施加電能的適當波幅并與有害波匹配的反波。在一個
料，以<更這些單元以每單位量的電能可發(fā)射相同量的反波和有害波。在另 一示例中，該抵消單元和基本單元可包括至少一個共同材料及至少一個不同材料，以便該單元可以每單位量的電能發(fā)射類似量但并不等量的反波和有害波。在又一示例中，該4氐消單元和基本單元可由不同材料構(gòu)成和/或包括不同材料，以便該抵消單元和基本單元以每單位量的電能發(fā)射不同量的這些波。一Jfe而言，該4氐消單元和常數(shù)、共振頻率，等等。因此，基于其組成，該抵消單元可被設(shè)置為定義相同、類似或不同的電導率、f茲介電常凄t以及共振頻率。該才氐消單元的整體部分可纟皮i殳置為具有相同組成，或可選;l也，該4氐消單元的不同部分可^C沒置為具有不同組成，該組成可沿其長軸或4豆軸變化。當該系統(tǒng)包括多個抵消單元時，所有這些抵消單元可具有相同的組成，至少兩個<旦并非全部4氐消單元可具有相同的組成，或者所有這些抵消單元可具有不同的組成，由此同樣沿其長軸或短軸保持或改變上述特性。如上所述，精確匹配該反波和有害波的相位角(或者相反或者類似)是用由該抵消單元發(fā)射的反波抵消由該基本單元輻射的該有害波的首要條件。該相匹配可通過供應(yīng)合適的電能(即電流或電壓)至這種基本單元和4氐消單元以及可選地將這種4氐消單元和基本單元4皮此電氣耦合而獲得。為便于圖解，施加至該基本單元的電能此后稱為'源能量'，且該'源能量'的電流和電壓在此后分別稱為'源電流，和'源電壓'。在一個示例中，可依次或同時施力。相同的源電流或電壓至該基本單元和4氐消單元，以1更該有害波和反波的相位角適當同步。在另 一示例中，對該4氐消單元依次或同時^f又才是供部分源電流或電壓，其中該有害波和反波的相位角仍然同步。在另一示例中，首先對該基本單元供應(yīng)源電流或電壓，其后該系統(tǒng)《奮正源電流或電壓的波幅或方向，并4妄著供應(yīng)該小f正過的電流或電壓至該4氐消單元。只要在修正過程中保持該源能量的相位角，該反波和有害波就恰當?shù)叵嗤?。在另一示例中，對該基本單元施加源能量，且該系統(tǒng)4是供該源能量的才莫擬單元并在》務(wù)改或未^f奮改其波幅和/或方向的情況下，供應(yīng)該才莫擬單元能至該4氐消單元，其中該系統(tǒng)可應(yīng)用各種電子元件、電路、和/或控制器以提供該模擬單元。只要該電能的相位角一皮保持在該4莫擬單元能中，該反波和有害波也相同步。在另一示例中，該^氐消單元以串l關(guān)列方式、以并耳關(guān)方式或以混合方式^皮專禺合至
114基本單元，其中該抵消單元被施加如上所述的源能量、修正的源能量或才莫擬單元能量，以及其中該4氐消單元可與該基本單元依次或同時凈皮施加這種能量。當該系統(tǒng)包括多個:l氐消單元時，可對所有這些抵消單元施加相同的能量，可對至少兩個但并非所有這種單元施加相同的能量，可對每個單元施加不同能量，等等。當該系統(tǒng)包括多個被施加不同源能量的基本單元時，可對該單個抵消單元僅施加一種能量，施加至少兩種能量的組合，等等。當該系統(tǒng)包括多個抵消單元時，該抵消單元可通過相同或不同方式與基本單元耦合，可被依次或同時施加相同或不同的能量，等等。在所有上述示例中應(yīng)當注意，該相匹配同樣取決于該抵消單元的其它構(gòu)造和/或布置，以致
不得不考慮4氏消單元lt繞的方向、4氏消單元的朝向和/或其4非列來完成i亥適當?shù)?目匹西己。下文將對這種源和波匹配4是供進一步的詳述。如上所述，在該源匹配中可以理解，在這種抵消單元的構(gòu)造和由其所發(fā)射的反波的構(gòu)造之間不存在任何一對一的關(guān)耳關(guān)。也就是i兌，某種構(gòu)造(或波特征)的反波可通過該定義某種形狀和尺寸且為某種設(shè)置的單個4氐消單元獲得，通過該定義類似的形狀和尺寸4旦為另一i殳置的另一^t氐消單元獲得、通過具有不同的形狀和尺寸^旦為類似:沒置的另一4氐消單元獲得、通過定義預定形狀和尺寸且為預定i殳置的至少兩個4氐消單元獲得、通過定義不同形狀和/或尺寸或為不同設(shè)置的相同數(shù)量的抵消單元獲得、通過定義類似形狀和/或尺寸或為類似i殳置的不同
凄t量的4氐消單元獲得。對該波匹配同才羊應(yīng)當注意的是，在該4氐消單元的i殳置和由該4氐消單元發(fā)射的反波的波前之間不存在一對一的關(guān)耳關(guān)。換句話i兌，具有某種形狀的波前可通過定義某種構(gòu)造并相對于該基本單元和/或目標區(qū)位于某種位置的單個4氐消單元獲得、通過形成另 一構(gòu)造且位于另 一位置的另 一單個4氐消單元獲得、通過具有預定構(gòu)造并位于預定位置的至少兩個4氐消單元獲4尋、通過定義不同構(gòu)造并位于不同位置的相同數(shù)量的抵消單元獲得、通過定義不同構(gòu)造并位于不同位置的不同數(shù)量的抵消單元獲得，等等。然而， 一些啟 發(fā)性規(guī)則不僅可運用于源匹配還可運用于波匹配。第一個規(guī)則是位 于該前部設(shè)置的抵消單元，當其它相等時，優(yōu)選地定義大于基本單 元的特4正尺寸，乂人而增大該反波波前的曲率半徑并維持反波與有害 波之間更好的匹配。第二個^L則與第一個相反，為位于后部設(shè)置的 4氐消單元優(yōu)選地具有小于基本單元的特4i尺寸，以〗更減小反波波前 的曲率半徑并維持反波與有害波之間更好的匹配。然而，為了使反 波與有害波的波幅匹配，在前部設(shè)置中的較長或較寬的抵消單元被 設(shè)置為發(fā)射具有小于有害波波幅的反波。類似地，在后部設(shè)置中的 耷交短和專交窄的4氏消單元纟皮設(shè)置為發(fā)射定義大于有害波波幅的反波。 第三個規(guī)則是布置發(fā)射具有相同或類似相位角的反波的多個4氐消單
元易于^吏該反波力口合的波前變平(flatten)并增大該反波波前的曲 率半徑。第四個^L則與第三個相反，為布置4交少凄t量的4氐消單元易 于4吏反波加合的波前變尖4兌(sharpen)并減小該反波波前的曲率半 徑。第五個失見則是當至少 一個^f旦并非所有該多個4氐消單元^皮-沒置為 發(fā)射的反波的相位角與4氐消單元的相4立角相反時，該反波加合的波 前變4尋尖4兌且該波前的曲率半徑減小。應(yīng)當注意，這些^見則通常不 適用于發(fā)射其波前的形狀不同于抵消單元形狀的反波的抵消單元，
將對任一個進行更詳細的描述。源匹配的主要目的是控制該抵消單元的構(gòu)造與該基本單 元的構(gòu)造匹配，乂人而4吏由該4氐消單元發(fā)射的反波更好地匹配由基本 單元輻射的有害波。當系統(tǒng)優(yōu)先依賴源匹配來抵消有害波時，其抵 消單元可優(yōu)選地與該基本單元相距預定或合理的距離，因為要不然 會失去原本可由類似設(shè)置的抵消單元獲得的任何優(yōu)勢。應(yīng)當理解， 當基本單元具有簡單或?qū)ΨQ構(gòu)造時或當構(gòu)建復雜基本單元的復制 (replica)合理可4亍時，該源匹配是非常有用的。當該系統(tǒng)包4舌含多個波源時，該單個4氐消單元可一皮i殳置為達到與多個基本單元的源
匹配，或者多個4氐消單元可被:i殳置為完成與多個基本單元的源匹配。
該源匹配可包^舌形;]犬匹配、尺寸匹配、i殳置匹配、布置匹配、強度 匹酉己、以及其它片勾造匹酉己。此前已經(jīng)揭示了形狀匹配的一些細節(jié)。例如，該抵消單元 可為3-D (或體積)才莫擬單元，該才莫擬單元是一個或多個3-D基本單 元的復制(replica)或近似，可為2-D (或平面)才莫擬單元，該才莫擬 單元為一個或多個3-D或2-D基本單元的近似或為單個或多個2-D基 本單元的復制，也可為1-D (或線性)模擬單元，該模擬單元為一個 或多個3-D 、 2-D或1 -D基本單元的近似或者為 一個或多個1 -D基本單 元的復制，等等。類似地，多個抵消單元可被構(gòu)建為3-D模擬單元， 該才莫擬單元為 一個或多個3-D基本單元的復制或近似，可^皮形成為 2-D才莫擬單元，該才莫擬單元為一個或多個3-D或2-D基本單元的近似 或者為單個或多個2-D基本單元的復制，可為1-D才莫擬單元，該才莫擬 單元為單個或多個3-D、 2-D或l-D基本單元的近似或為一個或多個 l-D基本單元的復制，等等。這些模擬單元可具有連續(xù)的形狀或者具 有含多個孔或開口的形狀，可形成固態(tài)形狀或可變形的形狀，可定 義對稱或不對稱的形狀，等等。這些才莫擬單元的形狀也可由前述的 抵消機制決定，或者相反地，這些形狀可決定這些^^擬單元的其它 構(gòu)造的選擇、其采用的適當?shù)窒麢C制，等等。該尺寸匹配可體i見在定義該4氐消單元大于、類似、于或小 于該基本單元，不論是否保持這種4氐消單元和基本單元的構(gòu)造之間 的相似性。不論該抵消單元是否可發(fā)射具有與該抵消單元本身形狀 類似的波前的反波，該4氏消單元的尺寸決定該反波傳纟番或變平的禾呈 度、波前的邊纟彖特4正，等等。如此處所述，該4氐消單元的尺寸同才羊 由采用的各種4氐消才幾制、其位置、向其施加的電能的波幅等等決定。相反地，該^^'肖單元的尺寸可決定其它構(gòu)造、適當纟氐消才幾制等等的選擇。該布置匹配可體現(xiàn)在控制該纟氏消單元的朝向、其排列、與 該基本單元和/或目標區(qū)的3巨離、其可動性，等等。如此處所述，該 4氐消單元可關(guān)于各種軸和/或各種方向以子貞定關(guān)系朝向，可布置在前 部、后部或側(cè)部i殳置中，可與這些方向和/或軸4非列或不重合，可與 該基本單元軸向、輻射狀、成角度;也、同心;也、側(cè)部等等4非列或不 重合。該抵消單元的布置也可由其采用的各種抵消機制、其形狀和 尺寸、所施加的電能的波幅等等決定。相反地，該4氐消單元的布置 可決定其它構(gòu)造、適當?shù)窒麢C制等等的選擇。該強度匹配可體現(xiàn)在控制由抵消單元發(fā)射的反波的波幅。 例如，當與基本單元相距一定距離測量時、當在整個目標區(qū)或在目 標區(qū)的預定位置測量時等等，該反波可定義其波幅大于、類似于或 小于有害波的波幅。進一步地，該反波的波幅由采用的各種抵消機 制、其形狀和尺寸、其布置、所施加的電能的波幅等等決定。相反 地，該反波的波幅可決定其他構(gòu)造、適當?shù)窒麢C制等等的選擇。 [283]波匹配的主要目的是沿有害波的至少 一個這種波前布置該4氐 消單元，并發(fā)射定義其波前能夠匹配并4氐消有害波波前的反波。當 系統(tǒng)優(yōu)選依賴波匹配來4氐消有害波時，其4氐消單元可圍繞該基本單 元到處布置，只要該反波波前可匹配有害》皮波前。應(yīng)當注意，當該 基本單元定義相當復雜或不對稱構(gòu)造時或當不可能構(gòu)建復雜基本單 元的復制或近似時，波匹配是非常有幫助的。當系統(tǒng)包4舌具有多個 基本單元的單個波源或者包括其中每個含至少一個基本單元的多個 波源時，該單個抵消單元可被設(shè)置為達到與多個基本單元的波匹配， 或者多個4氐消單元一皮i殳置為完成與多個基本單元的波匹配。關(guān)于波 匹配的唯一的不足或復雜因素是不得不預先估定有害波波前的詳細 形狀和分布。P84]在一類波匹配中，該反波由至少一個抵消單元發(fā)射，該抵 消單元定義均勻的發(fā)射能力，其中^氐消單元的單位構(gòu)造的波幅例如 其長度、其寬度、其半徑或直徑、其面積和/或其重量保持均勻。因 此，該抵消單元發(fā)射的反波具有與該抵消單元本身形狀類似的波前， 且當沿該有害波波前布置時，該4氐消單元4氐消該反波同時定義該目 標區(qū)。在另一類波匹配中，該反波由另一^氐消單元發(fā)射，該4氐消單 元具有不均勻的發(fā)射能力，其中該抵消單元每單位構(gòu)造內(nèi)各處的波 幅不同。在該i殳置中，該4氐消單元發(fā)射反波，其波前與該4氐消單元 的形狀不類似。因此，該這種非均勻能力的^^消單元不是沿該有害 波的單個波前布置，而僅；爭過至少兩個這種波前，乂人而發(fā)射能夠匹 配有害波并定義目標區(qū)的反波。應(yīng)當注意，具有均勻發(fā)射能力的4氐消單元也可沿這種有害 波的至少兩個波前布置，如圖2E所示。當多個一氐消單元—皮布置在這 種有害波的不同波前時，這種單元也可^^殳置為發(fā)射具有不同波幅 的反波，以便補償其與該基本單元的距離差異。這種補償可通過各 種方法獲得，例如，通過調(diào)整4氏消單元的形狀和尺寸、通過控制所 施加的電能的量、通過控制這種抵消單元的朝向和/或排列，等等。 只要該反波的力口合定義的波前與目標區(qū)內(nèi)的有害波的波前匹配，這 種4氐消單元可沿該有害波的相鄰的或相隔的波前以各種構(gòu)造和/或 布置設(shè)置。在源匹配情況下，與其4氐消部4牛(counter parts )類4以，用 于波匹配的該抵消單元可類似地定義線狀、條狀、板狀、管狀、線 圈、螺旋形物和/或網(wǎng)狀物的形狀，也可在沒有定義經(jīng)由其中的任何 孔或開口的情況下定義兩個或多個這些形爿犬的組合，也可定義兩個 或多個這些形狀的陣列同時定義經(jīng)由其中的多個孔和/或開口 ，等
119同形狀彼此捆扎的束狀、多個相同或不同形狀沿^皮此編織的編織狀， 等等。于是這種抵消單元可沿該有害波的單個或多個波前設(shè)置。本發(fā)明的EMC系統(tǒng)特別用于抵消在載波頻率范圍或從約 50Hz至約60Hz的極低頻率范圍或小于約300Hz的另 一頻率范圍內(nèi)的 各種有害波。因此，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，該EMC系統(tǒng)的各種 4氐消單元^皮i殳置為發(fā)射在載波頻率范圍或/人約50Hz至約60Hz的 低頻率范圍或小于約30Hz的另 一頻率范圍內(nèi)的反波，從而有效地抵 消在可比頻率范圍內(nèi)的有害波?？紤]到各種醫(yī)學發(fā)現(xiàn)和/或推測該 EM波的主要罪魁禍首是在這些頻率范圍內(nèi)的有害波，這些抵消單元 一皮i人為有效:t也消除來自有害波的有害頻率組成，該有害波由各種電 氣和電子設(shè)備的基本單元輻射。盡管不是優(yōu)選的，本發(fā)明EMC系統(tǒng)的各種抵消單元也可被 設(shè)置為發(fā)射小于約3kHz的超低頻率范圍內(nèi)的反波、小于約30kHz的 甚低頻率范圍內(nèi)的反波、以及小于約300kHz的低頻率范圍內(nèi)的反 波，用以抵消在相同或相似頻率范圍內(nèi)的有害波。這些抵消單元也 可尋皮i殳置為發(fā)射在其它頻率范圍內(nèi)的反波，例如，,人約5xl(^Hz至 約l()8Hz范圍內(nèi)的無線電波頻率、從約l()SHz至約l(^Hz范圍內(nèi)的微 波頻率，且很快，用以抵消類似頻率范圍內(nèi)的有害波。當需要時， 該4氐消單元也可^皮i殳置為發(fā)射定義較高頻率的反波，例如從約 7.5xlO"Hz至約10"Hz范圍內(nèi)的紫外線的頻率、從約7xlO"Hz至約 10"Hz范圍內(nèi)的X-射線的頻率、超過5xlO"Hz范圍內(nèi)的伽瑪射線的頻 率，等等，用以"l氐消類似頻率范圍的該有害波。這種抵消單元可進一步被設(shè)置為選擇性抵消這些有害波 的特定組成，或者可選地，特別保持該有害波的特定組成同時抵消 (即消滅和/或抑制)該有害波的剩余部分。例如且尤其是當這些有 害波包括較高的頻率組成時，該4氏消單元可纟皮特別i殳置為保持有益 波例如紅外線，包括,人約300gHz至約10tHz頻率范圍內(nèi)的遠紅外線、乂人約10tHz至約100tHz頻率范圍內(nèi)的中紅外線、從約100tHz至約
700tHz頻率范圍內(nèi)的近紅外線,等等，同時抵消該有害波(包括載波 頻率范圍和極低頻率范圍內(nèi)的有害波)的剩余部分。相反地，該抵 消單元可被設(shè)置為也發(fā)射包括這種遠、中和/或近紅外線的紅外線。在本發(fā)明的另 一方面，各種抵消單元也可被用于各種設(shè)備 的基本單元，并將這些設(shè)備轉(zhuǎn)化為EMC系統(tǒng)，其中由其基本單元輻 射的該有害i殳備EM波可^皮由其4氏消單元發(fā)射的反波4氏消(即消滅和
/或抑制)。在本發(fā)明該方面的一個示例性實施例中，該4氐消單元可#皮 用作形狀為導電線纜、條狀、板狀、管狀、線圈、螺旋形和/或網(wǎng)狀 的任何基本單元，或者作為選擇，為任何半導體和/或絕緣的線狀、 條狀、板狀、管狀、線圈、螺旋形、和/或網(wǎng)狀，用以通過該反波4氐 消該有害波4吏該有害波的輻射減至最4氐，例如，通過消滅目標區(qū)內(nèi) 的至少部分該有害;皮,W或^卩制該有害波4專纟番至該目才示區(qū)。該4氐消單 元可由至少 一種材料構(gòu)成和/或包括至少 一種材料，其可為導電體、 絕緣體或半導體。該4氏消單元可通過^務(wù)改線狀、條狀、 一反狀、管狀、 線圏、螺;旋形和/或網(wǎng)狀的一個或多個的形狀，凈皮用作具有由線^1大、 條狀、板狀、管狀、線圈、螺旋形和/或網(wǎng)狀的一個或多個所形成的 形狀的任何基本單元，其中該修改的形狀的幾個示例可為螺線管狀 或螺旋管狀，每個可通過^f奮改該線圏的形狀形成。大體而言，本實 施例的該4氏消單元可布置為上述4壬一i殳置，并可通過前述4壬一4幾制 4氐消該有害波。因此，基于該源匹配，^皮定制形狀和/或尺寸類似或 相同的4氐消單元可4立于一個或多個基本單元的側(cè)部或與一個或多個 基本單元肩并肩，可與一個或多個基本單元軸向、徑向或角向排列， 可包括一個或多個基本單元于其內(nèi)，可被一個或多個基本單元容納， 可環(huán)繞一個或多個基本單元，可被一個或多個基本單元環(huán)繞，等等。 作為選擇，被定制形狀和/或尺寸為類似或不同的抵消單元可沿該有害波的一個或多個波前布置，該有害波由 一個或多個基本單元輻射， 用于波匹配。另外，根據(jù)該局部抵消或整體抵消，可應(yīng)用適當數(shù)量 和/或設(shè)置的這種抵消單元以抵消該有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該4氐消單元也可 被用作任何傳統(tǒng)的電氣和/或電子元件，例如電阻器、感應(yīng)器、電容 器、二極管、電晶體、放大器及其它信號處理器和/或調(diào)節(jié)器，用以 4氐消由這些元件輻射的有害波，其中這種電氣和/或電子元件的作用 是控制(manipulate )所施加的至少一個輸入信號并產(chǎn)生至少部分不 同于該輸入信號的至少 一個輸出信號。當不穩(wěn)定電流流過或當不穩(wěn) 定電壓施加于其上時，所有上述電氣和/或電子元件可適合作本發(fā)明 范圍內(nèi)的基本單元。另外，當該元件的任何一個響應(yīng)穩(wěn)定或不穩(wěn)定 的該輸入信號而產(chǎn)生該不穩(wěn)定輸出信號(即該電流或電壓)時，上 述元件也可適合作本發(fā)明范圍內(nèi)的基本單元。因此，上述現(xiàn)有元件 和/或包括該元件的設(shè)備的任何一個可在上述任一布置和/或設(shè)置中 通過結(jié)合具有上述任一構(gòu)造的各種抵消單元被轉(zhuǎn)化為該EMC元件， 由此以上述任一才幾制4氐消該有害波。應(yīng)當注意，這種4氐消單元可以 任何尺寸提供以便該EMC元件為孩i米或納米范圍內(nèi)。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該4氐消單元也可 與各種揚聲器結(jié)合以抵消由該基本單元輻射的有害波，其中揚聲器 的示例可包括但并不限于紙盆-驅(qū)動揚聲器、靜電揚聲器和壓電揚聲 器。因此，包括這些EMC揚聲器的任何傳統(tǒng)設(shè)備例如耳機、頭戴式 耳機、有線電話、移動電話以及視聽器可被轉(zhuǎn)化為各種EMC系統(tǒng)， 例如EMC耳才幾、EMC頭戴式耳才幾、EMC有線電話、EMC移動電i舌 和EMC視聽系統(tǒng)。圖3 A至3I為根據(jù)本發(fā)明應(yīng)用至包括各種基本單元 的揚聲器的示例性4氐消單元的立體示意圖，其中圖3A至3D例示了結(jié) 合至現(xiàn)有紙盆-驅(qū)動揚聲器并抵消其基本單元的各種抵消單元，而圖 3E至3I代表結(jié)合至傳統(tǒng)壓電揚聲器并抵消其基本單元的各種抵消單元。在圖3A至3D應(yīng)當理解，為簡4b圖解，在這些圖中省略了圍繞揚 聲器紙盆或在其內(nèi)部設(shè)置的永磁體，或者作為選擇，該紙盆-驅(qū)動揚 聲器為無》茲揚聲器系統(tǒng)，如名稱為'反電f茲揚聲器系統(tǒng)和方法'的共同 待決申請U.S.S.N.60/ , 所揭示。在圖3E至3I可以類似地理解， 僅選擇壓電板和電極作為現(xiàn)有壓電揚聲器的代表性的基本單元。因
此應(yīng)當注意，在所有這些附圖中，將省略這種揚聲器的可發(fā)射有害 波的其它導體、半導體和/或絕纟彖部件，以及必要時，通過訴諸如上 所述的任何這種抵消單元，這種部件可被恰當?shù)氐窒Ｍ瑯討?yīng)當注 意在圖3A至31中設(shè)置各種揚聲器及其4氐消單元，以定義該目標區(qū)在 每張圖的頂部。在一個示例圖3A中，紙盆-驅(qū)動揚聲器22通常包括紙盆22C 和環(huán)繞該紙盆22C的至少一個音圏22V。本4頁i或/厶知，當施加源電流 時，該音圏22V在其周圍定義動態(tài),茲場，且該音圏22C的動態(tài)^t場與 永》茲體形成的4爭態(tài)石茲場(不含在該圖中)之間的交互4乍用4吏該紙盆 22C纟展動，同時響應(yīng)該源電流產(chǎn)生聽4尋到的聲音。為了^^消由該音 圈22V(即，該揚聲器22的基本單元)輻射的有害波，才艮據(jù)與該音 圏22V的預定關(guān)系，i殳置至少一個4氐消單元40。在該示例中，該4氐 消單元40形成為另一線圈，該線圈定義比該音圈22V更大的曲率半 徑。在該上下文中，該4氐消單元40在源匹配才莫式，尤其是形狀匹配 中優(yōu)先運作。另外，該^^氐消單元40在后部i殳置中位于該目標區(qū)和該 音圈22V的下方，由于其與該目標區(qū)的距離大于該音圈22V與該目標 區(qū)的距離，從而使該抵消單元更好地發(fā)射波幅大于有害波的波幅的 這種反波。該4氐消單元40進一步與該音圈22V的縱軸一致，以1更該 反波波前的中心與該有害波波前的中心一致。為了確^呆這種反波具 有至少部分與該有害波的相4立角相反的相4立角，該源電流或其才莫4以 單元可4艮據(jù)線圈在該4氐消單元40的4t繞方向，乂人與該源電流在該音 圏22V內(nèi)的流動方向相同或相反的方向供應(yīng)至該4氐消單元40。因此， 該4氐消單元40可發(fā)射反波，該反波與該有害波重合(align)并定義
123與該有害波的相位角相反的相位角，由此匹配并4氐消該目標區(qū)內(nèi)的
該有害波。如上所提及，該抵消單元40可看作該音圏22V的3-D才莫擬 單元，其定義類似于該音圈22V的形狀但構(gòu)造大于或?qū)捰谠撘羧?22V。若需要，該抵消單元40可設(shè)置在與該音圈22V預定距離處，其 中來自該4氐消單元40的反波波前可與來自該音圈22V的該有害波的 波前匹配，如在該波匹配中才是及的。在所有這些示例中，該揚聲器 22被該抵消單元40轉(zhuǎn)換為本發(fā)明EMC揚聲器系統(tǒng)。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布 置，和/或可抵消在其它機制中的有害波。例如，該抵消單元可具有 不同的曲率半徑，該曲率半徑可小于音圏的曲率半徑，可為常ft或 可沿其縱軸變化，等等。在另一示例中，該4氐消單元可在前部i殳置 中i殳置，同時定義曲率半徑大于、類似于或小于該音圏的曲率半徑。 在另 一示例中，兩個或多個一皮定制類似或不同形狀的4氐消單元可在 各種設(shè)置中設(shè)置，用于該局部或整體抵消。在另一示例圖3B中，紙盆-驅(qū)動揚聲器22也包括紙盆22C 和環(huán)繞該紙盆22C的至少一個音圈22V。為了 4氐消由該音圈22V輻射 的有害波，至少一個抵消單元40被定制形狀為類似于該音圏22V并 根據(jù)與該音圈22V的預定關(guān)系設(shè)置。在本示例中，該^^消單元40基 于源匹配尤其是形狀匹配，運作。另外，該4氐消單元40在側(cè)部及同 心設(shè)置中圍繞至少部分該音圈22V設(shè)置，由于其與該目標區(qū)的距離 類似或稍大于該音圈22V與目標區(qū)的距離，從而使該4氐消單元更好 i也發(fā)射波幅類似、或稍小于該有害波波幅的該反波。該4氏消單元40也 可與該音圈22V的鈔人軸一至丈，以《更該反波波前的中心與該有害波波 前的中心一致。為了確保該反波定義至少部分與該有害波的相位角 相反的相^立角，該源電流或其才莫擬單元也可基于線圈在該4氐消單元 40內(nèi)的纏繞方向，乂人與該源電流在該音圈22V內(nèi)的流動方向相同或 相反的方向一皮供應(yīng)至該4氐消單元40。因此，該4氐消單元40發(fā)射反波'該反波與該有害波一致并定義與該有害波的相位角相反的該相位
角，由此匹配并4氐消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。需要時，該4氐消單元40 可一皮i殳置在與該音圈22V的予貞定徑向或軸向3巨離處，其中來自該4氐 消單元40的反波的波前可與來自該音圈22V的有害波波前匹配，如 在該波匹配中所l是及的。在所有這些示例中，該揚聲器22^皮該4氐消 單元40轉(zhuǎn)化為本發(fā)明的這種EMC揚聲器系統(tǒng)。圖3B的該4氐消單元40 的其它構(gòu)造和/或操作特征與圖3A中的該抵消單元類似或相同。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布 置，和/或可抵消在其他機制中的有害波。例如，該抵消單元可具有 不同的比該音圈小的曲率半徑，并可i殳置在該紙盆內(nèi)，該曲率半徑 可為常數(shù)或可沿其縱軸變化，等等。在另一示例中，該4氐消單元可 被設(shè)置為容納該音圈的不同部分或容納其整體，同時定義大于、類 似于或小于該音圈的曲率半徑。在另一示例中，多個#1定制類似或 不同形狀的抵消單元可在各種設(shè)置中設(shè)置，用于該局部或整體抵消。 應(yīng)當理解在圖3A及3B中，該音圈和4氐消單元可4皮此取4戈。也就是"i兌， 每幅圖可被解釋為外面的線圈代表較大的音圏且內(nèi)部的線圏為容納 于該外部音圏內(nèi)的抵消單元，其也適用于圖3A及3B的其它特征。在另一示例圖3C中，紙盆-驅(qū)動揚聲器22也包括紙盆22C 和環(huán)繞該紙盆22C的至少一個音圈22V。為了抵消由該音圏22V輻射 的有害波，在與該音圏22V類似的設(shè)置中，抵消單元40由具有多個 開口于其中并巻成環(huán)狀管的網(wǎng)狀物形成。在該側(cè)部和同心i殳置中， 該4氐消單元40圍繞該音圈22V的至少部分i殳置，由于其與該目標區(qū) 的距離類似于或稍小于該音圈22V與該目標區(qū)的3巨離，乂人而4吏該4氐 消單元40發(fā)射的反波其波幅類似于或稍小于該有害波的波幅。該^氐 消單元40進一步與該音圈22V的縱軸一致，以i"更該反波波前的中心 與該有害波波前的中心一致。該源電流或其才莫擬單元可從確保該反 波具有至少部分與該有害波的相4立角相反的相4立角的方向^皮供應(yīng)至該4氐消單元40。因此，該4氐消單元40發(fā)射反波，該反波與該有害波
一至爻并具有與該有害波的相4立角相反的相4立角，由it匕匹配并4氐消目
標區(qū)內(nèi)的該有害波。若需要，該抵消單元40可被設(shè)置在與該音圏22V 的預定徑向或軸向3巨離處，其中來自該4氐消單元40的反波的波前可 與來自該音圈22的有害波的波前匹配，如在該波匹配中所述。在所 有這些示例中，該揚聲器22通過包括該4氐消單元40于其內(nèi)，凈皮轉(zhuǎn)化 為本發(fā)明的EMC揚聲器系統(tǒng)。圖3C的該抵消單元的其它構(gòu)造和/或 操作特征與圖3A和3B的抵消單元類似或相同。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布 置，和/或可抵消在其它機制中的有害波。例如，該抵消單元可形成 為沒有任何開口的其它形狀的實心環(huán)形管、其它形狀的環(huán)形多孔管， 等等。在另一示例中，該4氐消單元可定義比該音圏小的不同的曲率 半徑，且可i殳置在該紙盆內(nèi)，該曲率半徑可為常凄t或可沿其皇從軸變 化，等等。在另一示例中，該4氐消單元可^皮i殳置為容納該音圈的不 同部分或容納其整體，同時具有大于、類似于或小于該音圈的曲率 半徑的曲率半徑。在另一示例中，多個凈皮定制為類似或不同形狀的 抵消單元也可設(shè)置在各種i殳置中，用于這種局部或整體抵消。在另 一示例圖3D中，紙盆-驅(qū)動揚聲器22也包括紙盆22C 和環(huán)繞該紙盆22C的至少 一 個音圈22V 。為了 4氐消由該音圏22V輻射 的有害波，抵消單元40為具有多個開口于其內(nèi)的網(wǎng)狀^1。然而，該 抵消單元40由稍樣1不同于圖3C的網(wǎng)狀物構(gòu)成。例如，圖3D的網(wǎng)狀物 定義多個形成在該4氐消單元40的同心和徑向線之間的開口 ，而圖3C 的網(wǎng)狀物定義多個形成在該4氐消單元的水平和豎直線之間的開口 。 在該前部設(shè)置中，該抵消單元40設(shè)置在該音圈22V上方，由于其與 該目標區(qū)的距離小于該音圏22V與該目標區(qū)的距離，/人而4吏該4氐消 單元40發(fā)射的反波其波幅小于該有害波波幅。該^氐消單元40的中心 也與該音圈22V的纟從軸一至丈，/人而4吏該反波波前的中心與該有害波
126波前的中心一f丈。該源電流或其才莫擬單元也可乂人確{呆該反波具有至 少部分與該有害波的相位角相反的相位角的方向，被供應(yīng)至該4氐消
單元40。因此，該抵消單元40發(fā)射反波，該反波與該有害波一致并
具有與該有害波的相位角相反的相位角，由此匹配并4氐消該目標區(qū)
內(nèi)的該有害波。需要時，該抵消單元40也可設(shè)置在與該音圏22V的 預定徑向或軸向距離處，其中來自該抵消單元40的反波的波前可與 來自該音圏22V的有害波匹配，如在波匹配中所述。在所有這些示 例中，該揚聲器22通過包括該^氐消單元40于其中^皮轉(zhuǎn)化為本發(fā)明的 EMC揚聲器系統(tǒng)。圖3D的該抵消單元40的進一步的構(gòu)造和/或操作 特征與圖3A至3C中的抵消單元類似或相同。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布 置，和/或可4氐消在其它才幾制中的有害波。例3口，該4氐消單元可形成 為沒有任何開口的其它形狀的實心板、其它形狀的多孔板，等等。 尤其是，為了使該反波的波前更好地匹配該有害波的波前，該4氐消 單元的4侖廓可進一步上(或下)凹。在另一示例中，該4氐消單元可 今皮設(shè)置在與該基本單元不同距離處，可凈皮i殳置為在該音圈的不同部 分上方，等等。在另一示例中，帔定制形狀類似或不同的多個4氐消 單元也可被設(shè)置在不同設(shè)置中，用于該局部或整體抵消。在另一示例圖3E中，壓電揚聲器22包括壓電^反22P、 一對 電極22E以及金屬板22M,其中每個電極22E被固定耦合至該壓電板 22P (此后被稱為'壓電板')的相對的兩側(cè)，而該金屬板被固定連接 至一個電極22E。如本領(lǐng)域所周知，當通過該電極22E將該交互的源 電壓施加至其上時，該壓電板22P被設(shè)置為振動，其中該金屬板22M 機械支撐該壓電板22P及該電極22E,但通常設(shè)置為不與該壓電板
'。因此，該壓電揚聲器22響應(yīng)該源電壓產(chǎn)生聽得到的聲音，同時輻 射由該壓電元件中的其基本單元22P、 22E產(chǎn)生的有害波。耳又決于該金屬板^M是否影響該有害波的路徑，該金屬板22M也可被包含在 該基本單元內(nèi)。為了4氐消由該基本單元輻射的有害波，至少一個^氐 消單元40優(yōu)選與該壓電揚聲器22的各種基本單元22P、 22E成預定關(guān) 系設(shè)置。在本示例中，該抵消單元40為該基本單元22P、 22E的3-D 復制，類似地其包括壓電板、連接至該壓電板兩側(cè)的兩個電極，以 及金屬才反。在本上下文中，在源匹配或尤其形狀匹S己中，該^氐消單 元4(H尤選運作。然而，為了阻止該4氐消單元40產(chǎn)生4壬4可聽;得到的聲 音，該4氐消單元40的壓電一反可^皮固定津禺合至其金屬4反或者一皮i殳置為 不響應(yīng)所施加的源電壓或其模擬單元而振動。另外，在后部設(shè)置中， 該抵消單元40被設(shè)置在該壓電揚聲器22下方，由于其與該目標區(qū)的 3巨離大于該基本單元22P、 22E與該目標區(qū)的3巨離，,人而^f吏該4氐消單 元40更好地發(fā)射反波其波幅大于該有害波的波幅。該纟氏消單元40與 該揚聲器22的纟從軸一致，乂人而^吏該反波波前的中心與該有害波波前 的中心一致。為了確保該反波定義至少部分與該有害波的相^立角相 反的相^f立角，該源電流或其才莫擬單元可乂人該源電流在該揚聲器22內(nèi) 流動的反方向#1施加至該4氐消單元40。因jt匕，該4氐消單元40發(fā)射的 反波，與該有害波一致且定義與該有害波的相位角相反的相位角， 由it匕匹配并4氐消該目標區(qū)內(nèi)的該有害波。長口上所述，該4氐消單元40 可看作該壓電揚聲器22的3-D才莫擬單元，定義類似形狀但構(gòu)造比該 揚聲器22大或者厚。需要時，該4氐消單元40可在與該揚聲器22預定 距離處設(shè)置，其中來自該抵消單元40的該反波的波前可與來自該揚 聲器22的有害波的波前匹配，如在波匹配中所4是到的。在所有這些 示例中，通過包括該抵消單元40于其內(nèi)，該揚聲器22被轉(zhuǎn)化為本發(fā) 明的EMC揚聲器系統(tǒng)。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布 置，和/或可4氏消在其它才幾制中的有害波。例力。，該纟氐消單元可具有 不同的半徑和/或高度，同時維持該揚聲器的紛、一黃比或改變該比例。 在另一示例中，該抵消單元可具有定義類似縱橫比的形狀，但包括厚度不同于該揚聲器的這些々反和電4及。在另一示例中，該4氐消單元
也可i殳置在前部i殳置中，其中該圖的上部物件可一皮看作4氐消單元而 下部物件可被解釋為揚聲器。在另一示例中，被定制形狀類似或不 同的兩個或多個4氐消單元可凈皮i殳置在各種不同設(shè)置中，用于局部或 整體4氐消。應(yīng)當注意，該4氐消單元可具有類似于該壓電揚聲器的形 狀，j旦可由不同材料形成或包括不同材料。例如，該4氐消單元可具 有由絕緣或半導體材料構(gòu)成和/或包括上述材料的薄板，該材料不是 壓電的，但定義與該揚聲器的壓電板類似的電阻率。在另一示例中， 該電極和/或金屬板可由與該揚聲器的材料不同但比較便宜的材料 構(gòu)成和/或包括上述材料。從該抵消單元可發(fā)射能夠4氐消該目標區(qū)內(nèi) 的該有害波的反波來看，該4氏消單元可定義各種構(gòu)造且可由各種材 料構(gòu)成或包括各種材料。同樣應(yīng)當注意，該4氐消單元本身也可作為額外的壓電揚聲 器運作，其被供應(yīng)源電壓且產(chǎn)生與該揚聲器相同的聽得到的聲音。
然而，該抵消單元揚聲器被設(shè)置為發(fā)射具有至少部分與該有害波的 相位角相反的相位角的反波，由此用該反波4氐消該有害波，同時產(chǎn) 生與該揚聲器相同的聽得到的聲音。該4氐消單元可體現(xiàn)在各種i殳置 中。例如，當該源電壓乂人相反方向施加于其上時，該對為聲器斗口4氐消 單元可4皮此軸向或角向一致。在另一示例中，可在相同方向向該揚 聲器和^氐消單元兩者供應(yīng)該源電壓，但該4氐消單元以下列方式^皮配 置和/或定向該反波定義與該有害波的相4立角相反的相位角。只要 使該抵消單元的壓電板以與該揚聲器的相同方向振動以及只要該4氐 消單元作為整體發(fā)射匹配并4氐消該有害波的反波，該4氐消單元可定 義各種構(gòu)造，可以各種朝向或排列設(shè)置，和/或可沿各種方向施加源 電壓。在另一示例圖3F中，與圖3E類似，壓電揚聲器22包4舌壓電 凈反22P、 一》+電才及22E以及金屬才反22M。為了 4氐消由該基本單元輻射
129的有害波，至少 一 個抵消單元40優(yōu)選以與該揚聲器22的基本單元 2:2P、 22E成預定關(guān)系i殳置。在本示例中，該4氐消單元40形成為與圖 3B類似的導線圈。在本上下文中，該抵消單元40將對波匹配起作 用。在后部i殳置中，該4氐消單元4(H殳置在該壓電揚聲器22下方，由 于其與該目標區(qū)的距離大于該基本單元22P、 22E與該目標區(qū)的距 離，從而使該抵消單元40發(fā)射的反波其波幅大于該有害波的波幅。 該抵消單元40與該揚聲器22的縱軸排列，以1更該反波的波前的中心 與該有害波波前的中心一f丈。為了確4呆該反波具有至少部分與該有 害波的相位角相反的相位角，可從該源電流在該揚聲器22內(nèi)的流動 的反方向，向i亥4氐消單元40施力口該源電流或其才莫擬單元。因jt匕，該 抵消單元40可發(fā)射的反波與該有害波一致并具有與該有害波的相位 角相反的相位角，由此匹配和4氐消該目標區(qū)內(nèi)的該有害波。需要時， 該抵消單元40被設(shè)置在與該揚聲器22預定距離處，在該處由該抵消 單元40產(chǎn)生的反波的波前與該揚聲器22產(chǎn)生的有害波的波前匹配， 如在波匹配中所^是到的。在所有這些示例中，該壓電揚聲器22通過 將該抵消單元40結(jié)合于其內(nèi)，被轉(zhuǎn)化為本發(fā)明的EMC揚聲器系統(tǒng)。 圖3F所示的該抵消單元40的進一步構(gòu)造和/或操作特征與圖3E的抵 消單元類似或相同。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布
置，和/或可對氐消在不同才幾制中的有害波。例如，該沖氐消單元可祐:i殳
置在與該基本單元不同距離處或可包括一個或多個該基本單元于其 中。在另一示例中，該4氐消單元可定義的曲率半徑小于該揚聲器的 曲率半徑。在另一示例中，該4氐消單元可具有為常凄t或沿其纟從軸可
變的半徑。在另一示例中，多個類似或不同的^氐消單元可以各種i殳 置設(shè)置，用于局部或整體抵消。在另一示例圖3G中，與圖3E所述類似，揚聲器22包4舌壓 電板22P、 一對電才及22E及金屬4反22M。為了 4氐消由該基本單元輻射的有害波，至少一個抵消單元40優(yōu)選以與該揚聲器22的基本單元 22P、 22E成預定關(guān)系設(shè)置。在本示例中，該抵消單元40形成為與圖 3C類似的導電線網(wǎng)。在上下文中，該4氐消單元40對波匹配起作用。 在后部設(shè)置中，該抵消單元40被設(shè)置在該壓電揚聲器22下方，由于 其與目標區(qū)的距離大于該基本單元22P、 22E與該目標區(qū)的距離，從 而4吏該4氐消單元40發(fā)射的反波其波幅大于該有害波的波幅。該4氐消 單元40與該揚聲器22的縱軸排列，以便該反波波前的中心與該有害 波波前的中心一致。為了確^呆該反波具有至少部分與該有害波的相 位角相反的相位角，可從該源電流在揚聲器22內(nèi)的流動的反方向向 該才氐消單元40施加該源電流或其才莫擬單元。因此，該4氐消單元40可 發(fā)射與該有害波一致并具有與該有害波的相位角相反的相位角，由 此匹配并抵消目標區(qū)內(nèi)的該有害波的反波。需要時，該抵消單元40 被設(shè)置在與該揚聲器22預定距離處，在該處由該抵消單元40產(chǎn)生的 該反波的波前可與由該揚聲器22產(chǎn)生的有害波的波前匹配，如在波 匹配中所提到的。在所有示例中，該壓電揚聲器22被該抵消單元40 轉(zhuǎn)化為本發(fā)明的EMC揚聲器。圖3G的抵消單元40的其它構(gòu)造和/或 操作特征與圖3E和3F的抵消單元類似或相同。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布 置，和/或可"fe消在其它^^制內(nèi)的有害波。例如，該4氐消單元可形成 為其它形狀的沒有任何開口的實心環(huán)狀管、其它形狀的環(huán)狀多孔管， 等等。在另一示例中，該4氐消單元可定義不同的曲率半徑，該曲率 半徑小于該基本單元的曲率半徑且可設(shè)置在其內(nèi)，該曲率半徑可為 常凄t或可沿其縱軸變化，等等。在另一示例中，該4氐消單元可祐:i殳 置為容納該基本單元的至少部分或整體于其內(nèi)，同時其具有的曲率 半徑大于、類似于或小于該基本單元的曲率半徑。在另一示例中， 多個被定制形狀為類似或不同的抵消單元可^皮設(shè)置在各種設(shè)置中， 用于該局部或整體4氐消。[309]在另一示例圖3H中，與圖3E所述類似，揚聲器22包括壓 電板22P、一對電才及22E和金屬4反22M。為了 4氐消由該基本單元輻射 的有害波，至少一個抵消單元40優(yōu)選以與該揚聲器22的基本單元 22P、 22E成預定關(guān)系設(shè)置。在本示例中，該4氐消單元40形成為該基 本單元22P、 22E的3-D模擬單元，其中該才莫擬單元對應(yīng)于該基本單 元22P、 22E的模擬單元，并包括被另一預定數(shù)量的弧線連在一起的 預定數(shù)量的線狀同心環(huán)。在上下文中，該抵消單元40優(yōu)選對源匹配 起作用。在前部i殳置中，該4氐消單元40i殳置在該壓電揚聲器22上方， 由于其與該目標區(qū)的較短距離，從而使該抵消單元40發(fā)射的反波其 波幅小于該有害波的波幅。該抵消單元40與該揚聲器22的縱軸排列， 乂人而^f吏該反波波前的中心與該有害波波前的中心一f丈。為了確^呆該 反波具有至少部分與該有害波的相4立角相反的相位角，可沿與該源 電流流經(jīng)該揚聲器22的反方向向該4氐消單元40施加該源電流或其才莫 擬單元。因此，該4氐消單元40可發(fā)射反波，該反波與該有害波一致 并具有與該有害波的相位角相反的相位角，由此匹配并抵消在目標 區(qū)內(nèi)的有害波。在這方面，該抵消單元40與圖3類似，除該4氐消單元 40定義了下凹的輪廓外。需要時，該抵消單元40被設(shè)置在與該揚聲 器22預定距離處，在該處由該抵消單元40產(chǎn)生的這種反波的波前與 由該揚聲器22產(chǎn)生的有害波的波前匹配，如在波匹配中已經(jīng)4是到的。 在所有這些示例中，該壓電揚聲器22通過該抵消單元40被轉(zhuǎn)化為本 發(fā)明的EMC揚聲器。圖3H的該4氐消單元40的其它構(gòu)造和/或才喿作特 征與圖3E至3G的4氐消單元類似或相同。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布 置，和/或可抵消其它機制內(nèi)的有害波。例如，該抵消單元可形成為 沒有<壬4可開口的其它形狀的實心凹*反、其它形狀的多孑l^反，等等， 其中該抵消單元可包括不同數(shù)量的環(huán)或弧且定義不同形狀的開口 。 在另一示例中，該抵消單元可包括多個部分，可向每部分供應(yīng)不同 波幅和/或方向的電壓，以更好地接近該基本單元。這些部分可為同心，以Y更在徑向施力口不同電壓，或者4卡為選擇，可形成角^)犬，以便
在角方向施加不同的電壓。在另一示例中，；故定制形狀類似或不同 的多個4氐消單元可^皮:沒置在各種i殳置中，用于局部或整體4氐消。在另一示例圖3I中，與圖3E所述類似，揚聲器22包括壓電 板22P、 一對電極22E以及金屬板22M。為了4氐消由該基本單元輻射 的有害波，至少 一 個抵消單元4 0優(yōu)選以與該揚聲器2 2的基本單元 22P、 22E成預定關(guān)系設(shè)置。在本示例中，該抵消單元40形成為環(huán)狀 管。在上下文中，該4氐消單元40乂于該源匹配起作用。在齊平或同心 i殳置中，該4氐消單元40圍繞該壓電揚聲器22i殳置，由于其與該目標 區(qū)的距離類似于該基本單元22P、 22E與該目標區(qū)的距離，乂人而1"吏該 4氐消單元40發(fā)射的反波定義的波幅與該有害波的波幅類似。該4氐消 單元40與該揚聲器22的縱軸排列，從而使該反波波前的中心與該有 害波波前的中心一致。為了確〗呆該反波具有至少部分與該有害波的 相^立角相反的相4立角，可,人該源電流在揚聲器22內(nèi)流動的反方向， 向該4氐消單元40施加該源電流或其才莫擬單元。因此，該4氐消單元40 可發(fā)射反波，該反波與該有害波一致并定義與該有害波的相位角相 反的相位角，由此匹配并^氐消該目標區(qū)內(nèi)的該有害波。若需要，該 4氐消單元4(H殳置在與該揚聲器22預定距離處，在該處由該4氐消單元 40產(chǎn)生的反波的波前與由該揚聲器22產(chǎn)生的有害波的波前匹配，如 在波匹配中所^是及的。在所有示例中，該壓電揚聲器22凈皮該4氐消單 元40轉(zhuǎn)化為本發(fā)明的EMC揚聲器。圖3G的抵消單元40的其它構(gòu)造和 /或操作特征與圖3E及3F的抵消單元類似或相同。上述抵消單元40可被修改為其它構(gòu)造，可結(jié)合至其它布 置，和/或可抵消在其它機制中的有害波。例如，該抵消單元可形成 其它形狀的多孔環(huán)狀管、其它形狀的環(huán)狀實心管，等等。在另一示 例中，該4氐消單元可定義不同的曲率半徑，該曲率半徑小于該基本 單元的曲率半徑并4立于其內(nèi)，該曲率半徑可為常^t或可沿其纟從軸變
133化，等等。在另一示例中，該坤氐消單元可^皮設(shè)置為容納該基本單元 的不同部分于其內(nèi)，同時其具有的曲率半徑大于、類似于或小于該 基本單元的曲率半徑。在另一示例中，被定制形狀類似或不同的多 個抵消單元可被設(shè)置在各種設(shè)置中，用于該局部或整體抵消。在所
有這些示例中，該揚聲器22#:該^氐消單元40轉(zhuǎn)化為本發(fā)明的EMC揚 聲器。圖3I的該抵消單元40的其它構(gòu)造和/或操作特征與圖3E及3G
類似或相同。上述在圖3A至3I中例示的以及如上所述的這些抵消單元， 可i殳置為上述任一設(shè)置，且可通過上述任一才幾制4氐消該有害波。因 此，當該^氐消單元基于源匹配運作時，該4氐消單元，其可,皮定制形 狀為與各種揚聲器的一個或多個基本單元類似或相同，可被設(shè)置在
一個或多個基本單元的側(cè)部或者與一個或多個基本單元肩并肩i殳 置，可與一個或多個基本單元軸向、徑向和/或角向排列，可容納一 個或多個基本單元于其內(nèi)，可被一個或多個基本單元容納，可環(huán)繞 一個或多個基本單元，可^皮一個或多個基本單元纏繞，等等?？蛇x 地，7于于波匹配，該^氐消單元，其可一皮定制形狀類似或不同于一個 或多個基本單元，可沿由一個或多個基本單元輻射的有害波的 一個 或多個波前i殳置。另外，可以適當凄t量和/或i殳置應(yīng)用該4氐消單元， 以基于該局部4氐消或整體4氐消來4氐消該有害波。如上所述，各種EMC揚聲器以及該EMC揚聲器的各種抵 消單元的進一步細節(jié)已經(jīng)提供在各種共同待決的申請中， 一個名稱 為'電磁-屏蔽驅(qū)動系統(tǒng)及方法'，申請序列號U.S. S.N. 11/440,135,而 另一個名稱為'反電磁揚聲器系統(tǒng)及方法'，序列號60/ , 。因此，
實現(xiàn)其預期功能同時通過該抵消單元抵消由其馬達輻射的該有害波。
134[315]在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該4氐消單元也可 結(jié)合至各種麥克風，其為這種揚聲器的反例且也具有與該揚聲器的 基本單元類似的各種基本單元，其中該基本單元的示例可包招K旦并 不限于電磁鐵、永磁體、不穩(wěn)定電流通過其流動的該麥克風的任何 部件、以及不穩(wěn)、定電壓施加于其上的4壬何部件。因此，包含該EMC 麥克風的任何現(xiàn)有i殳備，例如獨立的麥克風、有線電話、移動電話、 音頻設(shè)備、 一見聽i殳備，以及耳才幾與麥克風的組合可一皮轉(zhuǎn)化為各種 EMC系統(tǒng)例如EMC獨立麥克風、EMC有線或移動電"i舌、EMC音頻 系統(tǒng)、EMC—見聽系統(tǒng)、以及這種EMC組合，其中上述任一構(gòu)造的各 種抵消單元可在上述任一布置和/或設(shè)置中被合并，且可在上述任一 才幾制中^氐消該有害;皮。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該4氐消單元也可 一皮結(jié)合至各種馬達，以4氐消由其基本單元輻射的該有害波，其中該 馬達起到將電能轉(zhuǎn)化為機械能或電動勢的作用，且該馬達的示例也 可包括但并不限于DC馬達、萬用馬達、AC同步馬達、AC感應(yīng)馬達、 線性或步進馬達，等等。因此，包括這些EMC馬達的任何現(xiàn)有i殳備 (或驅(qū)動器)，例如廚房用具(如食品料理機、攪拌器、榨汁器、粉
石f斗幾、混合器、壓榨才幾、洗碗:才幾、電冰箱、冷凍4幾、制水才幾、開罐
器、食品干燥機、冷卻器、籠屜、垃圾壓緊器、垃圾處理器，等等)， 炊具(如電烤爐、電烤箱、電爐、電灶、電烤面包箱、電烤面包爐、 其電風扇、咖啡壺、濃咖啡才幾、力。熱并瓦，等等)，家用電器(如洗衣 機、干衣機、空調(diào)器、開車庫門裝置、干或濕的真空吸塵器，等等)，
工具(如電鉆、電鋸、電動粉石爭才幾、電動改錐、電動射4丁槍、電動
打釘槍、電動砂光機、電動粉碎機等等)，和/或個人衛(wèi)生設(shè)備(如
電動牙刷、電動剃刀、電吹風，等等)都可被轉(zhuǎn)化為各種EMC系統(tǒng)， 例如EMC嚴f房用具、EMC炊具、EMC家用電器、EMC工具、EMC 衛(wèi)生系統(tǒng)等等。大體上，該DC馬達包4舌具有至少一個7Jof茲體的至少 一個定子以及具有至少一個電^茲4失的至少一個4爭子，該萬用馬達包4舌具有至少一個電^茲4失的至少一個定子以及具有至少一個電^茲4失的 至少一個轉(zhuǎn)子，該同步AC馬達包4舌具有至少一個電f茲4失的至少一個 定子以及具有至少一個永^茲體的轉(zhuǎn)子于其內(nèi)，感應(yīng)AC馬達包括具有 至少一個電f茲4失的至少一個定子以及具有至少一個電導體的至少一 個轉(zhuǎn)子，線性馬達包括具有至少一個電磁鐵的至少一個定子以及具 有至少一個永^茲體的至少一個轉(zhuǎn)子于其中，等等。因此，該馬達的 基本單元可包括該轉(zhuǎn)子、定子、永i茲體、不穩(wěn)定電流在其內(nèi)流動的 任何馬達部件、不穩(wěn)定電壓施加其上的任何該部件，等等。圖4A至 4F顯示，根據(jù)本發(fā)明，結(jié)合至具有各種基本單元的馬達的示例性抵 消單元的立體示意圖，其中圖4A至4C例示了結(jié)合至該馬達的現(xiàn)有轉(zhuǎn) 子的各種抵消單元，而圖4D至4F描述了結(jié)合至該馬達的各種傳統(tǒng)定 子的各種^氐消單元。應(yīng)當注意，在圖4A至4C中省略了該定子的詳細 構(gòu)造而^f又包括定子，以及在圖4D至4F中省略了匹配的轉(zhuǎn)子，兩者均 是為了簡化圖解。因此，應(yīng)當注意，在所有這些附圖中均省略了可 發(fā)射有害波的該馬達的其它導體、半導體和/或絕緣部件，且必要時， 通過訴諸如上所述的任何抵消單元，這些部件可被恰當?shù)氐窒?。?樣應(yīng)當注意在圖4A至4F中，設(shè)置各種馬達和其抵消單元以便在其周 圍、在該馬達前面(即附圖上方)或其后面(即附圖下方)定義該 目標區(qū)。進一步應(yīng)當注意的是，本實施例的各種抵消單元的細節(jié)已 經(jīng)揭示于名稱為'反電》茲驅(qū)動系統(tǒng)及方法'的共同待決申請U.S.S.N.在一個示例圖4A中，馬達24包括轉(zhuǎn)子單元25和定子單元 26,其中該壽爭子單元25可"走轉(zhuǎn)地:沒置在該定子單元26內(nèi)部或者凈皮該 定子單元26容納。該轉(zhuǎn)子單元25包括電磁鐵的單個內(nèi)部基本轉(zhuǎn)子 25N，而該定子單元26包括永f茲體的單個內(nèi)部基本定子26N。如本領(lǐng) 域所公知，當源電流在其內(nèi)流動時，該基本轉(zhuǎn)子25N定義動態(tài)磁場， 且介于該基本轉(zhuǎn)子25的動態(tài)磁場與該基本定子26N的靜態(tài)磁場之間 的交互作用使得該轉(zhuǎn)子單元25以順時針或反時針方向旋轉(zhuǎn)，同時改變流向該基本4爭子25N的源電流的方向，以維持該壽爭子單元25每隔 lSO。4t轉(zhuǎn)。在其44轉(zhuǎn)過程中，當源電流在其內(nèi)流動時，該轉(zhuǎn)子單元 25輻射有害波，而該定子單元26接收并接著傳輸該有害波，同時根 據(jù)該有害波的^L性影響該有害波的傳插^各徑。在上下文中，該轉(zhuǎn)子 和定子單元25、 26兩者，或者更具體地說，該基本轉(zhuǎn)子和定子25N、 26N對于該馬達24起到基本單元的作用。為了抵消由該基本單元 25N、 26N輻射的有害波，至少一個抵消單元40優(yōu)選與該馬達25的基 本單元25N、 26N成預定關(guān)系i殳置。在本示例中，該坤氐消單元40包括 一對外部反向轉(zhuǎn)子25U和可選的外部定子26U,其中每個該反向轉(zhuǎn)子 25U為與該基本轉(zhuǎn)子25N的電》茲4失類似的另 一 電f茲4失，且其中該反向 定子26U為與該基本定子26N的永》茲體類似的另一永磁體。在上下文 中，該反向轉(zhuǎn)子25U對該源匹配起作用。更具體地說，該反向轉(zhuǎn)子 25U設(shè)置在該基本轉(zhuǎn)子25N側(cè)部，并傾向于鄰接該基本轉(zhuǎn)子25N的相 同磁極。另外，該反向元件25U與該基本轉(zhuǎn)子25N機械耦合，以便在 該轉(zhuǎn)子單元25旋轉(zhuǎn)過程中，保持上述側(cè)部設(shè)置以及鄰接方向。因此， 該反向轉(zhuǎn)子25U可發(fā)射與該有害波一致的反波且該反波定義的相位 角至少部分與該有害波的相4立角相反，由此匹配并4氐消在目標區(qū)內(nèi) 的該有害波。類似于該反向轉(zhuǎn)子25U，該反向定子26U設(shè)置在該基本 定子26N的側(cè)部并與其同心設(shè)置，且鄰接該基本定子26N的相同^茲 極。因此，該反向定子25N可發(fā)射與該有害波一致的這種反波，且 該反波同才羊定義相4立角至少部分與該有害波的相4立角相反，由此匹 配并4氐消在目標區(qū)內(nèi)的該有害波。由于該反向4爭子25U和定子26U 兩者4氐消由該基本轉(zhuǎn)子25N和定子26N輻射的有害波，該EMC馬達 24有效地減低來自該基本單元25N、 26N的有害波輻射。在另一示例圖4B中，類似地，馬達24包括轉(zhuǎn)子單元25和定 子單元26,其中該轉(zhuǎn)子單元25可旋轉(zhuǎn)的i殳置在該定子單元26內(nèi)部或 凈皮該定子單元26容納。該定子單元26包4舌兩個外部基本定子26U， 其為永磁體或電磁鐵，設(shè)置在該轉(zhuǎn)子單元25的相對的側(cè)部，且被設(shè)置為定義相同的磁極性。該轉(zhuǎn)子單元25包括電磁鐵的一對內(nèi)部轉(zhuǎn)子 25N,其定義相同的形狀和尺寸，并相對于該轉(zhuǎn)子單元25的旋轉(zhuǎn)軸 對稱設(shè)置，且以相同磁極彼此鄰接。在上下文中，該轉(zhuǎn)子單元25優(yōu) 先對源匹配起作用。這些內(nèi)部專爭子25N可以各種方式解釋。例如， 一個該內(nèi)部轉(zhuǎn)子25N可祐^見為起到基本專爭子的作用，而另一個^皮i殳 置為起到反向轉(zhuǎn)子的作用。因此， 一個該轉(zhuǎn)子25N輻射有害波，而 另 一個發(fā)射與該有害波一致的反波，該反波具有至少部分與該有害 波的相位角相反的相位角，且由此4氐消在目標區(qū)內(nèi)的該有害波。在 另一示例中，這兩個內(nèi)部轉(zhuǎn)子25N可凈皮一見為基本(或反向)轉(zhuǎn)子， 其輻射該有害波-f旦同樣^皮i殳置為通過消滅由另 一個輻射的該有害波 和/或抑制該有害波向外傳播而4皮此合作。容納該內(nèi)部轉(zhuǎn)子25N的該 定子單元26, 4妄收并傳輸通過的有害波，同時4艮據(jù)該有害波的才及性 影響該有害波的傳播路徑。若需要，也可在該內(nèi)部轉(zhuǎn)子25N之間和/ 或圍繞該外部定子26U結(jié)合額外的定子單元，用以4氏消通過該外部 定子26U傳播的有害波。圖4B的馬達24的進一步的構(gòu)造和/或纟乘作特 征與圖4A的馬達類似或相同。在另一示例圖4C中，類似地，馬達24包括轉(zhuǎn)子單元25和定 子單元26,其中該轉(zhuǎn)子單元25可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在該定子單元26內(nèi)部或 被其容納。該轉(zhuǎn)子和定子單元25、 26中的每一個與圖4A中的類似， 從而，內(nèi)部轉(zhuǎn)子25N起到基本轉(zhuǎn)子的作用， 一對外部轉(zhuǎn)子25U起到反 向轉(zhuǎn)子的作用， 一對內(nèi)部定子26N起到基本定子的作用，以及可選 的一對外部定子26U起到反向定子的作用。然而應(yīng)當注意，每個內(nèi) 部定子26N定義一對異性才及(opposite pole )，同時通過異性4及與該 內(nèi)部轉(zhuǎn)子25N的相鄰才及鄰4妄。因此，該外部轉(zhuǎn)子25U與該內(nèi)部定子 26N的另 一極(其同樣與該外部轉(zhuǎn)子25U的相鄰極相反)鄰接。該設(shè) 置可對于抵消有害波更加有效，但可反過來降低產(chǎn)生電動勢的效率。 圖4C的馬達24的其它構(gòu)造和/或操作特征可與圖4A及4B的馬達類似 或相同。[3S0]在另一示例圖4D中，馬達24包括轉(zhuǎn)子單元(未包括在本圖 中)和定子單元26,其中該定子單元26包括兩套定子26N、 26U，且 其中上述任一轉(zhuǎn)子單元及在上述共同待決的申請中揭示的其它轉(zhuǎn)子 單元可與該定子單元26結(jié)合^f吏用。更具體地i兌，第一套定子單元26 包括一對C-形內(nèi)部定子26N，而第二套定子單元26包括另一對較大 的C-形外部定子26U。另夕卜，該內(nèi)部和外部定子26N、26U的每對(即， 右邊的一^j"和左邊的一對)^皮:沒置為^皮此物理鄰纟矣并通過其異性^L 彼此石茲性鄰接。因此，該定子26N、 26U之一可抵消穿過另一個傳輸 的有害波。在本實施例中，各種轉(zhuǎn)子單元可被設(shè)置在該內(nèi)部定子26N 內(nèi)部、該內(nèi)部和外部定子26N、 26U之間、該外部定子26U外部，等 等。因此，特定的定子是充當基本定子還是反向定子，可耳又決于該 基本和/或反向轉(zhuǎn)子的布置。圖4D的馬達24的其它構(gòu)造和/或操作特 征可與圖4A至4C的馬達類似或相同。在另一示例圖4E中，另一馬達24具有轉(zhuǎn)子單元(未包括在 本附圖中)和定子單元26,其中該定子單元26包括兩套定子26N、 26U，且其中上述任一轉(zhuǎn)子單元與上述共同待決申請揭示的其它轉(zhuǎn) 子單元可與該定子單元26結(jié)合4吏用。更具體地i兌，第一套定子單元 26包括成角度地圍繞該轉(zhuǎn)子單元的軸方向i殳置的四個相同的內(nèi)部定 子26N于其內(nèi)，而第二套定子單元26包括一對較大的C-形外部定子 26U。與圖4D類似，本實施例的該定子單元26可包4舌在該內(nèi)部定子 26N內(nèi)部、介于該內(nèi)部和外部定子26N、 26U之間，和/或在該外部定 子26U外部的各種轉(zhuǎn)子單元。因此，特定的定子充當基本定子還是 反向定子可取決于該基本和/或反向轉(zhuǎn)子的布置。圖4E的馬達24的進 一步的構(gòu)造和/或才乘作特征與圖4A至4D的馬達類似或相同。在另一示例圖4F中，另一馬達24具有轉(zhuǎn)子單元(未含在該 圖中)和定子單元26，其中該定子單元26包括尺寸相同或類似的一 對C-形定子26L、 26R。更具體地說，左邊定子26L和右邊定子26R的每一個橫跨約270?；虺^270。。另外，該定子26L、 26R以同心設(shè) 置，同時其間隙不重合，以《更該定子26L、 26R沿該定子單元26的大
多數(shù)側(cè)部彼此交叉。圖4F的馬達24的其它構(gòu)造和/或操作特征可與圖 4A至4E的馬達類似、或相同。如上所述，在名稱為'反電磁驅(qū)動系統(tǒng)及方法'，序列號U.S. S. N. 60/ ，？？？的共同待決申請中提供了各種EMC馬達以及用于該 EMC馬達的各種抵消單元的轉(zhuǎn)子和定子單元的進一步的細節(jié)。因
能，同時通過該抵消單元抵消其馬達輻射的有害波的EMC系統(tǒng)。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該4氐消單元也可 結(jié)合至各種電動發(fā)電機，其為該馬達的反例，且其包括與該馬達的 基本單元類似的各種基本單元，其中該基本單元的示例可包括但并 不限于電磁鐵、永磁體、不穩(wěn)定電流流經(jīng)的該發(fā)電機的任意部件、 不穩(wěn)定電壓施加于其上的該發(fā)電機的任意部件，等等。因此，包括 該EMC發(fā)電才幾的任何傳統(tǒng)i殳備，例如AC發(fā)電才幾、DC發(fā)電才幾、和(汽 車)交流發(fā)電機，可被轉(zhuǎn)化為EMC系統(tǒng)，例如EMCAC發(fā)電機、EMC DC發(fā)電機、EMC交流發(fā)電機等等，其中任意這種構(gòu)造的各種抵消 單元可被結(jié)合在任意該布置和/或設(shè)置中，且可在上述任意機制中抵 消i亥有害波。在本發(fā)明該方面的另 一示例性實施例中，該4氐消單元也可 被結(jié)合至各種加熱單元，用以抵消由其基本單元輻射的該有害波， 其中該種加熱單元的作用為將電能轉(zhuǎn)化為熱量(或熱能)，接著通過 熱傳導、對流和/或輻射將熱量傳遞給4吏用者，且其中該加熱單元的 示例可包4^f旦并不限于電阻絲、電阻條、電阻線圏、電阻螺線管、 電阻螺旋管、電阻板，等等。因此，任何現(xiàn)有加熱設(shè)備包括例如以 下的該加熱單元個人供熱設(shè)備(如電床墊、電席子、電熱毯、電 熱墊，等等)，烹飪用具(如電烤爐、電烤箱、電爐或電灶、電烤面包箱、電烤面包爐、咖啡壺、濃咖啡才幾、力口熱并瓦，等等)，美容用具 (如電吹風、臨時巻發(fā)器、巻發(fā)器、蒸發(fā)器，等等)，可被轉(zhuǎn)化為這
種EMC個人加熱系統(tǒng)、EMC烹飪系統(tǒng)、EMC美容系統(tǒng)、等等。大體
在固定或可變位置的其他部件，用于將其他器件絕緣的部件，等等。 因此，該加熱單元的基本單元可包括該電阻部件、不穩(wěn)、定電流流過 的該加熱單元的任何部件、不穩(wěn)定電壓施加于其上的任何部件、能 夠影響由該加熱單元的其j也部件輻射有害波傳^^各徑的^壬〗可該種部 件，等等。圖5A至5H顯示，根據(jù)本發(fā)明，結(jié)合至具有各種基本單元 的加熱單元的示例性^氐消單元的立體示例圖，其中圖5A至5C例示了
分別結(jié)合至傳統(tǒng)線狀、條狀或板狀加熱單元的各種抵消單元，而圖 5D至5H描述了結(jié)合至各種傳統(tǒng)線圈型加熱單元的各種抵消單元。應(yīng) 當注意，在這些附圖中，各種加熱單元僅包括各種電阻器件和針對 其的抵消單元，且為了簡化圖解，其中省略了該加熱單元的其他部 件。因此，在這些附圖中，省略了可發(fā)射有害波的該加熱單元的其 他導體、半導體，和/或絕舌彖體部件，且當必要時，通過訴諸如上所 述的任意該抵消單元，可恰當?shù)氐窒摲N部件。同樣應(yīng)當注意，在 圖5A至5H中，為了在其周圍，3口在該加熱單元前部(即在該才反上方)、 在其后部(即在該板下方)、在其上部(即圖的上方)等等，形成該 目標區(qū)，i殳置該加熱單元的各種基本單元和4氐消單元。同樣應(yīng)當注 意，本實施例的各種抵消單元的細節(jié)揭示于名稱為'電磁屏蔽熱量產(chǎn) 生系統(tǒng)及方法'的共同待決申請U.S. S.N. 11/289,693中。在一個示例圖5A中，加熱單元28包括至少一個電阻器件和 抵消單元40，在該處該電阻器件形成為電阻絲或電阻桿2SW,當電 流在其內(nèi)流動時，其能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為熱量，同時輻射有害波，且 在該處該電阻絲或桿28W起到該加熱單元28的基本單元的作用。為 了抵消由該基本單元28W輻射的有害波，該抵消單元40被提供為以 預定方向成螺旋形纏繞在該加熱單元28的基本單元28W上的線圈。在上下文中，該4氐消單元40優(yōu)選對該波匹配起作用。尤其是，該4氐 消單元40將該基本單元28W同心地容納在其中心，并相對于該基本 單元28W對稱。另夕卜，將電流/人相反方向供應(yīng)至該基本和4氐消單元 28W、 40。因此，該4氐消單元40發(fā)射的反波與該有害波一致且限定 相^立角至少部分與該有害波的相^f立角相反，由此通過該反波的波前 匹配該有害波的波前來^氐消目標區(qū)的該有害波。盡管表面上看與傳 統(tǒng)的同軸線纜類似，本示例的加熱單元28在許多主要方面與其不同。 首先，與多個傳導元件同心i殳置其內(nèi)的同軸線纜相反，該加熱單元 28包4舌電阻絲或^干28W，其定義有限電阻，且當電流流經(jīng)其內(nèi)時產(chǎn) 生熱量。第二，該加熱單元28包括4氏消單元40,其容納稀疏-沒置的 該基本單元28W,換句話說，該抵消單元40可形成多個開口或間隙
28W的特征尺寸。因此，該抵消單元40可用更少量的電阻材料以較 低的成本得到。應(yīng)當注意，在本示例中，該抵消單元40可由導電材 料制成和/或包括導電材料，或者該抵消單元40本身可由該電阻材料 制成和/或包括該電阻材料，并起到另一電阻器件的作用。還應(yīng)當注 意，該4氏消單元40可以<壬<可方向纏繞該基本單元28,直到供應(yīng)至其 上的電流與供應(yīng)至該電阻絲(或桿)28W的源電流方向相反?？梢?理角罕，在本示例中，該加熱單元40可在其長度周圍定義該目標區(qū)。在另 一示例圖5B中，力口熱單元28類似地包括至少一個電阻 器件和至少一個4氐消單元40，其中該電阻器件形狀為電阻條28t,當 電流流經(jīng)其內(nèi)時，其能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為熱量，同時輻射該有害波， 且其中該^氐消單元40#皮4是供為由傳導或電阻材料構(gòu)成的另 一線圈。 與圖5A類似，該^氐消單元40可沿<壬4可方向纏繞并形成多個間隙或開 口。需要時，該線圈40也可^皮壓縮形成橢圓形^黃截面，并傾向于沿 其長軸容納該電阻條28t的寬或高，用以更好的接近(approximate) 該基本單元28t的形狀。圖5B的加熱單元28的其他構(gòu)造和/或操作特 ^正與圖5A的加熱單元類似或相同。
142[W8]在另一示例圖5C中，加熱單元28類似地包括至少一個電阻 器件和至少 一個4氐消單元40,其中該電阻器件定義為電阻^反28H, 當電流流經(jīng)其內(nèi)時，其能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為熱量，同時輻射該有害波， 且其中該抵消單元40形成由傳導或電阻材料構(gòu)成的另 一板。尤其是， 該抵消單元40平行于該基本單元28H,并以與其預定距離設(shè)置，以 1"更該4氐消單元40對形狀匹配起作用。因此，該4氐消單元40發(fā)射的反 波與該有害波一至丈，并定義相4立角至少部分與該有害波的相^f立角相 反，由此能夠通過該反波抵消目標區(qū)內(nèi)的該有害波。應(yīng)當注意，在 該基本單元28H的哪側(cè)定義該目標區(qū)，可決定施加至該一氏消單元40 的電流的波幅。當該目標區(qū)一皮形成在該加熱單元28前部(或在該才反 的上方)時，該抵消單元40發(fā)射的反波的波幅大于該有害波的波幅， 由此抵消與從該基本單元28H的距離相比更大的距離處的有害波。 當該目標區(qū)被定義在該加熱單元28的后部(或者在該一反下方)時， 該^氐消單元40發(fā)射的反波的波幅小于該有害波的波幅，由此4氐消與 從該基本單元28H的距離相比更短的距離處的有害波。當該目標區(qū) —皮定義在該加熱單元28的上方時，該4氐消單元40發(fā)射的反波的波幅 與該有害波的波幅類似，由此抵消與從該基本單元28H的距離相比 類似距離處的該波。圖5C的加熱單元28的其他構(gòu)造和/或4乘作特征與 圖5A及5B的加熱單元類似或相同。在另 一示例圖5D中，加熱單元28類似地包括至少一個電阻 器件和至少一個4氐消單元40,其中該電阻器件形成為電阻線圈28C， 當電流流經(jīng)其內(nèi)時，其能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為熱量，同時輻射該有害波， 且其中該電阻線圈28C起到該加熱單元28的基本單元的作用。為了 抵消由該基本單元28C輻射的有害波，該抵消單元40被提供為桿或 線狀，其凈皮i殳置在該加熱線圏28C內(nèi)部，并與該線圈28C的中心一致。 在上下文中，該4氐消單元40優(yōu)選對波匹配起作用。尤其是，該4氐消 單元40^皮該基本單元28W容納在其中心，并相對于該基本單元28W 對稱。另外，電流^皮乂人相反方向施加至該基本和4氐消單元28W、 40。因此，該4氐消單元40發(fā)射的反波與該有害波一致并定義相位角至少
部分與該有害波的相4立角相反，由此通過將該反波的波前與該有害 波的波前匹配，4氐消目標區(qū)的該有害波。盡管表面看上去類似于傳
統(tǒng)的同軸線纜，與如圖5A描述的類似，本示例的該加熱單元28在幾 個主要方面與其不同。在本示例中應(yīng)當注意，該^氐消單元40也可由 導電材料構(gòu)成和/或包括導電材沖+ ，或者該4氏消單元40本身也可由電 阻材料構(gòu)成和/或包括該電阻材料，并起到另一電阻器件的作用。同 才羊應(yīng)當注意，該4氐消單元40可/人4壬<可方向纏繞該基本單元28，直到 從與該源電流施加至該電阻線圈28C的方向相反的方向施加電流至 該基本單元。應(yīng)當注意，在本示例中，本示例的加熱單元40可在其 長度周圍定義目標區(qū)。本示例的該加熱單元28的其4也構(gòu)造和/或才乘作 特4正與圖5A至5C的加熱單元類似、或相同。在另一示例圖5E中，加熱單元28類似地包括至少一個電阻 器件和至少 一 個^氐消單元4 0 ，其中該電阻器件;故定義為電阻線圏 28C，當電流流經(jīng)其內(nèi)時，其能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為熱量，同時輻射該
一線圈，從而使該抵消單元40優(yōu)選的對波匹配起作用。尤其是，該 抵消單元40平行于該基本單元28C,還設(shè)置在與該基本單元28C預定 3巨離處。因此，該4氐消單元40發(fā)射的反波與該有害波一致并定義相 4立角至少部分與該有害波的相4立角相反，由此能夠4氐消目標區(qū)的該 有害波。應(yīng)當注意，施加至該4氐消單元40的電流的波幅可取決于該 目標區(qū)— 皮定義在該基本單元28H的哪側(cè)。當該目標區(qū)#:形成在該力口 熱單元28的前部或在該板上方時，該抵消單元40發(fā)射的反波的波幅 大于該有害波的波幅，由此4氐消與^U亥基本單元28H的距離相比更 遠3巨離處的有害波。當該目標區(qū)一皮定義在該加熱單元28的后部(或 在該板下方)時，該抵消單元40發(fā)射的反波的波幅小于該有害波的 波幅，由此抵消與從該基本單元28H的距離相比更近處的有害波。 當該目標區(qū)#皮形成在該加熱單元28上方時，該#氐消單元40發(fā)射的反波的波幅類似于該有害波的波幅，由此4氐消與乂人該基本單元28H的 距離相比類似距離處的該波。圖5E的加熱單元28的其他構(gòu)造和/或操 作特征與圖5A至5D的加熱單元類似或相同。在另一示例圖5F及5G中，每個加熱單元28具有至少一個電 阻器件和至少一個4氐消單元40,其中該電阻器件-故定義為電阻線圏 28C,當電流流經(jīng)其內(nèi)時，其能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為熱量，同時輻射該 有害波，且其中該抵消單元40被提供為設(shè)置在該基本單元28C內(nèi)部 的由傳導或電阻材料構(gòu)成的另一線圏。因此，該抵消單元40優(yōu)選對 源匹配起作用。尤其是，該抵消單元40平行于該基本單元28C的中 心，且發(fā)射的反波與該有害波一致并定義相位角至少部分與該有害 波的相位角相反，由此4氐消在該目標區(qū)內(nèi)的該有害波。應(yīng)當注意， 該抵消單元40可從任何方向纏繞，例如，沿如圖5F的加熱線圏28C 的相同方向或沿與如圖5G的加熱線圈28C的相反方向。在任何一個 示例中，該4氐消單元40定義該目才示區(qū)至少大體上圍繞該加熱單元28。 圖5F及5G的加熱單元28的其他構(gòu)造和/或操作特征與圖5A至5E的加
熱單元類似、或相同。在另一示例圖5H中，加熱單元28同樣包括至少一個電阻器 件和至少 一個抵消單元40,其中該電阻器件被定義為電阻線圈28C, 用以當電流流經(jīng)其內(nèi)時，將電能轉(zhuǎn)換為熱量，同時輻射有害波，且 其中該^氐消單元4(H皮才是供為與該電阻線圈28C—起纏繞的、由傳導 或電阻材料構(gòu)成的另 一線圏，從而使該電阻線圏和4氐消線圈28C、 40在該加熱單元28的每個螺^巨^皮此間隔。在上下文中，該4氐消單元 40對該源匹配起作用。尤其是，該抵消單元40與該基本單元28<:的 中心線平行，相對于該電阻線圈28C對稱設(shè)置，且發(fā)射的反波與該 有害波一致且具有的相^f立角至少部分與該有害波的相^立角相反'由 此4氐消在目標區(qū)內(nèi)的該有害波。應(yīng)當注意，該4氐消單元40可與該力口 熱線圈28C以相同方向纏繞，同時定義該目標區(qū)至少大體上圍繞該
145力口熱單元28。圖5H的加熱單元28H的其4也構(gòu)造和/或梯:作特;f正與圖5A 至5G的加熱單元類似或相同。如上所述，各種EMC加熱單元的4氏消單元的進一步的細節(jié) 提供在名稱為'電f茲屏蔽的熱量產(chǎn)生系統(tǒng)和方法'，序列號U.S.S.N. 11/289,693的共同^f寺決申i青中。因此，具有該EMC加熱單元的任4可 現(xiàn)有設(shè)備可被轉(zhuǎn)化為能夠執(zhí)行所需加熱功能同時通過該抵消單元抵 消由其電阻加熱器件輻射的有害波的EMC系統(tǒng)。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該4氐消單元也可 被結(jié)合至各種變壓器，其包括至少兩個^皮此^茲耦合的線圏于其內(nèi)， 其中該變壓器的基本單元的示例可包括但并不限于電磁鐵、可由鐵 不茲性、鐵淦氧不茲、和/或抗f茲性材津牛構(gòu)成和/或包括上述材料的插入物、 不穩(wěn)定電流流經(jīng)的該變壓器的任何部件、不穩(wěn)定電壓施加于其上的 該變壓器的任何部件，等等。因此，包括該EMC變壓器的任何現(xiàn)有 設(shè)備，例如升壓變壓器、降壓變壓器，和各種電子設(shè)備的AC/DC適 配器可凈皮轉(zhuǎn)化為該EMC變壓器系統(tǒng)和EMC適配器系統(tǒng)，其中具有上 述任一構(gòu)造的各種抵消單元可以任一該布置和/或i殳置結(jié)合至其上， 且可以上述4壬一4幾制^氐消該有害波。應(yīng)當注意，該EMC變壓器可包 ，括與圖5D至5H的結(jié)合揭示的 一個或多個該4氐消單元，因為這些圖中 的基本單元本質(zhì)是具有下述告見定的線圈該4氐消單元可由電導體而 非電阻加熱器構(gòu)成和/或包才舌電導體而非電阻加熱器。類合乂;也，揭示 于名稱為'電》茲屏蔽的熱量產(chǎn)生系統(tǒng)和方法'，序列號U.S.S.N. 11/289，693的共同待決申請中的各種抵消單元可進一步結(jié)合至具有 類似規(guī)定的該EMC系統(tǒng)該抵消單元由傳導器件而非電阻材料構(gòu)成 和/或包括該傳導器件而非電阻材料。在本發(fā)明該方面的另一示例性實施例中，該4氐消單元也可 結(jié)合至各種光發(fā)射單元，用以抵消由其基本單元輻射的有害波，其 中這些發(fā)光單元的作用是將電能轉(zhuǎn)換為可見光線、紫外線和/或紅外
146線，且其中該發(fā)光單元的示例可包括K旦并不限于白熾燈、包^舌CCFL (即，冷陰^l熒光燈)以及EEFL (即，外電極熒光燈)的熒光燈、 CRT(即，陰極射線管狀)、LED(即，發(fā)光設(shè)備)、OLED(即，有 機發(fā)光設(shè)備)、IOLED以及ILED (即，無機發(fā)光設(shè)備)、PDP (即， 等離子顯示面板)、以及其他任何能夠發(fā)射該光線的設(shè)備。因此，該 發(fā)光單元的基本單元可包括將電能轉(zhuǎn)換為該光線的光發(fā)射元件、不 穩(wěn)定電流流經(jīng)的該發(fā)光單元的任^T部件、不穩(wěn)定電壓施加于其上的 該發(fā)光單元的任何部件，等等。因此，這些現(xiàn)有^殳備中的任一個可 被轉(zhuǎn)化為該EMC發(fā)光單元，其中每個包括至少一個上述發(fā)光單元和 至少一個該4氏消單元，其中上述4壬一構(gòu)造的各種^氐消單元可以上述 任一布置和/或設(shè)置結(jié)合至其上，且可以上述任一4幾制4氐消該有害 波。在本發(fā)明的另 一方面，上述任一EMC系統(tǒng)可包括至少一個 電屏蔽和/或^茲屏蔽。在一個示例中，該電和/或石茲屏蔽(此后分別#皮
稱為'ES'和'MS')可被結(jié)合至該EMC系統(tǒng)的各部分內(nèi)、其表面、其上 方或下方。在另一示例中，該ES和/或MS也可如上^皮實現(xiàn)，且也用 于與上述任一4氐消單元結(jié)合。大體而言，該ES可由至少一個導電材 料構(gòu)成和/或包括至少一個導電材料，從而使該有害波的電波被吸 收，且沿其改變^各線。需要時，該ES也可接地乂人而佳J皮吸收和改變 ;洛線的電波從那里#皮消除。該MS可由至少 一 個導石茲的^各4圣
(permeable path )構(gòu)件構(gòu)成和/或包括至少一個導石茲的鴻-徑構(gòu)件，其 能夠吸收該有害波的磁波，接著將該磁波沿其改變路徑。需要時， 該MS可具有》茲構(gòu)件，其可被》茲耦合至該路徑構(gòu)件并使被吸收并改變 ^各徑的石茲波在該》茲構(gòu)件的至少一個,茲才及內(nèi)終止。該MS可包4舌至少—— 一 個可選的分流構(gòu)件，其也可為導石茲的并屏蔽其》茲構(gòu)4牛，由此限制來
自該磁構(gòu)件的磁場免于距離其較近。該ES和MS的其他細節(jié)已經(jīng)提 供在上述共同待決申請中，例如序列號為11/213 ，703的'分流磁系統(tǒng) 及方法'、序列號為ll/213，686的'石茲-分流系統(tǒng)及方法'、以及序列號為U.S.S.N. 60/723，274的'電磁屏蔽系統(tǒng)及方法'。應(yīng)當注意，這些共同 待決申請的細節(jié)可被修改從而使這些共同待決申請的加熱元件可被 本發(fā)明的各種抵消單元取代，以及該ES和/或MS可^皮結(jié)合至本發(fā)明 的抵消單元，正如ES和/或MS已經(jīng)被結(jié)合至上述共同待決申請的各 種加熱元件。應(yīng)當注意，當該4氐消單元凈皮結(jié)合至本發(fā)明的EMC系統(tǒng) 的各部分，該ES和/或MS也可^C結(jié)合至本發(fā)明的EMC系統(tǒng)的這些部 分。該ES和/或MS可被提供為定義與本發(fā)明的各種4氐消單元 相同或類似的構(gòu)造。該ES和/或MS也可被設(shè)置在該基本單元和/或4氐 消單元內(nèi)、其表面、其上方、其周圍、和/或穿過該基本單元和/或4氐 消單元。該ES和/或MS可具有至少部分與該基本和/或抵消單元相一 致的構(gòu)造，或者作為選4奪，可定義該構(gòu)造至少部分與該ES和/或MS 不同。該MS的^各徑構(gòu)件可定義大于1,000或10,000 、 100,000或 1,000,000的相對》茲導率。該分流構(gòu)件可^皮i殳置為與該,茲構(gòu)件直4妾或 間"l妻4妄角蟲，且定義大于1,000,10,000、 IOO，OOO或1,000,000的才目只t》茲導 率。如上所述或揭示于共同,寺決申"i青中的該ES和/或MS可進一步與 上述任一4氏消單元一起或者不與其一起，被結(jié)合至任一現(xiàn)有設(shè)備， 并定義本發(fā)明的該EMC系統(tǒng)。該ES和/或MS可定義為沿該基本和/ 或4氐消單元的縱軸或短軸^f呆持一致或者沿其變化的構(gòu)造。該ES和/ 或MS的這種構(gòu)造可與該基本和/或4氐消單元的構(gòu)造相同、類似或不 同。該EMC系統(tǒng)可包4舌多個ES和/或MS，其中至少兩個該MS和/或 ES可相同或不同程度J也屏蔽具有相同或不同頻率的^茲波和/或電波。 該ES和/或MS可i史置在該基本和/或一氏消單元的至少部分(或全部) 上方。該EMC系統(tǒng)也可包^"上述^f壬一4氐消單元以及該ES和/或MS的 一個或多個，其中該基本和/或4氐消單元可對AC或DC起4乍用。[339]如上所述，可對本發(fā)明的該EMC系統(tǒng)提供多個防御由該系 統(tǒng)的各種基本單元輻射的有害波的機制。在一個示例中，該抵消單 元可一皮結(jié)合至如上所述的EMC系統(tǒng)的各部分。因此，可以上述任一 構(gòu)造并結(jié)合上述任一布置提供單個或多個抵消單元。在另 一示例中， 該ES和/或MS可凈皮結(jié)合至該EMC系統(tǒng)的各部分，并分別屏蔽該有害 波的電和/或^茲波，其中該ES和/或MS的配置已在上述共同待決申請 中描述。在另一示例中，不4又該4氐消單元而且至少一個該ES和/或 MS可^皮結(jié)合至該EMC系統(tǒng)，乂人而4吏該4氐消單元可4氐消至少部分該 有害波，以及剩余的有害波可一皮該ES和/或MSP及"欠并改變^各徑。圖 6A至6H顯示，根據(jù)本發(fā)明，包括上述抵消單元及MS和/或ES的示例 性揚聲器的立體示例圖。在第 一套示例中，圖6A的線圏-驅(qū)動揚聲器22和圖6B的壓 電揚聲器22與該抵消單元40結(jié)合，根據(jù)上述源匹配，該抵消單元40 定義與該揚聲器22的基本單元的構(gòu)造類似的構(gòu)造。圖6A的抵消單元 40被設(shè)置為比該基本單元大，然而圖6B的抵消單元40被設(shè)置為比該 基本單元小。在該后部設(shè)置中，該抵消單元40也被設(shè)置在該基本單 元的下方，以便該抵消單元40大體上發(fā)射反波，其波幅大于來自該 揚聲器22的基本單元的有害波的波幅。該MS (或ES) ^皮^是供為平 面網(wǎng)狀，其4立于該揚聲器22的基本單元上方，以1更沒有^皮該4氏消單 元40恰當?shù)窒娜魏问Ｓ嘤泻Σ杀黄湮铡⒀仄涓淖兟窂?、以?在那里終止。該MS (或ES)也可使抵消有害波之后剩余的任何剩 余反波:故吸收、改變^^徑、以及終止。在另一套示例中，圖6C的線 圈-馬區(qū)動揚聲器22和圖6D的壓電揚聲器也可與抵消單元^結(jié)合，才艮 據(jù)該波匹配，這些^^氐消單元40沿該有害波的 一個或多個波前設(shè)置， 其中這些4氐消單元40^皮制備為比該基本單元更大或更寬。在該前部 設(shè)置中，該抵消單元40被設(shè)置在該揚聲器22的基本單元上方，以便 該抵消單元40大體上發(fā)射反波，其具有的波幅小于由該揚聲器22的 基本單元產(chǎn)生的有害波的波幅。該MS (或ES)被提供為環(huán)筒狀并在其內(nèi)容納該揚聲器22的至少部分基本單元，以便使剩余的有害波 和/或反波一皮吸收、改變3各徑、以及終止。與圖6A和6B的相反，圖 6C或6D的MS (或ES) 一皮設(shè)置為遠離由該揚聲器22產(chǎn)生的聽得到的 聲音的傳播路徑，以及因此，可以實心構(gòu)造提供。在另一套示例中， 圖6E的線圈-驅(qū)動揚聲器22和圖6F的壓電揚聲器22與該抵消單元40 結(jié)合，如源匹配的情況，該抵消單元40定義與該揚聲器22的基本單 元的構(gòu)造類似的構(gòu)造。圖6E的抵消單元40被提供為比該基本單元 小，而圖6F的^氐消單元一皮制備為比該基本單元大或?qū)挕Ｔ谠摵蟛縤殳 置中，該抵消單元40也被設(shè)置在基本單元下方，從而使該抵消單元 40大體上發(fā)射反波，其波幅大于來自該揚聲器22的基本單元的有害 波的波幅。該MS (或ES)被提供為圓柱形網(wǎng)狀，其圍繞該揚聲器 22的基本單元設(shè)置，以便任何剩余的有害波或反波可被吸收。應(yīng)當注意，才是供4壬一上述4氐消單元，同時^f吏用最少量該電 導體、半導體和/或絕緣材料，同時4吏該抵消單元的體積、尺寸和/ 或重量減至最少。因此，該抵消單元可以最少的材料以最低的成本 制備，且可容易地結(jié)合至該EMC系統(tǒng)的各種位置。同樣應(yīng)當注意， 提供任一上述抵消單元以發(fā)射該反波，同時使用最少量的電能，也 就是說，通過汲耳又最少量的電流或電壓。因此，該^^消單元不僅節(jié) 約能源，而且對該EMC系統(tǒng)的其它部件的操作及其預期功能的影響 最小。另外，本l史的這些要求可使^氏消單元的電阻率減至最低，以 及因此，4吏該4氐消單元之間的電壓減至最小。除非另有指定，本發(fā)明一個方面的一個實施例的各種特4正 可與本發(fā)明相同方面的其〗也實施例和/或本發(fā)明 一個或多個其<也方 面的實施例可交換地應(yīng)用。因此，圖1A至1F以及圖2A至2F的任一 抵消單元可被結(jié)合至圖3A至3I的各種EMC揚聲器系統(tǒng)、至圖4A至4F 的各種EMC馬達系統(tǒng)、至圖5A至5H的各種加熱單元、以及結(jié)合至 此處揭示的沒有隨附附圖的其他EMC系統(tǒng)。另外，用于該EMC揚聲器系統(tǒng)的該4氐消單元可^皮結(jié)合至本發(fā)明的其他EMC系統(tǒng)，用于該 EMC馬達系統(tǒng)的該4氐消單元可凈皮結(jié)合至本發(fā)明的其^f也EMC系統(tǒng)，用 于該EMC加熱單元的該4氐消單元可^f皮應(yīng)用至本發(fā)明的其4也EMC系 統(tǒng)，等等。而且，對該源匹配起作用的任一抵消單元可被轉(zhuǎn)換為對 波匹配起作用，反之亦然，其中該源匹配的抵消單元可沿來自該基 本單元的有害波的一個或多個波前設(shè)置，或者其中該波匹配的抵消 單元可以與該基本單元成預定關(guān)系i殳置或可以與該基本單元類似的 -沒置一皮結(jié)合。另夕卜，在圖6A至6F中例示的、以及揭示于共同待決申 請中的任一ES和/或MS可被結(jié)合至圖1A至5H所揭示的任一抵消單 元。本發(fā)明的各種EMC系統(tǒng)可對AC電源起作用，同時用其4氐 消單元4氐消有害EM波。若需要，該EMC系統(tǒng)也可對該DC電源起作 用，同時類似J也4氐消該有害波。應(yīng)當理解，該系統(tǒng)也可用能夠屏蔽 和/或抵消該有害波的任何傳統(tǒng)樣式。因此，優(yōu)選地，該EMC系統(tǒng)的 任何額外的絲、條、板、片、以及其他部件可一皮編織、束起來、同 心制備或者以其4也方式處理，用以減^f氐有害波輻射。應(yīng)當理解，盡管已經(jīng)結(jié)合具體實施例，對本發(fā)明的各種方 面和/或?qū)嵤├M行了描述，前述描述本意是用于it明而非用于限制 本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求的范圍所定義。其4也 實施例、方面、優(yōu)點和修改同樣落入隨附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，其能夠通過消滅目標區(qū)內(nèi)的有害電磁波和抑制所述波傳播至所述目標區(qū)中至少之一來抵消由其輻射的有害電磁波，其中所述有害波具有小于約1kHz的頻率，以及其中所述目標區(qū)被限定在所述系統(tǒng)與其使用者之間，所述系統(tǒng)包括至少一個波源，其被配置為包括至少一個基本單元，其中所述基本單元被配置為僅包括負責輻射所述有害波以及影響所述有害波在其中的傳播路徑中至少之一的那部分波源，其中所述基本單元被配置為當電流流經(jīng)其內(nèi)以及當電壓施加于其上至少之一時，輻射該有害波；以及至少一個抵消單元，其被配置為定義與該基本單元的構(gòu)造類似的構(gòu)造且被供以電流或電壓至少之一，用以發(fā)射反電磁波，該反電磁波定義的相位角至少部分與所述有害波的相位角相反，其中由于所述構(gòu)造，所述反電磁波進一步被配置為使其波特征與該有害波的波特征匹配，以及因此，由于在所述目標區(qū)的所述波特征以及相位角，抵消所述有害波。
2. 如權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述波源為靜電揚聲器、錐輪傳動 揚聲器、以及壓電揚聲器之一，其中所述靜電揚聲器的基本單 元為至少一個4展動光圏以及i殳置在所述光圏的兩相對側(cè)的至 少兩個電網(wǎng)，其中所述4偉輪傳動揚聲器的基本單元為至少一個 音圈以及》茲耦合至所述音圈的至少 一個永/磁體，以及其中所述 壓電揚聲器的所述基本單元包括至少一個壓電々反以及耦合至 所述壓電— 反的兩相對側(cè)的至少兩個電才及。
3.如權(quán)利要求2的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)為有線電話、無線電話、 耳才幾、頭戴式耳才幾、以及包4舌至少一個所述揚聲器與至少一個 麥克風的組合中的一個。
4. 如—又利要求l的系統(tǒng)，其中所述波源為DC馬達、萬用馬達、 AC同步馬達、AC感應(yīng)馬達以及線性馬達之一，其中每個所 述馬達具有至少一個轉(zhuǎn)子和定子，其中所述DC馬達的所述基 本單元包括所述定子的至少 一個永》茲體以及所述轉(zhuǎn)子的至少定子的至少一個電磁鐵以及用于所述轉(zhuǎn)子的至少一個電》茲鐵，一個電石茲4失以及用于其轉(zhuǎn)子的至少一個永f茲體，其中所述AC用于其轉(zhuǎn)子的至少一個電導體，以及其中所述線性馬達的所述 基本單元包括用于其定子的至少一個電,茲鐵以及用于其轉(zhuǎn)子 的至少 一 個永磁體。
5. 如—又利要求4的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)為電吹風、電動牙刷、電動剃刀、洗碗:才幾、洗衣才幾、干衣4幾、樣"皮烤箱、真空p及塵器、 開在律器、以及電動工具之一。
6. 如權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述波源為加熱元件，且其中所述 波源的所述基本單元為直的電阻絲以及纏繞的電阻絲中至少之一。
7. 如權(quán)利要求6的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)為電吹風、巻發(fā)器、臨時巻發(fā)器、熱氣槍、電熱毯、電床墊、電熱墊、電烤爐、電烤箱、 電火土、以及電纟考面包箱之一。
8. 如權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述構(gòu)造被配置為形狀、尺寸和設(shè) 置中至少之一 ，且其中所述^^氐消單元^皮配置為定義所述形狀、 尺寸和設(shè)置中至少之一且分別與所述基本單元的所述形狀、尺 寸和i殳置中至少之一 類似。
9. 如4又利要求1的系統(tǒng)，其中所述4氐消單元一皮配置為才莫擬單元以 簡化所述基本單元的所述構(gòu)造。
10. 如—又利要求1的系統(tǒng)，其中所述4氐消單元一皮配置為定義向所述 基本單元的所述構(gòu)造提供細節(jié)的模擬單元。
11. 如權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)被配置為包括多個所述抵 消單元，其中至少兩個纟氐消單元^皮配置為與所述基本單元的所 述構(gòu)造類似的設(shè)置。
12. 如權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述抵消單元被配置為位于所述基 本單元和目標區(qū)之間，而后發(fā)射所述反波用于所述消滅和抑制 中至少之一，其中該反波的波幅小于所述有害波的波幅。
13. 如權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中所述有害波定義圍繞所述基本單 元的多個波前，且其中所述抵消單元被配置為沿所述波前的至少一個延伸，所述波前沿^皮配置為長度大于所述基本單元的長度。
14. 如權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述4氐消單元被配置為設(shè)置在所述 目標區(qū)的關(guān)于所述基本單元的相對側(cè)，而后凈皮配置為發(fā)射波幅 大于所述有害波的波幅的所述反波，用于所述消滅和抑制的至 少一個。
15. 如斥又利要求14的系統(tǒng)，其中所述4氐消單元凈皮配置為沿凈皮配置 為小于所述基本單元的長度的長度延伸。
16. —種系統(tǒng)，其能夠通過消滅目標區(qū)內(nèi)的有害電》茲波和抑制所述 波傳#番至所述目標區(qū)中至少之一來4氐消由其輻射的有害電石茲 波，其中所述有害波具有小于約lkHz的頻率，以及其中所述 目標區(qū)被限定在所述系統(tǒng)與其^f吏用者之間，所述系統(tǒng)包括至少一個波源，其一皮配置為包4舌至少一個基本單元，其中 所述基本單元被配置為僅包括負責輻射所述有害波以及影響所述有害波在其中的傳插^各徑中至少之一 的那部分波源，其中 所述基本單元^皮配置為當電流流經(jīng)其內(nèi)以及當電壓施加于其 上的至少一個時，輻射該有害波；以及至少一個4氏消單元，其一皮配置為定義與所述基本單元的構(gòu) 造不同的構(gòu)造，以預定i殳置^皮結(jié)合，且^皮施加電流和電壓至少 之一，用于發(fā)射定義的相位角至少部分與所述有害波的相位角 相反的反電》茲波，其中由于所述設(shè)置，所述反波也被配置為波 特4正與所述有害波的波特征匹配，以及因此，由于在所述目標 區(qū)的所述波特征及相位角，4氐消所述有害波。
17. —種系統(tǒng)，其能夠通過消滅目標區(qū)內(nèi)的有害電》茲波和抑制所述 波傳，播至所述目標區(qū)中至少之一來4氐消由其輻射的有害電石茲波，其中所述有害波具有小于約lkHz的頻率，以及其中所述 目標區(qū)^皮限定在所述系統(tǒng)與其使用者之間，所述系統(tǒng)包4舌至少一個波源，其^皮配置為包括至少一個基本單元，其中 所述基本單元被配置為僅包括負責輻射所述有害波以及影響 所述有害波在其中的傳播路徑中至少之一的那部分波源，其中 所述基本單元^皮配置為當電流流經(jīng)其內(nèi)以及當電壓施力口于其 上的至少一個時，輻射該有害波；以及至少 一個4氏消單元，其^皮配置為4立于沿所述波前的至少一 個設(shè)置并被配置為供應(yīng)電流和電壓至少之一 ，用以發(fā)射具有至 少部分與所述有害波的相位角相反的相位角的反電》茲波，其中所述反電磁波被配置為傳播至所述目標區(qū)，同時由于所述設(shè) 置，圍繞所述4氐消單元定義另外的多個波前，以及因此，由于 在所述目標區(qū)的所述設(shè)置以及所述相位角，4氐消所述有害波。
18. 如權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中所述抵消單元被結(jié)合在與所述基 本單元和目標區(qū)中至少之一具有預定距離的位置，乂人而當i殳置 為比所述基本單元更4妄近所述目標區(qū)時，所述4氐消單元一皮配置 為沿大于所述基本單元的長度的長度延伸，以及當設(shè)置為比所 述基本單元更遠離所述目標區(qū)時，所述抵消單元被配置為沿小 于所述基本單元的長度的另 一長度延伸。
19. 如權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)^皮配置為具有多個所述 抵消單元，其中至少兩個抵消單元被配置為以所述設(shè)置布置， 用以所述消滅和抑制中至少之一。
20.如權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)被配置為具有多個所述4氐消單元，其中每個所述波前被配置為定義曲率半徑，以及其 中至少兩個所述抵消單元被配置為控制所述反電磁波的所述相位角，以致所述至少兩個所述4氐消單元發(fā)射具有相同才iH立角 的反波，用以增大所述反波的所述曲率半徑，以及所述至少兩 個所述^fe消單元發(fā)射具有至少部分相反相位角的反波，用以減 小所述反波的所述曲率半徑。
全文摘要
本發(fā)明涉及反電磁系統(tǒng)的通用抵消單元并涉及通過該抵消單元抵消該有害波的各種結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及通過源匹配或波匹配，用該反波抵消該有害波的各種方法，以及提供該抵消單元和反波的各種方法。本發(fā)明進一步涉及提供該系統(tǒng)、該系統(tǒng)的該抵消單元等等的各種工藝。本發(fā)明涉及的各種電和/或磁場，可單獨應(yīng)用或與該抵消單元結(jié)合應(yīng)用，以使該系統(tǒng)的有害波輻射減至最低。
文檔編號H05K9/00GK101496462SQ200780028422
公開日2009年7月29日 申請日期2007年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月25日
發(fā)明者沈瑛澤 申請人:沈瑛澤