專利名稱：：基板載置臺(tái)及用于其的表面處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及基板載置臺(tái)及用于其的表面處理方法，并特別涉及表面上形成有熱噴涂膜的基板載置臺(tái)及用于其的表面處理方法。
背景技術(shù)：
：在作為基板的晶片上執(zhí)行等離子體處理(諸如蝕刻處理)的基板處理設(shè)備具有在其中收容晶片的收容腔室，以及布置在收容腔室中并在其上載置晶片的載置臺(tái)。在這樣的基板處理設(shè)備中，等離子體在收容腔室中產(chǎn)生，并且晶片受到等離子體的蝕刻處理。載置臺(tái)在其上部中具有由絕緣部件組成的靜電卡盤，在所述絕緣部件中設(shè)有電極板，晶片被載置在靜電卡盤上。當(dāng)晶片受到蝕刻處理時(shí)，DC電壓被施加到電極板上，靜電卡盤通過(guò)由DC電壓產(chǎn)生的庫(kù)侖力或Johnsen-Rahbek力而將晶片吸附于其上。而且，在載置臺(tái)內(nèi)部設(shè)置有冷卻劑腔室。預(yù)定溫度的冷卻劑(例如冷卻水或Galden(注冊(cè)商標(biāo))流體)從冷卻器單元供應(yīng)到冷卻劑腔室中。吸附并保持在靜電卡盤表面上的晶片的處理溫度通過(guò)冷卻劑的溫度而得到控制。傳統(tǒng)上，首先，通過(guò)熱噴涂陶瓷(諸如氧化鋁)而在靜電卡盤的表面上形成熱噴涂膜。然后，使通過(guò)將磨粒壓緊在一起并制成盤狀而獲得的磨石與其上已經(jīng)形成有熱噴涂膜的靜電卡盤的表面接觸。然后旋轉(zhuǎn)磨石并且也平行于其上已經(jīng)形成有熱噴涂膜的靜電卡盤的表面來(lái)移動(dòng)磨石。結(jié)果，靜電卡盤的表面被研磨(即，被處理)。然而，使用傳統(tǒng)方法處理的靜電卡盤在用顯微鏡觀察時(shí)具有粗糙的表面，此外，在靜電卡盤的表面上有微小的起伏。吸附并保持在靜電卡盤上的晶片接觸靜電卡盤的表面，并且因此晶片的溫度取決于晶片和靜電卡盤表面之間的接觸面積。如果靜電卡盤的表面粗糙，則存在這樣的問(wèn)題晶片和靜電卡盤表面之間的接觸面積小，并且因此接觸部分的接觸熱阻變高，并且從靜電卡盤到晶片的熱傳遞效率變差。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明人提出圖9A至9H中示出的靜電卡盤處理方法。在該處理方法中，首先，通過(guò)熱噴涂陶瓷(諸如氧化鋁)而在靜電卡盤42a的表面上形成熱噴涂膜l(圖9A)，并且使通過(guò)將磨粒壓緊在一起并制成盤狀而獲得的磨石2與其上已經(jīng)形成有熱噴涂膜l的靜電卡盤42a的表面接觸(圖9B)。然后旋轉(zhuǎn)磨石2，并且也平行于其上已經(jīng)形成有熱噴涂膜1的靜電卡盤42a的表面來(lái)移動(dòng)磨石2。靜電卡盤42a也繞著圖9C中由交替的長(zhǎng)虛線和短虛線示出的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，結(jié)果，靜電卡盤42a的表面被研磨粗糙(圖9C)。然后，表面上噴涂了其中混合有磨粒和潤(rùn)滑劑的漿料的精磨板3與如圖9D所示已經(jīng)被粗糙研磨的靜電卡盤42a的表面接觸。此時(shí)，負(fù)荷(圖9E中由白色箭頭示出)被施加到精磨板3上，并且靜電卡盤42a繞著圖9E中由交替的長(zhǎng)虛線和短虛線示出的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，使得靜電卡盤42a的表面被研磨平坦(圖9E)。然后，通過(guò)施加負(fù)荷(圖9G中由白色箭頭示出)至具有磨帶5和輥?zhàn)?的帶磨設(shè)備4，使磨帶5與己經(jīng)被研磨平坦的表面(圖9F)接觸，其中磨帶5的表面上涂布并固著有磨粒9，輥?zhàn)?由彈性材料制成。此時(shí)，巻繞在輥?zhàn)?上的磨帶5由帶磨設(shè)備4巻取和巻出，帶磨設(shè)備4平行于靜電卡盤42a的表面移動(dòng)，并且靜電卡盤42a繞著圖9G中由交替的長(zhǎng)虛線和短虛線示出的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)(圖9G)。結(jié)果，可獲得圖9H所示的表面(參見(jiàn)例如日本專利公開(kāi)(Kokai)第2007-258240號(hào))。本發(fā)明的發(fā)明人提出的靜電卡盤42a可增加在晶片W被吸附到靜電卡盤42a的表面上時(shí)晶片W和靜電卡盤42的表面之間的接觸面積，并因此提高晶片W和靜電卡盤42a的表面之間的熱傳遞效率(圖10A)，但具有這樣的問(wèn)題當(dāng)作為等離子體處理的反應(yīng)產(chǎn)物而出現(xiàn)的沉積物或顆粒(例如CF系沉積物D)附著到靜電卡盤42a的表面上時(shí)，晶片W和靜電卡盤42a的表面之間的接觸被沉積物D阻礙，并且晶片W不能吸附到靜電卡盤42a的表面上(圖IOB)。如果晶片W和靜電卡盤42a的表面之間的接觸被沉積物D阻礙，則會(huì)導(dǎo)致晶片W浮在靜電卡盤42a的表面上(圖IOB)，供應(yīng)到晶片W和靜電卡盤42a的表面之間的間隙中的作為熱傳遞氣體的氦氣從該間隙中泄漏。在檢測(cè)到氦氣的泄漏后，基板處理設(shè)備就認(rèn)識(shí)到靜電卡盤42a的吸附不良并停止操作。為了重新開(kāi)始基板處理設(shè)備的操作，有必要進(jìn)行維護(hù)，諸如清潔靜電卡盤42的表面并除去沉積物D，因此存在著基板處理設(shè)備的開(kāi)工率顯著降低的問(wèn)題。該問(wèn)題不僅會(huì)在利用CF系氣體作為處理氣體使氧化物受到蝕刻處理的基板處理設(shè)備中發(fā)生，而且會(huì)在利用大量反應(yīng)產(chǎn)物會(huì)從其產(chǎn)生的處理氣體的所有基板處理設(shè)備中，以及執(zhí)行大量顆粒等會(huì)附著在靜電卡盤上的處理的所有基板處理設(shè)備中發(fā)生。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了基板載置臺(tái)及用于其的表面處理方法，其可防止基板的吸附不良以便提高基板處理設(shè)備的開(kāi)工率。因此，在本發(fā)明的第一方面中，提供了一種基板載置臺(tái)，其布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并具有在其上載置基板的基板載置表面，其中基板載置表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)不小于第一預(yù)定值，并且基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于第二預(yù)定值。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，在其上載置基板的基板載置表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)不小于第一預(yù)定值，并且基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于第二預(yù)定值。因此，基板載置表面具有平滑的頂表面層并在其中形成有谷狀部分。具體地，多個(gè)山狀部分和多個(gè)谷狀部分在基板載置表面的頂表面層中形成，而且各個(gè)山狀部分的頂部被磨掉。因此，在基板載置表面上載置基板不會(huì)引起基板載置表面的頂表面層中山狀部分的頂部的形狀隨著基板處理設(shè)備中的處理的重復(fù)而改變，并且順序地受到處理的基板和基板載置表面之間的接觸面積可保持均一。因此，基板和基板載置表面之間的熱傳遞效率也可以保持均一，并且因此處理過(guò)程中基板處理設(shè)備中基板的處理溫度可恒定地保持均一。而且，當(dāng)由于基板處理設(shè)備中的處理而產(chǎn)生的沉積物附著到基板載置表面上時(shí)，沉積物在基板被載置到基板載置部分上時(shí)被壓到谷狀部分中。因此，基板載置表面和基板之間的接觸不受阻礙，并且因此，即使當(dāng)沉積物附著在基板載置表面上時(shí)，基板載置臺(tái)仍可保持良好的基板吸附力。因此不需要執(zhí)行維護(hù)，諸如清潔基板載置表面和除去沉積物，并且因此基板處理設(shè)備的開(kāi)工率可以得到提高。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中第一預(yù)定值為0.45。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，因?yàn)榛遢d置表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)不小于0.45，所以多個(gè)谷狀部分可以可靠地在基板載置表面的頂表面層中形成。因此，當(dāng)沉積物附著在基板載置表面上時(shí)，沉積物在基板被載置到基板載置部分上時(shí)被可靠地壓到谷狀部分中。因此，可以可靠地防止基板載置表面和基板之間的接觸受到阻礙，并且因此基板載置臺(tái)能可靠地保持良好的基板吸附力。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中第二預(yù)定值為0.35。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，因?yàn)榛遢d置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于0.35，所以基板載置表面的頂表面層能被可靠地平滑化。因此，能可靠地防止基板載置表面的頂表面層中的山狀部分的頂部的形狀發(fā)生改變，并且順序地受到處理的基板和基板載置表面之間的接觸面積能可靠地保持均一。結(jié)果，基板和基板載置表面之間的熱傳遞效率能可靠地且恒定地保持均一。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中基板載置表面的粗糙度曲線偏斜度(Rsk)不大于-1.5。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，基板載置表面的粗糙度曲線偏斜度(Rsk)不小于-1.5。因此，基板和基板載置表面之間的接觸面積可以得到增加，并且因此基板和基板載置表面之間的熱傳遞效率可以得到增加，使得基板的處理溫度可以以良好的響應(yīng)得到控制。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中基板載置表面的粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率(Rmr(-1.5)jm))(relativeloadlengthrate)不小于50%。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，基板載置表面的粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率(Rmr(-1.5pm))不小于50%。因此，基板和基板載置表面之間的實(shí)際接觸面積可以得到增加，并且因此能可靠地提高基板和基板載置表面之間的熱傳遞效率，使得基板的處理溫度可以以良好的響應(yīng)而可靠地得到控制。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中基板載置表面的粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率(Rmr(0.5pm))不小于5%。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率(Rmr(-0.5pm))不小于5%。因此，能可靠地增加基板和基板載置表面之間的實(shí)際接觸面積。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中基板載置表面的最大高度粗糙度(Rz)不小于3。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，因?yàn)榛遢d置表面的最大高度粗糙度(Rz)不小于3，所以谷狀部分能可靠地在基板載置表面中形成。因此，當(dāng)沉積物附著在基板載置表面上時(shí)，沉積物可在基板被載置到基板載置表面上時(shí)被可靠地壓到谷狀部分中。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中通過(guò)將基板載置表面的核心部分高度差(Rk)(corepartleveldifference)和油積存深度(Rvk)(oilreservoirdepth)加在一起而獲得的值不小于2。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，因?yàn)橥ㄟ^(guò)將基板載置表面的核心部分高度差(Rk)和油積存深度(Rvk)加在一起而獲得的值不小于2，所以谷狀部分可滿意地在基板載置表面中形成。因此，當(dāng)沉積物附著在基板載置表面上時(shí)，沉積物可在基板被載置到基板載置表面上時(shí)被可靠地壓到谷狀部分中。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中基板載置表面的算術(shù)平均波紋度(Wa)(arithmeticaveragewave)不小于0.07。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，因?yàn)榛遢d置表面的算術(shù)平均波紋度(Wa)不小于0.07，所以山狀部分和谷狀部分能可靠地在基板載置表面中形成。本發(fā)明的第一方面可提供一種基板載置臺(tái)，其中基板載置表面的最大高度波紋度(Wz)(maximumheightwave)不小于0.4。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，因?yàn)榛遢d置表面的最大高度波紋度(Wz)不小于0.4，所以山狀部分和谷狀部分能滿意地在基板載置表面中形成。因此，在本發(fā)明的第二方面中，提供了一種基板載置臺(tái)，其布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并具有在其上載置基板的基板載置表面，其中基板載置表面具有與基板接觸的多個(gè)突起，并且基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于預(yù)定值。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，具有與基板接觸的多個(gè)突起的基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于預(yù)定值。基板載置表面在其頂表面中具有多個(gè)突起和相鄰?fù)黄鹬g形成的多個(gè)凹部，并且突起的頂部被平滑化。因此，在基板載置表面上載置基板不會(huì)引起基板載置表面的頂表面層中突起的頂部的形狀隨著基板處理設(shè)備中處理的重復(fù)而改變，并且順序地受到處理的基板和基板載置表面之間的接觸面積可恒定地保持均一。因此，基板和基板載置表面之間的熱傳遞效率可恒定地保持均一，并且因此基板處理設(shè)備中基板在處理過(guò)程中的處理溫度可保持均一。而且，當(dāng)由于傳遞處理設(shè)備中的處理而產(chǎn)生的沉積物附著在基板載置表面上時(shí)，沉積物在基板被載置到基板載置表面上時(shí)被壓到凹部中。因此，基板載置表面和基板之間的接觸不受阻礙，并且因此即使當(dāng)沉積物附著到基板載置表面上時(shí)，基板載置臺(tái)仍可保持良好的基板吸附力。因此，不需要執(zhí)行維護(hù)，諸如清潔基板載置表面和除去沉積物，并且因此基板處理設(shè)備的開(kāi)工率可以得到提高。因此，在本發(fā)明的第三方面中，提供了一種用于基板載置臺(tái)的基板載置表面的表面處理方法，所述基板載置臺(tái)布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并且基板被載置在所述基板載置臺(tái)上，所述表面處理方法包括處理基板載置表面使得基板載置表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)不小于第一預(yù)定值的處理步驟；以及對(duì)在所述處理步驟中處理的基板載置表面進(jìn)行處理使得基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于第二預(yù)定值的平滑化步驟。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中第一預(yù)定值為0.45。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中第二預(yù)定值為0.35。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中處理步驟包括平坦化基板載置表面的平坦化步驟，和粗糙化在平坦化步驟中平坦化的基板載置表面的粗糙化步驟。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，因?yàn)榛遢d置表面被平坦化，并且平坦化的基板載置表面被粗糙化，所以基板載置表面的頂表面層可被平坦化，并且谷狀部分可在基板載置表面的頂表面層中形成。因此，基板和基板載置表面之間的實(shí)際接觸面積可以得到增加，并且因此基板和基板載置表面之間的熱傳遞效率可以得到提高。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中在平滑化步驟中，使用從磨帶、精磨板和襯墊中選擇的一個(gè)部件來(lái)執(zhí)行精磨處理，所述磨帶、精磨板和襯墊都涂布有粒徑等于或小于基板載置表面的材料的粒徑的細(xì)微磨粒。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，因?yàn)榫ヌ幚硎鞘褂脧哪?、精磨板和襯墊中選擇的一個(gè)部件來(lái)執(zhí)行的，所述磨帶、精磨板和襯墊都涂布有粒徑等于或小于基板載置表面的材料的粒徑的細(xì)微磨粒，所以基板載置表面的頂表面層能利用便宜的構(gòu)造而被可靠地平滑化。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中在平滑化歩驟中，將硬度比基板載置表面的材料的硬度低的部件壓在基板載置表面上，并滑動(dòng)該部件。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，因?yàn)閷⒂捕缺然遢d置表面的材料的硬度低的部件壓在基板載置表面上并滑動(dòng)該部件，所以基板載置表面的頂表面層可使用便宜的構(gòu)造而被精細(xì)地平滑化。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中在平滑化步驟中，將硬度比基板載置表面的材料的硬度高的部件壓在基板載置表面上，并滑動(dòng)該部件。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，因?yàn)閷⒂捕缺然遢d置表面的材料的硬度高的部件壓在基板載置表面上并滑動(dòng)該部件，所以基板載置表面的頂表面層可使用便宜的構(gòu)造而被快速地平滑化。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中在平滑化步驟中，執(zhí)行將按壓部件重復(fù)地或以預(yù)定壓力壓在基板載置表面上的壓縮處理。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，因?yàn)閳?zhí)行了將按壓部件重復(fù)地或以預(yù)定壓力壓在基板載置表面上的壓縮處理，所以基板載置表面的頂表面層能使用便宜構(gòu)造而被可靠地平滑化。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中基板載置臺(tái)包括靜電卡盤，該靜電卡盤將待處理的基板或部件吸附到其上，并且在平滑化步驟中，將待處理的基板或部件載置在基板載置表面上，并且靜電卡盤將待處理的基板或部件吸附到其上。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，待處理的基板或部件被載置在基板載置臺(tái)的基板載置表面上，該基板載置臺(tái)是靜電卡盤，并且靜電卡盤將待處理的基板或部件吸附到其上。此時(shí)，基板載置表面被待處理的基板或部件擠壓，并且因此接觸待處理的基板或部件的基板載置表面的頂表面層可被平滑化。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中基板載置臺(tái)包括靜電卡盤，該靜電卡盤將待處理的基板或部件吸附到其上，并且在平滑化步驟中，重復(fù)地執(zhí)行加熱歩驟和冷卻步驟，在所述加熱步驟中，將待處理的基板或部件載置在基板載置表面上，并加熱待處理的基板或部件，使得待處理的基板或部件熱膨脹，在所述冷卻步驟中，冷卻待處理的基板或部件使得待處理的基板或部件收縮。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，待處理的基板或部件被載置在基板載置臺(tái)的基板載置表面上，該基板載置臺(tái)是靜電卡盤，并將待處理的基板或部件吸附到其上，并且重復(fù)地執(zhí)行待處理的基板或部件的加熱以及待處理的基板或部件的冷卻。此時(shí)，基板載置表面通過(guò)待處理的基板或部件的熱膨脹和收縮而被研磨，并且因此可精細(xì)地平滑化接觸待處理的基板或部件的基板載置表面的頂表面層。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中在平滑化歩驟中，靜電卡盤還重復(fù)地使待處理的基板或部件附著在其上和從其上脫離。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，靜電卡盤還重復(fù)地使待處理的基板或部件附著在基板載置表面上和從基板載置表面上脫離。此時(shí)，基板載置表面被待處理的基板或部件重復(fù)地?cái)D壓，并且因此接觸待處理的基板或部件的基板載置表面的頂表面層能被可靠地平滑化。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中待處理的基板或部件的硬度比基板載置表面的材料的硬度高。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，待處理的基板或部件的硬度比基板載置表面的材料的硬度高。因此，可以使基板載置表面的頂表面層中的山狀部分的頂部切入到待處理的基板或部件中并受到剪切，并且因此接觸待處理的基板或部件的基板載置表面的頂表面層可被更精細(xì)地平滑化。本發(fā)明的第三方面可提供一種表面處理方法，其中待處理的基板或部件的硬度比基板載置表面的材料的硬度低。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，待處理的基板或部件的硬度比基板載置表面的材料的硬度低。因此，基板載置表面的頂表面層中的山狀部分的頂部可被待處理的基板或部件摩擦，并且因此接觸待處理的基板或部件的基板載置表面的頂表面層可被更快地平滑化。因此，在本發(fā)明的第四方面中，提供了一種用于基板載置臺(tái)的基板載置表面的表面處理方法，所述基板載置臺(tái)布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并且基板被載置在所述基板載置臺(tái)上，所述表面處理方法包括處理基板載置表面使得基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于預(yù)定值的平滑化步驟，其中基板載置表面具有與基板接觸的多個(gè)突起。根據(jù)結(jié)合附圖給出的下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見(jiàn)。圖1是示意性地示出具有根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板載置臺(tái)的基板處理設(shè)備的構(gòu)造的截面圖；圖2A和2B是圖1中示出的部分A的放大圖，其中圖2A示出在基板處理設(shè)備中執(zhí)行等離子體處理前的狀態(tài)，并且圖2B示出在基板處理設(shè)備中已經(jīng)執(zhí)行等離子體處理到一定程度后的狀態(tài)；圖3A至3E是示出靜電卡盤的吸附表面的形狀的測(cè)量結(jié)果的圖，其中圖3A示出靜電卡盤的吸附表面是利用傳統(tǒng)方法處理的實(shí)例，圖3B示出靜電卡盤布置在基板處理設(shè)備內(nèi)，并且等離子體處理已經(jīng)執(zhí)行3000小時(shí)或更多的實(shí)例，圖3C示出靜電卡盤的吸附表面已經(jīng)利用本發(fā)明的發(fā)明人提出的傳統(tǒng)方法被處理的實(shí)例，圖3D示出靜電卡盤的吸附表面已經(jīng)利用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的表面處理方法被處理的實(shí)例，并且圖3E示出靜電卡盤的吸附表面已經(jīng)利用根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的表面處理方法被處理的實(shí)例；圖4A至4F是有助于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的表面處理方法的處理圖，其中圖4A示出熱噴涂步驟，圖4B是圖4A中部分B的放大圖，圖4C示出研磨步驟，圖4D是圖4C中部分D的放大圖，圖4E示出平滑化歩驟，并且圖4F是圖4E中部分F的放大圖；圖5A至5J是有助于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的表面處理方法的處理圖，其中圖5A示出熱噴涂步驟，圖5B是圖5A中部分B的放大圖，圖5C示出研磨步驟，圖5D是圖5C中部分D的放大圖，圖5E示出平坦化步驟，圖5F是圖5E中部分F的放大圖，圖5G示出表面粗糙化步驟，圖5H是圖5G中部分H的放大圖，圖5I示出平滑化步驟，圖5J是圖5I中部分J的放大圖；圖6A至6D是有助于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的表面處理方法的處理圖，其中圖6A示出熱噴涂步驟，圖6B是圖6A中部分B的放大圖，圖6C示出平滑化步驟，并且圖6D是圖6C中部分D的放大圖；圖7A至7D是有助于說(shuō)明根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的變型的圖，其中圖7A示出第一變型，圖7B示出第二變型，圖7C示出第三變型，并且圖7D示出第四變型；圖8A和8B是有助于說(shuō)明根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的變型的圖，其中圖8A示出第五變型，并且圖8B示出第六變型；圖9A至9H是有助于說(shuō)明傳統(tǒng)表面處理方法的處理圖，其中圖9A示出熱噴涂步驟，圖9B是圖9A中部分B的放大圖，圖9C示出研磨步驟，圖9D是圖9C中部分D的放大圖，圖9E示出平坦化步驟，圖9F是圖9E中部分F的放大圖，圖9G示出平滑化步驟，圖9H是圖9G中部分H的放大圖；并且圖IOA和10B是傳統(tǒng)靜電卡盤和晶片之間的接觸面積的放大圖，其中圖10A示出在基板處理設(shè)備中執(zhí)行等離子體處理前的狀態(tài)，并且圖10B是在基板處理設(shè)備中等離子體處理已經(jīng)執(zhí)行到一定程度后的狀具體實(shí)施方式現(xiàn)在將在下面參考示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明。首先，將描述具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基板載置臺(tái)的基板處理設(shè)備。圖1是示意性地示出具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基板載置臺(tái)的基板處理設(shè)備的構(gòu)造的截面圖?；逄幚碓O(shè)備被構(gòu)造成對(duì)作為基板的半導(dǎo)體晶片執(zhí)行蝕刻處理。如圖1所示，基板處理設(shè)備10具有腔室11，其中收容有直徑為例如300毫米的半導(dǎo)體晶片(下文中僅稱為"晶片")W。圓柱形載置臺(tái)12布置在腔室11中作為晶片W載置于其上的基板載置臺(tái)。在基板處理設(shè)備10中，側(cè)邊排氣路13在腔室11的內(nèi)壁表面和載置臺(tái)12的外周表面之間形成，該側(cè)邊排氣路13充當(dāng)載置臺(tái)12上方的氣體通過(guò)其而排出腔室11的流路。排氣板14沿側(cè)邊排氣路13布置在中途。腔室11的內(nèi)壁表面覆蓋有石英或氧化釔(Y203)。排氣板14是在其中具有大量孔的板狀部件，并充當(dāng)將腔室11分割成上部和下部的分割板。下面描述的等離子體在由排氣板14分割出的腔室11的上部(下文中稱為"反應(yīng)腔室")17中產(chǎn)生。而且，在腔室11的下部(下文中稱為"歧管(manifold)")18中設(shè)置有從腔室11中排出氣體的粗排氣管15和主排氣管16。粗排氣管15具有連接到其上的DP(干泵)(未示出)，而主排氣管16具有連接到其上的TMP(渦輪分子泵)(未示出)。而且，排氣板14捕獲或反射在反應(yīng)腔室17中的下面描述的處理空間S中產(chǎn)生的離子和自由基，因此防止離子和自由基泄漏到歧管18中。粗排氣管15、主排氣管16、DP和TMP—起構(gòu)成排氣設(shè)備。粗排氣管15和主排氣管16將反應(yīng)腔室17中的氣體經(jīng)由歧管18排出腔室11。具體地，粗排氣管15將腔室11內(nèi)的壓力從大氣壓降低到低真空狀態(tài)，并且主排氣管16與粗排氣管15協(xié)作工作以將腔室11中的壓力從大氣壓降低到高真空狀態(tài)(例如不大于133Pa(1托)的壓力)，其處于比低真空狀態(tài)更低的壓力下。下部射頻電源20經(jīng)由匹配器22連接到載置臺(tái)12。下部射頻電源20施加預(yù)定射頻電力至載置臺(tái)12。載置臺(tái)12因此充當(dāng)下電極。匹配器22減少射頻電力從載置臺(tái)12的反射，以便最大化射頻電力供應(yīng)到載置臺(tái)12的效率。由在其中具有電極板23的絕緣部件組成的盤狀靜電卡盤42設(shè)置在載置臺(tái)12的上部中，靜電卡盤42的表面已經(jīng)利用下面描述的根據(jù)本實(shí)施例的表面處理方法處理過(guò)。當(dāng)將晶片W載置在載置臺(tái)12上時(shí)，晶片W布置在靜電卡盤42上。DC電源24電連接到電極板23上。在將負(fù)DC電壓施加到電極板23上后，晶片W通過(guò)庫(kù)侖力或Johnsen-Rahbek力吸附并保持在靜電卡盤42的上表面上。而且，環(huán)形聚焦環(huán)25設(shè)置在載置臺(tái)12的上部上，以便環(huán)繞吸附并保持在靜電卡盤42的上表面上的晶片W。聚焦環(huán)25暴露于處理空間S中，并朝著晶片W的上表面聚焦處理空間S中的等離子體，因此提高蝕刻處理的效率。例如在基座12的圓周方向上延伸的環(huán)形冷卻劑腔室26設(shè)置在載置臺(tái)12內(nèi)。預(yù)定溫度的冷卻劑(例如冷卻水或Galden流體)從冷卻器單元(未示出)經(jīng)由冷卻劑配管27通過(guò)冷卻劑腔室26而被循環(huán)。吸附并保持在靜電卡盤42的上表面上的晶片W的處理溫度通過(guò)冷卻劑的溫度而得到控制。應(yīng)注意的是，加熱器、珀?duì)柼?Peltier)部件(都沒(méi)有示出)等可作為溫度控制裝置設(shè)置在載置臺(tái)12內(nèi)。多個(gè)熱傳遞氣體供應(yīng)孔28設(shè)置在其上吸附并保持著晶片W的靜電卡盤42的上表面的一部分(下文中稱為"吸附表面")中。熱傳遞氣體供應(yīng)孔28經(jīng)由熱傳遞氣體供應(yīng)管道30連接到熱傳遞氣體供應(yīng)單元(未示出)。熱傳遞氣體供應(yīng)單元經(jīng)由熱傳遞氣體供應(yīng)孔28供應(yīng)作為熱傳遞氣體的氦(He)氣至載置臺(tái)12的吸附表面和晶片W的背面之間的間隙中。供應(yīng)到載置臺(tái)12的吸附表面和晶片W的背面之間的間隙中的氦氣將熱量從晶片W傳遞到載置臺(tái)12。多個(gè)推桿銷(pusherpin)(未示出)設(shè)置在基座12的吸附表面中作為可使其從靜電卡盤42的上表面伸出的提升銷(liftingpin)。推桿銷通過(guò)滾珠螺桿連接到馬達(dá)(都沒(méi)有示出)，并可通過(guò)由滾珠螺桿轉(zhuǎn)換成線性運(yùn)動(dòng)的馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使其從基座12的吸附表面伸出。當(dāng)晶片W正吸附并保持在載置臺(tái)12的吸附表面上時(shí)推桿銷收容在載置臺(tái)12內(nèi)，使得晶片W可受到蝕刻處理，并且當(dāng)晶片W在已經(jīng)經(jīng)受蝕刻處理后將從腔室11中被傳送出來(lái)時(shí)，使推桿銷從靜電卡盤42的上表面伸出以便升起晶片W遠(yuǎn)離載置臺(tái)12。氣體導(dǎo)入噴頭34布置在腔室11的頂板部分中以便面對(duì)載置臺(tái)12。上部射頻電源36經(jīng)由匹配器35連接到氣體導(dǎo)入噴頭34。上部射頻電源36施加預(yù)定的射頻電力至氣體導(dǎo)入噴頭34。氣體導(dǎo)入噴頭34因此充當(dāng)上電極。匹配器35具有與前面描述的匹配器22類似的功能。氣體導(dǎo)入噴頭34具有頂部電極板38和電極支撐體39，頂部電極板38中有大量氣孔37，電極支撐體39上可拆卸地支撐著頂部電極板38。緩沖腔室40設(shè)置在電極支撐體39內(nèi)。處理氣體導(dǎo)入管41連接到緩沖腔室40。從處理氣體導(dǎo)入管41供應(yīng)到緩沖腔室40中的處理氣體，例如具有02氣的溴化氣體或氯化氣體以及添加到其中的諸如He的惰性氣體的混合氣體，由氣體導(dǎo)入噴頭34經(jīng)由氣孔37供應(yīng)到反應(yīng)腔室17中。用于晶片W的傳送端口43設(shè)置在腔室11的側(cè)壁中由推桿銷從載置臺(tái)12升起的晶片W所處的高度處。用于開(kāi)閉傳送端口43的閘門閥44設(shè)置在傳送端口43中。如上所述，射頻電力被施加到基板處理設(shè)備10的反應(yīng)腔室17中的載置臺(tái)12和氣體導(dǎo)入噴頭34，以便施加射頻電力到載置臺(tái)12和氣體導(dǎo)入噴頭34之間的處理空間S中，于是從氣體導(dǎo)入噴頭34供應(yīng)到處理空間S中的處理氣體被變成高密度等離子體，由此產(chǎn)生離子和自由基；晶片W受到離子等的蝕刻處理。上述基板處理設(shè)備10的組成元件的操作是由基板處理設(shè)備10的控制單元的CPU(未示出)根據(jù)用于蝕刻處理的程序控制的。圖2A和2B是圖1中示出的部分A的放大視圖，其中圖2A示出在基板處理設(shè)備中執(zhí)行等離子體處理前的狀態(tài)，并且圖2B示出在基板處理設(shè)備中己經(jīng)執(zhí)行等離子體處理到一定程度后的狀態(tài)。如圖2A和2B所示，在本實(shí)施例中，靜電卡盤42具有粗糙的吸附表面，但具有平滑的吸附表面的頂表面層。具體地，多個(gè)山狀部分和多個(gè)谷狀部分V形成在吸附表面的頂表面層中，而且各個(gè)山狀部分的頂部被磨掉。結(jié)果，靜電卡盤42的吸附表面和晶片W之間的實(shí)際接觸面積可以得到增加，并且因此晶片W和靜電卡盤42的吸附表面之間的熱傳遞效率可以得到提高。當(dāng)控制晶片W的處理溫度時(shí)，因此無(wú)需使用高性能冷卻器單元，并且因此可為冷卻器單元實(shí)現(xiàn)功率節(jié)省。而且，即使在對(duì)晶片W執(zhí)行的蝕刻處理被分成多個(gè)步驟的情況中，晶片W和靜電卡盤42的吸附表面之間的熱傳遞效率仍然較高，因此在改變步驟時(shí)晶片W的處理溫度可利用載置臺(tái)12內(nèi)設(shè)置的冷卻器單元或加熱器、珀?duì)柼纫粤己玫捻憫?yīng)得到控制。因此，各種蝕刻特性的要求可以得到滿足。進(jìn)一步，根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)槎鄠€(gè)山狀部分和多個(gè)谷狀部分v形成在吸附表面的頂表面層中，所以谷狀部分V充當(dāng)熱傳遞氣體的有效導(dǎo)通路徑，并且晶片w的溫度可通過(guò)熱傳遞氣體得到更滿意的控制。具體地，已經(jīng)從熱傳遞氣體供應(yīng)孔28供應(yīng)并且其壓力已經(jīng)得到控制的熱傳遞氣體可容易地并瞬時(shí)地分布在整個(gè)吸附表面上，并且晶片W的處理溫度可因此以良好的響應(yīng)得到控制。應(yīng)注意的是，在熱傳遞氣體的壓力通過(guò)兩個(gè)通道(例如，吸附表面的中央部分和吸附表面的周緣部分)而得到控制的情況中，晶片W的處理溫度的面內(nèi)分布可被任意控制。而且，因?yàn)殪o電卡盤42具有平滑的吸附表面的頂表面層，所以在靜電卡盤42上載置晶片W不會(huì)引起吸附表面的頂表面層中山狀部分的頂部的形狀隨著等離子體處理的重復(fù)而改變。因此，可以使在基板處理設(shè)備10中順序地受到等離子體處理的晶片W和靜電卡盤42的吸附表面之間的接觸面積保持均一。結(jié)果，可以使晶片W和靜電卡盤42的吸附表面之間的熱傳遞效率保持均一，并且因此可以使等離子體處理過(guò)程中晶片W的處理溫度保持均一。而且，因?yàn)楣葼畈糠諺形成在靜電卡盤42的吸附表面中，所以當(dāng)例如作為等離子體處理的反應(yīng)產(chǎn)物而出現(xiàn)的CF系沉積物D附著到靜電卡盤42的吸附表面上時(shí)，沉積物D在晶片W被載置在吸附表面上時(shí)被壓到谷狀部分V中，如圖2B所示。因此，靜電卡盤42的吸附表面和晶片W之間的接觸從不受到阻礙，并且因此即使當(dāng)在基板處理設(shè)備10中等離子體處理已經(jīng)執(zhí)行到一定程度時(shí)，靜電卡盤42仍能夠保持良好的晶片吸附力。因此不需要執(zhí)行維護(hù)，諸如清潔靜電卡盤42的吸附表面和除去沉積物D，并且因此基板處理設(shè)備的開(kāi)工率可以得到提咼。應(yīng)注意的是，在靜電卡盤42是利用庫(kù)侖力的庫(kù)侖型靜電卡盤的情況中，本實(shí)施例更有效。通常，因?yàn)槔肑ohnsen-Rahbek力的JR型靜電卡盤具有強(qiáng)吸附力，所以執(zhí)行壓紋(embossing)以在靜電卡盤的吸附表面上形成多個(gè)突起以便削弱吸附力。在這個(gè)時(shí)候，壓紋的吸附表面和晶片W之間的接觸面積可以非常小，例如不大于百分之幾。另一方面，因?yàn)閹?kù)侖型靜電卡盤具有弱吸附力，所以難以在庫(kù)侖型靜電卡盤的吸附表面上的廣闊范圍內(nèi)形成諸如壓紋的宏觀凹部，以便使吸附表面和晶片W之間的接觸面積非常小。然而，利用本實(shí)施例的靜電卡盤42，即使在吸附表面上沒(méi)有設(shè)置宏觀凹部，沉積物仍被壓到形成在頂表面層中的微觀谷狀部分中，并且因此吸附表面和晶片W之間的接觸不受沉積物阻礙。而且，從庫(kù)侖力的觀點(diǎn)看，由頂表面層的表面性質(zhì)參數(shù)表示的微觀谷狀部分可被看作與晶片W接觸的表面，并且因此靜電卡盤42的整個(gè)吸附表面可具有良好的吸附力，結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)滿意的吸附力。應(yīng)注意的是，庫(kù)侖型靜電卡盤的特征在于如下優(yōu)點(diǎn)不管要載置的晶片的膜類型如何都具有恒定的吸附力；以及在晶片W己經(jīng)經(jīng)受處理后很容易執(zhí)行從吸附表面除去晶片W的除電處理。傳統(tǒng)上，在靜電卡盤的吸附表面的表面性質(zhì)參數(shù)中，算術(shù)平均粗糙度(Ra(JISB060O)和最大高度粗糙度(Rz(JISB0601))已經(jīng)作為影響吸附表面和晶片W之間的熱傳遞效率的參數(shù)而引起注意。然而，本發(fā)明的發(fā)明人估計(jì)上面的參數(shù)不影響吸附表面和晶片W之間的熱傳遞效率，而是初期磨損高度(Rpk(JISB0671-2))，基于負(fù)荷曲線的參數(shù)諸如粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率(Rmr(c)(JISB0601))，以及指示頂表面層中的每個(gè)山狀部分的形狀的參數(shù)諸如粗糙度曲線偏斜度(Rsk(JISB0601))，影響吸附表面和晶片W之間的熱傳遞效率。進(jìn)一步，本發(fā)明的發(fā)明人估計(jì)在靜電卡盤的吸附表面的表面性質(zhì)參數(shù)當(dāng)中，關(guān)于指示吸收異物(諸如沉積物D)的影響的潛力的參數(shù)，核心部分高度差(Rk(JISB0671-2))、油積存深度(Rvk(JISB0671-2))、算術(shù)平均波紋度(Wa(JISB0601))、最大高度波紋度(Wz(JISB0601))等、以及上述參數(shù)Ra和Rz，是指示吸收異物的影響的潛力的參數(shù)。然后，本發(fā)明的發(fā)明人制備了利用傳統(tǒng)方法處理的靜電卡盤(比較例1)，利用傳統(tǒng)方法處理并布置在基板處理設(shè)備中的靜電卡盤，其中等離子體處理被執(zhí)行3000小時(shí)或更多(比較例2和3)，以及利用本發(fā)明的發(fā)明人提出的傳統(tǒng)方法處理的靜電卡盤(比較例4)，并測(cè)量了上述參數(shù)(參見(jiàn)表1)。進(jìn)一步，本發(fā)明的發(fā)明人測(cè)量了吸附表面的形狀(參見(jiàn)表3A至3C)。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>然后，本發(fā)明的發(fā)明人確定比較例2至4的靜電卡盤在吸附表面和晶片w之間具有非常高的熱傳遞效率并均一地控制在基板處理設(shè)備中順序地受到等離子體處理的晶片W的處理溫度，并且比較例1至3的靜電卡盤不會(huì)引起晶片W的吸附不良，即使在基板處理設(shè)備中等離子體處理已經(jīng)執(zhí)行到一定程度后。然后，基于測(cè)量的參數(shù)和不良吸附的存在與否，本發(fā)明的發(fā)明人估計(jì)如果可以形成滿足這樣的條件的靜電卡盤的吸附表面，即，初期磨損高度Rpk約為0.35(第二預(yù)定值)且優(yōu)選不大于0.35，粗糙度曲線偏斜度Rsk約為-1.5且優(yōu)選不大于-1.5，粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率Rmr(-1.5pm)約為50%且優(yōu)選不小于50%，算術(shù)平均粗糙度Ra約為0.45(第一預(yù)定值)且優(yōu)選不小于0.45，最大高度粗糙度Rz約為3且優(yōu)選不小于3，核心部分高度差Rk+油積存深度Rvk約為2且優(yōu)選不小于2，算術(shù)平均波紋度Wa約為0.07且優(yōu)選不小于0.07，并且最大高度波紋度Wz約為0.4且優(yōu)選不小于0.4，那么吸附表面和晶片W之間的熱傳遞效率可以較高，晶片W的處理溫度可均一地得到控制，并且吸附表面不會(huì)導(dǎo)致吸附晶片W過(guò)程中的故障。而且，本發(fā)明的發(fā)明人測(cè)量了利用傳統(tǒng)方法處理的靜電卡盤(比較例1)和利用由本發(fā)明的發(fā)明人提出的傳統(tǒng)方法處理的靜電卡盤(比較例4)的上述參數(shù)，并確定難以制造滿足所有上述條件的靜電卡盤。具體地，本發(fā)明的發(fā)明人確定利用傳統(tǒng)方法，也就是傳統(tǒng)研磨處理，可容易地使吸附表面的算術(shù)平均粗糙度Ra不小于0.45，但是難以滿足上述關(guān)于初期磨損高度Rpk的條件同時(shí)保持算術(shù)平均粗糙度Ra不小于0.45。而且，本發(fā)明的發(fā)明人確定利用由本發(fā)明的發(fā)明人提出的傳統(tǒng)方法，也就是傳統(tǒng)板精磨處理和帶磨處理，因?yàn)榭珊苋菀资轨o電卡盤的吸附表面的初期磨損高度Rpk不大于0.35，但難以滿足上述關(guān)于算術(shù)平均粗糙度Ra的條件同時(shí)保持初期磨損高度Rpk不大于0.35。本發(fā)明的發(fā)明人因此提出后面描述的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的表面處理方法，作為滿足所有上述參數(shù)條件的處理靜電卡盤的吸附表面的方法。圖2A和2B中所示的上述靜電卡盤42的吸附表面是利用該表面處理方法處理的。關(guān)于靜電卡盤42，本發(fā)明的發(fā)明人也測(cè)量了參數(shù)作為與上述比較例的情況相同的實(shí)例，并確定所有參數(shù)都滿足上述條件。進(jìn)一步，本發(fā)明的發(fā)明人測(cè)量了吸附表面的形狀，并獲得了圖3D和3E中所示的結(jié)果。應(yīng)注意的是，在表2和圖3中，實(shí)例l對(duì)應(yīng)于利用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的表面處理方法處理的吸附表面，并且實(shí)例2對(duì)應(yīng)于利用后面描述的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的表面處理方法處理的吸附表面。[表2]參數(shù)實(shí)例1實(shí)例2Rsk-2.64-1.77Rpk0.280.28Rmr(-1.5(xm)81.1866.77Rmr(-0.5(im)21.3412.91Ra0.550.78Rz5.446.122<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表面性質(zhì)參數(shù)是使用觸針粗糙度測(cè)量機(jī)基于JISB0601、JISB0633和JISB0655測(cè)量的，所述觸針粗糙度測(cè)量機(jī)使用作為基準(zhǔn)長(zhǎng)度的截止值Xc為0.8毫米的高斯濾波器。在評(píng)價(jià)長(zhǎng)度被設(shè)置為4毫米并且觸針尖端的半徑被設(shè)置為2pm的情況下，計(jì)算了吸附表面內(nèi)25個(gè)點(diǎn)處的測(cè)量值的平均值。應(yīng)注意的是，波參數(shù)諸如Wa和Wz是在截止值Xc被設(shè)置為0.8毫米、截止值Xf被設(shè)置為8毫米并且評(píng)價(jià)長(zhǎng)度被設(shè)置為24毫米的情況下測(cè)量的。接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的表面處理方法。首先，將描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的表面處理方法。圖4A至4F是有助于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的表面處理方法的處理圖。應(yīng)注意的是，圖4B、4D和4F分別是圖4A中示出的部分B、圖4C中示出的部分D和圖4E中示出的部分F的放大圖。首先，通過(guò)熱噴涂陶瓷(諸如氧化鋁)(圖4A)，將熱噴涂膜51形成到靜電卡盤42的表面上(圖4B)(下文中稱為"熱噴涂步驟")。然后，使通過(guò)將磨粒壓緊在一起并制成盤狀而獲得的磨石52與其上已經(jīng)形成有熱噴涂膜51的靜電卡盤42的表面接觸(圖4B)。然后旋轉(zhuǎn)磨石52，并且也平行于其上已經(jīng)形成有熱噴涂膜51的靜電卡盤42的表面來(lái)移動(dòng)磨石52。此時(shí)，靜電卡盤42也繞著圖4C中由交替的長(zhǎng)虛線和短虛線示出的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。結(jié)果，靜電卡盤的表面被研磨粗糙(圖4C)(下文中稱為"研磨歩驟")。在研磨步驟后，如圖4D所示，靜電卡盤42的表面仍然是粗糙的，而且靜電卡盤42表面的頂表面層也是粗糙的；在頂表面層中有多個(gè)山狀部分和多個(gè)谷狀部分。在研磨步驟中，靜電卡盤42的表面被研磨粗糙，使得表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)不小于0.5。然后，通過(guò)施加負(fù)荷(圖4E中由白色箭頭示出)至具有磨帶54和輥?zhàn)?5的帶磨設(shè)備53，使磨帶54與圖4D中所示的靜電卡盤42的粗糙研磨的表面接觸，其中磨帶54的表面上涂布并固著有磨粒56，輥?zhàn)?5由彈性材料制成。巻繞在輥?zhàn)?5上的磨帶54由帶磨設(shè)備53巻取和巻出。此外，帶磨設(shè)備53平行于靜電卡盤42的表面移動(dòng)，并且靜電卡盤42繞著圖4E中交替的長(zhǎng)虛線和短虛線旋轉(zhuǎn)(圖4E)(下文中稱為"平滑化步驟")。在平滑化步驟中，頂表面層中各個(gè)山狀部分的頂部被磨掉，使得靜電卡盤42的表面的初期磨損高度(Rpk)不大于0.4。結(jié)果，可獲得如圖4F所示的具有平滑的頂表面層的表面。圖4F中所示的表面具有與圖2A和2B中所示的靜電卡盤42的吸附表面相同的形狀。而且，在平滑化步驟中，因?yàn)槟?4通過(guò)由彈性材料制成的輥?zhàn)?5而被壓在靜電卡盤42的表面上，所以磨帶54的壓力可通過(guò)輥?zhàn)?5的彈性力控制，并且因此靜電卡盤42的表面的頂表面層可被精細(xì)地平滑化。根據(jù)本實(shí)施例的表面處理方法，多個(gè)谷狀部分和頂部被磨掉的多個(gè)山狀部分可在靜電卡盤42的表面的頂表面層中形成。接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的表面處理方法。圖5A至5J是根據(jù)本實(shí)施例的表面處理方法的處理圖。應(yīng)注意的是，圖5B、5D、5F、5H和5J分別是圖5A中所示的部分B、圖5C中所示的部分D、圖5E中所示的部分F、圖5G中所示的部分H和圖51中所示的部分J的放大圖。在構(gòu)造和操作方面，本實(shí)施例基本與上述第一實(shí)施例相同。與第一實(shí)施例中的構(gòu)造和操作相同的構(gòu)造和操作的特征因此將不再描述，而在下面僅描述與第一實(shí)施例不同的特征。首先，在圖5A中所示的熱噴涂步驟和圖5C中所示的研磨步驟后，表面上噴涂了其中混合有磨粒和潤(rùn)滑劑的漿料的精磨板57與已經(jīng)被粗糙研磨的表面接觸(圖5D)。此時(shí)，在負(fù)荷(圖5E中由白色箭頭示出)被施加到精磨板57上之后，靜電卡盤42也繞著圖5E中由交替的長(zhǎng)虛線和短虛線示出的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。結(jié)果，靜電卡盤42的表面被研磨平坦(圖5E)(下文中稱為"平坦化步驟")。然后，執(zhí)行以預(yù)定的噴射壓力使磨粒58與已經(jīng)被研磨平坦的表面(圖5F)碰撞的微噴(micro-blast)處理。此時(shí)，靜電卡盤42的表面通過(guò)磨粒58的碰撞而被研磨粗糙，并且多個(gè)山狀部分和多個(gè)谷狀部分在頂表面層中形成(圖5G)(下文中稱為"表面粗糙化步驟")。在表面粗糙化步驟中，靜電卡盤42的表面被研磨粗糙，使得表面的算術(shù)平均粗糙度不小于0.5。然后，對(duì)已經(jīng)被研磨粗糙的表面執(zhí)行圖51中所示的平滑化步驟(圖5H)。結(jié)果，頂表面層中各個(gè)山狀部分的頂部被磨掉，使得可以獲得如圖5J所示的具有平滑的頂表面層的表面。圖5J中所示的表面具有與圖2A和2B中所示的靜電卡盤42的吸附表面相同的形狀。根據(jù)本實(shí)施例的表面處理方法，多個(gè)谷狀部分和頂部被磨掉的多個(gè)山狀部分可在靜電卡盤42的表面的頂表面層中形成。而且，根據(jù)本實(shí)施例的表面處理方法，因?yàn)殪o電卡盤42經(jīng)受平坦化步驟，然后經(jīng)受表面粗糙化步驟，然后經(jīng)受平滑化步驟，所以整個(gè)吸附表面的平坦度可以非常高，并且整個(gè)吸附表面的表面粗糙度的均一性可以非常高。結(jié)果，可以使整個(gè)吸附表面和晶片W之間的熱傳遞效率保持均一，并且因此晶片W的面內(nèi)處理溫度分布可以更加均一。應(yīng)注意的是，在本實(shí)施例的表面粗糙化步驟中，在表面可被粗糙化的范圍內(nèi)，不僅上述微噴處理可以執(zhí)行，而且其它處理也可以執(zhí)行。例如，使離子與表面碰撞的濺射處理或者利用化學(xué)反應(yīng)的蝕刻處理都可以執(zhí)行。接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的表面處理方法。圖6A至6D是根據(jù)本實(shí)施例的表面處理方法的處理圖。應(yīng)注意的是，圖6B和6D分別是圖6A中所示的部分B和圖6C中所示的部分D的放大圖。在構(gòu)造和操作方面，本實(shí)施例基本與上述實(shí)施例相同。與上述實(shí)施例中的構(gòu)造和操作相同的構(gòu)造和操作的特征因此將不再描述，而在下面僅描述與第一實(shí)施例不同的特征。首先，在靜電卡盤42的表面上形成由陶瓷(諸如氧化鋁)制成并在其上具有多個(gè)突起51a的熱噴涂膜51(圖6A)(壓紋處理)。這樣形成的每個(gè)突起51a(壓紋)的頂部不是平坦的，而是不均勻的(圖6B)。然后，其上已經(jīng)形成有突起51a的表面(圖6B)經(jīng)受圖6C中所示的平滑化步驟。結(jié)果，每個(gè)突起51a的頂部被研磨，并且如圖6D所示的每個(gè)突起51a的表面的頂表面層被平滑化。圖6D中所示的表面具有多個(gè)突起51a和在相鄰?fù)黄?1a之間形成的多個(gè)凹部，其中每個(gè)突起51a都具有平滑的頂部。根據(jù)本實(shí)施例的表面處理方法，每個(gè)均具有平滑的頂部的多個(gè)突起51a和相鄰?fù)黄?1a之間的多個(gè)凹部可在靜電卡盤42的吸附表面的頂表面層中形成。在靜電卡盤42中，晶片W和靜電卡盤42的吸附表面(即在突起51a的頂部的平坦表面)之間的實(shí)際接觸面積可以得到增加，而且CF系沉積物D可被壓到凹部中。應(yīng)注意的是，本實(shí)施例在靜電卡盤42是JR型靜電卡盤，或由高介電常數(shù)材料制成的絕緣部件組成的庫(kù)侖型靜電卡盤的情況中是有效的，并且在靜電卡盤42是突起和晶片W之間的接觸面積非常小(例如不大于百分之幾)的靜電卡盤的情況中特別有效。接下來(lái)，將描述根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的變型。圖7A是有助于說(shuō)明根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的第一變型的圖。如圖7A所示，表面上噴涂了其中粒徑基本上等于或小于熱噴涂膜51(諸如氧化鋁)的材料的粒徑的磨粒與潤(rùn)滑劑混合的漿料63的精磨板62與靜電卡盤42的表面接觸。此時(shí)，負(fù)荷(圖7A中由白色箭頭指示)被施加到精磨板62上，并且靜電卡盤42也繞著圖7A中由交替的長(zhǎng)虛線和短虛線示出的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。結(jié)果，靜電卡盤42的表面上的熱噴涂膜51被研磨，并且靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。具體地，頂表面層中山狀部分的頂部被除去。本變型可使用與在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的表面處理方法中所使用的精磨板相同的精磨板或與其相同類型的精磨板來(lái)實(shí)現(xiàn)。在這種情況下，在平滑化步驟中，使用比平坦化步驟中所用的磨粒小的細(xì)微磨粒，并且處理用較弱的研磨力執(zhí)行，即用比平坦化步驟更低的負(fù)荷和更短的研磨時(shí)間來(lái)執(zhí)行。而且，如果用在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟中，則本變型更有效。在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的表面處理方法中，整個(gè)吸附表面被處理以便在表面粗糙化步驟前的平坦化步驟中具有非常高的平坦度，并且因此即使如在本變型中那樣，精磨板被用在平滑化步驟中，精磨板也可均一地接觸通過(guò)表面粗糙化步驟處理的整個(gè)吸附表面。結(jié)果，整個(gè)吸附表面可以得到處理以便具有均一的表面粗糙度。根據(jù)本變型，表面上噴涂了包含細(xì)微磨粒的漿料63的精磨板62與靜電卡盤42的表面接觸，使得靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。因此，靜電卡盤42的表面的頂表面層可以使用便宜的構(gòu)造可靠地得到平滑化。而且，在本變型中，如果使用具有比熱噴涂膜5]的材料硬度高的硬度的精細(xì)顆粒，則形成在靜電卡盤42的表面上的熱噴涂膜51可容易地得到研磨，并且因此靜電卡盤42的表面的頂表面層能快速地得到平滑化。另一方面，如果使用具有比熱噴涂膜51的材料硬度低的硬度的細(xì)微磨粒，則通過(guò)接觸而脫離或變形的形成在靜電卡盤42的表面上的熱噴涂膜51的頂表面層中的破裂層可被選擇性地除去，并且因此僅靜電卡盤42的表面的頂表面層可被可靠地平滑化。圖7B是有助于說(shuō)明根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的第二變型的圖。如圖7B所示，靜電卡盤42的表面與其上設(shè)置有由聚氨酯制成的襯墊65的旋轉(zhuǎn)臺(tái)66的上表面接觸。此時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)66繞著圖7B中由交替的長(zhǎng)虛線和短虛線示出的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，并且負(fù)荷(圖7B中由白色箭頭指示)被施加到靜電卡盤42上。然后，滑動(dòng)靜電卡盤42，使得靜電卡盤42的表面上的熱噴涂膜51被研磨，并且靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。具體地，頂表面層中山狀部分的頂部被除去。應(yīng)注意的是，漿料64被噴涂到襯墊65的上表面上，在所述漿料64中，粒徑基本上等于或小于熱噴涂膜51(諸如氧化鋁)的材料的粒徑的磨粒與潤(rùn)滑劑混合。根據(jù)本變型，靜電卡盤42的表面與其上噴涂了包含細(xì)微磨粒的漿料64的襯墊65接觸，使得靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。因此，靜電卡盤42的表面的頂表面層可被精細(xì)地平滑化。而且，根據(jù)本變型，如果使用硬度比熱噴涂膜51的材料硬度高或低的細(xì)微磨粒，則可獲得與上述第一變型相同的效果。圖7C是有助于說(shuō)明根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的第三變型的圖。如圖7C所示，硬度比熱噴涂膜51(諸如氧化鋁)的材料硬度低的部件67被壓在靜電卡盤42的表面上。此時(shí)，滑動(dòng)部件67，并且靜電卡盤42也繞著圖7C中由交替的長(zhǎng)虛線和短虛線所示的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，使得靜電卡盤42的表面上的熱噴涂膜51被研磨，并且靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。具體地，頂表面層中山狀部分的頂部切入到部件67中，并且己經(jīng)切入到頂表面層中的頂部通過(guò)部件67的旋轉(zhuǎn)力而被剪切。結(jié)果，山狀部分的頂部被除去。應(yīng)注意的是，硬度比氧化鋁的硬度低的部件67的實(shí)例包括由硅制成的部件。根據(jù)本變型，低硬度的部件67被壓在靜電卡盤42的表面上然后滑動(dòng)，使得靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。因此，靜電卡盤42的表面的頂表面層可使用便宜的構(gòu)造而被精細(xì)地平滑化。圖7D是有助于說(shuō)明根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的第四變型的圖。如圖7D所示，部件68與靜電卡盤42的表面接觸。此時(shí)，在高負(fù)荷(圖7D中由白色箭頭指示)被施加到部件68后，靜電卡盤42的表面上的熱噴涂膜51被擠壓，并且靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。具體地，頂表面層中山狀部分的頂部被部件68碾碎。結(jié)果，山狀部分的頂部被平滑化。根據(jù)本變型，部件68與靜電卡盤42的表面接觸，并且高負(fù)荷被施加到部件68，使得靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。因此，靜電卡盤42的表面的頂表面層可使用便宜的構(gòu)造而被可靠地平滑化。應(yīng)注意的是，在本變型中，施加到部件68的負(fù)荷不會(huì)破壞靜電卡盤42。圖8A是有助于說(shuō)明根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的第五變型的圖。如圖8A所示，晶片W被載置在靜電卡盤42的表面上。然后，重復(fù)執(zhí)行吸附步驟和脫離步驟，在吸附步驟中，負(fù)DC電壓從DC電源70施加到靜電卡盤42內(nèi)的電極板69使得晶片W吸附到靜電卡盤42的表面上，在脫離歩驟中，停止從DC電源70施加負(fù)DC電壓至電極板69使得晶片W從靜電卡盤42的表面脫離。此時(shí)-，靜電卡盤42的表面上熱噴涂膜51被晶片W擠壓，并且靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。具體地，頂表面層中山狀部分的頂部被晶片W碾碎，或被晶片W摩擦而得以磨損掉。結(jié)果，山狀部分的頂部被平滑化。根據(jù)本變型，晶片W載置在靜電卡盤42的表面上，并且晶片W被重復(fù)地吸附到靜電卡盤42的表面上并從其脫離，使得靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。因此，接觸晶片W的靜電卡盤42的表面的頂表面層可被可靠地平滑化。雖然在本變型中，載置在靜電卡盤42的表面上的晶片W由硅(Si)、碳化硅(SiC)等制成，但優(yōu)選的是，晶片W是具有高硬度的部件。而且，載置在靜電卡盤42的表面上的部件不局限于晶片W，而可以是能夠被靜電吸附到靜電卡盤42的表面上并從其上脫離的任何部件(待處理的部件)。圖8B是有助于說(shuō)明根據(jù)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟的第六變型的圖。如圖8D所示，晶片W載置在靜電卡盤42的表面上，并且負(fù)DC電壓從DC電源70施加到靜電卡盤42內(nèi)的電極板69，使得晶片W吸附到靜電卡盤42的表面上。然后，重復(fù)執(zhí)行加熱步驟和冷卻步驟，在加熱步驟中，加熱元件71(諸如燈)加熱晶片W使得晶片W熱膨脹，在冷卻步驟中，預(yù)定溫度的冷卻劑(例如冷卻水或Galden(注冊(cè)商標(biāo))流體)從冷卻器單元(未示出)供應(yīng)到靜電卡盤42內(nèi)的冷卻劑腔室73中，并且晶片W通過(guò)冷卻劑的溫度或者通過(guò)覆蓋靜電卡盤42的外周的冷卻套72冷卻，使得晶片W收縮。此時(shí)，靜電卡盤42的表面上的熱噴涂膜51通過(guò)晶片W的熱膨脹和收縮而被研磨，并且靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。根據(jù)本變型，晶片W被載置并吸附在靜電卡盤42的表面上，并且晶片W重復(fù)地?zé)崤蛎浐褪湛s，使得靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化。因此，接觸晶片W的靜電卡盤42的表面的頂表面層被精細(xì)地平滑化。應(yīng)注意的是，在本變型中，在載置在靜電卡盤42的表面上的晶片W由硅(Si)等硬度比靜電卡盤42的表面上所形成的熱噴涂膜51的材料(例如氧化鋁)的硬度低的材料制成的情況中，靜電卡盤42的表面的頂表面層中山狀部分的頂部切入到晶片W中并被剪切。另一方面，在本變型中，如果晶片W是碳化硅(SiC)等硬度比熱噴涂膜51的材料(例如氧化鋁)的硬度高的材料制成的部件，則靜電卡盤42的表面的頂表面層中山狀部分的頂部被晶片W摩擦。在本變型中，也可重復(fù)地進(jìn)行晶片W的吸附和脫離。而且，本變型的加熱元件71可以是陶瓷加熱器等，并且可直接加熱晶片W。進(jìn)一步，在本變型中，可以設(shè)置這樣的裝置，其升起晶片W以便在研磨后除去殘余物，或者旋轉(zhuǎn)或更換晶片w同時(shí)重復(fù)執(zhí)行加熱步驟和冷卻步驟。而且，為了增加靜電卡盤42的表面的被處理的速度，細(xì)微磨粒可添加到晶片W和靜電卡盤42的表面之間的間隙中，或者晶片W的背面可被粗糙化，使得靜電卡盤42的表面上的熱噴涂膜51可容易地得到研磨。而且，電沉積在晶片W背面上的磨?？捎米餮心ゲ考?。而且，載置在靜電卡盤42的表面上的部件不局限于是晶片W，而可以是能夠靜電吸附在靜電卡盤42的表面上并從其上脫離的任何部件(處理的部件)。通過(guò)上述實(shí)施例的表面處理方法中的平滑化步驟，靜電卡盤42的表面的頂表面層被平滑化，并且靜電卡盤的表面上的破裂層得以除去。結(jié)果，可防止通過(guò)晶片W和靜電卡盤42的表面之間的接觸而出現(xiàn)顆粒。而且，本發(fā)明不僅可應(yīng)用于表面上形成有熱噴涂膜的基板載置臺(tái)，而且可應(yīng)用于表面由通過(guò)燒結(jié)等形成的陶瓷制成的基板載置臺(tái)。權(quán)利要求1.一種基板載置臺(tái)，其布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并具有在其上載置基板的基板載置表面，其中基板載置表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)不小于第一預(yù)定值，并且基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于第二預(yù)定值。2.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中所述第一預(yù)定值為0.45。3.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中所述第二預(yù)定值為0.35。4.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中所述基板載置表面的粗糙度曲線偏斜度(Rsk)不大于-1.5。5.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中所述基板載置表面的粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率(Rmr(-1.5pm))不小于50%。6.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中所述基板載置表面的粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率(Rmr(-0.5)im))不小于5%。7.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中所述基板載置表面的最大高度粗糙度(Rz)不小于3。8.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中通過(guò)將所述基板載置表面的核心部分高度差(Rk)和油積存深度(Rvk)加在一起而獲得的值不小于2。9.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中所述基板載置表面的算術(shù)平均波紋度(Wa)不小于0.07。10.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)，其中所述基板載置表面的最大高度波紋度(Wz)不小于0.4。11.一種基板載置臺(tái)，其布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并具有在其上載置基板的基板載置表面，其中基板載置表面具有與基板接觸的多個(gè)突起，并且基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于預(yù)定值。12.—種用于基板載置臺(tái)的基板載置表面的表面處理方法，所述基板載置臺(tái)布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并且基板被載置在所述基板載置臺(tái)上，所述表面處理方法包括處理基板載置表面使得基板載置表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)不小于第一預(yù)定值的處理步驟；以及對(duì)在所述處理步驟中處理的基板載置表面進(jìn)行處理使得基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于第二預(yù)定值的平滑化步驟。13.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中所述第一預(yù)定值為0.45。14.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中所述第二預(yù)定值為0.35。15.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中所述處理步驟包括平坦化所述基板載置表面的平坦化步驟，和粗糙化在所述平坦化步驟中平坦化的基板載置表面的粗糙化步驟。16.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中在所述平滑化步驟中，使用從磨帶、精磨板和襯墊中選擇的一個(gè)部件來(lái)執(zhí)行精磨處理，所述磨帶、精磨板和襯墊都涂布有粒徑等于或小于所述基板載置表面的材料的粒徑的細(xì)微磨粒。17.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中在所述平滑化步驟中，將硬度比所述基板載置表面的材料的硬度低的部件壓在所述基板載置表面上，并滑動(dòng)該部件。18.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中在所述平滑化步驟中，將硬度比所述基板載置表面的材料的硬度高的部件壓在所述基板載置表面上，并滑動(dòng)該部件。19.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中在所述平滑化步驟中，執(zhí)行將按壓部件重復(fù)地或以預(yù)定壓力壓在所述基板載置表面上的壓縮處理。20.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中所述基板載置臺(tái)包括靜電卡盤，該靜電卡盤將待處理的基板或部件吸附到其上，并且在所述平滑化步驟中，將待處理的基板或部件載置在所述基板載置表面上，并且靜電卡盤將待處理的基板或部件吸附到其上。21.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中所述基板載置臺(tái)包括靜電卡盤，該靜電卡盤將待處理的基板或部件吸附到其上，并且在所述平滑化步驟中，重復(fù)地執(zhí)行加熱步驟和冷卻步驟，在所述加熱步驟中，將待處理的基板或部件載置在所述基板載置表面上，并加熱待處理的基板或部件，使得待處理的基板或部件熱膨脹，在所述冷卻步驟中，冷卻待處理的基板或部件使得待處理的基板或部件收縮。22.如權(quán)利要求20所述的表面處理方法，其中在所述平滑化步驟中，所述靜電卡盤還重復(fù)地使所述待處理的基板或部件附著在其上和從其上脫離。23.如權(quán)利要求20所述的表面處理方法，其中所述待處理的基板或部件的硬度比所述基板載置表面的材料的硬度高。24.如權(quán)利要求20所述的表面處理方法，其中所述待處理的基板或部件的硬度比所述基板載置表面的材料的硬度低。25.—種用于基板載置臺(tái)的基板載置表面的表面處理方法，所述基板載置臺(tái)布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并且基板被載置在所述基板載置臺(tái)上，所述表面處理方法包括處理基板載置表面使得基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于預(yù)定值的平滑化步驟，其中基板載置表面具有與基板接觸的多個(gè)突起。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種防止基板的吸附不良以便提高基板處理設(shè)備的開(kāi)工率的基板載置臺(tái)。該基板載置臺(tái)布置在基板處理設(shè)備中并具有在其上載置基板的基板載置表面?；遢d置表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)不小于第一預(yù)定值，并且基板載置表面的初期磨損高度(Rpk)不大于第二預(yù)定值。文檔編號(hào)C30B25/12GK101246836SQ20081007411公開(kāi)日2008年8月20日申請(qǐng)日期2008年2月14日優(yōu)先權(quán)日2007年2月14日發(fā)明者佐佐木康晴,樋熊政一,菊池英一郎,青砥雅申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社