專利名稱：內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別涉及一種內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu) 的制作方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今的線路板科技已發(fā)展出內(nèi)埋式線路板(embedded circuit board),而 這種線路板在其表面的線路結(jié)構(gòu)是埋入于介電層中，并非突出于介電層的表 面。圖1A至圖1C是根據(jù)已知一種內(nèi)埋式線路板的制造方法所繪示的流程 示意圖。
首先，請參照圖1A,提供基板110，并在基板IIO上形成圖案化介電層 120,圖案化介電層120具有凹槽圖案122。凹槽圖案122具有貫孔122a與 溝槽122b。接著，請參照圖1B，在圖案化介電層120上形成種子層(未繪 示)。然后，再進行無電電鍍工藝與電鍍工藝以形成銅層130,以填滿凹槽圖 案122。之后，請參照圖1C,蝕刻銅層130,形成導電溝道(conductive via) 130a與線^各(circuit) 130b。
由于以已知技術(shù)形成的銅層130需同時;t真滿深度較深的貫孔122a與深 度較淺的溝槽122b且銅層130的表面需達到平坦，因此銅層130的厚度較 大(約20微米)。也因此，蝕刻銅層130需耗費較長的時間且易于蝕刻的過 程中損壞導電溝道130a與線路130b,尤其是當線路130b為細線路(fine circuit)時，線路130b更容易于蝕刻的過程中損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出 一種內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其適于形成細線路結(jié)構(gòu)。 為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出 一種內(nèi)埋式線^^結(jié)構(gòu)的制作方法如 下所述。首先，提供基板，其具有上表面與下表面，且上表面相對于下表面。 接著，形成第一介電層于基板的上表面上。然后，形成第一阻鍍層于第一介 電層上。之后，圖案化第一阻鍍層與第一介電層，以于第一介電層上形成第一凹槽圖案。接著，以化學方法形成第一底導電層于第一凹槽圖案內(nèi)，且第 一底導電層暴露出第一阻鍍層。然后，移除第一阻鍍層。
在本發(fā)明的一實施例中，第一阻鍍層的材料包括疏水性高分子材料，疏 水性高分子材料的材料包括碳與氫。
在本發(fā)明的 一 實施例中，疏水性高分子材料的材料還包括甲基丙烯酸酯
(methacrylate)型樹脂、乙烯苯基(vinyl phenyl)型樹脂、烯丙基(allyl) 型樹脂、聚丙烯酸酯(polyacrylate )型樹脂、聚醚(polyether )型樹脂、聚 烯烴(polyolefin )型樹脂、聚胺(polyamine )型樹脂或聚硅氧烷(polysiloxane )
型樹脂。
在本發(fā)明的一 實施例中，形成第 一 阻鍍層的方法包括液相沉積(Liquid Phase Deposition, LPD )或分子氣相沉積(Molecular Vapor Deposition, MVD )。
在本發(fā)明的一實施例中，移除第一阻鍍層方法包括干法蝕刻、分子氣相 沉積法的逆向程序、研磨、刮除或是其他簡易的機械加工方法。
在本發(fā)明的 一 實施例中，上述移除第 一 阻鍍層的方法包括對第 一 阻鍍層 進行分子氣相沉積法的逆向程序，以使第 一 阻鍍層轉(zhuǎn)變?yōu)榈?一 親水性薄膜， 并將第一親水性薄膜浸泡于蝕刻藥液內(nèi)，以移除第一親水性薄膜。
在本發(fā)明的一實施例中，圖案化第 一阻鍍層與第 一介電層的方法包括激 光燒蝕、等離子體蝕刻或機械切割工藝。
在本發(fā)明的 一 實施例中，化學方法包括化學金屬沉積或化學氣相沉積。
在本發(fā)明的一實施例中，在形成第一底導電層之后，內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的 制作方法還包括以無電電鍍法形成第一厚導電層于第一底導電層上，且第一 厚導電層的厚度大于第一底導電層的厚度。
在本發(fā)明的一實施例中，在形成第一阻鍍層之前，內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制 作方法還包括形成第一初始導電層于第一介電層上。第一介電層包括多顆觸 媒顆粒，而在第一介電層上形成第一凹槽圖案的同時，內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制 作方法還包括活化并凈果露部分的觸々某顆粒，且化學方法包括無電電鍍法。觸 媒顆粒的材料包括過渡金屬錯合物。
另外，在形成第一底導電層之后，內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法還包括以 電鍍法形成第一厚導電層于第一底導電層上。在移除第一阻鍍層之后，內(nèi)埋 式線路結(jié)構(gòu)的制作方法還包括移除第一初始導電層與第一厚導電層突出于 第一介電層的部分。
6為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出 一種內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法包 括如下所述的制作方法。首先，提供基板，基板具有上表面與下表面，且上 表面相對于下表面。接著，形成第一介電層于基板的上表面上，第一介電層 包括多顆第一觸媒顆粒。然后，形成第一親水性薄膜于第一介電層上。之后， 圖案化第一親水性薄膜與第一介電層，以于第一介電層上形成第一凹槽圖案 并使其中一些第一觸媒顆?；罨铱寐队诘谝话疾蹐D案內(nèi)。接著，移除第一 親水性薄膜。之后，利用化學方法，在第一凹槽圖案內(nèi)形成第一圖案化導電 層。
在本發(fā)明的 一 實施例中，第 一 親水性薄膜的材料包括親水性高分子材 料，親水性高分子材料包括碳與氫。
在本發(fā)明的 一 實施例中，親水性高分子材料包括與親水性官能基鍵結(jié)的
聚乙烯酉孚(polyvinyl alcohol )、 聚氧乙烯(polyoxyethylene )、 聚丙烯酉吏 (poly(acrylic acid)),其中親水性官能基為氫氧基(OH )、酰胺基(CONH2 )、 磺酸基(S03)或羧酸基(COOH )。
在本發(fā)明的一實施例中，形成第一親水性薄膜的方法包括液相沉積或分 子氣相沉積。
在本發(fā)明的 一 實施例中，移除第 一親水性薄膜的方法包括水洗工藝。 在本發(fā)明的一實施例中，第一觸媒顆粒的材料包括過渡金屬錯合物。 在本發(fā)明的一實施例中，圖案化第一親水性薄膜與第一介電層的方法包 括激光燒蝕、等離子體蝕刻或機械切割工藝。
在本發(fā)明的 一 實施例中，化學方法包括無電電鍍或化學氣相沉積。 在本發(fā)明的一實施例中，在圖案化第一親水性薄膜與第一介電層之后， 內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法還包括對第一凹槽圖案進行除膠渣處理。
承上所述，本發(fā)明的介電層上覆蓋有阻鍍層，因此本實施例可以化學方 法選擇性地形成底導電層于介電層上特定的區(qū)域。因此，本實施例不需如已 知技術(shù)一般需進行蝕刻步驟以移除多余的導電層，當然，也不會有于蝕刻的 過程中損壞導電溝道與線路的問題產(chǎn)生。由此可知，本發(fā)明適于應(yīng)用在細線 路的制作方法中。
此外，本發(fā)明的化學方法可直接在介電層上形成底導電層，而不需如已 知技術(shù)一般需先在介電層上形成種子層才能進行無電電鍍工藝，故本發(fā)明的 制作方法較為簡易。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實 施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1A至圖1C是根據(jù)已知一種內(nèi)埋式線路板的制造方法所繪示的流程
示意圖。
圖2A ~圖2E與圖3A ~圖3D為本發(fā)明第 一實施例的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的 制作方法的剖面圖。
圖4A 圖4E為本發(fā)明第二實施例的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面圖。
附圖標記i兌明
110、210:基板120:圖案化介電層
122:凹槽圖案122a:貫孔
122b溝槽130:銅層
130a.導電溝道130b線路
212:上表面214:下表面
216:第一接墊218:第二接墊
220a、 402a:第一介電層220b、 402b:第二介電層222a、 314a:第一溝槽222b、 314b:第二溝槽224a、 312a:第一貫孔224b、 312b:第二貫孔230a第一阻鍍層23 Ob第二阻鍍層
240a第一底導電層240b第二底導電層
250a第一厚導電層250b第二厚導電層
310a第一初始導電層310b第二初始導電層
410a第一親水性薄膜410b第二親水性薄膜
420a第一圖案化導電層420b第二圖案化導電層
430a第一導電材料430b第二導電材料
Al:第一觸媒顆粒A2:第二觸媒顆粒
Dl、D2:深度11:第一凹槽圖案12:第二凹槽圖案Tl具體實施例方式
第一實施例
圖2A ~圖2E與圖3A ~圖3D為本發(fā)明第 一實施例的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的 制作方法的剖面圖。
首先，請參照圖2A，提供基板210，基板210可以是介電基板也可以是 單層或多層線路基板。于本實施例中，基板210是以雙層線路板做說明，但 并非用以限定本發(fā)明?；?10具有上表面212與下表面214，且上表面212 相對于下表面214。于本實施例圖示中，基板210可具有兩接墊216、 218 分別位于基板210的上表面212與下表面214。接著，形成第一介電層220a 于基板210的上表面212上，并形成第二介電層220b于基板210的下表面 214上。第一介電層220a與第二介電層220b的材料可以是聚酰亞胺、聚二 曱基硅氧烷或ABF膜。
然后，請參照圖2B，形成第一阻鍍層230a于第一介電層220a上，并 形成第二阻鍍層230b于第二介電層220b上。此外，第一阻鍍層230a與第 二阻鍍層230b的材料例如是疏水性高分子材料或是其他適合的疏水性材料， 而且疏水性高分子材料的材料包括碳與氬。此外，疏水性高分子材料的材料 還包括曱基丙烯酸酯型樹脂、乙烯苯基型樹脂、烯丙基型樹脂、聚丙烯酸酯 型樹脂、聚醚型樹脂、聚烯烴型樹脂、聚胺型樹脂或聚硅氧烷型樹脂、或是 其他適合的疏水性高分子材料。疏水性高分子材料可具有良好的疏水性 (hydrophobicity )，也就是說水或水溶液不易沾附在疏水性高分子材料的表 面。形成第一阻鍍層230a與第二阻鍍層230b (例如疏水性高分子材料)的 方法例如是液相沉積或分子氣相沉積。
之后，請參照圖2C，圖案化第一阻鍍層230a、第一介電層220a、第二 阻鍍層230b與第二介電層220b，以于第一介電層220a與第二介電層220b 上分別形成第一凹槽圖案II與第二凹槽圖案12。圖案化第一阻鍍層230a、 第一介電層220a、第二阻鍍層230b與第二介電層220b的方法例如是激光燒 蝕、等離子體蝕刻或機械切割工藝，其中機械切割工藝包括水刀切割、噴砂 或外型切割。
第一凹槽圖案II可具有至少一第一溝槽222a與至少一第一貫孔224a, 且第二凹槽圖案12可具有至少一第二溝槽222b與至少一第二貫孔224b。第 一貫孔224a與第二貫孔224b分別暴露出兩接墊216、 218。第一貫孔224a與第二貫孔K牝的剖面形狀例如為T字形(如圖2C所示)、梯形(未繪示)
或錐形。第一溝槽222a與第二溝槽222b的深度D1、 D2分別小于第一介電 層220a與第二介電層220b的厚度T1、 T2。
接著，請參照圖2D,于第一凹槽圖案II與第二凹槽圖案12內(nèi)以化學方 法分別形成第一底導電層240a與第二底導電層240b。而且，第一底導電層 240a與第二底導電層240b分別暴露出第一阻鍍層230a與第二阻鍍層230b。 于本實施例中，化學方法包括化學金屬沉積或化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD),其中化學金屬沉積例如是化學銅沉積(例如薄化銅工藝)。 此外，于本實施例中，在形成第一底導電層240a與第二底導電層240b之前， 可先行對第一介電層220a與第二介電層220b的進行表面處理(例如表面粗 糙化)以利于之后形成的第 一底導電層240a與第二底導電層240b有較佳的 附著力。值得注意的是，不同于已知技術(shù)，本實施例的第一介電層220a上 覆蓋有第一阻鍍層230a,因此當以化學方法形成第一底導電層240a時，第 一底導電層240a只會形成在未被第一阻鍍層230a覆蓋的第一介電層220a (即第一凹槽圖案II )上，而不會形成在第一阻鍍層230a上。同理，第二 底導電層240b只形成在第二凹槽圖案12內(nèi)，而不會形成在第二阻鍍層2Mb 上。
由前述可知，本實施例可以化學方法選4奪性地形成第一底導電層240a 與第二底導電層240b于第一介電層220a與第二介電層220b上特定的區(qū)域 (例如第一凹槽圖案II及第二凹槽圖案12)。因此，本實施例不需如已知技 術(shù) 一般需進行蝕刻步驟以移除多余的導電層，也不會有于蝕刻的過程中損壞 導電溝道130a與線路130b的問題產(chǎn)生(請參照圖1A 圖1C)。也因此， 本實施例適于用在細線^各的制作方法中。
之后，請再次參照圖2D，在形成第 一底導電層240a與第二底導電層240b 之后，于第 一底導電層240a與第二底導電層240b上以無電電鍍法分別形成 第一厚導電層250a與第二厚導電層250b。而且，第一厚導電層"0a的厚度 大于第一底導電層240a的厚度。第二厚導電層250b的厚度大于第二底導電 層240b的厚度。
然后，請參照圖2E,移除第一阻鍍層230a與第二阻4度層230b。移除第 一阻鍍層230a與第二阻鍍層230b的方法包括干法蝕刻法、分子氣相沉積法 的逆向程序、研磨、刮除或是其他簡易的機械加工方法。其中，干法蝕刻法
10包括等離子體蝕刻法。
于本發(fā)明的其他實施例中，可通過對第一阻鍍層230a與第二阻鍍層 230b進行一分子氣相沉積法的逆向程序，以使第一阻鍍層230a轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝?親水性薄膜，以及將第二阻鍍層230b轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙H水性薄膜。之后，再將 第 一親水性薄膜與第二親水性薄膜浸泡于蝕刻藥液或水中，以移除第 一親水 性薄膜與第二親水性薄膜。
值得注意的是，透過此分子氣相沉積的逆向程序，可使原本不易被水或 水溶液等液體所沾附的第 一阻鍍層230a與第二阻鍍層230b轉(zhuǎn)變?yōu)闃O易被水 沾濕的第一親水性薄膜與第二親水性薄膜。有關(guān)分子氣相沉積的逆向程序， 可以參考 一 些已公開的文獻，例如Royal Society of Chemistry所出版的 Micro Total Analysis Systems 2004，其中第288至290頁的內(nèi)容。
此外，請參照圖3A，在本實施例中，也可以是在形成第一阻鍍層230a 與第二阻鍍層230b之前，先在第一介電層220a與第二介電層220b上分別 形成第一初始導電層310a與第二初始導電層310b。形成第一初始導電層 310a與第二初始導電層310b的方法包括化學金屬沉積，而化學金屬沉積可 以是化學銅沉積(例如薄化銅工藝)。第一介電層220a與第二介電層220b 可分別具有多個第一觸媒顆粒(未繪示)與多個第二觸媒顆粒(未繪示)。
第一觸媒顆粒與第二觸媒顆?？煞謩e包括多個納米顆粒(未繪示)。而 且，這些納米顆粒的材料可以是過渡金屬錯化物，其中過渡金屬錯合物的材 料例如是選自錳、鉻、柏、鈀或這些金屬的任意組合。此外，第一觸媒顆粒 與第二觸媒顆粒更可以包括多個分別包覆這些納米顆粒的高分子膜層(未繪
之后，請參照圖3B，圖案化第一阻鍍層230a、第一初始導電層310a與 第一介電層220a,以于第一介電層220a上形成第一凹槽圖案I1,并使其中 一些第一觸i/某顆?；罨铱寐队诘谝话疾蹐D案II內(nèi)。并且，圖案化第二阻 鍍層230b、第二初始導電層310b與第二介電層220b,以于第二介電層220b 上形成第二凹槽圖案12，并使其中一些第二觸媒顆?；罨铱寐队诘诙疾?圖案12內(nèi)。
接著，請參照圖3C，于第一凹槽圖案Il與第二凹槽圖案I2內(nèi)以化學方 法分別形成第一底導電層240a與第二底導電層240b。于本實施例中，化學 方法包括無電電鍍或化學氣相沉積。值得注意的是，當以化學方法形成第一底導電層240a時，第一底導電 層240a只會形成在第一介電層220a具有活化的第一觸媒顆粒分布的表面部 分(即第一凹槽圖案Il內(nèi))以及第一初始導電層310a的開口側(cè)邊。因此， 本實施例可以化學方法選擇性地形成第一底導電層240a于第一介電層220a 上特定的區(qū)域(例如第一凹槽圖案Il內(nèi))以及第一初始導電層310a的開口 側(cè)邊。同理，本實施例可以化學方法選擇性地形成第二底導電層240b于第 二介電層220b上特定的區(qū)域(例如第二凹槽圖案I2內(nèi))以及第二初始導電 層310b的開口側(cè)邊。
之后，請再次參照圖3C，于第一底導電層240a與第二底導電層240b 上以電鍍法分別形成第一厚導電層250a與第二厚導電層250b。值得注意的 是，由于本實施例的第一底導電層240a與第一初始導電層310a電性連接， 且第二底導電層240b與第二初始導電層310b電性連接，因此本實施例可以 電鍍的方式形成第一厚導電層250a與第二厚導電層250b。并且，相較于已 知技術(shù)多采用無電電鍍的方式形成導電層，本實施例以電鍍的方式形成導電 層將可大幅縮短形成導電層的時間。
然后，請參照圖3D，移除第一阻鍍層230a與第二阻鍍層230b。之后， 移除第一初始導電層310a與第一厚導電層250a突出于第一介電層220a的 部分，以及移除第二初始導電層310b與第二厚導電層250b突出于第二介電 層220b的部分。移除第一初始導電層310a、部分第一厚導電層250a、第二 初始導電層310b與部分第二厚導電層250b的方法包括蝕刻或研磨，其中蝕 刻例如是以堿性蝕刻液來進行移除，且堿性蝕刻液包括曱醛及氨水。
值得注意的是，本實施例所需移除的第一初始導電層310a、部分第一厚 導電層250a、第二初始導電層310b與部分第二厚導電層250b的厚度(約 0.8微米-1.2微米)遠小于已知技術(shù)中需移除的銅層130的厚度(約20微 米)。因此，本實施例的移除速度較快且移除的過程較易控制而不會如已知 一般于移除銅層130的過程中損壞線路130b或?qū)щ姕系?30a(請參照圖1B 與圖1C)。
第二實施例
圖4A ~圖4E為本發(fā)明第二實施例的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面圖。首先，請參照圖4A,提供基板210，并于基板210的上表面212與下表 面214上分別形成第一介電層402a與第二介電層402b。第一介電層402a與 第二介電層402b分別具有多個第一觸媒顆粒Al與多個第二觸^ 某顆粒A2, 且第 一及第二觸媒顆粒Al 、 A2與第 一實施例的第 一及第二觸媒顆粒相同。
然后，請參照圖4B，于第一介電層402a與第二介電層402b上分別形 成第一親水性薄膜410a與第二親水性薄膜410b,而形成第一親水性薄膜 410a的方法例如是涂布。第一親水性薄膜410a與第二親水性薄膜410b的材 料包括親水性高分子材料，而親水性高分子材料包括碳與氫。親水性高分子 材料包括與親水性官能基鍵結(jié)的聚乙烯醇、聚氧乙烯、聚丙烯酸，其中親水 性官能基為氫氧基、酰胺基、磺酸基、羧酸基或是其他適合的親水性官能基。
之后，請參照圖4C，圖案化第一親水性薄膜410a與第一介電層402a, 以于第 一介電層402a上形成第 一凹槽圖案II并使其中 一些第一觸媒顆粒Al 活化且棵露于第一凹槽圖案Il內(nèi)。第一凹槽圖案Il具有至少一第一貫孔312a 與至少一第一溝槽314a,且形成第一凹槽圖案Il的方法可以是同時或依序 形成第一貫孔312a與第一溝槽314a。圖案化第二親水性薄膜410b與第二介 電層402b,以于第二介電層402b上形成第二凹槽圖案12并使其中一些第二 觸媒顆粒A2活化且棵露于第二凹槽圖案12內(nèi)。第二凹槽圖案12具有至少 一第二貫孔312b與至少一第二溝槽314b，且形成第二凹槽圖案II的方法可 以是同時或依序形成第二貫孔312b與第二溝槽314b。
于本實施例中，圖案化第一親水性薄膜410a、第一介電層402a、第二 親水性薄膜410b與第二介電層402b的方法包括激光燒蝕、等離子體蝕刻或 機械切割工藝，其中機械切割工藝包括水刀切割、噴砂或外型切割。此外， 由于前述圖案化工藝易產(chǎn)生多個膠渣，且這些膠渣易附著于第一介電層402a 與第二介電層402b上，因此在圖案化工藝之后，還可對第一凹槽圖案I1與 第二凹槽圖案12進行除膠渣處理以去除這些膠渣。除膠渣處理包括化學氧 化還原法或等離子體處理法。
接著，請參照圖4D，移除第一親水性薄膜410a與第二親水性薄膜410b, 而移除第一親水性薄膜410a與第二親水性薄膜410b的方法包括水洗工藝， 且水洗工藝所使用的溶液包括水。由前述可知，移除第一親水性薄膜410a 與第二親水性薄膜410b可有助于去除前述的膠渣，進而提升之后將形成于 第一介電層402a與第二介電層402b上的導電層的可靠度。值得一提的是，可于第一與第二親水性薄膜410a、 410b的配方中加入可與紫外光反應(yīng)的萸 光劑，因此當之后需移除第一與第二親水性薄膜410a、 410b時，可通過菱 光劑來判斷是否已完全移除，進而可判定是否已清除前述的膠渣。
此外，由于之后形成的導電層易從第一凹槽圖案II的內(nèi)壁上緣P1與第 二凹槽圖案I2的內(nèi)壁上緣P2向外延伸至第一凹槽圖案II與第二凹槽圖案 12之外而影響導電層的可靠度。因此，本實施例可在移除第一親水性薄膜 410a之后，鈍化第一介電層402a的第一凹槽圖案II的內(nèi)壁上緣P1以及第 二介電層402b的第二凹槽圖案12的內(nèi)壁上緣P2，以避免之后形成在第一與 第二凹槽圖案Il、 12內(nèi)的導電層由內(nèi)壁上緣P1、 P2延伸至第一與第二凹槽 圖案Il、 12之外。鈍化第一與第二介電層310a、 310b的方法包括對第一與 第二介電層310a、 310b進行石成性處理。
之后，請參照圖4E,利用化學方法，在第一凹槽圖案II與第二凹槽圖 案12內(nèi)分別形成第一圖案化導電層420a與第二圖案化導電層420b，且化學 方法包括無電電鍍或化學氣相沉積。無電電鍍例如是無電電鍍銅。此外，本 實施例在形成第一圖案化導電層420a與第二圖案化導電層420b之前，還可 在第一凹槽圖案Il的第一貫孔312a內(nèi)配置第一導電材料430a，以及在第二 凹槽圖案12的第二貫孔312b內(nèi)配置第二導電材料430b。第一與第二導電材 料430a、 430b包括銅膏、銅膠、碳膠、碳膏、銀膏或銀膠。
綜上所述，本發(fā)明的第一實施例的介電層上覆蓋有阻鍍層，因此本實施
本實施例不需如已知技術(shù)一般需進行蝕刻步驟以移除多余的導電層，也因此 本實施例適于應(yīng)用在細線路的制作方法中。此外，本實施例的化學方法可直 接在介電層上形成底導電層，而不需如已知技術(shù)一般需先在介電層上形成種 子層才能進行無電電鍍工藝，故本實施例的制作方法較為筒易。
再者，本發(fā)明的第一實施例由于底導電層與初始導電層電性連接，因此 本實施例可以電鍍的方式形成導電層，進而大幅縮短形成導電層的時間。另 外，本實施例所需移除的導電層(初始導電層與部分厚導電層)的厚度遠小 于已知技術(shù)中所需移除的導電層厚度，因此本實施例的移除速度較快且移除 的過程較易控制。
除此之外，本發(fā)明的第二實施例的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法是先形成 親水性薄膜于介電層上，之后再圖案化親水性薄膜及介電層，然后通過移除
14親水性薄膜以去除圖案化介電層時所產(chǎn)生的膠渣，進而提升之后將形成于介 電層上的導電層的可靠度。
此外，在本發(fā)明的第二實施例中，于介電層上形成凹槽圖案的同時，亦 使介電層中的一些觸媒顆粒活化且棵露于凹槽圖案內(nèi)。因此，本實施例可以 化學方法(例如無電電鍍法)直接在凹槽圖案內(nèi)形成底導電層，而不需如已 知技術(shù)一般需先形成種子層之后才能進行之后的無電電鍍工藝。此外，由于 底導電層只會形成在介電層具有活化的觸媒顆粒的部分，因此本實施例可以 化學方法選擇性地形成底導電層于介電層上特定的區(qū)域。
雖然本發(fā)明已以實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權(quán)利要求所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供基板，該基板具有上表面與下表面，且該上表面相對于該下表面；形成第一介電層于該基板的該上表面上；形成第一阻鍍層于該第一介電層上；圖案化該第一阻鍍層與該第一介電層，以于該第一介電層上形成第一凹槽圖案；以化學方法形成第一底導電層于該第一凹槽圖案內(nèi)，且該第一底導電層暴露出該第一阻鍍層；以及移除該第一阻鍍層。
2. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一阻鍍層 的材料包括疏水性高分子材料，其中該疏水性高分子材料的材料包括碳與 氫。
3. 如權(quán)利要求2所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該疏水性高分 子材料的材料還包括曱基丙烯酸酯型樹脂、乙烯苯基型樹脂、烯丙基型樹脂、 聚丙烯酸酯型樹脂、聚醚型樹脂、聚烯烴型樹脂、聚胺型樹脂或聚硅氧烷型 樹脂。
4. 如權(quán)利要求2所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該第一阻 纟度層的方法包括液相沉積或分子氣相沉積。
5. 如權(quán)利要求2所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中移除該第一阻 鍍層方法包括干法蝕刻、分子氣相沉積法的逆向程序、研磨或刮除。
6. 如權(quán)利要求5所述的內(nèi)埋式線^4吉構(gòu)的制作方法，其中移除該第一阻 鍍層方法包括對該第 一阻鍍層進行分子氣相沉積法的逆向程序，以使第 一阻鍍層轉(zhuǎn)變 為第一親水性薄膜；以及將第一親水性薄膜浸泡于蝕刻藥液內(nèi)，以移除第一親水性薄膜。
7. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化該第一 阻鍍層與該第 一介電層的方法包括激光燒蝕、等離子體蝕刻或機械切割工藝
8. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該化學方法包括化學金屬沉積或化學氣相沉積。
9. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，在形成該第一底導 電層之后，還包括以無電電鍍法形成第一厚導電層于該第一底導電層上，且 該第一厚導電層的厚度大于該第一底導電層的厚度。
10. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，在形成該第一阻 鍍層之前，還包括形成第一初始導電層于該第一介電層上。
11. 如權(quán)利要求IO所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一介電 層包括多顆觸^ 某顆粒，而在該第一介電層上形成該第一凹槽圖案的同時，還 包括活化并棵露部分的該觸媒顆粒，且該化學方法包括無電電鍍法。
12. 如權(quán)利要求11所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該觸媒顆粒的材料包括過渡金屬錯合物。
13. 如權(quán)利要求IO所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，在形成該第一底 導電層之后，還包括以電鍍法形成第一厚導電層于該第一底導電層上。
14. 如權(quán)利要求13所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，在移除該第一阻 鍍層之后，還包括移除該第一初始導電層與該第一厚導電層突出于該第一介 電層的部分。
15. —種內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供基板，該基板具有上表面與下表面，且該上表面相對于該下表面； 形成第一介電層于該基板的該上表面上，該第一介電層包括多顆第一觸 媒顆粒；形成第一親水性薄膜于該第一介電層上；圖案化該第一親水性薄膜與該第一介電層，以于該第一介電層上形成第 一凹槽圖案并使其中 一些第 一觸媒顆?；罨铱寐队谠摰?一 凹槽圖案內(nèi)； 移除該第一親水性薄膜；以及利用化學方法，在該第一凹槽圖案內(nèi)形成第一圖案化導電層。
16. 如權(quán)利要求15所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一親水 性薄膜的材料包括親水性高分子材料，其中該親水性高分子材料的材料包括 碳與氫。
17. 如權(quán)利要求16所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該親水性高 分子材料還包括與親水性官能基鍵結(jié)的聚乙烯醇、聚氧乙烯、聚丙烯酸，其 中親水性官能基為氫氧基、酰胺基、磺酸基或羧酸基。
18. 如權(quán)利要求15所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該第一 親水性薄膜的方法液相沉積或分子氣相沉積。
19. 如權(quán)利要求15所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中移除該第一 親水性薄膜的方法包括水洗工藝。
20. 如權(quán)利要求15所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一觸媒 顆粒的材料包括過渡金屬錯合物。
21. 如權(quán)利要求15所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化該第 一親水性薄膜與該第 一介電層的方法包括激光燒蝕、等離子體蝕刻或機械切 割工藝。
22. 如權(quán)利要求15所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該化學方法 包括無電電鍍或化學氣相沉積。
23. 如權(quán)利要求15所述的內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法，在圖案化該第一 親水性薄膜與該第一介電層之后，還包括對該第一凹槽圖案進行除膠渣處 理。
全文摘要
一種內(nèi)埋式線路結(jié)構(gòu)的制作方法。首先，提供基板，其具有上表面與下表面，且上表面相對于下表面。接著，形成介電層于基板的上表面上。然后，形成阻鍍層于介電層上。之后，圖案化阻鍍層與介電層，以于介電層上形成凹槽圖案。接著，以化學方法形成底導電層于凹槽圖案內(nèi)，且底導電層暴露出阻鍍層。然后，移除阻鍍層。
文檔編號H05K3/10GK101600300SQ20081010987
公開日2009年12月9日 申請日期2008年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月5日
發(fā)明者劉逸群 申請人:欣興電子股份有限公司