專利名稱：具備可切換偏置頻率的等離子體處理腔及可切換匹配網(wǎng)絡(luò)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)用于等離子體處理腔的射頻功率源(RF power suppliers)和匹配 網(wǎng)絡(luò)(matching networks)，尤其涉及能夠?qū)崿F(xiàn)多重頻率射頻功率(multiple-frequency RF power)的射頻功率源和匹配網(wǎng)絡(luò)。
背景技術(shù)：
在本領(lǐng)域中，利用雙重或多重射頻頻率的等離子體處理腔已被熟知。一般地，雙重 頻率的等離子體處理腔接收的射頻偏置功率(RF bias power)具有低于大約15MHz的頻 率，其接收的射頻源功率(RF source power)具有更高的頻率，通常為27 200MHZ。在本 文中，射頻偏置功率(RF bias power)指用于控制離子能量及其能量分布的射頻功率。另 一方面，射頻源功率(RF source power)指用于控制等離子離子解離(ion dissociation) 或等離子體密度的射頻功率。在一些具體實(shí)施例中，通常運(yùn)行蝕刻等離子處理腔的偏置頻 率為，諸如 100KHz，2MHz，2. 2MHz, 13. 56MHz，源頻率為諸如 13. 56MHz, 27MHz, 60ΜΗζ, 100MHz 或更高。近日，業(yè)內(nèi)提出了在一個偏置頻率和兩個源頻率下運(yùn)行等離子體處理腔。例如，提 出了在一個2MHz的偏置頻率和兩個分別為27MHz和60MH的源頻率下運(yùn)行等離子蝕刻腔。按 此方式，各種離子的解離可以由上述兩個源射頻頻率控制。不論構(gòu)造如何，在現(xiàn)有技術(shù)中，每 個頻率都由一個獨(dú)立的射頻功率源提供，每個獨(dú)立的功率源耦合于一個獨(dú)立的匹配網(wǎng)絡(luò)。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的多重頻率等離子體處理腔的結(jié)構(gòu)示意圖，所述等離子體處理腔包括一個偏置射頻功率和兩個源射頻功率發(fā)生器。更具體地，如圖1所示的等離子體處理 腔100包括一個上電極105、下電極110和產(chǎn)生于上述兩電極之間的等離子體120。眾所周 知，上電極105通常嵌設(shè)于反應(yīng)腔的頂蓋上，下電極110通常嵌設(shè)于下方的陰極組件上，所 述陰極組件上用于放置待處理的半導(dǎo)體工藝件，如，半導(dǎo)體晶片。如圖1所示，一個偏置射 頻功率源125通過匹配電路140為等離子體處理腔100提供射頻功率。射頻偏置的頻率為 fl，其通常為2MHz或13MHz (更準(zhǔn)確地為13. 56MHz)，其施加于下電極110上。圖1也示出 了兩個射頻源功率源130和135，其工作頻率分別為f2和f3。比如，f2可設(shè)為27MHZ，f3 可設(shè)為60MHZ。所述射頻源功率源130和135分別通過匹配網(wǎng)絡(luò)145和150向等離子體處 理腔100提供功率。射頻源功率可以施加于下電極110或上電極105上。特別地，在本文 的所有附圖中，所述匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出都被示意為一個指向反應(yīng)腔的單箭頭，這是一種示意 性的表示，用于涵蓋任何匹配網(wǎng)絡(luò)和等離子體的耦合，無論是通過下電極、頂蓋上的電極、 或是通過電感耦合線圈等方式。例如，偏置功率可以通過下方的陰極耦合，而源功率可以通 過氣體噴頭中的一個電極或一個電感線圈耦合。反之，偏置功率和源功率也可以通過下方 的陰極耦合。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明內(nèi)容部分僅提供對本發(fā)明的一些方面和特征的基本理解性介紹，而非本發(fā)明的整體概括，其并非特別地用于確定本發(fā)明關(guān)鍵或主要的原理或者限定本發(fā)明的范圍，其目的僅用于以簡化形式呈現(xiàn)本發(fā)明的一些概念，以作為下文更多細(xì)節(jié)描述的前序。本發(fā)明的不同方面提供的等離子體處理腔具備一個疊加于等離子體源頻率上的 可切換偏置頻率并將其施加于陰極。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式，一個能夠產(chǎn)生多重射頻 偏置頻率的功率源通過一個開關(guān)被耦合于一個匹配網(wǎng)絡(luò)中。所述匹配網(wǎng)絡(luò)將所述偏置頻率 中的一個耦合于陰極。另一個匹配網(wǎng)絡(luò)施加一個源射頻功率于所述陰極?？勺儾⒙?lián)電容器 (variable shunt capacitor)和固定電容的一個平行連接被設(shè)置于地和開關(guān)的輸入之間， 另一個可變并聯(lián)電容器和固定電容的平行連接被連接于地和源射頻匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入之間。 固定電容器(fixed capacitor)為其平行連接的可變并聯(lián)電容器提供保護(hù)。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種射頻匹配電路，其能夠?qū)蓚€偏置頻率的其 中一個和一個源頻率可轉(zhuǎn)換地耦合于一個陰極。所述電路包括一個包括一個輸入、一個第 一輸出和一個第二輸出的開關(guān)；一個具備耦合于所述開關(guān)的第一輸出的輸入和耦合于所述 陰極的輸出的第一匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個低于IOMHz的第一偏置頻 率下運(yùn)行；一個具備耦合于所述開關(guān)的第二輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸出的第二匹 配網(wǎng)絡(luò)，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個高于所述第一偏置頻率但低于15MHz的第二偏 置頻率下運(yùn)行；以及，一個具備耦合于所述陰極的輸出的第三匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第三匹配網(wǎng)絡(luò) 被調(diào)諧以在一個高于所述第二偏置頻率的源頻率下運(yùn)行。所述電路還包括一個耦合于所 述第三匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出和所述陰極之間的并聯(lián)諧振電路(resonance circuit)，所述并聯(lián) 諧振電路可以被調(diào)諧于使得其中心頻率與所述第二偏置頻率相同；一個可變并聯(lián)電容器耦 合于地和所述開關(guān)的輸入之間；一個耦合于地和所述第三匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入之間的第二可變 并聯(lián)電容器；一個耦合于地和所述開關(guān)的輸入之間的固定電容器；和/或一個耦合于地和 所述第三匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入之間的第二固定電容器。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種射頻匹配電路，其能夠?qū)蓚€偏置頻率的其 中一個可轉(zhuǎn)換地耦合于一個陰極。所述電路包括一個包括一個輸入、一個第一輸出和一個 第二輸出的開關(guān)；一個具備耦合于所述開關(guān)的第一輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸出的 第一匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個低于IOMHz的第一偏置頻率下運(yùn)行；一 個具備耦合于所述開關(guān)的第二輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸出的第二匹配網(wǎng)絡(luò)，所述 第二匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個高于第一偏置頻率但低于15MHz的第二偏置頻率下運(yùn)行；一 個耦合于地和所述開關(guān)的輸入之間的可變并聯(lián)電容器；以及一個耦合于地和所述開關(guān)的輸 入之間的固定電容器。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種運(yùn)行于兩種可轉(zhuǎn)換射頻偏置功率的等離子體 處理腔，包括一個用于在真空內(nèi)室之中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)腔；一個用于將射頻能量耦 合于等離子體的陰極；一個能夠選擇性地產(chǎn)生一個低于IOMHz的第一偏置頻率或一個高于 所述第一偏置頻率但低于15MHz的第二偏置頻率的第一射頻功率發(fā)生器；一個包括一個耦 合于第一射頻功率發(fā)生器的開關(guān)，其包括一個第一輸出和一個第二輸出；一個具備耦合于 所述開關(guān)的第一輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸出的第一匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò) 被調(diào)諧以在第一偏置頻率下運(yùn)行；一個具備耦合于所述開關(guān)的第二輸出的輸入和耦合于所 述陰極的輸出的第二匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在第二偏置頻率下運(yùn)行；一個 能夠產(chǎn)生高于15MHz的頻率的射頻源功率的第二射頻功率發(fā)生器；以及，一個具備耦合于所述第二射頻功率發(fā)生器的輸入和耦合于所述陰極的輸出的第三匹配網(wǎng)絡(luò)。在一個實(shí)施 例中，所述第一偏置頻率為大約2MHZ，所述第二偏置頻率為大約13MHz，所述源功率頻率為 27MHz, 60MHz和100MHz的其中之一。所述電路可進(jìn)一步地包括一個耦合于所述第三匹配網(wǎng) 絡(luò)的輸出和所述陰極之間的并聯(lián)諧振電路，所述并聯(lián)諧振電路被調(diào)諧以使得其中心頻率大 約為13MHz，其頻帶寬度(band)為2MHz。所述電路可進(jìn)一步地包括一個可變并聯(lián)電容器和 一個固定電容器的耦合于地和所述開關(guān)的輸入之間的平行連接。所述電路可進(jìn)一步地包括 耦合于地和所述第三匹配網(wǎng)絡(luò)的所述輸入之間的一個可變并聯(lián)電容器和一個固定電容器 的平行連接。


本說明書中包含的附圖，作為本說明書的一部分，示例性地示出了本發(fā)明的實(shí)施 方式，并與說明書一起用于解釋和說明本發(fā)明的原理。附圖旨在以圖示的方式說明所述實(shí) 施例的主要特征。附圖的目的并不在于描述實(shí)際實(shí)施方式的每個特征和所描繪元件的相對 尺寸，所述元件并非按比例繪制。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的多重頻率等離子體處理腔的結(jié)構(gòu)示意圖，所述等離子體處理腔 包括一個偏置射頻功率和兩個源射頻功率發(fā)生器。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個第一實(shí)施例的多重頻率等離子體處理腔的結(jié)構(gòu)示意圖， 所述等離子體處理腔包括兩個偏置射頻功率和一個源射頻功率發(fā)生器。圖3示例性地示出了一個射頻功率匹配電路。
具體實(shí)施例方式圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例的多重頻率等離子體處理腔的結(jié)構(gòu)示 意圖，所述等離子體處理腔包括兩個耦合于一個匹配網(wǎng)絡(luò)的可切換射頻偏置功率源。在圖2 中，兩個射頻偏置功率源225和255通過開關(guān)232給反應(yīng)腔200提供可切換的射頻偏置頻率 Π和f2，所述開關(guān)232分別耦合于匹配電路240和245。所述射頻偏置頻率fl通常為2MHz 或2. 2MHz，射頻偏置頻率f2通常為13MHz (更準(zhǔn)確地為13. 56MHz)。兩個射頻偏置通常施 加于下電極210。按此方式，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種改良的離子能量控制。例如，對于需要更高 的轟擊能量應(yīng)用場合，諸如前端蝕刻(front-end etch)的應(yīng)用，可利用2MHz的源，而對于 需要較柔和的轟擊的應(yīng)用場合，諸如后端蝕刻(back-end etch)的應(yīng)用，可利用13MHz的偏 置。圖2也示出了一個射頻源功率源235，其在頻率f3下運(yùn)行，例如，27MHz，60MHz，1 OOMHz 等。所述射頻源功率源235通過匹配網(wǎng)絡(luò)250被傳送到反應(yīng)腔200，并施加于下電極210。 所述源功率用于控制等離子體密度，即等離子體離子解離。圖2所示的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了反應(yīng)腔雙重頻率(或fl/f3或f2/f3)的應(yīng)用。例如，fl可 為 400KHz 到 5MHz ；f2 可為 IOMHz 到 20MHz，但通常低于 15MHz ；f3 可為 27MHz 到 IOOMHz 或 更高。在一個特例中，fl為2MHz，f2為13. 56MHz，f3為60MHz。這種結(jié)構(gòu)使得運(yùn)行在工藝 過程中需要在低頻率偏置功率和高頻率偏置功率之間切換的配方(recipes)變得非常容易。圖3示例性地示出了一個匹配電路，其中三個可用頻率的其中兩個可切換地被施 加于一個等離子體處理腔的陰極上。一個高頻f3通過一個匹配電路334和一個并聯(lián)諧振電路330耦合于所述陰極，而兩個較低頻率f 1和f2與開關(guān)332相連接，所述開關(guān)332可切 換地使Π或f2通過匹配電路320或322耦合至所述陰極。在本實(shí)施例中，所述射頻頻率 fl/f2由一個單獨(dú)的射頻功率發(fā)生器提供，以實(shí)現(xiàn)可切換地運(yùn)行于頻率f 1或f2下。每個所 述匹配電路由一串聯(lián)連接的一個電容器和一個電感組成。在一個實(shí)施例中，匹配電路320 包括一個200 500pF的電容器和一個大約為20 50mH的電感；匹配電路322包括一個 50 200pF的電容器和一個大約為0. 5 5mH的電感；匹配電路320包括一個大約25pF的 電容器和一個大約0. 2-0. 3mH的電感。所述并聯(lián)諧振電路330用于防止能量從13. 56MHz功率源進(jìn)入60MHz源。也就是 說，當(dāng)開關(guān)332耦合于2MHz偏置源時，偏置頻率比60MHz的等離子體源頻率低三十倍，因 此它不能跳過匹配電路334。但是，當(dāng)所述開關(guān)332耦合于13. 56MHz偏置功率時，偏置頻 率更接近于等離子體源頻率f3，可能跳過所述匹配電路334。因此，本發(fā)明提供了一種并聯(lián) 諧振電路，其由一個電容器和一個電感并聯(lián)連接而成。在本實(shí)施例中，當(dāng)fl = 2MHZ，f2 = 13. 56MHz, f3 = 60MHZ，所述并聯(lián)諧振電路330的中心頻率為13MHz，其變量或頻帶寬度為 Af = 2MHZ。這防止了偏置頻率13. 56泄漏(leak into)進(jìn)入源功率源f3。所述諧振電路 是作為60MHz的一個短路(short circuit)。如圖3所示的實(shí)施例，一個可變并聯(lián)電容器305耦合于開關(guān)332之前，從而其對于 匹配電路320和322而言是共同的(無論匹配電路320和322中的哪一個與開關(guān)332連 接)。另一個可變并聯(lián)電容器315為頻率f3和匹配電路334配合工作。在本實(shí)施例中，兩 個并聯(lián)電容器利用可變真空電容器(variable vacuum capacitors)來實(shí)施。并且，在本 實(shí)施例中，可采用特定的保護(hù)測試以保護(hù)上述可變并聯(lián)電容器。一個固定電容器300平行 耦合于并聯(lián)電容器305。固定電容器300保護(hù)并聯(lián)電容器305以使其在設(shè)定為低電容值時 不受高射頻電流影響。反之，固定電容器310平行耦合于可變并聯(lián)電容器315。固定電容 器310保護(hù)并聯(lián)電容器315以使其在設(shè)定為低電容值時不受高射頻電流影響。在本實(shí)施例 中，可變并聯(lián)電容器305可在大約30pF到1500pF之間變化，固定電容器300被設(shè)定為大約 IOOpF0類似地，在本實(shí)施例中，可變并聯(lián)電容器315可在大約IOpF到150pF之間變化，固 定電容器310設(shè)定為大約120pF。任意上述具體實(shí)施方式
都可用于運(yùn)行一個等離子體處理腔，以提供一種包括運(yùn)行 于第一偏置頻率下的第一周期和運(yùn)行于第二偏置頻率下的第二周期的制程。例如，所述反 應(yīng)腔可在一個低偏置頻率下運(yùn)行，例如，在主要蝕刻步驟中設(shè)定為大約2MHz ；但是，為了在 蝕刻結(jié)束期間實(shí)現(xiàn)一種“軟著陸”(soft landing)，系統(tǒng)可被切換于在一個更高的頻率偏置 下運(yùn)行，例如，大約13MHz。最后，應(yīng)當(dāng)理解，上文中描述的過程和技術(shù)并非固有地涉及任何特定裝置，而應(yīng)適 用于多個組件的任何適當(dāng)組合。進(jìn)一步地，各種類型的通用裝置均可根據(jù)本文所教導(dǎo)的內(nèi) 容被應(yīng)用。制造專用裝置來實(shí)現(xiàn)本文所述方法步驟也是有利的。本發(fā)明是參照具體實(shí)施例 來描述的，其所有方面都應(yīng)為示例性而非限定性。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，硬件、軟件 和固件的不同組合都可適用于實(shí)施本發(fā)明。比如，所述軟件可以用很多種程序或腳本語言 來執(zhí)行，諸如匯編、c/c++、PERL、SHELL、PHP、JAVA 等等。本發(fā)明是參照具體實(shí)施方式
描述的，其所有方面都應(yīng)為示例性而非限定性的。此外，通過本文所描述的本發(fā)明具體實(shí)施例和實(shí)施，本發(fā)明其他實(shí)施方式對于本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)是顯而易見的。所述實(shí)施方式的不同方面和/或元件可以在等離子體處理腔領(lǐng)域中單獨(dú)或以任意組合使用。上述具體實(shí)施例應(yīng)被視為僅為示例性的，本發(fā)明的范圍和精神則是 由權(quán)利要求書定義的。
權(quán)利要求
一種射頻匹配電路，所述射頻匹配電路可切換地耦合兩個偏置頻率中的一個和一個源頻率于一個陰極上，包括一個開關(guān)，其包括一個輸入、一個第一輸出和一個第二輸出；一個第一匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括耦合于所述開關(guān)的第一輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸出，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個低于10MHz第一偏置頻率下運(yùn)行；一個第二匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括耦合于所述開關(guān)的第二輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸出，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個高于所述第一偏置頻率但低于15MHz的第二偏置頻率下運(yùn)行；一個第三匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括耦合于所述陰極的輸出，所述第三匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個高于所述第二偏置頻率的源頻率下運(yùn)行；以及，一個并聯(lián)諧振電路，其耦合于所述第三匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出和所述陰極之間，所述并聯(lián)諧振電路被調(diào)諧以使其中心頻率與所述第二偏置頻率相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻匹配電路，其進(jìn)一步地包括一個稱合于地和所述開關(guān)的 所述輸入之間的可變并聯(lián)電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻匹配電路，其進(jìn)一步地包括一個耦合于地和所述第三匹 配網(wǎng)絡(luò)的所述輸入之間的第二可變并聯(lián)電容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻匹配電路，其進(jìn)一步地包括一個耦合于地和所述開關(guān)的 所述輸入之間的固定電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻匹配電路，其進(jìn)一步地包括一個耦合于地和所述第三匹 配網(wǎng)絡(luò)的所述輸入之間的第二固定電容器。
6.一種射頻匹配電路，所述射頻匹配電路可切換地耦合兩個偏置頻率的其中一個于一 個陰極上，包括一個包括一個輸入、一個第一輸出和一個第二輸出的開關(guān)；一個第一匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括耦合于所述開關(guān)的第一輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸 出，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個低于IOMHz的第一偏置頻率下運(yùn)行；一個第二匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括耦合于所述開關(guān)的第二輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸 出，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在一個高于所述第一偏置頻率但低于15MHz的第二偏置頻 率下運(yùn)行；一個可變并聯(lián)電容器，其耦合于地和所述開關(guān)的所述輸入之間；以及一個固定電容器，其耦合于地和所述開關(guān)的所述輸入之間。
7.—種在兩個可切換的射頻偏置功率源下運(yùn)行的等離子體處理腔，包括一個反應(yīng)腔，用于在其被抽成真空的內(nèi)部之中產(chǎn)生等離子體；一個陰極，用于耦合射頻能量于所述等離子體；一個第一射頻功率發(fā)生器，其可選地產(chǎn)生一個低于IOMHz的第一偏置頻率或一個高于 所述第一偏置頻率但低于15MHz的第二偏置頻率；一個開關(guān)，其包括一個耦合于所述第一射頻功率發(fā)生器的輸入、一個第一輸出和一個 第二輸出；一個第一匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括耦合于所述開關(guān)的第一輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸 出，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在所述第一偏置頻率下運(yùn)行；一個第二匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括耦合于所述開關(guān)的第二輸出的輸入和耦合于所述陰極的輸 出，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)被調(diào)諧以在所述第二偏置頻率下運(yùn)行；一個第二射頻功率發(fā)生器，其產(chǎn)生高于15MHz的射頻源功率；以及，一個第三匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括耦合于所述第二射頻功率發(fā)生器的輸入和耦合于所述陰極 的輸出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理腔，其中所述第一偏置頻率為大約2MHZ，所述 第二偏置頻率為大約13MHz，所述射頻源功率的頻率為27MHz、60MHz和IOOMHz中的任一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理腔，其進(jìn)一步地包括一個并聯(lián)諧振電路，其耦 合于所述第三匹配網(wǎng)絡(luò)的所述輸出和所述陰極之間，所述并聯(lián)諧振電路被調(diào)諧以使其中心 頻率在大約13MHz，其頻帶寬度為2MHz。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體處理腔，其進(jìn)一步地包括耦合于地和所述開關(guān)的 所述輸入之間的并聯(lián)的一個可變并聯(lián)電容器和一個固定電容器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理腔，其進(jìn)一步地包括耦合于地和所述第三匹 配網(wǎng)絡(luò)的所述輸入之間的并聯(lián)的一個可變并聯(lián)電容器和一個固定電容器。
全文摘要
一種等離子體處理腔，其包括一個疊加于等離子體源頻率并施加于陰極的可切換偏置頻率。一個能產(chǎn)生多重射頻偏置頻率的功率源通過一個開關(guān)耦合于一個匹配網(wǎng)絡(luò)中。所述匹配網(wǎng)絡(luò)耦合偏置頻率的其中之一于所述陰極。另一個匹配網(wǎng)絡(luò)施加一個源射頻功率于所述陰極。一個可變并聯(lián)電容器和固定電容的平行連接設(shè)定于地和所述開關(guān)的輸入之間，另一個可變并聯(lián)電容器和固定電容的連接設(shè)定于地和所述源射頻匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入之間。
文檔編號H05H1/46GK101989525SQ20091005593
公開日2011年3月23日 申請日期2009年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月5日
發(fā)明者尹志堯, 陳金元 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司