專利名稱：配線板、半導(dǎo)體器件及制造配線板和半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在上面安裝半導(dǎo)體元件的配線板、把半導(dǎo)體元件 安裝在該配線板上的半導(dǎo)體器件、以及制造該配線板和半導(dǎo)體器件的 方法，并且尤其涉及一種具有優(yōu)良的高速傳輸特性和安裝可靠性的薄 配線板、以及使用該配線板的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
如最近在移動設(shè)備中所看到的，電子器件正在迅速地變得更小、 更薄、且越來越密集，并且由于和半導(dǎo)體元件的更高速度及功能性關(guān) 聯(lián)的端子數(shù)的增加，在器件和半導(dǎo)體元件安裝中所使用的配線板中， 需要更薄的薄度、更輕的重量、更高的密度及其它特性。
通常， 一般把具有通孔的積層板(build-up board)和其它板用作 配線板，但是具有通孔的板比較厚，而且由于存在通孔而不適于高速 信號傳輸。
另一方面，也使用帶板(tape board)和其它薄板，但是這種板不 能滿足近來對更高密度的要求，因為帶板制造方法將配線層限于一層 或兩層，并且由于帶材料的較大收縮，其圖案定位精度次于積層板。
己經(jīng)建議把無心板(coreless board)作為改善這些配線板問題 的方法。在這些板中，在預(yù)先準(zhǔn)備的支持板上形成配線結(jié)構(gòu)體等，在 形成配線結(jié)構(gòu)體之后除去或分離支持板，留下未成型的通孔。
曰本專利申請待審公開No. 2000-323613披露了一種技術(shù)把銅
板用作支持板，在銅板上形成配線結(jié)構(gòu)，然后刻蝕掉支持板以獲得無心板。
日本專利申請待審公開No. 05-259639披露了一種技術(shù)把不銹 鋼板用作支持板，在不銹鋼板上形成配線結(jié)構(gòu)，然后剝離支持板以獲 得無心板。
日本專利申請待審公開No. 2004-200668披露了一種技術(shù)把銅 箔用作支持板，在銅箔上形成配線結(jié)構(gòu)，并在銅箔上安裝半導(dǎo)體元件， 然后對銅箔進(jìn)行刻蝕以獲得無心板。該公開還披露了一種把半導(dǎo)體芯 片安裝在該無心板上的半導(dǎo)體器件。
然而，上述現(xiàn)有技術(shù)中所披露的配線板存在以下問題。關(guān)于日本 專利申請待審公開No. 2000-323613 、 No. 05-259639禾B No. 2004-200668，布置在通過除去支持板所獲得的表面上的電極被嵌入絕 緣樹脂中，并且表面是平坦的。因為要在其上面進(jìn)行焊接和連接的電 極表面是平坦的，所以存在以下問題焊料和端電極材料之間的金屬 擴(kuò)散層(合金層)沿著電極表面而形成，并且因為合金層削弱了連接 強(qiáng)度，所以連接可靠性降低了。換句話說，當(dāng)在形成連接之后施加應(yīng) 力時，金屬擴(kuò)散層中將產(chǎn)生裂紋。因此，難以在其中使用平坦電極的 連接結(jié)構(gòu)中獲得穩(wěn)定的可靠性。而且，因為嵌入的電極由具有比無機(jī) 材料低的彈性模量的絕緣樹脂所支持，所以存在以下問題在絲焊期 間吸收超聲波，并且焊接特性降級。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高度可靠的配線板、使用該配線板的半 導(dǎo)體器件、以及制造這些板的方法，其中由于嵌入并形成在絕緣樹脂 層中的電極的側(cè)面和該絕緣樹脂層分開，以便當(dāng)另一塊板等連接到電 極時，將電極和焊接之間的連接置于遠(yuǎn)到電極的側(cè)面，由此提高了焊 接連接的連接可靠性，并且其中當(dāng)另一塊板等通過絲焊法連接到電極 時，通過防止吸收超聲波來獲得穩(wěn)定的絲焊特性。
根據(jù)本發(fā)明的配線板包括第一表面和第二表面，該第一表面和 第二表面包括布置在第一表面上的第一電極和布置在第二表面上的第 二電極；至少單層絕緣層和至少單層配線層；以及一個或多個安裝的
7半導(dǎo)體元件。布置在第二表面上的第二電極嵌入絕緣層中；第二電極
的暴露于第二表面的表面的相反側(cè)表面連接到配線層；并且第二電極
的側(cè)面的全部或一部分不與絕緣層接觸。
第二電極的暴露于第二表面的表面可以處在與第二表面相同的平面內(nèi)。
第二電極的暴露于第二表面的表面可以相對于第二表面而下凹。
第二電極的暴露于第二表面的表面可以從第二表面伸出。
第一電極和第二電極可以直接連接。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有上述配線板，以及連接到該配線板 中第一電極和/或第二電極的一個或多個半導(dǎo)體元件。
在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，第一電極和第二電極可以直接連 接， 一個或多個半導(dǎo)體元件可以連接到第一電極，并且一個或多個半 導(dǎo)體元件可以連接到第二電極。
可以利用包括低熔點(diǎn)金屬或?qū)щ姌渲牟牧希瑏戆寻雽?dǎo)體元件倒 裝連接到第一電極和/或第二電極。
可以利用主要金屬為金的線，通過絲焊法把半導(dǎo)體元件連接到第 一電極和/或第二電極。
優(yōu)選地，利用從包括低熔點(diǎn)金屬、有機(jī)樹脂和含金屬樹脂的組中 所選擇的至少一種材料，來把半導(dǎo)體元件連接到上述配線板。
在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，優(yōu)選地在第一電極和/或第二電極 上提供包括焊料的金屬球。
根據(jù)本發(fā)明的制造配線板的方法包括在支持板上形成絕緣層；
在該絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口，使得支持板暴露； 在該開口中形成第二電極；在該絕緣層和第二電極上形成配線層；在 該絕緣層和第二電極上形成第一電極；除去支持板；以及在第二電極 側(cè)面和該絕緣層之間形成間隙。
在絕緣層和第二電極上形成配線層的步驟以及在絕緣層和第二電 極上形成第一電極的步驟可以包括通過對相同的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖， 來同時形成配線層和第一電極。
根據(jù)本發(fā)明的制造配線板的另一種方法包括在支持板上形成絕緣層；在該絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口，使得支持板 暴露；在該開口中形成第二電極；形成至少一層或多層配線層和至少 一層或多層絕緣層；在最上面絕緣層上形成第一電極；除去支持板； 以及在第二電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙。
可以在最上面絕緣層上形成第一電極的步驟中，在最上面絕緣層 上形成配線層。
在絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口、使得支持板暴露 的步驟和在該開口中形成第二電極的步驟之間，可以包括以下步驟 通過干法刻蝕或濕法刻蝕來向該開口的側(cè)面提供比絕緣層更容易除去 的絕緣膜。
根據(jù)本發(fā)明的制造配線板的又一種方法包括在支持板上形成第 二電極；在支持板上提供絕緣層，以覆蓋第二電極；使第二電極的與 支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露；在絕緣層和第二電極上形成配 線層；在絕緣層和第二電極上形成第一電極；除去支持板；以及在第 二電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙。
絕緣層和第二電極上的配線層以及絕緣層和第二電極上的第一電 極可以被形成在相同的導(dǎo)電膜上，并可以通過對該導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖來 同時形成。
根據(jù)本發(fā)明的制造配線板的又一種方法包括在支持板上形成第 二電極；在支持板上提供絕緣層，以覆蓋第二電極；使第二電極的與 支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露；形成至少一層或多層配線層以 及至少一層或多層絕緣層；在最上面絕緣層上形成第一電極；除去支 持板；以及在第二電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙。
可以在最上面絕緣層上形成第一電極的步驟中，在最上面絕緣層 上形成配線層。
在支持板上形成第二電極的步驟和在支持板上提供絕緣層以覆蓋 第二電極的步驟之間，可以包括以下步驟通過干法刻蝕或濕法刻蝕 來形成比絕緣層更容易除去的絕緣膜。
使第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露的步驟優(yōu)選 地包括拋光絕緣層和第二電極。使第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露的步驟可以 包括向絕緣層提供暴露第二電極暴露且大于第二電極表面積的凹部。
在第二電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙的步驟優(yōu)選地是濕法刻蝕 和/或干法刻蝕。
在除去支持板的步驟和在第二電極側(cè)面與絕緣層之間形成間隙的 步驟之間可以包括以下步驟使第二電極暴露。 除去支持板的步驟可以是剝離步驟。
支持板可以是導(dǎo)電材料，或者是其表面上形成了導(dǎo)電膜的材料。 根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法包括在支持板上形成絕緣 層；在絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口，使得支持板暴露； 在該開口中形成第二電極；在絕緣層和第二電極上形成配線層；在絕 緣層和第二電極上形成第一電極；把一個或多個半導(dǎo)體元件安裝在第 一電極上；除去支持板；以及在第二電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙。 絕緣層和第二電極上的配線層以及絕緣層和第二電極上的第一電 極優(yōu)選地由相同的導(dǎo)電膜形成，并且優(yōu)選地通過對該導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖 來同時形成。
根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的另一種方法包括在支持板上形 成絕緣層；在絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口，使得支持 板暴露；在該開口中形成第二電極；形成至少一層或多層配線層以及 至少一層或多層絕緣層；在最上面絕緣層上形成第一電極；把一個或 多個半導(dǎo)體元件安裝在第一電極上；除去支持板；以及在第二電極側(cè) 面和絕緣層之間形成間隙。
可以在最上面絕緣層上形成第一電極的步驟中，在最上面絕緣層 上形成配線層。
在絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口、使得支持板暴露 的步驟和在該開口中形成第二電極的步驟之間，優(yōu)選地包括以下步驟 通過濕法刻蝕或干法刻蝕來向開口的側(cè)面提供比絕緣層更容易除去的 絕緣膜。
根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的另一種方法包括在支持板上形 成第二電極；在支持板上提供絕緣層，以覆蓋第二電極；使第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露；在絕緣層和第二電極上形 成配線層；在絕緣層和第二電極上形成第一電極；把一個或多個半導(dǎo) 體元件安裝在第一電極上；除去支持板；以及在第二電極側(cè)面和絕緣 層之間形成間隙。
絕緣層和第二電極上的配線層以及絕緣層和第二電極上的第一電 極優(yōu)選地由相同的導(dǎo)電膜形成，并且優(yōu)選地通過對該導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖 來同時形成。
根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的又一種方法包括在支持板上形 成第二電極；在支持板上提供絕緣層，以覆蓋第二電極；使第二電極 的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露；形成至少一層或多層配線 層以及至少一層或多層絕緣層；在最上面絕緣層上形成第一電極；把 一個或多個半導(dǎo)體元件安裝在第一電極上；除去支持板；以及在第二 電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙。
可以在最上面絕緣層上形成第一電極的步驟中，在最上面絕緣層 上形成配線層。
在支持板上形成第二電極的步驟和在支持板上提供絕緣層以覆蓋 第二電極的步驟之間，可以包括以下步驟通過濕法刻蝕或干法刻蝕 來形成比絕緣層更容易除去的絕緣膜。
使第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露的步驟優(yōu)選 地包括拋光絕緣層和第二電極。
使第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露的步驟優(yōu)選 地包括向絕緣層提供暴露第二電極暴露且大于第二電極表面積的凹部。
在第二電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙的步驟之后，可以包括以
下步驟把一個或多個半導(dǎo)體元件安裝在第二電極上。
制造半導(dǎo)體器件的又一種方法包括在支持板上形成絕緣層；在 絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口，使得支持板暴露；在該 開口中形成第二電極；在絕緣層和第二電極上形成配線層；在絕緣層 和第二電極上形成第一電極；除去支持板；在第二電極側(cè)面和絕緣層 之間形成間隙；以及把一個或多個半導(dǎo)體元件安裝在第二電極上。絕緣層和第二電極上的配線層以及絕緣層和第二電極上的第一電 極優(yōu)選地由相同的導(dǎo)電膜形成，并且優(yōu)選地通過對該導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖 來同時形成。
制造半導(dǎo)體器件的又一種方法包括在支持板上形成絕緣層；在
絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口，使得支持板暴露；在該 開口中形成第二電極；形成至少一層或多層配線層以及至少一層或多 層絕緣層；在最上面絕緣層上形成第一電極；除去支持板；在第二電 極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙；以及把一個或多個半導(dǎo)體元件安裝在 第二電極上。
可以在最上面絕緣層上形成第一電極的步驟中，在最上面絕緣層 上形成配線層。
在絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口、使得支持板暴露 的步驟和在該開口中形成第二電極的步驟之間，可以包括以下步驟 通過濕法刻蝕或干法刻蝕來形成比絕緣層更容易除去的絕緣膜。
制造半導(dǎo)體器件的又一種方法包括在支持板上形成第二電極； 在支持板上提供絕緣層，以覆蓋第二電極；使第二電極的與支持板接 觸的表面的相反側(cè)表面暴露；在絕緣層和第二電極上形成配線層；在 絕緣層和第二電極上形成第一電極；除去支持板；在第二電極側(cè)面和 絕緣層之間形成間隙；以及把一個或多個半導(dǎo)體元件安裝在第二電極 上。
絕緣層和第二電極上的配線層以及絕緣層和第二電極上的第一電 極優(yōu)選地由相同的導(dǎo)電膜形成，并且優(yōu)選地通過對該導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖 來同時形成。
制造半導(dǎo)體器件的又一種方法包括在支持板上形成第二電極； 在支持板上提供絕緣層，以覆蓋第二電極；使和支持板接觸的第二電 極表面的相反側(cè)第二電極表面暴露；形成至少一層或多層配線層以及 至少一層或多層絕緣層；在最上面絕緣層上形成第一電極；除去支持 板；在第二電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙；以及把一個或多個半導(dǎo) 體元件安裝在第二電極上。
可以在最上面絕緣層上形成第一電極的步驟中，在最上面絕緣層上形成配線層。
在支持板上形成第二電極的步驟和在支持板上提供絕緣層以覆蓋 第二電極的步驟之間，可以包括以下步驟通過濕法刻蝕或干法刻蝕 來形成比絕緣層更容易除去的絕緣膜。
使第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露的步驟可以 包括拋光絕緣層和第二電極。
使第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露的步驟可以 包括向絕緣層提供暴露第二電極暴露且大于第二電極表面積的凹部。
在第二電極側(cè)面和絕緣層之間形成間隙的步驟可以是濕法刻蝕和 /或干法刻蝕。
在除去支持板的步驟和在第二電極側(cè)面與絕緣層之間形成間隙的 步驟之間，可以包括以下步驟使第二電極暴露。
可以包括以下步驟在第一電極和/或第二電極上安裝包括焊料的 金屬球。
除去支持板的步驟可以是剝離步驟。
支持板優(yōu)選地是導(dǎo)電材料，或者是其表面上形成了導(dǎo)電膜的材料。 在根據(jù)本發(fā)明的配線板和使用該配線板的半導(dǎo)體器件中，可以有 效防止由于元件、板等連接后所產(chǎn)生的應(yīng)力或主要在水平方向上施加 于電極表面的應(yīng)力，而使連接邊界的脆性金屬擴(kuò)散層破裂。作為以下 的結(jié)果而實現(xiàn)了這種預(yù)防嵌入并形成在絕緣樹脂層中的電極的側(cè)面 和該絕緣樹脂層分開，以便當(dāng)另一塊板等連接到電極時、將電極和焊 接之間的連接置于遠(yuǎn)到電極的側(cè)面。當(dāng)另一塊板等通過絲焊法連接到 電極時，通過防止吸收超聲波來獲得穩(wěn)定的絲焊特性，并且相對于連 接到配線板的元件、其它板等，連接可靠性提高了。
按照本發(fā)明制造配線板的方法，可以有效地制造根據(jù)本發(fā)明的配 線板，可以通過在步驟中使用支持板來穩(wěn)定地執(zhí)行配線形成，并且可 以實現(xiàn)更高密度和更高精度的配線形成。因為可以通過在配線形成之 后除去支持板，來使配線板的厚度進(jìn)一步最小化，所以可以減小電感， 并且可以抑制電損耗。而且，通過在除去步驟中剝離支持板，可以重 新使用支持板，并且能夠降低成本。
13根據(jù)本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法，可以有效地制造根據(jù)本發(fā)明 的半導(dǎo)體器件，并且因為同時利用穩(wěn)定的支持板來安裝半導(dǎo)體元件，
所以能夠以50pm或更小的極窄間距，來穩(wěn)定地形成連接?？梢酝ㄟ^
在安裝半導(dǎo)體元件之后除去支持板，來使配線板的厚度進(jìn)一步最小化， 并且可以通過將另一個半導(dǎo)體元件安裝在暴露面上，來將先前安裝的 半導(dǎo)體元件之間的間隙設(shè)為極短的距離。為此，可以提供大量的微連 接，并且可以在兩個表面的半導(dǎo)體元件之間實現(xiàn)高速信號傳輸和寬總 線寬度。


圖1所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的配線板的例子的橫截面示意
圖2所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的配線板的第一變型例子的橫 截面示意圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的配線板的第二變型例子的橫 截面示意圖4所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的配線板的第三變型例子的橫 截面示意圖5所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的配線板的例子的橫截面示意
圖6所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的配線板的變型例子的橫截面 示意圖7所示為根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截面 示意圖8所示為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截面 示意圖9所示為根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截面 示意圖10所示為根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截 面示意圖；圖11所示為根據(jù)本發(fā)明第七實施例的半導(dǎo)體器件的配置例子的
橫截面示意圖12所示為根據(jù)本發(fā)明第八實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截 面示意圖13所示為根據(jù)本發(fā)明第九實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截 面示意圖14所示為根據(jù)本發(fā)明第十實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截 面示意圖15所示為根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫 截面示意圖16所示為根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫 截面示意圖17A至17G所示為根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的配線板制造方法 的例子的橫截面示意圖18A至18H所示為根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的配線板制造方法
的例子的橫截面示意圖19A至19H所示為根據(jù)本發(fā)明第十五實施例的配線板制造方法 的例子的橫截面示意圖20A至20H所示為根據(jù)本發(fā)明第十六實施例的配線板制造方法
的例子的橫截面示意圖21A至21G所示為根據(jù)本發(fā)明第十七實施例的配線板制造方法 的例子的橫截面示意圖22A至22E所示為根據(jù)本發(fā)明第十八實施例的制造半導(dǎo)體器件 的方法的例子的橫截面示意圖23A至23F所示為根據(jù)本發(fā)明第十九實施例的制造半導(dǎo)體器件 的方法的例子的橫截面示意圖24A至24D所示為根據(jù)本發(fā)明第二十實施例的制造半導(dǎo)體器件 的方法的例子的橫截面示意圖25A至25F所示為根據(jù)本發(fā)明第二十一實施例的制造半導(dǎo)體器 件的方法的例子的橫截面示意圖；以及圖26A至26G所示為根據(jù)本發(fā)明第二十二實施例的制造半導(dǎo)體器 件的方法的例子的橫截面示意圖。
具體實施例方式
以下參考附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例。首先描述本發(fā)明第一 實施例。圖1所示為根據(jù)該實施例的配線板的例子的橫截面示意圖。 圖1所示的配線襯底具有這樣的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括絕緣層11、嵌入絕 緣層11中的第二電極14、以及布置在絕緣層11和第二電極14上的 配線層12和第一電極13，并且第二電極14暴露面中的側(cè)面不與絕緣 層11接觸。
絕緣層11例如由感光或非感光有機(jī)材料形成，可以使用的有機(jī)材 料的例子包括環(huán)氧樹脂(epoxy resin)、環(huán)氧丙烯酸樹脂(epoxy acrylate resin)、聚氨脂丙烯酸樹脂(urethane acrylate resin)、聚酯樹 脂(polyester resin)、酚醛樹脂(phenolic resin )、聚酰亞胺樹脂 (polyimide resin)、 苯并環(huán)丁烯(BCB: benzocyclobutene)、 聚苯并 惡唑(PBO: polybenzoxazole)、聚降冰片烯樹脂(polynorbomene resin) 等；或以下材料，其中用環(huán)氧樹脂、環(huán)氧丙烯酸樹脂、聚氨脂丙烯酸 樹脂、聚酯樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、BCB、 PBO、聚降冰片 烯樹脂等來浸漬由玻璃纖維布、芳族聚酰胺纖維或其它纖維組成的織 物或非織物。其中使用聚酰亞胺樹脂、PBO或織物或非織物纖維布的 材料具有特別良好的膜強(qiáng)度、可伸張的彈性模量、斷裂伸長率及其它 力學(xué)特性，因此可以獲得高可靠性。在該實施例中，例如把聚酰亞胺 樹脂用作絕緣層ll，并將其形成為lOpm的厚度。
配線層12的主要材料優(yōu)選地由從銅、金、鎳、鋁、銀和鈀中選擇 的一種或多種材料組成，但從成本和電阻方面來看，銅是最有利的。 此外，鎳能夠防止和絕緣材料或其它材料的界面反應(yīng)(boundary reaction),可用作阻抗配線(resistance wiring)、或用作利用磁特性的 電感器。
例如，如上所述，配線層12由銅形成，并且厚度為lOpm。形成 配線層12的方法的例子包括減去法、半加法和全加法。減去法是這樣一種方法，其中在位于板上的銅箔上形成期望的圖 案，刻蝕掉不需要的銅箔，此后剝離抗蝕劑以獲得期望的圖案。
半加法是這樣一種方法，其中通過無電鍍、濺射、化學(xué)汽相沉積
(CVD)或其它方法來形成電源層；然后形成具有期望圖案的抗蝕劑; 通過在抗蝕劑開口中進(jìn)行電解電鍍來沉積金屬；除去抗蝕劑；并對電 源層進(jìn)行刻蝕以獲得期望的配線圖案。
全加法是這樣一種方法，其中將無電鍍催化劑吸附到板上，然后 形成抗蝕圖案，激活催化劑同時留下抗蝕劑作為絕緣層，并通過無電 鍍在絕緣膜的開口中沉積金屬，以獲得期望的配線圖案。
此外，可以通過以下方法來形成配線層12:在配線層12所處的 絕緣層(未示出)中提供用于形成配線圖案的凹部(concavity);通過 無電鍍、濺射、CVD或其它方法形成電源層；此后利用無電鍍或電解 電鍍來填充凹部；并通過拋光來平坦化表面。
第一龜極13被布置在絕緣層11和第二電極14上，并通過直接連 接而電連接到第二電極14、或經(jīng)由配線層12而電連接到第二電極14。
例如，可以通過層壓多層來形成第一電極13，并且考慮到后面步 驟中在第一電極13表面上形成的焊線的連通性或焊球的濕潤性 (wettability),第一電極13的表面優(yōu)選地由從包括金、銀、銅、錫和 焊料的組中所選擇的至少一種金屬或合金形成。在該實施例中，可以 通過順序地形成5pm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm厚的金層， 來形成第一電極13，其中金是最頂層。
雖然未示出，但是可以把在第一電極13的內(nèi)側(cè)具有開口的圖案中 的阻焊劑、或具有與第一電極13不接觸的開口的圖案中的阻焊劑，添 加到配線層12和第一電極13的頂部。此外，該結(jié)構(gòu)可以是這樣的 形成阻焊圖案，然后布置第一電極圖案以覆蓋開口?？梢酝ㄟ^對相同 的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，來同時形成配線層12和第一電極13。
第二電極14嵌入絕緣層11中，并電連接到配線層12或第一電極 B。第二電極14的與配線層12或第一電極13接觸的表面的相反側(cè)表 面暴露在外面，并且該面位于與絕緣層11的上面形成了配線層12及 第一電極13的表面的相反側(cè)表面相同的平面內(nèi)。
17此外，第二電極14的暴露面的側(cè)面具有以下結(jié)構(gòu)該面的全部或部分不與絕緣層11接觸。當(dāng)在該結(jié)構(gòu)中形成使用焊料的連接時，可以形成為使焊料在回流期間流動所需的間隙，并且可以在室溫下維持接觸。
例如，可以通過層壓多層來形成第二電極14，并且考慮到后面步驟中在第二電極14的表面上形成的焊線的連通性或焊球的濕潤性，第二電極14的表面優(yōu)選地由從包括金、銀、銅、錫和焊料的組中所選擇的至少一種金屬或合金形成。可以將鎳、銠和其它特硬金屬層布置在第二電極14的側(cè)面，以使絲焊特性穩(wěn)定。在該實施例中，可以通過順序地形成5pm厚的銅層、3)im厚的鎳層及0.5pm厚的金層，來形成第二電極14，其中金是最頂層。
根據(jù)該實施例，當(dāng)元件、其它板等利用焊接連接到根據(jù)該實施例的配線板時，也可以在第二電極14的側(cè)面形成焊接連接，因為第二電極14的側(cè)面不與絕緣層11接觸。因而，提高了連接可靠性，這是因為可以有效防止由于元件、板等連接后所產(chǎn)生的應(yīng)力或主要在水平方向上施加于電極表面的應(yīng)力，而使連接邊界的脆性金屬擴(kuò)散層破裂。當(dāng)其它板子等通過絲焊法連接到電極時，可以通過防止吸收超聲波來獲得穩(wěn)定的絲焊特性。如果將硬金屬布置在第二電極14的側(cè)面，則可以獲得穩(wěn)定的絲焊特性，并提高連接可靠性。
圖2所示為根據(jù)該實施例的配線板的第一變型例子的橫截面示意圖。在圖2中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。相對于根據(jù)上述第一實施例的配線板的配置，除了以下之外、根據(jù)該實施例第一變型例子的配線板具有和第一實施例一樣的結(jié)構(gòu)在第二電極14所嵌入的絕緣層11的開口中形成和第二電極14接觸的第一電極13的一部分和配線層12的一部分，并且配線層12及第一電極13與絕緣層11的側(cè)面的一部分接觸。
與第一實施例相比，除利用根據(jù)上述第一實施例的配線板所獲得的效果以外，根據(jù)該實施例第一變型例子的配線板能夠確保連接可靠性的進(jìn)一步提高。可以實現(xiàn)連接可靠性的進(jìn)一步提高是因為，配線層12的一部分和絕緣層11的開口的內(nèi)部接觸，使得有可能配線層12和絕緣層11都能減輕當(dāng)在第二電極14上形成焊球以及安裝半導(dǎo)體元件、其它板等時所產(chǎn)生的應(yīng)力。
圖3所示為根據(jù)該實施例的配線板的第二變型例子的橫截面示意圖。在圖3中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1及圖2中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。相對于根據(jù)上述第一實施例的配線板的配置，除了以下之外、根據(jù)該實施例第二變型例子的配線板具有和第一實施例一樣的結(jié)構(gòu)第二電極14的與配線層12接觸的表面的反側(cè)表面相對于上面沒有布置配線層12的絕緣層11的表面而下凹。
除利用根據(jù)上述第一實施例的配線板所獲得的效果以外，當(dāng)在第二電極14上形成焊球時，根據(jù)該實施例第二變型例子的配線板能夠防止焊料滾動，因為第二電極14的表面相對于絕緣層14的表面而下凹。
圖4所示為根據(jù)該實施例的配線板的第三變型例子的橫截面示意圖。在圖4中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖3中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。相對于根據(jù)上述第一實施例的配線板的配置，除了以下之外、根據(jù)該實施例第三變型例子的配線板具有和第一實施例一樣的結(jié)構(gòu)第二電極14的與配線層12接觸的表面的相反側(cè)表面從上面沒有布置配線層12的絕緣層11表面伸出。
除利用根據(jù)上述第一實施例的配線板所獲得的效果以外，當(dāng)在第二電極14上形成焊球以及安裝半導(dǎo)體元件、其它板等時，根據(jù)該實施例第三變型例子的配線板能夠防止焊球底部產(chǎn)生裂縫，因為第二電極14的表面處于從絕緣層11的表面伸出的位置?？梢赃M(jìn)一步提高通過根據(jù)上述第一實施例的配線板所獲得的連接可靠性。
接下來描述本發(fā)明第二實施例。圖5所示為根據(jù)該實施例的配線板的例子的橫截面示意圖。在圖5中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖4一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù)該實施例的配線板具有以下結(jié)構(gòu)層壓多層絕緣層11和配線層12，并且不同配線層12經(jīng)由通路15而互連。圖5示出了三層絕緣層11和兩層配線層12層壓在一起，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且絕緣層11和配線層12可以有任意必需數(shù)量的層。該結(jié)構(gòu)也可以是這樣的基于上述第一實施例的圖2至圖4所示的結(jié)構(gòu)，來層壓多層絕緣層11和配線層12。以下描述基于圖1所示的結(jié)構(gòu)來把多層絕緣層11和配線層12層壓在一起的結(jié)構(gòu)的例子。
在根據(jù)該實施例的配線板中，交替層壓多層絕緣層11和配線層
12，并且不同配線層12經(jīng)由位于絕緣層11中的通路15而相互電連接，如圖5所示。第一電極13布置在絕緣層11的一側(cè)，第二電極14布置在絕緣層11的對側(cè)，并且第二電極14的暴露側(cè)面是嵌入的，以便不與絕緣層ll接觸。
可以按照和上述第一實施例相同的方式來選擇和使用絕緣層11的材料。當(dāng)把具有高圖案分辨率的感光有機(jī)材料用作絕緣層11的材料時，可以用光刻技術(shù)來形成絕緣層11中所形成的用于提供通路15的開口。而且，當(dāng)把非感光有機(jī)材料或具有低圖案分辨率的感光有機(jī)材料用作絕緣層11的材料時，可以通過激光加工、干法刻蝕、噴砂(blasting)或其它方法來形成絕緣層11中所形成的用于提供通路15的開口。而且，不需要預(yù)先通過以下方法在絕緣層11中形成通路在預(yù)先在通路15的位置形成電鍍柱(plating post)之后形成絕緣膜，并通過拋光來刨平絕緣膜表面、以使電鍍柱暴露及形成通路15。在該實施例中，可以把感光聚酰亞胺樹脂用作絕緣層11的材料，并且在此可以用光刻技術(shù)來形成絕緣層11中所形成的用于提供通路15的開口。
用于形成配線層12的材料和方法與上述第一實施例中一樣。在該實施例中，例如可以通過把濺射膜用作電源層，來執(zhí)行半加法。
第一電極13布置在絕緣層11上，并經(jīng)由通路15電連接到配線層12。第一電極13可以是其中例如層壓了多層的電極，并且適于形成第一電極13表面的材料和上述第一實施例中一樣。
雖然未示出，但是可以把在第一電極13的內(nèi)側(cè)具有開口的圖案中的阻焊劑、或具有與第一電極13不接觸的開口的圖案中的阻焊劑，添加到第一電極13的頂部。此外，該結(jié)構(gòu)可以是這樣的形成阻焊圖案，然后布置第一電極圖案以覆蓋開口。在該實施例中，例如可以通過順序地形成5pm厚的銅層、3|im厚的鎳層及0.5nm厚的金層，來形成第一電極13，其中金是最頂層。
第二電極14嵌入絕緣層11中，并電連接到配線層12。第二電極14的與配線層12接觸的表面的相反側(cè)表面被暴露，并且該面位于與
絕緣層ll的上面形成了配線層12的表面的相反側(cè)表面相同的平面中。第二電極14的暴露面的側(cè)面的全部或部分被形成為不與絕緣層11接
觸。當(dāng)在該結(jié)構(gòu)中形成使用焊料的連接時，可以形成為使焊料在回流期間流動所需的間隙，并且可以在室溫下維持接觸。
例如，可以通過層壓多層來形成第二電極14，并且適于形成第二電極14表面的材料和方法與上述第一實施例中一樣。在該實施例中，可以通過順序地形成5)am厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm厚的金層，來形成第二電極14，其中金是最頂層。
除利用根據(jù)上述第一實施例的配線板所獲得的效果以外，根據(jù)該實施例的配線板允許帶線結(jié)構(gòu)、微帶線結(jié)構(gòu)和其它結(jié)構(gòu)的電源、接地、信號和其它電路最優(yōu)化，因為通過層壓絕緣層11和配線層12而增加了設(shè)計自由度。
圖6所示為根據(jù)該實施例的配線板的變型例子的橫截面示意圖。在圖6中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖5—樣的組成元件，并省略對它們的描述。相對于根據(jù)上述第二實施例的配線板的配置，除了配線板12被布置在第一電極13所處的絕緣層11表面上之外，根據(jù)該實施例變型例子的配線板具有和第二實施例一樣的結(jié)構(gòu)。圖6示出了三層絕緣層11和兩層配線層12層壓在一起，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且絕緣層11和配線層12可以有任意必需數(shù)量的層。該結(jié)構(gòu)也可以是這樣的基于上述第一實施例的圖2至圖4所示的結(jié)構(gòu)，來層壓多層絕緣層11和配線層12。以下描述基于圖1所示的結(jié)構(gòu)來把多層絕緣層11和配線層12層壓在一起的結(jié)構(gòu)的例子。
以下將相對于和上述第二實施例不同的方面，來描述該實施例的變型例子。用于在第一電極13所處的絕緣層11表面上形成配線層12的材料和方法和上述第一實施例中用于形成配線層12的材料和方法相同?？梢酝ㄟ^對相同的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，來同時形成配線層12和第一電極13。在該實施例中，可以把半加法用作用于形成其中例如把濺射膜用作電源層的配線層12的方法。
除利用根據(jù)上述第二實施例的配線板所獲得的效果以外，根據(jù)該實施例變型例子的配線板通過在第一電極13所處的絕緣層11表面上提供配線層12，來允許配線密度增大到根據(jù)第二實施例的配線板的密度之上，并通過布置接地電路作為噪聲屏蔽，來允許改善配線板的電氣特性。
在上述實施例中，可以把用作電路噪聲濾波器的電容器布置在配線板上的期望位置。構(gòu)成電容器的介電材料優(yōu)選地為氧化鈦、氧化鉭、
Al203、Si02、Zr02、Hf02、Nb205或其它金屬氧化物；BST(BaxSr,.xTi03)、PZT (PbZrxTi卜x。3)、 PLZT (Pb,-yLayZiVTi卜x03)或其它鈣鈦礦材料;或SrBi2Ta209或其它Bi基分層化合物。以上化合物滿足0SxSl和0<y<l條件。而且，可以把添加了無機(jī)材料或磁材料的有機(jī)材料等用作構(gòu)成電容器的介電材料。
可以通過以下方法來布置用作電路噪聲濾波器的電容器利用具有9或更高介電常數(shù)的材料構(gòu)成絕緣層11的一層或多層，并在位于絕緣層之上和之下的第一電極13、第二電極14和配線層12的期望位置形成相對電極。構(gòu)成電容器的介電材料優(yōu)選地為A1203、 Si02、 Zr02、Hf02 、 Nb205或其它金屬氧化物；BST ( BaxSivxTi03 ) 、 PZT(PbZr;iVx03)、 PLZT (Pb^LayZrJVx03)或其它f丐鈦礦材料；或SrBbTa209或其它Bi基分層化合物。以上化合物滿足(Kx《l和0<y<l條件。而且，可以把添加了無機(jī)材料或磁材料的有機(jī)材料等用作構(gòu)成電容器的介電材料。
接下來描述本發(fā)明第三實施例。圖7所示為根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截面示意圖。在圖7中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖6中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體元件16經(jīng)由焊球18倒裝式連接到配線板的第一電極13。配線板具有這樣的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括絕緣層11、嵌入絕緣層11中的第二電極14以及布置在絕緣層11和第二電極14上的配線層12和第一電極13，并且第二電極14的暴露面中的側(cè)面不與絕緣層11接觸。底部填充樹脂(underfill resin) 17被填充到連接部分中，并且焊球19被布置在第二電極14上，如圖7所示。根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成方式和上述一樣。圖7示出了安裝在根據(jù)該實施例的配線板的第一電極13上的半導(dǎo)體元件16以及布置在第二電極14上的焊球19，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能使用圖2至圖6所示的第一實施例的第一、第二和第三變型例子以及第二實施例和第二實施例變型例子的任一配線板。圖7示出了單個安裝的半導(dǎo)體元件16，但是可以安裝多個半導(dǎo)體元件，并且可以進(jìn)一步安裝電容器、電阻器和其它元件。
可以按照和上述第一實施例中相同的方式來選擇和使用絕緣層11的材料。在該實施例中，例如把聚酰亞胺樹脂用作絕緣層11，并將其形成為10)Lim的厚度。
用于形成配線層12的材料和方法與上述第一實施例中一樣。
第一電極13布置在絕緣層11和第二電極14上，并通過直接連接而電連接到第二電極14、或經(jīng)由配線層12電連接到第二電極14。第一電極13可以是其中例如層壓了多層的電極，并且適于形成第一電極13表面的材料和上述第一實施例中一樣。
雖然未示出，但是可以把在第一電極13的內(nèi)側(cè)具有開口的圖案中的阻焊劑、或具有與第一電極13不接觸的開口的圖案中的阻焊劑，添加到第一電極13和配線層12的頂部。此外，該結(jié)構(gòu)可以是這樣的形成阻焊圖案，然后布置第一電極圖案以覆蓋開口?？梢酝ㄟ^對相同的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，來同時形成配線層12和第一電極13。在該實施例中，例如可以通過順序地形成5)am厚的銅層、3^im厚的鎳層及0.5^im厚的金層，來形成第一電極13，其中金是最頂層。
第二電極14嵌入絕緣層11中，并電連接到配線層12和第一電極13。第二電極14的與配線層12及第一電極13接觸的表面的相反側(cè)表面暴露在外面，并且該面位于與絕緣層11的上面形成了配線層12及第一電極13的表面的相反側(cè)表面相同的平面內(nèi)。
第二電極14的暴露面的側(cè)面的全部或一部分被形成為不與絕緣層11接觸。當(dāng)在該結(jié)構(gòu)中形成使用焊料的連接時，可以形成為使焊料在回流期間流動所需的間隙，并且可以在室溫下維持接觸。在該實施例中，例如可以通過順序地形成5nm厚的銅層、3^im厚的鎳層及0.5pm厚的金層，來形成第二電極14，其中金是最頂層。半導(dǎo)體元件16具有在其表面上形成的電極(未示出)，這些電極
(未示出)和第一電極13經(jīng)由焊球18而電連接，并且底部填充樹脂17被填充到半導(dǎo)體元件16和配線板之間的間隙中。底部填充樹脂17的用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止由于配線板和半導(dǎo)體元件16之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球18破裂。只要焊球18的強(qiáng)度足以確保期望的可靠性，就不需要填充底部填充樹脂17。
焊球18是由焊料組成的微球，并通過在半導(dǎo)體元件16的電極上進(jìn)行電鍍、球轉(zhuǎn)印(ball transfer)或印刷而形成?？梢詮你U錫共晶軟焊料(lead-tin eutectic solder)或無鉛焊料中適當(dāng)?shù)剡x擇焊球18的材料。
底部填充樹脂17由環(huán)氧基材料組成，并且在利用焊球18將半導(dǎo)體元件16連接到配線板的第一電極13之后，填充底部填充樹脂17。
焊球19附著于第二電極14上，以便把根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件安裝在另一塊配線板上。焊球19是由焊料組成的球，并通過在第二電極14上進(jìn)行球轉(zhuǎn)印或印刷而形成。取決于附著方式，可以焊接金屬引腳而不把焊球19附著于第二電極14上。即使當(dāng)焊接金屬引腳時，連接可靠性也是良好的，因為和焊料的連接部分也被形成在第二電極14的側(cè)面。
當(dāng)在沒有安裝根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體元件16的區(qū)域中配線板的剛度不足時，可以分開附著其中半導(dǎo)體元件16的區(qū)域敞開的框體(fmme)。
在根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中，第二電極14的側(cè)面不與絕緣層11接觸。因此，也在第二電極14的側(cè)面構(gòu)造焊接連接。因此，提高了連接可靠性，這是因為可以有效防止由于元件、板等連接后所產(chǎn)生的應(yīng)力或主要在水平方向上施加于電極表面的應(yīng)力，而使連接邊界的脆性金屬擴(kuò)散層破裂。
接下來描述本發(fā)明第四實施例。圖8所示為根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的例子的橫截面示意圖。在圖8中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖7中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)布置密封樹脂20，以便覆蓋根據(jù)上
24述第一實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件16。
圖8示出了安裝在根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的第
一電極13上的半導(dǎo)體元件16、以及布置在第二電極14上的焊球19， 但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能使用圖2至圖6所示的 第一實施例的第一、第二和第三變型例子以及第二實施例和第二實施 例變型例子的任一配線板。此外，圖8示出了單個安裝的半導(dǎo)體元件 16，但是可以安裝多個半導(dǎo)體元件，并且也可以安裝電容器、電阻器 和其它元件。以下將相對于和上述第三實施例不同的方面，來描述該 實施例。
密封樹脂20可以包括通過向環(huán)氧基材料添加硅填料所獲得的材 料，并且可以利用印刷方法、其中使用金屬模的壓塑或轉(zhuǎn)印模塑法， 來涂敷密封樹脂20，以便覆蓋所安裝的半導(dǎo)體元件16和元件的連接 部分。圖8示出了密封樹脂20覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件16的配線 板整個表面的結(jié)構(gòu)，但是不必覆蓋整個表面，并且結(jié)構(gòu)可以是這樣的 密封樹脂20覆蓋包括半導(dǎo)體元件16和元件連接部分的表面的一部分， 且配線板一部分暴露。
除利用根據(jù)上述第三實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果以外，可 以保護(hù)根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件16，這是因為半導(dǎo) 體元件16被密封樹脂20所覆蓋。而且，通過提供密封樹脂20可以提 高整個半導(dǎo)體器件的剛度，并且也可以提高整個封裝的可靠性。
接下來描述本發(fā)明第五實施例。圖9所示為根據(jù)該實施例的半導(dǎo) 體器件的例子的橫截面示意圖。在圖9中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖 1至圖8中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù)該實 施例的半導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)根據(jù)上述第四實施例的半導(dǎo)體器件 中的半導(dǎo)體元件16通過絲焊法連接。根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件具有 以下結(jié)構(gòu)用粘合劑把上面沒有形成電路的半導(dǎo)體元件16表面粘合到 上面形成了第一電極13的配線板表面上，并且半導(dǎo)體元件16的電極 (未示出)和第一電極13通過輝線21連接，并被密封樹脂20所覆蓋， 如圖9所示。
圖9示出了這樣的例子半導(dǎo)體元件16連接到根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的第一電極13，并且焊球19被布置在第二電 極14上，以形成根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件，但是該配置對此沒有強(qiáng)
加限制，并且也有可能使用圖2至圖6所示的第一實施例的第一、第 二和第三變型例子以及第二實施例和第二實施例變型例子的任一配線 板。此外，圖9示出了單個安裝的半導(dǎo)體元件16，但是可以安裝多個 半導(dǎo)體元件，并且也可以安裝電容器、電阻器和其它元件。以下將相 對于和上述第三及第四實施例不同的方面，來描述該實施例。
把粘合劑22涂敷于上面沒有布置電路的半導(dǎo)體元件16表面上， 并且可以使用有機(jī)材料或銀漿等。
焊線21將半導(dǎo)體元件16的電極(未示出)和第一電極13電連接， 并且可以使用主要包括金的材料。
圖9示出了密封樹脂20覆蓋上面安裝半導(dǎo)體元件16的配線板的 整個表面的結(jié)構(gòu)，但是不必覆蓋整個表面，并且結(jié)構(gòu)可以是這樣的 密封樹脂20覆蓋包括半導(dǎo)體元件16和元件連接部分的表面的一部分， 且配線板一部分暴露。
通過根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果和通過根據(jù)上述第 四實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果相同。
接下來描述本發(fā)明第六實施例。圖IO所示為根據(jù)該實施例的半導(dǎo) 體器件的例子的橫截面示意圖。在圖10中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖 1至圖9中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù)該實 施例的半導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體元件24被安裝在半導(dǎo)體電極 14，而不是根據(jù)上述第三實施例的半導(dǎo)體器件的第一電極13上。
圖IO示出了這樣的例子半導(dǎo)體元件24被安裝在根據(jù)圖l所示 本發(fā)明第一實施例的配線板的第二電極14上，并且焊球19被布置在 第一電極13上，以形成根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件，但是該配置對此 沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能使用圖2至圖6所示的第一實施例的第 一、第二和第三變型例子以及第二實施例和第二實施例變型例子的任 一配線板。此外，圖10示出了單個安裝的半導(dǎo)體元件24，但是可以 安裝多個半導(dǎo)體元件，并且也可以安裝電容器、電阻器和其它元件。 以下將相對于和上述第三實施例不同的方面，來描述該實施例。可以按照和上述第一實施例中一樣的方式來選擇和使用絕緣層 11的材料。在該實施例中，例如把聚酰亞胺樹脂用作絕緣層11，并將
其形成為l(Him的厚度。
用于形成配線層12的材料和方法和上述第一實施例中一樣。
第一電極13被布置在絕緣層11和第二電極14上，并通過直接連 接而電連接到第二電極14、或經(jīng)由配線層12電連接到第二電極14。 第一電極13可以是其中例如層壓了多層的電極，并且適于形成第一電 極13表面的材料和上述第一實施例中一樣。
雖然未示出，但是可以把在第一電極13的內(nèi)側(cè)具有開口的圖案中 的阻焊劑、或具有與第一電極13不接觸的開口的圖案中的阻焊劑，添 加到配線層12和第一電極13的頂部。此外，該結(jié)構(gòu)可以是這樣的 形成阻焊圖案，然后布置第一電極圖案以覆蓋開口?？梢酝ㄟ^對相同 的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，來同時形成配線層12和第一電極13。在該實施 例中，例如可以通過順序地形成5pm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm 厚的金層，來形成第一電極13，其中金是最頂層。
第二電極M嵌入絕緣層11中，并電連接到配線層12和第一電極 13。第二電極14的與配線層12及第一電極13接觸的表面的相反側(cè)表 面暴露在外面，并且該面位于與絕緣層11的上面形成了配線層12及 第一電極13的表面的相反側(cè)表面相同的平面內(nèi)。
第二電極14的暴露面中的側(cè)面被形成為部分地或全部不與絕緣 層11接觸。當(dāng)在該結(jié)構(gòu)中形成使用焊料的連接時，可以形成為使焊料 在回流期間流動所需的間隙，并且可以在室溫下維持接觸。在該實施 例中，例如可以通過順序地形成5pm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm 厚的金層，來形成第二電極14，其中金是最頂層。
半導(dǎo)體元件24具有在元件表面上形成的電極(未示出)，這些電 極(未示出)和第二電極14經(jīng)由焊球23而電連接，并且底部填充樹 脂25被填充到半導(dǎo)體元件24和配線板之間的間隙中。底部填充樹脂 25的用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止由于配線板和半導(dǎo)體元件24 之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球23破裂。只要焊球23的強(qiáng)度足以確保 期望的可靠性，就不需要填充底部填充樹脂25。焊球23是由焊料組成的微球，并通過在半導(dǎo)體元件24的電極(未
示出)上進(jìn)行電鍍、球轉(zhuǎn)印或印刷而形成?？梢詮你U錫共晶軟焊料或
無鉛焊料中適當(dāng)?shù)剡x擇焊球23的材料。
底部填充樹脂25由環(huán)氧基材料組成，并且在利用焊球23將半導(dǎo) 體元件24連接到配線板的第二電極14之后，填充底部填充樹脂25。
焊球19附著于第一電極13上，以便把根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器 件安裝在另一塊配線板上。焊球19是由焊料組成的球，并通過在第一 電極13上進(jìn)行球轉(zhuǎn)印或印刷而形成。取決于附著方式，可以焊接金屬 引腳而不把焊球19附著于第一電極13上。
當(dāng)在沒有安裝根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體元件24的區(qū) 域中、配線板的剛度不足時，可以分開附著其中半導(dǎo)體元件24的區(qū)域 敞開的框體。
在根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中，第二電極14的側(cè)面不與絕緣層 ll接觸。因此，在第二電極14的側(cè)面也存在利用焊料的連接經(jīng)由焊 球23和半導(dǎo)體元件24相連， 并且提高了連接可靠性。
接下來描述該實施例的第七實施例。圖11所示為根據(jù)該實施例的 半導(dǎo)體器件的例子的橫截面示意圖。在圖11中，相同的附圖標(biāo)記用于 和圖1至圖10中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù) 該實施例的半導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)布置密封樹脂29，以便覆蓋根 據(jù)上述第六實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件24。
圖11示出了這樣的例子，半導(dǎo)體元件24被安裝在根據(jù)圖1所示 本發(fā)明第一實施例的配線板的第二電極14上、并且焊球19被布置在 第一電極13上，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能使用圖 2至圖6所示的第一實施例的第一、第二和第三變型例子以及第二實 施例和第二實施例變型例子的任一配線板。此外，圖U示出了單個安 裝的半導(dǎo)體元件24，但是可以安裝多個半導(dǎo)體元件，并且也可以安裝 電容器、電阻器和其它元件。以下將相對于和上述第六實施例不同的 方面，來描述該實施例。
密封樹脂29可以包括通過向環(huán)氧基材料添加硅填料所獲得的材 料，并且可以利用印刷方法、其中使用金屬模的壓塑或轉(zhuǎn)印模塑法，來涂敷密封樹脂29，以便覆蓋所安裝的半導(dǎo)體元件24和元件的連接 部分。圖11示出了密封樹脂29覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件24的配線 板的整個表面的結(jié)構(gòu)，但是不必覆蓋整個表面，并且結(jié)構(gòu)可以是這樣 的密封樹脂29覆蓋包括半導(dǎo)體元件24和元件連接部分的表面的一 部分，且配線板一部分暴露。
除利用根據(jù)上述第六實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果以外，可 以保護(hù)根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件24，這是因為半導(dǎo) 體元件24被密封樹脂29所覆蓋。而且，通過提供密封樹脂29可以提 高整個半導(dǎo)體器件的剛度，并且也可以提高整個封裝的可靠性。
接下來描述本發(fā)明第八實施例。圖12所示為根據(jù)該實施例的半導(dǎo) 體器件的例子的橫截面示意圖。在圖12中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖 l至圖11中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù)該實 施例的半導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)根據(jù)上述第七實施例的半導(dǎo)體器件 中的半導(dǎo)體元件26通過絲焊法連接，并且包括元件連接部分的半導(dǎo)體 元件26—部分被密封樹脂29所覆蓋。具體地說，根據(jù)該實施例的半 導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)用粘合劑27把上面沒有形成電路的半導(dǎo)體器 件26表面粘合到上面形成了配線板第二電極14的配線板表面上，半 導(dǎo)體元件26的電極(未示出)和第二電極14通過焊線28連接，并且 包括元件連接部分的半導(dǎo)體元件26 —部分被密封樹脂29所覆蓋。
圖12示出了根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的以下例子半導(dǎo)體元件 26連接到根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的第二電極14，并 且焊球19被布置在第一電極13上，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制， 并且也有可能使用圖2至圖6所示的第一實施例的第一、第二和第三 變型例子以及第二實施例和第二實施例變型例子的任一配線板。此外， 圖12示出了單個安裝的半導(dǎo)體元件26，但是可以安裝多個半導(dǎo)體元 件，并且也可以安裝電容器、電阻器和其它元件。以下將相對于和上 述第六及第七實施例不同的方面，來描述該實施例。
把粘合劑27涂敷于上面沒有布置電路的半導(dǎo)體元件26表面上， 并且可以使用有機(jī)材料或銀漿(Ag paste)等。
焊線28將半導(dǎo)體元件26的電極(未示出)和第二電極14電連接，
29并且可以使用主要包括金的材料。
圖12示出了密封樹脂29覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件26、且包括
半導(dǎo)體元件26的配線板表面一部分的結(jié)構(gòu)，但是結(jié)構(gòu)可以是這樣的 密封樹脂29覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件26的配線板的整個表面。
通過根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果和通過根據(jù)上述第 七實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果相同。
接下來描述本發(fā)明第九實施例。圖13所示為根據(jù)該實施例的半導(dǎo) 體器件的例子的橫截面示意圖。在圖13中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖 1至圖12中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。在根據(jù)該 實施例的半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體元件16經(jīng)由焊球半導(dǎo)體元件16經(jīng)由 焊球18倒裝式連接到配線板的第一電極13。配線板具有這樣的結(jié)構(gòu)， 該結(jié)構(gòu)包括絕緣層11、嵌入絕緣層11中的第二電極14以及布置在絕 緣層11和第二電極14上的配線層12和第一電極13，并且第二電極 14的暴露面中的側(cè)面不與絕緣層11接觸。底部填充樹脂17被添加到 連接部分，如圖13所示。半導(dǎo)體元件24經(jīng)由焊球23倒裝式連接到第 二電極14，底部填充樹脂25被填充到連接部分中，并且焊球19被布 置在其它第二電極14上。根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成方式和上 述一樣。
圖l 示出了這樣的例子，半導(dǎo)體元件16連接到第一電極13，半 導(dǎo)體元件24連接到根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的第二電 極14，且焊球19被布置在其它第二電極14上，以形成根據(jù)該實施例 的半導(dǎo)體器件，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能使用圖 2至圖6所示的第一實施例的第一、第二和第三變型例子以及第二實 施例和第二實施例變型例子的任一配線板。此外，圖13示出了安裝在 配線板表面上的單個半導(dǎo)體元件，但是可以安裝多個半導(dǎo)體元件，并 且也可以安裝電容器、電阻器和其它元件。
可以按照和上述第一實施例中一樣的方式來選擇和使用絕緣層 11的材料。在該實施例中，例如把聚酰亞胺樹脂用作絕緣層11，并將 其形成為10pm的厚度。
用于形成配線層12的材料和方法與上述第一實施例中一樣。第一電極13被布置在絕緣層11和第二電極14上，并通過直接連
接而電連接到第二電極14、或經(jīng)由配線層12電連接到第二電極14。 第一電極13可以是其中例如層壓了多層的電極，并且適于形成第一電 極13表面的材料和上述第一實施例中一樣。
雖然未示出，但是可以把在第一電極13的內(nèi)側(cè)具有開口的圖案中 的阻焊劑、或具有與第一電極13不接觸的開口的圖案中的阻焊劑，添 加到配線層12和第一電極13的頂部。此外，該結(jié)構(gòu)可以是這樣的 形成阻焊圖案，然后布置第一電極圖案以覆蓋開口。可以通過對相同 的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，來同時形成配線層12和第一電極13。在該實施 例中，例如可以通過順序地形成5nm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5iim 厚的金層，來形成第一電極13，其中金是最頂層。
第二電極14嵌入絕緣層11中，并電連接到配線層12和第一電極 13。第二電極14的與配線層12及第一電極13接觸的表面的相反側(cè)表 面暴露在外面，并且該面位于與絕緣層11的上面形成了配線層12及 第一電極13的表面的相反側(cè)表面相同的平面內(nèi)。
第二電極14的暴露面的側(cè)面的全部或部分被形成為不與絕緣層 ll接觸。當(dāng)在該結(jié)構(gòu)中形成使用焊料的連接時，可以形成為使焊料在 回流期間流動所需的間隙，并且可以在室溫下維持接觸。在該實施例 中，例如可以通過順序地形成5pm厚的銅層、3(im厚的鎳層及0.5^im 厚的金層，來形成第二電極14，其中金是最頂層。
半導(dǎo)體元件16具有在元件表面上形成的電極(未示出)，這些電 極(未示出)和第一電極13經(jīng)由焊球18而電連接，并且底部填充樹 脂17被填充到半導(dǎo)體元件16和配線板之間的間隙中。底部填充樹脂 17的用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止由于配線板和半導(dǎo)體元件16 之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球18破裂。只要焊球18的強(qiáng)度足以確保 期望的可靠性，就不需要填充底部填充樹脂17。
用于形成焊球18的材料和方法與上述第三實施例中--樣。
底部填充樹脂17由環(huán)氧基材料組成，并且在利用焊球18將半導(dǎo) 體元件16連接到配線板的第一電極13之后，填充底部填充樹脂17。
半導(dǎo)體元件24具有在元件表面上形成的電極(未示出)，這些電極(未示出)和第二電極14經(jīng)由焊球23而電連接，并且底部填充樹 脂25被填充到半導(dǎo)體元件24和配線板之間的間隙中。底部填充樹脂 25的用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止由于配線板和半導(dǎo)體元件24 之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球23破裂。只要焊球23的強(qiáng)度足以確保 期望的可靠性，就不需要填充底部填充樹脂25。
用于形成焊球23的材料和方法與上述第六實施例中一樣。 底部填充樹脂25由環(huán)氧基材料組成，并且在利用焊球23連接半 導(dǎo)體元件24之后，填充底部填充樹脂25。
焊球19附著于第二電極14上，以便把根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器 件安裝在另一塊配線板上。焊球19是由焊料組成的球，并通過在第二 電極14上進(jìn)行球轉(zhuǎn)印或印刷而形成。取決于附著方式，可以焊接金屬 引腳而不把焊球19附著于第二電極14上。即使當(dāng)焊接金屬引腳時， 連接可靠性也是良好的，因為和焊料的連接部分也被形成在第二電極 14的側(cè)面。圖13示出了焊球19附著于第二電極14上的例子，但是 該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能將焊球19附著于第一電極 13上。
當(dāng)在沒有安裝根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體元件16的區(qū) 域中、配線板的剛度不足時，可以分開附著其中半導(dǎo)體元件16的區(qū)域 敞開的框體。
在根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中，因為第二電極14的側(cè)面不與絕 緣層11接觸，因此在側(cè)面也存在焊接連接，并且提高了連接可靠性。
接下來描述本發(fā)明第十實施例。圖14所示為根據(jù)該實施例的半導(dǎo) 體器件的例子的橫截面示意圖。在圖14中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖 1至圖13中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù)該實 施例的半導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)利用絲焊法來連接在根據(jù)上述第九 實施例的半導(dǎo)體器件中的第二電極14上所安裝的半導(dǎo)體元件。具體地 說，在根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體元件16經(jīng)由焊球18倒 裝式連接到配線板的第一電極13，如圖14所示。配線板具有這樣的 結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括絕緣層11、嵌入絕緣層11中的第二電極14以及布 置在絕緣層11和第二電極14上的配線層12和第一電極13，并且第二電極14的暴露面中的側(cè)面不與絕緣層11接觸。底部填充樹脂17 被添加到連接部分中。利用粘合劑27把上面沒有形成電路的半導(dǎo)體元
件26表面粘合到上面形成了第二電極14的配線板表面上，半導(dǎo)體元 件26的電極(未示出)和第二電極14通過焊線28連接，并且包括元 件連接部分的半導(dǎo)體元件26 —部分被密封樹脂29所覆蓋。也把焊球 19布置在其它第二電極14上。根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成方 式和上述一樣。
圖14示出了這樣的例子，半導(dǎo)體元件16連接到第一電極13，半 導(dǎo)體元件26連接到根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的第二電 極14，且焊球19被布置在其它第二電極14上，以形成根據(jù)該實施例 的半導(dǎo)體器件，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能使用圖 2至圖6所示的第一實施例的第一、第二和第三變型例子以及第二實 施例和第二實施例變型例子的任一配線板。此外，圖14示出了單個半 導(dǎo)體元件被安裝在配線板表面上的例子，但是可以安裝多個半導(dǎo)體元 件，并且也可以安裝電容器、電阻器和其它元件。以下將相對于和上 述第九實施例不同的方面，來描述該實施例。
把粘合劑27涂敷于上面沒有布置電路的半導(dǎo)體元件26表面上， 并且可以使用有機(jī)材料或銀漿等。
焊線28將半導(dǎo)體元件26的電極(未示出)和第二電極14電連接， 并且可以使用主要包括金的材料。
圖14示出了密封樹脂29覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件26的配線板 表面的一部分的結(jié)構(gòu)，但是結(jié)構(gòu)可以是這樣的密封樹脂29覆蓋上面 安裝了半導(dǎo)體元件26的配線板的整個表面。在這種情況下，結(jié)構(gòu)是這 樣的焊球19附著于第一電極13上。
除利用根據(jù)上述第九實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果以外，可 以保護(hù)根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件26，因為半導(dǎo)體元 件26被密封樹脂29所覆蓋。而且，通過提供密封樹脂29可以提高整 個半導(dǎo)體器件的剛度，并且也可以提高整個封裝的可靠性。
接下來描述本發(fā)明第十一實施例。圖15所示為根據(jù)該實施例的半 導(dǎo)體器件的例子的橫截面示意圖。在圖15中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖14中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù)該 實施例的半導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)涂敷密封樹脂20，以覆蓋根據(jù)上 述第九實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件16。
圖15示出了這樣的例子，半導(dǎo)體元件16連接到第一電極13，半 導(dǎo)體元件26連接到根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的第二電 極14，且焊球19被布置在其它第二電極14上，以形成根據(jù)該實施例 的半導(dǎo)體器件，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能使用圖 2至圖6所示的第一實施例的第一、第二和第三變型例子以及第二實 施例和第二實施例變型例子的任一配線板。此外，圖15示出了單個半 導(dǎo)體元件被安裝在配線板表面上的例子，但是可以安裝多個半導(dǎo)體元 件，并且也可以安裝電容器、電阻器和其它元件。以下將相對于和上 述第九實施例不同的方面，來描述該實施例。
密封樹脂20可以包括通過向環(huán)氧基材料添加硅填料所獲得的材 料，并且可以利用印刷方法、其中使用金屬模的壓塑或轉(zhuǎn)印模塑法， 來涂敷密封樹脂20，以便覆蓋所安裝的半導(dǎo)體元件16和元件的連接 部分。圖15示出了密封樹脂20覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件16的配線 板整個表面的結(jié)構(gòu)，但是不必覆蓋整個表面，并且結(jié)構(gòu)可以是這樣的 密封樹脂20覆蓋包括半導(dǎo)體元件16和元件連接部分的表面的一部分， 且配線板一部分暴露。
除利用根據(jù)上述第九實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果以外，可 以保護(hù)根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件16，因為半導(dǎo)體元 件16被密封樹脂20所覆蓋。而且，通過提供密封樹脂20可以提高整 個半導(dǎo)體器件的剛度，并且也可以提高整個封裝的可靠性。
接下來描述本發(fā)明第十二實施例。圖16所示為根據(jù)該實施例的半 導(dǎo)體器件的例子的橫截面示意圖。在圖16中，相同的附圖標(biāo)記用于和 圖1至圖15中一樣的組成元件，并且省略對它們的詳細(xì)描述。根據(jù)該 實施例的半導(dǎo)體器件具有以下結(jié)構(gòu)根據(jù)上述第十一實施例的半導(dǎo)體 器件中的半導(dǎo)體元件i6通過絲焊法連接。根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件 具有以下結(jié)構(gòu)用粘合劑22把上面沒有形成電路的半導(dǎo)體元件16表 面粘合到上面形成了第一電極13的配線板表面上，并且半導(dǎo)體元件
3416的電極(未示出)和第一電極13通過焊線21連接，并被密封樹脂 20所覆蓋，如圖16所示。半導(dǎo)體元件24經(jīng)由焊球23倒裝式連接到 第二電極14，底部填充樹脂25被填充到連接部分中，并且焊球19被 布置在其它第二電極14上。根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成方式和 上述一樣。
圖16示出了這樣的例子，半導(dǎo)體元件16連接到第一電極13，半 導(dǎo)體元件26連接到根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的第二電 極14，且焊球19被布置在其它第二電極14上，以形成根據(jù)該實施例 的半導(dǎo)體器件，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且也有可能使用圖 2至圖6所示的第一實施例的第一、第二和第三變型例子以及第二實 施例和第二實施例變型例子的任一配線板。此外，圖16示出了單個半 導(dǎo)體元件被安裝在配線板表面上的例子，但是可以安裝多個半導(dǎo)體元 件，并且也可以安裝電容器、電阻器和其它元件?？梢园凑蘸蜕鲜龅?十實施例中一樣的方式，通過絲焊法來連接安裝在面對第二電極14 的一側(cè)的半導(dǎo)體元件24。以下將相對于和上述第十和第十一實施例不 同的方面，來描述該實施例。
把粘合劑22涂敷于上面沒有布置電路的半導(dǎo)體元件16表面上， 并且可以使用有機(jī)材料或銀漿等。
焊線21將半導(dǎo)體元件16的電極(未示出)和第一電極13電連接，
并且可以使用主要包括金的材料。
圖16示出了密封樹脂20覆蓋上面安裝半導(dǎo)體元件16的配線板整 個表面的結(jié)構(gòu)，但是不必覆蓋整個表面，并且結(jié)構(gòu)可以是這樣的密 封樹脂20覆蓋包括半導(dǎo)體元件16和元件連接部分的表面的一部分， 且配線板一部分暴露。
通過根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果和通過根據(jù)上述第 十一實施例的半導(dǎo)體器件所獲得的效果相同。
接下來將描述本發(fā)明第十三實施例。該實施例涉及一種制造根據(jù) 上述第一實施例的配線板的方法。圖17A至17G示出了制造根據(jù)圖1 所示本發(fā)明第一實施例的配線板的一種方法的例子的橫截面示意圖， 作為一序列步驟。在圖17中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖16中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間適當(dāng)?shù)貓?zhí) 行洗滌和熱處理。
首先，準(zhǔn)備支持板30，并根據(jù)需要對表面進(jìn)行濕法洗滌、干法洗
滌、修平、變粗糙或其它處理(步驟O，如圖17A所示。支持板30
是導(dǎo)電材料或表面上涂有導(dǎo)電膜的材料，并且優(yōu)選地具有足夠的剛度。
可以使用的材料包括硅、藍(lán)寶石、GaAs或其它半導(dǎo)體晶片材料；或 金屬、石英、玻璃、陶瓷、印刷電路板等。具體地說，例如支持板30
可以是這樣的剝離層(未示出)和導(dǎo)電種子金屬層(未示出)被順
序地布置在硅晶片上，該硅晶片具有0.725mm的厚度和8英寸 (200mm)的直徑，并具有熱氧化層。
接下來，這樣形成絕緣層11，使得將要在其中形成第二電極14 的部分敞開(步驟2)，如圖17B所示。在導(dǎo)電膜被形成在支持板30 上的情況下，絕緣層11被布置在導(dǎo)電膜上?？梢园凑蘸蜕鲜龅谝粚嵤?例中一樣的方式來選擇和使用絕緣層11的材料。當(dāng)把具有高圖案分辨 率的感光有機(jī)材料用作絕緣層11的材料時，可以用光刻技術(shù)來形成絕 緣層11中所形成的用于形成第二電極14的開口。而且，當(dāng)把非感光 有機(jī)材料或具有低圖案分辨率的感光有機(jī)材料用作絕緣層11的材料 時，可以通過激光加工、干法刻蝕、噴砂或其它方法來形成，在其中 要形成第二電極14的絕緣層11部分中形成的開口。在該實施例中， 例如可以把感光聚酰亞胺樹脂用作絕緣層11的材料，并且可以將絕緣 層11形成為7pm的厚度。在這種情況下，可以通過光刻技術(shù)來形成， 在其中要形成第二電極14的絕緣層11部分中形成的開口。
隨后將第二電極14形成在絕緣層11的開口中(步驟3)，如圖17C 所示?？梢杂梢粚踊蚨鄬咏饘賹觼硇纬傻诙姌O14，并且主要可以從 銅、鎳、金、銀或其它材料或合金等中選擇組成金屬層的金屬。在導(dǎo) 電膜被形成在支持板30上的情況下，可以通過電解電鍍、無電鍍、印 刷、汽相沉積、或把導(dǎo)電膜上所形成的絕緣層11用作掩模的其它方法， 來形成第二電極。圖17C示出了第二電極14被形成為和絕緣層11 一 樣的厚度的狀態(tài)，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以通過使第 二電極14的厚度小于絕緣層11的厚度來獲得根據(jù)圖2所示本發(fā)明第一實施例的第一變型例子的配線板。在該實施例中，例如可以通過從 支持板30上所形成的種子金屬層(未示出)饋送能量，來按順序從支
持板30形成2pm厚的銅層及5pm厚的鎳層，由此把第二電極14形 成為和絕緣層11相同的厚度。
接下來，把配線層12形成在第二電極14和絕緣層11上(步驟4)， 如圖17D所示。用于形成配線層12的材料和方法與上述第一實施例 中一樣。在該實施例中，例如可以通過把濺射膜用作電源層，來執(zhí)行 半加法。
隨后把第一電極13形成在絕緣層11和第二電極14上(步驟5)， 如圖17E所示。第一電極13被布置在絕緣層11和第二電極14上， 并通過直接連接而電連接到第二電極14、或經(jīng)由配線層12電連接到 第二電極14。第一電極13可以是其中例如層壓了多層的電極，并且 適于形成第一電極13表面的材料和上述第一實施例中一樣?？梢园凑?和配線層12—樣的方式，通過上述減去法、半加法和全加法來形成第 一電極13。雖然未示出，但是可以把阻焊劑添加到在第一電極13的 內(nèi)側(cè)具有開口的圖案中，或添加到具有與第一電極13不接觸的開口的 圖案中。此外，該結(jié)構(gòu)可以是這樣的形成阻焊圖案，然后布置第一 電極圖案以覆蓋開口。可以通過對相同的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，來同時形 成配線層12和第一電極13。在該實施例中，例如可以通過用半加法 順序地形成5pm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm厚的金層，來形 成第一電極13，其中金是最頂層。
接下來，除去支持板30 (步驟6)，如圖17F所示。除去支持板 30的方法可以包括研磨、化學(xué)和機(jī)械拋光、刻蝕或其它方法或這些方 法的組合。在磨掉支持板30之后，可以通過化學(xué)和機(jī)械拋光和/或刻 蝕來除去剩余部分?？涛g可以是干法刻蝕或濕法刻蝕，但是當(dāng)最后除 去步驟是干法刻蝕時，可以穩(wěn)定地留下種子金屬層，因為可以將刻蝕 選擇比設(shè)為高值。如果剝離層被布置在支持板30和種子金屬層之間， 則支持板30的除去可以更加方便。如果把熱分解材料用作剝離層，則 在除去支持板30的步驟中可以通過將層加熱到熱分解溫度或更高溫 度，來分離種子金屬層和支持板30。在這種情況下，優(yōu)選地利用激光或用于提供局部加熱的其它方法，來執(zhí)行加熱?？梢酝ㄟ^將激光波長 設(shè)為使光通過支持板30但不通過剝離層的等級，來單獨(dú)對剝離層迸行 局部加熱。除了該方法以外，也有可能預(yù)先選擇粘結(jié)強(qiáng)度在支持板30 和剝離層之間的邊界或剝離層和種子金屬層之間的邊界處變?nèi)醯牟?料，并施加機(jī)械力以剝離支持板30。通過選擇一種在特定溶液中溶解
的材料、或者被溶液滲透時與種子金屬層或支持板30的粘著度顯著減
小的材料，作為剝離層，有可能允許溶液經(jīng)由面對剝離層的表面而滲
透材料，然后剝離支持板30。在該實施例中，例如使用具有低粘著度 且被形成在硅和種子金屬層(未示出)之間的剝離層(未示出)，并且 在剝離剝離層之后，可以通過刻蝕來除去種子金屬層(未示出)。
接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11，如圖17G所示。 可以通過濕法刻蝕或干法刻蝕來執(zhí)行第二電極"和絕緣層11的分離。 在這種情況下，只要當(dāng)在無刻蝕的情況下焊料回流的時候、在絕緣層 11和第二電極14之間形成了為使焊料在回流期間流動所需的間隙， 就不一定需要刻蝕。在刻蝕步驟中，可以通過主要對第二電極14進(jìn)行 刻蝕來制造根據(jù)上述第一實施例的第二變型例子的配線板，并且可以 通過主要對絕緣層11進(jìn)行刻蝕來制造根據(jù)上述第一實施例的第三變 型例子的配線板。在刻蝕完成后，可以通過電解電鍍、無電鍍、汽相 沉積、印刷、噴墨沉積、浸漬或其它方法來處理第二電極14的表面， 以便由從包括金、銀、銅、錫和焊料的組中所選擇的至少一種金屬或 合金來形成第二電極14的表面。在該實施例中，例如可以通過在第二 電極14的暴露銅面上進(jìn)行化學(xué)電鍍，來形成金膜。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的配線板 和根據(jù)第一實施例的第一至第三變型例子的配線板。通過在步驟中使 用支持板30，使穩(wěn)定的配線形成成為可能，并且可以實現(xiàn)更高密度和 更高精度的配線形成。因為可以通過在配線形成之后除去支持板30， 來使配線板的厚度進(jìn)一步最小化，所以可以減小電感，并且可以抑制 電損耗。而且，通過在除去步驟中剝離支持板30，可以重新使用支持 板30，并且能夠降低成本。
接下來將描述本發(fā)明第十四實施例。該實施例是制造根據(jù)上述第一實施例的配線板的另一種方法的實施例。圖18A至18H示出了制造 根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的另一種方法的例子的橫截 面示意圖，作為一序列步驟。在圖18中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1 至圖17中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間 適當(dāng)?shù)貓?zhí)行洗滌和熱處理。
首先，準(zhǔn)備支持板30，并根據(jù)需要對表面進(jìn)行濕法洗滌、干法洗 滌、修平、變粗糙或其它處理(步驟l)，如圖18A所示。可以把和上 述第十三實施例中一樣的材料用作支持板30的材料。在該實施例中， 例如支持板30可以是這樣的剝離層(未示出)和導(dǎo)電種子金屬層(未 示出)被順序地布置在硅晶片上，該硅晶片具有0.725mm的厚度和8 英寸(200mm)的直徑，并具有熱氧化層。
接下來，這樣形成絕緣層11，使得將要在其中形成第二電極14 的部分敞開(步驟2)，如圖18B所示?？梢酝ㄟ^和根據(jù)上述本發(fā)明第 十三實施例的配線板制造方法的步驟2中一樣的方法，來形成絕緣層 ll及絕緣層11中所形成的開口。
比絕緣層11更容易通過濕法刻蝕或干法刻蝕來除去的絕緣膜31 被形成在絕緣層1的側(cè)壁上(步驟3)，如圖18C所示。例如，可以 由感光或非感光有機(jī)材料來形成絕緣膜31，可以使用的有機(jī)材料例子 包括環(huán)氧樹脂、環(huán)氧丙烯酸樹脂、聚氨脂丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、酚 醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、BCB、 PBO、聚降冰片烯樹脂等?？梢允褂?的無機(jī)材料例子包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、低k材 料、氧化鋁、氮化鋁、玻璃陶瓷等。當(dāng)把具有高圖案分辨率的感光有 機(jī)材料用作絕緣膜31的材料時，可以用有機(jī)材料填充絕緣層11中所 形成的開口，并且可以通過光刻技術(shù)，來在其中將要形成第二電極14 的部分中形成開口。而且，當(dāng)把非感光有機(jī)材料或具有低圖案分辨率 的感光有機(jī)材料用作絕緣膜31的材料時，可以用有機(jī)材料填充絕緣層 ll中所形成的開口，并且可以通過激光加工、干法刻蝕、噴砂或其它 方法，來在其中將要形成第二電極14的部分中形成開口。當(dāng)絕緣膜 31被形成在絕緣層11的表面上時，可以通過刻蝕或拋光來除去絕緣 層11表面上所形成的絕緣膜31，由此只在開口的側(cè)壁上形成絕緣膜31。而且，在圖18C所示的圖中，絕緣膜31被形成在絕緣層11的開 口的側(cè)壁上，但是如果在后面步驟中不存在可靠性問題，則也可以將 絕緣膜31形成為覆蓋絕緣層11的表面。在該實施例中，例如把感光 環(huán)氧樹脂用作絕緣膜31的材料，并且可以通過光刻技術(shù)來形成開口。 接下來，把第二電極14形成在其側(cè)壁上形成了絕緣膜31的絕緣 層11開口中(步驟4)，如圖18D所示。用于形成第二電極14的材料 和方法與根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法中的步驟3 —樣。 圖18D示出了第二電極14被形成為和絕緣層11 一樣的厚度的狀態(tài)， 但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以通過使第二電極14的厚度小 于絕緣層11的厚度來獲得根據(jù)圖2所示本發(fā)明第一實施例的第一變型 例子的配線板。在該實施例中，例如可以通過從支持板30上所形成的 種子金屬層(未示出)饋送能量，來按順序從支持板30形成2pm厚 的銅層及5pm厚的鎳層，由此把第二電極14形成為和絕緣層11相同 的厚度。
接下來，把配線層12形成在絕緣層11和第二電極14上(步驟5)， 如圖18E所示。用于形成配線層12的材料和方法與上述第一實施例 中一樣。在該實施例中，例如可以通過把濺射膜用作電源層，來執(zhí)行 半加法。
接下來，把第一電極13形成在絕緣層11和第二電極14上(步驟 6)，如圖18F所示。第一電極13被布置在絕緣層11和第二電極14 上，并通過直接連接而電連接到第二電極14、或經(jīng)由配線層12電連 接到第二電極14。用于形成第一電極13的材料和方法與根據(jù)上述第 十三實施例的配線板制造方法的步驟5—樣。在該實施例中，例如可 以通過用半加法順序地形成5pm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5|im 厚的金層，來形成第一電極13，其中金是最頂層。
接下來，除去支持板30 (步驟7)，如圖18G所示。除去支持板 30的方法和根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法的步驟6 —樣。 在該實施例中，例如使用具有低粘著度且被形成在硅和種子金屬層(未 示出)之間的剝離層(未示出)，并且在剝離剝離層之后，可以通過刻 蝕來除去種子金屬層(未示出)。接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11 (步驟8)，如圖18H 所示?？梢酝ㄟ^對絕緣膜31或第二電極14進(jìn)行濕法刻蝕或干法刻蝕， 來執(zhí)行第二電極14和絕緣層11的分離。在這種情況下，只要當(dāng)在無 刻蝕的情況下焊料回流的時候、在絕緣層11和第二電極14之間形成 了為使焊料在回流期間流動所需的間隙，就不一定需要刻蝕。在刻蝕 步驟中，可以通過主要對第二電極14進(jìn)行刻蝕來制造根據(jù)上述第一實 施例的第二變型例子的配線板，并且可以通過主要對絕緣膜31和絕緣 層11進(jìn)行刻蝕來制造根據(jù)上述第一實施例的第三變型例子的配線板。 在刻蝕完成后，可以通過電解電鍍、無電鍍、汽相沉積、印刷、噴墨 沉積、浸漬或其它方法來處理第二電極14的表面，以便由從包括金、 銀、銅、錫和焊料的組中所選擇的至少一種金屬或合金來形成第二電 極14的表面。在該實施例中，例如可以通過在第二電極14的暴露銅 面上進(jìn)行無電鍍，來形成金膜。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的配線板 和根據(jù)第一實施例的第一至第三變型例子的配線板。該實施例的其它 效果和上述第十三實施例一樣。
接下來將描述本發(fā)明第十五實施例。該實施例是制造根據(jù)上述第 一實施例的配線板的又一種方法的實施例。圖19A至19H示出了制造 根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實施例的配線板的又一種方法的例子的橫截 面示意圖，作為一序列步驟。在圖19中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1 至圖18中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間 適當(dāng)?shù)貓?zhí)行洗滌和熱處理。
首先，準(zhǔn)備支持板30，并根據(jù)需要對表面進(jìn)行濕法洗滌、干法洗 滌、修平、變粗糙或其它處理(步驟1)，如圖19A所示?？梢园押蜕?述第十三實施例中一樣的材料用作支持板30的材料。在該實施例中， 例如支持板30可以是這樣的剝離層(未示出)和導(dǎo)電種子金屬層(未 示出)被順序地布置在硅晶片上，該硅晶片具有0.725mm的厚度和8 英寸(200mm)的直徑，并具有熱氧化層。
接下來，通過如上所述的減去法、半加法和全加法或其它方法在 支持板30上形成第二電極14 (步驟2)，如圖19B所示。第二電極14可以由一層或多層金屬層形成，并且可以主要從從銅、鎳、金、銀或 其它金屬或合金等中選擇組成這些金屬層的金屬。在該實施例中，例 如可以通過從導(dǎo)電種子金屬層饋送能量，利用半加法按順序從支持板
30形成2pm厚的銅層及5pm厚的鎳層，由此形成第二電極14。
接下來，在其上面形成了第二電極14的表面上形成絕緣層11， 以便覆蓋第二電極14 (步驟3)，如圖19C所示?？梢园凑蘸蜕鲜龅?一實施例中一樣的方式來選擇和使用絕緣層11的材料。在該實施例 中，例如把非感光聚酰亞胺樹脂用作絕緣層11的材料，并將絕緣層 11形成為10|am的厚度。
接下來，除去絕緣層ll的表面，以暴露被絕緣層11所覆蓋的、 第二電極14的與支持板30接觸的表面的相反側(cè)表面(步驟4)，如圖 19D所示?？梢酝ㄟ^濕法刻蝕、干法刻蝕、砂帶磨光(belt sanding)、 細(xì)拋(buff polishing)、平行板拋光(parallel-plate polishing)、化學(xué)機(jī) 械拋光(CMP)、研磨、或利用水射流切割機(jī)或切片機(jī)在期望位置進(jìn) 行分割，來執(zhí)行除去。而且，可以通過借助于激光、干法刻蝕或濕法 刻蝕部分地加工絕緣層11，使第二電極14的與支持板30接觸的表面 的相反側(cè)表面暴露在絕緣層外面。在該實施例中，例如利用CMP方 法來暴露第二電極14。
接下來，在第二電極14和絕緣層11上形成配線層12 (步驟5)， 如圖19E所示。用于形成配線層12的材料和方法與上述第一實施例 中一樣。在該實施例中，例如可以使用其中把濺射層用作電源層的半 加法。
接下來，在絕緣層11和第二電極14上形成第一電極13(步驟6)， 如圖19F所示。第一電極13被布置在絕緣層11和第二電極14上， 并通過直接連接而電連接到第二電極14、或經(jīng)由配線層12電連接到 第二電極14。用于形成第一電極13的材料和方法與根據(jù)上述第十三 實施例的配線板制造方法的步驟5—樣。在該實施例中，例如可以通 過用半加法順序地形成5pm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm厚的 金層，來形成第一電極13，其中金是最頂層。
接下來，除去支持板30 (步驟7)，如圖19G所示。除去支持板
4230的方法和根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法的步驟6 —樣。 在該實施例中，例如使用具有低粘著度且被形成在硅和種子金屬層(未 示出)之間的剝離層(未示出)，并且在剝離剝離層之后，可以通過刻 蝕來除去種子金屬層(未示出)。
接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11(步驟8)，如圖19H 所示。可以通過濕法刻蝕或干法刻蝕，來執(zhí)行第二電極14和絕緣層
11的分離。在這種情況下，只要當(dāng)在無刻蝕的情況下焊料回流的時候、
在絕緣層11和第二電極14之間形成了為使焊料在回流期間流動所需 的間隙，就不一定需要刻蝕。在刻蝕步驟中，可以通過主要對第二電 極14進(jìn)行刻蝕來制造根據(jù)上述第一實施例的第二變型例子的配線板， 并且可以通過主要對絕緣層11進(jìn)行刻蝕來制造根據(jù)上述第一實施例 的第三變型例子的配線板。在刻蝕完成后，可以通過電解電鍍、無電 鍍、汽相沉積、印刷、噴墨沉積、浸漬或其它方法來處理第二電極14 的表面，以便由從包括金、銀、銅、錫和焊料的組中所選擇的至少一 種金屬或合金來形成第二電極14的表面。在該實施例中，例如可以通 過在第二電極14的暴露銅面上進(jìn)行無電鍍，來形成金膜。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的配線板 和根據(jù)第一實施例的第一至第三變型例子的配線板。該實施例的其它 效果和上述第十三實施例一樣。
接下來將描述本發(fā)明第十六實施例。該實施例是制造根據(jù)上述第 一實施例的配線板的另一種方法的實施例。圖20A至20H示出了制造 根據(jù)圖4所示本發(fā)明第一實施例的配線板的一種方法的例子的橫截面 示意圖，作為一序列步驟。在圖20中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1 至圖19中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間 適當(dāng)?shù)貓?zhí)行洗滌和熱處理。
首先，準(zhǔn)備支持板30，并根據(jù)需要對表面進(jìn)行濕法洗滌、干法洗 滌、修平、變粗糙或其它處理(步驟O，如圖20A所示?？梢园押蜕?述第十三實施例中一樣的材料用作支持板30的材料。在該實施例中， 例如支持板30可以是這樣的剝離層(未示出)和導(dǎo)電種子金屬層(未 示出)被順序地布置在硅晶片上，該硅晶片具有0.725mm的厚度和8英寸(200mm)的直徑，并具有熱氧化層。
接下來，在支持板30上形成第二電極14 (步驟2)，如圖20B所 示。用于形成第二電極14的材料和方法與根據(jù)上述第十五實施例的配 線板制造方法的步驟2中一樣。在該實施例中，例如可以通過把導(dǎo)電 種子金屬層用作電源層、從支持板30饋送能量、并利用半加法按順序 從支持板形成3jam厚的銅層及5pm厚的鎳層，來形成第二電極14。
比絕緣層11更容易通過濕法刻蝕或干法刻蝕來除去的絕緣膜31 被形成在上面形成了第二電極14的表面上，以覆蓋第二電極14，隨 后從上面形成絕緣層11 (步驟3)，如圖20C所示?？梢园凑蘸蜕鲜?第十四實施例中一樣的方式來選擇和使用絕緣膜31的材料，并且可以 按照和上述第十一實施例中一樣的方式來選擇和使用絕緣層11的材 料。在該實施例中，例如形成2pm厚的環(huán)氧樹脂作為絕緣膜31，并 可以形成8pm厚的非感光聚酰亞胺樹脂作為絕緣層11。
接下來，除去絕緣膜31和絕緣層11的表面，以暴露被絕緣層ll 和絕緣膜31所覆蓋的、第二電極14的與支持板30接觸的表面的相反 側(cè)表面(步驟4)，如圖20D所示。可以利用和根據(jù)上述第十五實施例 的配線板制造方法的步驟4中一樣的除去方法，來除去絕緣層11和絕 緣膜31。在該實施例中，例如可以利用CMP法來暴露第二電極14。
接下來，在第二電極M和絕緣層11上形成配線層12 (步驟5)， 如圖20E所示。用于形成配線層12的材料和方法與上述第一實施例 中一樣。在該實施例中，例如可以通過把濺射膜用作電源層來執(zhí)行半 加法。
接下來，在絕緣層11和第二電極14上形成第一電極13(步驟6)， 如圖20F所示。第一電極13被布置在絕緣層11和第二電極14上， 并通過直接連接而電連接到第二電極14、或經(jīng)由配線層12電連接到 第二電極14。用于形成第一電極13的材料和方法與根據(jù)上述第十三 實施例的配線板制造方法的步驟5—樣。在該實施例中，例如可以通 過用半加法順序地形成5pm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm厚的 金層，來形成第一電極13,其中金是最頂層。
接下來，除去支持板30 (步驟7)，如圖20G所示。除去支持板30的方法和根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法的步驟6 —樣。 在該實施例中，例如使用具有低粘著度且被形成在硅和種子金屬層(未 示出)之間的剝離層(未示出)，并且在剝離剝離層之后，可以通過刻 蝕來除去種子金屬層(未示出)。
接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11 (步驟8)，如圖20H 所示。可以通過利用濕法刻蝕或干法刻蝕來刻蝕絕緣膜31或第二電極 14，來執(zhí)行第二電極14和絕緣層11的分離。在這種情況下，只要當(dāng) 在無刻蝕的情況下焊料回流的時候、在絕緣層11和第二電極14之間 形成了為使焊料在回流期間流動所需的間隙，就不一定需要刻蝕。在 刻蝕步驟中，可以通過主要對第二電極14進(jìn)行刻蝕來制造根據(jù)上述第 一實施例的第二變型例子的配線板，并且可以通過主要對絕緣膜31 進(jìn)行刻蝕來制造根據(jù)上述第一實施例的第三變型例子的配線板。在刻 蝕完成后，可以通過電解電鍍、無電鍍、汽相沉積、印刷、噴墨沉積、 浸漬或其它方法來處理第二電極14的表面，以便由從包括金、銀、銅、 錫和焊料的組中所選擇的至少一種金屬或合金來形成第二電極14的 表面。在該實施例中，例如可以通過在第二電極14的暴露銅面上進(jìn)行 無電鍍，來形成金膜。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的配線板 和根據(jù)第一實施例的第一至第三變型例子的配線板。該實施例的其它 效果和上述第十三實施例一樣。
接下來將描述本發(fā)明第十七實施例。該實施例是制造根據(jù)上述第 二實施例的配線板的一種方法的實施例。圖21A至21G示出了制造根 據(jù)圖2所示本發(fā)明第二實施例的配線板的一種方法的例子的橫截面示 意圖，作為一序列步驟。在圖21中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖 20中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間適當(dāng) 地執(zhí)行洗滌和熱處理。
基于以下狀態(tài)來描述該實施例第二電極14和絕緣層11被形成 在支持板30上，并在根據(jù)上述第十三至第十六實施例的配線板制造方 法中使與支持板30不接觸的第二電極14表面暴露(步驟1)。圖21A 示出了圖17C所示的上述第十三實施例的步驟3的狀態(tài)，或圖19D所示的上述第十五實施例的步驟4的狀態(tài)。然而，對此沒有強(qiáng)加限制，
而是有可能執(zhí)行圖18D所示的上述第十四實施例的步驟4的狀態(tài)之后 的步驟，或圖20D所示的上述第十六實施例的步驟4的狀態(tài)之后的步 驟。在該實施例中，例如支持板30可以是這樣的剝離層(未示出) 和導(dǎo)電種子金屬層(未示出)被順序地布置在硅晶片上，該硅晶片具 有0.725mm的厚度和8英寸(200mm)的直徑，并具有熱氧化層。由 感光聚酰亞胺樹脂來形成7^im厚的絕緣層11，并通過從支持板30上 所形成的種子金屬層(未示出)饋送能量來按順序從支持板30形成 2pm厚的銅層及5pm厚的鎳層，由此形成和絕緣層11 一樣厚的第二 電極14。
接下來，在第二電極14和絕緣層11上形成配線層12 (步驟2)， 如圖21B所示。用于形成配線層12的材料和方法與上述第一實施例 中一樣。在該實施例中，例如可以通過把濺射膜用作電源層來執(zhí)行半 加法。
接下來，形成絕緣層11以覆蓋配線層12，并在絕緣層11中形成 通路15，以便將配線層12和要在絕緣層11上形成的另一配線層12 電連接(步驟3)，如圖21C所示。可以按照和上述第一實施例中一樣 的方式來選擇和使用絕緣層11的材料。當(dāng)把具有高圖案分辨率的感光 有機(jī)材料用作絕緣層11的材料時，可以用光刻技術(shù)來形成絕緣層11 中所形成的用于提供通路15的開口。而且，當(dāng)把非感光有機(jī)材料或具 有低圖案分辨率的感光有機(jī)材料用作絕緣層11的材料時，可以通過激 光加工、干法刻蝕、噴砂或其它方法來形成絕緣層11中所形成的用于 提供通路15的開口。而且，不需要預(yù)先通過以下方法在絕緣層11中 形成開口在預(yù)先在通路15的位置形成電鍍柱之后形成絕緣膜，并通 過拋光來刨平絕緣膜表面、以使電鍍柱暴露及形成通路15。在該實施 例中，可以把感光聚酰亞胺樹脂用作絕緣層11的材料，并且可以形成 8(am厚的絕緣層。在這種情況下，可以通過光刻技術(shù)來形成絕緣層11 中所形成的用于提供通路15的開口。
接下來，在通路15和絕緣層11上形成配線層12(步驟4)，如圖 21D所示。用于形成配線層12的材料和方法與上述步驟2 —樣。按照和圖21C所示的步驟3中一樣的方式，來形成絕緣層11和 通路15，并在通路15和絕緣層11上形成第一電極13 (步驟5)，如 圖21E所示。圖21E示出了第一電極13被形成在通路15上的例子， 但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且第一電極13可以形成在絕緣層 11上。第一電極13被布置在絕緣層11和通路15上，并通過直接連 接而電連接到通路15、或經(jīng)由配線層12電連接到通路15。用于形成 第一電極13的材料和方法與根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方 法的步驟5中一樣?？梢酝ㄟ^在其上面形成了第一電極13的表面上形 成配線層12，來制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例變型例子的配線板。在這 種情況下，可以在分開的步驟中制造第一電極13和配線層12，或者 可以通過對相同的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖來同時形成第一電極13和配線層 12。在該實施例中，例如可以通過用半加法順序地形成5pm厚的銅層、 3^im厚的鎳層及0.5^im厚的金層，來形成第一電極13，其中金是最頂 層。
接下來，除去支持板30 (步驟6)，如圖21F所示。除去支持板 30的方法和根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法的步驟6 —樣。 在該實施例中，例如使用具有低粘著度且被形成在硅和種子金屬層(未 示出)之間的剝離層(未示出)，并且在剝離剝離層之后，可以通過刻 蝕來除去種子金屬層(未示出)。
接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11 (步驟7)，如圖21G 所示?？梢酝ㄟ^濕法刻蝕或干法刻蝕來執(zhí)行第二電極14和絕緣層11 的分離。在這種情況下，只要當(dāng)在無刻蝕的情況下焊料回流的時候、 在絕緣層11和第二電極14之間形成了為使焊料在回流期間流動所需 的間隙，就不一定需要刻蝕。在圖21A所示的步驟1中使用圖17C所 示的上述第十三實施例的步驟3或圖19D所示的上述第十五實施例的 步驟4的情況下，可以通過在刻蝕步驟中主要刻蝕第二電極14，來制 造其中絕緣層11和配線層12被層壓在根據(jù)上述第一實施例第二變型 例子的配線板上的配線板，并且可以通過主要刻蝕絕緣層11，來制造 其中絕緣層11和配線層12被層壓在根據(jù)上述第一實施例第三變型例 子的配線板上的配線板。而且，在圖21A所示的步驟1中使用圖18D所示的上述第十四實施例的步驟4的情況下，可以通過在刻蝕步驟中 主要刻蝕第二電極14，來制造其中絕緣層11和配線層12被層壓在根 據(jù)上述第一實施例第二變型例子的配線板上的配線板，并且可以通過
主要刻蝕絕緣膜31和絕緣層11，來制造其中絕緣層11和配線層12
被層壓在根據(jù)上述第一實施例第三變型例子的配線板上的配線板。而
且，在圖21A所示的步驟1中使用圖20D所示的上述第十六實施例的 步驟4的情況下，可以通過在刻蝕步驟中主要刻蝕第二電極14，來制 造其中絕緣層11和配線層12被層壓在根據(jù)上述第一實施例第二變型 例子的配線板上的配線板，并且可以通過主要刻蝕絕緣膜31，來制造 其中絕緣層11和配線層12被層壓在根據(jù)上述第一實施例第三變型例 子的配線板上的配線板。在刻蝕完成后，可以通過電解電鍍、無電鍍、 汽相沉積、印刷、噴墨沉積、浸漬或其它方法來處理第二電極14的表 面，以便由從包括金、銀、銅、錫和焊料的組中所選擇的至少一種金 屬或合金來形成第二電極14的表面。在該實施例中，例如可以通過在 第二電極14的暴露銅面上進(jìn)行無電鍍，來形成金膜。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的配線板 和根據(jù)第二實施例變型例子的配線板。該實施例中的例子示出了三層 絕緣層11和兩層配線層12被層壓在一起，但是該配置對此沒有強(qiáng)加 限制，并且可以通過重復(fù)上述圖21C所示的步驟3和圖21D所示的步 驟4，來形成所需數(shù)量的絕緣層11和配線層12。該實施例的其它效果 和上述第十三實施例一樣。
接下來將描述本發(fā)明第十八實施例。該實施例涉及一種制造根據(jù) 上述第三實施例的配線板的方法。圖22A至22E示出了制造根據(jù)圖7 所示本發(fā)明第三實施例的配線板的一種方法的例子的橫截面示意圖， 作為一序列步驟。在圖22中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖21中 一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間適當(dāng)?shù)貓?zhí) 行洗滌和加熱處理。
基于根據(jù)上述第十三至第十七實施例的配線板制造方法中除去支 持板的步驟緊前面的狀態(tài)(步驟1)，來描述該實施例。圖22A示出了 圖17E所示的上述第十三實施例的步驟5和圖19F所示的上述第十五實施例的步驟6的狀態(tài)。然而，對此沒有強(qiáng)加限制，而是有可能執(zhí)行
圖18F所示的上述第十四實施例的步驟6、圖20F所示的上述第十六 實施例的步驟6或圖21E所示的上述第十七實施例的步驟5的狀態(tài)之 后的步驟。在該實施例中，例如支持板30可以是這樣的剝離層(未 示出)和導(dǎo)電種子金屬層(未示出)被順序地布置在硅晶片上，該硅 晶片具有0.725mm的厚度和8英寸(200mm)的直徑，并具有熱氧化 層。由感光聚酰亞胺樹脂來形成7pm厚的絕緣層11，并通過從支持 板30上所形成的種子金屬層(未示出)饋送能量來按順序從支持板 30形成2^im厚的銅層及5pm厚的鎳層，由此形成和絕緣層11 一樣厚 的第二電極14?？梢酝ㄟ^其中把濺射膜用作電源層的半加法，利用銅 在第二電極14和絕緣層11上形成10pm厚的配線層12，并且可以通 過順序形成5pm厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm厚的金層，來形 成第一電極13，其中金是最頂層。
接下來，把半導(dǎo)體元件16的電極(未示出)經(jīng)由焊球18倒裝式 連接到第一電極13，如圖22B所示。此后，把底部填充樹脂17填充 到半導(dǎo)體元件16和上面形成了焊球18的配線板之間的間隙中(步驟 2)。用于形成焊球18的材料和方法與上述第三實施例中一樣。底部填 充樹脂17由環(huán)氧基材料組成，其用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止由 于配線板和半導(dǎo)體元件16之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球18破裂。只 要焊球18的強(qiáng)度足以確保期望的可靠性，就不需要使用底部填充樹脂 17。當(dāng)在沒有安裝半導(dǎo)體元件16的區(qū)域中配線板的剛度不足時，可以 分開附著其中半導(dǎo)體元件16的區(qū)域敞開的框體。
接下來，除去支持板30 (步驟3)，如圖22C所示。除去支持板 30的方法和根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法的步驟6 —樣。 在該實施例中，例如使用具有低粘著度且被形成在硅和種子金屬層(未 示出)之間的剝離層(未示出)，并且在剝離剝離層之后，可以通過刻 蝕來除去種子金屬層(未示出)。
接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11 (步驟4)，如圖22D 所示?？梢岳煤透鶕?jù)上述第十七實施例的配線板制造方法的步驟7 中一樣的方法，來執(zhí)行第二電極14和絕緣層11 (或絕緣膜31)的分離。在這種情況下，只要當(dāng)在無刻蝕的情況下焊料回流的時候在絕緣 層ll (或絕緣膜31)和第二電極14之間形成了為使焊料在回流期間 流動所需的間隙，就不一定需要刻蝕。在刻蝕完成后，可以通過電解 電鍍、無電鍍、汽相沉積、印刷、噴墨沉積、浸漬或其它方法來處理
第二電極14的表面，以便由從包括金、銀、銅、錫和焊料的組中所選 擇的至少一種金屬或合金來形成第二電極14的表面。在該實施例中， 例如可以通過在第二電極14的暴露銅面上進(jìn)行無電鍍，來形成金膜。
接下來，將焊球19附著到第二電極14上(步驟5)，如圖22E所 示。把焊球19附著到第二電極14上，以便將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件安 裝在另一塊基板上。焊球19是由焊料組成的球，并通過在第二電極 14上進(jìn)行球轉(zhuǎn)印或印刷而形成。取決于附著方式，可以焊接金屬引腳 而不把焊球19附著于第二電極14上。圖22E示出了焊球19被形成 在第二電極14上的例子，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以在 第一電極13上形成焊球19，或者可以隨意地在第一電極13和第二電 極14上都形成焊球19。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體 器件。因為同時利用穩(wěn)定的支持板30來安裝半導(dǎo)體元件16，所以能 夠以50pm或更小的極窄間距，來穩(wěn)定地形成連接?？梢酝ㄟ^在安裝 半導(dǎo)體元件16之后除去支持板30，來使配線板的厚度進(jìn)一步最小化， 并且可以通過將另一個半導(dǎo)體元件安裝在暴露面上，來將先前安裝的 半導(dǎo)體元件之間的間隙設(shè)為極短的距離。為此，可以提供大量的微連 接，并且可以在兩個表面的半導(dǎo)體元件之間實現(xiàn)高速信號傳輸和寬總 線寬度。
接下來將描述本發(fā)明第十九實施例。該實施例涉及一種制造根據(jù) 上述第四實施例的半導(dǎo)體器件的方法。圖23A至22F示出了制造根據(jù) 圖8所示本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件的一種方法的例子的橫截面 示意圖，作為一序列步驟。在圖23中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1 至圖22中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間 適當(dāng)?shù)貓?zhí)行洗滌和加熱處理。
圖23A所示的根據(jù)該實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的步驟1和圖22A所示的根據(jù)上述第十八實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的步驟
l相同。
接下來，把半導(dǎo)體元件16的電極(未示出)經(jīng)由焊球18倒裝式 連接到第一電極13，如圖23B所示。此后，把底部填充樹脂17填充 到半導(dǎo)體元件16和上面形成了焊球18的配線板之間的間隙中(步驟 2)。用于形成焊球18的材料和方法與上述第三實施例中一樣。底部填 充樹脂17由環(huán)氧基材料組成，其用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止由 于配線板和半導(dǎo)體元件16之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球18破裂。只 要焊球18的強(qiáng)度足以確保期望的可靠性，就不需要使用底部填充樹脂 17。圖23B所示的半導(dǎo)體元件16是通過倒裝式連接進(jìn)行連接的，但 是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且連接可以是在隨后步驟中執(zhí)行的絲 焊連接，以制造根據(jù)圖9所示本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體器件。在這 種情況下，把粘合劑22涂敷于上面沒有布置電路的半導(dǎo)體元件16表 面上，并且可以使用有機(jī)材料或銀漿等?？梢岳弥饕ń鸬暮妇€ 21將半導(dǎo)體元件16的電極(未示出)和第一電極13電連接。當(dāng)在沒 有安裝半導(dǎo)體元件16的區(qū)域中配線板的剛度不足時，可以分開附著其 中半導(dǎo)體元件16的區(qū)域敞開的框體。
形成密封樹脂20以覆蓋半導(dǎo)體元件16(步驟3)，如圖23C所示。 密封樹脂20可以包括通過向環(huán)氧基材料添加硅填料所獲得的材料，并 且可以利用印刷方法、其中使用金屑模的壓塑或轉(zhuǎn)印模塑法，來涂敷 密封樹脂20，以便覆蓋所安裝的半導(dǎo)體元件16和元件的連接部分。 圖23C示出了密封樹脂20覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件16的配線板整 個表面的結(jié)構(gòu)，但是不必覆蓋整個表面，并且結(jié)構(gòu)可以是這樣的密 封樹脂20覆蓋包括半導(dǎo)體元件16和元件連接部分的表面的一部分， 且配線板一部分暴露?？梢员Ｗo(hù)半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件16，因為 半導(dǎo)體元件16被密封樹脂20所覆蓋。而且，通過提供密封樹脂20 可以提高整個半導(dǎo)體器件的剛度，并且也可以提高整個封裝的可靠性。
接下來，除去支持板30 (步驟4)，如圖23D所示。除去支持板 30的方法和根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法的步驟6 —樣。 在該實施例中，例如使用具有低粘著度且被形成在硅和種子金屬層(未
51示出)之間的剝離層(未示出)，并且在剝離剝離層之后，可以通過刻 蝕來除去種子金屬層(未示出)。
接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11 (步驟5)，如圖23E 所示?？梢岳煤透鶕?jù)上述第十七實施例的配線板制造方法的步驟7 中一樣的方法，來執(zhí)行第二電極14和絕緣層11 (或絕緣膜31)的分 離。在這種情況下，只要當(dāng)在無刻蝕的情況下焊料回流的時候在絕緣 層ll (或絕緣膜31)和第二電極14之間形成了為使焊料在回流期間 流動所需的間隙，就不一定需要刻蝕。在刻蝕完成后，可以通過電解 電鍍、無電鍍、汽相沉積、印刷、噴墨沉積、浸漬或其它方法來處理 第二電極14的表面，以便由從包括金、銀、銅、錫和焊料的組中所選 擇的至少一種金屬或合金來形成第二電極14的表面。在該實施例中， 例如可以通過在第二電極14的暴露銅面上進(jìn)行無電鍍，來形成金膜。
接下來，將焊球19附著到第二電極14上(步驟6)，如圖23F所 示。把焊球19附著到第二電極14上，以便將根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器 件安裝在另一塊基板上。用于形成焊球19的材料和方法與上述第十八 實施例中一樣。圖23F示出了焊球19被形成在第二電極14上的例子， 但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且密封樹脂20可以覆蓋包括半導(dǎo)體 元件16和元件連接部分的表面的一部分。當(dāng)結(jié)構(gòu)是第一電極13被暴 露的結(jié)構(gòu)，則可以把焊球19形成在第一電極13上，并且可以根據(jù)需 要在第一電極13和第二電極14上交替地形成焊球19。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)第四實施例的半導(dǎo)體器件和 根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體器件。該實施例的其它效果和上述第 十八實施例的效果一樣。
接下來將描述本發(fā)明第二十實施例。該實施例涉及一種制造根據(jù) 上述第六實施例的半導(dǎo)體器件的方法。圖24A至24D示出了制造根據(jù) 圖10所示本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體器件的一種方法的例子的橫截 面示意圖，作為一序列步驟。在圖24中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖l 至圖23中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間 適當(dāng)?shù)貓?zhí)行洗滌和加熱處理。
在該實施例中，從以下狀態(tài)開始進(jìn)行描述在根據(jù)上述第十三至第十七實施例的配線板制造方法中使第二電極"和絕緣層11 (或絕
緣膜31)分離。圖24A示出了圖17G所示的上述第十三實施例的步 驟7、圖18H所示的上述第十四實施例的步驟8和圖19H所示的上述 第十五實施例的步驟8的狀態(tài)。然而，對此沒有強(qiáng)加限制，并且有可 能執(zhí)行圖18F所示的上述第十四實施例的步驟6、圖20H所示的上述 第十六實施例的步驟8或圖21G所示的上述第十七實施例的步驟7的 狀態(tài)之后的步驟。
首先，準(zhǔn)備根據(jù)本發(fā)明的配線板(步驟1)，如圖24A所示。當(dāng)單 獨(dú)配線板的剛度不足且難以執(zhí)行剩余步驟時，可以使用的方法是，在 除去支持板30的步驟中轉(zhuǎn)印支持膜或板。在該實施例中，例如支持板 30可以是這樣的剝離層(未示出)和導(dǎo)電種子金屬層(未示出)被 順序地布置在硅晶片上，該硅晶片具有0.725mm的厚度和8英寸 (200mm)的直徑，并具有熱氧化層。由感光聚酰亞胺樹脂來形成7)am 厚的絕緣層11，并通過從支持板30上所形成的種子金屬層(未示出) 饋送能量、來按順序從支持板30形成2pm厚的銅層及3pm厚的鎳層， 由此形成第二電極14。可以通過其中把濺射膜用作電源層的半加法， 利用銅在第二電極14和絕緣層11上形成lOpm厚的配線層12，并且 可以通過順序形成5pm厚的銅層、3fim厚的鎳層及0.5pm厚的金層， 來形成第一電極13，其中金是最頂層。在分離并除去支持板30后， 通過濕法刻蝕來分離第二電極14和絕緣層11。
接下來，把半導(dǎo)體元件24的電極(未示出)經(jīng)由焊球23倒裝式 連接到第二電極14，如圖24B所示。此后，把底部填充樹脂25填充 到半導(dǎo)體元件24和上面形成了焊球23的配線板之間的間隙中(步驟 2)。用于形成焊球23的材料和方法與本發(fā)明第六實施例中一樣。底部 填充樹脂25由環(huán)氧基材料組成，其用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止 由于配線板和半導(dǎo)體元件24之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球23破裂。 只要焊球23的強(qiáng)度足以確保期望的可靠性，就不一定需要使用底部填 充樹脂25。當(dāng)在沒有安裝半導(dǎo)體元件24的區(qū)域中配線板的剛度不足 時，可以分開附著其中半導(dǎo)體元件24的區(qū)域敞開的框體。
接下來，將焊球19附著到第一電極13上(步驟3),如圖24C所示。把焊球19附著到第二電極14上，以便將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件安 裝在另一塊基板上。用于形成焊球19的材料和方法與上述第十八實施
例中一樣。從而，可以制造根據(jù)圖io所示本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體
器件。圖24C示出了焊球19被形成在第一電極13上的例子，但是該 配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以在第二電極14上形成焊球19，或 者可以隨意地在第一電極13和第二電極14上都形成焊球19。
當(dāng)形成密封樹脂29以覆蓋半導(dǎo)體元件24時，如圖24D所示，則 在圖24B的步驟和圖24C的步驟之間添加形成密封樹脂29的步驟。 用于形成密封樹脂29的材料和方法與上述第七實施例中一樣。圖24D 示出了密封樹脂29覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件24的配線板整個表面 的結(jié)構(gòu)，但是不一定需要覆蓋整個表面，并且結(jié)構(gòu)可以是這樣的密 封樹脂29覆蓋包括半導(dǎo)體元件24和元件連接部分的表面的一部分， 且配線板一部分暴露。在形成密封樹脂29后形成焊球19，如圖24D 所示。將焊球19進(jìn)行附著，以便將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件安裝在另一塊 基板上，并且取決于附著方式，可以焊接金屬引腳而非焊球19。圖24D 示出了焊球19被形成在第一電極13上的例子，但是該配置對此沒有 強(qiáng)加限制，并且密封樹脂29可以覆蓋包括半導(dǎo)體元件24和元件連接 部分的表面的一部分。在其中第二電極14暴露的結(jié)構(gòu)的情況下，可以 在第二電極14上形成焊球19，或者可以隨意地在第一電極13和第二 電極14上都形成焊球19。從而，可以形成根據(jù)圖11所示本發(fā)明第七 實施例的半導(dǎo)體器件。
在圖24D中，半導(dǎo)體元件24是通過倒裝式連接進(jìn)行連接的，但 是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以通過絲焊連接來制造根據(jù)圖12 所示本發(fā)明第八實施例的半導(dǎo)體器件。在這種情況下，把粘合劑27 涂敷于上面沒有布置電路的半導(dǎo)體元件26表面上，并且可以使用有機(jī) 材料或銀漿等。可以利用由主要包括金的材料所組成的焊線28，將半 導(dǎo)體元件26的電極(未示出)和第二電極14電連接。將焊球19進(jìn)行 附著，以便將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件安裝在另一塊基板上，并且取決于 附著方式，可以焊接金屬引腳而非焊球19。圖24D示出了焊球19被 形成在第一電極13上的例子，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且密封樹脂29可以覆蓋包括半導(dǎo)體元件24和元件連接部分的表面的一部 分。在其中第二電極14暴露的結(jié)構(gòu)的情況下，可以在第二電極14上 形成焊球19，或者可以隨意地在第一電極13和第二電極14上都形成 焊球19。可以用和上述一樣的方式來形成根據(jù)圖12所示本發(fā)明第八 實施例的半導(dǎo)體器件。
根據(jù)該實施例，有可能高效地制造根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo) 體器件、根據(jù)本發(fā)明第七實施例的半導(dǎo)體器件和根據(jù)本發(fā)明第八實施 例的半導(dǎo)體器件。
接下來描述本發(fā)明第二十一實施例。該實施例涉及一種制造根據(jù) 上述第九實施例的半導(dǎo)體器件的方法。圖25A至25F示出了制造根據(jù) 圖13所示本發(fā)明第九實施例的配線板的一種方法的例子的橫截面示 意圖，作為一序列步驟。在圖25中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖1至圖 24中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間適當(dāng) 地執(zhí)行洗滌和加熱處理。
在該實施例中，恰好在以下狀態(tài)之前開始描述在根據(jù)上述第十 三至第十七實施例的配線板制造方法中除去了支持板30(步驟1)。圖 25A示出了圖17E所示的上述第十三實施例的步驟5和圖19F所示的 上述第十五實施例的步驟6的狀態(tài)。然而，對此沒有強(qiáng)加限制，并且 有可能執(zhí)行圖18F所示的上述第十四實施例的步驟6、圖20F所示的 上述第十六實施例的步驟6或圖21E所示的上述第十七實施例的步驟 5的狀態(tài)之后的步驟。在該實施例中，例如支持板30可以是這樣的 剝離層(未示出)和導(dǎo)電種子金屬層(未示出)被順序地布置在硅晶 片上，該硅晶片具有0.725mm的厚度和8英寸(200mm)的直徑，并 具有熱氧化層。由感光聚酰亞胺樹脂來形成7pm厚的絕緣層11，并 通過從支持板30上所形成的種子金屬層(未示出)饋送能量、來按順 序從支持板30形成2|_im厚的銅層及5pm厚的鎳層，由此形成和絕緣 層11 一樣厚的第二電極14?？梢酝ㄟ^其中把濺射膜用作電源層的半 加法，利用銅在第二電極14和絕緣層11上形成10pm厚的配線層12， 并且可以通過順序形成5|am厚的銅層、3pm厚的鎳層及0.5pm厚的 金層，來形成第一電極13，其中金是最頂層。接下來，把半導(dǎo)體元件16的電極(未示出)經(jīng)由焊球18倒裝式
連接到第一電極13，如圖25B所示。此后，把底部填充樹脂17填充 到半導(dǎo)體元件16和上面形成了焊球18的配線板之間的間隙中(步驟 2)。用于形成焊球18的材料和方法與上述第三實施例中一樣。底部填 充樹脂17由環(huán)氧基材料組成，其用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止由 于配線板和半導(dǎo)體元件16之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球18破裂。只 要焊球18的強(qiáng)度足以確保期望的可靠性，就不一定需要使用底部填充 樹脂17。當(dāng)在沒有安裝半導(dǎo)體元件16的區(qū)域中配線板的剛度不足時， 可以分開附著其中半導(dǎo)體元件16的區(qū)域敞開的框體。
接下來，除去支持板30 (步驟3)，如圖25C所示。除去支持板 30的方法和根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法的步驟6 —樣。 在該實施例中，例如使用具有低粘著度且被形成在硅和種子金屬層(未 示出)之間的剝離層(未示出)，并且在剝離剝離層之后，可以通過刻 蝕來除去種子金屬層(未示出)。
接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11(步驟4)，如圖25D 所示?？梢岳煤透鶕?jù)上述第十七實施例的配線板制造方法的步驟7 中一樣的方法，來執(zhí)行第二電極14和絕緣層11 (或絕緣膜31)的分 離。在這種情況下，只要當(dāng)在無刻蝕的情況下焊料回流的時候在絕緣 層ll (或絕緣膜31)和第二電極14之間形成了為使焊料在回流期間 流動所需的間隙，就不一定需要刻蝕。在刻蝕完成后，可以通過電解 電鍍、無電鍍、汽相沉積、印刷、噴墨沉積、浸漬或其它方法來處理 第二電極14的表面，以便由從包括金、銀、銅、錫和焊料的組中所選 擇的至少一種金屬或合金來形成第二電極14的表面。在該實施例中， 例如可以通過在第二電極14的暴露銅面上進(jìn)行無電鍍，來形成金膜。
接下來，把半導(dǎo)體元件24的電極(未示出)經(jīng)由焊球23倒裝式 連接到第二電極14，如圖25E所示。此后，把底部填充樹脂25填充 到半導(dǎo)體元件24和上面形成了焊球23的配線板之間的間隙中(步驟 5)。用于形成焊球23的材料和方法與本發(fā)明第六實施例中一樣。底部 填充樹脂25由環(huán)氧基材料組成，其用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止 由于配線板和半導(dǎo)體元件24之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球23破裂。只要焊球23的強(qiáng)度足以確保期望的可靠性，就不一定需要使用底部填 充樹脂25。
在圖25E中，半導(dǎo)體元件24是通過倒裝式連接進(jìn)行連接的，但 是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以通過形成絲焊連接、涂敷密封 樹脂29以覆蓋半導(dǎo)體元件24、并執(zhí)行隨后步驟，來制造根據(jù)圖14所 示本發(fā)明第十實施例的半導(dǎo)體器件。在這種情況下，把粘合劑27涂敷 于上面沒有形成電路的半導(dǎo)體元件26表面上，并且可以使用有機(jī)材料 或銀漿等?？梢岳糜芍饕ń鸬牟牧纤M成的焊線28，將半導(dǎo)體 元件26的電極(未示出)和第二電極14電連接。
接下來，將焊球19附著到第二電極14上(步驟6)，如圖25F所 示。把焊球19附著到第二電極14上，以便將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件安 裝在另一塊基板上。焊球19是由焊料組成的球，并通過在第二電極 14上進(jìn)行球轉(zhuǎn)印或印刷而形成。取決于附著方式，可以焊接金屬引腳 而不把焊球19附著于第二電極14上。圖25F示出了焊球19被形成 在第二電極14上的例子，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以在 第一電極13上形成焊球19，或者可以隨意地在第一電極13和第二電 極14上都形成焊球19。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)本發(fā)明第九實施例的半導(dǎo)體 器件和根據(jù)本發(fā)明第十實施例的半導(dǎo)體器件。
接下來描述本發(fā)明第二十二實施例。該實施例涉及一種制造根據(jù) 上述第十一實施例的半導(dǎo)體器件的方法。圖26A至26G示出了制造根 據(jù)圖15所示本發(fā)明第十一實施例的配線板的一種方法的例子的橫截 面示意圖，作為一序列步驟。在圖26中，相同的附圖標(biāo)記用于和圖l 至圖25中一樣的組成元件，并省略對它們的詳細(xì)描述。在各步驟之間 適當(dāng)?shù)貓?zhí)行洗滌和加熱處理。
在該實施例中，在根據(jù)上述第十三至第十七實施例的配線板制造 方法中除去支持板30的步驟(步驟l)的緊前面狀態(tài)下，開始描述。 圖26A示出了圖17E所示的上述第十三實施例的步驟5和圖19F所示 的上述第十五實施例的步驟6的狀態(tài)。然而，對此沒有強(qiáng)加限制，并 且有可能執(zhí)行圖18F所示的上述第十四實施例的步驟6、圖20F所示
57的上述第十六實施例的步驟6或圖21E所示的上述第十七實施例的步 驟5的狀態(tài)之后的步驟。在該實施例中，例如支持板30可以是這樣的
剝離層(未示出)和導(dǎo)電種子金屬層(未示出)被順序地布置在硅晶
片上，該硅晶片具有0.725mm的厚度和8英寸(200mm)的直徑，并 具有熱氧化層。由感光聚酰亞胺樹脂來形成7pm厚的絕緣層11，并 通過從支持板30上所形成的種子金屬層(未示出)饋送能量、來按順 序從支持板30形成2nm厚的銅層及5|im厚的鎳層，由此形成和絕緣 層11 一樣厚的第二電極14。可以通過其中把濺射膜用作電源層的半 加法，利用銅在第二電極M和絕緣層11上形成10(im厚的配線層12， 并且可以通過順序形成5pm厚的銅層、3jum厚的鎳層及0.5pm厚的 金層，來形成第一電極13，其中金是最頂層。
接下來，把半導(dǎo)體元件16的電極(未示出)經(jīng)由焊球18倒裝式 連接到第一電極13，如圖26B所示。此后，把底部填充樹脂17填充 到半導(dǎo)體元件16和上面形成了焊球18的配線板之間的間隙中(步驟 2)。用于形成焊球18的材料和方法與上述第三實施例中一樣。底部填 充樹脂17由環(huán)氧基材料組成，其用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止由 于配線板和半導(dǎo)體元件16之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球18破裂。只 要焊球18的強(qiáng)度足以確保期望的可靠性，就不一定需要使用底部填充 樹脂17。在圖26B中，半導(dǎo)體元件16是通過倒裝式連接進(jìn)行連接的， 但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以通過形成絲焊連接、并執(zhí)行 隨后步驟，來制造根據(jù)圖16所示本發(fā)明第十二實施例的半導(dǎo)體器件。 在這種情況下，把粘合劑22涂敷于上面沒有形成電路的半導(dǎo)體元件 16表面上，并且可以使用有機(jī)材料或銀漿等。可以利用由主要包括金 的材料所組成的焊線21，將半導(dǎo)體元件16的電極(未示出)和第一 電極13電連接。當(dāng)在沒有安裝半導(dǎo)體元件16的區(qū)域中、配線板的剛 度不足時，可以分開附著其中半導(dǎo)體元件16的區(qū)域敞開的框體。
形成密封樹脂20以覆蓋半導(dǎo)體元件16(步驟3)，如圖26C所示。 密封樹脂20可以包括通過向環(huán)氧基材料添加硅填料所獲得的材料，并 且可以利用印刷方法、其中使用金屬模的壓塑或轉(zhuǎn)印模塑法，來涂敷 密封樹脂20，以便覆蓋所安裝的半導(dǎo)體元件16和元件的連接部分。圖26C示出了密封樹脂20覆蓋上面安裝了半導(dǎo)體元件16的配線板整 個表面的結(jié)構(gòu)，但是不一定需要覆蓋整個表面，并且結(jié)構(gòu)可以是這樣 的密封樹脂20覆蓋包括半導(dǎo)體元件16和元件連接部分的表面的一 部分，且配線板一部分暴露?？梢员Ｗo(hù)半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件16， 因為半導(dǎo)體元件16被密封樹脂20所覆蓋。而且，通過布置密封樹脂 20可以提高整個半導(dǎo)體器件的剛度，并且也可以提高整個封裝的可靠 性。
接下來，除去支持板30 (步驟4)，如圖26D所示。除去支持板 30的方法和根據(jù)上述第十三實施例的配線板制造方法的步驟6 —樣。 在該實施例中，例如使用具有低粘著度且被形成在硅和種子金屬層(未 示出)之間的剝離層(未示出)，并且在剝離剝離層之后，可以通過刻 蝕來除去種子金屬層(未示出)。
接下來，可靠地分離第二電極14和絕緣層11 (步驟5)，如圖26E 所示。可以利用和根據(jù)上述第十七實施例的配線板制造方法的步驟7 中一樣的方法，來執(zhí)行第二電極14和絕緣層11 (或絕緣膜31)的分 離。在這種情況下，只要當(dāng)在無刻蝕的情況下焊料回流的時候、在絕 緣層ll (或絕緣膜31)和第二電極14之間形成了為使焊料在回流期 間流動所需的間隙，就不一定需要刻蝕。在刻蝕完成后，可以通過電 解電鍍、無電鍍、汽相沉積、印刷、噴墨沉積、浸漬或其它方法來處 理第二電極14的表面，以便由從包括金、銀、銅、錫和焊料的組中所 選擇的至少一種金屬或合金來形成第二電極14的表面。在該實施例 中，例如可以通過在第二電極14的暴露銅面上進(jìn)行無電鍍，來形成金 膜。
接下來，把半導(dǎo)體元件24的電極(未示出)經(jīng)由焊球23倒裝式 連接到第二電極14，如圖26F所示。此后，把底部填充樹脂25填充 到半導(dǎo)體元件24和上面形成了焊球23的配線板之間的間隙中(步驟 6)。用于形成焊球23的材料和方法與本發(fā)明第六實施例中一樣。底部 填充樹脂25由環(huán)氧基材料組成，其用途是減小熱膨脹系數(shù)差，以防止 由于配線板和半導(dǎo)體元件24之間的熱膨脹系數(shù)差而使焊球23破裂。 只要焊球23的強(qiáng)度足以確保期望的可靠性，就不一定需要使用底部填充樹脂25。當(dāng)在沒有安裝半導(dǎo)體元件24的區(qū)域中配線板的剛度不足 時，可以分開附著其中半導(dǎo)體元件24的區(qū)域敞開的框體。
在圖26F中，半導(dǎo)體元件24是通過倒裝式連接進(jìn)行連接的，但 是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以通過絲焊法來實施連接。在這 種情況下，把粘合劑27涂敷于上面沒有布置電路的半導(dǎo)體元件26表 面上，并且可以使用有機(jī)材料或銀漿等?？梢岳糜芍饕ń鸬牟?料所組成的焊線28，將半導(dǎo)體元件26的電極(未示出)和第二電極 14電連接。把半導(dǎo)體元件26安裝在配線板上，然后利用密封樹脂29 進(jìn)行覆蓋。
接下來，將焊球19附著到第二電極14上(步驟7)，如圖26G所 示。把焊球19附著到第二電極14上，以便將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件安 裝在另一塊基板上。焊球19是由焊料組成的球，并通過在第二電極 M上進(jìn)行球轉(zhuǎn)印或印刷而形成。取決于附著方式，可以焊接金屬引腳 而不把焊球19附著于第二電極14上。圖26G示出了焊球19被形成 在第二電極14上的例子，但是該配置對此沒有強(qiáng)加限制，并且可以在 包括半導(dǎo)體元件16和元件連接部分的部分上形成密封樹脂20。在其 中第一電極13暴露的結(jié)構(gòu)的情況下，可以在第一電極13上形成焊球 19，或者可以隨意在第一電極13和第二電極14上都形成焊球19。
根據(jù)該實施例，可以高效地制造根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的半導(dǎo) 體器件和根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求
1. 一種配線板，包括上面布置了第一電極的第一表面和上面布置了第二電極的第二表面；以及至少單層絕緣層和至少單層配線層；其中，布置在所述第二表面上的第二電極嵌入所述絕緣層中；所述第二電極的暴露于所述第二表面的表面的相反側(cè)表面連接到所述配線層；以及所述第二電極的側(cè)面的一部分不與所述絕緣層接觸；所述布線層的與所述第二電極連接的那個側(cè)表面的至少一部分不與所述第二電極嵌入到的所述絕緣層接觸；以及所述第一電極的側(cè)面的至少一部分不與所述絕緣層接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線板，其中，所述第二電極的暴露于 所述第二表面的表面處在與所述第二表面相同的平面內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線板，其中，所述第二電極的暴露于 所述第二表面的表面相對于所述第二表面而下凹。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線板，其中，所述第二電極的暴露于 所述第二表面的表面從所述第二表面伸出。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線板，其中所述第一電極和所述第二 電極直接連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5任何之一所述的配線板，其中所述第二電 極與所述配線層直接連接。
7. —種制造配線板的方法，包括 在支持板上形成絕緣層；在所述絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口，使得所述支 持板暴露；在所述開口中形成所述第二電極；在所述絕緣層和所述第二電極上形成配線層；在所述絕緣層和所述第二電極上形成第一電極；除去所述支持板；以及在所述絕緣層和所述第二電極的與所述絕緣層接觸的那個側(cè)面之 間形成間隙。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造配線板的方法，其中，在所述絕緣 層和所述第二電極上形成配線層的步驟以及在所述絕緣層和所述第二 電極上形成第一電極的步驟包括通過對相同的導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，來 同時形成所述配線層和所述第一電極。
9. 一種制造配線板的方法，包括 在支持板上形成絕緣層；在所述絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開口，使得所述支持板暴露；在所述開口中形成所述第二電極；形成至少一層或多層配線層和至少一層或多層絕緣層；在最上面絕緣層上形成第一電極；除去所述支持板；以及在所述絕緣層和所述第二電極的與所述絕緣層接觸的那個側(cè)面之 間形成間隙。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造配線板的方法，其中，在所述最上 面絕緣層上形成第一電極的步驟中，在所述最上面絕緣層上形成配線 層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7至10任一權(quán)利要求所述的制造配線板的方 法，包括以下步驟在所述絕緣層中將要形成第二電極的位置形成開 口、使得所述支持板暴露的步驟和在所述開口中形成所述第二電極的 步驟之間，通過干法刻蝕或濕法刻蝕來向所述開口的側(cè)面提供比所述 絕緣層更容易除去的絕緣膜。
12. —種制造配線板的方法，包括 在支持板上形成第二電極；在所述支持板上提供絕緣層，以覆蓋所述第二電極；使所述第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露；在所述絕緣層和所述第二電極上形成配線層；在所述絕緣層和所述第二電極上形成第一電極； 除去所述支持板；以及在所述絕緣層和所述第二電極的與所述絕緣層接觸的那個側(cè)面之 間形成間隙。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造配線板的方法，其中，在相同的 導(dǎo)電膜上形成所述絕緣層和所述第二電極上的配線層以及所述絕緣層 和所述第二電極上的第一電極，并通過對該導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖來同時形 成。
14. 一種制造配線板的方法，包括 在支持板上形成第二電極；在所述支持板上提供絕緣層，以覆蓋所述第二電極；使所述第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露；形成至少一層或多層配線層以及至少一層或多層絕緣層；在最上面絕緣層上形成第一電極；除去所述支持板；以及在所述絕緣層和所述第二電極的與所述絕緣層接觸的那個側(cè)面之 間形成間隙。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造配線板的方法，其中，在所述最 上面絕緣層上形成第一電極的步驟中，在所述最上面絕緣層上形成配 線層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12至15任一權(quán)利要求所述的制造配線板的方 法，包括以下步驟在支持板上形成第二電極的步驟和在所述支持板 上提供絕緣層以覆蓋所述第二電極的步驟之間，通過干法刻蝕或濕法 刻蝕來形成比所述絕緣層更容易除去的絕緣膜。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12至15任一權(quán)利要求所述的制造配線板的方 法，其中，使所述第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露 的步驟包括拋光所述絕緣層和所述第二電極。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12至15任一權(quán)利要求所述的制造配線板的方 法，其中，使所述第二電極的與支持板接觸的表面的相反側(cè)表面暴露 的步驟包括向所述絕緣層提供暴露所述第二電極且大于所述第二電極表面積的凹部。
19. 根據(jù)權(quán)利要求7至10或12至15任一權(quán)利要求所述的制造配 線板的方法，其中，在所述第二電極側(cè)面和所述絕緣層之間形成間隙 的步驟包括濕法刻蝕和/或干法刻蝕。
20. 根據(jù)權(quán)利要求7至10或12至15任一權(quán)利要求所述的制造配 線板的方法，包括以下步驟在除去所述支持板的步驟和在所述第二 電極側(cè)面與所述絕緣層之間形成間隙的步驟之間，使所述第二電極暴 路°
21. 根據(jù)權(quán)利要求7至10或12至15任一權(quán)利要求所述的制造配 線板的方法，其中除去所述支持板的步驟是剝離步驟。
22. 根據(jù)權(quán)利要求7至10或12至15任一權(quán)利要求所述的制造配 線板的方法，其中所述支持板是導(dǎo)電材料，或者是其表面上形成了導(dǎo) 電膜的材料。
全文摘要
一種配線板，包括上面布置了第一電極的第一表面和上面布置了第二電極的第二表面；至少單一絕緣層和至少單一配線層；以及一個或多個安裝的半導(dǎo)體元件，其中布置在第二表面上的第二電極嵌入絕緣層中，第二電極暴露于第二表面?zhèn)鹊拿娴南喾磦?cè)表面連接到配線層，并且第二電極的側(cè)面的全部或部分不與絕緣層接觸。
文檔編號H05K1/02GK101533824SQ20091012742
公開日2009年9月16日 申請日期2006年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月12日
發(fā)明者副島康志, 山道新太郎, 栗田洋一郎, 菊池克 申請人:日本電氣株式會社;恩益禧電子股份有限公司