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      用于驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的電路裝置的制作方法

      文檔序號:8202036閱讀:264來源:國知局

      專利名稱::用于驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的電路裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      :本發(fā)明涉及一種用于驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的電路裝置,該電路裝置具有輸入輸入電壓的輸入端、用于將輸出電壓輸出給半導(dǎo)體光源的輸出端,其中輸入電壓大于輸出電壓.
      背景技術(shù)
      :本發(fā)明基于根據(jù)主權(quán)利要求的類型的用于驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的電路裝置.在EP0948241A2中公開了一種用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管的電路裝置,該電路裝置具有用于輸入輸入電壓的輸入端和用于輸出至發(fā)光二極管的輸出端。在那里所公開的電路中,串聯(lián)連接的LED(發(fā)光二極管)與電感線圍N1串聯(lián),該電感線團(tuán)又與開關(guān)K1串聯(lián)并且與電壓供給相連。在達(dá)到預(yù)給定的上閾值、即達(dá)到預(yù)給定的開關(guān)電流時(shí)開關(guān)K1被打開。該工作方式對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言作為基于分路R2的信號的電流模式控制(current-mode-control)而公知。在接著的去磁化階段中,電感線圍電流通過與發(fā)光二極管和電感線圍反并聯(lián)連接的二極管Dl釋放。如果無載電流(Freilaufstrom)達(dá)到預(yù)給定的下閾值,則開關(guān)K1又閉合并且對電感線團(tuán)進(jìn)行重新充磁。對于所描述的功能的前提條件是,輸入電壓Uin始終大于發(fā)光二極管的正向電壓。在EP0948241A2中,電感線閨Nl實(shí)施為變壓器(Trafo)的繞組,使斧借助繞組N2以及D2和C2可以實(shí)現(xiàn)輔助電壓供給.通過Rl直接由輸入電壓Uin進(jìn)行電路起動(dòng).輔助繞組N2具有另一任務(wù)通過該輔助繞組借助電路部分C對無栽電流進(jìn)行間接測量,該電路部分提供控制信號用于再次接通開關(guān)Kl。如果電感線閨去磁化,則在線圍N2上的電壓躍變,這被電路部分C檢測到。變壓器可以實(shí)施為三繞組變壓器,其中笫三繞組N3與電路部分B—起實(shí)現(xiàn)了與二極管Dl的附加同步的整流。然而,該電路裝置具有的大的缺點(diǎn)是開關(guān)K1通常^L硬切換,即沒有進(jìn)行ZVS(零電壓切換),在zvs的情況下電iim驅(qū)動(dòng)為使得相應(yīng)的開關(guān)始終在開關(guān)上的電壓基本上為零時(shí)才被切換。在根據(jù)EP0948241A2的電路裝置中,情況并非如此;尤其是在無間隙的、即恒定的電流流it^L光二極管的的情況下,二極管D1的反向恢復(fù)效應(yīng)導(dǎo)致電路效率的明顯降低,這尤其在(對小型化所需的)提高的切換頻率的情況下導(dǎo)致由于提高的開關(guān)損耗而引起降低的效率.在Unitrode^>司于19卯年出版的研討會(huì)手冊"SwitchingRegulatedPowerSupplyDesign"中的論文"ZeroVoltageSwitchingResonantPowerConversion"中公開了一種根據(jù)圖2的電路裝置,該電路裝置具有用于輸入輸入電壓的輸入端和用于將輸出電壓輸出給負(fù)載的輸出端。該電路裝置以ZVS工作,因此使開關(guān)損耗最小化。如果一個(gè)或者多個(gè)串聯(lián)連接的發(fā)光二極管連接到該電路裝置,則這些發(fā)光二極管受制于原理而以脈沖方式驅(qū)動(dòng),因?yàn)樨?fù)載被施加有脈沖化的直流電壓,并且與該論文的圖2中的圖示不同,負(fù)載并不近似于電流源(在該論文中稱做I。ut)。在一個(gè)半波中發(fā)光二極管導(dǎo)通,在另一半波中二極管D。導(dǎo)通。而脈沖工作方式對于發(fā)光二極管的良好的效率而言并非最優(yōu)。光輸出的光學(xué)狀態(tài)圖會(huì)在脈沖工作中受到影響。任務(wù)本發(fā)明的任務(wù)是提出一種用于驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的電路裝置,其具有用于輸入輸入電壓的輸入端和用于將輸出電壓輸出給半導(dǎo)體光源的輸出端,其中電路裝置由于發(fā)光二極管的連續(xù)工作方式而具有更好的效率。
      發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明,該任務(wù)的解決借助用于驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的電路裝置來實(shí)現(xiàn),其中該電路裝置具有用于輸入輸入電壓的輸入端、用于將輸出電壓輸出給半導(dǎo)體光源的輸出端,其中該電路裝置的主電^*^在兩個(gè)輸入端子之間,并且包括第一二極管與至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的反并聯(lián)電路、電感器和開關(guān)的串聯(lián)電路,其中與所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源并聯(lián)設(shè)置有第一存儲電容器,并且與該并聯(lián)電路串聯(lián)設(shè)置有第二二極管。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中,與開關(guān)并聯(lián)設(shè)置有諧振電容器,該諧振電容器的電容大于開關(guān)的有效地^作用的寄生電容。如下電容可視為開關(guān)的有效地起作用的寄生電容該電容在標(biāo)稱輸入電壓和被阻塞的開關(guān)的情況下由開關(guān)的小信號電容產(chǎn)生。在例如MOSFET的情況下,這是輸出電容,該輸出電容在柵極-源極電壓為0V時(shí)產(chǎn)生,并JL^數(shù)據(jù)頁中通常用C。ss表示.該電路特別適于如下配置其中輸入電壓大于輸出電壓。為了特別良好地利用根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的優(yōu)點(diǎn),優(yōu)選以高的頻率來對開關(guān)(Ql)進(jìn)行時(shí)鐘控制以驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源(Dl)。開關(guān)的時(shí)鐘頻率在此可以大于80kHz,特別優(yōu)選是大于500kHz。這在沒有顯著增大損耗功率的情況下是可能的,因?yàn)樵撻_關(guān)以ZVS模式被驅(qū)動(dòng)。在該驅(qū)動(dòng)方式的情況下晶體管始終在電壓M上為零的情況下接通或者關(guān)斷。該開關(guān)在此優(yōu)選體以恒定的關(guān)斷時(shí)間和可變的接通時(shí)間來驅(qū)動(dòng)。開關(guān)的高時(shí)鐘頻率由于優(yōu)選存在的措施而導(dǎo)致降^f氐在二極管上的最大電壓變化速度、所謂的軟切換,而并不導(dǎo)致在二恢管中的顯著的開關(guān)損耗,如在高切換頻率的情況下所期待的那樣。如果多個(gè)半導(dǎo)體光源由該電路裝置驅(qū)動(dòng),則這些半導(dǎo)體光源優(yōu)選串聯(lián)連接。為了防止在電壓供給中的干擾電流并且為了改進(jìn)電磁兼容性,優(yōu)選與主電流路徑并聯(lián)設(shè)置有第二存儲電容器。為了能夠測量電路裝置的能量轉(zhuǎn)換,優(yōu)選與主電流路徑串聯(lián)設(shè)置有電流測量電阻。電流測量電阻的一;^此優(yōu)選連接到地,而測量電阻的另一極連接到第一存儲電容器的一極和開關(guān)的一極上。所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源在第一優(yōu)選的實(shí)施形式中以時(shí)鐘控制的方式被驅(qū)動(dòng)。在根據(jù)本發(fā)明的笫二優(yōu)選的實(shí)施形式中,與所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源并聯(lián)設(shè)置有第一存儲電容器,而與該并聯(lián)電路串聯(lián)有第二二極管。電路裝置的該擴(kuò);H有利地實(shí)現(xiàn)了連續(xù)地驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源。輸出給所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的功率在此優(yōu)選通過頻率來調(diào)節(jié)。通過該措施,對功率調(diào)節(jié)所需的控制電路變得簡單且緊湊。在此特別優(yōu)選的是,輸出給所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的功率在較低的頻率下更高而在較大的頻率下更低。根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的其他有利的改進(jìn)方案和擴(kuò)展方案由其他從屬權(quán)利要求和以下說明中得到。參照以下對實(shí)施例的說明以及參照附圖得到了本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、特征和細(xì)節(jié),在這些附圖中相同或者功能相同的元件^:置有相同的參考標(biāo)記。其中圖la-ld示出了在觀察不同的工作階段的情況下根據(jù)本發(fā)明的在第一實(shí)施形式中的電路裝置的簡化的電路圖。圖2示出了圖l的電路裝置中的一些信號。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的在第二實(shí)施形式中的電路裝置的簡化的電路圖。圖4示出了圖3的電路裝置中的一些信號。具體實(shí)施方式第一實(shí)施形式以下,參照圖la-ld和圖2闡述根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的工作方式。電路裝置的連續(xù)工作可以劃分成四個(gè)階段。電路裝置中在不同階段中的電流流動(dòng)分別用箭頭表示。根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的主電流路徑包括二極管與至少一個(gè)發(fā)光二極管的反并聯(lián)電路、電感器L、功率MOS場效應(yīng)晶體管Ql和電流測量電阻Rshunt的串聯(lián)電路。然而與二極管反并聯(lián)的支路也可以由多個(gè)發(fā)光二極管的串聯(lián)電路構(gòu)成,如在圖la右邊所示。與二極管與至少一個(gè)發(fā)光二極管的反并聯(lián)電路、電感器L和晶體管Ql構(gòu)成的串聯(lián)電路并聯(lián)設(shè)置有存儲電容器C2。與開關(guān)Q1并聯(lián)有諧振電容器C1。該主電流^連接到輸入電壓Vin上。在圖la中所示的第一階段a中,開關(guān)Ql閉合。電流從存儲電容器C2流經(jīng)所述至少一個(gè)發(fā)光二極管Dl和電感器L。在輸入電壓Vin大于所述至少一個(gè)發(fā)光二極管Dl的正向電壓^L后,在電感器L上的相應(yīng)電壓差下降。在電感器L上的電壓Ut與電流的升高相對應(yīng)。如在圖2中可看到的那樣,在根據(jù)第一實(shí)施例的設(shè)計(jì)中,通過晶體管的電流lQK:和在發(fā)光二極管上的電壓Um升高。在該階段的結(jié)尾,晶體管Q1被關(guān)斷,如從柵極電壓UQW上可看出的那樣。在圖lb中所示的階段b中,通過電感器L的電流和在存儲電容器C2上的電壓進(jìn)一步被驅(qū)動(dòng)并JL^諧振電容器Cl充電。在諧振電容器上的電壓Ud升高。發(fā)光二極管再次被進(jìn)一步驅(qū)動(dòng),而在發(fā)光二極管上的電壓Um下降。通過電感器L的電流現(xiàn)在下降,然而朝著正方向繼續(xù)流動(dòng)直至存儲在L中的所有能量被輸送給Cl和Dl。在某個(gè)時(shí)候,通過電感器L的電流變?yōu)榱?。而在此時(shí)刻(在正確設(shè)計(jì)的前提下)諧振電容器C1具有比充電到輸入電壓Vin的存儲電容器C2上的電壓更高的電壓,并且二極管D2開始導(dǎo)通。出現(xiàn)"回轉(zhuǎn)(Umschwingen)"并且工作過渡到圖lc中所示的階段c中諧振電容器C1現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)通過二極管D2、電感器L和存儲電容器C2的電流。由此在諧振電容器C1上的電壓下降。通過電感器L的電流現(xiàn)在朝著與前面相反的方向流動(dòng).通過電感器L的電流升高,直至諧振電容器C1和存儲電容器C2的電壓等大。從此刻起,通過電感器L的電流減小,因?yàn)楝F(xiàn)在電感器L使諧振電容器C1放電到輸入電壓之下。諧振電容器Cl的電壓進(jìn)一步下降,更確切地i兌直至其變?yōu)榱悴⑶译S后變負(fù)。然而,電容器電壓并未顯著地變負(fù),因?yàn)楝F(xiàn)在在圖ld所示的階段d中晶體管Ql的體二極管(Body-diode)開始導(dǎo)通。只要在電感器L中還存儲有能量,則該體二極管就導(dǎo)通并且能量從電容器L轉(zhuǎn)移到存儲電容器C2中。在此過程期間,可以又接通晶體管。柵極的激勵(lì)實(shí)現(xiàn)通過晶體管的通道Icnc部分或者(如圖2中所示)完全^體二恢管的電流lQm并且最后以階段a重新開始到目前為止所描述的過程。該工作方式保證了所謂的ZVS工作(零電壓切換),其中晶體管始終在基本為零的電壓的情況下接通或關(guān)斷。直接在接通晶體管Ql之前,該晶體管的體二極管(或與晶體管反并聯(lián)的二極管,其尤其是在^^雙極性晶體管的情況下必然是必需的)導(dǎo)通,使得在晶體管上近似沒有電壓。在關(guān)斷時(shí),在晶體管上同樣近似沒有電壓,因?yàn)橹C振電容器C1還在放電并且C1上或在晶體管Q1上的電壓才由于線團(tuán)電流而緩慢地升高。在(足夠快速的)切換過程期間,在開關(guān)晶體管上的電壓還良好近似地為零。由于不僅在晶體管Ql接通時(shí)而且在晶體管Ql關(guān)斷時(shí)在該晶體管上都沒有電壓,所以也沒有形成開關(guān)損耗。在Q1中的理論上的損耗功率計(jì)算為Pqu耗-Uq^1(^。因此對于ZVS,必然需要與晶體管Q1并聯(lián)的諧振電容器C1和與晶體管Ql串聯(lián)的電感線閨L。為了提高該電路的效率,二極管D2可以通過用于同步整流的裝置來補(bǔ)充。這樣,例如二極管D2可以由帶有相應(yīng)激勵(lì)電路的晶體管例如MOSFET來替代.可替選地,二極管D2可以由至少兩個(gè)發(fā)光二極管的串聯(lián)電路替代'與現(xiàn)有技術(shù)不同,對所述至少一個(gè)發(fā)光二極管D1中所轉(zhuǎn)換的功率或流經(jīng)負(fù)栽的平均電流的調(diào)節(jié)在發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器的情況下可以并不通過脈寬調(diào)制來進(jìn)行,因?yàn)榉駝t不能保證在ZVS工作下的切換,替代地,作為圖2和圖4中的時(shí)間區(qū)域b至d之和而得到的開關(guān)的關(guān)斷持續(xù)時(shí)間T。ff保持恒定,而對應(yīng)于時(shí)間區(qū)域a的接通持續(xù)時(shí)間變化.該調(diào)節(jié)具有作為調(diào)節(jié)量的轉(zhuǎn)換器頻率。過小的負(fù)栽電流、即在測量電阻Rshunt上過小的電壓降導(dǎo)致頻率的降低,反之過高的負(fù)栽電流引起頻率的升高。與其他軟切換的轉(zhuǎn)換器方案相比,在該方案中如下情況可稱為是特別有利的關(guān)斷持續(xù)時(shí)間1W相對地與負(fù)栽的大小無關(guān),因?yàn)閮H^Mt時(shí)間區(qū)域b中出現(xiàn)該負(fù)栽特性.這能夠?qū)崿F(xiàn)激勵(lì)電路的特別筒單的結(jié)構(gòu)。如果需要對發(fā)光二極管電流的精確調(diào)節(jié),則可以測量通過所述至少一個(gè)發(fā)光二極管D1的電流,并且通過調(diào)節(jié)使轉(zhuǎn)換器頻率相應(yīng)變化。電流測量信號例如可以通過與發(fā)光二極管串聯(lián)的分路來檢測(未示出)。該測量信號被低通濾波并且作為實(shí)際量輸送給調(diào)節(jié)裝置。如果要將恒定的功率提供給所述至少一個(gè)發(fā)光二fel管Dl,則還可以測量發(fā)光二極管的電壓。發(fā)光二極管電流和發(fā)光二統(tǒng)管電壓或?qū)?yīng)的未被低通濾波的測量信號的乘積提供了瞬時(shí)功率,該瞬時(shí)功率以低通濾波的方式被作為實(shí)際量輸送給調(diào)節(jié)裝置。特別要強(qiáng)調(diào)的是,該電路也會(huì)在沒有存儲電容器C2的情況下起作用。然而,對于ZVS—定需要的擺動(dòng)的能量通過測量電阻Rshunt從設(shè)備的來自電壓源V紐的饋電線中獲取并且又回饋到該電壓源。這會(huì)對電磁兼容性有不利影響,也不利地影響發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器的效率。通過才艮據(jù)圖l特別地將存儲電容器C2與由Dl、L和Ql構(gòu)成的串聯(lián)電路并聯(lián)設(shè)置,存儲電容器C2吸收紋波電流。此外,在電路的輸入端上使用EMV濾波器例如低通濾波器是可能的,該EMV濾波器為該電sm給恒定的電流.此外,存儲電容器C2的這種布置具有如下優(yōu)點(diǎn)紋波電流并不流過測量電阻Rshunt,并且因此可以省去測量電阻Rshunt的測量信號的低通濾波。測量信號可以直接用于調(diào)節(jié)負(fù)栽功率或者平均的發(fā)光二極管電流。此外,由于在測量電阻Rshunt中的脈沖電流而形成的損耗下降。將測量電阻Rshunt上的電壓用作測量量用于調(diào)節(jié)是特別有利的,因?yàn)?該信號(如上面已提及的那樣)不具有高頻紋波并且還與地關(guān)聯(lián)。由此電路開銷更低,因?yàn)椴恍枰?高側(cè)測量(High-SideMessung)"。負(fù)栽(即所述至少一個(gè)發(fā)光二極管)在該第一實(shí)施形式中以脈沖直流電流來驅(qū)動(dòng)。反并聯(lián)連接的二極管D2在此使得負(fù)載電流從不反轉(zhuǎn)。在一個(gè)優(yōu)選的、在附圖中未示出的實(shí)施形式中,為了降低良并聯(lián)連接的(開關(guān))二敗管D2上的電壓的最大電壓變化速度而與二極管D2并聯(lián)有電容器。該附加的電容器(以下也稱作放電電容器)導(dǎo)致在二極管D2上出現(xiàn)的最大dU/dt的降低,并且由此減少了在二極管D2中出現(xiàn)的開關(guān)損耗。這特別是在將由砝構(gòu)成的PiN二極管或PN二極管用作二極管D2的情況下是有利的。放電電容器還可以實(shí)現(xiàn)在所述至少一個(gè)發(fā)光二極管中可能出現(xiàn)的開關(guān)損耗的降低。該放電電容器應(yīng)具有足夠大的值,以便能夠?qū)崿F(xiàn)顯著地降低最大的電壓變化速度。另一方面,放電電容器不應(yīng)設(shè)計(jì)得過大,因?yàn)橐蝗粚﹂_關(guān)Q1的要求就顯著增加。后者尤其是涉及Q1的所需的開關(guān)阻塞電壓以及所需的開關(guān)電流,這會(huì)導(dǎo)致一般更為成本高昂的開關(guān)Ql。一個(gè)良好的折M選擇在電容器Cl的電容值的百分之一到五十倍之間的范圍中的放電電容器,而優(yōu)選在電容器C1的電容值的二十分之一到兩倍之間的范圍中進(jìn)行選擇。第二實(shí)施形式圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的第二實(shí)施形式。該電路裝置具有的優(yōu)點(diǎn)是,現(xiàn)在近似恒定的電流流經(jīng)所述至少一個(gè)發(fā)光二板管,如在圖4中所示的那樣。尤其是當(dāng)所述至少一個(gè)發(fā)光二極管要與其余的電路遠(yuǎn)離地驅(qū)動(dòng)時(shí),在第二實(shí)施形式中可以保證簡單地保持該電路的電磁電容性。近似恒定的發(fā)光二極管電流通過借助第二存儲電容器C3的附加的平滑而變得可能。當(dāng)然現(xiàn)在可以不再利用所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的整流特性,并且需要附加的二極管D3。根據(jù)圖3的電路是帶有ZVS的直流電壓轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器在原理上可以用于任意的直流電壓負(fù)載。尤其是當(dāng)附加的存儲電容器C3位于其余電路附近時(shí),能夠容易地保證簡單地保持電路的電磁兼容性。在下表中說明了針對第一和第二實(shí)施形式的器件設(shè)計(jì)。實(shí)施例#1和#2是第一實(shí)施形式針對不同輸出功率的不同設(shè)計(jì)。實(shí)施例#3和#4是針對笫二實(shí)施形式的設(shè)計(jì)。這些實(shí)施例是針對五個(gè)串聯(lián)的大功率發(fā)光二極<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>輸入電壓分別相等.根據(jù)不同的工作頻率、器件設(shè)計(jì)以及通過占空因數(shù)D得到不同的功率,在給定的器件設(shè)計(jì)的情況下,功率可以通過在某個(gè)范圍中改變頻率而被調(diào)節(jié),其中有利的是,占空因數(shù)D可被選擇為使得出現(xiàn)開關(guān)Ql的ZVS運(yùn)行.在另外四個(gè)實(shí)施例針a至弁4a中,并不是將Schottky二極管而是將硅-PiN二級管用于二極管D2。然而所有其余沒計(jì)與用于根據(jù)上表的實(shí)施例#1至#4的設(shè)計(jì)相一致。為了降低二改管D2的最大電壓變化速度,具有電容器C1的電容值的十分之一(因此具有100pF,30pF,100pF或lnF)的放電電容器分別與二極管D2并聯(lián)。在實(shí)施例弁3a和弁4a中,這同時(shí)導(dǎo)致同樣有利地降低了二極管D3的最大電壓變化速度。在其中要求恒定的輸出電壓的直流電壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的情況下,該調(diào)節(jié)使第二存儲電容器C3的電壓與預(yù)給定的額定值的偏差最小。然而也可以使其最小。然而也可以測量通過所述至少一個(gè)發(fā)光二極管D1的電流,并相應(yīng)地對其進(jìn)行調(diào)節(jié)。代替調(diào)節(jié)實(shí)際的發(fā)光二極管功率,在許多應(yīng)用中可以調(diào)節(jié)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器的輸入功率。于是,例如對輸入電壓Vin和輸入電流(例如通過測量電阻Rsbunt的電流)進(jìn)行測量并且由此確定輸入功率是足夠的,以便必要時(shí)在考慮到轉(zhuǎn)換器效率的情況下足夠精確地調(diào)節(jié)發(fā)光二極管功率。由于并不需要在發(fā)光二極管上進(jìn)行直接測量,所以這實(shí)現(xiàn)了成本特別低廉的驅(qū)動(dòng)器。此外,如果允許以近似恒定的輸入電壓Vin為出發(fā)點(diǎn),則也可以省去對輸入電壓的測量。如果與例如輸入電壓Uin和溫度相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器的效率已知,則其可以存儲在相應(yīng)的表中例如存儲在#1控制器中的片目應(yīng)表中。于是這些影響量可以被微控制器"計(jì)算出"。調(diào)節(jié)的額定值因此與影響量有關(guān)并且由此與電路裝置的當(dāng)前效率有關(guān)地被相應(yīng)適配。所描述的方式通常完全不需要額外的硬件開銷,因?yàn)檫@些影響量本來也被微控制器檢測由于欠壓保護(hù)和過壓保護(hù)本來也檢測輸入電壓uin。發(fā)光二極管的溫度情況也如此,因?yàn)橛捎谠谶^熱時(shí)"降級"、即降低發(fā)光二極管功率或發(fā)光二極管電流而本來也要對其進(jìn)行檢測。權(quán)利要求1.一種用于驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)半導(dǎo)體光源(D1)的電路裝置,具有用于輸入輸入電壓的輸入端,用于將輸出電壓輸出給所述半導(dǎo)體光源(D1)的輸出端,其中電路裝置的主電流路徑在兩個(gè)輸入端子之間并且包括第一二極管(D1)或半導(dǎo)體光源與所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源(D1)的反并聯(lián)電路、電感器(L)和開關(guān)(Q1)的串聯(lián)電路,其特征在于,與所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源(D1)并聯(lián)設(shè)置有第一存儲電容器(C3),并且與該并聯(lián)電路串聯(lián)設(shè)置有第二二極管(D3)。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電路裝置,其特征在于,與開關(guān)(Ql)并聯(lián)地設(shè)置有諧振電容器(CI),該諧振電容器的電容大于開關(guān)(Ql)的有效地起作用的寄生電容,3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路裝置,其特征在于,輸入電壓大于輸出電壓,并且該電路裝置以高頻來時(shí)鐘控制開關(guān)(Ql)以驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源(Dl)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路裝置,其特征在于,開關(guān)(Ql)的時(shí)鐘頻率大于80kHz,尤其是大于500kHz。5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電路裝置,其特征在于,在多個(gè)半導(dǎo)體光源(Dl)的情況下,這些半導(dǎo)體光源串聯(lián)連接。6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電路裝置,其特征在于,與主電流路徑并聯(lián)設(shè)置有第二存儲電容器(C2)。7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電路裝置,其特征在于,附加地與主電流路徑串^B殳置有電流測量電阻(Rshunt)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路裝置,其特征在于,電流測量電阻(Rshunt)的一極連接到地,并且電流測量電阻(Rshunt)的另一極連接到第一存儲電容器(C2)的一極和連接到開關(guān)(Ql)的一極。9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電路裝置,其特征在于,該電路裝置以零電壓切換模式驅(qū)動(dòng)開關(guān)(Ql)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路裝置,其特征在于,該電路裝置以恒定的關(guān)斷時(shí)間和可變的接通時(shí)間來驅(qū)動(dòng)開關(guān)(Ql)。11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電路裝置,其特征在于,設(shè)置有放電電容器。12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電路裝置,其特征在于,該電路裝置被構(gòu)建為通過頻率調(diào)節(jié)輸送給所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源(Dl)的功率。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電路裝置,其特征在于,輸送給所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源(Dl)的功率在較小的頻率下較高而在較大的頻率下較低。全文摘要本發(fā)明涉及一種用于驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的電路裝置,該電路裝置具有用于輸入輸入電壓的輸入端,用于將輸出電壓輸出給所述半導(dǎo)體光源的輸出端,其中電路裝置的主電流路徑在兩個(gè)輸入端子之間并且包括第一二極管或發(fā)光二極管與所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源的反并聯(lián)電路、電感器和開關(guān)的串聯(lián)電路,其中與所述至少一個(gè)半導(dǎo)體光源并聯(lián)設(shè)置有第一存儲電容器,并且與該并聯(lián)電路串聯(lián)設(shè)置有第二二極管。文檔編號H05B37/02GK101657056SQ20091017130公開日2010年2月24日申請日期2009年8月21日優(yōu)先權(quán)日2008年8月22日發(fā)明者伯恩哈德·西塞格申請人:奧斯蘭姆有限公司
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