專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣的發(fā)光器件。更加具體地，本發(fā)明涉及一種部件的結(jié)構(gòu)， 從該結(jié)構(gòu)可以出射熒光。
現(xiàn)有技術(shù) 使用場致出射熒光器件(一種發(fā)光器件)的發(fā)光器件作為一種寬視角和低能耗的 顯示設(shè)備引起了注意。 作為用于主要用來顯示的發(fā)光器件的驅(qū)動方法有有源矩陣驅(qū)動型和無源矩陣驅(qū) 動型。在有源矩陣驅(qū)動型驅(qū)動方法的發(fā)光器件中，能夠在每個發(fā)光器件中控制發(fā)射狀態(tài)、非 發(fā)射狀態(tài)或類似狀態(tài)。因此，能夠采用比無源矩陣發(fā)光器件更小的能耗驅(qū)動，并且它不僅適 合于作為微小電器的顯示部分安裝例如移動電話，而且還作為大尺寸的電視機(jī)的顯示部分
安裝等等。 此外，在有源矩陣發(fā)光器件中，每一發(fā)光器件都具有一個控制各發(fā)光器件的驅(qū)動 的電路。該電路和發(fā)光器件布置在襯底上，使得電路可防止熒光外射。發(fā)光絕緣層疊置在 與發(fā)光器件重疊的部件中，通過該絕緣層向外部出射熒光。為了形成一個晶體管，設(shè)置這些 絕緣層，該晶體管是電路的組件、電路器件例如電容器件或配線。 有時由于每一絕緣層的折射率的不同，熒光彼此干涉多次。結(jié)果，導(dǎo)致這樣一個問 題，即發(fā)射光譜隨著相對于可出射熒光的側(cè)面的視角而改變，并且在發(fā)光器件中顯示的圖 像的能見度會退化。 此外，在無源矩陣顯示設(shè)備中也會由于每一層的折射率的不同產(chǎn)生圖像能見度的 退化。例如，文獻(xiàn)l :日本專利公開No.Hei7-211458提出了一個問題，即由于構(gòu)成發(fā)光器件 的每一層的折射率不同，因此在界面處會反射外部光和熒光，從而能見度退化。專利文獻(xiàn)1 還提出了一種具有能夠解決上述問題的器件結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種發(fā)光器件，其中減小了隨著相對于可出射熒光的側(cè) 面的視角在發(fā)射光譜中的變化。 根據(jù)本發(fā)明的一一個方面，發(fā)光器件具有一個晶體管，一個覆蓋該晶體管的絕緣 層和在絕緣層的開口中設(shè)置的一個發(fā)光器件。 這里，晶體管和發(fā)光器件通過連接部分電連接。此外，該連接部分通過貫穿絕緣層 的接觸孔與晶體管連接。 注意絕緣層可以是單層或其中疊置了包括不同物質(zhì)的多個層的多層。 根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件具有一個晶體管，一個發(fā)光器件，一個該覆蓋晶體管的絕緣層和一個覆蓋該絕緣層的堤層。此外，在堤層中設(shè)置第一開口，在第一開口的內(nèi)部設(shè)置第 二開口 ，在第二開口中設(shè)置發(fā)光器件。 這里，晶體管和發(fā)光器件通過連接部分電連接。此外，該連接部分通過貫穿絕緣層 的接觸孔與晶體管連接。 注意絕緣層可以是單層或其中疊置了包括不同物質(zhì)的多個層的多層。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件具有一個晶體管和一個覆蓋該晶體管的絕緣層。該絕緣層 具有第一開口 ，設(shè)置第一 電極從而覆蓋該第一開口 。進(jìn)一步地，設(shè)置一個覆蓋該絕緣層的堤 層。該堤層具有第二開口。在第二開口中，暴露一部分第一電極。在所述的第一電極的暴 露部分上設(shè)置一個發(fā)光層，并且在發(fā)光器件上設(shè)置一個第二電極。 這里，晶體管和發(fā)光器件通過連接部分電連接。此外，該連接部分通過貫穿絕緣層
的接觸孔與晶體管連接。此外，第一電極由具有透光特性的導(dǎo)電物質(zhì)組成。 注意絕緣層可以是單層或其中疊置了包括不同物質(zhì)的多個層的多層。 根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件具有一個發(fā)光器件和一個晶體管。該發(fā)光器件在第一絕緣
層上形成，使得發(fā)光層夾在第一電極和第二電極之間。此外，晶體管在第一絕緣層上提供的
第二絕緣層的上方形成，使得第三絕緣層夾在半導(dǎo)體層和第三電極之間。此外，該晶體管覆
蓋有第四絕緣層。第三絕緣層具有一個開口，在該開口中設(shè)置發(fā)光器件。進(jìn)一步地，在同一
層中設(shè)置第一電極和半導(dǎo)體層。 這里，半導(dǎo)體層和第一電極通過連接部分電連接。該連接部分通過貫穿絕緣層的
接觸孔與晶體管連接。此外，第一電極由具有透光特性的導(dǎo)電物質(zhì)組成。 注意第三絕緣層可以是單層或其中疊置了包括不同物質(zhì)的多個層的多層。 根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得一種發(fā)光器件，其中減小了隨著相對于可出射熒光的側(cè)面
的視角在發(fā)射光譜中的變化。 此外，通過減小隨著相對于可出射熒光的側(cè)面的視角在發(fā)射光譜中的變化，能夠 獲得一種可以提供具有高能見度的圖像的顯示設(shè)備或類似設(shè)備。 通過結(jié)合附圖閱讀下面詳細(xì)的說明，本發(fā)明的這些和其它目的、特征以及優(yōu)點將
變得更加明顯。 附圖簡述

圖1是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的視圖
圖2是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的視圖
圖3是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的視圖
圖4是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的視圖
圖5是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的視圖
圖6A至6E是顯示了用于制造根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的方法的視圖；
圖7A至7B是顯示了用于制造根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的方法的視圖；
圖8A和8B是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面在一個實驗中使用的檢驗有效性的示 例的結(jié)構(gòu)的視圖； 圖9A和9B是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面在一個實驗中使用的檢驗有效性的示 例的發(fā)射光譜的圖表； 圖IOA和IOB是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面在一個實驗中使用的檢驗有效性的示例的發(fā)射光譜的圖表； 圖IIA和IIB是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面在一個實驗中使用的檢驗有效性的 示例的發(fā)射光譜的圖表； 圖12A和12B是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的視圖；
圖13是顯示了用于驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的電路圖；
圖14是顯示了用于驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件的電路圖；
圖15是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面的發(fā)光器件在密封之后的視圖；
圖16是顯示了根據(jù)本發(fā)明的某一方面的整個發(fā)光器件的示意圖；
圖17A和17B是顯示了應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備的視圖。
具體實施例方式
下面參考附圖描述本發(fā)明的一個實施例。然而，應(yīng)該理解對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來 說各種變化和修改將是明顯的。因此，不能將本發(fā)明解釋為限制到該實施方案中的描述。
[實施方案1] 參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件。 在襯底上設(shè)置具有兩層絕緣層12a和12b的絕緣層12。在絕緣層12b上，設(shè)置包 括半導(dǎo)體層14a、柵絕緣層15和柵電極16的交錯晶體管17。此外，晶體管17覆蓋有一層 絕緣層18。 這里，使用具有透光特性的物質(zhì)如玻璃或石英用于襯底11。此外，能夠使用任何物 質(zhì)用于襯底ll，只要它具有透光特性，并用作支撐晶體管17和發(fā)光器件24的支撐介質(zhì)。
在該實施方案中，為了防止從襯底11傳播的雜質(zhì)混入到晶體管17中，提供絕緣層 12a和12b。絕緣層12a和12b分別包括不同的物質(zhì)。注意優(yōu)選地絕緣層12a和12b包括 由二氧化硅、氮化硅、含氧的氮化硅或類似化合物組成的層?；蛘?，這些絕緣層可以是包括 其它材料。盡管在該實施方案中絕緣層12是多層，但是它也可以是單層。另外，當(dāng)充分抑 制了來自襯底11的雜質(zhì)混合物時，不必特別地設(shè)置絕緣層12。 在絕緣層12上形成發(fā)光器件24，使得發(fā)光層22夾在第一電極20和第二電極23 之間。第一電極20與絕緣層12a接觸。另外，更加優(yōu)選的是絕緣層12a是一個具有防止雜 質(zhì)如上所述地傳播的功能的薄膜，并包括其折射率等于或小于第一電極20的物質(zhì)。
注意第一電極20和第二電極23中的一個用作正極，另一個用作負(fù)極。另外，優(yōu)選 的是第一電極20包括具有透光特性的導(dǎo)電物質(zhì)，如氧化銦錫(ITO)。注意可以使用包含二 氧化硅，IZO(氧化銦鋅)的ITO等類似化合物以及ITO，其中將2%至20%的氧化鋅混入到 氧化銦錫中。 發(fā)光層22具有發(fā)光物質(zhì)，并且其由單層或多層組成。此外，發(fā)光層22可以是一種 無機(jī)材料或一種有機(jī)材料；或者，它可以包括上面兩種材料。 晶體管17和發(fā)光器件24通過包括導(dǎo)線的連接部分19a電連接。注意在絕緣層18 上設(shè)置該連接部分19a，并通過貫穿絕緣層18的接觸孔進(jìn)一步到達(dá)半導(dǎo)體層14a。此外，一 部分或者整個連接部分19a與第一電極20接觸。 在絕緣層18中設(shè)置第一開口，使得暴露一部分絕緣層12a。然后，設(shè)置第一電極 20，從而覆蓋第一開口 。注意并不總是需要使用第一 電極20覆蓋整個開口 ，只要使第一 電極20覆蓋從開口暴露的絕緣層12a。進(jìn)一步地，設(shè)置具有第二開口的堤層21，從而暴露一 部分第一電極20。此外，另一部分(連接部分19a、配線19b、絕緣層18等類似部分)由堤 層21覆蓋。 在第二開口中，在第一 電極20上設(shè)置發(fā)光層22，進(jìn)一步地，在發(fā)光層22上設(shè)置第 二電極23。以這種方式疊置的第一電極20、發(fā)光層22和第二電極23構(gòu)成發(fā)光器件24。
此外，在圖1示出的發(fā)光器件中，在絕緣層18的側(cè)壁上疊置連接部分19a和第一 電極20。通過采用這種結(jié)構(gòu)，甚至當(dāng)?shù)谝浑姌O20或連接部分19a不能充分地覆蓋絕緣層 18的側(cè)壁時，仍然能夠保持第一電極20和連接部件19a之間的連接。此外，像圖1示出的 發(fā)光器件一樣，可以設(shè)置形成在同一層中作為連接部分19a的薄膜19d，從而覆蓋整個絕緣 層18的側(cè)壁。注意可以彼此整體地形成連接部分19a和薄膜19d或者反之。
注意絕緣層18可以具有包括多個層的多層結(jié)構(gòu)，或單層結(jié)構(gòu)。此外，絕緣層18可 以包括無機(jī)材料如二氧化硅、硅氧烷或氮化硅，或者有機(jī)材料如丙稀或聚酰亞胺。絕緣層18 可以既包括無機(jī)材料又可以包括有機(jī)材料。在任何一種情況中，只要材料是絕緣體就都是 可接受的。 在根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件中，在絕緣體例如絕緣層12a或12b上設(shè)置晶體管17和 發(fā)光器件24。此外，特別地在圖1中，在絕緣層12b上設(shè)置半導(dǎo)體層14a和14b，在絕緣層 12a上設(shè)置第一電極20。因此，可以在不同的層或同一層上設(shè)置半導(dǎo)體層14a和14b以及 第一電極20。例如，可以在絕緣層12a上設(shè)置半導(dǎo)體層14a和14b，或者在絕緣層12b上設(shè) 置第一電極20(圖3)。這里，如圖3所示當(dāng)絕緣層12a和12b在襯底11和第一電極20之 間形成時，優(yōu)選地將襯底ll和絕緣層12a和12b選擇成具有幾乎相同的折射率?；蛘撸瑑?yōu) 選的是，疊置絕緣層12a和12b，使得每一層的折射率減小，從而使襯底11的折射率最小。 在任何一種情況中，只要它是這樣一種結(jié)構(gòu)其中在絕緣體上設(shè)置了晶體管17和發(fā)光器件 24，并且能夠防止雜質(zhì)從襯底11向晶體管傳播，就都是可接受的。 此外，并不總是需要設(shè)置薄膜19d。例如，其中沒有設(shè)置像圖4示出的發(fā)光器件一
樣的薄膜19d的發(fā)光器件也是可接受的。在圖1示出的發(fā)光器件中，設(shè)置半導(dǎo)體層14b，從
而在與半導(dǎo)體層14a相同的層中包圍第一電極20。然而，像圖5示出的發(fā)光器件一樣，例
如，具有半導(dǎo)體層14b不包圍第一電極20的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件也是可接受的。 注意，晶體管17的結(jié)構(gòu)不是特別限定的。晶體管17可以是單柵極型或多柵極型。
此外，晶體管17可以具有單漏結(jié)構(gòu)、LDD(稍微摻雜質(zhì)的漏)結(jié)構(gòu)或者其中LDD區(qū)域和柵電
極彼此重疊的結(jié)構(gòu)。 此外，圖2是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的頂視圖。注意在圖2中，沿虛線A-A'的部 分橫截面在圖1的橫截面視圖中示出了。因此，對于對應(yīng)于在圖1中示出的那些部分，與圖 l使用相同的附圖標(biāo)記。即，標(biāo)記14表示半導(dǎo)體層；16表示柵電極；19b表示配線；以及19a 表示連接部分。另外，標(biāo)記20表示第一電極，21表示堤層。進(jìn)一步地，盡管在圖l沒有示 出，標(biāo)記19c、29a和29b表示配線；27和28表示晶體管。 在上述的發(fā)光器件中，發(fā)光器件24發(fā)出的熒光通過第一電極20、絕緣層12和襯底 11向外射出。 在根據(jù)上述本發(fā)明的發(fā)光器件中，當(dāng)發(fā)光器件發(fā)出的熒光向外部射出時，可減小 熒光穿過的層的數(shù)量。因此，在層與層之間的界面中，減少了來自發(fā)光器件的熒光反射的次
8數(shù)和反射量。結(jié)果，反射引起的多重干涉得到了控制。 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件具有這種能夠控制多重干涉的結(jié)構(gòu)，發(fā)光器件具有更高的能見度，并且減小了隨著相對于可出射熒光的側(cè)面的視角在發(fā)射光譜中的變化。[實施方案2] 參考圖6和7描述了一種用于制造根據(jù)圖1和2示出的本發(fā)明的發(fā)光器件的方法。
在襯底11上順序疊置絕緣層12a和12b之后，在絕緣層12b上進(jìn)一步疊置一個半導(dǎo)體層。 接著，以預(yù)定的形狀處理半導(dǎo)體層，以便形成半導(dǎo)體層14a和14b。為實施該處理，通過使用抗蝕劑掩模蝕刻該半導(dǎo)體層14。 接著，形成覆蓋半導(dǎo)體層14a和14b以及絕緣層12b等類似部分的柵絕緣層15，然后在該柵絕緣層15上進(jìn)一步疊置一個導(dǎo)電層。 接著，以預(yù)定的形狀處理該導(dǎo)電層，并形成柵電極16。這里，配線29a和29b (圖2)和柵電極16也一起形成。注意可以通過使用抗蝕劑掩模蝕刻導(dǎo)電層進(jìn)行處理。
接著，通過使用柵電極16作為掩模，將高濃度的雜質(zhì)引入到半導(dǎo)體層14a中。由此，形成包括半導(dǎo)體層14a、柵絕緣層15和柵電極16的晶體管17。 此外，可以適當(dāng)?shù)母淖兙w管17的制造步驟，使得能夠制造預(yù)定結(jié)構(gòu)的晶體管而不必受到特殊限制。 接著，形成覆蓋柵電極16、配線29a和29b、柵絕緣層15等類似部分的絕緣層18。在該實施方案中，通過使用具有自平面化的無機(jī)材料如硅氧烷形成絕緣層18。注意絕緣層18還可以不必限制于上述材料，而通過使用具有自平面化的有機(jī)材料形成。此外，絕緣層18不必包括具有自平面化的物質(zhì)，它可以僅僅包括不具有自平面化的物質(zhì)。進(jìn)一步地，絕緣層18可以是多層結(jié)構(gòu)的層，其中將包括疊置的具有自平面化的物質(zhì)的層和包括不具有自平面化的物質(zhì)的層。 接著，形成貫穿絕緣層18到達(dá)半導(dǎo)體層14a的接觸孔和到達(dá)半導(dǎo)體層14b的第一開口 (圖6B)。 接著，在形成覆蓋絕緣層18等類似部分的導(dǎo)電層19之后(圖6C)，以預(yù)定的形狀處理導(dǎo)電層19，以便形成連接部分19a、配線19b和19c、薄膜19的等類似部分(圖6D)。這時，在第一開口中，通過蝕刻，部分地去除半導(dǎo)體層14b和絕緣層12b，使得絕緣層12a暴露。在該實施方案中，半導(dǎo)體層14b用作調(diào)節(jié)蝕刻率。因此，可以不必特別地設(shè)置像圖5中示出的發(fā)光器件一樣的半導(dǎo)體層14b，只要能夠在沒有半導(dǎo)體層14的條件下調(diào)節(jié)蝕刻率。
接著，在形成覆蓋導(dǎo)電層從而覆蓋連接部分19a等類似部分之后，處理該導(dǎo)電層以便形成第一電極20 (圖6E)。這時，第一電極20被處理成與連接部分19a部分接觸，并覆蓋在絕緣層18中設(shè)置的開口的形狀。 接著，形成具有一個開口從而暴露一部分第一電極20的堤層21，它覆蓋了連接部分19a、絕緣層18等類似部分(圖7A)。這里，可以通過利用曝光和顯影以預(yù)定的形狀處理光敏樹脂材料形成堤層21 ?；蛘?，在形成包括無機(jī)材料或有機(jī)材料的非感光層之后，通過利用蝕刻以預(yù)定的形狀處理該層形成堤層。 接著，形成覆蓋從堤層21暴露的第一電極20的發(fā)光層22。可以使用汽相淀積、噴墨、旋轉(zhuǎn)涂敷或類似方法中的任何一種來形成發(fā)光層22。此外，當(dāng)在絕緣層12a上有凹入或 凸出時，通過在部分發(fā)光層22中設(shè)置包含高分子量材料如PEDOT的層，能夠減少凹入或凸出。 然后，形成覆蓋發(fā)光層22的第二電極23 (圖7B)。由此，能夠制造包括第一 電極 20、發(fā)光層22和第二電極23的發(fā)光器件24。 如上所述，能夠制造如圖1所示的根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件。
實施方案
[實施方案1] 該實施方案描述了檢驗的實驗結(jié)果，其中研究了根據(jù)本發(fā)明的有利效果。 圖8A示出了 一種應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。圖8B示出了作為比較示例的
發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。 該實施方案的目的是比較用于出射熒光的部分的具體結(jié)構(gòu)。因此，可以評價發(fā)光 器件的簡化的制造步驟，其中沒有設(shè)置用于發(fā)光器件的晶體管。 在圖8A中，如此設(shè)置絕緣層102a和102b使得它們順序在玻璃襯底101上疊置。 注意絕緣層102a包括含有氧的氮化硅，絕緣層102b包括二氧化硅。 在絕緣層102b上設(shè)置包括硅的半導(dǎo)體層103。此外，設(shè)置包括二氧化硅的絕緣層 104，以便覆蓋半導(dǎo)體層103。 進(jìn)一步地，在絕緣層104上設(shè)置順序疊置的絕緣層105a、105b和105c。而且，絕緣 層104與絕緣層105a接觸。這里，絕緣層105a包括含有氧的氮化硅；絕緣層105包括硅氧 烷；以及絕緣層105c包括氮化硅。 此外，在絕緣層105a至105c上設(shè)置配線106。該配線106通過貫穿絕緣層105a 至105c到達(dá)半導(dǎo)體層103的接觸孔與半導(dǎo)體層103連接。進(jìn)一步地，配線106與第一電極 108接觸，該第一電極108是發(fā)光器件111的一個組件。 此外，在絕緣層105a至105c中設(shè)置一個第一開口 ，使得絕緣層102a暴露。然后，
設(shè)置第一電極108以便覆蓋該第一開口。換句話說，絕緣層102a與第一電極108接觸。進(jìn)
一步地，設(shè)置具有第二開口的堤層107，以便覆蓋配線106和暴露一部分第一 電極108。注
意第一電極108包括含有二氧化硅的ITO，堤層107包括感光的聚酰亞胺。 在第二開口中，在第一電極108上設(shè)置發(fā)光層109，進(jìn)一步地在發(fā)光層109上設(shè)置
第二電極110。因此如上所述，其中疊置了第一電極108、發(fā)光層109和第二電極110的部
件用作發(fā)光器件lll。 在圖8A示出的發(fā)光器件中，通過第一電極108、絕緣層102a和襯底101向發(fā)光器 件的外部射出熒光。 此外，半導(dǎo)體層103對應(yīng)于包括在晶體管中的半導(dǎo)體層，絕緣層104對應(yīng)于包括在 晶體管中的柵絕緣薄膜。因此，其中設(shè)置了發(fā)光器件111的部件具有與根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光 器件相似的疊層結(jié)構(gòu)。 在圖8B中，在絕緣層205中不設(shè)置圖8A中示出的這種開口 ，在絕緣層205上設(shè)置 發(fā)光器件211。其它配置與圖8A示出的相似。注意附圖標(biāo)記201表示襯底；202a和202b 表示絕緣層；203表示半導(dǎo)體層；204、205a、205b和205c表示絕緣層；206表示配線；207表 示堤層；208表示第一電極；209表示發(fā)光層；以及210表示第二電極。此外，上面的每一個
10器件都包括與圖8A示出的發(fā)光器件相同的物質(zhì)。 對于具有圖8A中示出的這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，分別制造顯示發(fā)射紅光、發(fā)射綠光 和發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光器件。此外，對于具有圖8B中示出的這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，也是分別制 造顯示發(fā)射紅光、發(fā)射綠光和發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光器件。 圖9A、 IOA、 11A是顯示了當(dāng)使用發(fā)射光譜分析設(shè)備測量來自發(fā)光器件的熒光的發(fā) 射光譜獲得的測量結(jié)果的圖表，該發(fā)光器件具有圖8A中示出的結(jié)構(gòu)。此外，圖9B、10B、11B 是顯示了當(dāng)使用發(fā)射光譜分析設(shè)備測量來自發(fā)光器件的熒光的發(fā)射光譜獲得的測量結(jié)果 的圖表，該發(fā)光器件具有圖8B中示出的結(jié)構(gòu)。在圖9A、9B、 IOA、 IOB、 11A、 11B中，水平軸線代 表光譜(nm)，垂直軸線代表發(fā)射強度。此外，分別顯示了三種情況，一種是從O度傾斜到襯 底(可出射熒光的側(cè)面)的法線方向測量發(fā)射光譜的情況，一種是從20度傾斜到襯底(可 出射熒光的側(cè)面)的法線方向測量發(fā)射光譜的情況，一種是從40度傾斜到襯底(可出射熒 光的側(cè)面)的法線方向測量發(fā)射光譜的情況。 圖9A和9B是這樣的圖表，其顯示了來自在發(fā)光層中包含4_(氰基亞甲基)_2、 6_雙[p-(二甲氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃，并顯示發(fā)射紅光的發(fā)光器件的熒光的測量結(jié) 果。圖IOA和IOB是這樣的圖表，其顯示了來自在發(fā)光層中包含N， N' -二甲基喹吖叮酮， 并顯示發(fā)射綠光的發(fā)光器件的熒光的測量結(jié)果。圖IIA和IIB是這樣的圖表，其顯示了來 自包含在發(fā)光層中的2-叔-丁基-9、10-二 (2-萘基)蒽，并顯示發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光器件的 熒光的測量結(jié)果。 參考圖9A，應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件在任何測量角度都可獲得具有相似形狀的發(fā) 射紅光的發(fā)射光譜。另一方面，參考圖9B，比較示例的發(fā)光器件隨著角度具有不同的發(fā)射光 譜，在該角度可測量熒光。 參考圖IOA，應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件在任何測量角度都可獲得具有相似形狀的 發(fā)射綠關(guān)的發(fā)射光譜。另一方面，參考圖IOB，比較示例的發(fā)光器件隨著測量熒光的角度不 同而具有不同的發(fā)射光譜。 參考圖IIA，應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件在任何測量角度都可獲得具有相似形狀的 發(fā)射藍(lán)光的發(fā)射光譜。另一方面，參考圖IIB，比較示例的發(fā)光器件隨著可測量熒光的角度 不同而具有不同的發(fā)射光譜。 如上所述，通過應(yīng)用本發(fā)明，能夠獲得一種發(fā)光器件，其中減小了隨著相對于可出 射熒光的側(cè)面的視角在發(fā)射紅光、發(fā)射綠光和發(fā)射藍(lán)光中的任一發(fā)射光譜中的變化。
[實施方案2] 該實施方案描述了一種應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件。注意根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的 結(jié)構(gòu)以及配置發(fā)光器件等等的物質(zhì)不限于在該實施方案中描述的發(fā)光器件。
該實施方案的發(fā)光器件是根據(jù)圖1示出的本發(fā)明的發(fā)光器件。
在該實施方案中，構(gòu)成發(fā)光器件24的組件的發(fā)光層22由多個層組成。通過疊置 包括具有高載體傳輸特性的物質(zhì)或具有高載體注射特性的物質(zhì)的層形成該多個層。另外， 部分層包括具有高熒光特性的物質(zhì)。注意可以使用4-(氰基亞甲基)-2_甲基-6-(1，1，7， 7-四甲基julolidyl-9-enyl)普吡喃(簡寫:DCJT) ， 4_ (氰基亞甲基)_2十丁基-6- (1 ， 1，7，7-四甲基julolidyl-9-enyl)-4H-吡喃(簡寫:DPA) ， perif lanthen， 2， 5-氰基1， 4-雙(10-甲氧基1，1，7，7-四甲基julolidyl-9-enyl)苯，N， N' -二甲基喹吖叮酮(簡寫DMQd)，氧雜萘鄰?fù)?，氧雜萘鄰?fù)?45T，三(8_喹啉醇化物)鋁(簡寫:Alq3) ， 9， 9，-雙蒽基，9，10-二苯蒽(簡寫DPA)和9，10-雙(2-萘基)蒽(簡寫DNA)等類似化合物用于
發(fā)光物質(zhì)。此外，也可以使用其它物質(zhì)用于發(fā)光物質(zhì)。在具有高電子傳輸特性的物質(zhì)中，例如，列舉具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬絡(luò)合物作為具有特別的高載體傳輸特性的物
質(zhì)三(8-喹啉醇化物)鋁(簡寫Alq3)，三(5_甲基8_喹啉醇化物)鋁(簡寫Almq3)，雙(10-羥基苯[h]-喹啉醇化物)鈹(簡寫B(tài)eBq2)，雙(2-甲基_8_喹啉醇化物)_4_磷酸苯酯-鋁(簡寫B(tài)alq)等類似化合物。此外，作為一個實例，列舉芳族胺系的化合物(即具有苯環(huán)中的氮的鍵)作為具有高的空穴傳輸特性的物質(zhì)4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(簡寫a-NPD)，4，4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(簡寫:TPD)，4，4，，4"-三[N， N-聯(lián)苯-氨基]-三苯胺(簡寫:MTDATA)等類似化合物。在具有高載體注射特性的物質(zhì)中，例如，列舉堿金屬或堿土金屬的化合物作為具有特別的高電子注射特性的物質(zhì)氟化鋰(LiF)、氟化銫(SeF)、氟化f丐(CaF2)的化合物等類似化合物。此外，列舉具有高載體傳輸特性的物質(zhì)的混合物例如Alq3和諸如鎂(Mg)的堿土金屬作為具有特別的高電子傳輸特性的物質(zhì)。例如，作為具有高空穴注射特性的物質(zhì)，列舉金屬氧化物例如氧化鉬(MoOx)，氧化釩(VOx)，氧化釕(RuOx)，氧化鎢(WOx)，氧化錳(MnOx)。此外，列舉酞花青染料系的化合物例如酞花青染料(簡寫為H2Pc)或銅酞菁作為具有特別的高空穴注射特性的物質(zhì)。 晶體管17是交錯的類型，但是也可以是反向交錯的類型。當(dāng)晶體管17是反向交錯的類型時，它可以是所謂的通道保護(hù)型，其中在半導(dǎo)體層上形成保護(hù)層，或者所謂的通道蝕刻型，其中部分地蝕刻半導(dǎo)體層。 半導(dǎo)體層14a和14b可以是結(jié)晶層或非結(jié)晶層。此外，半導(dǎo)體層14a和14b也可以是半非晶形的層等類似層。 下面描述該半非晶形的半導(dǎo)體。該半非晶形的半導(dǎo)體具有在非結(jié)晶結(jié)構(gòu)和結(jié)晶結(jié)構(gòu)的中間結(jié)構(gòu)(包括單晶和多晶結(jié)構(gòu))，并具有從自由能考慮較穩(wěn)定的第三狀態(tài)，包括具有短距離數(shù)量級的粒徑和晶格畸變的結(jié)晶區(qū)。此外，薄膜的至少一些區(qū)域包括從0.5nm至20nm的晶粒。Raman光譜移動到小于520—1的波數(shù)側(cè)。在X射線衍射中可以觀察到從Si晶格衍生的(111)和(222)的衍射峰值。至少包括1%或更多原子的氫或鹵素作為用于未結(jié)合鍵(不飽和鍵)的中和劑。該半非晶形半導(dǎo)體還表示所謂的微晶半導(dǎo)體。它是通過使硅化物氣體產(chǎn)生放電分解(等離子體CVD)形成的。對于硅化物氣體，可以使用SiHs，以及Si2H6、 SiH2Cl2、 SiHCl3、 SiCl4、 SiF4等類似物?？梢允褂肏2或H2和一種或多種稀有氣體元素氦、氬、氪和氖稀釋該硅化物氣體。稀釋率的范圍是2倍至1000倍。壓力范圍是0. lPa至133Pa，工業(yè)頻率是從1MHz至120MHz，優(yōu)選地從13MHz至60MHz。襯底的加熱溫度可以是30(TC或更低，優(yōu)選地從IO(TC至250°C。對于薄膜中的雜質(zhì)元素，優(yōu)選的是大氣組分如氧氣、氮氣、碳雜質(zhì)優(yōu)選設(shè)定為IX 1(^atoms/cn^或更少，氧氣濃度設(shè)定為5X 1019atomS/Cm3或更少，優(yōu)選地是IX 1019atOmS/Cm3或更少。注意具有半非晶形的半導(dǎo)體層的TFT(薄膜晶體管)的遷移率是大約lm7Vsec至10m7Vsec。 作為結(jié)晶半導(dǎo)體層的一個具體實例，列舉了一種包括單晶硅、多晶硅、鍺化硅或類似化合物的層。該層可以通過激光結(jié)晶化形成，或者也可以通過使用固相生長方法形成，其中作為實例使用了鎳或類似物。
當(dāng)半導(dǎo)體層包括非晶形物質(zhì)例如非晶硅時，優(yōu)選的是所有的晶體管11和其它晶 體管(配置用于驅(qū)動發(fā)光器件的電路的晶體管)都是具有由n-通道晶體管配置的電路的 發(fā)光器件。對于其它情況，晶體管11和其它晶體管可以是具有或者由n-通道型晶體管或 者由P-通道型晶體管配置的電路的發(fā)光器件，或者可以是具有由兩種晶體管配置的電路 的發(fā)光器件。 優(yōu)選的是堤層21具有其中彎曲半徑在如圖1所示的邊緣中連續(xù)變化的形狀。另 外，堤層21可通過使用丙稀、硅氧烷(一種物質(zhì)，其中由硅(SI)和氧(0)的結(jié)合形成一個 骨架結(jié)構(gòu))形成，并且其至少包括作為取代基的氫、抗蝕劑、二氧化硅或類似物。注意堤層 21可以由無機(jī)薄膜或者有機(jī)薄膜組成，或者可以使用這兩者形成。 在發(fā)光器件24中，當(dāng)?shù)谝浑姌O20和第二電極23包括具有透光特性的物質(zhì)例如氧 化銦錫(IT0)時，能夠從第一電極20側(cè)和第二電極23側(cè)出射熒光，如圖12A中輪廓箭頭所 表示的?；蛘?，當(dāng)只有第一電極20包括具有透光特性的物質(zhì)時，僅從第一電極20側(cè)出射熒 光，如圖12B中輪廓箭頭所表示的。在這種情況下，優(yōu)選的是第二電極23包括高反射性材 料，或者在第二電極23上提供包括高反射性材料(反射涂層)的薄膜。
此外，發(fā)光器件24可以具有一種配置，其中第一電極20用作正極，第二電極23用 作負(fù)極，或者具有一種配置，其中第一電極20用作負(fù)極，第二電極23用作正極。注意晶體 管17在前一種情況中是p-通道型晶體管，晶體管17在后一種情況中是n-通道型晶體管。
在根據(jù)如上所述的本發(fā)明的發(fā)光器件中，減小了隨著相對于可出射熒光的側(cè)面的 視角在發(fā)射光譜中的變化。
[實施方案3] 該實施方案描述了一種在象素中提供的電路，以便驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件中 的發(fā)光器件。注意用于驅(qū)動發(fā)光器件的電路不限于在該實施方案中描述的電路。
如圖13所示，用于驅(qū)動每一發(fā)光器件的電路與發(fā)光器件301連接。該電路具有一 個根據(jù)視頻信號確定發(fā)光器件301的發(fā)射狀態(tài)/非發(fā)射狀態(tài)的驅(qū)動晶體管321，一個控制視 頻信號輸入的開關(guān)晶體管322和一個不管視頻信號設(shè)定發(fā)光器件301為非發(fā)射狀態(tài)的清除 晶體管323。這里，開關(guān)晶體管322的源(或漏極)與源信號線331連接，驅(qū)動晶體管321 和清除晶體管323的源與平行于源信號線331延伸的供電線332連接，開關(guān)晶體管322的 柵極與第一掃描線333連接，清除晶體管323的柵極與平行于第一掃描線333延伸的第二 掃描線334連接。此外，驅(qū)動晶體管321與發(fā)光器件301連續(xù)連接。 描述了一種當(dāng)發(fā)光器件301發(fā)出光時的驅(qū)動方法。當(dāng)在寫入周期中選擇掃描線 333時，打開具有與第一掃描線333連接的柵極的開關(guān)晶體管322。然后，將輸入到源信號 線331的視頻信號通過開關(guān)晶體管322輸入到驅(qū)動晶體管321的柵極。因此，電流從供電 線332向發(fā)光器件302流動，并發(fā)出綠光。這時，熒光的亮度取決于流向發(fā)光器件302的電流量。 注意發(fā)光器件301對應(yīng)于圖1中的發(fā)光器件24 ;驅(qū)動晶體管321對應(yīng)于圖1中的 晶體管17。此外，清除晶體管323對應(yīng)于圖2中的晶體管27 ;開關(guān)晶體管323對應(yīng)于圖2 中的晶體管28。進(jìn)一步地，源信號線331對應(yīng)于圖2中的配線19c ;供電線322對應(yīng)于圖2 中的配線19b ;第一掃描線333對應(yīng)于圖2中的配線29a ;以及第二掃描線334對應(yīng)于圖2 中的配線29b。
13
與每一發(fā)光器件連接的電路的配置可以與如圖14所示的上面的配置不同，而不
限于上面描述的配置。 下面，描述圖14示出的電路。 如圖14所示，用于驅(qū)動每一發(fā)光器件的電路與發(fā)光器件801連接。該電路具有一個根據(jù)視頻信號確定發(fā)光器件801的發(fā)射狀態(tài)/非發(fā)射狀態(tài)的驅(qū)動晶體管821，一個控制視頻信號輸入的開關(guān)晶體管822和一個不管視頻信號設(shè)定發(fā)光器件801為非發(fā)射狀態(tài)的清除晶體管823，以及電流控制的晶體管824，用于控制供給發(fā)光器件801的電流量。這里，開關(guān)晶體管822的源(或漏極)與源信號線831連接，驅(qū)動晶體管821和清除晶體管823的源與平行于源信號線831延伸的供電線832連接，開關(guān)晶體管822的柵極與第一掃描線833連接，清除晶體管823的柵極與平行于第一掃描線833延伸的第二掃描線334連接。注意電流控制的晶體管824配置和控制成使得電流在飽和區(qū)中以電壓-電流(Vd-Id)特性流動。因此能夠確定流向晶體管824的電流量。 描述了一種當(dāng)發(fā)光器件801發(fā)出光時的驅(qū)動方法。當(dāng)在寫入周期中選擇第一掃描線833時，打開具有與第一掃描線833連接的柵極的開關(guān)晶體管822。然后，將輸入到源信號線831的視頻信號通過開關(guān)晶體管822輸入到驅(qū)動晶體管821的柵極。此外，電流通過驅(qū)動晶體管821和電流控制的晶體管824從供電線834流向發(fā)光器件802，通過從電源線835接收信號打開晶體管834。注意流向發(fā)光器件的電流量取決于電流控制的晶體管824。
[實施方案4] 根據(jù)本發(fā)明，減小了隨著相對于可出射熒光的側(cè)面的視角在發(fā)射光譜和發(fā)射強度方面的變化。因此，能夠獲得可以提供高能見度的圖像的顯示設(shè)備等類似設(shè)備。該實施方案描述了電子設(shè)備的具體實例，通過本發(fā)明可提高其能見度。 在安裝了外部輸入終端并密封發(fā)光器件之后，將應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件安裝在各種電子設(shè)備上。 參考圖15、16、17A和17B，該實施方案描述了一種應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件和安裝了發(fā)光器件的電子設(shè)備。注意在圖15、16、17A和17B中示出的電子設(shè)備是一個實施方案，發(fā)光器件的配置不限于此。 圖15是在密封之后的發(fā)光器件的橫截面視圖。使用密封劑6502密封襯底6500和密封襯底6501 ，從而限制晶體管6504和發(fā)光器件6505。此外，用作外部輸入終端的FPC (軟性印刷電路)6503與襯底6500的端部連接。注意由襯底6500和密封襯底6501限制的內(nèi)部區(qū)域填充有惰性氣體如氮氣或樹脂。 圖16是從上表面顯示的應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件的示意圖。在圖16中，以虛線指出的附圖標(biāo)記6510表示驅(qū)動器電路部分(源側(cè)驅(qū)動電路)；6511表示象素部分；以及6512表示驅(qū)動器電路部分(柵極側(cè)驅(qū)動電路)。在象素部分6511中提供根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件。該驅(qū)動器電路部分6510通過用作外部輸入終端的FPC和在襯底6500上形成的配線與驅(qū)動器電路部分6512連接。通過從FPC(軟性印刷電路)6503接收視頻信號、時鐘信號、開始信號、重置信號等類似信號，將信號輸入到源側(cè)驅(qū)動電路6510和柵極側(cè)驅(qū)動電路。此外，印刷線路板(PWB)6513與FPC6503連接。在驅(qū)動器電路部分6510中提供一個移位寄存器6515、一個開關(guān)6516、和存儲器(寄存器)6517和6518。在驅(qū)動器電路部分6512中提供一個移位寄存器6519和一個緩沖器6520。注意驅(qū)動器電路部分不必在與象素部分6511相同的襯底上提供，它可以通過使用對象(TPC)或通過將IC芯片安裝在其中具有布線圖的FPC 上形成的類似部件在襯底的外部提供。 圖17A和17B顯示了一個安裝有應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光器件的電子設(shè)備的實施方案。 圖17A顯示了通過應(yīng)用本發(fā)明制造的膝上型個人計算機(jī)。該膝上型個人計算機(jī)包 括一個主機(jī)5521， 一個外殼5522， 一個顯示部分5523， 一個鍵盤5524等類似部件。通過結(jié)
合具有根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的發(fā)光器件作為顯示部分能夠完成該個人計算機(jī)。 圖17B顯示了通過應(yīng)用本發(fā)明制造的電視機(jī)。該電視機(jī)包括一個顯示部分5531，
一個外殼5532，揚聲器5533等類似部件。通過結(jié)合具有根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的發(fā)光器件
作為顯示部分能夠完成該電視機(jī)。 盡管該實施方案描述了膝上型個人計算機(jī)，但是還可以將具有根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光 器件的發(fā)光器件安裝到便攜電話、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、照明裝置或類似裝置中。
權(quán)利要求
一種發(fā)光器件，包括襯底；形成在所述襯底上的第一絕緣層；包括所述第一絕緣層上的源區(qū)與漏區(qū)之間的通道區(qū)的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上的柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上的柵電極；覆蓋所述柵電極的第二絕緣層；形成在所述第二絕緣層中的第一開口；覆蓋所述第一開口和所述第二絕緣層以與所述第一絕緣層接觸的第一電極；覆蓋所述第二絕緣層和所述第一電極的堤層，其中所述堤層具有第二開口以曝露所述第一電極；形成在所述第二開口中所曝露的所述第一電極上的發(fā)光層；以及形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體層通過通過連接部分被電 連接到所述第一電極，所述連接部分被設(shè)為貫穿所述第二絕緣層。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極包括具有透光特性的導(dǎo) 電物質(zhì)。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述襯底具有比所述第一絕緣層小的 折射系數(shù)，并且其中所述第一絕緣層具有比所述第一電極小的折射系數(shù)。
5. —種發(fā)光器件，包括 襯底；形成在所述襯底上的第一絕緣層；包括所述第一絕緣層上的源區(qū)與漏區(qū)之間的通道區(qū)的半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層上的柵絕緣膜； 在所述柵絕緣膜上的柵電極； 覆蓋所述柵電極的第二絕緣層； 形成在所述第二絕緣層中的第一開口和第二開口； 通過所述第一開口連接到所述源區(qū)和所述漏區(qū)的配線；連接到所述配線的第一 電極，其中所述第一 電極在所述第二開口中與所述第一絕緣層 接觸；覆蓋所述第二絕緣層和所述第一電極的堤層，其中所述堤層具有第三開口以曝露所述 第一電極；形成在所述第三開口中所曝露的所述第一電極上的發(fā)光層；以及 形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體層通過連接部分被電連接 到所述第一電極，所述連接部分被設(shè)為貫穿所述第二絕緣層。
7. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一 電極包括具有透光特性的導(dǎo) 電物質(zhì)。
8. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述襯底具有比所述第一絕緣層小的折射系數(shù)，并且其中所述第一絕緣層具有比所述第一電極小的折射系數(shù)。
9. 一種發(fā)光器件，包括 襯底；形成在所述襯底上的第一絕緣層； 形成在所述第一絕緣層上的第二絕緣層；包括所述第二絕緣層上的源區(qū)與漏區(qū)之間的通道區(qū)的半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層上的柵絕緣膜； 在所述柵絕緣膜上的柵電極； 覆蓋所述柵電極的第三絕緣層； 形成在所述第三絕緣層中的第一開口；形成在所述第一開口中以與所述第一絕緣層接觸的第一電極； 覆蓋所述第二絕緣層的堤層； 形成在所述堤層中的第二開口；與所述第二開口中所曝露的所述第一電極接觸的發(fā)光層；以及 形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
10. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極通過連接部分被電連接 到所述半導(dǎo)體層，所述連接部分被設(shè)為貫穿所述第三絕緣層。
11. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極包括具有透光特性的導(dǎo) 電物質(zhì)。
12. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述襯底具有比所述第一絕緣層小的 折射系數(shù)，并且其中所述第一絕緣層具有比所述第一電極小的折射系數(shù)。
13. —種發(fā)光元件器件，包括 襯底；形成在所述襯底上的第一絕緣膜； 形成在所述第一絕緣膜上的晶體管； 覆蓋所述晶體管的第二絕緣層； 形成在所述第二絕緣層中的第一開口；覆蓋所述第一開口和所述第二絕緣層以與所述第一絕緣層接觸的第一電極； 覆蓋所述第二絕緣層和所述第一電極的堤層，其中所述堤層具有第二開口以曝露所述 第一電極；形成在所述第二開口中所曝露的所述第一電極上的發(fā)光層；以及 形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
14. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述晶體管通過連接部分被電連接 到所述第一電極，所述連接部分被設(shè)為貫穿所述第二絕緣層。
15. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極包括具有透光特性的 導(dǎo)電物質(zhì)。
16. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述襯底具有比所述第一絕緣層小 的折射系數(shù)，并且其中所述第一絕緣層具有比所述第一電極小的折射系數(shù)。
17. —種發(fā)光元件器件，包括襯底；形成在所述襯底上的第一絕緣膜； 形成在所述第一絕緣膜上的晶體管； 覆蓋所述晶體管的第二絕緣層； 形成在所述第二絕緣層中的第一開口和第二開口； 通過所述第一開口連接到所述晶體管的配線；連接到所述配線的第一 電極，其中所述第一 電極在所述第二開口中與所述第一絕緣層 接觸；覆蓋所述第二絕緣層和所述第一電極的堤層，其中所述堤層具有第三開口以曝露所述 第一電極；形成在所述第三開口中所曝露的所述第一電極上的發(fā)光層；以及 形成在所述發(fā)光層上的第二電極。
18. 如權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極包括具有透光特性的 導(dǎo)電物質(zhì)。
19. 如權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述襯底具有比所述第一絕緣層小 的折射系數(shù)，并且其中所述第一絕緣層具有比所述第一電極小的折射系數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光器件，其中減小了隨著相對于可出射熒光的側(cè)面的視角在發(fā)射光譜中的變化。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件，具有一個晶體管，一個覆蓋該晶體管的絕緣層和在該絕緣層的開口中提供的一個發(fā)光器件。晶體管和發(fā)光器件通過連接部分電連接。此外，該連接部分通過貫穿絕緣層的接觸孔與晶體管連接。注意絕緣層可以是單層或其中疊置了包括不同物質(zhì)的多個層的多層。
文檔編號H05B33/02GK101714570SQ20091022457
公開日2010年5月26日 申請日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者土屋薰, 川上貴洋, 西毅 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所