專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及采用了有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件的顯示裝置及其制造方法，尤其涉及 降低了有機(jī)EL元件的輝度不均的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，相對(duì)于現(xiàn)有的CRT(陰極射線管)顯示器，具有厚度薄、重量輕、功耗低等 特征的液晶顯示器等平面型顯示裝置的需求急速增長(zhǎng)?？墒牵壕э@示器在視場(chǎng)角、響應(yīng)性 等方面存在問(wèn)題。為了改善其問(wèn)題，最近，采用了具有自發(fā)光、寬視場(chǎng)角、高速響應(yīng)性的有機(jī)電致發(fā) 光元件(以下，記作“有機(jī)EL元件”)的簡(jiǎn)單矩陣方式、有源矩陣方式等的顯示裝置備受注 目。尤其是，正活躍地進(jìn)行著有利于高清晰、大畫(huà)面化的有源矩陣方式的顯示裝置的開(kāi)發(fā)。采用了有機(jī)EL元件的顯示裝置包括采用了有機(jī)EL元件的顯示面板、和對(duì)有機(jī)EL 元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路。而且，顯示面板是在玻璃等的基板上呈矩陣狀配置有機(jī)EL元件 而構(gòu)成的，該有機(jī)EL元件設(shè)有Al等的第一電極和與其相對(duì)的IT0(Indium Tin Oxide，氧化 銦錫)等的第二電極、以及在它們之間設(shè)有發(fā)光層。另外，驅(qū)動(dòng)電路由個(gè)別地驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL 元件的薄膜晶體管(TFT)等構(gòu)成。另外，作為顯示裝置，正在研究使有機(jī)EL元件發(fā)出的光通過(guò)基板而射出至外部的 下面發(fā)光方式、和使有機(jī)EL元件發(fā)出的光從與基板相對(duì)的第二電極側(cè)射出的上面發(fā)光方 式。但是，在有源矩陣方式的下面發(fā)光方式的顯示裝置中，在基板形成驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體 管，所以難以確保足夠的開(kāi)口率。另一方面，上面發(fā)光方式的開(kāi)口率不受薄膜晶體管等限制，所以相比于下面發(fā)光 方式能夠提高發(fā)出的光的利用效率。該情況下，關(guān)于上面發(fā)光方式，光通過(guò)形成在發(fā)光層的 上面的第二電極而射出至外部，所以對(duì)第二電極要求高導(dǎo)電性和高光透射性。但是，一般用 于第二電極的透明導(dǎo)電材料采用ITO等金屬氧化物，金屬氧化物的電阻率比金屬材料高。 因此，顯示面板面積越大，在發(fā)光像素之間第二電極的布線長(zhǎng)度產(chǎn)生差異，在電源供給部的 端部與面板中央之間產(chǎn)生大幅度的電壓下降，與此相應(yīng)地輝度出現(xiàn)差別，所以中央變暗。也 就是說(shuō)，存在如下問(wèn)題電壓因顯示面板的有機(jī)EL元件的配置位置而產(chǎn)生不均，使顯示質(zhì) 量降低。為了避免該問(wèn)題，在各像素從下部的低電阻布線向上部透明電極供電的構(gòu)造是有 效的。例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了如圖16所示的顯示裝置。圖16是專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的現(xiàn)有的顯示裝置具有的發(fā)光像素的構(gòu)造剖視圖。以 下，利用圖16對(duì)專(zhuān)利文獻(xiàn)1的顯示裝置700簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明。如圖16，顯示裝置700在基 板710的同一面，例如采用光刻法等分離地設(shè)置了由電阻率低的導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一電極 720和輔助布線730。并且，在第一電極720上設(shè)置有作為發(fā)光層的光調(diào)制層750，在其上 設(shè)置了由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二電極760。進(jìn)一步，通過(guò)部分設(shè)置于隔壁740的開(kāi)口部745，連接輔助布線730與第二電極760。 另外，同樣地，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了如下的有機(jī)發(fā)光顯示裝置第一電極和第二 電流供給線設(shè)置在玻璃基板的不同的層，通過(guò)接觸孔，連接第二電極與第二電流供給線。由 此，能夠減小由第二電極產(chǎn)生的布線電阻，降低顯示面內(nèi)的輝度不均。
但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1和專(zhuān)利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的現(xiàn)有的顯示裝置中，第二電極與輔助布 線直接連接，因此在流動(dòng)了過(guò)電流的情況下，有時(shí)對(duì)驅(qū)動(dòng)電路部等的顯示裝置產(chǎn)生影響。另 外，因?yàn)樵诎l(fā)光部也流動(dòng)過(guò)電流，所以對(duì)發(fā)光部的可靠性、壽命也可能產(chǎn)生影響。在此，相對(duì) 于通常使每1個(gè)子像素的發(fā)光部發(fā)光所需的電流為3 μ A 5 μ A，所謂過(guò)電流是例如數(shù)十 數(shù)百倍以上的脈沖狀的電流。而且，過(guò)電流例如是由顯示面板制造期間的靜電、或完成的 顯示裝置中某些來(lái)自外部的噪聲等產(chǎn)生的電流，或是在其他像素發(fā)生了短路的情況下產(chǎn)生 的。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1和專(zhuān)利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的現(xiàn)有的顯示裝置中，第二電極與輔助布 線通過(guò)連接部直接連接。因此，電子注入層、電子輸送層、空穴注入層、空穴輸送層以及發(fā)光 層等參與發(fā)光工作的層需要形成為不覆蓋連接部。例如采用真空蒸鍍法來(lái)實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu) 時(shí)，需要使用高精細(xì)掩模。但是，使用高精細(xì)掩模在高生產(chǎn)率地制造大畫(huà)面、高清晰的顯示 裝置方面，位置對(duì)準(zhǔn)等存在問(wèn)題。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中，提出了不使用上述的高精細(xì)掩模、且實(shí)現(xiàn)抑制了過(guò)電流的 連接部的構(gòu)造。圖17是專(zhuān)利文獻(xiàn)3所記載的現(xiàn)有的發(fā)光裝置具有的發(fā)光像素的構(gòu)造剖視圖。圖 17示出的發(fā)光裝置800，在隔著隔壁840與第一電極820分離形成且形成在基板810上的 輔助布線830與第二電極880之間，配置有包括發(fā)光層860的發(fā)光部的構(gòu)成層即第一緩沖 層850和第二緩沖層870中的至少一方。第一緩沖層850為組合了金屬化合物和有機(jī)材料的層，為遍及包括發(fā)光部和連接 部的整體而進(jìn)行了 P摻雜的層。另外，第二緩沖層870為組合了電子輸送性物質(zhì)和呈現(xiàn)電 子提供性的物質(zhì)的層，為遍及包括發(fā)光部和連接部的整體而進(jìn)行了 η摻雜的層。根據(jù)該構(gòu)造，發(fā)光裝置800能夠在各發(fā)光像素的附近形成輔助布線，并且，通過(guò)摻 雜于第一緩沖層850和第二緩沖層870的載流子，連接部具有適度的導(dǎo)電性。因而，能謀求 降低由第二電極280的電壓下降導(dǎo)致的發(fā)光元件間的輝度不均。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2002-318556號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2003-303687號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2007-73499號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
在圖17示出的現(xiàn)有的發(fā)光裝置800具有的第一緩沖層850和第二緩沖層870，分 別預(yù)先進(jìn)行了 P摻雜和η摻雜。這些緩沖層為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了 P摻雜和η摻雜的狀態(tài)，都需 要在層形成的時(shí)刻為摻雜物與輸送材料的混合物。作為形成由上述混合物組成的緩沖層的 工序，能舉出基于共蒸鍍法的制造工序。但是，在由共蒸鍍法所代表的上述混合物的形成工序中，需要用于使所混合的2 種材料的蒸鍍速度穩(wěn)定的復(fù)雜的工序，制造工時(shí)會(huì)增加。另外，用于使之滿(mǎn)足使該蒸鍍速度穩(wěn)定的工藝(process)等的規(guī)格的成膜裝置成本會(huì)增加。如上所述，為了實(shí)現(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)3所記載的發(fā)光裝置，需要復(fù)雜的緩沖層的形成工 序，結(jié)果會(huì)使制造工序及形成裝置成本增加。本發(fā)明是用于解決上述問(wèn)題而作出的發(fā)明，目的在于提供一種抑制向像素內(nèi)流入 過(guò)電流、并且大幅度地降低像素間的輝度不均、制造工藝容易的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及 其制造方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的有機(jī)EL顯示裝置的特征在于，具 備基板；在所述基板上或所述基板內(nèi)形成的第一電極；在所述基板上或所述基板內(nèi)與所 述第一電極電絕緣地形成的輔助布線；在所述第一電極的上方形成的含有發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光 層；介于所述發(fā)光層與所述第一電極之間、向所述發(fā)光層進(jìn)行空穴輸送的空穴輸送層；以 及在所述發(fā)光層的上方形成的第二電極，所述空穴輸送層及所述第二電極從所述第一電極 的上方延伸設(shè)置到所述輔助布線的上方，在所述輔助布線上方的所述空穴輸送層與所述第 二電極之間設(shè)有金屬層，所述第二電極與所述輔助布線經(jīng)由所述空穴輸送層及所述金屬層 而電連接，所述金屬層含有功函數(shù)與所述空穴輸送層的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì) 值為相同程度或比其小的金屬。根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制向像素內(nèi)流入過(guò)電流、并且通過(guò)降低布線電阻而即使 在大型面板中也大幅度地降低了由電位下降引起的像素間的輝度不均的顯示質(zhì)量高的有 機(jī)EL顯示裝置。并且，因?yàn)槟軌蚝?jiǎn)化制造工藝，所以能夠提供生產(chǎn)率優(yōu)異的有機(jī)EL顯示裝 置的制造方法。


圖IA是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō)明的局部俯視圖。圖IB是沿圖IA的A-A’線剖切得到的要部剖視圖。圖2是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的剖視圖。圖3是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的剖視圖。圖4是對(duì)表示本發(fā)明實(shí)施方式1的第一變形例的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō) 明的局部俯視圖。圖5是對(duì)表示本發(fā)明實(shí)施方式1的第二變形例的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō) 明的局部俯視圖。圖6是對(duì)表示本發(fā)明實(shí)施方式1的第三變形例的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō) 明的局部俯視圖。圖7是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō)明的局部剖視圖。圖8是本發(fā)明實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示裝置的主要的電路結(jié)構(gòu)圖。圖9A是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō)明的局部俯視圖。圖9B是沿圖9A的A_A’線剖切得到的要部剖視圖。圖10是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的剖視圖。圖11是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的剖視圖。圖12是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的剖視圖。圖13是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式4的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō)明的局部剖視圖。
圖14是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的第四變形例的有機(jī)EL顯示裝置的要部剖視圖。圖15是內(nèi)置了本發(fā)明的顯示裝置的薄型平板電視機(jī)的外觀圖。圖16是專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的現(xiàn)有的顯示裝置具有的發(fā)光像素的構(gòu)造剖視圖。圖17是專(zhuān)利文獻(xiàn)3所記載的現(xiàn)有的發(fā)光裝置具有的發(fā)光像素的構(gòu)造剖視圖。
具體實(shí)施例方式(1)本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，具備基板；在所述基板上 或所述基板內(nèi)形成的第一電極；在所述基板上或所述基板內(nèi)與所述第一電極電絕緣地形成 的輔助布線；在所述第一電極的上方形成的含有發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層；介于所述發(fā)光層與所 述第一電極之間、向所述發(fā)光層進(jìn)行空穴輸送的空穴輸送層；以及在所述發(fā)光層的上方形 成的第二電極，所述空穴輸送層及所述第二電極從所述第一電極的上方延伸設(shè)置到所述輔 助布線的上方，在所述輔助布線上方的所述空穴輸送層與所述第二電極之間設(shè)有金屬層， 所述第二電極與所述輔助布線經(jīng)由所述空穴輸送層及所述金屬層而電連接，所述金屬層含 有功函數(shù)與所述空穴輸送層的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值為相同程度或比其小 的金屬。根據(jù)本方式，使金屬層具有的金屬原子的功函數(shù)與空穴輸送層的最低未占據(jù)分子 軌道的能級(jí)絕對(duì)值為相同程度或比其小。由此，在輔助布線與第二電極的電連接部中，從上 述金屬原子向空穴輸送層提供電子變得容易。因此，在發(fā)光部中未進(jìn)行η摻雜的空穴輸送 層在連接部中被進(jìn)行η摻雜，所以能謀求降低由第二電極的電壓下降引起的發(fā)光元件間的 輝度不均。另外，相比于輔助布線的金屬和在第二電極所使用的ΙΤ0，設(shè)置于上述連接部的層 的電阻能夠設(shè)定得較高，所以通過(guò)作為對(duì)于過(guò)電流的電緩沖性的層而起作用，能夠有效地 抑制過(guò)電流。進(jìn)一步，在形成于第一電極與第二電極之間的發(fā)光部的形成工序中，不需要用 于對(duì)空穴輸送層進(jìn)行η摻雜的工序，所以能謀求制造工序的簡(jiǎn)化。在此，上述發(fā)光部包括所 述第一電極、形成在所述第一電極的上方的含有發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層、以及形成在所述發(fā)光 層的上方的第二電極。所述連接部包括所述輔助布線、所述輔助布線上方的所述空穴輸送 層及所述第二電極、介于所述空穴輸送層和所述第二電極之間的金屬層。(2)另外，在上述(1)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述第一電極上方的所述空穴輸 送層為由未進(jìn)行η摻雜的有機(jī)材料形成的層。若對(duì)所述第一電極上方的所述空穴輸送層進(jìn)行η摻雜，則層疊在所述空穴輸送層 上的發(fā)光層所含有的發(fā)光物質(zhì)與所摻雜的金屬原子進(jìn)行反應(yīng)，所述發(fā)光層所含有的發(fā)光物 質(zhì)會(huì)發(fā)生劣化。根據(jù)本方式，在形成所述空穴輸送層時(shí)，所述空穴輸送層由未進(jìn)行η摻雜的有機(jī) 材料形成。因而，通過(guò)未進(jìn)行η摻雜的空穴輸送層，能夠防止所述發(fā)光層的亮度劣化而謀求 所述發(fā)光層的長(zhǎng)壽命化。(3)另外，在上述(2)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，介于所述第二電極與所述輔助布 線之間的所述空穴輸送層，通過(guò)與介于所述第二電極與所述空穴輸送層之間的所述金屬層 的接觸而被進(jìn)行η摻雜。根據(jù)本方式，介于所述第二電極與所述輔助布線之間的所述空穴輸送層，通過(guò)與介于所述第二電極與所述空穴輸送層之間的所述金屬層的接觸而自然地被進(jìn)行η摻雜。由 此，因?yàn)椴恍枰糜趯?duì)所述空穴輸送層進(jìn)行η摻雜的工序而作為絕緣材料的所述空穴輸送 層就帶有導(dǎo)電性，所以能夠降低所述第二電極與所述輔助布線之間的電阻。其結(jié)果，能夠防 止所述發(fā)光層的亮度劣化而謀求所述發(fā)光層的長(zhǎng)壽命化，并能夠降低由所述第二電極的電 壓下降引起的發(fā)光元件間的輝度不均。(4)另外，在上述⑴ (3)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，關(guān)于所述金屬層 所含有的所述金屬，從該金屬的功函數(shù)值減去所述空穴輸送層的最低未占據(jù)分子軌道的能 級(jí)的絕對(duì)值而得到的值為0. 5eV以下。構(gòu)成空穴輸送層的空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)一般在1. 7 2. 5eV程度的能級(jí)范圍具 有最低未占據(jù)分子軌道。另一方面，電子輸送性材料一般在2. 5 3. 5eV程度的能級(jí)范圍 具有最低未占據(jù)分子軌道。另外，向空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)提供電子的金屬相比于向電子 輸送性的有機(jī)物質(zhì)提供電子的金屬，要求其電子能級(jí)、也即是功函數(shù)較小。根據(jù)本方式，作為向上述輸送層充分地供給電子的金屬的功函數(shù)，要求其與上述 空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值之差為0. 5eV以?xún)?nèi)、或小于 上述空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)絕對(duì)值。由此，能充分地向上述 連接部中的空穴輸送層進(jìn)行η摻雜。(5)另外，在上述(4)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，關(guān)于所述金屬層所含有的所述金 屬，從該金屬的功函數(shù)值減去所述空穴輸送層的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值而得 到的值為-O. 5eV以上。根據(jù)本方式，從充分地向上述空穴輸送層提供電子的金屬的功函數(shù)值減去上述空 穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值而得到的值為-0. 5eV以上。 由此，能充分地向上述連接部中的空穴輸送層進(jìn)行η摻雜。(6)另外，在上述(1) (5)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述輔助布線 上方的所述空穴輸送層的η摻雜濃度比所述第一電極上方的所述空穴輸送層的η摻雜濃度
尚ο根據(jù)本方式，即使是上述發(fā)光部中的空穴輸送層與發(fā)光層相接的構(gòu)造，也能不使 發(fā)光部的發(fā)光效率下降而謀求降低由第二電極的電壓下降引起的發(fā)光元件間的輝度不均。 在此，所謂發(fā)光部中的空穴輸送層是指所述第一電極上方的所述空穴輸送層。另外，即使所述第一電極上方的所述空穴輸送層由于來(lái)自所述空穴輸送層周邊的 層的影響而被進(jìn)行了 η摻雜，所述第一電極上方的所述空穴輸送層的η摻雜濃度也比所述 輔助電極上方的所述空穴輸送層的η摻雜濃度低。因此，即使包括于所述發(fā)光層的發(fā)光物 質(zhì)與被η摻雜到所述空穴輸送層的金屬原子發(fā)生反應(yīng)，也能夠抑制所述發(fā)光層所含有的發(fā) 光物質(zhì)劣化。其結(jié)果，能夠防止所述發(fā)光層的亮度劣化而謀求所述發(fā)光層的長(zhǎng)壽命化。(7)另外，在上述(1) (6)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述金屬層從所 述第一電極上到所述輔助布線上連續(xù)地形成。根據(jù)本方式，當(dāng)形成設(shè)置于前述連接部的金屬層時(shí)，因?yàn)椴恍枰捎昧烁呔?xì)掩 模的圖形化工序，所以制造工藝變得容易。另外，有利于大畫(huà)面化、高清晰化。(8)另外，在上述(7)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述金屬層為在所述第一電極的 上方向所述發(fā)光層注入電子的電子注入層。
根據(jù)本方式，所述金屬層也可以是在所述第一電極上方輔助電子的生成而向所述 發(fā)光層注入電子的電子注入層。(9)另外，在上述⑴ ⑶的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述金屬層的金 屬原子在所述輔助布線上擴(kuò)散到所述空穴輸送層的位于與第一主面相反一側(cè)的第二主面 的附近，所述第一主面是所述金屬層與所述空穴輸送層的界面。根據(jù)本方式，優(yōu)選所述金屬層的金屬原子在所述輔助布線上，擴(kuò)散至所述空穴輸 送層的位于與第一主面相反一側(cè)的第二主面的附近，所述第一主面是所述金屬層與所述空 穴輸送層的界面。(10)另外，在上述(9)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述金屬層的金屬原子到達(dá)至 距所述第二主面5nm以?xún)?nèi)。根據(jù)本方式，優(yōu)選所述金屬層的金屬原子到達(dá)至距所述第二主面5nm以?xún)?nèi)。由 此，因?yàn)槟鼙榧斑B接部中的空穴輸送層的層疊方向而均勻地進(jìn)行η摻雜，所以能夠降低未 摻雜狀態(tài)下電阻高的空穴輸送層的電阻值。(11)另外，在上述(1) (10)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述空穴輸送 層的膜厚在所述輔助布線上為大于Onm且小于等于50nm。根據(jù)本方式，優(yōu)選所述空穴輸送層的膜厚在所述輔助布線上大于Onm且小于等 于50nm。當(dāng)連接部中的空穴輸送層的膜厚大于50nm時(shí)，金屬層的金屬原子難以遍及空穴輸 送層的層疊方向而均勻地?cái)U(kuò)散。因而，通過(guò)使連接部中的空穴輸送層的膜厚為大于Onm且 小于等于50nm，能夠降低未摻雜狀態(tài)下電阻高的空穴輸送層的電阻值。(12)另外，在上述(1) (11)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述基板至少 具有第一層及與該第一層不同的第二層，所述第一電極形成在所述第一層上，所述輔助布 線形成在所述第二層上。根據(jù)本方式，可以所述基板至少具有第一層及與該第一層不同的第二層，所述第 一電極形成在所述第一層上，所述輔助布線形成在所述第二層上。由此，因?yàn)檩o助布線的配置位置和/或面積等不容易由于第一電極的配置而受限 制，所以能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)計(jì)自由度高的有機(jī)EL顯示裝置。例如，通過(guò)將輔助布線和第一電極分 別設(shè)置于基板的不同的層，也能夠形成為輔助電極與第一電極重疊，所以能夠大幅度地?cái)U(kuò) 大輔助布線的面積。而且，與其相應(yīng)地，能夠擴(kuò)大輔助布線與接合部的連接面積。其結(jié)果， 能夠有效地抑制過(guò)電流。進(jìn)一步，因?yàn)槟軌蛄Ⅲw地配置第一電極和輔助布線，所以能夠大幅 度地緩對(duì)布線電極的形狀和/或大小的限制。另外，因?yàn)槟軌蛞圆煌牟牧蠘?gòu)成第一電極 和輔助布線，所以根據(jù)所需的電阻率，輔助布線的最佳的材料等的選擇范圍擴(kuò)大，另外，根 據(jù)發(fā)光部的結(jié)構(gòu)，第一電極的最佳的材料等的選擇范圍擴(kuò)大。例如，在下面發(fā)光方式的情況 下，能夠以透明性的導(dǎo)電材料形成第一電極，以金屬材料形成輔助布線。(13)另外，在上述(1) (12)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述有機(jī)EL 顯示裝置呈矩陣狀配置有多個(gè)發(fā)光像素，所述發(fā)光像素包括所述第一電極、所述發(fā)光層以 及所述第二電極，所述第一電極及所述發(fā)光層至少按各所述發(fā)光像素分離地設(shè)置，所述輔 助布線至少按各列所述發(fā)光像素和各行所述發(fā)光像素的任一方而配置。根據(jù)本方式，能夠降低依賴(lài)于第二電極與輔助布線間的距離的布線電阻，抑制驅(qū) 動(dòng)電壓的變動(dòng)，實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量高的彩色有機(jī)EL顯示裝置，另外，能夠提高第二電極與輔助布線的耐過(guò)電流特性。(14)另外，在上述(13)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述多個(gè)發(fā)光像素分別由至少 三個(gè)子像素構(gòu)成，所述第一電極及所述發(fā)光層按各所述子像素分離地設(shè)置，所述輔助布線 至少按各列所述子像素和各行所述子像素的任一方而配置。根據(jù)本方式，能夠大幅度降低依賴(lài)于第二電極與輔助布線間的距離的布線電阻， 進(jìn)一步抑制驅(qū)動(dòng)電壓的變動(dòng)，實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量高的彩色有機(jī)EL顯示裝置。(15)另外，在上述(13)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述多個(gè)發(fā)光像素分別由至少 三個(gè)子像素構(gòu)成，所述第一電極及所述發(fā)光層按各所述子像素分離地設(shè)置，所述輔助布線 至少按各列所述發(fā)光像素和各行所述發(fā)光像素的任一方而配置。根據(jù)本方式，與按每一個(gè)子像素設(shè)置輔助布線的情況相比，能夠減少輔助布線的 條數(shù)和接合點(diǎn)數(shù)，所以輔助布線與第二電極能通過(guò)更大的接合開(kāi)口部的面積進(jìn)行連接。其 結(jié)果，能夠進(jìn)一步抑制第二電極的電壓變動(dòng)，提高顯示面板的顯示均勻性。(16)另外，在上述(1) (15)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述基板進(jìn)一 步具備在所述第一電極之下配置的層間絕緣層；和驅(qū)動(dòng)電路層，該驅(qū)動(dòng)電路層配置在所 述層間絕緣層之下，具有對(duì)包括所述第一電極、所述發(fā)光層以及所述第二電極的發(fā)光像素 進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)元件；經(jīng)由設(shè)置在所述層間絕緣層的導(dǎo)電通孔，連接所述第一電極和所述 驅(qū)動(dòng)元件。根據(jù)本方式，能夠?qū)崿F(xiàn)將驅(qū)動(dòng)電路一體化于像素部?jī)?nèi)的有源矩陣型的有機(jī)EL顯
示裝置。(17)另外，在上述(16)所述的有機(jī)EL顯示裝置中，所述驅(qū)動(dòng)元件包括薄膜晶體 管，所述第一電極經(jīng)由所述導(dǎo)電通孔而與所述驅(qū)動(dòng)元件的源極端子或漏極端子連接。根據(jù)本方式，即使第二電極與輔助布線的連接電阻發(fā)生變動(dòng)，也能夠抑制施加于 發(fā)光部的電壓的變動(dòng)。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示質(zhì)量?jī)?yōu)異的有機(jī)EL顯示裝置。(18)另外，本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法是配置有多個(gè) 發(fā)光像素的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，該制造方法包括第一形成工序，在基板上或基 板內(nèi)，形成第一電極和與該第一電極電絕緣的輔助布線；第二形成工序，在所述第一電極的 上方形成發(fā)光部，所述發(fā)光部包括含有發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層和向該發(fā)光層進(jìn)行空穴輸送的空 穴輸送層，在所述輔助布線的上方，形成包括所述空穴輸送層和金屬層的連接部，所述金屬 層與該空穴輸送層相接，含有功函數(shù)比所述空穴輸送層的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕 對(duì)值小的金屬；第三形成工序，在所述第二形成工序之后，至少在所述發(fā)光部及所述連接部 之上形成第二電極。根據(jù)本方式，不僅能夠作為具備這樣的特征性單元的有機(jī)EL顯示裝置來(lái)進(jìn)行實(shí) 現(xiàn)，也能夠作為使有機(jī)EL顯示裝置所包括的特征性單元成為步驟的有機(jī)EL顯示裝置的制 造方法來(lái)進(jìn)行實(shí)現(xiàn)。(19)另外，在上述(18)所述的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法中，在所述第二形成工 序中，所述發(fā)光部包括所述金屬層，遍及所述發(fā)光部及所述連接部連續(xù)地形成所述金屬層 和所述空穴輸送層。(20)另外，在上述(18)或(19)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，所述基 板至少具有第一層和與該第一層不同的第二層，在所述第一形成工序中，在所述第一層之上形成所述第一電極，在所述第二層之上形成所述輔助布線。(21)另外，在上述(18) (20)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法中， 所述第二形成工序中的形成在所述輔助布線上的所述金屬層、和所述第三形成工序中的所 述第二電極是通過(guò)連續(xù)的干式工藝而形成的。(22)另外，在上述(18) (21)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法中， 在所述第一形成工序之前，包括驅(qū)動(dòng)層形成工序，作為所述基板的構(gòu)成層，形成具有對(duì)所 述發(fā)光像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電路層；絕緣層形成工序，在所述驅(qū)動(dòng)電路層之上， 作為所述基板的最上層，形成具有使所述驅(qū)動(dòng)元件和所述第一電極導(dǎo)通的導(dǎo)電通孔的層間
絕緣層。以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在以下的實(shí)施方式及附圖中，對(duì) 相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的標(biāo)號(hào)而進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下，以上面發(fā)光方式的由將陽(yáng)極 (anode)作為第一電極、將陰極(cathode)作為第二電極的有機(jī)EL元件構(gòu)成的顯示裝置為 例進(jìn)行說(shuō)明，但并不限于此。(實(shí)施方式1)使用附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(以下，記作“有機(jī)EL顯 示裝置”)進(jìn)行說(shuō)明。圖IA是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō)明的局部剖視圖。 另外，圖IB是沿圖IA的A-A’線剖切得到的要部剖視圖。圖IB示出的本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100包括基板10、設(shè)置在基板10上的 第一電極20及輔助布線30、設(shè)置在第一電極20上的空穴注入層40、形成像素開(kāi)口部45及 連接開(kāi)口部35的隔壁50、設(shè)置在它們的上面的空穴輸送層60、設(shè)置于像素開(kāi)口部45的發(fā) 光層70、設(shè)置在它們的上面的金屬層80、和設(shè)置在金屬層80上的第二電極90。另外，如圖IA所示，有機(jī)EL顯示裝置100呈矩陣狀地配置有具備發(fā)光部95的發(fā) 光像素95A，輔助布線30是沿著各發(fā)光部95按各發(fā)光像素列配置而設(shè)置的。然而，圖IB所 示出的空穴輸送層60、金屬層80以及第二電極90是遍及圖IA所示出的局部俯視圖的整個(gè) 面而形成的。而且，輔助布線30與第二電極90在沿著輔助布線30設(shè)置的連接開(kāi)口部35 中，通過(guò)由空穴輸送層60和金屬層80構(gòu)成的連接部而電連接。然而，作為連接開(kāi)口部35的第二電極90與輔助布線30之間的層結(jié)構(gòu)，若是包括 空穴輸送層60及金屬層80以外的層、且相對(duì)于電流的流動(dòng)方向而并不阻礙電流流動(dòng)的層 結(jié)構(gòu)，則并不限定于上述構(gòu)造。具有這樣的多層構(gòu)造的有機(jī)EL顯示裝置也包含于本發(fā)明， 具有與圖IA和圖IB所示出的實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置100同樣的效果。另外，發(fā)光部95至少包括設(shè)置于像素開(kāi)口部45的發(fā)光層70、空穴輸送層60以及 金屬層80，從第二電極90面?zhèn)壬涑鐾ㄟ^(guò)注入到發(fā)光層70的電子與空穴的復(fù)合而產(chǎn)生的光。 然而，第一電極20對(duì)應(yīng)于發(fā)光部95而按各像素分離地設(shè)置。即，在發(fā)光部至少由3個(gè)RGB 等子像素構(gòu)成的情況下，與各子像素對(duì)應(yīng)的發(fā)光部95和第一電極20按各子像素分離而設(shè) 置。在此，作為基板10，并沒(méi)有特別限定，但例如能采用玻璃基板、石英基板等。另外， 也能夠采用聚對(duì)苯二甲酸乙醇酯、聚醚砜等的塑料基板而給有機(jī)EL顯示裝置付與彎曲性。 特別是如本實(shí)施方式那樣，在上面發(fā)光方式的情況下，能夠采用不透明塑料基板、陶瓷基板。另外，作為第一電極20和輔助布線30，并沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選采用電阻率低的 材料，例如能夠采用銀、鋁、鎳、鉻、鉬、銅、鐵、鉬、鎢、鉛、錫、銻、鍶、鈦、錳、銦、鋅、釩、鉭、鈮、 鑭、鈰、釹、釤、銪、鈀、銅、鈷中的任一金屬、這些金屬的合金、或?qū)⑺鼈儗盈B而得到的材料。另外，構(gòu)成發(fā)光部的空穴注入層40是以空穴注入性的材料為主成分的層。所謂空 穴注入性的材料是具有使從第一電極20側(cè)注入的空穴穩(wěn)定地、或輔助空穴的生成地向發(fā) 光層注入的功能的材料。作為空穴注入層40例如能夠采用PEDOT (polyethylenedioxythi ophene)等?？昭ㄝ斔蛯?0是在空穴注入層40、隔壁50及輔助布線30上整個(gè)面地形成的，具 有向發(fā)光層70內(nèi)輸送從空穴注入層40注入的空穴的功能。作為空穴輸送層60，能夠采用 空穴輸送性的有機(jī)材料。所謂空穴輸送性的有機(jī)材料是具有通過(guò)分子間的電荷移動(dòng)反應(yīng)來(lái) 傳遞產(chǎn)生的空穴的性質(zhì)的有機(jī)物質(zhì)。該材料有時(shí)也被稱(chēng)為P-型有機(jī)半導(dǎo)體?？昭ㄝ斔蛯?0既可以是高分子材料也可以是低分子材料，但優(yōu)選能夠以濕式印 刷法進(jìn)行制膜，優(yōu)選含有在形成作為上層的發(fā)光層70時(shí)使得難以溶析于其中的交聯(lián)劑。作 為空穴輸送性的材料的例子，并不是特別限定的，能夠采用芳香族胺，優(yōu)選采用三苯胺的衍 生物及三芳胺衍生物。作為交聯(lián)劑的例子，能夠采用雙季戊四醇六丙烯酸酯等。作為形成空穴輸送層60的制膜法，并不是特別限定的，能夠采用由噴墨法所代表 的噴嘴噴射法或點(diǎn)膠(dispenser)法。該情況下，噴墨法是從噴嘴噴射墨水化的有機(jī)成膜 材料而形成空穴輸送層60的方法。此外，作為形成發(fā)光部的發(fā)光層70，能夠采用低分子系或高分子系的有機(jī)發(fā)光材 料。作為高分子系的發(fā)光材料，能采用例如聚對(duì)苯撐乙烯(PPV)、聚芴等聚合物發(fā)光材料 等。此外，作為低分子系發(fā)光材料，除了 Alq3、Be_苯并羥基喹啉(BeBq2)以外，還可采用2， 5-雙(5，7- 二叔戊基-2-苯并噁唑基)-1，3，4-噻二唑、4，4’-雙(5，7-戊基-2-苯并噁唑 基)芪、4，4’ -雙[5，7-二(2-甲基-2-丁基)-2-苯并噁唑基]芪、2，5-雙(5，7-二叔戊 基-2-苯并噁唑基)噻吩、2，5-雙([5-α，α-二甲基芐基]-2-苯并噁唑基)噻吩、2，5_雙 [5，7-二(2-甲基-2-丁基)-2-苯并噁唑基]-3，4-二苯基噻吩、2，5-雙(5-甲基-2-苯 并噁唑基)噻吩、4，4’ -雙(2-苯并噁唑基)聯(lián)苯、5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯并噁 唑基)苯基]乙烯基]苯并噁唑、2-[2-(4_氯苯基)乙烯基]萘并[l，2-d]噁唑等苯并噁 唑類(lèi)，2，2’-(對(duì)苯撐二乙烯基)二苯并噻唑等苯并噻唑類(lèi)，2-[2-[4-(2_苯并咪唑基)苯 基]乙烯基]苯并咪唑、2-[2-(4_羧基苯基)乙烯基]苯并咪唑等苯并咪唑類(lèi)等的熒光增 白劑；三(8-羥基喹啉)鋁、雙(8-羥基喹啉)鎂、雙(苯并[f]-8-羥基喹啉)鋅、雙(2-甲 基-8-羥基喹啉)氧化鋁、三(8-羥基喹啉)銦、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹 啉鋰、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣、聚[鋅-雙(8-羥基-5-喹 啉基)甲烷]等8-羥基喹啉類(lèi)金屬配合物；(二苯并[b，g][l，5]萘啶-6，12 (5H，IlH)-二 酮)二鋰等金屬螯合化8-羥基喹啉酮化合物；1，4_雙(2-甲基苯乙烯基)苯、1，4-(3-甲 基苯乙烯基)苯、1，4_雙(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1，4_雙(2-乙基苯乙烯 基)苯、1，4_雙(3-乙基苯乙烯基)苯、1，4_雙(2-甲基苯乙烯基)-2_甲基苯等苯乙烯基 苯類(lèi)化合物；2，5-雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2，5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2，5-雙 [2-(1_萘基)乙烯基]吡嗪、2，5_雙(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2，5_雙[2-(4_聯(lián)苯基)乙烯基]吡嗪、2，5_雙[2-(1_芘基)乙烯基]吡嗪等二苯乙烯基吡嗪衍生物；萘二甲酰 亞胺衍生物；茈衍生物；噁二唑衍生物；醛連氮衍生物；環(huán)戊二烯衍生物；苯乙烯胺衍生物； 香豆素類(lèi)衍生物；芳香族二次甲基衍生物等。此外，還可以采用蒽、水楊酸鹽、芘、暈苯等。 或者，也可以采用面式-三(2-苯基吡啶)銥等磷光發(fā)光材料。金屬層80具有輔助電子的生成而向發(fā)光層70注入電子的功能。另外，金屬層80 是以堿金屬和堿土類(lèi)金屬中的至少一方為主成分的金屬的層，可以含有兩種以上的堿金屬 和堿土類(lèi)金屬。在此，包括含有堿金屬和堿土類(lèi)金屬這兩者的情況。進(jìn)一步，金屬層80在連接開(kāi)口部35中與空穴輸送層60相接而構(gòu)成連接部。為了 使空穴輸送層60在該連接部中的電阻值降低，金屬層80具有對(duì)連接部的空穴輸送層60供 給電子的功能。因此，金屬層80由功函數(shù)與空穴輸送層60的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí) 的絕對(duì)值為相同程度或比其小的金屬構(gòu)成。通過(guò)該連接部的層疊構(gòu)造，在連接部中的空穴 輸送層60擴(kuò)散有0. 1 30%程度的金屬原子。也就是說(shuō)，輔助布線30上方的空穴輸送層 60的η摻雜濃度比第一電極20上方的空穴輸送層60的η摻雜濃度高。以下對(duì)該金屬層 80具有的金屬元素的必要條件進(jìn)行說(shuō)明。為了從電子提供性的金屬向有機(jī)物質(zhì)提供電子，優(yōu)選該金屬的電子能級(jí)與有機(jī)物 質(zhì)的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的能隙窄。在此，相對(duì)于真空能級(jí)，空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì) 一般在1. 7 2. 5eV程度的能級(jí)范圍具有最低未占據(jù)分子軌道(例如，chem. Rev. vol. 107， p953-1010(2007))。另一方面，電子輸送性材料一般在2. 5 3. 5eV程度的能級(jí)范圍具有 最低未占據(jù)分子軌道(例如，chem. Rev. vol. 107, p953_1010 (2007))。優(yōu)選向空穴輸送 性的有機(jī)物質(zhì)提供電子的金屬的電子能級(jí)也即是功函數(shù)比向電子輸送性的有機(jī)物質(zhì)提供 電子的金屬小。根據(jù)以上，作為向空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)提供電子的金屬的功函數(shù)，優(yōu)選 從該金屬的功函數(shù)值減去空穴輸送層60的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值而得到的 值為0.5eV以下。作為堿金屬或堿土類(lèi)金屬且滿(mǎn)足該條件的金屬，例如能夠舉出鋰(功 函數(shù)2. 9eV)、鉀(功函數(shù)2. 3eV)、銣(功函數(shù)2. 3eV)、銫(功函數(shù)2. IeV)、鈣(功函 數(shù)2.9eV)、鍶(功函數(shù)2.6eV)、鋇(功函數(shù)2· 5eV)、鈉(功函數(shù)2· 4eV)、鈰(功函數(shù): 2.9eV)、銪(功函數(shù)2.5eV)等。上述例示的這些金屬的功函數(shù)為3. OeV以下，滿(mǎn)足上述的 作為向空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)提供電子的金屬的合適的條件。進(jìn)一步，關(guān)于向空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)提供電子的金屬，優(yōu)選從該金屬的功函數(shù) 值減去空穴輸送層60的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值而得到的差值為-0. 5eV以 上。功函數(shù)值比空穴輸送層60的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值大的金屬如上所述 那樣，優(yōu)選二者的差值小。另一方面，功函數(shù)值比空穴輸送層60的最低未占據(jù)分子軌道的 能級(jí)的絕對(duì)值小的金屬能夠在原理上與二者的差值無(wú)關(guān)地將向空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)提 供電子。例如，在空穴輸送層60具有的空穴輸送性的有機(jī)物質(zhì)為2. 5eV的最低未占據(jù)分子 軌道的能級(jí)的情況下，功函數(shù)值為2. IeV的銫作為向空穴輸送層60的有機(jī)物質(zhì)提供電子的 金屬是合適的。在該情況下，上述差值為-0. 4eV。鑒于現(xiàn)有的堿金屬或堿土類(lèi)金屬，導(dǎo)出該 差值為-0. 5eV以上。作為金屬層80的膜厚，優(yōu)選為1 20nm，更優(yōu)選為3 7nm。當(dāng)金屬層80過(guò)薄時(shí)， 在蒸鍍金屬層80的上層時(shí)，由于原來(lái)潛藏的、或者從外部侵入的水和/或氧而容易發(fā)生劣 化，難以得到低電壓、高效率的特性?？紤]到上述上層的蒸鍍時(shí)、或膜內(nèi)吸附等的潛藏、或從外部侵入進(jìn)來(lái)的路徑，一般無(wú)法完全去除這些水和/或氧。另一方面，當(dāng)該層過(guò)厚時(shí)，因?yàn)?它們?yōu)榛静煌腹獾慕饘倌?，所以?huì)吸收由有機(jī)層生成的發(fā)光、或?qū)⑺霭l(fā)光封閉于元件 內(nèi)部，因此難以得到高的發(fā)光效率。這些膜并不是特別限定的，優(yōu)選通過(guò)電阻加熱蒸鍍法或電子束蒸鍍法來(lái)形成。另外，優(yōu)選金屬層80的金屬原子擴(kuò)散至空穴輸送層60的位于與第一主面相反一 側(cè)的第二主面的附近，所述第一主面是金屬層80和空穴輸送層60的界面。進(jìn)一步，優(yōu)選 金屬層80的金屬原子達(dá)到至距上述第二主面5nm以?xún)?nèi)。由此，遍及連接部中的空穴輸送層60的層疊方向而均勻地進(jìn)行η摻雜，所以能夠 降低在未摻雜的狀態(tài)下電阻高的空穴輸送層60的電阻值。另外，優(yōu)選空穴輸送層60的膜厚為50nm以下。當(dāng)連接部中的空穴輸送層60的 膜厚大于50nm時(shí)，金屬層80的金屬原子難以遍及空穴輸送層60的層疊方向而均勻地?cái)U(kuò) 散。因而，通過(guò)使連接部中的空穴輸送層60的膜厚為50nm以下，能夠降低在未摻雜的狀態(tài) 下電阻高的空穴輸送層60的電阻值。然而，通過(guò)在緊挨著發(fā)光層70之上層疊金屬層80，能省略層疊具有電子輸送功能 的有機(jī)層，所以能謀求降低材料成本以及簡(jiǎn)化成膜工序。該構(gòu)造在采用基于濕式制法的有 利于簡(jiǎn)單化且低成本化的高分子有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光元件中尤其有效。作為隔壁50，能夠采用聚酰亞胺樹(shù)脂等樹(shù)脂材料。此時(shí)，為了防止發(fā)光部產(chǎn)生的光 向相鄰的發(fā)光部透射，例如可以在樹(shù)脂中含有碳微粒等。作為第二電極90，并沒(méi)有特別限定，但在上面發(fā)光方式的情況下，優(yōu)選采用氧化銦 錫和/或氧化銦鋅。根據(jù)本實(shí)施方式，金屬層80具有的金屬原子的功函數(shù)與空穴輸送層60的最低未 占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值為相同程度或比其小，所以在輔助布線30的上方的連接部 中容易從上述金屬原子向空穴輸送層60提供電子。因而，在第一電極20的上方的發(fā)光部 中未進(jìn)行η摻雜的空穴輸送層60在連接部中被進(jìn)行η摻雜，所以能謀求降低由第二電極的 電壓下降導(dǎo)致的發(fā)光元件間的輝度不均。相比于輔助布線的金屬和第二電極的ΙΤ0，設(shè)置于 連接部的層的電阻能夠設(shè)定得較高，所以通過(guò)作為對(duì)過(guò)電流的電緩沖層來(lái)發(fā)揮功能，從而 能夠有效地抑制過(guò)電流。另外，在發(fā)光部形成工序中，不需要用于對(duì)空穴輸送層進(jìn)行η摻雜 的工序，所以能謀求簡(jiǎn)化制造工序。另外，當(dāng)形成設(shè)置于連接部的金屬層80和空穴輸送層60時(shí)，使用發(fā)光部的構(gòu)成 層，不需要使用了高精細(xì)掩模的圖形化工序，所以制造工藝變得容易。另外，有利于大畫(huà)面 化、高清晰化。以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō) 明。圖2和圖3是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的剖 視圖。首先，如圖2(a)所示，在具備例如由TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)和 電容器等構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)的基板10上，采用例如真空蒸鍍法或?yàn)R射法將Al形 成于整個(gè)面。然后，采用光刻法，對(duì)Al進(jìn)行蝕刻，在預(yù)定的位置形成第一電極20，在與第一 電極20電絕緣的位置形成輔助布線30。此時(shí)，第一電極20對(duì)應(yīng)于發(fā)光部而個(gè)別地形成，輔助布線30是沿著排列為二維矩陣狀的發(fā)光像素的例如行或列一維地配置而形成的。然而， 例如為了消除由驅(qū)動(dòng)電路等引起的凹凸，可以根據(jù)需要在基板10設(shè)置平坦化層，在其上形 成第一電極20和輔助布線30。接下來(lái)，如圖2(b)所示，作為空穴注入層40，采用例如噴墨法等，使例如PEDOT等 至少成膜于第一電極20上的相當(dāng)于像素開(kāi)口部的位置。接下來(lái)，如圖2(c)所示，將負(fù)片型的光致抗蝕劑50A涂敷于整個(gè)面。接下來(lái)，如圖2(d)所示，在負(fù)片型的光致抗蝕劑50A之上，使掩模51位置對(duì)準(zhǔn)地 將其載置，該掩模51在相當(dāng)于發(fā)光部和連接部的位置具有遮光部。然后，通過(guò)該掩模51，采 用光刻法對(duì)光致抗蝕劑50A進(jìn)行曝光。接下來(lái)，如圖2 (e)所示，取下掩模51并進(jìn)行顯影處理，形成構(gòu)成像素開(kāi)口部45和 連接開(kāi)口部35的隔壁50。接下來(lái)，如圖3(a)所示，作為空穴輸送層60，從噴嘴向整個(gè)面噴射墨水化的空穴 輸送性的有機(jī)成膜材料。然后，進(jìn)行真空干燥，接著，通過(guò)在氮環(huán)境氣中進(jìn)行加熱處理來(lái)進(jìn) 行交聯(lián)反應(yīng)。在此，空穴輸送層60是由未進(jìn)行η摻雜的有機(jī)材料形成的層。接下來(lái)，如圖3 (b)所示，在像素開(kāi)口部45內(nèi)，采用例如噴墨法等，涂敷成為發(fā)光層 的糊狀(paste)材料。此時(shí)，以因表面張力而從像素開(kāi)口部45凸起的狀態(tài)涂敷了成為發(fā)光 層的糊狀材料。接下來(lái)，如圖3 (c)所示，使糊狀材料例如在80°C干燥30分鐘左右，使糊狀材料的 溶劑成分揮發(fā)而形成發(fā)光層70。此時(shí)，在發(fā)光部至少由3個(gè)RGB等不同的子像素構(gòu)成的情 況下，在各子像素通過(guò)重復(fù)圖3(b)和圖3 (c)，形成各子像素不同的發(fā)光部的發(fā)光層。接下來(lái)，如圖3(d)所示，例如采用真空蒸鍍法，在整個(gè)面形成金屬層80，使得至少 覆蓋像素開(kāi)口部45和連接開(kāi)口部35。由此，形成作為空穴輸送層60和金屬層80的層疊構(gòu) 造的連接部。金屬層80具有的金屬原子的功函數(shù)與空穴輸送層60的最低未占據(jù)分子軌道的能 級(jí)的絕對(duì)值為相同程度或比其小，所以在輔助布線30的上方的連接部中容易從上述金屬 原子向空穴輸送層60提供電子。因而，在第一電極20的上方的發(fā)光部中未進(jìn)行η摻雜的 空穴輸送層60在連接部中被進(jìn)行η摻雜。 接下來(lái)，如圖3 (e)所示，在金屬層80之上，采用濺射法使例如氧化銦錫等成膜，在 整個(gè)面形成第二電極90。由此，第二電極90與輔助布線30通過(guò)空穴輸送層60和金屬層 80的層疊構(gòu)造而電連接。其后，設(shè)置例如樹(shù)脂層和/或玻璃等而形成保護(hù)層，從而制造有機(jī)EL顯示裝置 100。根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，輔助布線與第二電極通過(guò)連接 部的空穴輸送層和金屬層的層疊構(gòu)造而連接，所以能夠利用電子輸送層抑制驅(qū)動(dòng)電路和/ 或發(fā)光部由于過(guò)電流引起的特性下降，能夠制造壽命等可靠性?xún)?yōu)異的有機(jī)EL顯示裝置。然而，優(yōu)選圖3(d)示出的金屬層80的成膜工序、和圖3(e)示出的第二電極90 的成膜工序?yàn)檫B續(xù)的干式工藝。在此，所謂連續(xù)的干式工藝是在采用了濺射法、蒸鍍法的成 膜工序期間使未完成品在保持高真空度的狀態(tài)下轉(zhuǎn)移的工藝。通過(guò)使從金屬層80的成膜 工序到第二電極90的成膜工序的一系列工藝成為上述連續(xù)的干式工藝，能簡(jiǎn)化制造工藝。另外，由于能抑制不需要的氧化物層介于金屬層80與第二電極90的界面，所以還有助于提 高發(fā)光效率、降低驅(qū)動(dòng)電壓及延長(zhǎng)壽命。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，至少能夠基本上不借助高精細(xì)掩模地形成發(fā)光層、空穴輸 送層、金屬層及第二電極。其結(jié)果，能夠以高生產(chǎn)率高效地制造有機(jī)EL顯示裝置。然而，在本實(shí)施方式中，作為發(fā)光部的結(jié)構(gòu)，以空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層 /金屬層為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。例如，是在發(fā)光層以外至少包括空穴輸送層和金 屬層的結(jié)構(gòu)即可。而且，對(duì)應(yīng)于發(fā)光部的結(jié)構(gòu)，作為介于第二電極與輔助布線之間的連接 部，除了空穴輸送層和金屬層以外，可以至少設(shè)置電子注入層、電子輸送層以及空穴注入層 的任一層。在該情況下，優(yōu)選連接部構(gòu)成為從第二電極流向輔助布線的電流不具有反向的 二極管特性。但是，例如在作為連接部為包括空穴注入層與電子輸送層的層疊構(gòu)造的構(gòu)造等情 況下，假想成從第二電極流向輔助布線的電流具有反向的二極管特性的情況。即使是該情 況，在該層疊構(gòu)造具有的反向二極管特性的反向耐壓比施加于連接部的電壓低的情況下， 從第二電極向輔助布線產(chǎn)生雪崩電流。因而，具有上述層疊構(gòu)造的有機(jī)EL顯示裝置也包含 于本發(fā)明，具有與圖1示出的實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置100同樣的效果。另一方面，在該層疊構(gòu)造具有的反向二極管特性的反向耐壓比施加于連接部的電 壓高的情況下，從第二電極向輔助布線的電流通路被切斷，用于發(fā)光的電流通路也被切斷。 這樣的層疊構(gòu)造在本發(fā)明中是不合適的。也就是說(shuō)，若是包括空穴輸送層60和金屬層80、且相對(duì)于在發(fā)光部流動(dòng)的電流而 并不阻止連接部的電流的流動(dòng)的層結(jié)構(gòu)，則組合是任意的。在此，所謂電子注入層是以電子注入性的材料為主成分的層。所謂電子注入性的 材料為具有如下功能材料，該功能為使從第二電極90側(cè)注入的電子穩(wěn)定地、或輔助電子 的生成地向發(fā)光層70進(jìn)行注入。另外，所謂電子輸送層是以電子輸送性的材料為主成分的層。所謂電子輸送性的 材料為如下材料兼具具有電子受主性并容易變成陰離子的性質(zhì)、和通過(guò)分子間的電荷移 動(dòng)反應(yīng)傳遞產(chǎn)生出的電子的性質(zhì)，適于從第二電極90到發(fā)光層70的電荷輸送。另外，在本實(shí)施方式中，以具有隔壁的有機(jī)EL顯示裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不 限于此。例如，在圖2(e)中，可以通過(guò)在空穴輸送層60的像素開(kāi)口部45以外的區(qū)域設(shè)置 防發(fā)光層的糊狀材料的層而僅在像素開(kāi)口部涂敷發(fā)光層。由此，變?yōu)椴恍枰舯诘男纬晒?序，所以能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)率。然而，在本實(shí)施方式中，按各發(fā)光像素列配置了輔助布線，但并不限于此。圖4是對(duì)表示本發(fā)明實(shí)施方式1的第一變形例的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō) 明的局部俯視圖。如圖4示出的有機(jī)EL顯示裝置200那樣，可以呈矩陣狀配置具備發(fā)光部 96的發(fā)光像素96A，沿著發(fā)光像素行和發(fā)光像素列二維狀地配置輔助布線30和31。由此， 能夠擴(kuò)大輔助布線30及31與第二電極90的連接面積，減小電流密度，提高對(duì)過(guò)電流的緩 沖效果。另外，由于能夠減小依賴(lài)于第二電極與輔助布線的距離的布線電阻，所以能夠抑制 由發(fā)光部的位置引起的驅(qū)動(dòng)電壓不均。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示質(zhì)量更高的有機(jī)EL顯示裝 置。
另外，圖5是對(duì)表示本發(fā)明實(shí)施方式1的第二變形例的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn) 行說(shuō)明的局部俯視圖。圖5示出的有機(jī)EL顯示裝置230的具備發(fā)光部97的發(fā)光像素97A 包括RGB等至少3個(gè)子像素。如該情況那樣，可以在集中3個(gè)子像素的各發(fā)光像素，按各發(fā) 光像素列沿著發(fā)光像素一維地配置輔助布線30。由此，能夠擴(kuò)大子像素的開(kāi)口面積，所以能夠?qū)崿F(xiàn)顯示輝度高的有機(jī)EL顯示裝 置。進(jìn)一步，如果擴(kuò)大輔助布線30的面積，則能夠進(jìn)一步降低流入輔助布線的電流的密度， 提高可靠性，并且能夠大幅度地緩和掩模等的位置對(duì)準(zhǔn)精度，所以能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)率。另外，圖6是對(duì)表示本發(fā)明實(shí)施方式1的第三變形例的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn) 行說(shuō)明的局部俯視圖。圖6示出的有機(jī)EL顯示裝置260的具備發(fā)光部98的發(fā)光像素98A 包括RGB等至少3個(gè)子像素。如該情況那樣，可以在集中3個(gè)子像素的各發(fā)光像素，分別按 各發(fā)光像素列和各發(fā)光像素行二維地配置輔助布線30及31。由此，例如，能夠降低3個(gè)子像素中的配置于中央的子像素中的依賴(lài)于第二電極 與輔助布線的距離的布線電阻，所以能夠進(jìn)一步抑制子像素間的輝度不均。(實(shí)施方式2)以下，利用附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖7是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō)明的局部剖視圖。如 同7那樣，有機(jī)EL顯示裝置300具備基板11和顯示部100A?；?1具備形成有對(duì)發(fā)光部 進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電路層111、和形成在驅(qū)動(dòng)電路層11上的層間絕緣層112。另 外，顯示部100A相當(dāng)于圖IB示出的有機(jī)EL顯示裝置100中的基板10以外的結(jié)構(gòu)。本實(shí) 施方式的有機(jī)EL顯示裝置300的基板的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1不同。以下，省略與實(shí)施方式1 所記載的有機(jī)EL顯示裝置100的相同點(diǎn)的說(shuō)明，僅說(shuō)明不同點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)電路層111包括由例如薄膜晶體管(TFT)等FET(field effect transistor, 場(chǎng)效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)元件(未圖示)。另外，成為驅(qū)動(dòng)元件的薄膜晶體管一般包括柵 電極和隔著絕緣膜而相對(duì)的源電極與漏電極，省略詳細(xì)的說(shuō)明。另外，層間絕緣層112形成在驅(qū)動(dòng)電路層111之上。而且，通過(guò)形成于層間絕緣層 112的導(dǎo)電通孔113，連接第一電極20與驅(qū)動(dòng)元件的電極端子(未圖示)。顯示部100A形成在層間絕緣層112上。以下，使用附圖對(duì)驅(qū)動(dòng)發(fā)光部的驅(qū)動(dòng)電路層111進(jìn)行說(shuō)明。圖8是本發(fā)明實(shí)施方 式2的有機(jī)EL顯示裝置的主要的電路結(jié)構(gòu)圖。如同8所示，驅(qū)動(dòng)電路層111作為驅(qū)動(dòng)元件 具備由Nch-FET (N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的開(kāi)關(guān)晶體管Trl、由Pch-FET (P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶 體管)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2、和保持電容C。而且，Trl的漏電極與數(shù)據(jù)線連接，Trl的柵 電極與掃描線連接，進(jìn)一步Trl的源電極與保持電容C和Tr2的柵電極連接。另外，Tr2的 源電極與電源Vdd連接，Tr2的漏電極與發(fā)光部的第一電極20連接。在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)在掃描線輸入選擇信號(hào)、使Trl成為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，則通過(guò)數(shù)據(jù)線而 供給的數(shù)據(jù)信號(hào)作為電壓值被寫(xiě)入到保持電容C。而且，寫(xiě)入到保持電容C的保持電壓通 過(guò)1幀期間而被保持，通過(guò)該保持電壓，Tr2的電導(dǎo)模擬性(analog，連續(xù)性)地變化，與發(fā) 光灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的正向偏置電流被供給至第一電極。進(jìn)一步，供給至第一電極的正向偏置 電流通過(guò)發(fā)光部、第二電極、具有例如空穴輸送層與金屬層的層疊構(gòu)造的連接部而經(jīng)由輔 助布線進(jìn)行流動(dòng)。由此，發(fā)光部的發(fā)光層根據(jù)電流進(jìn)行發(fā)光，從而作為圖像進(jìn)行顯示。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式為如下結(jié)構(gòu)使第一電極與驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)元件的漏電極 連接，使電流在輔助布線上流動(dòng)。由此，能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)與驅(qū)動(dòng)電路層111 一體化了的有源矩陣型的有機(jī)EL 顯示裝置300，并且能夠抑制向像素內(nèi)流入過(guò)電流，能夠大幅度地降低像素間的輝度不均。然而，圖8是有機(jī)EL顯示裝置的主要的電路結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，即使是其他電路結(jié) 構(gòu)當(dāng)然也能夠適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于本發(fā)明。例如，即使是第一電極與驅(qū)動(dòng)元件的源電極連接的電 路結(jié)構(gòu)，也能實(shí)現(xiàn)同樣的效果。(實(shí)施方式3)以下，使用附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖9A是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō)明的局部俯視圖。 另外，圖9B是沿圖9A的A-A’線剖切得到的要部剖視圖。如圖9B所示那樣，本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置400包括基板12、設(shè)置在基板 12上的第一電極、設(shè)置在基板12內(nèi)的輔助布線33、設(shè)置在第一電極20上的空穴注入層40、 形成像素開(kāi)口部45和連接開(kāi)口部35的隔壁50、設(shè)置在它們的上面的空穴輸送層60、設(shè)置 于像素開(kāi)口部45的發(fā)光層70、設(shè)置在它們的上面的金屬層80、和設(shè)置在金屬層80上的第 二電極90?；?2由多層構(gòu)成，具備作為基板12的最上層的第一層121、和第二層122。第 一電極20形成在第一層121之上，輔助布線33形成在第二層122之上。本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置400與實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示裝置100相比， 結(jié)構(gòu)上在如下方面不同，即基板12由多層構(gòu)成，在基板的最上層設(shè)置有第一電極120，在與 該最上層不同的層形成有輔助布線33。另外，如圖9A所示，有機(jī)EL顯示裝置400的具備發(fā)光部99的發(fā)光像素99A配置 為矩陣狀，輔助布線33是沿著各發(fā)光部99按各發(fā)光像素列配置而設(shè)置的。然而，圖9B示 出的空穴輸送層60、金屬層80及第二電極90是遍及圖9A示出的局部俯視圖的整個(gè)面而形 成的。而且，輔助布線33與第二電極90在沿著輔助布線33設(shè)置的連接開(kāi)口部35中，通過(guò) 由空穴輸送層60和金屬層80構(gòu)成的連接部而電連接。然而，作為連接開(kāi)口部35的第二電極90與輔助布線30之間的層結(jié)構(gòu)，若是包括 空穴輸送層60和金屬層80以外的層、且相對(duì)于電流的流動(dòng)方向而并不阻止電流流動(dòng)的層 結(jié)構(gòu)，則并不限定于上述構(gòu)造。具有這樣的多層構(gòu)造的有機(jī)EL顯示裝置也包含于本發(fā)明， 具有與圖9A和圖9B所示的實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置400同樣的效果。另外，發(fā)光部99至少包括設(shè)置于像素開(kāi)口部45的發(fā)光層70、空穴輸送層60及金 屬層80，從第二電極90面?zhèn)壬涑鐾ㄟ^(guò)注入到發(fā)光層70的電子與空穴的復(fù)合而產(chǎn)生的光。然 而，第一電極20與發(fā)光部99對(duì)應(yīng)地按各發(fā)光像素分離而設(shè)置。即，在發(fā)光部至少包括3個(gè) RGB等子像素的情況下，對(duì)應(yīng)于各子像素，發(fā)光部99和第一電極20按各像素分離而設(shè)置。然而，構(gòu)成有機(jī)EL顯示裝置400的基板12、發(fā)光層70等各構(gòu)成要素的材料等與實(shí) 施方式1相同，所以省略說(shuō)明。根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)將輔助布線和第一電極分別設(shè)置于基板的不同層，也能夠 形成為例如輔助布線與第一電極重疊，所以能夠大幅度地?cái)U(kuò)大輔助布線的面積。而且，能夠 與其對(duì)應(yīng)地?cái)U(kuò)大連接開(kāi)口部35的面積。其結(jié)果，通過(guò)擴(kuò)大第二電極與由空穴輸送層和金屬層構(gòu)成的連接部的連接面積、及輔助布線與該連接部的連接面積，能夠有效地抑制過(guò)電流。 進(jìn)一步，能夠立體地配置第一電極和輔助布線，所以能夠大幅度地緩和對(duì)布線電極形狀、大 小的限制。在上述的情況下，例如若是與形成于基板的驅(qū)動(dòng)元件的電極端子連接的導(dǎo)電通 孔與輔助布線不電短路，則可以在整個(gè)面形成輔助布線。另外，在本實(shí)施方式中，也與實(shí)施方式1同樣地，可以至少利用各發(fā)光像素行和各 發(fā)光像素列中的任一者，一維或二維地設(shè)置輔助布線。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠立體地配置輔助布線和第一電極，所以能夠增大第一 電極的面積，由此，能夠大幅度地?cái)U(kuò)大發(fā)光部的開(kāi)口面積。其結(jié)果，能夠以低的驅(qū)動(dòng)電壓和 /或少的驅(qū)動(dòng)電流使發(fā)光部發(fā)光，所以能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)壽命且可靠性?xún)?yōu)異的有機(jī)EL顯示裝置。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠以不同的材料構(gòu)成第一電極和輔助布線，所以，根據(jù) 所需的電阻率，輔助布線的最佳材料等的選擇范圍擴(kuò)大，另外，根據(jù)發(fā)光部的結(jié)構(gòu)，第一電 極的最佳材料等的選擇范圍擴(kuò)大。例如，在下面發(fā)光方式的情況下，能夠以透明性導(dǎo)電材料 形成第一電極，以金屬材料形成輔助電極。以下，使用附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō) 明。圖10 圖12是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的 剖視圖。首先，如圖10(a)所示，在由多層構(gòu)成的基板12的成為下層的第二層122上，采用 例如真空蒸鍍法或?yàn)R射法在整個(gè)面形成Al。然后，采用光刻法，對(duì)Al進(jìn)行蝕刻，在預(yù)定的位 置形成輔助布線33。此時(shí)，沿著呈二維的矩陣狀排列的發(fā)光部的例如行或列，一維或二維地 配置而形成輔助布線33。進(jìn)一步，尤其在上面發(fā)光方式的情況下，若不與驅(qū)動(dòng)各發(fā)光部的驅(qū) 動(dòng)電路發(fā)生短路等，則可以在任意的位置形成輔助布線。接下來(lái)，如圖10(b)所示，例如采用CVD (Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相淀 積)或?yàn)R射法等，利用硅等的氧化膜形成作為基板的最上層的第一層121。此時(shí)，優(yōu)選通 過(guò)例如CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械拋光)法等使第一層121的表面平 坦化。接下來(lái)，如圖10(c)所示，首先，采用例如真空蒸鍍法或?yàn)R射法，在第一層121上整 個(gè)面地形成Al。然后，采用光刻法，對(duì)Al進(jìn)行蝕刻，在預(yù)定的位置形成第一電極20。然后， 作為空穴注入層40，采用例如噴墨法等，使例如PEDOT等至少成膜于第一電極20上的相當(dāng) 于像素開(kāi)口部的位置。接下來(lái)，如圖10(d)所示，形成抗蝕劑膜125，該抗蝕劑膜125在與第一電極20不 同、且成為沿著輔助布線33形成的連接開(kāi)口部35的位置形成了開(kāi)口部。接下來(lái)，如圖10(e)所示，通過(guò)抗蝕劑膜125的開(kāi)口部，對(duì)第一層121進(jìn)行蝕刻。由 此，露出輔助布線33。接下來(lái)，如圖11(a)所示，在整個(gè)面涂敷負(fù)片型的光致抗蝕劑50A。然后，在負(fù)片型 的光致抗蝕劑50A之上，使掩模51位置對(duì)準(zhǔn)地將其載置，該掩模51在相當(dāng)于像素開(kāi)口部45 和連接開(kāi)口部35的位置具有遮光部。然后，通過(guò)該掩模51，采用光刻法對(duì)光致抗蝕劑50A 進(jìn)行曝光。接下來(lái)，如圖11(b)所示，取下掩模51，進(jìn)行固化處理，形成構(gòu)成像素開(kāi)口部45和連接開(kāi)口部35的隔壁50。接下來(lái)，如圖11(c)所示，作為空穴輸送層60，將墨水化的空穴輸送性的有機(jī)成膜 材料從噴嘴噴射到整個(gè)面。然后，進(jìn)行真空干燥，接著，通過(guò)在氮環(huán)境氣中進(jìn)行加熱處理而 進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)。在此，空穴輸送層60為由未進(jìn)行η摻雜的有機(jī)材料形成的層。接下來(lái)，如圖11(d)所示，在像素開(kāi)口部45內(nèi)，例如采用噴墨法等，涂敷成為發(fā)光 層的糊狀材料。此時(shí)，以因表面張力而從像素開(kāi)口部45凸起的狀態(tài)涂敷成為發(fā)光層的糊狀 材料。接下來(lái)，如圖11(e)所示，使糊狀材料例如在80°C干燥30分鐘左右，使糊狀材料的 溶劑成分揮發(fā)而形成發(fā)光部的發(fā)光層70。然而，此時(shí)，在發(fā)光部至少包括3個(gè)RGB等不同的 子像素的情況下，在各子像素，通過(guò)重復(fù)圖11(d)和圖11(e)而形成像素，該像素形成了在 子像素不相同的發(fā)光部的發(fā)光層。接下來(lái)，如圖12(a)所示，例如采用真空蒸鍍法，將金屬層80形成于整個(gè)面，使得 至少覆蓋像素開(kāi)口部45和連接開(kāi)口部35。由此，形成作為空穴輸送層60和金屬層80的層 疊構(gòu)造的連接部。由于金屬層80具有的金屬原子的功函數(shù)與空穴輸送層60的最低未占據(jù)分子軌道 的能級(jí)的絕對(duì)值為相同程度或比其小，所以在輔助布線33的上方的連接部中容易從上述 金屬原子向空穴輸送層60提供電子。因而，在第一電極20的上方的發(fā)光部中未進(jìn)行η摻 雜的空穴輸送層60在連接部被進(jìn)行η摻雜。接下來(lái)，如圖12(b)所示，在金屬層80之上，采用濺射法使例如氧化銦錫等成膜， 形成第二電極90。由此，第二電極90與輔助布線33通過(guò)空穴輸送層60與金屬層80的層 疊構(gòu)造而電連接。其后，與實(shí)施方式1同樣地，例如設(shè)置樹(shù)脂層和/或玻璃等而形成保護(hù)層，從而制 造有機(jī)EL顯示裝置400。根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，能得到與實(shí)施方式1同樣的效^ ο另外，根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，通過(guò)將輔助布線與第一電 極設(shè)置于基板具有的不同的層，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大第二電極與輔助布線的連接面積。由此，能 夠高生產(chǎn)率地制造降低電流密度、使對(duì)過(guò)電流的緩沖效果進(jìn)一步提高、抑制驅(qū)動(dòng)電壓的變 動(dòng)、輝度不均少的顯示質(zhì)量高的有機(jī)EL顯示裝置。另外，根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，輔助布線和第一電極能夠 立體地配置，所以能夠增大第一電極的面積而大幅度地?cái)U(kuò)大發(fā)光部的開(kāi)口面積。其結(jié)果，由 于能夠以低驅(qū)動(dòng)電壓和/或少的驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行發(fā)光，所以能夠制造長(zhǎng)壽命且可靠性?xún)?yōu)異的 有機(jī)EL顯示裝置。另外，根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，能夠以不同的材料形成第 一電極和輔助布線，所以輔助布線能夠根據(jù)所需的電阻率任意選擇最佳的材料，另外，第一 電極能夠根據(jù)發(fā)光部的結(jié)構(gòu)任意選擇最佳的材料。其結(jié)果，能夠容易地制造材料等的選擇 自由度高的有機(jī)EL顯示裝置。然而，優(yōu)選圖12 (a)示出的金屬層80的成膜工序、與圖12 (b)示出的第二電極90 的成膜工序?yàn)檫B續(xù)的干式工藝。通過(guò)使從金屬層80的成膜工序到第二電極90的成膜工序的一系列工藝成為上述連續(xù)的干式工藝，能簡(jiǎn)化制造工藝。另外，因?yàn)槟芤种撇恍枰难趸?物層等介于金屬層80與第二電極90之間的界面，所以還有助于有機(jī)EL顯示裝置提高發(fā)光 效率、降低驅(qū)動(dòng)電壓及延長(zhǎng)壽命。然而，在本實(shí)施方式中，作為發(fā)光部的結(jié)構(gòu)，以空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層 /金屬層為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。例如，是在發(fā)光層以外至少包括空穴輸送層和金 屬層的構(gòu)成即可。而且，對(duì)應(yīng)于發(fā)光部的結(jié)構(gòu)，作為介于第二電極與輔助布線之間的連接 部，可以在空穴輸送層和金屬層以外，至少設(shè)置電子注入層、電子輸送層及空穴注入層中的
任一層。在該情況下，優(yōu)選連接部構(gòu)成為從第二電極流向輔助布線的電流不具有反向的 二極管特性。但是，例如，在作為連接部為包括空穴注入層與電子輸送層的層疊構(gòu)造的構(gòu)造等 情況下，假設(shè)成從第二電極流向輔助布線的電流具有反向的二極管特性的情況。即使是 該場(chǎng)合，在該層疊構(gòu)造具有的反向二極管特性的反向耐壓比施加于連接部的電壓低的情況 下，也從第二電極向輔助布線產(chǎn)生雪崩電流。因而，具有上述層疊構(gòu)造的有機(jī)EL顯示裝置 也包含于本發(fā)明，具有與圖12示出的實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置400同樣的效果。另一方面，在該層疊構(gòu)造具有的反向二極管特性的反向耐壓比施加于連接部的電 壓高的情況下，從第二電極向輔助布線的電流通路被切斷，用于發(fā)光的電流通路也被切斷。 這樣的層疊構(gòu)造在本發(fā)明中是不合適的。也就是說(shuō)，若是包括空穴輸送層及金屬層、且相對(duì)于在發(fā)光部流動(dòng)的電流而并不 阻止連接部的電流流動(dòng)的層構(gòu)造，則組合是任意的。另外，在本實(shí)施方式中，以具有隔壁50的有機(jī)EL顯示裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并 不限于此。例如，在圖11(c)中，可以通過(guò)在空穴輸送層60的像素開(kāi)口部45以外的區(qū)域設(shè) 置防發(fā)光層的糊狀材料的層，從而僅在像素開(kāi)口部涂敷發(fā)光層。由此，由于不需要隔壁的形 成工序，所以能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)率。然而，在本實(shí)施方式中，按各發(fā)光像素列配置了輔助布線，但并不限于此。(實(shí)施方式4)以下，使用附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式4的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖13是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式4的有機(jī)EL顯示裝置的要部進(jìn)行說(shuō)明的局部剖視圖。 如同13那樣，有機(jī)EL顯示裝置500具備基板13和顯示部500A?；?3具備基層130、形 成了驅(qū)動(dòng)發(fā)光部的驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電路層131、以及形成在驅(qū)動(dòng)電路層131上的層間絕緣 層132。另外，顯示部500A相當(dāng)于圖9B示出的有機(jī)EL顯示裝置400中的基板12以外的結(jié) 構(gòu)。本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置500的基板的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式3不同。以下，省略與實(shí) 施方式3所記載的有機(jī)EL顯示裝置400的相同點(diǎn)的說(shuō)明，僅說(shuō)明不同點(diǎn)。第一電極120形成在層間絕緣層132上。輔助布線34形成在基層130上。驅(qū)動(dòng)電路層131形成在基層130上，例如，包括由TFT等FET構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)元件(未 圖示)。另外，層間絕緣層132形成在驅(qū)動(dòng)電路層131上。而且，通過(guò)形成在層間絕緣層 132的導(dǎo)電通孔133，連接第一電極20和驅(qū)動(dòng)元件的電極端子(未圖示)。
在本結(jié)構(gòu)中，通過(guò)形成在層間絕緣層132的導(dǎo)電通孔133連接第一電極20和驅(qū)動(dòng) 元件的電極端子(未圖示)，通過(guò)在連接開(kāi)口部35由空穴輸送層60與金屬層80的層疊構(gòu) 造構(gòu)成的連接部連接第二電極90和輔助布線34。另外，本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置500的主要的電路結(jié)構(gòu)圖與圖8示出的實(shí)施 方式2中的有機(jī)EL顯示裝置300的主要的電路結(jié)構(gòu)圖相同。根據(jù)本實(shí)施方式，能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)與驅(qū)動(dòng)電路層131 —體化了的有源矩陣 型的有機(jī)EL顯示裝置500。另外，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制向像素內(nèi)流入過(guò)電流、并且抑制發(fā)光部的驅(qū) 動(dòng)電壓的變動(dòng)、降低了發(fā)光部的輝度不均的具備高顯示質(zhì)量的有機(jī)EL顯示裝置。以上，基于實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置及其制造方法進(jìn)行了說(shuō)明，但本 發(fā)明涉及的有機(jī)EL顯示裝置并不限定于上述實(shí)施方式。使實(shí)施方式1 4及其變形例中 的任意的構(gòu)成要素組合而實(shí)現(xiàn)的其它實(shí)施方式、對(duì)實(shí)施方式1 4及其變形例實(shí)施本領(lǐng)域 的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)想出的各種變形而得到的變形例、以及內(nèi)置了本 發(fā)明涉及的有機(jī)EL顯示裝置的各種設(shè)備也包含于本發(fā)明。例如，具有實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示裝置400的剖面構(gòu)造、作為平面布置而具有 表示實(shí)施方式1的第一變形例、第二變形例以及第三變形例的有機(jī)EL顯示裝置的輔助布線 30及31的有機(jī)EL顯示裝置也能實(shí)現(xiàn)與實(shí)施方式1 4中得到的效果同樣的效果。然而，在實(shí)施方式1 4中，構(gòu)成連接部的層作為構(gòu)成發(fā)光部的層的一部分進(jìn)行了 說(shuō)明，但構(gòu)成連接部的層不需要與構(gòu)成發(fā)光部的層連續(xù)。圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1 的第四變形例的有機(jī)EL顯示裝置的要部剖視圖。圖14中的有機(jī)EL顯示裝置600與圖IB 示出的有機(jī)EL顯示裝置100相比，不同點(diǎn)是金屬層80僅形成在連接部。在此，在上述的本發(fā)明實(shí)施方式1的第四變形例中，金屬層80不是發(fā)光部的構(gòu)成 層，而是僅為了將電子提供到連接部的空穴輸送層60的功能所需的層。在該情況下，當(dāng)形 成金屬層80時(shí)，因?yàn)閮H在連接部形成金屬層80，或者因?yàn)槭沟迷诎l(fā)光部不形成金屬層80， 所以需要掩模工藝。該情況下，制造工藝的容易性比實(shí)施方式1 4的情況差，但是通過(guò)至 少將進(jìn)行了 η摻雜的空穴輸送性的材料用作連接部，抑制向像素內(nèi)流入過(guò)電流、并抑制輝 度不均這樣的本發(fā)明的課題得到解決。另外，在實(shí)施方式1 4中，在具有使發(fā)光部中的空穴輸送層60和連接部中的空 穴輸送層60分割開(kāi)的構(gòu)造的情況下，也能實(shí)現(xiàn)與由表示上述的實(shí)施方式1的第四變形例的 有機(jī)EL顯示裝置所得到的效果同樣的效果。另外，在實(shí)施方式1 4中，采用與金屬層80相接而形成了第二電極90的構(gòu)造，但 也可以在金屬層80與第二電極90之間形成電子輸送性的層。例如，通過(guò)如下的制造工藝形 成電子輸送性的層。首先，通過(guò)真空蒸鍍法，作為金屬層80制作5nm的鋇(Aldrich制，純 度99%以上)膜。接下來(lái)，通過(guò)共蒸鍍法制作20nm的混合了 20%鋇的有機(jī)化合物Alq(新 日鐵化學(xué)制，純度99%以上)膜。最后，采用住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社制的等離子涂敷裝置 形成IOOnm的ITO電極作為第二電極90。另外，例如，本發(fā)明涉及的有機(jī)EL顯示裝置能內(nèi)置于圖15所示的薄型平板電視 機(jī)。通過(guò)具有過(guò)電流防止功能且抑制了輝度不均的本發(fā)明涉及的有機(jī)EL顯示裝置，能實(shí)現(xiàn) 具備高顯示質(zhì)量的薄型平板電視機(jī)。本發(fā)明涉及的有機(jī)EL顯示裝置由于低驅(qū)動(dòng)電壓且高效率、長(zhǎng)壽命，所以作為顯示器件的像素發(fā)光源、液晶顯示器的背光源、各種照明光源、光器件的光源等是有用的，尤其 適合應(yīng)用到與TFT組合的有源矩陣型有機(jī)EL顯示面板。標(biāo)號(hào)說(shuō)明10、11、12、13、710、810 基板20、720、820 第一電極30、31、33、34、730、830 輔助布線35連接開(kāi)口部40空穴注入層45像素開(kāi)口部50、740、840 隔壁50A光致抗蝕劑51 掩模60空穴輸送層70、860 發(fā)光層80金屬層90、760、880 第二電極95、96、97、98、99 發(fā)光部95A、96A、97A、98A、99A 發(fā)光像素100、200、230、260、300、400、500、600 有機(jī) EL 顯示裝置100A、500A 顯示部111、131驅(qū)動(dòng)電路層112、132層間絕緣層113、133 導(dǎo)電通孔121 第一層122 第二層125抗蝕劑膜130 基層700顯示裝置745 開(kāi)口部750光調(diào)制層800發(fā)光裝置850第一緩沖層870第二緩沖層
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，具備基板；在所述基板上或所述基板內(nèi)形成的第一電極；在所述基板上或所述基板內(nèi)與所述第一電極電絕緣地形成的輔助布線；在所述第一電極的上方形成的含有發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層；介于所述發(fā)光層與所述第一電極之間、向所述發(fā)光層進(jìn)行空穴輸送的空穴輸送層；以及在所述發(fā)光層的上方形成的第二電極，所述空穴輸送層及所述第二電極從所述第一電極的上方延伸設(shè)置到所述輔助布線的上方，在所述輔助布線上方的所述空穴輸送層與所述第二電極之間設(shè)有金屬層，所述第二電極與所述輔助布線經(jīng)由所述空穴輸送層及所述金屬層而電連接，所述金屬層含有功函數(shù)與所述空穴輸送層的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值為相同程度或比其小的金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，所述第一電極上方的所述空穴輸送層為由未進(jìn)行η摻雜的有機(jī)材料形成的層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，介于所述第二電極與所述輔助布線之間的所述空穴輸送層，通過(guò)與介于所述第二電極 與所述空穴輸送層之間的所述金屬層的接觸而被進(jìn)行η摻雜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，關(guān)于所述金屬層所含有的所述金屬，從該金屬的功函數(shù)值減去所述空穴輸送層的最低 未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值而得到的值為0. 5eV以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，關(guān)于所述金屬層所含有的所述金屬，從該金屬的功函數(shù)值減去所述空穴輸送層的最低 未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值而得到的值為-0. 5eV以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，所述輔助布線上方的所述空穴輸送層的η摻雜濃度比所述第一電極上方的所述空穴 輸送層的η摻雜濃度高。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述金屬層從所述第一電極上到所述輔助布線上連續(xù)地形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述金屬層為在所述第一電極的上方向所述發(fā)光層注入電子的電子注入層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，所述金屬層的金屬原子在所述輔助布線上擴(kuò)散到所述空穴輸送層的位于與第一主面 相反一側(cè)的第二主面的附近，所述第一主面是所述金屬層與所述空穴輸送層的界面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述金屬層的金屬原子到達(dá)至距所述第二主面5nm以?xún)?nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1 10中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述空穴輸送層的膜厚在所述輔助布線上為大于Onm且小于等于50nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1 11中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述基板至少具有第一層及與該第一層不同的第二層，所述第一電極形成在所述第一層上， 所述輔助布線形成在所述第二層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1 12中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置呈矩陣狀配置有多個(gè)發(fā)光像素，所述發(fā)光像素包括所述第 一電極、所述發(fā)光層以及所述第二電極，所述第一電極及所述發(fā)光層至少按各所述發(fā)光像素分離地設(shè)置， 所述輔助布線至少按各列所述發(fā)光像素和各行所述發(fā)光像素的任一方而配置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述多個(gè)發(fā)光像素分別由至少三個(gè)子像素構(gòu)成，所述第一電極及所述發(fā)光層按各所述子像素分離地設(shè)置，所述輔助布線至少按各列所述子像素和各行所述子像素的任一方而配置。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述多個(gè)發(fā)光像素分別由至少三個(gè)子像素構(gòu)成，所述第一電極及所述發(fā)光層按各所述子像素分離地設(shè)置， 所述輔助布線至少按各列所述發(fā)光像素和各行所述發(fā)光像素的任一方而配置。
16.根據(jù)權(quán)利要求1 15中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述基板進(jìn)一步具備在所述第一電極之下配置的層間絕緣層；和驅(qū)動(dòng)電路層，該驅(qū)動(dòng)電路層配置在所述層間絕緣層之下，具有對(duì)包括所述第一電極、所 述發(fā)光層以及所述第二電極的發(fā)光像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)元件，經(jīng)由設(shè)置在所述層間絕緣層的導(dǎo)電通孔，連接所述第一電極和所述驅(qū)動(dòng)元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 所述驅(qū)動(dòng)元件包括薄膜晶體管，所述第一電極經(jīng)由所述導(dǎo)電通孔而與所述驅(qū)動(dòng)元件的源極端子或漏極端子連接。
18.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置配置有多個(gè) 發(fā)光像素，該制造方法包括第一形成工序，在基板上或基板內(nèi)，形成第一電極和與該第一電極電絕緣的輔助布線.一入 ，第二形成工序，在所述第一電極的上方形成發(fā)光部，所述發(fā)光部包括含有發(fā)光物質(zhì)的 發(fā)光層和向該發(fā)光層進(jìn)行空穴輸送的空穴輸送層，在所述輔助布線的上方，形成包括所述 空穴輸送層和金屬層的連接部，所述金屬層與該空穴輸送層相接，含有功函數(shù)比所述空穴 輸送層的最低未占據(jù)分子軌道的能級(jí)的絕對(duì)值小的金屬；第三形成工序，在所述第二形成工序之后，至少在所述發(fā)光部及所述連接部之上形成 第二電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法， 在所述第二形成工序中，所述發(fā)光部包括所述金屬層，遍及所述發(fā)光部及所述連接部連續(xù)地形成所述金屬層和所述空穴輸送層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法， 所述基板至少具有第一層和與該第一層不同的第二層，在所述第一形成工序中，在所述第一層之上形成所述第一電極，在所述第二層之上形成所述輔助布線。
21.根據(jù)權(quán)利要求18 20中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法， 所述第二形成工序中的形成在所述輔助布線上的所述金屬層、和所述第三形成工序中的所述第二電極通過(guò)連續(xù)的干式工藝來(lái)形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求18 21中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法， 在所述第一形成工序之前，包括驅(qū)動(dòng)層形成工序，作為所述基板的構(gòu)成層，形成具有對(duì)所述發(fā)光像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng) 元件的驅(qū)動(dòng)電路層；絕緣層形成工序，在所述驅(qū)動(dòng)電路層之上，作為所述基板的最上層，形成具有使所述驅(qū) 動(dòng)元件和所述第一電極導(dǎo)通的導(dǎo)電通孔的層間絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法。有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(100)，具備基板(10)；形成在基板(10)上的第一電極(20)；與第一電極(20)電絕緣地形成的輔助布線(30)；形成在第一電極(20)上的發(fā)光層(70)；介于發(fā)光層(70)與第一電極(20)之間、向發(fā)光層(70)進(jìn)行空穴輸送的空穴輸送層(60)；以及形成在發(fā)光層(70)的上方的第二電極(90)，空穴輸送層(60)及第二電極(90)從第一電極(20)的上方延伸設(shè)置到輔助布線(30)的上方，在輔助布線(30)上方的空穴輸送層(60)與第二電極(90)之間設(shè)有金屬層(80)，第二電極(90)與輔助布線(30)經(jīng)由空穴輸送層(60)及金屬層(80)而電連接，金屬層(80)含有功函數(shù)與空穴輸送層(60)的LUMO(最低未占據(jù)分子軌道)能級(jí)的絕對(duì)值為相同程度或比其小的金屬。
文檔編號(hào)H05B33/10GK101911832SQ200980101528
公開(kāi)日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2009年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月18日
發(fā)明者奧本健二 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社