專利名稱：多引線通孔的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種通孔的形成方法及其結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種多引線通孔 (multi-trace via)的形成方法及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB ；簡(jiǎn)稱電路板)是消費(fèi)性電子產(chǎn)品的一 個(gè)不可或缺的重要機(jī)構(gòu)組件，其依照電路設(shè)計(jì)，將連接電路零組件的電氣布線繪成圖形，結(jié) 合原材料及銅箔基板(Copper-clad Laminate簡(jiǎn)稱CCL)再經(jīng)由機(jī)械加工、表面處理等過 程，使電氣導(dǎo)體在絕緣體上重現(xiàn)，利用電路板所具有的電子線路將各項(xiàng)零組件連接以發(fā)揮 其功能。電路板可略分三大類單面板、雙面板及多層板。早期單面板的制作方式是以 銅箔直接蝕刻為主，但由于電子產(chǎn)品走向多功能、小型化，過去的單面板已無法承擔(dān)日益 復(fù)雜的線路，因此開發(fā)出雙面板以承載雙面線路。在集成電路世代來臨后，計(jì)算機(jī)應(yīng)用日 益普及，電子零組件朝小型化發(fā)展下，多層板的使用需求日漸升高。在多層板中，介電層 (Dielectric)用來保持線路及各層之間的絕緣性，俗稱為基材。而導(dǎo)通孔(Plated Through Hole,PTH)則是讓兩層以上的線路可以彼此導(dǎo)通。隨著電子設(shè)備越來越復(fù)雜，產(chǎn)品尺寸也越來越小，除了需要的零件數(shù)變多，PCB上 頭的線路與零件的密集度也越來越高。若導(dǎo)通孔的尺寸變小就可以在一定面積中增加導(dǎo)通 孔的數(shù)目，但礙于工藝上的限制，過小的導(dǎo)通孔較難制作，可能會(huì)影響到制成導(dǎo)通孔的穩(wěn)定 度。目前在半導(dǎo)體工藝中已有單一個(gè)導(dǎo)通孔可供多條引線使用的相關(guān)技術(shù)提出，以符合市 場(chǎng)上對(duì)于小尺寸和多功能電子產(chǎn)品的需求。如美國(guó)專利案，案號(hào)US 6，073，344提出以激光 方式對(duì)基材上位于通孔旁的導(dǎo)電層進(jìn)行激光切割，以形成多條獨(dú)立引線，該些引線可經(jīng)由 同一通孔進(jìn)行不同層線路的導(dǎo)通。然而，此種直接在導(dǎo)電材料上使用激光而形成線路圖案 的方式，十分耗費(fèi)時(shí)間，而且很容易造成導(dǎo)電材料下方的介電層/絕緣基材的表面有所損 傷，進(jìn)而影響產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種多引線通孔(multi-trace via)的形成方法及其結(jié)構(gòu)，以快速 形成多引線通孔，且形成的各層結(jié)構(gòu)也十分完整沒有損傷，進(jìn)而提高產(chǎn)品良率。根據(jù)本發(fā)明第一方面，提出一種形成至少一多引線通孔(multi-trace via)的方 法，包括提供一基材，至少具有一第一表面和一孔洞，孔洞具有一孔壁，且該孔壁包括一電 性絕緣材料；形成一第一導(dǎo)電層于基材的整個(gè)表面和孔壁上；形成一光阻層于第一導(dǎo)電層的整個(gè)表面上，且選擇性地圖案化光阻層，以在第一 導(dǎo)電層上定義出數(shù)個(gè)由該第一表面延伸至孔壁上的側(cè)向分離區(qū)域(laterallys印aratedregions)；以圖案化光阻層為一屏蔽，在該些側(cè)向分離區(qū)域上電鍍一第二導(dǎo)電層，且第二導(dǎo) 電層的厚度實(shí)質(zhì)上大于第一導(dǎo)電層的厚度；移除圖案化光阻層；以及實(shí)質(zhì)上地移除未被第二導(dǎo)電層覆蓋的部分第一導(dǎo)電層因而形成數(shù)個(gè)側(cè)向分離的 引線，而該些側(cè)向分離的弓丨線延伸在第一表面上且通過孔洞。根據(jù)本發(fā)明第二方面，提出另一種形成至少一多引線通孔(multi-trace via)的 方法，包括提供一基材，具有一第一表面和一孔洞，孔洞具有一孔壁；形成一第一導(dǎo)電層于基材的第一表面和孔壁上；對(duì)于孔洞內(nèi)和孔洞周圍的第一導(dǎo)電層選擇性地進(jìn)行圖案化，以定義出數(shù)個(gè)絕緣區(qū) (insulating regions)，其中該些絕緣區(qū)由移除第一導(dǎo)電層所形成，并且每一該些絕緣區(qū) 由基材的第一表面延伸至孔壁上；覆蓋一光阻層于第一導(dǎo)電層的整個(gè)表面和該些絕緣區(qū)，且選擇性地圖案化光阻 層，以在第一導(dǎo)電層上定義出數(shù)個(gè)第一區(qū)域(laterally separated regions)和暴露出該 些絕緣區(qū)的一第二區(qū)域，其中至少兩個(gè)第一區(qū)域與第二區(qū)域連接；以圖案化光阻層為一屏蔽，在該些第一區(qū)域上和第二區(qū)域上該些絕緣區(qū)的外的區(qū) 域電鍍一第二導(dǎo)電層，而對(duì)應(yīng)第二區(qū)域的該些絕緣區(qū)以圖案化光阻層為一屏蔽進(jìn)行電鍍， 且所形成的第二導(dǎo)電層的厚度實(shí)質(zhì)上大于第一導(dǎo)電層的厚度；移除圖案化光阻層；以及實(shí)質(zhì)上地移除未被第二導(dǎo)電層覆蓋的第一導(dǎo)電層的部分，因而形成數(shù)個(gè)側(cè)向分離 的引線，而該些側(cè)向分離的引線在第一表面上延伸且通過孔洞。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì) 說明如下


圖1 7C繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的形成多引線通孔(multi-trace via)的 過程示意圖。圖8 15B繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的形成多引線通孔(multi-trace via)的 過程示意圖。圖16繪示依照本發(fā)明實(shí)施例于基材上形成多條無連接盤的引線(landless trace)的示意圖。圖17 18為在電子顯微鏡下所拍攝的照片。主要組件符號(hào)說明10、50 基材101 第一表面102 第二表面104a 104d 絕緣區(qū)11 孔洞
112:孔壁116a、116b、116c、116d 獨(dú)立空間12:第一導(dǎo)電層121、122、123、124 側(cè)向分離區(qū)域125a 125d:區(qū)域第一區(qū)域126 129第二區(qū)域13014、34、54 光阻層14，、34，、54，圖案化光阻層16、56:第二導(dǎo)電層16’ 圖案化的第二導(dǎo)電層161 164、561 564、661 664 引線20、40、60 屏蔽211 214、410、610 不透光區(qū)220,420,620 透光區(qū)
具體實(shí)施例方式實(shí)施例所提出的多引線通孔(multi-trace via)的形成方法，除了可形成完整的 引線和通孔結(jié)構(gòu)，引線以外所裸露出的電性絕緣材料亦無損壞，因此可提高產(chǎn)品良率。以下 提出本發(fā)明的相關(guān)實(shí)施例。然而，實(shí)施例中所提出的形成方法及結(jié)構(gòu)的程序步驟與細(xì)部?jī)?nèi) 容僅為舉例說明之用，并非對(duì)本發(fā)明欲保護(hù)的范圍做限縮。再者，實(shí)施例中的圖標(biāo)亦省略不 必要的組件，以利清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D1 7C，其繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的形成多引線通孔 (multi-tracevia)的過程示意圖。首先，如圖1所示，提供一基材10，其具有一第一表 面101、第二表面102和一孔洞11，孔洞11具有一孔壁112，且第一表面101和孔壁112 處均包括電性絕緣材料(electrically insulating material，未顯示)?；?0可以 是一有機(jī)基材(organic substrate)，例如一銅箔基板(copper clad laminate, CCL)， 其在一介電層的上下表面各形成一金屬層(例如壓合一銅箔)，或在一介電層的上下表 面的一形成一金屬層(例如壓合一銅箔)。介電層可以是樹脂材料，例如二氟化銨樹脂 (Ammonium BifluorideAjinomoto build-up film,ABF)、雙馬來酰亞胺樹脂(Bismaleimide Triazine，BT)、聚亞醯胺樹脂(Polyimide，PI)、液晶聚合樹脂物(LCP)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)。 這些樹脂材料可混以玻璃纖維例如纖維棉墊或填充特殊纖維，以加強(qiáng)介電層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。 此外，基材10可以是一陶瓷基板(ceramic substrate)或半導(dǎo)體基材(例如硅基材)?？?洞11可以選擇性蝕刻，機(jī)械鉆孔或激光鉆孔形成。如果選用半導(dǎo)體基材則表面(包含孔壁 表面)需覆蓋一層絕緣材料。接著，如圖2所示，形成一第一導(dǎo)電層12于基材10的第一表 面101和孔壁112上，并沿著孔壁112延伸地形成于第二表面102上。其中，該第一導(dǎo)電層 12可以是一無電電鍍(electrolessly plating)銅層或?yàn)R鍍形成的銅層。之后，如圖3所示，形成一光阻層(photoresist layer) 14于第一導(dǎo)電層12的整個(gè)表面上，包括第一表面101和第二表面102至少其中之一，且光阻層14填滿孔洞11。此 時(shí)孔洞11內(nèi)的光阻以第一導(dǎo)電層12與孔壁112隔開。在一應(yīng)用例中，例如是利用壓合一 干膜光阻(dry film photoresist)于基材10上，使得光阻填滿孔洞11而形成光阻層14。 在另一應(yīng)用例中，也可利用涂布一光阻液(photoresist solution)于基材10上的方式使 得光阻填滿孔洞11，之后干燥光阻液以形成光阻層14。值得注意的是，實(shí)際應(yīng)用時(shí)可同時(shí)或相繼對(duì)基材10上下的第一表面101和第二表 面102進(jìn)行相關(guān)工藝，但為清楚說明實(shí)施例，以下部分圖式以第一表面101的上視角度作繪示。接著，選擇性地圖案化光阻層14，以在第一導(dǎo)電層12上定義出數(shù)個(gè)側(cè)向分離區(qū)域 (laterally separated regions) 121、122、123、124，如圖 4A 所示。在第一實(shí)施例中，以一干膜光阻做為光阻層14的材料，并提供如圖4B所示的屏蔽 (mask) 20對(duì)干膜光阻進(jìn)行選擇性圖案化，其中屏蔽20具有數(shù)個(gè)不透光區(qū)211 214和至 少一透光區(qū)220，且該些不透光區(qū)211 214的位置和形狀與圖4A的側(cè)向分離區(qū)域121 124的位置和形狀相對(duì)應(yīng)。曝光后，干膜光阻上與屏蔽20的透光區(qū)220對(duì)應(yīng)的照光部分產(chǎn) 生聚合反應(yīng)而留下，形成圖案化光阻層14’;而干膜光阻上與屏蔽20的不透光區(qū)211 214 對(duì)應(yīng)的未照光部分則被移除，以露出側(cè)向分離區(qū)域121 124處的第一導(dǎo)電層12。其中側(cè) 向分離區(qū)域121 IM在孔洞11內(nèi)延伸的部分實(shí)質(zhì)上相互平行，且垂直于基材10的第一 表面101。再者，由于孔洞11的存在且孔洞11內(nèi)填滿了干膜光阻(光阻層14)，使用圖4B 的屏蔽20，其圖案設(shè)計(jì)使干膜光阻曝光后在孔洞11內(nèi)形成如圖4A所示的光阻阻擋部(ra barrier portion)，其實(shí)質(zhì)上具有一十字形截面。光阻阻擋部可將孔洞11內(nèi)區(qū)隔出數(shù)個(gè)獨(dú) 立空間116a、116b、116c、116d，而該些側(cè)向分離區(qū)域121 124自第一表面101分別經(jīng)由孔 洞11內(nèi)的獨(dú)立空間116a 116d延伸至第二表面102。之后，如圖5所示，以圖案化光阻層14’為一屏蔽，在該些側(cè)向分離區(qū)域121 IM 上電鍍一第二導(dǎo)電層16，且第二導(dǎo)電層16的厚度實(shí)質(zhì)上大于第一導(dǎo)電層12的厚度。所形成 的第二導(dǎo)電層16自第一表面101分別經(jīng)由孔洞11內(nèi)光阻阻擋部所隔出的獨(dú)立空間116a 116d而延伸至第二表面102。其中，第二導(dǎo)電層16的材料例如是一銅層、或是其它導(dǎo)電材 料。接著，移除圖案化光阻層14’，此時(shí)在側(cè)向分離區(qū)域121 124包括第一導(dǎo)電層 12、和第二導(dǎo)電層16覆蓋于第一導(dǎo)電層12上，而側(cè)向分離區(qū)域121 124以外的區(qū)域則覆 蓋有第一導(dǎo)電層12，如圖6A所示。圖6B為圖6A中沿著剖面線6B-6B所繪制的剖面圖。然后，例如經(jīng)由蝕刻第一導(dǎo)電層12和第二導(dǎo)電層16的方式，實(shí)質(zhì)上地移除未被 第二導(dǎo)電層16覆蓋的第一導(dǎo)電層12的部分，因而形成數(shù)個(gè)側(cè)向分離的引線(laterally separated conductive traces) 161、162、163、164，如圖 7A 所示，而這些側(cè)向分離的引線 161 164在第一表面101上延伸并通過孔洞11。其中，孔洞11內(nèi)壁上未被第二導(dǎo)電層16 覆蓋的第一導(dǎo)電層12也會(huì)被一并移除。圖7B為圖7A中沿著剖面線7B-7B所繪制的剖面 圖。從圖7B可看出這些側(cè)向分離的引線161 164包括圖案化的第一導(dǎo)電層12和圖案化 的第二導(dǎo)電層16’。圖7C為依照本發(fā)明第一實(shí)施例的方法所形成的多引線通孔的示意圖。 從圖7C可看出在第一表面101上延伸的側(cè)向分離的引線161 164通過孔洞11延伸至第 二表面102，且在孔洞內(nèi)的引線161 164相互隔開一距離，而不會(huì)有短路問題。
第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D8 15B，其繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的形成多引線通孔 (multi-tracevia)的過程示意圖。首先，和第一實(shí)施例相同的是，先提供一基材10，同樣具有一第一表面101、第二 表面102和一孔洞11，孔洞11具有一孔壁112，且第一表面101和孔壁112處均包括電性 絕緣材料。接著，形成一第一導(dǎo)電層12于基材10的第一表面101和孔壁112上，并沿著孔 壁112延伸地形成于第二表面102上?？蓞⒖嫉?、2圖的各組件，在此不再另外繪制圖標(biāo)。之后，對(duì)于孔洞11內(nèi)和孔洞11周圍的第一導(dǎo)電層12選擇性地進(jìn)行圖案化，以定 義出數(shù)個(gè)絕緣區(qū)10 104d(如圖10所示)，其中絕緣區(qū)10 104d由移除第一導(dǎo)電層 12所形成，且每一絕緣區(qū)10 104d由基材10的第一表面101延伸至孔壁112上。而定 義出絕緣區(qū)10 104d的一實(shí)施方式如下，請(qǐng)同時(shí)參照第8、9A、9B圖。如圖8所示，形成一光阻層(photoresist layer) 34于第一導(dǎo)電層12的整個(gè)表面 上，包括第一表面101和第二表面102至少其中之一，且光阻層34同樣填滿孔洞11。接著 提供如圖9B所示的屏蔽40并對(duì)圖8所示的光阻層34進(jìn)行選擇性地圖案化。其中屏蔽40 具有不透光區(qū)410和一透光區(qū)420，且不透光區(qū)410的形狀例如是一十字形。在第二實(shí)施例 中，同樣以一干膜光阻做為光阻層34材料作說明。當(dāng)然也可使用光阻液、或是其它光敏性 材料做為光阻層34的材料。曝光后，如圖9A所示，干膜光阻上與屏蔽40的透光區(qū)420對(duì)應(yīng) 的照光部分產(chǎn)生聚合反應(yīng)而留下，形成圖案化光阻層34’ ；而干膜光阻上與屏蔽40的不透 光區(qū)410對(duì)應(yīng)的未照光部分則被移除，因而在第一導(dǎo)電層12上形成區(qū)域12 125d。至 于孔洞11內(nèi)也暫時(shí)留下與部分透光區(qū)420對(duì)應(yīng)的聚合干膜(照光后形成)。因此，選擇性 地圖案化光阻層擬，后可使得在區(qū)域12 125d處(即位于圖10的該些絕緣區(qū)10 104d上)的第一導(dǎo)電層12裸露于圖案化光阻層34’外，如圖9A所示。之后，以圖案化光阻層34’為一屏蔽，蝕刻移除裸露于圖9A的區(qū)域12 125d上 的第一導(dǎo)電層12，而形成如圖10所示的數(shù)個(gè)絕緣區(qū)10 104d。其中該些絕緣區(qū)10 104d裸露出基材10的表面(如第一表面101)。接著，移除圖10所示的圖案化光阻層34，，以形成一具有絕緣區(qū)10 104d的基 材10，如圖11所示。與第一實(shí)施例的制法相較，第二實(shí)施例主要是在基材10表面上以微影 工藝將未來欲形成的引線先以絕緣區(qū)10 104d隔絕開來，且每一絕緣區(qū)10 104d 由基材10的第一表面101延伸至孔壁112上。在提供如圖11所示的具有絕緣區(qū)10 104d的基材10之后，如圖12所示，覆 蓋一光阻層M于第一導(dǎo)電層12的整個(gè)表面(如第一表面)和絕緣區(qū)10 104d上，且 光阻層M填滿孔洞11。光阻層M的材料例如是干膜光阻、光阻液或是其它光敏性材料。 在此步驟中，同樣以干膜光阻為光阻層M的材料做實(shí)施例說明，但本發(fā)明并不以此為限。接著，利用如圖1 所示的屏蔽60對(duì)圖12所示的光阻層M進(jìn)行圖案化，依據(jù)屏 蔽60上的透光區(qū)620和不透光區(qū)610的位置和形狀，進(jìn)行曝光后，有照光的干膜光阻(光 阻層54)部分產(chǎn)生聚合反應(yīng)而留下，未照光的部分則被移除，所形成的圖案如圖13A所示。 請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D13A、13C，在選擇性地圖案化光阻層M后，參照?qǐng)D13C，圖13A所形成的圖案 可視為在第一導(dǎo)電層12上定義出數(shù)個(gè)第一區(qū)域(first regions) 126 129，和一第二區(qū) 域(second region) 130 (即圖13C中虛線大圓所指的區(qū)域)，其中第二區(qū)域130暴露出絕緣區(qū)104a 104d，且至少兩個(gè)第一區(qū)域(126 129)與一個(gè)第二區(qū)域130連接。在此實(shí)施例 中，第二區(qū)域130中暴露出該些絕緣區(qū)104a 104d的部份，而圖案化光阻層M，覆蓋于第 一區(qū)域126 129和第二區(qū)域130以外的區(qū)域，如圖13A所示。之后，以圖案化光阻層54’為一屏蔽，在第一區(qū)域126 129上以及第二區(qū)域130 上該些絕緣區(qū)10 104d之外的區(qū)域電鍍一第二導(dǎo)電層56，其中第二導(dǎo)電層56的厚度 實(shí)質(zhì)上大于第一導(dǎo)電層12的厚度。進(jìn)行電鍍時(shí)，第二導(dǎo)電層56形成于未被圖案化光阻層 54’覆蓋的第一導(dǎo)電層12上(參見圖13A)。所形成的第二導(dǎo)電層56除了在第一表面101 上延伸，亦分別經(jīng)由孔洞11而延伸至第二表面102。接著，移除圖案化光阻層54’，此時(shí)在第一區(qū)域126 129以及第二區(qū)域130上該 些絕緣區(qū)104a 104d之外的區(qū)域均包括第一導(dǎo)電層12、和覆蓋于第一導(dǎo)電層12上的第二 導(dǎo)電層56 ；絕緣區(qū)104a 104d裸露出基板10，而孔洞11、第一區(qū)域126 129和第二區(qū) 域130以外的區(qū)域則覆蓋第一導(dǎo)電層12，如圖14所示。然后，例如以蝕刻第一導(dǎo)電層12和第二導(dǎo)電層56的方式，實(shí)質(zhì)上地移除未被 第二導(dǎo)電層56覆蓋的第一導(dǎo)電層12的部分，因而形成數(shù)個(gè)側(cè)向分離的引線(laterally separated conductive traces) 561、562、563、564，如圖 15A 所示，而這些側(cè)向分離的引線 561 564延伸在第一表面101上并通過孔洞11。圖15B為圖15A中沿著剖面線15B-15B 所繪制的剖面圖。從圖15B可看出第二實(shí)施例的這些側(cè)向分離的引線561 564亦包括第 一導(dǎo)電層12和蝕刻后的第二導(dǎo)電層56’，與第一實(shí)施例相同。而在第一表面101上延伸的 側(cè)向分離的引線561 564亦經(jīng)由孔洞11延伸至第二表面102，且該些引線561 564相 互隔開一距離而不會(huì)接觸造成短路。雖然上述實(shí)施例中以具連接盤的引線(trace with land)為圖式作說明，但也可 如圖16所示在基材50上形成多條無連接盤的引線(landless trace) 661 664。應(yīng)用時(shí)， 引線的實(shí)際圖形，包括形狀、位置和數(shù)目等詳細(xì)參數(shù)均可依據(jù)實(shí)際應(yīng)用所需而對(duì)實(shí)施例相 關(guān)步驟進(jìn)行修飾，因此實(shí)施例中所提出的屏蔽圖形僅為眾多實(shí)施方式之一，并非用以限制 本發(fā)明。根據(jù)上述實(shí)施例的方法所形成的多引線通孔，以電子顯微鏡觀察，可發(fā)現(xiàn)這些側(cè) 向分離的引線(如第一實(shí)施例的引線161 164和第二實(shí)施例的引線561 564)，其邊 緣相當(dāng)平整，且引線以外裸露出的基材表面的電性絕緣材料也很完整沒有損傷(請(qǐng)參考圖 17，其為以實(shí)施例的方法所形成的通孔在電子顯微鏡下所拍攝的照片)。因此，和傳統(tǒng)使用 激光切割的工藝相比，實(shí)施例所提出的方法不但可快速和準(zhǔn)確地依實(shí)際應(yīng)用所需形成多引 線通孔，十分有效率，所形成的各層結(jié)構(gòu)也很完整，進(jìn)而提高產(chǎn)品良率。綜上所述，雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所 屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn) 飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種多引線通孔的形成方法，包括提供一基材，至少具有一第一表面和一孔洞，該孔洞具有一孔壁；形成一第一導(dǎo)電層于該基材的整個(gè)表面和該孔壁上；形成一光阻層于該第一導(dǎo)電層的整個(gè)表面上，且選擇性地圖案化該光阻層，以在該第 一導(dǎo)電層上定義出數(shù)個(gè)由該第一表面延伸至該孔壁上的側(cè)向分離區(qū)域；以該圖案化光阻層為一屏蔽，在該些側(cè)向分離區(qū)域上電鍍一第二導(dǎo)電層，且該第二導(dǎo) 電層的厚度實(shí)質(zhì)上大于該第一導(dǎo)電層的厚度；移除該圖案化光阻層；以及實(shí)質(zhì)上地移除未被該第二導(dǎo)電層覆蓋的部分該第一導(dǎo)電層因而形成數(shù)個(gè)側(cè)向分離的 引線，而該些側(cè)向分離的弓丨線延伸在該第一表面上且通過該孔洞。
2.如權(quán)利要求1所述的多引線通孔形成方法，其中該基材具有一第二表面相對(duì)于該第 一表面，該孔洞在該第一表面和該第二表面之間延伸，該第一導(dǎo)電層更覆蓋該基材的該第 二表面，且該些側(cè)向分離區(qū)域自該第一表面經(jīng)由該孔洞延伸至該第二表面。
3.如權(quán)利要求1所述的多引線通孔形成方法，其中該光阻層形成步驟包含壓合一干膜 光阻于該基材上使得光阻填滿該孔洞。
4.如權(quán)利要求1所述的多引線通孔形成方法，其中該光阻層形成步驟包含涂布一光阻 液于該基材上使得光阻填滿該孔洞，以及干燥該光阻液以形成該光阻層。
5.如權(quán)利要求1所述的多引線通孔形成方法，其中選擇性地圖案化該光阻層的步驟 中，更包括形成一光阻阻擋部于該孔洞內(nèi)，以將該孔洞內(nèi)區(qū)隔出數(shù)個(gè)獨(dú)立空間，該些側(cè)向分 離區(qū)域自該第一表面分別經(jīng)由該孔洞內(nèi)的該些獨(dú)立空間延伸至該第二表面。
6.如權(quán)利要求5所述的多引線通孔形成方法，其中在該些側(cè)向分離區(qū)域上電鍍?cè)摰诙?導(dǎo)電層后，該第二導(dǎo)電層自該第一表面分別經(jīng)由該孔洞內(nèi)的該些獨(dú)立空間延伸至該第二表
7.如權(quán)利要求5所述的多引線通孔形成方法，其中該孔洞內(nèi)的該光阻阻擋部實(shí)質(zhì)上具 有一十字形截面。
8.一種多引線通孔的形成方法，包括提供一基材，具有一第一表面和一孔洞，該孔洞具有一孔壁； 形成一第一導(dǎo)電層于該基材的該第一表面和該孔壁上；對(duì)于該孔洞內(nèi)和該孔洞周圍的該第一導(dǎo)電層選擇性地進(jìn)行圖案化，以定義出數(shù)個(gè)絕緣 區(qū)，其中該些絕緣區(qū)由移除該第一導(dǎo)電層所形成，并且每一該些絕緣區(qū)由該基材的該第一 表面延伸至該孔壁上；覆蓋一光阻層于該第一導(dǎo)電層的整個(gè)表面和該些絕緣區(qū)上，且選擇性地圖案化該光阻 層，以在該第一導(dǎo)電層上定義出數(shù)個(gè)第一區(qū)域和暴露出該些絕緣區(qū)的一第二區(qū)域，其中至 少兩個(gè)該第一區(qū)域與該第二區(qū)域連接；以該圖案化光阻層為一屏蔽，在該些第一區(qū)域上和該第二區(qū)域上該些絕緣區(qū)的外的區(qū) 域電鍍一第二導(dǎo)電層，且所形成的該第二導(dǎo)電層的厚度實(shí)質(zhì)上大于該第一導(dǎo)電層的厚度； 移除該圖案化光阻層；以及實(shí)質(zhì)上地移除未被該第二導(dǎo)電層覆蓋的該第一導(dǎo)電層的部分，因而形成數(shù)個(gè)側(cè)向分離 的引線，而該些側(cè)向分離的弓丨線延伸在該第一表面上且通過該孔洞。
9.如權(quán)利要求8所述的多引線通孔形成方法，其中在圖案化該第一導(dǎo)電層后，所定義 出的該些絕緣區(qū)暴露出該基材的該第一表面。
10.如權(quán)利要求9所述的多引線通孔形成方法，其中該基材具有一第二表面相對(duì)于該 第一表面，該孔洞在該第一表面和該第二表面之間延伸，該第一導(dǎo)電層更覆蓋該基材的該 第二表面，且該些絕緣區(qū)自該第一表面經(jīng)由該孔洞延伸至該第二表面。
11.如權(quán)利要求8所述的多引線通孔形成方法，其中該第一導(dǎo)電層選擇性圖案化步驟 包括形成一光阻層于該第一導(dǎo)電層的整個(gè)表面上，且選擇性地圖案化該光阻層使得在該些 絕緣區(qū)上的第一導(dǎo)電層裸露于該圖案化光阻層上；以及以該圖案化光阻層為一屏蔽，蝕刻移除裸露的第一導(dǎo)電層而形成該些絕緣區(qū)。
全文摘要
一種多引線通孔的形成方法，包括提供一基材，至少具有一第一表面和一孔洞，孔洞具有孔壁；形成一第一導(dǎo)電層于基材的整個(gè)表面和孔壁上；形成一光阻層于第一導(dǎo)電層的整個(gè)表面上，且選擇性地圖案化光阻層，以在第一導(dǎo)電層上定義出多個(gè)側(cè)向分離區(qū)域；以圖案化光阻層為一屏蔽，在該些側(cè)向分離區(qū)域上電鍍一第二導(dǎo)電層，且第二導(dǎo)電層的厚度實(shí)質(zhì)上大于第一導(dǎo)電層的厚度；移除圖案化光阻層；以及實(shí)質(zhì)上地移除未被第二導(dǎo)電層覆蓋的部分第一導(dǎo)電層因而形成多條在第一表面上延伸并通過孔洞的側(cè)向分離的引線。
文檔編號(hào)H05K3/42GK102149255SQ20101011999
公開日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2010年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者莊茂樟, 李明錦, 王建皓, 陳敏堯 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司