專利名稱：具磁性元件的封裝結(jié)構(gòu)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于封裝結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于具有整合在印刷電路板中的磁性元件的封裝結(jié) 構(gòu)。
背景技術(shù)：
將磁性元件整合在印刷電路板或半導(dǎo)體平臺中已是近幾年來眾所囑目的電子元 件發(fā)展技術(shù)。圖IA至圖IC的剖面圖顯示傳統(tǒng)的將磁性元件嵌入印刷電路板中的制法。如圖IA 所示，首先提供一絕緣基板100，此絕緣基板100可為一般環(huán)氧樹脂玻纖板。形成一凹槽110 在絕緣基板100中。接著，如圖IB所示，將指環(huán)狀磁性元件120置入凹槽110。然后，如圖 IC所示，涂布環(huán)氧樹脂封裝膠材130覆蓋磁性元件120并將凹槽110填滿并進(jìn)行固化。待 封裝膠材130固化后，對位在指環(huán)狀磁性元件120的內(nèi)部的封裝膠材130進(jìn)行鉆孔鍍銅以 形成導(dǎo)通孔140。同時，也對位在指環(huán)狀磁性元件120的外部的封裝膠材130進(jìn)行鉆孔鍍銅 以形成導(dǎo)通孔150。之后再形成表面金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)通孔140與150，如此便完成環(huán)繞磁性 元件120的導(dǎo)電線圈的制作。完成鉆孔鍍銅后的結(jié)構(gòu)如圖IC所示。傳統(tǒng)技術(shù)提供很多類似以上所述的結(jié)構(gòu)與作法，然此等不免有各種缺點，因此需 要有更新穎創(chuàng)新的方式，來彌補傳統(tǒng)技術(shù)的不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)技術(shù)有結(jié)構(gòu)不良的問題，難以抵擋較嚴(yán)厲環(huán)境或是難以支撐其上 可能疊置的結(jié)構(gòu)。譬如本發(fā)明發(fā)現(xiàn)如圖IC的導(dǎo)通孔140所穿透的封裝膠材130結(jié)構(gòu)并不 夠堅固，而且封裝膠材130也可能對磁性元件120施加不當(dāng)?shù)膽?yīng)力。因此，本發(fā)明于一方面 提出針對解決此問題而提出方案。在一方面，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括一絕緣基板，具有一指環(huán)型凹槽及由該 指環(huán)型凹槽所定義的一島狀部分及一外圍部分，該指環(huán)型凹槽橫向地介于島狀部分與外圍 部分之間；一指環(huán)型磁性元件置于該指環(huán)型凹槽中；一上布線層位于該絕緣基板上方及一 下布線層位于該絕緣基板下方；一內(nèi)電通孔垂直穿透該島狀部分并連接該上布線層及該下 布線層；及一外電通孔垂直穿透該外圍部分并連接該上布線層及該下布線層，其中該內(nèi)電 通孔、該外電通孔、該上布線層及該下布線層形成一導(dǎo)電線圈環(huán)繞該指環(huán)型磁性元件。在另一方面，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一電覆絕緣基板，該 電覆絕緣基板預(yù)先定義一指環(huán)型區(qū)域，一島狀部分及一外圍部分，該指環(huán)型區(qū)域橫向地介 于該島狀部分與該外圍部分之間；形成一內(nèi)電通孔垂直穿透該島狀部分及一外電通孔垂直 穿透該外圍部分；形成一指環(huán)型凹槽在該電覆絕緣基板的該指環(huán)型區(qū)域中；提供一指環(huán)型 磁性元件置于該指環(huán)型凹槽中；形成一上布線層在該電覆絕緣基板上方及一下布線層在該 電覆絕緣基板下方；使該內(nèi)電通孔、該外電通孔、該上布線層及該下布線層電連接以構(gòu)成一 導(dǎo)電線圈環(huán)繞該指環(huán)型磁性元件。
本發(fā)明尚包括其他方面以解決其他問題并合并上述的各方面詳細(xì)公開在以下實 施方式中。


圖IA至IC為顯示傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2A及2B至圖8A及8B為依據(jù)本發(fā)明第一實施例顯示一封裝結(jié)構(gòu)其制作過程中 各步驟的上視圖與剖面圖。圖9為依據(jù)本發(fā)明的第二實施例例示另一封裝結(jié)構(gòu)的上視圖。圖10A，10B及圖11為依據(jù)本發(fā)明的第三實施例顯示另一封裝結(jié)構(gòu)其制作過程中 的某些步驟的下視圖與剖面圖，其中圖IOA為下視圖，圖IOB為沿圖IOA的虛線1-1’的剖 面圖，圖11為延續(xù)圖IOB的步驟的剖面圖。圖12A及12B至圖16A及16B為依據(jù)本發(fā)明第四實施例顯示另一封裝結(jié)構(gòu)其制作 過程中各步驟的上視圖與剖面圖。主要元件符號說明
100絕緣基板
110凹槽
120環(huán)狀磁性元件
130封裝膠材
140導(dǎo)通孔
150導(dǎo)通孔
210電覆絕緣基板
211絕緣基板
212上導(dǎo)體層
213下導(dǎo)體層
210r指環(huán)型區(qū)域
210a島狀部分
210b外圍部分
310a,310b通孔
410a內(nèi)電通孔
410b外電通孔
420帽蓋墊
510指環(huán)型凹槽
510a底部
610指環(huán)型磁性元件
620間隙
630空間
710介電層
720導(dǎo)電層
811a上層內(nèi)電通孔
811b上層外電通孔
812a下層內(nèi)電通孔
812b下層外電通孔
821上布線層
822下布線層
800，900，1100，1600 封裝結(jié)構(gòu)
910通氣孔
1022下布線層
1210絕緣基板
1210r指環(huán)型區(qū)域
1210a島狀部分
1210b外圍部分
1510a內(nèi)電通孔
1510b外電通孔
1610上布線層
1620下布線層
1630通氣孔
具體實施例方式以下將參考附圖示范本發(fā)明的優(yōu)選實施例。附圖中相似元件采用相同的元件符 號。應(yīng)注意為清楚呈現(xiàn)本發(fā)明，附圖中的各元件并非按照實物的比例繪制，而且為避免模糊 本發(fā)明的內(nèi)容，以下說明亦省略傳統(tǒng)的零組件、相關(guān)材料、及其相關(guān)處理技術(shù)。圖2A及圖2B至圖8A及圖8B為依據(jù)本發(fā)明一第一實施例顯示一封裝結(jié)構(gòu)其制作 過程中各步驟的上視圖與剖面圖，標(biāo)示A的圖為上視圖，標(biāo)示B的圖為沿標(biāo)示A的圖的虛線 1-1’的剖面圖。首先，參考圖2A及2B，提供一電覆絕緣基板210，其包括一絕緣基板211及覆蓋絕 緣基板211的上導(dǎo)體層212及下導(dǎo)體層213。在此實施例，絕緣基板210可為一般環(huán)氧樹 脂玻纖板(FR4)。上導(dǎo)體層212及下導(dǎo)體層213可為銅箔。電覆絕緣基板210的優(yōu)選厚度 一般可在0. 5mm 6. Omm的范圍間，但不以此為限。電覆絕緣基板210的面積依需求而定。 可在電覆絕緣基板210上制作一個或多個埋入式磁性元件的封裝結(jié)構(gòu)，也可同時形成其他 線路或埋入其它元件。為清楚說明，圖中僅顯示虛線χ-χ’，Y-Y’所劃出單一埋入式磁性元 件封裝結(jié)構(gòu)的制造區(qū)域。此外，電覆絕緣基板210上也事先預(yù)定好放置埋入式磁性元件的 位置，如由虛線r及r’所劃出的指環(huán)型區(qū)域210r。電覆絕緣基板210上相對指環(huán)型區(qū)域 210i 為內(nèi)部的區(qū)域定義為島狀部分210a ；電覆絕緣基板210上相對指環(huán)型區(qū)域210r為外 部的區(qū)域定義為外圍部分210b。指環(huán)型區(qū)域210r橫向地介于島狀部分210a與外圍部分 210b之間。接著，參考圖3A及圖:3B，在電覆絕緣基板210的島狀部分210a及外圍部分210b 分別制作垂直穿透電覆絕緣基板210的內(nèi)通孔310a及外通孔310b。通孔310a及310b延 指環(huán)型區(qū)域210r的內(nèi)外邊緣排列，其個數(shù)可依需求而定。制作方法可采用機械鉆孔或激光鉆孔或其他合適技術(shù)。通孔310a及310b的孔徑一般可在0. 15mm 0. 3mm的范圍間，但不 以此為限。 參考圖4A及4B，完成鉆孔后，可執(zhí)行去鉆污、除膠渣及通孔電鍍等步驟方式，但不 以此為限，以制作內(nèi)位于島狀部分210a的內(nèi)電通孔410a及位于外圍部分210b的外電通孔 410b。接著，可進(jìn)行塞孔及鍍帽蓋層(cap plating)等步驟，并經(jīng)由影像轉(zhuǎn)移與蝕刻對上導(dǎo) 體層212及下導(dǎo)體層213加工，以形成覆蓋各電通孔410a及410b上方與下方的各個帽蓋 墊 420。參考圖5A及5B，完成內(nèi)電通孔410a、外電通孔410b及帽蓋墊420后，可利用機械 或化學(xué)或其它合適的技術(shù)，移除位于指環(huán)型區(qū)域210r的絕緣基板211材料，以形成一指環(huán) 型凹槽510。指環(huán)型凹槽510用來收納指環(huán)型磁性元件610(見圖6)并使其完全埋入絕緣 基板211中，所以在此實施例中，指環(huán)型凹槽510的平面大小及體積略大于指環(huán)型磁性元件 610。執(zhí)行移除絕緣基板211材料制程時應(yīng)注意控制深度以保留部分的絕緣基板211材料 作為指環(huán)型凹槽510的底部510a。接著，參考圖6A及6B，將指環(huán)型磁性元件610置放在指環(huán)型凹槽510中。應(yīng)注 意，本發(fā)明所指的“指環(huán)型”意指甜甜圈的構(gòu)造，在此實施例以兩個同心的橢圓形環(huán)來示范 說明。本發(fā)明所指的“指環(huán)型”并不限于橢圓形環(huán)，其亦可為四方形指環(huán)、其他多角型指環(huán)、 或各種合適的型狀。磁性元件610可來自任何適合作為電磁元件的磁性材料，例如鐵芯 (ferrite core)。本實施例的指環(huán)型磁性元件一般厚度可在0. 8mm 3. Omm的范圍間，但 不以此為限。同樣參考圖6A及6B，由于指環(huán)型凹槽510的平面大小及體積略大于磁性元件 610，故磁性元件610置放于指環(huán)型凹槽510后，磁性元件610與指環(huán)型凹槽510的內(nèi)壁間 會形成間隙620。同時，也可使指環(huán)型凹槽510的深度高于磁性元件610的高度，因此當(dāng)磁 性元件610置入指環(huán)型凹槽510后，磁性元件610的上表面上方將仍然保留低于絕緣基板 211的上表面的一空間630。在此實施例中，間隙620及空間630充滿空氣。參考圖7A及7B，將指環(huán)型磁性元件610置放在指環(huán)型凹槽510后，接著形成介電 層710及導(dǎo)電層720在絕緣基板211的上下側(cè)。介電層710及導(dǎo)電層720覆蓋帽蓋墊420 及指環(huán)型凹槽510。舉例來說，介電層710可為一環(huán)氧樹脂膠片(bondply)或其他有機物 質(zhì)制成的絕緣材料等。導(dǎo)電層720可為單面銅板基板或具有導(dǎo)電性質(zhì)的材料。在此實施 例中，環(huán)氧樹脂膠片作為一粘合劑，利用壓合使兩張單面銅板基板通過環(huán)氧樹脂膠片形成 于絕緣基板211的上下側(cè)。介電層710及導(dǎo)電層720的厚度一般最薄可為0. 05mm，然而不 限于此，可依客戶要求設(shè)計作任何合適變化。注意在此實施例中，由與所使用的粘著介電層 710(即環(huán)氧樹脂膠片)為不流動型，壓合時通常不會有或只有極少量的膠液會產(chǎn)生。所以， 在此實施例中，壓合后的間隙620及空間630仍充滿空氣。然而，在其他實施例，粘著介電 層710也可為流動型材料制成，當(dāng)執(zhí)行壓合時流動型粘著介電層710有可能產(chǎn)生相當(dāng)數(shù)量 的膠液，此膠液將流入間隙620中，而或甚至填滿空間630。參考圖8A及8B，形成介電層710及導(dǎo)電層720后，接著執(zhí)行鉆孔、去鉆污、除膠渣 及通孔電鍍等步驟以制作上層內(nèi)電通孔811a，上層外電通孔811b及下層內(nèi)電通孔81 及 下層外電通孔812b。電通孔811a，811b及電通孔812a, 812b分別通過帽蓋墊420電連接 電通孔410a，410b。接著，利用影像移轉(zhuǎn)與蝕刻圖案化位于絕緣基板211上下側(cè)的導(dǎo)電層720。圖案化后的導(dǎo)電層720包括上布線層821及下布線層822。圖8A及圖8B顯示依據(jù)本發(fā)明第一實施例所制作的封裝結(jié)構(gòu)800。如圖所示，封裝 結(jié)構(gòu)800包括絕緣基板211，具有一指環(huán)型凹槽510及由指環(huán)型凹槽510所定義的島狀部 分210a及外圍部分210b。指環(huán)型凹槽510橫向地介于島狀部分210a與外圍部分210b之 間。指環(huán)型磁性元件610置于指環(huán)型凹槽中510。圖8A以虛線表示埋入封裝結(jié)構(gòu)800中的 指環(huán)型磁性元件610。封裝結(jié)構(gòu)800包括上布線層821位于絕緣基板211上方及下布線層 822位于絕緣基板211下方。內(nèi)電通孔410a垂直穿透島狀部分210a并連接上布線層821 及下布線層822。外電通孔410b垂直穿透外圍部分210b并連接上布線層821及下布線層 822。內(nèi)電通孔410a、外電通孔410b、上布線層821及下布線層822形成一導(dǎo)電線圈環(huán)繞指 環(huán)型磁性元件610。此外，封裝結(jié)構(gòu)800還可包括介電層710介于絕緣基板211與上布線層 821間，上層內(nèi)電通孔811a及上層外電通孔811b分別穿透介電層710以使內(nèi)電通孔410a 與外電通孔410b分別電相連上布線層821。封裝結(jié)構(gòu)800也包括另一介電層710位于絕緣 基板211與下布線層822間，下層內(nèi)電通孔81 及下層外電通孔812b分別穿透此介電層 710以使內(nèi)電通孔410a與外電通孔410b分別電相連下布線層822。圖9為依據(jù)本發(fā)明的第二實施例例示另一封裝結(jié)構(gòu)900的上視圖。第二實施例封 裝結(jié)構(gòu)900與第一實施例封裝結(jié)構(gòu)800的差別在于，封裝結(jié)構(gòu)900還包括形成一通氣孔910 穿透介于絕緣基板211與上布線層821間的介電層710。通氣孔910連通至指環(huán)型凹槽510 而露出底下的磁性元件610。在此實施例中，磁性元件610與指環(huán)型凹槽510的內(nèi)壁間所形 成間隙620及上述的間隔630充滿空氣。通氣孔910可使間隙620與間隔中的空氣與外界 溝通借此避免在高壓制程下造成爆板。此外，應(yīng)注意第一實施例所公開的方法為先形成通孔310a及310b (如圖3A及 3B)，再形成指環(huán)型凹槽510 (如圖5A及5B)。本發(fā)明也包括先形成指環(huán)型凹槽510，再形成 通孔310a及310b的實施例。換句話說，本發(fā)明包括將第一實施例所示的各步驟的順序作 適當(dāng)交換改變的各種實施例。圖10A，圖IOB及圖11為依據(jù)本發(fā)明的第三實施例顯示具磁性元件的封裝結(jié)構(gòu) 1100其制作過程中的步驟。其中圖IOA為下視圖。圖IOB為沿圖IOA的虛線1-1’的剖面 圖，圖11為延續(xù)圖IOB的步驟的剖面圖。第三實施例與第一實施例的差別在于，第一實施 例的絕緣基板211的上下兩側(cè)分別形成介電層710與導(dǎo)電層720 (見圖7A及7B)，但在第三 實施例只有在暴露出指環(huán)型凹槽510的絕緣基板211的那一側(cè)(即上側(cè))形成介電層710 與導(dǎo)電層720。換句話說，絕緣基板211的下側(cè)因為保有底部510a的絕緣基板材料，故省略 下層的介電層710。因此，如圖IOB的剖面圖所示，第三實施例的下布線層1022直接形成在底部510a 的絕緣基板211表面上。圖IOA顯示下布線層1022的圖案與前述的下布線層822相似。形 成下布線層1022的步驟在指環(huán)型凹槽510形成之前或之后均可。此實施例例示出在指環(huán) 型凹槽510形成之前制作下布線層1022。換句話說，即接續(xù)圖:3B所示的步驟進(jìn)行下布線層 1022制作，其完成的結(jié)構(gòu)可見于圖IOA及10B。接續(xù)圖IOA的步驟后，參考在第一實施例中 所述的各步驟可完成如圖11所示的封裝結(jié)構(gòu)1100。圖12A及圖12B至圖16A及圖16B為依據(jù)本發(fā)明一第四實施例顯示封裝結(jié)構(gòu)1600 其制作過程中各步驟的上視圖與剖面圖，標(biāo)示A的圖為上視圖，標(biāo)示B的圖為沿標(biāo)示A的圖的虛線1-1’的剖面圖。第四實施例的封裝結(jié)構(gòu)1600為具有兩層導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，而第一實 施例的封裝結(jié)構(gòu)800為具有四層導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，第三實施例的封裝結(jié)構(gòu)1100則為具有三層 導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)。首先，參考圖12A及12B，提供一絕緣基板1210，其包括一指環(huán)型凹槽510用以收 納一指環(huán)型磁性元件。在此實施例，絕緣基板1210可為一般環(huán)氧樹脂玻纖板(FR4)，或是一 模制材料例如液晶高分子，或其中合適材料。絕緣基板1210的優(yōu)選厚度一般可在0. 5mm 6. Omm的范圍間，但不以此為限。絕緣基板1210的面積依需求而定?？稍诮^緣基板1210上 制作一個或多個埋入式磁性元件的封裝結(jié)構(gòu)，也可同時形成其他線路或埋入其它元件。為 清楚說明，圖中僅顯示虛線x-x’，Y-Y’所劃出單一埋入式磁性元件封裝結(jié)構(gòu)的制造區(qū)域。 如圖12A所示，絕緣基板1210是在虛線r及r’之間定義一指環(huán)型區(qū)域1210r。絕緣基板 1210相對指環(huán)型區(qū)域1210r為內(nèi)部的區(qū)域定義為島狀部分1210a ；絕緣基板1210上相對指 環(huán)型區(qū)域1210r為外部的區(qū)域定義為外圍部分1210b。指環(huán)型區(qū)域1210r為橫向地介于島 狀部分1210a與外圍部分1210b之間。指環(huán)型凹槽510用來收納指環(huán)型磁性元件并使其完 全埋入絕緣基板1210中，所以在此實施例中，指環(huán)型凹槽510的平面大小及體積略大于指 環(huán)型磁性元件?？衫脵C械或化學(xué)或其它合適的技術(shù)，移除位于指環(huán)型區(qū)域1210r的絕緣 基板1210材料，以形成指環(huán)型凹槽510。形成指環(huán)型凹槽510制程時應(yīng)注意控制深度以保 留部分的絕緣基板1210材料作為指環(huán)型凹槽510的底部510a。接著，參考圖6A及6B，將指環(huán)型磁性元件610置放在指環(huán)型凹槽510中。應(yīng)注意， 本發(fā)明所指的“指環(huán)型”意指甜甜圈的構(gòu)造，在此實施例以兩個同心的橢圓形環(huán)來示范說 明。本發(fā)明所指的“指環(huán)型”并不限于橢圓形環(huán)，其亦可為四方形指環(huán)、其他多角型指環(huán)、或 各種合適的型狀。磁性元件610可來自任何適合作為電磁元件的磁性材料，例如鐵淦氧芯 (ferrite core)。本實施例的指環(huán)型磁性元件一般厚度可在0. 8mm 3. Omm的范圍間，但 不以此為限。接著，參考圖13A及13B，置放指環(huán)型磁性元件610在指環(huán)型凹槽510中。此實施 例使用的指環(huán)型磁性元件610可參考在第一實施例中所述。由于指環(huán)型凹槽510的平面大 小及體積略大于磁性元件610，故磁性元件610置放于指環(huán)型凹槽510后，磁性元件610與 指環(huán)型凹槽510的內(nèi)壁間會形成間隙620。同時，也可使指環(huán)型凹槽510的深度高于磁性 元件610的高度，因此當(dāng)磁性元件610置入指環(huán)型凹槽510后，磁性元件610的上表面上方 將仍然保留低于絕緣基板211的上表面的一空間630。在此實施例中，間隙620及空間630 充滿空氣。參考圖14A及圖14B，將指環(huán)型磁性元件610置放在指環(huán)型凹槽510后，接著形成 介電層710及導(dǎo)電層720在絕緣基板211的上下側(cè)。介電層710及導(dǎo)電層720的材質(zhì)可參 考在第一實施例中所述。在此實施例中，介電層710為環(huán)氧樹脂膠片作為一粘合劑，利用壓 合使兩張單面銅板基板通過環(huán)氧樹脂膠片形成在絕緣基板1210的上下側(cè)。注意在此實施 例中，由與所使用的粘著介電層710(即環(huán)氧樹脂膠片)為不流動型，壓合時通常不會有或 只有極少量的膠液會產(chǎn)生。所以，在此實施例中，壓合后的間隙620及空間630仍充滿空氣。 然而，在其他實施例，粘著介電層710也可為流動型材料制成，當(dāng)執(zhí)行壓合時流動型粘著介 電層710有可能產(chǎn)生相當(dāng)數(shù)量的膠液，此膠液將流入間隙620中，而或甚至填滿空間630。然后，參考圖15A及圖15B，形成介電層710及導(dǎo)電層720后，接著執(zhí)行鉆孔、去鉆污、除膠渣及通孔電鍍等步驟以制作內(nèi)電通孔1510a及外電通孔1510b。內(nèi)電通孔1510a及 外電通孔1510b分別分別穿透絕緣基板1210及上下的介電層710及導(dǎo)電層720。接著，參 考圖16A及圖16B，利用影像移轉(zhuǎn)與蝕刻圖案化位于絕緣基板1210上下側(cè)的導(dǎo)電層720。圖 案化后的導(dǎo)電層720包括上布線層1610及下布線層1620。注意在此實施例中也可選擇性 地形成一通氣孔1630穿透介電層710而通往指環(huán)型凹槽510。通氣孔1630可使指環(huán)型凹 槽510與封裝結(jié)構(gòu)1600的外部溝通。通氣孔1630可能會露出磁性元件610。在此實施例 中，磁性元件610與指環(huán)型凹槽510的內(nèi)壁間所形成間隙620及上述之間隔630充滿空氣。 通氣孔1630可使間隙620與間隔630中的空氣與外界溝通借此避免于高壓制程下造成爆 板。 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并非用以限定本發(fā)明的范圍；凡其它未 脫離本發(fā)明所公開的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包括在本發(fā)明內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括一絕緣基板，具有一指環(huán)型凹槽及由該指環(huán)型凹槽所定義的一島狀部分及一外圍部 分，該指環(huán)型凹槽橫向地介于島狀部分與外圍部分之間； 一指環(huán)型磁性元件置于該指環(huán)型凹槽中；一上布線層位于該絕緣基板上方及一下布線層位于該絕緣基板下方； 一內(nèi)電通孔垂直穿透該島狀部分并連接該上布線層及該下布線層；及 一外電通孔垂直穿透該外圍部分并連接該上布線層及該下布線層，其中該內(nèi)電通孔、 該外電通孔、該上布線層及該下布線層形成一導(dǎo)電線圈環(huán)繞該指環(huán)型磁性元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括一介電層介于該絕緣基板與該上布線層 間，該內(nèi)電通孔及該外電通孔分別穿透該介電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括一通氣孔穿透該介電層以使該指環(huán)型凹槽 連通至該封裝結(jié)構(gòu)的外部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括一介電層位于該絕緣基板與該下布線層 間，該內(nèi)電通孔及該外電通孔分別穿透該介電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括位于該指環(huán)型凹槽的一內(nèi)壁與該指環(huán)型磁 性元件之間的一空隙。
6.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一電覆絕緣基板，該電覆絕緣基板預(yù)先定義一指環(huán)型區(qū)域，一島狀部分及一外圍 部分，該指環(huán)型區(qū)域橫向地介于該島狀部分與該外圍部分之間；形成一內(nèi)電通孔垂直穿透該島狀部分及一外電通孔垂直穿透該外圍部分； 形成一指環(huán)型凹槽于該電覆絕緣基板的該指環(huán)型區(qū)域中； 提供一指環(huán)型磁性元件置于該指環(huán)型凹槽中；形成一上布線層在該電覆絕緣基板上方及一下布線層在該電覆絕緣基板下方； 使該內(nèi)電通孔、該外電通孔、該上布線層及該下布線層電連接以構(gòu)成一導(dǎo)電線圈環(huán)繞 該指環(huán)型磁性元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在該指環(huán)型磁性元件置于該指環(huán) 型凹槽中的步驟之后，還包括形成一介電層在該電覆絕緣基板上；及垂直地延伸該內(nèi)電通 孔及該外電通孔以穿透該介電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括形成一通氣孔穿透該介電層以 以使該指環(huán)型凹槽連通至該封裝結(jié)構(gòu)的外部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在該指環(huán)型磁性元件置于該指環(huán) 型凹槽中的步驟之后，還包括形成一介電層在該電覆絕緣基板下方；及垂直地延伸該內(nèi)電 通孔及該外電通孔以穿透該介電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該指環(huán)型磁性元件置于該指環(huán) 型凹槽中的步驟還包括使該指環(huán)型凹槽的一內(nèi)壁與該指環(huán)型磁性元件之間具有一空隙。
全文摘要
一種具有指環(huán)型磁性元件的封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。封裝結(jié)構(gòu)包括一絕緣基板，具有一指環(huán)型凹槽及由該指環(huán)型凹槽所定義的一島狀部分及一外圍部分，該指環(huán)型凹槽橫向地介于島狀部分與外圍部分之間。封裝結(jié)構(gòu)還包括一指環(huán)型磁性元件置于該指環(huán)型凹槽中；一上布線層位于該絕緣基板上方及一下布線層位于該絕緣基板下方；一內(nèi)電通孔垂直穿透該島狀部分并連接該上布線層及該下布線層；及一外電通孔垂直穿透該外圍部分并連接該上布線層及該下布線層，其中該內(nèi)電通孔、該外電通孔、該上布線層及該下布線層形成一導(dǎo)電線圈環(huán)繞該指環(huán)型磁性元件。
文檔編號H05K3/30GK102065637SQ20101014732
公開日2011年5月18日 申請日期2010年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月3日
發(fā)明者威廉·L·哈里遜, 張榮騫 申請人:平面磁性有限公司, 相互股份有限公司