專利名稱：一種低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路。尤其是一種用于低頻 電磁感應(yīng)無極燈鎮(zhèn)流器的無極燈啟動保護及智能控制接口電路。
背景技術(shù)：
電磁感應(yīng)無極燈是高光效、長壽命的新一代節(jié)能燈。它的工作原理是首先把市電 轉(zhuǎn)換為直流電，再變換成高頻電能，高頻電能通過燈泡中心部位的感應(yīng)線圈(藕合器)產(chǎn)生 強磁場，磁場能感應(yīng)進燈泡內(nèi)，使燈泡內(nèi)氣體雪崩電離形成等離子體，等離子體中的受激汞 原子在返回基態(tài)過程中輻射出254nm的紫外線，燈泡內(nèi)壁熒光粉受到紫外線照射而轉(zhuǎn)換成 可見光。電磁感應(yīng)無極燈是由電子鎮(zhèn)流器、功率耦合線圈以及無極熒光燈管組合而成。其 燈管是一個真空放電腔體，它的一端設(shè)置汞齊(固汞)，放電腔體內(nèi)填充緩沖放電氣體，形 成連續(xù)的閉合放電環(huán)路，放電腔體通過環(huán)形鐵氧體磁芯的中心軸線，所述環(huán)形鐵氧體磁芯 的中心軸線繞有功率耦合線圈，電子鎮(zhèn)流器產(chǎn)生的高頻電磁能量通過功率耦合線圈耦合進 入放電的等離子體中。事實上，功率耦合線圈和放電腔體可以視為一個變壓器的初級和次 級，通過線圈的電流產(chǎn)生交變的磁通量，進而又沿放電腔體產(chǎn)生感應(yīng)電場來維持等離子體 發(fā)光。電磁感應(yīng)無極燈的燈管內(nèi)沒有燈絲和電極，突破了傳統(tǒng)的白熾燈、氣體放電燈的 工作模式，使傳統(tǒng)的氣體放電光源由于電極濺射而引起燈管發(fā)黑或電極發(fā)射材料耗盡而導(dǎo) 致燈管壽命終止等問題得到避免和克服。其高光效、長壽命、高顯色性、光線穩(wěn)定等特點，使 它成為理想的綠色照明光源之一。電磁感應(yīng)無極燈特殊的工作方式對鎮(zhèn)流器提出了特殊的要求，如何保證電磁感應(yīng) 無極燈安全、可靠、可控、穩(wěn)定地工作，是無極燈鎮(zhèn)流器設(shè)計開發(fā)重點要解決的問題。請參考圖1，圖1為現(xiàn)有的無極燈鎮(zhèn)流器的鎮(zhèn)流電路的示意，如圖1所示，現(xiàn)有的無 極燈鎮(zhèn)流器的鎮(zhèn)流電路包括濾波整流電路100、功率因數(shù)校正電路200、半橋驅(qū)動電路300 以及輸出采樣電路400。所述濾波整流電路100輸入交流市電，并將所述交流市電轉(zhuǎn)換成直 流電源輸出到所述功率因數(shù)校正電路200 ；所述功率因數(shù)校正電路200對所述直流電源進 行功率因數(shù)補償，使其功率因數(shù)達到0. 99以上，并通過直流總線將所述經(jīng)過功率因數(shù)補償 的直流電源輸出到半橋驅(qū)動電路300 ；所述半橋驅(qū)動電路300將所述經(jīng)過功率因數(shù)補償?shù)?直流電源轉(zhuǎn)換成高頻電能，驅(qū)動所述無極熒光燈管工作，并且所述半橋驅(qū)動電路300內(nèi)還 集成有異常保護電路；所述輸出采樣電路400將輸出信號反饋到所述半橋驅(qū)動電路300，當 出現(xiàn)異常時，所述半橋驅(qū)動電路300中的保護電路進行短路保護、運行中開路保護以及過 流保護。但是現(xiàn)有的技術(shù)還普遍存在著以下問題(1)沒有開路啟動保護，在燈管沒有接 上鎮(zhèn)流器的狀態(tài)下，如果鎮(zhèn)流器上電，則很容易導(dǎo)致鎮(zhèn)流器自身的損壞；(2)沒有破燈啟動 保護，在燈管破裂而無法啟動時，若鎮(zhèn)流器上電，很容易導(dǎo)致鎮(zhèn)流器自身的損壞；(3)隨著無極燈在工程上的推廣應(yīng)用，無極燈的照明自動控制問題隨之而來，現(xiàn)有無極燈鎮(zhèn)流器都 沒有簡便通用的智能控制接口，采用弱電自控技術(shù)的照明控制系統(tǒng)難以進行逐燈的狀態(tài)檢 測與開閉控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，用對低頻無極燈的鎮(zhèn)流器進行保護及只能控制，以解決目前低頻無極燈的鎮(zhèn)流器沒有開路啟動保 護、破燈啟動保護以及智能控制，從而容易導(dǎo)致鎮(zhèn)流器自身的損壞以及不利于低頻無極燈 推廣應(yīng)用的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提出一種低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，其 中所述鎮(zhèn)流器的鎮(zhèn)流電路包括濾波整流電路、功率因數(shù)校正電路、半橋驅(qū)動電路以及輸出 采樣電路，所述低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路包括開路啟動保護電路，所述開路啟動保護電路接收所述功率因數(shù)校正電路輸出的第 一信號，并且輸出一第二信號到所述半橋驅(qū)動電路的電源引腳，所述第二信號受所述鎮(zhèn)流 器狀態(tài)的控制，當所述鎮(zhèn)流器接上所述低頻無極燈時，所述第二信號為有效電源信號，當所 述鎮(zhèn)流器沒接所述低頻無極燈時，所述第二信號為無效信號；破燈啟動保護電路，所述破燈啟動保護電路接收所述輸出采樣電路輸出的采樣信 號，并對所述采樣信號進行穩(wěn)壓、濾波后輸出到所述半橋驅(qū)動電路的過壓保護引腳，當所述 采樣信號明顯高于正常情況時，觸發(fā)所述半橋驅(qū)動電路進行過壓保護；以及智能控制接口電路，所述智能控制接口電路接收所述輸出采樣電路輸出的采樣信 號，并根據(jù)所述采樣信號控制所述半橋驅(qū)動電路電源的通斷電?？蛇x的，所述開路啟動保護電路包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻，第 二二極管、第三二極管、第四二極管，第一穩(wěn)壓二極管以及晶體三極管；所述第一信號連接 到所述第六電阻的一端，所述第六電阻的另一端與所述第一穩(wěn)壓二極管的陰極以及所述晶 體三極管的發(fā)射極相連，所述第一穩(wěn)壓二極管的陽極與所述第二二極管的陽極相連，所述 晶體三極管的集電極與所述第四二極管的陽極連接，所述第四二極管的陰極與所述第三電 阻相連，所述第三電阻的另一端連接半橋驅(qū)動電路的電源引腳；所述第四電阻跨接在所述 晶體三極管的基極和發(fā)射極兩端，所述晶體三極管的基極同時與所述第五電阻連接，所述 第五電阻另一端與所述第三二極管的陽極相連，所述第三二極管的陰極連接到鎮(zhèn)流器的輸 出端?？蛇x的，所述晶體三極管為PNP型晶體三極管?？蛇x的，所述破燈啟動保護電路包括并聯(lián)的第二穩(wěn)壓二極管以及電容，所述采樣 信號連接到所述第二穩(wěn)壓二極管的陰極和所述電容的一端，所述第二穩(wěn)壓二極管的陽極和 所述電容的另一端接地?？蛇x的，所述智能控制接口電路包括第一光電耦合器、第二光電耦合器，第一電 阻、第二電阻、第七電阻、第八電阻以及MOS管；所述第一電阻、第二電阻分別與所述第一光 電耦合器的輸入腳和輸出腳串聯(lián)，所述第八電阻連接所述MOS管的柵極及漏極，所述第七 電阻串接于所述第二光電耦合器的輸出端與所述MOS管的柵極之間，所述MOS管的漏極接 地，所述第六電阻連接所述第二光電耦合器的輸出集電極以及所述半橋驅(qū)動電路的電源引腳?？蛇x的，所述第一信號為直流電流信號或直流電壓信號?？蛇x的，所述第二信號為直流電流信號或直流電壓信號。可選的，所述采樣信號為直流電壓信號。本發(fā)明所提供的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路包括開路啟動保護電 路、破燈啟動保護電路以及智能控制接口電路，所述開路啟動保護電路保證所述鎮(zhèn)流器只 有在低頻無極燈管正常接入時才啟動；所述破燈啟動保護電路在所述低頻無極燈的燈管破 裂時，觸發(fā)半橋驅(qū)動電路進行過壓保護；所述智能控制接口電路對所述低頻無極燈進行狀 態(tài)反饋及智能開關(guān)控制；從而有效地防止了鎮(zhèn)流器在異常情況下啟動而造成的自身損壞， 并且智能開關(guān)控制也有利于低頻無極燈的推廣應(yīng)用。


圖1為現(xiàn)有的無極燈鎮(zhèn)流器的鎮(zhèn)流電路的示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路的電路原 理圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路應(yīng)用到鎮(zhèn) 流電路的示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的低頻無極燈啟動保護及智能控制接 口電路作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需 說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明晰地輔助說 明本發(fā)明實施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，所 述低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路包括開路啟動保護電路、破燈啟動保護電路以 及智能控制接口電路，所述開路啟動保護電路保證所述鎮(zhèn)流器只有在低頻無極燈管正常接 入時才啟動；所述破燈啟動保護電路在所述低頻無極燈的燈管破裂時，觸發(fā)半橋驅(qū)動電路 進行過壓保護；所述智能控制接口電路對所述低頻無極燈進行狀態(tài)反饋及智能開關(guān)控制； 從而有效地防止了鎮(zhèn)流器在異常情況下啟動而造成的自身損壞，并且智能開關(guān)控制也有利 于低頻無極燈的推廣應(yīng)用。請參考圖2至圖3，其中，圖2為本發(fā)明實施例提供的低頻無極燈啟動保護及智能 控制接口電路的電路原理圖，圖3為本發(fā)明實施例提供的低頻無極燈啟動保護及智能控制 接口電路應(yīng)用到鎮(zhèn)流電路的示意圖，如圖2至圖3所示，所述鎮(zhèn)流器的鎮(zhèn)流電路包括濾波整 流電路100、功率因數(shù)校正電路200、半橋驅(qū)動電路300以及輸出采樣電路400，半橋驅(qū)動電 路300與所述無極燈相連，本發(fā)明提供的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路500包 括開路啟動保護電路501，所述開路啟動保護電路501接收所述功率因數(shù)校正電路 200輸出的第一信號，并且輸出一第二信號到所述半橋驅(qū)動電路300的電源引腳VD，所述第 二信號受所述鎮(zhèn)流器狀態(tài)的控制，當所述鎮(zhèn)流器接上所述低頻無極燈時，所述第二信號為有效電源信號，當所述鎮(zhèn)流器沒接所述低頻無極燈時，所述第二信號為無效信號；破燈啟動保護電路502，所述破燈啟動保護電路502接收所述輸出采樣電路400輸出的采樣信號VSMP，并對所述采樣信號VSMP進行穩(wěn)壓、濾波后輸出到所述半橋驅(qū)動電路 300的過壓保護引腳，當所述采樣信號明顯高于正常情況時，觸發(fā)所述半橋驅(qū)動電路300進 行過壓保護；以及智能控制接口電路503，所述智能控制接口電路503接收所述輸出采樣電路400輸 出的采樣信號VSMP，并根據(jù)所述采樣信號VSMP控制所述半橋驅(qū)動電路300電源的通斷電。其中，所述開路啟動保護電路501包括第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第 六電阻R6，第二二極管D2、第三二極管D3、第四二極管D4，第一穩(wěn)壓二極管Dl以及晶體三 極管Ql ；所述第一信號連接到第六電阻R6，第六電阻R6再與第一穩(wěn)壓二極管Dl的陰極以 及晶體三極管Ql的發(fā)射極相連，第一穩(wěn)壓二極管Dl的陽極與第二二極管D2的陽極相連， 晶體三極管Ql的集電極與第四二極管D4的陽極連接，第四二極管D4的陰極與第三電阻R3 相連，第三電阻R3的另一端連接半橋驅(qū)動電路的電源引腳VD ；第四電阻R4跨接在晶體三 極管Ql的基極和發(fā)射極兩端，晶體三極管Ql的基極同時與第五電阻R5連接，第五電阻R5 的另一端與第三二極管D3的陽極相連，第三二極管D3的陰極連接到鎮(zhèn)流器的輸出端。所述開路啟動保護電路501的原理為所述功率因數(shù)校正電路200輸出的直流電 流經(jīng)R6限流、Dl穩(wěn)壓后進入晶體三極管Ql。當?shù)皖l無極燈的燈管正常接入時，電流經(jīng)R4、 R5、D3流動，在晶體三極管Ql的發(fā)射極和基極之間形成偏置電壓，晶體三極管Ql導(dǎo)通，于 是電流經(jīng)晶體三極管Ql集電極、D4、R3流到半橋驅(qū)動電路300的電源引腳VD，給半橋驅(qū)動 電路300供電，鎮(zhèn)流器啟動；而當鎮(zhèn)流器的輸出端開路，及低頻無極燈的燈管沒有與鎮(zhèn)流器 連接時，R4上沒有電流流過，因而R4兩端沒有壓差，晶體三極管Ql截止，于是D4的陽極以 及半橋驅(qū)動電路300的電源引腳VD處沒有電流，鎮(zhèn)流器不啟動，實現(xiàn)開路保護功能。進一步地，所述破燈啟動保護電路502包括并聯(lián)的第二穩(wěn)壓二極管D5以及電容 Cl，所述采樣信號VSMP連接到所述第二穩(wěn)壓二極管D5的陰極和Cl的一端，所述第二穩(wěn)壓 二極管D5的陽極和Cl的另一端接地，所述采樣信號VSMP經(jīng)所述破燈啟動保護電路502穩(wěn) 壓、濾波后輸出到所述半橋驅(qū)動電路300的過壓保護引腳。所述破燈啟動保護電路502的原理為當所述低頻無極燈的燈管破裂或漏氣后， 所述鎮(zhèn)流電路的輸出功率明顯增加，此時，采樣信號VSMP將明顯高于正常情況，所述破燈 啟動保護電路502將該信號進行穩(wěn)壓、濾波后接至所述半橋驅(qū)動電路300的過壓保護引腳， 觸發(fā)所述半橋驅(qū)動電路300進行過壓保護動作，實現(xiàn)破燈啟動保護。進一步地，所述智能控制接口電路503包括第一光電耦合器0P1、第二光電耦合器 0P2，第一電阻R1、第二電阻R2、第七電阻R7、第八電阻R8以及MOS管Qp ；所述第一電阻R1、 第二電阻R2分別與所述第一光電耦合器OPl的輸入腳和輸出腳串聯(lián)，所述第八電阻R8連 接所述MOS管Qp的柵極及漏極，所述第七電阻R7串接于所述第二光電耦合器0P2的輸出 端與所述MOS管Qp的柵極之間，所述MOS管Qp的漏極接地，所述第六電阻R6連接所述第 二光電耦合器0P2的輸出集電極以及所述半橋驅(qū)動電路的電源引腳VD。所述智能控制接口電路503的原理為所述取樣電壓VSMP連接到所述第一光電耦 合器OPl的輸入端，當鎮(zhèn)流器有輸出時，第一光電耦合器OPl的輸出端發(fā)光，當鎮(zhèn)流器沒有 輸出時，第一光電耦合器OPl的輸出端不發(fā)光，從而第一光電耦合器OPl的輸出端根據(jù)鎮(zhèn)流器的輸出情況改變狀態(tài)，第一光電耦合器OPI的輸出端狀態(tài)的改變形成一智能控制信號對 D0-LHT/D0-GND。其中，信號DO-LHT為高電平信號，其對應(yīng)第一光電耦合器OPl的輸出端發(fā) 光狀態(tài)；DO-GND為低電平信號，其對應(yīng)第一光電耦合器OPl的輸出端不發(fā)光狀態(tài)。第一電 阻Rl以及第二電阻R2起限流保護作用。第一光電耦合器OPl的輸出端狀態(tài)的改變對應(yīng)的智能控制信號對D0-LHT/D0-GND 輸入到第二光電耦合器0P2的輸入端，當該智能控制信號為低電平時，第二光電耦合器0P2 輸出端截止，MOS管Qp柵極為低電平，Qp截止，半橋驅(qū)動電路300正常工作；當該智能控制 信號為高電平時，0P2輸出端導(dǎo)通，來自第六電阻R6的高電平被接入到Qp的柵極，Qp導(dǎo)通， 從而半橋驅(qū)動電路300的電源引腳VD對地(GND)短路，半橋驅(qū)動電路300的電源被切斷， 鎮(zhèn)流器停止輸出，進入待機狀態(tài)；當該智能控制信號再次返回到低電平時，VD又恢復(fù)供電， 半橋驅(qū)動電路電源恢復(fù)，重新進行新一輪啟動，然后正常工作。達到自動控制的目的。在上述的具體實施例中，所述晶體三極管Ql為PNP型晶體三極管。在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述第一信號為直流電流信號，然而應(yīng)該認識到， 根據(jù)實際情況，所述第一信號還可以為直流電壓信號。在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述第二信號為直流電流信號，然而應(yīng)該認識到， 根據(jù)實際情況，所述第二信號還可以為直流電壓信號。在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述采樣信號為直流壓信號，然而應(yīng)該認識到，根 據(jù)實際情況，所述采樣信號還可以為直流電流信號。綜上所述，本發(fā)明提供了一種低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，所述低 頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路包括開路啟動保護電路、破燈啟動保護電路以及智 能控制接口電路，所述開路啟動保護電路保證所述鎮(zhèn)流器只有在低頻無極燈管正常接入時 才啟動；所述破燈啟動保護電路在所述低頻無極燈的燈管破裂時，觸發(fā)半橋驅(qū)動電路進行 過壓保護；所述智能控制接口電路對所述低頻無極燈進行狀態(tài)反饋及智能開關(guān)控制；從而 有效地防止了鎮(zhèn)流器在異常情況下啟動而造成的自身損壞，并且智能開關(guān)控制也有利于低 頻無極燈的推廣應(yīng)用。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之 內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
一種低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，用于保護及控制低頻無極燈的鎮(zhèn)流器，其中所述鎮(zhèn)流器的鎮(zhèn)流電路包括濾波整流電路、功率因數(shù)校正電路、半橋驅(qū)動電路以及輸出采樣電路，其特征在于，包括開路啟動保護電路，所述開路啟動保護電路接收所述功率因數(shù)校正電路輸出的第一信號，并且輸出一第二信號到所述半橋驅(qū)動電路的電源引腳，所述第二信號受所述鎮(zhèn)流器狀態(tài)的控制，當所述鎮(zhèn)流器接上所述低頻無極燈時，所述第二信號為有效電源信號，當所述鎮(zhèn)流器沒接所述低頻無極燈時，所述第二信號為無效信號；破燈啟動保護電路，所述破燈啟動保護電路接收所述輸出采樣電路輸出的采樣信號，并對所述采樣信號進行穩(wěn)壓、濾波后輸出到所述半橋驅(qū)動電路的過壓保護引腳，當所述采樣信號明顯高于正常情況時，觸發(fā)所述半橋驅(qū)動電路進行過壓保護；以及智能控制接口電路，所述智能控制接口電路接收所述輸出采樣電路輸出的采樣信號，并根據(jù)所述采樣信號控制所述半橋驅(qū)動電路電源的通斷電。
2.如權(quán)利要求1所述的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，其特征在于，所述 開路啟動保護電路包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻，第二二極管、第三二極 管、第四二極管，第一穩(wěn)壓二極管以及晶體三極管；所述第一信號連接到所述第六電阻的一 端，所述第六電阻的另一端與所述第一穩(wěn)壓二極管的陰極以及所述晶體三極管的發(fā)射極相 連，所述第一穩(wěn)壓二極管的陽極與所述第二二極管的陽極相連，所述晶體三極管的集電極 與所述第四二極管的陽極連接，所述第四二極管的陰極與所述第三電阻相連，所述第三電 阻的另一端連接半橋驅(qū)動電路的電源引腳；所述第四電阻跨接在所述晶體三極管的基極和 發(fā)射極兩端，所述晶體三極管的基極同時與所述第五電阻連接，所述第五電阻另一端與所 述第三二極管的陽極相連，所述第三二極管的陰極連接到鎮(zhèn)流器的輸出端。
3.如權(quán)利要求2所述的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，其特征在于，所述 晶體三極管為PNP型晶體三極管。
4.如權(quán)利要求1所述的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，其特征在于，所述 破燈啟動保護電路包括并聯(lián)的第二穩(wěn)壓二極管以及電容，所述采樣信號連接到所述第二穩(wěn) 壓二極管的陰極和所述電容的一端，所述第二穩(wěn)壓二極管的陽極和所述電容的另一端接 地。
5.如權(quán)利要求1所述的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，其特征在于，所述 智能控制接口電路包括第一光電耦合器、第二光電耦合器，第一電阻、第二電阻、第七電阻、 第八電阻以及MOS管；所述第一電阻、第二電阻分別與所述第一光電耦合器的輸入腳和輸 出腳串聯(lián)，所述第八電阻連接所述MOS管的柵極及漏極，所述第七電阻串接于所述第二光 電耦合器的輸出端與所述MOS管的柵極之間，所述MOS管的漏極接地，所述第六電阻連接所 述第二光電耦合器的輸出集電極以及所述半橋驅(qū)動電路的電源引腳。
6.如權(quán)利要求1所述的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，其特征在于，所述 第一信號為直流電流信號或直流電壓信號。
7.如權(quán)利要求1所述的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，其特征在于，所述 第二信號為直流電流信號或直流電壓信號。
8.如權(quán)利要求1所述的低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，其特征在于，所述 采樣信號為直流電壓信號。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路，所述低頻無極燈啟動保護及智能控制接口電路包括開路啟動保護電路、破燈啟動保護電路以及智能控制接口電路，所述開路啟動保護電路保證所述鎮(zhèn)流器只有在低頻無極燈管正常接入時才啟動；所述破燈啟動保護電路在所述低頻無極燈的燈管破裂時，觸發(fā)半橋驅(qū)動電路進行過壓保護；所述智能控制接口電路對所述低頻無極燈進行狀態(tài)反饋及智能開關(guān)控制；從而有效地防止了鎮(zhèn)流器在異常情況下啟動而造成的自身損壞，并且智能開關(guān)控制也有利于低頻無極燈的推廣應(yīng)用。
文檔編號H05B41/285GK101820714SQ20101015363
公開日2010年9月1日 申請日期2010年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月22日
發(fā)明者宋曉勇, 曾祥緒, 計春雷 申請人:上海電機學(xué)院