專利名稱：一種感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子顯示器件，特別涉及一種感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管在顯示器件中有著廣泛的應(yīng)用，目前薄膜晶體管的主流技術(shù)是非晶硅薄膜晶體管技術(shù)，但非晶硅薄膜晶體管有遷移率低、穩(wěn)定性差的問題，不能適用在一些高要求的領(lǐng)域，如有機(jī)發(fā)光顯示器件，多晶硅薄膜晶體管可以解決上述問題，因此在有機(jī)發(fā)光顯示器件中人們開始應(yīng)用多晶硅薄膜晶體管技術(shù)，多晶硅薄膜晶體管技術(shù)可以解決上述的問題。在多晶硅薄膜晶體管制造技術(shù)中非晶硅薄膜的晶化技術(shù)是最關(guān)鍵的，為了在玻璃基板上進(jìn)行晶化，必須使用低溫晶化技術(shù)，目前的主要的低溫晶化技術(shù)是激光退火，但激光技術(shù)還有一些局限性，如準(zhǔn)分子激光器的功率不穩(wěn)定，會引起晶化的不均勻性，從而導(dǎo)致顯示圖像的不均勻，而半導(dǎo)體激光器雖然功率穩(wěn)定，但目前半導(dǎo)體激光器的功率比較小，而且半導(dǎo)體激光器的波長和硅的吸收波長很難匹配。另外激光退火設(shè)備復(fù)雜，大尺寸擴(kuò)展困難，價格和維護(hù)費(fèi)用都非常高。這都是多晶硅薄膜晶體管普及應(yīng)用的主要障礙之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對非晶硅薄膜的晶化現(xiàn)在存在的問題，提出了一種感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法，利用感應(yīng)線圈產(chǎn)生強(qiáng)的交變磁場，交變磁場靠近覆蓋有金屬膜的非晶硅薄膜，金屬膜會產(chǎn)生強(qiáng)的感應(yīng)渦旋電流，可以迅速加熱金屬膜，從而加熱金屬膜下面的非晶硅，非晶硅被加熱后，導(dǎo)電性增強(qiáng)，在交變磁場中也會產(chǎn)生渦旋電流，進(jìn)一步對自己加熱，因此非晶硅薄膜被迅速加熱達(dá)到晶化溫度，從而達(dá)到晶化的目的，所需設(shè)備簡單，成本低。本發(fā)明的技術(shù)方案為一種感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法，先在玻璃基板上沉積一層非晶硅薄膜，再將非晶硅薄膜上覆蓋一層金屬膜，將感應(yīng)線圈的開口一端貼近金屬膜，感應(yīng)線圈連接感應(yīng)電源，感應(yīng)線圈中通上千安培的交變電流，線圈中產(chǎn)生強(qiáng)的交變磁場垂直作用于金屬膜和非晶硅薄膜，金屬膜產(chǎn)生強(qiáng)的感應(yīng)渦旋電流，迅速加熱金屬膜，金屬膜上熱傳遞到下面覆蓋的非晶硅薄膜，當(dāng)非晶硅薄膜被迅速加熱達(dá)到晶化溫度后，保持到非晶硅薄膜逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч璞∧ぃY(jié)晶完以后將玻璃基板冷卻，并對玻璃基板上的金屬膜進(jìn)行脫膜，最后得到了晶化好的非晶硅薄膜。當(dāng)線圈中產(chǎn)生強(qiáng)的交變磁場垂直作用于金屬膜和非晶硅薄膜時，讓玻璃基板進(jìn)行橫向移動，使感應(yīng)線圈對整個玻璃基板上的非晶硅薄膜進(jìn)行掃描晶化。所述金屬膜的厚度范圍為10納米到10000納米。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法，感應(yīng)加熱設(shè)設(shè)備比較簡單，晶化設(shè)備的成本較低；感應(yīng)加熱速度很快，而且是直接對需加熱的區(qū)域進(jìn)行加熱，力口熱效率很高，能效利用率高；感應(yīng)加熱不會對非晶硅下面的玻璃基板加熱，不會使玻璃基板溫度過高而變形，有利于多晶硅薄膜晶體管普及應(yīng)用。


圖1為本發(fā)明感應(yīng)加熱非晶硅晶化示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖1所示感應(yīng)加熱非晶硅晶化示意圖，先在玻璃基板1上沉積一層非晶硅薄膜 2，再將非晶硅薄膜2上覆蓋一層金屬膜3，將感應(yīng)線圈4的開口一端貼近金屬膜，感應(yīng)線圈連接感應(yīng)電源，感應(yīng)線圈中通強(qiáng)大交變電流，可達(dá)上千安培，線圈中產(chǎn)生強(qiáng)的交變磁場，交變磁場垂直金屬膜和非晶硅薄膜2，金屬膜3會產(chǎn)生強(qiáng)的感應(yīng)渦旋電流，可以迅速加熱金屬膜3，從而加熱金屬膜3下面覆蓋的非晶硅薄膜2，非晶硅被加熱后，導(dǎo)電性增強(qiáng)，在交變磁場中也產(chǎn)生渦旋電流，進(jìn)一步對非晶硅薄膜2進(jìn)行加熱，非晶硅薄膜2被迅速加熱達(dá)到晶化溫度，保持一段時間，使非晶硅薄膜2逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч璞∧?。結(jié)晶完以后將玻璃基板1冷卻，并對玻璃基板1上的金屬膜3進(jìn)行脫膜，最后就得到了晶化好的非晶硅薄膜2。為了進(jìn)行大面積晶化，將沉積有非晶硅薄膜2的玻璃基板1進(jìn)行橫向移動，從而使感應(yīng)線圈4對整個底板上的非晶硅薄膜2進(jìn)行掃描晶化，從而達(dá)到大面積計(jì)劃的目的。實(shí)驗(yàn)步驟在玻璃基板上用化學(xué)氣相沉積的方法沉積一層非晶硅薄膜，非晶硅薄膜的厚度在30納米左右，然后再利用熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備在非晶硅薄膜上蒸鍍一層金屬鋁膜， 金屬鋁膜的厚度在100納米左右，一般金屬膜的厚度范圍為10納米到10000納米，將玻璃基板放置到感應(yīng)線圈口下，對線圈通高頻電流，電流為1000安培，2分鐘后停止通電進(jìn)行冷卻，冷卻后將基板放入鹽酸中對鋁膜進(jìn)行脫膜，脫膜后就得到了晶化好得多晶硅薄膜基板。
權(quán)利要求
1.一種感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法，其特征在于，先在玻璃基板上沉積一層非晶硅薄膜， 再將非晶硅薄膜上覆蓋一層金屬膜，將感應(yīng)線圈的開口一端貼近金屬膜，感應(yīng)線圈連接感應(yīng)電源，感應(yīng)線圈中通上千安培的交變電流，線圈中產(chǎn)生強(qiáng)的交變磁場垂直作用于金屬膜和非晶硅薄膜，金屬膜產(chǎn)生強(qiáng)的感應(yīng)渦旋電流，迅速加熱金屬膜，金屬膜上熱傳遞到下面覆蓋的非晶硅薄膜，當(dāng)非晶硅薄膜被迅速加熱達(dá)到晶化溫度后，保持到非晶硅薄膜逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч璞∧?，結(jié)晶完以后將玻璃基板冷卻，并對玻璃基板上的金屬膜進(jìn)行脫膜，最后得到了晶化好的非晶硅薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法，其特征在于，當(dāng)線圈中產(chǎn)生強(qiáng)的交變磁場垂直作用于金屬膜和非晶硅薄膜時，讓玻璃基板進(jìn)行橫向移動，使感應(yīng)線圈對整個玻璃基板上的非晶硅薄膜進(jìn)行掃描晶化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法，其特征在于，所述金屬膜的厚度范圍為10納米到10000納米。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種感應(yīng)加熱非晶硅晶化方法，利用感應(yīng)線圈產(chǎn)生強(qiáng)的交變磁場，交變磁場靠近覆蓋有金屬膜的非晶硅薄膜，金屬膜會產(chǎn)生強(qiáng)的感應(yīng)渦旋電流，可以迅速加熱金屬膜，從而加熱金屬膜下面的非晶硅，非晶硅被加熱后，導(dǎo)電性增強(qiáng)，在交變磁場中也會產(chǎn)生渦旋電流，進(jìn)一步對自己加熱，因此非晶硅薄膜被迅速加熱達(dá)到晶化溫度，從而達(dá)到晶化的目的，所需設(shè)備簡單，成本低。有利于多晶硅薄膜晶體管普及應(yīng)用。
文檔編號C30B28/02GK102465338SQ20101054771
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月17日
發(fā)明者劉紅君, 陳科 申請人:上海廣電電子股份有限公司