專利名稱：等離子體光源系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于EUV輻射的等離子體光源系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
為了下一代半導體的微細加工，期待使用極紫外光源的光刻。光刻是將光、光束通過描繪有電路圖案的掩?？s小投影到硅基板上，使抗蝕劑材料感光，由此形成電子電路的技術(shù)。利用光刻形成的電路的最小加工尺寸基本上依賴于光源的波長。因此，在下一代半導體開發(fā)中，光源的短波長化是必須的，正在進行面向該光源開發(fā)的研究。作為下一代光刻光源被視為最有力的是極紫外光源(EUV =Extreme Ultra Violet)，這意味著大約廣IOOnm的波長區(qū)域的光。該區(qū)域的光對所有物質(zhì)的吸收率高，不能利用透鏡等的透射型光學系統(tǒng)，因此使用反射型光學系統(tǒng)。此外，極紫外光區(qū)域的光學系統(tǒng)的開發(fā)非常困難，僅在有限的波長中顯示出反射特性?，F(xiàn)在，正在開發(fā)在13. 5nm具有靈敏度的Mo/Si多層膜反射鏡，預測如果開發(fā)了將該波長的光和反射鏡組合起來的光刻技術(shù)的話，就能實現(xiàn)30nm以下的加工尺寸。為了實現(xiàn)更微細的加工技術(shù)，當務(wù)之急是波長13. 5nm的光刻光源的開發(fā)，來自高能量密度等離子體的輻射光受到矚目。光源等離子體的生成大致分為激光照射方式(LPP =Laser Produced Plasma)和通過脈沖功率技術(shù)驅(qū)動的氣體放電方式(DPP :Discharge Produced Plasma)。DPP將投入的電力直接變換成等離子體能量，因此與LPP相比變換效率優(yōu)越，此外具有裝置小型且低成本的優(yōu)點。來自利用氣體放電方式的高溫高密度等離子體的輻射譜基本上根據(jù)靶物質(zhì)的溫度和密度來決定，根據(jù)計算等離子體的原子過程的結(jié)果，為了獲得EUV輻射區(qū)域的等離子體，在Xe、Sn的情況下電子溫度、電子密度分別最適合的是數(shù)10eV、1018Cm_3左右，在Li的情況下電子溫度、電子密度最適合的是20eV、IO18CnT3左右。再有，上述的等離子體光源在非專利文獻1、2和專利文獻1中公開。現(xiàn)有技術(shù)文獻非專利文獻
非專利文獻1 佐藤弘人、他、M、"”入用放電7義7 EU V光源」、O Q D — 0 8-28；
非專禾丨J 文獻 2 J e roenJonke r s，“Hi ghpowe rex t reme u 1 tra — violet(EUV)l ightsourcesforfuturel i thography”，Pl asmaSource s S c i enceandTech nology,15(2006)S8-S16；
專利文獻
專利文獻1 日本特開2004-226244號公報“極端紫外光源杉J 半導體露光裝置”。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
對于EUV光刻光源，要求高平均輸出、微小的光源尺寸、飛散粒子(殘渣)少等。現(xiàn)狀是 EUV發(fā)光量相對于要求輸出極其低，高輸出化是一個大的課題，但另一方面當為了高輸出化而增大輸入能量時，熱負荷的損傷招致等離子體生成裝置、光學系統(tǒng)的壽命的降低。因此， 為了滿足高EUV輸出和低熱負荷的雙方，高能量變換效率是必不可少的。由于在等離子體形成初期在加熱、電離中消耗許多能量，并且輻射EUV那樣的高溫高密度狀態(tài)的等離子體一般急速膨脹，所以輻射持續(xù)時間τ極短。因此，為了改善變換效率，重要的是將等離子體以適于EUV輻射的高溫高密度狀態(tài)長時間(μ sec級別)維持?，F(xiàn)在的一般的EUV等離子體光源的輻射時間是IOOnsec左右，輸出極端不足。為了產(chǎn)業(yè)應(yīng)用而兼顧高變換效率和高平均輸出，需要1次發(fā)射(shot)達到數(shù)μ sec的EUV輻射時間。也就是說，為了開發(fā)具有高變換效率的等離子體光源，需要將適于各個靶的溫度密度狀態(tài)的等離子體約束為數(shù)μ sec (至少1 μ sec以上)，實現(xiàn)穩(wěn)定的EUV輻射。本發(fā)明正是為了解決上述的問題點而創(chuàng)造的。即本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體光源，能夠大幅提高產(chǎn)生的等離子體光的輸出，并且抑制熱負荷和電極消耗，延長裝置壽命ο用于解決課題的方案
根據(jù)本發(fā)明，提供一種等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于，具備 多個等離子體光源，在規(guī)定的發(fā)光點對等離子體光周期地進行發(fā)光；以及聚光裝置，將所述等離子體光源的多個發(fā)光點的等離子體光聚光到單一的聚光點。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，所述等離子體光源的多個發(fā)光點設(shè)置在將單一的中心軸作為中心的同一圓周上，
所述聚光裝置具有
反射鏡，位于所述中心軸上，將來自所述發(fā)光點的等離子體光朝向所述聚光點進行反射；以及
旋轉(zhuǎn)裝置，使所述反射鏡以所述中心軸為中心進行旋轉(zhuǎn)，使得在各等離子體光源的發(fā)光時朝向該等離子體光源。此外，所述聚光裝置具有將所述各發(fā)光點的等離子體光朝向所述反射鏡進行聚光的多個聚光反射鏡，
通過該聚光反射鏡和反射鏡，將各發(fā)光點的等離子體光聚光到單一的聚光點。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，所述聚光點位于所述中心軸上，所述反射鏡是將來自所述發(fā)光點的等離子體光朝向所述聚光點聚光的凹面反射鏡。此外，優(yōu)選將從包含所述多個發(fā)光點的平面與所述中心軸的交點起、到各發(fā)光點的距離和到所述聚光點的距離設(shè)定為相等。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，所述聚光裝置具有
旋轉(zhuǎn)體，將所述等離子體光源的多個發(fā)光點設(shè)置在將單一的中心軸作為中心的同一圓周上；以及
旋轉(zhuǎn)裝置，以在各等離子體光源的發(fā)光時該等離子體光源的發(fā)光點位于同一位置的方式，使所述旋轉(zhuǎn)體以所述中心軸為中心進行旋轉(zhuǎn)。
此外，所述聚光裝置具有聚光反射鏡，將來自所述同一位置的等離子體光朝向所述聚光點聚光。此外，所述各等離子體光源具備相向配置的1對同軸狀電極；放電環(huán)境保持裝置，將等離子體介質(zhì)對該同軸狀電極內(nèi)供給并且保持成適于等離子體的產(chǎn)生的溫度和壓力；以及電壓施加裝置，對各同軸狀電極施加使極性反轉(zhuǎn)了的放電電壓，在1對同軸狀電極之間形成管狀放電并在軸方向封閉等離子體。發(fā)明的效果
根據(jù)上述的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，具備在規(guī)定的發(fā)光點對等離子體光周期地進行發(fā)光的多個等離子體光源，因此通過使它們依次工作，從而能夠在抑制各個光源的熱負荷的同時，大幅提高產(chǎn)生的等離子體光的輸出。此外，因為具備將所述等離子體光源的多個發(fā)光點的等離子體光聚光到單一的聚光點的聚光裝置，所以作為光刻用EUV光源，能夠從單一的聚光點使等離子體光周期地發(fā)光。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，采用如下結(jié)構(gòu)，將多個等離子體光源設(shè)置在同一圓周上， 在上述圓的中心軸線上形成利用聚光反射鏡和反射鏡構(gòu)成的聚光系統(tǒng)的聚光點，以設(shè)置于圓的中心部的反射鏡從而聚光到通過圓中心的垂直軸上，進而，以與配置在圓周上的各個等離子體光源的發(fā)光定時同步地，反射鏡的反射面與該等離子體光源面對的方式使其旋轉(zhuǎn)，由此能夠從單一的聚光點對高輸出且微小尺寸的等離子體光周期地進行發(fā)光。此外根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，以單一的凹面反射鏡的1次反射將等離子體光聚光到聚光點，因此能夠提高反射效率、能夠增大產(chǎn)生的EUV光的利用效率。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，將多個等離子體光源設(shè)置在同一圓周上，使它們旋轉(zhuǎn)，在各等離子體光源到達與聚光反射鏡相向的位置的定時，進行各個等離子體光源的放電、等離子體發(fā)光，由此能夠從單一的聚光點使高輸出且微小尺寸的等離子體光周期地發(fā)光。


圖1是與本發(fā)明相關(guān)的等離子體光源的實施方式圖。圖2A是圖1的等離子體光源的面狀放電的產(chǎn)生時的工作說明圖。圖2B是圖1的等離子體光源的面狀放電的移動中的工作說明圖。圖2C是圖1的等離子體光源的等離子體形成時的工作說明圖。圖2D是圖1的等離子體光源的等離子體封閉磁場形成時的工作說明圖。圖3A是本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)的第1實施方式的平面圖。圖3B是本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)的第1實施方式的側(cè)面圖。圖4A是本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)的第2實施方式的平面圖。圖4B是本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)的第2實施方式的側(cè)面圖。圖5是圖4B的凹面反射鏡的第1實施方式圖。圖6是圖4B的凹面反射鏡的第2實施方式圖。圖7是圖4B的凹面反射鏡的第3實施方式圖。圖8A是本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)的第3實施方式的平面圖。
圖8B是本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)的第3實施方式的側(cè)面圖。
具體實施例方式以下，基于附圖詳細地說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。再有，在各圖中對共同的部分賦予同一符號，省略重復的說明。圖1是與本發(fā)明相關(guān)的等離子體光源的實施方式圖，該等離子體光源10具備1 對同軸狀電極11、放電環(huán)境保持裝置20、以及電壓施加裝置30。1對同軸狀電極11以對稱面1為中心而相向配置。各同軸狀電極11包括棒狀的中心電極12、管狀的引導電極14和環(huán)狀的絕緣體16。棒狀的中心電極12是在單一的軸線Z-Z上延伸的導電性的電極。管狀的引導電極14隔開固定的間隔包圍中心電極12，在其間保有等離子體介質(zhì)。 等離子體介質(zhì)例如是Xe、Sn、Li等的氣體。環(huán)狀的絕緣構(gòu)件16是位于中心電極12和引導電極14之間的中空圓筒形狀的電絕緣體，使中心電極12和引導電極14之間電絕緣。在1對同軸狀電極11中，各中心電極12位于同一軸線Z-Z上，并且相互隔開固定的間隔位于對稱的位置。放電環(huán)境保持裝置20對同軸狀電極11內(nèi)供給等離子體介質(zhì)，并且將同軸狀電極 11保持成適于等離子體的產(chǎn)生的溫度和壓力。放電環(huán)境保持裝置20例如能夠通過真空腔室、溫度調(diào)節(jié)器、真空裝置、以及等離子體介質(zhì)供給裝置來構(gòu)成。電壓施加裝置30對各同軸狀電極11施加使極性反轉(zhuǎn)了的放電電壓。電壓施加裝置30在本例子中，包括正電壓源32、負電壓源34和觸發(fā)開關(guān)36。正電壓源32對一方(在該例子中是左側(cè))的同軸狀電極11的中心電極12施加比其引導電極14高的正放電電壓。負電壓源34對另一方(在該例子中是右側(cè))的同軸狀電極11的中心電極12施加比其引導電極14低的負放電電壓。觸發(fā)開關(guān)36使正電壓源32和負電壓源34同時工作，對各個同軸狀電極12同時施加正負的放電電壓。通過該結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的等離子體光源在1對同軸狀電極11之間形成管狀放電，在軸方向封閉等離子體。圖2A 圖2D是圖1的等離子體光源的工作說明圖。在該圖中，圖2A表示面狀發(fā)電的產(chǎn)生時、圖2B表示面狀放電的移動中、圖2C表示等離子體的形成時、圖2D表示等離子體封閉磁場的形成時。以下，參照該附圖，說明等離子體光產(chǎn)生方法。在上述等離子體光產(chǎn)生方法中，將上述的1對同軸狀電極11相向配置，通過放電環(huán)境保持裝置20將等離子體介質(zhì)對同軸狀電極11內(nèi)供給并且保持成適于等離子體的產(chǎn)生的溫度和壓力，通過電壓施加裝置30對各同軸狀電極11施加使極性反轉(zhuǎn)了的放電電壓。如圖2A所示，通過該電壓施加，在1對同軸狀電極11的絕緣構(gòu)件16的表面分別產(chǎn)生面狀的放電電流(以下，稱為面狀放電2)。面狀放電2是2維地擴展的面狀的放電電流，以下稱為“電流片(current sheet)”。
再有在此時，對左側(cè)的同軸狀電極11的中心電極12施加正電壓(+ )，對引導電極 14施加負電壓(_)，對右側(cè)的同軸狀電極11的中心電極12施加負電壓(-)，對其引導電極 14施加正電壓(+ )。如圖2B所示，面狀放電2通過自磁場向從電極排出的方向(圖中朝向中心的方向)移動。如圖2C所示，當面狀放電2到達1對同軸狀電極11的頂端時，在1對面狀放電2 間夾持的等離子體介質(zhì)6變?yōu)楦呙芏?、高溫，在各同軸狀電極11的相向的中間位置(中心電極12的對稱面1)形成單一的等離子體3。進而，在該狀態(tài)下，相向的1對中心電極12是正電壓(+ )和負電壓(_)，同樣地相向的1對引導電極14也是正電壓(+ )和負電壓(_)，因此如圖2D所示，面狀放電2連結(jié)形成在相向的1對中心電極12彼此以及相向的1對引導電極14之間放電的管狀放電4。在這里，管狀放電4意味著包圍軸線Z-Z的中空圓筒狀的放電電流。當形成該管狀放電4時，在圖中形成以符號5表示的等離子體封閉磁場(磁瓶)，能夠?qū)⒌入x子體3在半徑方向和軸方向封閉。S卩，磁瓶5通過等離子體3的壓力，中央部大變其兩側(cè)變小，形成朝向等離子體3 的軸方向的磁壓梯度，通過該磁壓梯度將等離子體3約束在中間位置。進而，等離子體3通過等離子體電流的自磁場而在中心方向被壓縮(Z間距)，自磁場的約束在半徑方向也起作用。在該狀態(tài)下，如果從電壓施加裝置30持續(xù)供給與等離子體3的發(fā)光能量相當?shù)哪芰康脑挘湍軌蛞愿吣芰孔儞Q效率長時間穩(wěn)定地使等離子體光8 (EUV)產(chǎn)生。根據(jù)上述的裝置和方法，具備相向配置的1對同軸狀電極11，使1對同軸狀電極 11分別產(chǎn)生面狀的放電電流(面狀放電2)，通過面狀放電2在各同軸狀電極11的相向的中間位置形成單一的等離子體3，接著將面狀放電2連結(jié)而形成1對同軸狀電極間的管狀放電4，形成封閉等離子體3的等離子體封閉磁場5 (磁瓶5)，因此能夠長時間(μ sec級)穩(wěn)定地使用于EUV輻射的等離子體光產(chǎn)生。此外，與現(xiàn)有的毛細管放電、真空光電金屬等離子體相比較，能夠在1對同軸狀電極11的相向的中間位置形成單一的等離子體3，并且大幅(10倍以上)改善能量變換效率， 所以等離子體形成中的各電極的熱負荷變小，能夠使結(jié)構(gòu)設(shè)備的熱負荷導致的損傷大幅降低。此外，因為在1對同軸狀電極11的相向的中間位置形成作為等離子體光的發(fā)光源的等離子體3，所以能夠增大產(chǎn)生的等離子體光的有效的輻射立體角。可是，通過上述的等離子體光源，雖然與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠大幅改善能量變換效率，但其能量變換效率依然低(例如10%左右)，相對于對光源部投入的功率lkw，能夠產(chǎn)生的等離子體光的輸出不過是0. lkw。因此，當為了實現(xiàn)對光刻光源要求的等離子體光的輸出(例如IkW)而大幅提高對光源部投入的功率(power)時，熱負荷變得過大，電極的消耗變得劇烈，有裝置的壽命縮短的可能性。圖3A和圖3B是表示本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)的第1實施方式圖，圖3A是平面圖，圖3B是側(cè)面圖。
在該圖中，本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)具備多個(在本例中是4個)等離子體光源10 (在本例中是10A、10B、10C、10D)和聚光裝置40。多個(4個)等離子體光源10 (10A、10B、10C、10D)分別在規(guī)定的發(fā)光點Ia周期地對等離子體光8進行發(fā)光。優(yōu)選該周期是IkHz以上，等離子體光的發(fā)光時間是1 μ sec以上，等離子體光的輸出是0. Ikff以上。此外，優(yōu)選各等離子體光源10的周期、發(fā)光時間和輸出分別相等。此外，如圖1所示，各等離子體光源10具備相向配置的1對同軸狀電極11 ；放電環(huán)境保持裝置20，將等離子體介質(zhì)對同軸狀電極11內(nèi)供給并且保持成適合于等離子體的產(chǎn)生的溫度和壓力；以及電壓施加裝置30，對各同軸狀電極11施加使極性反轉(zhuǎn)了的放電電壓，該等離子體光源在1對同軸狀電極11之間形成管狀放電，在軸方向封閉等離子體。聚光裝置40將等離子體光源10的多個發(fā)光點Ia的等離子體光8聚光到單一的聚光點9。在本例中，等離子體光源10的多個發(fā)光點Ia設(shè)置在將單一的中心軸7作為中心的同一圓周上。圓周上的間隔優(yōu)選設(shè)定為彼此相等。此外，在本例中，聚光裝置40具有單一的反射鏡42、單一的旋轉(zhuǎn)裝置44、以及多個(在本例中是4個)聚光反射鏡46 (在本例中是46A、46B、46C、46D)。反射鏡42位于所述中心軸上，將來自等離子體光源10的各發(fā)光點Ia的等離子體光8朝向位于中心軸7上的聚光點9反射。反射鏡42優(yōu)選是凹面反射鏡，但也可以是平面反射鏡。旋轉(zhuǎn)裝置44以在各等離子體光源10的發(fā)光時反射鏡42朝向該等離子體光源的方式，以中心軸7為中心使反射鏡42旋轉(zhuǎn)。多個(4個)聚光反射鏡46 (46A、46B、46C、146D)將各發(fā)光點Ia的等離子體光8 朝向反射鏡42聚光。此外，聚光反射鏡46和反射鏡42以通過該兩者將各發(fā)光點Ia的等離子體光8聚光到單一的聚光點9的方式而設(shè)定形狀。再有，構(gòu)成等離子體光源10的放電環(huán)境保持裝置20和電壓施加裝置30優(yōu)選在多個等離子體光源10分別設(shè)置，但也可以共用其一部分或全部。再有，在本實施方式中，等離子體光源10是4臺，但也可以是纊3臺，也可以是5 臺以上。此外，特別是為了縮短發(fā)光間隔、實現(xiàn)高反復運轉(zhuǎn)(廣10kHz)，等離子體光源越多越好，例如優(yōu)選是10臺以上。例如，在將以圖3中的中心軸7作為中心的圓的半徑設(shè)為R、將旋轉(zhuǎn)速度設(shè)為N、將等離子體光8的脈沖寬度設(shè)為τ的情況下，放電中的等離子體移動量Δ以2JiR*N· τ 表示，在N是100 (10 heads、IkHz)、τ是5 μ s、R是5cm的情況下，等離子體移動量Δ是大約160 μ m，能實現(xiàn)可應(yīng)用于EUV等離子體光源的微小尺寸。根據(jù)上述的本發(fā)明的第1實施方式，采用將多個等離子體光源10設(shè)置在同一圓周上，在上述圓的中心軸線上形成利用聚光反射鏡46和反射鏡42構(gòu)成的聚光系統(tǒng)的聚光點 9，以設(shè)置于圓的中心部的反射鏡42向通過圓中心的垂直軸上聚光的配置，進而，以與配置在圓周上的各個等離子體光源10的發(fā)光定時同步地，反射鏡42的反射面與該等離子體光源10面對的方式使其旋轉(zhuǎn)，由此能夠從單一的聚光點9使高輸出且微小尺寸的等離子體光周期地進行發(fā)光。圖4A和圖4B是本發(fā)明的等離子體光源系統(tǒng)的第2實施方式圖。在本例子中，反射鏡42是將來自各發(fā)光點Ia的等離子體光8朝向位于中心軸7上的聚光點9聚光的凹面反射鏡43。其它結(jié)構(gòu)與實施方式1相同。圖5是圖4B的凹面反射鏡43的第1實施方式圖。在圖5中，將包含多個發(fā)光點Ia的平面和中心軸7的交點設(shè)為原點0，將連結(jié)原點 0和發(fā)光點Ia的線設(shè)為X軸，將連結(jié)原點0和位于中心軸7上的聚光點9的線設(shè)為Y軸，將連結(jié)發(fā)光點Ia和聚光點9的線設(shè)為對稱軸C。在圖5中，凹面反射鏡43是多層膜反射鏡，其反射面的形狀形成為相對于對反射面的法線的入射角和反射角一致，并且相對于對稱軸C線對稱。根據(jù)上述的本發(fā)明的第2實施方式，能夠通過單一的凹面反射鏡43將來自各發(fā)光點Ia的等離子體光8朝向位于中心軸7上的聚光點9進行聚光。因此，通過以與配置在圓周上的各個等離子體光源10的發(fā)光定時同步地，凹面反射鏡43的反射面與該等離子體光源10面對的方式進行旋轉(zhuǎn)，由此能夠從單一的聚光點9 使高輸出且微小尺寸的等離子體光8周期地發(fā)光。此外，由于EUV區(qū)域的反射鏡的反射率低(例如70%前后)，所以已知在多個反射鏡的結(jié)構(gòu)中，產(chǎn)生的EUV光的利用效率大幅降低。相對于此，在圖5的結(jié)構(gòu)中，以單一的凹面反射鏡43的1次反射將等離子體光8 聚光到聚光點9，因此能夠提高反射效率、能夠增大產(chǎn)生的EUV光的利用效率。圖6是圖4B的凹面反射鏡43的第2實施方式圖。在圖6中，凹面反射鏡43是多層膜反射鏡，其反射面的形狀形成為相對于對反射面的法線的入射角和反射角一致，并且相對于對稱軸C線對稱。此外在本例子中，將凹面反射鏡43和中心軸7的交點0與各發(fā)光點Ia連結(jié)起來的直線相對于X軸形成的角度Φ不設(shè)為0度，例如設(shè)定為1(Γ45度。再有，也可以將各發(fā)光點Ia設(shè)定在Y軸的負側(cè)，將角度Φ 設(shè)定為負。在該情況下，凹面反射鏡43的反射面的X-Y平面上的曲線以數(shù)1的數(shù)式(1)表示。 在這里，將各發(fā)光點Ia和聚光點9的X-Y軸上的位置設(shè)為S (coscKsinct)和F (YsO)0其它結(jié)構(gòu)與圖5相同。該曲線成為將點S、F作為2個焦點，通過點0的橢圓弧。反射鏡曲面是將X-Y平面上的該曲線圍繞對稱軸C旋轉(zhuǎn)固定角度而獲得的曲面。[數(shù)1]
權(quán)利要求
1.一種等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于，具備多個等離子體光源，在規(guī)定的發(fā)光點對等離子體光周期地進行發(fā)光；以及聚光裝置，將所述等離子體光源的多個發(fā)光點的等離子體光聚光到單一的聚光點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于，所述等離子體光源的多個發(fā)光點設(shè)置在將單一的中心軸作為中心的同一圓周上， 所述聚光裝置具有反射鏡，位于所述中心軸上，將來自所述發(fā)光點的等離子體光朝向所述聚光點反射；以及旋轉(zhuǎn)裝置，使所述反射鏡以所述中心軸為中心進行旋轉(zhuǎn)，使得在各等離子體光源的發(fā)光時朝向該等離子體光源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于，所述聚光裝置具有將所述各發(fā)光點的等離子體光朝向所述反射鏡聚光的多個聚光反射鏡，通過該聚光反射鏡和反射鏡，將各發(fā)光點的等離子體光聚光到單一的聚光點。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于， 所述聚光點位于所述中心軸上，所述反射鏡是將來自所述發(fā)光點的等離子體光朝向所述聚光點聚光的凹面反射鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于，將從包含所述多個發(fā)光點的平面與所述中心軸的交點起、到各發(fā)光點的距離和到所述聚光點的距離設(shè)定為相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于，所述聚光裝置具有旋轉(zhuǎn)體，將所述等離子體光源的多個發(fā)光點設(shè)置在將單一的中心軸作為中心的同一圓周上；以及旋轉(zhuǎn)裝置，以在各等離子體光源的發(fā)光時該等離子體光源的發(fā)光點位于同一位置的方式，使所述旋轉(zhuǎn)體以所述中心軸為中心進行旋轉(zhuǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于，所述聚光裝置具有聚光反射鏡，將來自所述同一位置的等離子體光朝向所述聚光點聚光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體光源系統(tǒng)，其特征在于，所述各等離子體光源具備相向配置的1對同軸狀電極；放電環(huán)境保持裝置，將等離子體介質(zhì)對該同軸狀電極內(nèi)供給并且保持成適于等離子體的產(chǎn)生的溫度和壓力；以及電壓施加裝置，對各同軸狀電極施加使極性反轉(zhuǎn)了的放電電壓，在1對同軸狀電極之間形成管狀放電并在軸方向封閉等離子體。
全文摘要
一種等離子體光源系統(tǒng)，具備多個等離子體光源(10)，在規(guī)定的發(fā)光點(1a)對等離子體光(8)周期地進行發(fā)光；以及聚光裝置(40)，將等離子體光源的多個發(fā)光點的等離子體光聚光到單一的聚光點(9)。
文檔編號H05G2/00GK102484045SQ201080038879
公開日2012年5月30日 申請日期2010年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月1日
發(fā)明者桑原一 申請人:株式會社 Ihi