專利名稱：半導(dǎo)體芯片搭載用基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片搭載用基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，個(gè)人電腦、移動(dòng)電話、無線基站、光通信裝置、服務(wù)器和路由器等電子設(shè)備中，無論大小，設(shè)備的小型化、輕質(zhì)化、高性能化和高功能化在發(fā)展。此外，CPU、DSP和各種存儲(chǔ)器等的LSI的高速化以及高功能化的同時(shí)，SoC(System on a chip)、SiP(System InPackage)等高密度安裝技術(shù)的開發(fā)也在進(jìn)行。因此，在半導(dǎo)體芯片搭載用基板、母板中已開始使用組合(Buildup)方式的多層配線基板。此外，由于封裝的多針狹間距化的安裝技術(shù)的進(jìn)步，半導(dǎo)體芯片搭載用基板正從QFP(Quad Flat Package)向 BGA(Ball Grid Array)/CSP(Chip Size Package)安裝進(jìn)展。在半導(dǎo)體芯片搭載用基板與半導(dǎo)體芯片的連接中，例如，使用金引線接合。此外，與半導(dǎo)體芯片連接的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，用焊料球與配線板(母板)連接。因此，半導(dǎo)體芯片搭載用基板通常分別具有用于與半導(dǎo)體芯片或配線板連接的連接端子。對(duì)于這些連接端子，為了確保與金線或焊料的良好的金屬接合，多施以鍍金。目前為止，作為對(duì)連接端子施以鍍金的方法，廣泛地使用了電解鍍金。但是，最近，隨著半導(dǎo)體芯片搭載用基板的小型化產(chǎn)生的配線的高密度化，越來越難以確保用于對(duì)連接端子的表面施以電解鍍金的配線。因此，作為向連接端子的鍍金方法，不需要用于進(jìn)行電鍍的引線的非電解鍍金(置換鍍金、還原鍍金)的方法開始受到關(guān)注。例如，如下述非專利文獻(xiàn)1中記載那樣，已知在端子部分的銅箔表面形成非電解鍍鎳被膜/非電解鍍金被膜。但是，如非專利文獻(xiàn)2中記載那樣，對(duì)于非電解鍍鎳/非電解鍍金的方法，與電解鍍鎳/電解鍍金的方法相比，已知焊料連接可靠性、熱處理后的引線接合性下降。此外，如果對(duì)配線進(jìn)行非電解鍍鎳，有時(shí)發(fā)生稱為橋接的在配線間析出非電解鍍鎳被膜的現(xiàn)象，由此引起短路故障。為了抑制該橋接，例如，提出了專利文獻(xiàn)1、2中所示的用于抑制橋接的前處理液和前處理方法。此外，如專利文獻(xiàn)3中所示，還提出了用于抑制橋接的非電解鍍用催化劑液?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開平9141853號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2 日本專利第3387507號(hào)專利文獻(xiàn)3 日本特開平11-124680號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1:社團(tuán)法人^J >卜電路學(xué)會(huì)誌“寸一矢7卜歹夕乂口夕一”(社團(tuán)法人印制電路學(xué)會(huì)志“電路技術(shù)”)(1993年第8卷No. 5第368 372頁)非專利文獻(xiàn)2 表面技術(shù)(2006年第57卷No. 9第616 621頁)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題近年來，由于半添加法等配線形成方法的利用，具有圖案間的間隔小于50μπι的超微細(xì)圖案、例如配線寬/配線間隔(以下簡寫為“L/S”)=35μπι/35μπι的微細(xì)配線的制
品已開始大量生產(chǎn)。作為具有這樣的超微細(xì)圖案的基板中，對(duì)由銅形成的電路施以非電解鍍鎳后、在其上施以非電解鍍金而形成連接端子的現(xiàn)有技術(shù)，已知例如以下的方法。S卩，已知通過以下工序?qū)嵤┦褂昧藥в秀~箔的樹脂的半添加法(1)在表面具有內(nèi)層電路的內(nèi)層板的上下層壓帶有銅箔的樹脂的工序，(2)在帶有銅箔的樹脂設(shè)置內(nèi)部通孔(IVH)，在銅箔上和IVH內(nèi)部形成非電解鍍銅層的工序，(3)在非電解鍍銅層上的應(yīng)形成導(dǎo)體電路的部位以外形成電鍍抗蝕層的工序，(4)在應(yīng)形成導(dǎo)體電路的部位采用電解鍍銅形成銅電路的工序，(5)將電鍍抗蝕層剝離的工序，(6)使用蝕刻液，通過蝕刻將應(yīng)形成導(dǎo)體電路的部分以外的部分的上述銅箔和非電解鍍銅層除去的工序，(7)在形成有導(dǎo)體電路的基板的表面形成阻焊層圖案的工序，(8)在導(dǎo)體電路上形成非電解鍍鎳被膜的工序，和(9)在上述導(dǎo)體電路的最外表面進(jìn)一步形成非電解鍍金被膜的工序。即，在由銅形成的導(dǎo)體電路上的特定部位進(jìn)行非電解鍍鎳(工序(8))/非電解鍍金(工序(9))，由此形成連接端子。如前所述，隨著半導(dǎo)體芯片搭載用基板的小型化產(chǎn)生的配線的高密度化，對(duì)于連接端子部分，代替以往的電解鍍鎳/電解鍍金方法而使用不需要引線的非電解鍍技術(shù)逐漸成為必須。因此，即使上述的半添加法，也應(yīng)用非電解鍍鎳/非電解鍍金。但是，本發(fā)明人等進(jìn)行了研究，結(jié)果判明在L/S = 35μπι/35μπι程度的微細(xì)配線上使用非電解鍍鎳液施以非電解鍍鎳的情形下，難以充分確保導(dǎo)體間的絕緣可靠性。即判明即使應(yīng)用上述的專利文獻(xiàn)1 3中記載的前處理液、前處理方法、使非電解鍍用催化劑液等的橋接減少的手法，也成為了微細(xì)配線的情形下，由于非電解鍍鎳容易在導(dǎo)體間的基材上析出，因此無法獲得充分的效果。此外，成為了這樣的微細(xì)配線的情形下，如果應(yīng)用非電解鍍鎳/非電解鍍金，與應(yīng)用了電解鍍鎳/電解鍍金的情形相比，也判明弓I線接合性和焊料連接可靠性顯著降低。本發(fā)明鑒于這樣的實(shí)際情況而完成，其目的在于，提供即使是形成微細(xì)配線的情形下也能夠減少橋接的發(fā)生、并且能夠獲得優(yōu)異的引線接合性和焊料連接可靠性的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法和由其得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板。用于解決課題的手段為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人等進(jìn)行了深入研究，結(jié)果在圖案間的間隔小于50 μ m的超微細(xì)圖案(例如，175 = 35 4!11/35 4111程度的微細(xì)配線)中，在銅配線上施以非電解鍍鎳的情形下容易發(fā)生橋接，推測其一個(gè)原因是通過非電解鍍鎳在銅配線的側(cè)面也施以了鍍鎳。因此發(fā)現(xiàn)，通過抑制這樣的在側(cè)面的鍍鎳，能夠使橋接的發(fā)生大幅地減少，從而想到了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其特征在于，具有抗蝕層形成工序，其在具有內(nèi)層板和第1銅層的層疊體中的第1銅層上，除了應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分以外形成抗蝕層，所述內(nèi)層板在表面具有內(nèi)層電路，所述第1銅層以一部分與所述內(nèi)層電路連接的方式相隔絕緣層設(shè)置在所述內(nèi)層板上；導(dǎo)體電路形成工序，其通過電解鍍銅在所述第1銅層上的應(yīng)成為所述導(dǎo)體電路的部分形成第2銅層，得到由所述第1銅層和所述第2銅層形成的所述導(dǎo)體電路；鎳層形成工序，其通過電解鍍鎳在所述導(dǎo)體電路上的至少一部分，形成與所述導(dǎo)體電路相反側(cè)的面中的結(jié)晶粒徑的平均值為0. 25 μ m以上的鎳層；抗蝕層除去工序，其將所述抗蝕層除去；蝕刻工序，其通過蝕刻將由所述抗蝕層覆蓋的部分的所述第1銅層除去；和金層形成工序，其通過非電解鍍金在形成有所述鎳層的所述導(dǎo)體電路上的至少一部分形成金層。上述本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法中，在第1銅層上，與導(dǎo)體電路的圖案一致地形成了電鍍用的抗蝕層后，通過電解鍍銅形成第2銅層，接著通過電解鍍鎳形成了鎳層。這樣，進(jìn)行電解鍍鎳時(shí)，在導(dǎo)體電路以外的部分存在抗蝕層，因此由此能夠防止對(duì)導(dǎo)體電路的側(cè)面實(shí)施鍍鎳。因此，根據(jù)本發(fā)明，即使成為超微細(xì)圖案的情況下，也使橋接的形成大幅減少。進(jìn)而，如上所述在導(dǎo)體電路上的鎳層的形成，不是通過非電解鍍鎳而是通過電解鍍鎳進(jìn)行，因此即使在成為微細(xì)配線的情況下，也能夠良好地獲得引線接合性和焊料連接可靠性。此外，在鎳層上的金層的形成通過非電解鍍金進(jìn)行，因此不必使用進(jìn)行電鍍時(shí)那樣的引線，即使形成微細(xì)配線，也能夠在應(yīng)成為獨(dú)立端子的部分良好地進(jìn)行鍍金。因此，也能夠應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體芯片搭載用基板的進(jìn)一步的小型化·高密度化。而且，這樣的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法中，例如，通過使上述導(dǎo)體電路的至少一部分成為焊料連接用端子、引線接合用端子等連接用的端子，特別是通過在該部分形成鎳層和金層，從而得到引線接合性和焊料連接可靠性良好的半導(dǎo)體芯片搭載用基板。上述本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，優(yōu)選在蝕刻工序后、金層形成工序前，具有以形成有鎳層的導(dǎo)體電路的至少一部分露出的方式在表面形成阻焊層的阻焊層形成工序。這樣，能夠保護(hù)沒有形成金層的部位的導(dǎo)體電路，在導(dǎo)體電路上的目標(biāo)位置形成金層變得容易，而且也可以防止鍍金弓I起的橋接的形成。上述抗蝕層形成工序中，以絕緣層與內(nèi)層板側(cè)相向的方式，在內(nèi)層板上層疊以樹脂為主成分的絕緣層和銅箔經(jīng)層疊而成的帶有樹脂的銅箔，以內(nèi)層電路的一部分露出的方式，在層疊于內(nèi)層板上的帶有樹脂的銅箔上形成通孔，以將銅箔和通孔內(nèi)覆蓋的方式，通過非電解鍍銅形成銅鍍層，得到了具有由銅箔和銅鍍層形成且一部分與內(nèi)層電路連接的第1銅層的層疊體后，在層疊體中的第1銅層上，除了應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分以外形成抗蝕層。這種情況下，帶有樹脂的銅箔中的銅箔和非電解鍍銅形成的銅鍍層能夠作為種子層發(fā)揮功能，而且由這些形成的第1銅層通過在其上部進(jìn)一步層疊第2銅層而形成導(dǎo)體電路。而且，根據(jù)上述的抗蝕層形成工序，良好地得到具有這樣的第1銅層的層疊體成為可能。再有，所謂種子層，是指成為用于進(jìn)行電鍍的基底的金屬被膜。這樣的抗蝕層形成工序中，優(yōu)選帶有樹脂的銅箔中的銅箔的厚度為5μπι以下。這樣，由于作為種子層的銅箔薄，因此在除去抗蝕層后，將在導(dǎo)體電路以外的部分殘留的種子層(銅箔)除去變得容易，可以更良好地形成導(dǎo)體電路。此外，抗蝕層形成工序中，可以在表面具有內(nèi)層電路的內(nèi)層板上層疊不具有導(dǎo)電性的膜而形成絕緣層，以內(nèi)層電路的一部分露出的方式，在層疊于內(nèi)層板上的膜形成通孔，以將絕緣層和通孔內(nèi)覆蓋的方式，通過非電解鍍銅形成銅鍍層，得到了具有由銅鍍層形成且一部分與內(nèi)層電路連接的第1銅層的層疊體后，在該層疊體中的第1銅層上，除了應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分以外形成抗蝕層。這種情況下，銅鍍層作為種子層發(fā)揮功能，同時(shí)直接在上部層疊第2銅層而構(gòu)成成為導(dǎo)體電路的第1銅層。而且，根據(jù)上述的抗蝕層形成工序，能夠良好地得到在內(nèi)層板上具有這樣的第1銅層的層疊體。在這樣只有銅鍍層成為種子層的情形下，與銅箔和銅鍍層成為種子層的情形相比，容易使厚度變薄，因此在例如蝕刻工序中容易將種子層除去的觀點(diǎn)上傾向于優(yōu)選。不過，在種子層由銅箔和銅鍍層形成的情況下，進(jìn)行非電解鍍銅前賦予的催化劑附著于銅箔表面，因此不會(huì)直接賦予絕緣層的表面(不包括IVH內(nèi))。如果催化劑附著于絕緣層，有時(shí)在除去種子層后在絕緣層表面也殘留催化劑，因此由于該催化劑的作用，有時(shí)在導(dǎo)體電路間析出鍍敷被膜，由此會(huì)引起短路不良。因此，從難以發(fā)生這樣的起因于催化劑的短路故障的觀點(diǎn)出發(fā)，種子層優(yōu)選由銅箔和銅鍍層形成。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，優(yōu)選在導(dǎo)體電路形成工序后、鎳層形成工序前，具有以導(dǎo)體電路的一部分露出的方式還形成覆蓋抗蝕層和導(dǎo)體電路的上部抗蝕層的上部抗蝕層形成工序，這種情況下，在鎳層形成工序中，在從上部抗蝕層露出的導(dǎo)體電路上形成鎳層，在抗蝕層除去工序中，將抗蝕層和上部抗蝕層兩者除去。通過還形成上述的上部抗蝕層，從而在導(dǎo)體電路上的應(yīng)成為連接端子的部分選擇性地形成鎳層變得容易。而且，這樣由于不再將導(dǎo)體電路的全體用鎳層覆蓋，因此如上所述在阻焊層形成工序中在成為連接端子的部分以外形成阻焊層的情形下，使構(gòu)成導(dǎo)體電路的銅與阻焊層密合成為可能。根據(jù)本發(fā)明人等的研究，與鎳和阻焊層的粘接性相比，傾向于銅與阻焊層的粘接性高，因此采用上述方法，能夠提高阻焊層對(duì)于基板的密合性，進(jìn)一步改善可靠性。此外，在鎳層形成工序后、金層形成工序前，可進(jìn)行通過非電解鍍或電鍍?cè)阪噷由闲纬捎蛇x自鈷、鈀、鉬中的至少一種金屬形成的金屬層的金屬層形成工序。關(guān)于這些金屬層，由于抑制鎳的擴(kuò)散的效果高，因此通過在鎳層上形成這些金屬層，與直接形成有金層的情形相比，變得容易抑制鎳的擴(kuò)散，進(jìn)一步提高引線接合性成為可能。此外，在鎳層形成工序后、抗蝕層除去工序前，可進(jìn)行在鎳層上形成由金形成的金屬層的金屬層形成工序。這種情形下，在其后的金層形成工序中，在導(dǎo)體電路的最外表面再形成金層時(shí)，使通過非電解鍍金形成的金層的厚度減小成為可能。特別優(yōu)選在阻焊層形成工序后、金層形成工序前，進(jìn)行通過非電解鍍鈀在形成有從上述阻焊層露出的鎳層的導(dǎo)體電路上形成鈀層的金屬層形成工序。這樣，由于不再將鈀層形成到導(dǎo)體電路的不需要的位置，因此在良好地保持導(dǎo)體電路與阻焊層的密合性的情況下，能良好地獲得防止鎳的擴(kuò)散的效果。在該金屬層(鈀層)形成工序中，優(yōu)選通過進(jìn)行了置換鍍鈀后進(jìn)行還原型的鍍鈀，從而形成鈀層。由此，與同時(shí)產(chǎn)生置換和還原的情形相比，能夠抑制鎳從鎳層的溶出，更良好地獲得提高引線接合性的效果。此外，在金層形成工序中，優(yōu)選使用含還原劑的非電解鍍金液進(jìn)行非電解鍍金，作為還原劑，使用通過氧化不產(chǎn)生氫氣的還原劑。由此，可以抑制與氧化相伴產(chǎn)生的氫氣引起的鍍金的異常析出。進(jìn)而，在金層形成工序中，優(yōu)選通過進(jìn)行了置換鍍金后進(jìn)行還原型的鍍金，從而形成金層。由此，能獲得與在金層的下層形成的鎳層和/或上述金屬層中的金屬的良好的密合性，能獲得更良好的引線接合性。這樣形成的金層的厚度優(yōu)選為0. 005 μ m以上。通過形成這樣的厚度的金層，引線接合的實(shí)施傾向于變得容易。本發(fā)明還提供采用上述本發(fā)明的制造方法得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板。該半導(dǎo)體芯片搭載用基板，如上所述，由于不發(fā)生制造時(shí)的橋接，因此難以產(chǎn)生短路故障，并且具有優(yōu)異的弓I線接合性和焊料連接可靠性。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供即使形成微細(xì)配線的情形下也能夠減少橋接的發(fā)生，并且能夠獲得優(yōu)異的引線接合性和焊料連接可靠性的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法。此外，本發(fā)明中，對(duì)于導(dǎo)體電路，能夠通過非電解鍍金形成金層，因此不必使用進(jìn)行電鍍時(shí)那樣的引線，即使形成微細(xì)配線，也能夠在應(yīng)成為獨(dú)立端子的部分良好地進(jìn)行鍍金。因此，本發(fā)明的制造方法也能夠應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體芯片搭載用基板的進(jìn)一步的小型化·高密度化。此外，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供半導(dǎo)體芯片搭載用基板，其能夠采用上述本發(fā)明的制造方法得到，使橋接的發(fā)生減少并且具有優(yōu)異的弓I線接合性和焊料連接可靠性。


圖1是示意地表示第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的工序圖。圖2是示意地表示第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的工序圖。圖3是放大表示金層形成8后的導(dǎo)體電路50的部分的截面構(gòu)成的示意圖。圖4是放大表示進(jìn)行了金屬層形成工序的情形下的金層8形成后的導(dǎo)體電路50的部分的截面構(gòu)成的示意圖。圖5是放大表示進(jìn)行了金屬層形成工序的情形下的金層8形成后的導(dǎo)體電路50的部分的截面構(gòu)成的示意圖。圖6是示意地表示第2實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的工序圖。圖7是示意地表示第2實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的工序圖。圖8是放大表示金層8形成后的形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50的部分的截面構(gòu)成的示意圖。圖9是表示實(shí)施例1中的鎳層6/金層8的采用FIB/SIM的觀察結(jié)果的圖。
圖10是表示實(shí)施例7中的鎳層圖11是表示實(shí)施例8中的鎳層圖12是表示比較例1中的鎳層圖13是表示比較例4中的鎳層圖14是表示比較例5中的鎳層
|/金層8的采用FIB/SIM的觀察結(jié)果的圖。|/金層8的采用FIB/SIM的觀察結(jié)果的圖。金層的采用FIB/SIM的觀察結(jié)果的圖。金層的采用FIB/SIM的觀察結(jié)果的圖。金層的采用FIB/SIM的觀察結(jié)果的圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說明。應(yīng)予說明，附圖的說明中對(duì)同一要素標(biāo)注同一符號(hào)，對(duì)于重復(fù)的說明將省略。[第1實(shí)施方式]以下對(duì)半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的優(yōu)選的第1實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1和2是示意地表示第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的工序圖。本實(shí)施方式是采用對(duì)于內(nèi)層板使用帶有銅箔的樹脂進(jìn)行外層電路的形成的半添加法的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的實(shí)例。本實(shí)施方式中，首先，如圖1(a)中所示，準(zhǔn)備內(nèi)層板1。內(nèi)層板1具有內(nèi)層用基板100、在其表面設(shè)置的內(nèi)層電路102、以將內(nèi)層用基板貫通的方式形成并將兩表面的內(nèi)層電路102之間電連接的內(nèi)層用通孔104。作為該內(nèi)層板1中的各構(gòu)成，能夠無特別限制地應(yīng)用電路基板使用的公知的構(gòu)成。作為內(nèi)層板1的形成方法，能夠應(yīng)用例如以下的方法?？梢岳臼紫仍趦?nèi)層用基板100的兩表面層疊作為金屬層的銅箔后，通過蝕刻將該銅箔的不要的部位除去，從而形成內(nèi)層電路102的方法(減去法)；只在內(nèi)層用基板100的兩表面的必要的位置，通過非電解鍍銅形成由銅形成的內(nèi)層電路102的方法(添加法)。此外，還可例示在內(nèi)層用基板100的表面上、或在其表面又形成的規(guī)定的層(組合層)上形成薄的金屬層(種子層)，進(jìn)而采用電解鍍銅形成了與內(nèi)層電路102對(duì)應(yīng)的所需的圖案后，采用蝕刻將沒有形成該圖案的部分的薄的金屬層除去，從而形成內(nèi)層電路102的方法(半添加法)等。其次，如圖1(b)中所示，在內(nèi)層板1的兩表面上，將以樹脂為主成分的絕緣層21與銅箔22經(jīng)層疊而成的帶有樹脂的銅箔2以該絕緣層21面向內(nèi)層板1側(cè)的方式進(jìn)行層疊(圖1 (b))。帶有樹脂的銅箔2的層疊，例如，能夠通過對(duì)于內(nèi)層板1進(jìn)行層壓或壓制而進(jìn)行。例如，能夠應(yīng)用一般的真空壓機(jī)。此時(shí)，加熱 加壓的條件，優(yōu)選與作為層間絕緣樹脂的絕緣層21的構(gòu)成材料的特性適合的條件。例如，能夠?yàn)闇囟?50°C 250°C、壓力IMPa 5MPa。本實(shí)施方式中，這樣的帶有樹脂的銅箔2中的銅箔22作為種子層發(fā)揮功能，由此可以進(jìn)行后述的銅鍍層3、第2銅層5的形成。再有，層疊前的帶有樹脂的銅箔2的絕緣層21為B階狀態(tài)。帶有樹脂的銅箔2中的銅箔22，其厚度優(yōu)選為5 μ m以下，更優(yōu)選為3 μ m以下。通過使銅箔的厚度為5μπι以下，可以容易地進(jìn)行后述的蝕刻，容易形成微細(xì)配線。作為銅箔22，優(yōu)選使用可剝離型或可蝕刻型的銅箔。在銅箔22為可剝離型的情形下，通過剝離載體，能夠成為具有所需的厚度的銅箔。在可蝕刻型的情形下，通過蝕刻載體，能夠成為具有所需的厚度的銅箔。例如，在可剝離型的情形下，通過用蝕刻等將成為與載體的剝離層的金屬氧化物或有機(jī)物層除去，能夠?qū)⑤d體剝離。此外，為可蝕刻型時(shí)，在使金屬箔為銅箔、使載體為Al箔的情形下，通過使用堿溶液，能夠只將載體蝕刻。銅箔22，在作為供電層發(fā)揮功能的范圍內(nèi)越薄越適合形成微細(xì)配線，因此為了形成這樣的厚度，能夠進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻來使厚度減小。這種情形下，在可剝離型的情形下，與脫模層的除去同時(shí)進(jìn)行蝕刻在效率上優(yōu)選。構(gòu)成絕緣層21的樹脂是具有絕緣性的樹脂，作為這樣的樹脂，能夠應(yīng)用熱固化性樹脂、熱塑性樹脂、它們的混合樹脂。其中，優(yōu)選具有熱固化性的有機(jī)絕緣材料。作為熱固化性樹脂，可以例示酚醛樹脂、脲醛樹脂、蜜胺樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸系樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、有機(jī)硅樹脂、由環(huán)戊二烯合成的樹脂、含三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯的樹脂、由芳香族腈合成的樹脂、3聚體化芳香族二氰胺樹脂、含偏苯三酸三烯丙酯的樹脂、呋喃樹脂、酮樹脂、二甲苯樹脂、含稠合多環(huán)芳香族的熱固化性樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂等。作為熱塑性樹脂， 可以例示聚酰亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、芳族聚酰胺樹脂、液晶聚合物等。應(yīng)予說明，絕緣層21中可根據(jù)需要配合二氧化硅填料等無機(jī)填充劑等，此外，可使用含玻璃布等的預(yù)浸坯料。其次，如圖1(c)中所示，在層疊于內(nèi)層板1的帶有樹脂的銅箔2的規(guī)定部位，將帶有樹脂的銅箔2貫通而形成到達(dá)內(nèi)層板1的貫通孔(通孔)。由此形成內(nèi)部通孔(IVH) 30，使內(nèi)層電路102的一部分露出。貫通孔例如能夠通過直接照射紫外線波長的激光，進(jìn)行孔加工而形成。作為紫外波長的激光器，如果使用UV-YAG激光器的第3高次諧波(波長355nm)， 獲得比較高的能量，能夠使加工速度快，因此優(yōu)選。此外，IVH30的形成中，如果調(diào)節(jié)激光器能量分布，使通孔的截面形狀為錐形狀，由于孔內(nèi)的鍍敷性改善而優(yōu)選。進(jìn)而，如果通孔徑為50μπι以下，由于加工速度變快而優(yōu)選。 此外，通孔的縱橫比(通孔高度/通孔的底的直徑)為1以下，從確保可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)是優(yōu)選的，因此在IVH30的形成時(shí)，優(yōu)選以成為這樣的絕緣層21的厚度與通孔徑的關(guān)系的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)。再有，通孔內(nèi)有時(shí)產(chǎn)生了污物，因此在通孔的形成之后，優(yōu)選通過進(jìn)行使用了高錳酸鹽、鉻酸鹽、高錳酸等的洗滌來進(jìn)行污物的除去。其次，如圖1(d)中所示，以將層疊了帶有樹脂的銅箔2的內(nèi)層板1的全部表面覆蓋的方式，采用非電解鍍銅形成銅鍍層3。由此，得到具有內(nèi)層板1、以與內(nèi)層板1的內(nèi)層電路102 —部分連接的方式相隔絕緣層21設(shè)置的由銅箔22和銅鍍層3形成的第1銅層32 的層疊體110。該層疊體110中，成為銅箔22的表面和IVH30內(nèi)連續(xù)地被第1銅層32覆蓋的狀態(tài)，在絕緣層21的表面上形成的銅箔22與內(nèi)層電路102的電連接成為可能。關(guān)于銅鍍層3，使用在一般的配線板的形成中使用的非電解鍍銅方法形成即可，能夠通過在應(yīng)鍍敷的部位給予成為非電解鍍銅的核的催化劑，對(duì)其賦予薄的非電解鍍銅層而形成。作為催化劑，能夠使用貴金屬離子、鈀膠體，特別地，鈀與樹脂的密合性高，因此優(yōu)選。 非電解鍍銅中，能夠使用以硫酸銅、絡(luò)合劑、福爾馬林、氫氧化鈉為主成分的在一般的配線板的形成中使用的非電解鍍銅液。作為銅鍍層3的厚度，只要是可以向IVH30內(nèi)部供電的厚度即可，優(yōu)選為0. 1 1 μ m。如果銅鍍層3比0. 1 μ m薄，有可能無法充分獲得IVH30內(nèi)部的構(gòu)成內(nèi)層電路102的銅與帶有樹脂的銅箔2中的銅箔22之間的供電。另一方面，如果比1 μ m厚，在通過蝕刻除去應(yīng)成為后述的導(dǎo)體電路的部分以外的銅的蝕刻工序中，必須蝕刻的銅的厚度增加，因此有可能電路形成性下降，變得難以形成微細(xì)配線。通過使銅鍍層3的厚度為0. 1 1 μ m，充分地獲得內(nèi)層電路102與銅箔22的供電，并且蝕刻工序中的蝕刻變得容易，獲得良好的電路形成性。其次，如圖1 (e)中所示，在第1銅層32上的所需的位置形成作為電鍍抗蝕層的抗蝕層4(抗蝕層形成工序)。形成該抗蝕層4的部位是第1銅層32中的應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分(包括IVH30)以外的部分。抗蝕層4能夠通過應(yīng)用使用了后述的材料的公知的抗蝕層形成方法而形成。再有，應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分中也包括用于對(duì)位的對(duì)位用的圖案等。抗蝕層4的厚度優(yōu)選與其后鍍敷的導(dǎo)體的合計(jì)厚度同等程度或者比其厚?？刮g層 4優(yōu)選由樹脂形成。作為由樹脂形成的抗蝕層，有PMERP-LA900PM(東京應(yīng)化株式會(huì)社制、商品名)這樣的液狀抗蝕層、冊(cè)_425(日立化成工業(yè)株式會(huì)社、商品名)、RY_3025(日立化成工業(yè)株式會(huì)社、商品名)等干膜的抗蝕層。其次，如圖1 (f)中所示，在第1銅層32的表面上通過電解鍍銅形成第2銅層5，得到使第1銅層32與第2銅層5層疊的導(dǎo)體電路50 (導(dǎo)體電路形成工序)。該工序中，通過電解鍍銅只在沒有形成抗蝕層4的部分形成第2銅層5。因此，第2銅層5在第1銅層32 上的應(yīng)成為導(dǎo)體電路50的部分形成。第2銅層5的形成區(qū)域如上所述由抗蝕層4決定。因此，電解鍍銅可在第1銅層 32的任一部分安裝引線而進(jìn)行，即使使配線高密度化的情形下，也能夠充分地應(yīng)對(duì)。電解鍍銅能夠使用在半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造中使用的公知的硫酸銅電鍍、焦磷酸電鍍進(jìn)行。第2銅層5的厚度只要是作為導(dǎo)體電路能夠使用的程度的厚度即可，雖然因目標(biāo)的間隙而異，但優(yōu)選為1 30 μ m的范圍，更優(yōu)選為3 25 μ m的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為3 20 μ m的范圍。其次，如圖2(g)中所示，在第2銅層5的表面上進(jìn)一步通過電解鍍鎳形成鎳層 6(鎳層形成工序)。該工序中也是通過電解鍍鎳，只在沒有形成抗蝕層4的部分形成鎳層 6。因此，鎳層6在導(dǎo)體電路50上的全部區(qū)域形成。該工序也可在導(dǎo)體電路50的任一部分安裝引線來實(shí)施電解鍍鎳。關(guān)于電解鍍鎳，例如，能夠通過將導(dǎo)體電路形成工序后的基板全體浸漬于電解鍍鎳液中而進(jìn)行。作為電解鍍鎳液，能夠使用瓦特浴(以硫酸鎳、氯化鎳、硼酸為主成分的鍍鎳浴)、氨基磺酸浴(以氨基磺酸鎳和硼酸為主成分的鍍鎳浴)、氟化硼浴等。其中，來自瓦特浴的析出被膜傾向于與成為基體的導(dǎo)體電路50的密合性良好，能夠提高耐蝕性。因此， 在電解鍍鎳中優(yōu)選使用瓦特浴。此外，如果使用瓦特浴進(jìn)行鍍敷，鎳層6中的鎳的結(jié)晶粒徑也傾向于較大形成。因此，從該觀點(diǎn)出發(fā)，也優(yōu)選使用瓦特浴。這是因?yàn)?，在后述的金層形成工序中，采用非電解鍍金形成金?的情形下，金層8通過某種程度上繼續(xù)基底的鎳的結(jié)晶的大小而結(jié)晶生長的外延生長而形成，因此鎳的晶粒越大，越形成具有大的晶粒的鍍金被膜。以與導(dǎo)體電路50相反側(cè)的面、即與后述的金層8、金屬層13接觸的一側(cè)的面的鎳的結(jié)晶粒徑的平均值為0. 25 μ m以上的方式，形成鎳層6。該鎳層6表面的結(jié)晶粒徑的平均值優(yōu)選為0. 5 μ m以上，更優(yōu)選為1 μ m以上，晶粒的大小是越大越好。一般地，在電解鍍鎳液中添加光澤劑，光澤劑通過使晶粒變小而獲得光澤。因此，為了得到上述的結(jié)晶粒徑，優(yōu)選光澤劑的添加極少的電解鍍鎳液，特別優(yōu)選不含光澤劑的電解鍍鎳液。使用光澤劑的添加少的電解鍍鎳液的情形下，容易形成半光澤的鎳層6，使用不含有光澤劑的電解鍍鎳液的情形下，容易形成無光澤的鎳層6。其中，如果通過后述的非電解鍍金形成的金層8中的金的晶粒小，抑制鎳從鎳層6 向金層8的擴(kuò)散的效果傾向于降低。這種情形下，例如如果在引線接合前進(jìn)行熱處理，鎳向金層8的表面進(jìn)行晶界擴(kuò)散，然后，進(jìn)行引線接合時(shí)，有時(shí)金線和金層8表面的連接可靠性降低。與此相對(duì)，金層8中的金的晶粒越大，抑制來自鎳層6的鎳在金層8內(nèi)的晶界擴(kuò)散的效果越傾向于提高。因此，通過電解鍍鎳形成的鎳層6的表面，鎳的結(jié)晶粒徑越大越優(yōu)選， 優(yōu)選為無光澤或半光澤。通過電解鍍鎳形成的鎳層6的厚度，優(yōu)選為0. 4 10 μ m，更優(yōu)選為0. 6 8 μ m， 進(jìn)一步優(yōu)選為1 6 μ m。通過使鎳層6的厚度為0. 4 μ m以上，充分獲得下層的銅形成的導(dǎo)體電路的作為阻隔被膜的效果，由此焊料連接可靠性改善。此外，如果為0. 4μ m以上，由于鎳的晶粒充分地生長，因此在金層形成工序中，由于抑制鎳的晶界擴(kuò)散，變得容易獲得足夠大小的晶粒的金層8。不過，即使超過10 μ m，這些效果也不會(huì)在其以上大幅度地改善，不經(jīng)濟(jì)，因此鎳層6的厚度優(yōu)選為10 μ m以下。此外，在電解鍍鎳中，電流密度也傾向于對(duì)結(jié)晶生長產(chǎn)生影響。具體地，電解鍍鎳時(shí)的電流密度優(yōu)選為0. 3 4A/dm2，更優(yōu)選為0. 5 3A/dm2，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 8 2. 5A/dm2。 通過使該電流密度為0. 3A/dm2以上，鎳的晶粒充分地生長，作為阻隔被膜的效果提高，因此良好地獲得本發(fā)明的效果。在上述范圍內(nèi)電流密度越高，越能夠使鎳的晶粒增大，因此電流密度越高越優(yōu)選。不過，通過使電流密度為4A/dm2以下，傾向于能夠抑制具有麻點(diǎn)的鍍敷的發(fā)生(一般稱為“焦沉積”)。接著這樣的鎳層形成工序，如圖2(h)中所示，將作為電鍍抗蝕層的抗蝕層4除去 (抗蝕層除去工序)。由此，被抗蝕層4覆蓋的部分的第1銅層32 (銅鍍層幻露出?？刮g層4的除去能夠通過使用堿性剝離液、硫酸或其他的市售的抗蝕層剝離液，將抗蝕層4剝離等而進(jìn)行。然后，如圖2 (i)中所示，通過蝕刻將被抗蝕層4覆蓋的部分的第1銅層32(銅箔 22和銅鍍層幻除去(蝕刻工序)。由此，將應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分以外的銅(第1銅層 32)全部除去，形成鎳層6覆蓋由第1銅層32和第2銅層3形成的導(dǎo)體電路50的表面的電路圖案。蝕刻能夠通過將除去了抗蝕層4后的基板浸漬于蝕刻液而進(jìn)行。作為蝕刻液，能夠使用以鹵素以外的酸和過氧化氫為主成分、除了主成分以外還包括溶劑、添加劑的溶液。 作為該溶劑，從成本、處理性、安全性方面出發(fā)，優(yōu)選使用水，在水中可添加醇等。此外，作為添加劑，可例示過氧化氫的穩(wěn)定劑等。此外，作為鹵素以外的酸，可例示硫酸、硝酸等，優(yōu)選使用硫酸。在使用這樣的蝕刻液進(jìn)行蝕刻的情形下，為了得到具有如設(shè)計(jì)所示的頂部寬度、 底部寬度等的電路圖案，優(yōu)選進(jìn)行調(diào)節(jié)以使銅鍍層3的蝕刻速度為銅箔22的蝕刻速度的 80%以下。此外，使用硫酸作為鹵素以外的酸的情形下，作為蝕刻液的主成分的濃度，優(yōu)選使用10 300g/L的硫酸和10 200g/L的過氧化氫水。如果在這樣的濃度以下，由于蝕刻速度變慢，因此作業(yè)性傾向于變差。此外，如果在該濃度以上，蝕刻速度過度變快，有可能變得難以控制蝕刻量。關(guān)于第1銅層32的蝕刻速度，從獲得良好的作業(yè)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選控制成1 15 μ m/分鐘。此外，結(jié)晶結(jié)構(gòu)的差異產(chǎn)生的蝕刻速度之差依賴于蝕刻液的溫度，因此蝕刻時(shí)，蝕刻液的溫度優(yōu)選為20 50°C，更優(yōu)選為20 40°C。此外，關(guān)于蝕刻時(shí)間，適當(dāng)?shù)厍蟪鲂纬伤璧膶?dǎo)體圖案寬的時(shí)間而使用即可，從使作業(yè)性、蝕刻的均一性等良好的觀點(diǎn)出發(fā)， 優(yōu)選為10秒 10分鐘的范圍。蝕刻工序后，優(yōu)選進(jìn)行去污處理。由此，即使在由第1銅層32和第2銅層3形成的導(dǎo)體電路50間的絕緣層的表面殘留有第1銅層32 (銅鍍層幻，也能夠?qū)⑵渑c樹脂一起除去。這樣，在后述的金層形成工序中，能夠防止在導(dǎo)體電路50之間殘存的第1銅層32上金析出，其結(jié)果是可以進(jìn)一步改善絕緣可靠性。此外，在蝕刻工序后，如圖2(j)中所示，在實(shí)施后述的金層形成工序前，優(yōu)選進(jìn)行以形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50的至少一部分露出的方式在表面形成阻焊層7的阻焊層形成工序。關(guān)于阻焊層7，例如能夠以將形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50(電路圖案)中的應(yīng)成為引線接合用端子、焊料連接用端子的部分以外的部分覆蓋的方式形成。通過在金層形成工序前形成這樣的阻焊層7，可以只在所需的位置形成金層8，除了能夠在非電解鍍金時(shí)保護(hù)導(dǎo)體電路以外，還能夠?qū)崿F(xiàn)成本的減少。作為阻焊層7，能夠使用熱固化型、紫外線固化型的樹脂，其中，優(yōu)選能夠精度良好地加工抗蝕層形狀的紫外線固化型的樹脂。能夠使用例如環(huán)氧系、聚酰亞胺系、環(huán)氧丙烯酸酯系、芴系的樹脂材料。關(guān)于阻焊層的圖案形成，如果是清漆狀的材料，也能夠采用印刷進(jìn)行，但從進(jìn)一步提高精度的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選使用感光性的阻焊層、覆蓋膜、膜狀抗蝕層，采用使用了這些的公知的圖案形成方法進(jìn)行。然后，如圖2(k)中所示，在形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50(電路圖案)中，對(duì)于沒有形成阻焊層7的部分，采用非電解鍍金形成金層8 (金層形成工序)。由此，以將形成有鎳層 6的導(dǎo)體電路50的上面和側(cè)面覆蓋的方式形成金層8，該部分能夠作為引線接合用端子、焊料連接用端子等連接端子適合地發(fā)揮功能。關(guān)于金層8，例如，通過進(jìn)行置換·還原鍍金或者進(jìn)行了置換鍍金后進(jìn)行還原型的鍍金的非電解鍍金等形成。此外，也能夠通過在形成金層8的部位成為獨(dú)立端子前進(jìn)行電解鍍金，然后，進(jìn)行還原型的非電解鍍金而形成。非電解鍍金，只要獲得本發(fā)明的效果，可使用任何手法進(jìn)行，但從獲得與下層的金屬(在這種情形下為鎳)的良好的密合性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選進(jìn)行了置換鍍金后進(jìn)行還原型的鍍金的方法，此外，進(jìn)行置換·還原鍍金的方法，在鍍敷時(shí)難以使下層的金屬(這種情形下為鎳)溶出，傾向于能夠形成良好的金層8。在進(jìn)行置換鍍金后進(jìn)行還原型的鍍金的情況下，具體可以例示采用HGS_100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)這樣的置換鍍金液，形成了 0. 01 0. 1 μ m左右的鍍金基底被膜(置換鍍金被膜)后，在其上采用HGS-2000(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)這樣的還原型的非電解鍍金液，形成0. 1 Iym左右的鍍金拋光層(還原型的鍍金被膜)的方法。不過，非電解鍍金的手法并不限定于此，只要是適合通常進(jìn)行的鍍金的方法，能夠無限制地應(yīng)用。圖3是放大表示金層8形成后的導(dǎo)體電路50的部分的截面構(gòu)成的示意圖。其中， 示出上述的置換鍍金后通過進(jìn)行還原型的鍍金來實(shí)施用于形成金層8的非電解鍍金的情形的實(shí)例。如圖3中所示，在該部分，在內(nèi)層板1(未圖示)的表面形成的絕緣層21上，依次層疊銅箔22、銅鍍層3、第2銅層5和鎳層6，以覆蓋這些的層疊結(jié)構(gòu)的上面和側(cè)面的方式形成由置換鍍金被膜11和還原型的鍍金被膜9形成的金層8。置換鍍金被膜11能夠在形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50的上面和側(cè)面形成。用于置換鍍金的鍍液有包含氰化合物的鍍液和不包含氰化合物的鍍液，任何鍍液都能使用。其中， 優(yōu)選包含氰化合物的鍍液。作為其理由，可以例示對(duì)于構(gòu)成導(dǎo)體電路50的銅中的置換鍍金的均一性，使用了包含氰的鍍液的一方與使用了不包含氰的鍍液的情形相比良好。如果用這樣的包含氰的鍍液進(jìn)行了置換鍍金后，進(jìn)行后述的還原型的鍍金，則金層8傾向于容易均一地生長。還原型的鍍金被膜9，能夠在置換鍍金被膜11進(jìn)一步形成金被膜。因此，通過接著置換鍍金來進(jìn)行還原型的鍍金，形成厚的金層8成為可能。用于還原型的鍍金的鍍液，通過包含還原劑，能夠自催化地形成金層。該鍍液中也有包含氰化合物的鍍液和不包含氰化合物的鍍液，任一種鍍液都能使用。作為用于還原型的鍍金的鍍液的還原劑，優(yōu)選通過氧化不產(chǎn)生氫氣的還原劑。其中，作為不產(chǎn)生氫氣或難以產(chǎn)生氫氣的還原劑，可例示抗壞血酸、脲系化合物、苯基系化合物等。再有，作為產(chǎn)生氫氣的還原劑，有次膦酸鹽、胼。包含這樣的還原劑的鍍金液，優(yōu)選能夠在60 80°C左右的溫度下使用的鍍金液。另一方面，置換 還原鍍金在同一液中進(jìn)行置換鍍金和還原型的鍍金反應(yīng)，與置換鍍金同樣，能夠在形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50的上面和側(cè)面形成金層8。這樣的鍍液有包含氰化合物的鍍液和不包含氰化合物的鍍液，任一種鍍液都能使用。此外，在進(jìn)行了置換 還原鍍金后，為了金層的厚膜化，也可進(jìn)一步進(jìn)行非電解鍍金。這樣形成的金層8，優(yōu)選由純度為99質(zhì)量％以上的金構(gòu)成。如果金層8的金的純度小于99質(zhì)量％，將該部分作為端子應(yīng)用時(shí)有時(shí)連接的可靠性下降。從進(jìn)一步提高連接可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)，金層的純度更優(yōu)選為99. 5質(zhì)量％以上。此外，關(guān)于金層8的厚度，優(yōu)選為0.005 3 μπι，更優(yōu)選為0.03 Ιμπι，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 1 μ m 0. 5 μ m。通過使金層8的厚度為0. 005 μ m以上，將該部分作為端子時(shí)進(jìn)行引線接合傾向于變得容易。另一方面，即使超過3 μ m,效果無法大幅度地提高到其以上，因此從經(jīng)濟(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為3μπι以下。通過以上的工序，得到了具有以下構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片搭載用基板10 在內(nèi)層板1 的兩面，隔著絕緣層21形成作為外層電路的導(dǎo)體電路50，而且在該導(dǎo)體電路50的必要部分形成有鎳層6和金層8。這樣的半導(dǎo)體芯片搭載用基板10，形成有鎳層6和金層8的導(dǎo)體電路50的部分能夠作為引線接合用端子、焊料連接用端子發(fā)揮功能，在該部分能夠進(jìn)行與芯片部件等的連接。在這樣的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法中，也可不如上述那樣在鎳層6上直接形成金層8，在鎳層6上形成由規(guī)定的金屬構(gòu)成的金屬層13 (參照?qǐng)D4、5)。具體地，在鎳層形成工序后，在金層形成工序前的任一時(shí)刻，能夠?qū)嵤┩ㄟ^非電解鍍或電鍍?cè)阪噷?上形成由選自鈷、鈀、鉬、金中的至少一種金屬形成的金屬層13(參照?qǐng)D 4、5)的金屬層形成工序。關(guān)于金屬層13的形成，優(yōu)選在進(jìn)行了鎳層形成工序后，至少在進(jìn)行蝕刻工序、阻焊層形成工序前進(jìn)行，更優(yōu)選在鎳層形成工序后立即進(jìn)行。這樣，在得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板中進(jìn)行了引線接合的情形下，變得容易抑制金層8的剝離等，獲得高的引線接合性。 此外，作為金屬層13，更優(yōu)選由鈀形成的金屬層。沒有形成金屬層13的情形下，無法充分地獲得金層8與鎳層6之間的粘接性，有時(shí)在進(jìn)行了引線接合時(shí)在金層8與鎳層6之間產(chǎn)生剝離。認(rèn)為這是因?yàn)椋鶕?jù)蝕刻工序中的蝕刻、阻焊層形成工序中的熱處理等的條件，將鎳層6的表面氧化，其結(jié)果與金層8的粘接性下降。而通過在鎳層6上形成金屬層13，金層8的剝離難以發(fā)生，獲得充分的引線接合性。認(rèn)為這是因?yàn)?，?gòu)成金屬層13的鈷、鈀、鉬、金的表面不易被氧化，難以受到蝕刻、熱處理的影響。在鎳層6的形成后，不進(jìn)行蝕刻、熱處理的情形下以及進(jìn)行蝕刻、熱處理的情形下，根據(jù)其條件，有時(shí)能充分地獲得金層8與鎳層6的粘接性，因此這種情形下可未必進(jìn)行金屬層形成工序。不過，從確實(shí)地獲得高的引線接合性的觀點(diǎn)出發(fā)，在進(jìn)行蝕刻工序、阻焊層形成工序的情形下，更優(yōu)選在這些工序前在鎳層6上形成金屬層13。此外，理由尚不清楚，但鈀與鎳、銅、金相比，傾向于與阻焊層的粘接性高。因此，通過形成鈀層作為金屬層13， 從而提高阻焊層7的粘接性，更良好地保護(hù)導(dǎo)體電路50。再有，還包括在由選自鈷、鈀、鉬、金中的至少一種金屬形成的金屬層13中，除了鈷、鈀、鉬、金以外，還含有雜質(zhì)的情形。例如，在采用非電解鍍鈀形成有鈀的金屬層的情形下，存在含有來自還原劑的磷而成為鈀-磷合金的情形等。例如，在鎳層形成工序后、抗蝕層除去工序前進(jìn)行了這樣的金屬層形成工序的情形下，利用抗蝕層4只在應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分形成金屬層13。因此，在導(dǎo)體電路50上的鎳層6的上面形成金屬層13。圖4是放大表示鎳層形成工序后、抗蝕層除去工序前進(jìn)行了金屬層形成工序的情形下的金層8形成后的導(dǎo)體電路50的部分的截面構(gòu)成的示意圖。如圖4中所示，在該部分， 在內(nèi)層板1 (未圖示)的表面形成的絕緣層21上，依次層疊銅箔22、銅鍍層3、第2銅層5、 鎳層6和金屬層13，以將它們的層疊結(jié)構(gòu)的上面和側(cè)面覆蓋的方式，形成由置換鍍金被膜 11和還原型的鍍金被膜9形成的金層8。此外，在抗蝕層除去工序后、金層形成工序前進(jìn)行了這樣的金屬層形成工序的情形下，由于是抗蝕層4的除去后，因此將金屬層13形成于形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50的上面和側(cè)面雙方。圖5是放大表示在抗蝕層除去工序后、金層形成工序前進(jìn)行了金屬層形成工序的情形下的金層8形成后的導(dǎo)體電路50的部分的截面構(gòu)成的示意圖。如圖5中所示，在該部分中，在內(nèi)層板1 (未圖示)的表面形成的絕緣層21上層疊銅箔22、銅鍍層3、第2銅層5 和鎳層6，以將這些的層疊結(jié)構(gòu)的上面和側(cè)面覆蓋的方式形成有金屬層13后，進(jìn)而以將該金屬層13覆蓋的方式形成有由置換鍍金被膜11和還原型的鍍金被膜9形成的金層8。金屬層13由選自鈷、鈀、鉬、金中的至少一種金屬形成。作為金屬層13，如果形成由鈷、鈀、鉬形成的層，則在鎳層6與金層8之間形成這些的金屬層13，能夠防止鎳層6中的鎳向被膜8擴(kuò)散。因此，傾向于容易獲得良好的引線接合性。其中，特別優(yōu)選鈀。使用鈀作為金屬層13的情形下，由于鍍液的穩(wěn)定性高，因此抑制鎳的擴(kuò)散的效果良好，能夠進(jìn)一步提高引線接合性。此外，在金層8上進(jìn)行了焊料連接的情形下，也存在如下情形通過含微量的鈀，焊料連接可靠性改善。此外，如圖4中所示的實(shí)例那樣，只在鎳層6的上面形成有金屬層13的情形下，由于在導(dǎo)體電路50的側(cè)面部分不存在鎳層6，金層8與在該部分構(gòu)成導(dǎo)體電路50的銅接觸。 該狀態(tài)下，如果在引線接合等中施加熱處理，有時(shí)銅向金層8擴(kuò)散，移動(dòng)到金層8的表面，如果發(fā)生這種情況，有時(shí)在金層8的引線接合性下降。而如圖5中所示的實(shí)例那樣，通過以將形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50的上面和側(cè)面雙方覆蓋的方式形成金屬層13，能夠有效地抑制上述的銅的擴(kuò)散，更良好地減輕引線接合性的下降。此外，在使用金作為金屬層13的情形下，通過在抗蝕層除去工序前形成由金形成的金屬層13 (金被膜)，如圖4中所示的實(shí)例那樣，只在鎳層6的上面形成金屬層13，在金層形成工序中在導(dǎo)體電路的最外表面進(jìn)一步形成金層8時(shí)，能夠使采用非電解鍍金形成的金層8的厚度減小。這種情況下，例如，作為還原型的鍍金液的還原劑，使用發(fā)生氫氣的還原劑，也能夠抑制橋接的發(fā)生，良好地進(jìn)行非電解鍍金。這樣由金形成的金屬層13 (金被膜)， 優(yōu)選采用利用電鍍的方法形成。通過電解鍍鎳形成了鎳層6后，通過電解鍍金形成由金形成的金屬層13，然后通過非電解鍍金形成金層8的情形，與鎳層6的形成后進(jìn)行置換鍍金， 進(jìn)而進(jìn)行非電解鍍金直接形成金層8的情形相比，傾向于容易使金層8的晶粒增大。因此， 有時(shí)容易改善引線接合性。再有，如果導(dǎo)體電路的側(cè)面的銅露出，絕緣可靠性傾向于下降， 因此對(duì)于導(dǎo)體電路，有必要最終用金層將其表面全體(上面和側(cè)面)覆蓋。 在形成由鈀形成的金屬層13 (鈀層)的情形下，鈀層優(yōu)選通過非電解鍍鈀形成。作為非電解鍍鈀，能夠應(yīng)用置換鍍鈀、使用還原劑的還原型鍍鈀。作為采用非電解鍍鈀的鈀層的形成方法，特別優(yōu)選進(jìn)行了置換鍍鈀后進(jìn)行還原型鍍鈀的方法。這是因?yàn)?，在通過電解鍍鎳形成的鎳層6上，在原樣的情況下非電解鍍鈀反應(yīng)傾向于難以發(fā)生。通過預(yù)先采用置換鍍鈀使鈀置換析出，然后通過還原型鍍鈀使鈀層析出，能夠良好地形成鈀層。關(guān)于鈀層的厚度，優(yōu)選為0. 03 0. 5 μ m,更優(yōu)選為0. 01 0. 3 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選為 0. 03 0. 2 μ m。如果鈀層的厚度超過0. 5 μ m，鈀層的形成產(chǎn)生的效果沒有提高到其以上， 傾向于不經(jīng)濟(jì)。另一方面，如果比0. 03 μ m薄，容易含鈀層沒有析出的部分，有可能無法充分地獲得形成鈀層所產(chǎn)生的連接可靠性的改善效果。作為用于非電解鍍鈀的鍍液的鈀的供給源，并無特別限定，可例示氯化鈀、氯化鈀鈉、氯化鈀銨、硫酸鈀、硝酸鈀、醋酸鈀、氧化鈀等鈀化合物等。具體地，能夠應(yīng)用酸性氯化鈀“PdCl2/HCl ”、硫酸四氨鈀“Pd (NH3) 4N02 ”、硝酸鈀鈉鹽“Pd (NO3) 2/H2S04”、二硝基二氨鈀 “Pd(NH3)2 (NO2)2”、二氰基二氨鈀“Pd(CN)2 (NH3)2”、二氯四氨鈀 “Pd(NH3)4C12”、氨基磺酸鈀 “Pd (NH2SO3) 2”、硫酸二氨鈀 “Pd (NH3) 2S04”、草酸四氨鈀 “Pd (NH3) 4C204”、硫酸鈀"PdSO4，，等。 此外，對(duì)于在鍍液中添加的緩沖劑等無特別限定。通過非電解鍍鈀形成的鈀層，優(yōu)選鈀的純度為90質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為99質(zhì)量％ 以上，特別優(yōu)選接近100質(zhì)量％。如果鈀的純度小于90質(zhì)量％，有時(shí)在其形成時(shí)難以發(fā)生在鎳層6上的析出，引線接合性、焊料連接可靠性下降。如果將甲酸化合物用于在非電解鍍鈀中使用的還原劑，則得到的鈀層的純度容易成為99質(zhì)量％以上，均一的析出成為可能。此外，將次磷酸、亞磷酸等含磷化合物、含硼化合物用于還原劑的情形下，得到的鈀層成為鈀-磷合金、鈀-硼合金，這種情形下，優(yōu)選以鈀的純度成為90質(zhì)量％以上的方式調(diào)節(jié)還原劑的濃度、pH、浴溫等。
此外，鈀層可未必采用非電解鍍鈀形成，也可采用電解鍍鈀形成。這種情形下，作為用于電解鈀的電解鍍鈀液的鈀的供給源，并無特別限定，能夠應(yīng)用氯化鈀、氯化鈀鈉、氯化鈀銨、硫酸鈀、硝酸鈀、醋酸鈀、氧化鈀等鈀化合物。具體地，可例示酸性氯化鈀(PdCl2/HCl)、硫酸四氨鈀(Pd(NH3)4NO2)、硝酸鈀鈉鹽(Pd(NO3)2M2S04)、二硝基二氨鈀 (Pd (NH3) 2 (NO2) 2)、二氰基二氨鈀(Pd (CN) 2 (NH3) 2)、二氯四氨鈀(Pd (NH3) 4C12)、氨基磺酸鈀 (Pd(NH2SO3)2)、硫酸二氨鈀(Pd(NH3)2SO4)、草酸四氨鈀(Pd(NH3)4C204)、硫酸鈀(PdSO4)等。 此外，對(duì)于電解鍍鈀液中含有的緩沖劑等也無特別限定，能夠應(yīng)用公知的電解鍍鈀液中含有的緩沖劑。[第2實(shí)施方式]其次，對(duì)半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的優(yōu)選的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖6 和7是示意地表示第2實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的工序圖。本實(shí)施方式是采用半添加法的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法的實(shí)例，其包括對(duì)于內(nèi)層板， 在層疊了組合膜后形成銅鍍層的工序。本實(shí)施方式中，首先，如圖6(a)中所示，準(zhǔn)備內(nèi)層板1。該內(nèi)層板1能夠與上述的第1實(shí)施方式同樣地準(zhǔn)備。其次，如圖6(b)中所示，通過在內(nèi)層板1的兩個(gè)表面上層壓或壓制組合膜而層疊，形成絕緣層15。該組合膜是不具有導(dǎo)電性的膜，由具有絕緣性的樹脂材料等形成。作為這樣的樹脂材料，能夠應(yīng)用與以上述的帶有樹脂的導(dǎo)體箔2中的樹脂為主成分的絕緣層21相同的構(gòu)成材料，可以配合二氧化硅填料等無機(jī)填充劑等。再有，層疊前的組合膜為B階狀態(tài)。其次，如圖6(c)中所示，在內(nèi)層板1層疊的絕緣層15的規(guī)定的部位，形成貫通絕緣層15而到達(dá)內(nèi)層板1的貫通孔(通孔)，從而形成內(nèi)部通孔(IVH) 30，使內(nèi)層電路102的一部分露出。該貫通孔的形成也能夠與對(duì)于第1實(shí)施方式中的帶有樹脂的銅箔2的貫通孔的形成同樣地進(jìn)行。其次，如圖6(d)中所示，以將層疊有絕緣層15的內(nèi)層板1的全部表面覆蓋的方式，通過非電解鍍銅形成銅鍍層3。由此，得到層疊體120，其具有內(nèi)層板1、和只由以與內(nèi)層板1的內(nèi)層電路102 —部分連接的方式相隔絕緣層15而設(shè)置的銅鍍層3形成的第1銅層32。對(duì)于該層疊體120，由于銅鍍層3連續(xù)地形成到IVH30的內(nèi)部，因此在絕緣層15的表面上形成的銅鍍層3(第1銅層3 和內(nèi)層電路102的電連接成為可能。形成了這樣的層疊體120后，均與第1實(shí)施方式一樣，依次實(shí)施抗蝕層形成工序、 導(dǎo)體電路形成工序、鎳層形成工序、抗蝕層除去工序、蝕刻工序、阻焊層形成工序和金層形成工序。S卩，如圖6(e)中所示，在層疊體120中的第1銅層32 (銅鍍層3)上的應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分(包括IVH30)以外的部分，形成作為電鍍抗蝕層的抗蝕層4(抗蝕層形成工序)。其次，如圖6(f)中所示，采用電解鍍銅在第1銅層32的表面上形成第2銅層5，得到將第1銅層32和第2銅層5層疊而成的導(dǎo)體電路50 (導(dǎo)體電路形成工序)。然后，如圖7(g)中所示，在第2銅層5的表面上進(jìn)一步采用電解鍍鎳形成了鎳層 6 (鎳層形成工序)后，如圖7(h)中所示，將作為電鍍抗蝕層的抗蝕層4除去(抗蝕層除去工序)。然后，如圖7(i)中所示，通過蝕刻將由抗蝕層4覆蓋的部分的第1銅層32(銅鍍層3)除去(蝕刻工序)后，如圖7(j)中所示，進(jìn)行以形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50的至少一部分露出的方式在表面形成阻焊層7的阻焊層形成工序。然后，如圖7(k)中所示，在形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50(電路圖案)中，對(duì)于沒有形成阻焊層7的部分，采用非電解鍍金形成金層8 (金層形成工序)。由此，以將形成有鎳層 6的導(dǎo)體電路50的上面和側(cè)面覆蓋的方式形成金層8。圖8是放大表示金層8形成后的形成有鎳層6的導(dǎo)體電路50的部分的截面構(gòu)成的示意圖。如圖8中所示，該部分中，在形成于內(nèi)層板1(未圖示)的表面的絕緣層15上， 依次層疊銅鍍層3、第2銅層5和鎳層6，以將這些的層疊結(jié)構(gòu)的上面和側(cè)面覆蓋的方式形成由置換鍍金被膜11和還原型的鍍金被膜9形成的金層8。通過以上的工序，得到半導(dǎo)體芯片搭載用基板10，其具有在內(nèi)層板1的兩面隔著絕緣層15形成作為外層電路的導(dǎo)體電路50，而且在該導(dǎo)體電路50的必要部分形成了鎳層 6和金層8的構(gòu)成。這樣的半導(dǎo)體芯片搭載用基板10，形成有鎳層6和金層8的導(dǎo)體電路 50的部分能夠作為引線接合用端子、焊料連接用端子發(fā)揮功能，能夠用該部分進(jìn)行與芯片部件等的連接。以上對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但根據(jù)上述的本發(fā)明的制造方法， 即使在形成微細(xì)配線的情形下，也可以得到能夠減少橋接的發(fā)生且獲得優(yōu)異的引線接合性和焊料連接可靠性的半導(dǎo)體芯片搭載用基板。根據(jù)本發(fā)明人等，獲得這些效果的要因未必清楚，推測如下所述。(橋接)首先，目前為止，作為通過非電解鍍鎳容易發(fā)生橋接的要因，認(rèn)為(1)配線間的蝕刻殘?jiān)?2)采用非電解鍍銅形成了銅配線時(shí)，在配線間殘留的非電解鍍銅用的Pd催化劑殘?jiān)?3)進(jìn)行非電解鍍鎳前的置換鍍Pd處理產(chǎn)生的Pd催化劑殘?jiān)?4)利用作為非電解鍍中的還原劑一般使用的次磷酸的氧化而產(chǎn)生的氫氣等在復(fù)合作用。即，如果微細(xì)配線化發(fā)展、配線與配線之間的氫氣濃度變高，則配線與配線的非電解鍍鎳反應(yīng)的活性變高，因此在上述的⑴ (3)的殘?jiān)腥菀孜龀龇请娊忮冩?，其成為橋接的要因。此外，不存?1) (3)這樣的殘?jiān)鼤r(shí)，在非電解鍍鎳時(shí)通過配線與配線之間的氫氣濃度升高，在該部分發(fā)生鎳的還原，有時(shí)直接析出采用非電解鍍鎳的合金層，其成為橋接。此外，采用非電解鍍鎳在配線的側(cè)面形成的鎳被膜，由于氫氣濃度的升高，配線的側(cè)面的鍍敷的活性上升，由此容易成為比配線的上面的非電解鍍鎳被膜厚的形狀。特別地， 配線間的距離越狹窄，該傾向越強(qiáng)，因此這也成為容易發(fā)生橋接的要因。在這里，對(duì)于以往的用于抑制橋接的前處理液、前處理方法或者非電解鍍用催化劑，本發(fā)明人等如下所述考慮了不能抑制非電解鍍鎳處理后的橋接的發(fā)生的要因。S卩，以往的前處理液、前處理方法、非電解鍍用催化劑液，認(rèn)為使上述的(1)的蝕刻殘?jiān)?2)的Pd催化劑殘?jiān)确腔罨?，或者?3)的Pd催化劑殘?jiān)牧繙p少。但是，作為發(fā)生橋接的原因，也考慮了上述的的氫氣，但對(duì)于上述以往的前處理液、前處理方法、 非電解鍍用催化劑液，認(rèn)為由于無法獲得抑制該氫氣吸附于配線間的樹脂表面、其使非電解鍍鎳產(chǎn)生的直接的合金層析出的效果，因此不能充分地抑制橋接的發(fā)生。再有，通常即使對(duì)銅電路進(jìn)行非電解鍍金，也幾乎不引起橋接的發(fā)生。對(duì)于非電解鍍鎳，一般使用次磷酸作為還原劑，但與其氧化相伴而產(chǎn)生氫氣，由此配線附近的鍍液的活性升高，其結(jié)果變得容易產(chǎn)生蝕刻殘?jiān)?、非電解鍍銅用的Pd催化劑殘?jiān)蛘咧苯拥逆嚨奈?br> 出ο與此相對(duì)，非電解鍍金中使用次磷酸等通過氧化而產(chǎn)生氫氣的物質(zhì)作為還原劑的情形少，由于多使用抗壞血酸、脲系化合物、苯基系化合物等，因此認(rèn)為在非電解鍍金中幾乎不引起氫氣的產(chǎn)生，因此不發(fā)生橋接。此外，非電解鍍鎳液由于在80 95°C的高溫下使用，因此析出速度快，成為例如 0. 2 0. 3 μ m顯影鐘的析出速度，而非電解鍍金液由于在60 80°C左右的溫度下使用，因此成為0. 005 0. 03 μ m顯影鐘的析出速度，即使產(chǎn)生了氫氣，活性也低。認(rèn)為這樣的析出速度的不同產(chǎn)生的活性的不同也成為左右橋接有無發(fā)生的要因。而本發(fā)明中，對(duì)于由銅形成的導(dǎo)體電路，在有抗蝕層存在的狀態(tài)下進(jìn)行電解鍍鎳， 將抗蝕層除去后，進(jìn)行了非電解鍍金。也就是說，對(duì)于導(dǎo)體電路進(jìn)行了電解鍍鎳，因此上述的(1) (4)這樣的事項(xiàng)均難以成為使橋接發(fā)生的要因。進(jìn)而，由于是在導(dǎo)體電路以外的部分存在抗蝕層的狀態(tài)，因此由此也大幅度地抑制橋接的發(fā)生。(焊料連接可靠性)如以往那樣在銅電路上實(shí)施非電解鍍鎳/非電解鍍金的情形下，如上述的非專利文獻(xiàn)2中記載的那樣，有時(shí)非電解鍍鎳層通過置換鍍金反應(yīng)而溶解，形成脆弱層。認(rèn)為該脆弱層如下形成一般應(yīng)用的非電解鍍鎳是非電解鍍鎳-磷合金，對(duì)于其后的置換鍍金反應(yīng)， 只有鎳容易溶出，因此將磷濃縮而溶解殘留，由此而形成。而且，由于這樣的脆弱層的形成， 焊料連接可靠性下降。而在如本發(fā)明那樣對(duì)導(dǎo)體電路進(jìn)行電解鍍鎳/非電解鍍金的情形下，對(duì)于電解鍍鎳，能夠使純鎳析出，因此對(duì)于其后的置換鍍金反應(yīng)，只是鎳溶出，不產(chǎn)生非電解鍍鎳-磷合金的情形那樣的脆弱層。因此，認(rèn)為采用本發(fā)明中的電解鍍鎳/非電解鍍金，能夠獲得極高的焊料連接可靠性。(引線接合性)在以往的非電解鍍鎳/非電解鍍金的情形下，如上述的非專利文獻(xiàn)2中記載的那樣，顯示出隨著熱處理，引線接合性顯著下降。作為這樣引線接合性下降的理由，認(rèn)為來自非電解鍍鎳被膜的鎳在鍍金被膜的晶粒邊界擴(kuò)散，由此鎳向鍍金被膜的表面遷移，在該表面形成鎳氧化物。而且認(rèn)為，這樣產(chǎn)生的鎳氧化物妨礙金線和鍍金被膜的粘接，招致引線接合性的下降。而本發(fā)明中，由于在導(dǎo)體電路上實(shí)施電解鍍鎳/非電解鍍金，在電解鍍鎳中，能夠形成與導(dǎo)體電路相反側(cè)的表面的鎳的結(jié)晶粒徑的平均值為0. 25 μ m以上的鎳層，由此與進(jìn)行以往的非電解鍍鎳/非電解鍍金的情形相比，獲得優(yōu)異的引線接合性。作為其理由，認(rèn)為電解鍍鎳被膜中的鎳的粒徑與非電解鍍鎳被膜的粒徑不同。即，一般應(yīng)用的非電解鍍鎳如前所述是非電解鍍鎳-磷合金，形成無定形的被膜， 與此相對(duì)，采用電解鍍鎳形成的被膜為結(jié)晶，因此，電解鍍鎳被膜與非電解鍍鎳被膜相比， 鎳的晶粒大。進(jìn)而，一般在電解鍍鎳液中添加光澤劑，但本發(fā)明中，電解鍍鎳液中光澤劑少或者不添加光澤劑，所以，由此也能使鎳的晶粒生長得大。其中，電解鍍鎳液的光澤劑有一次光澤劑和二次光澤劑這2種，一次光澤劑具有通過使被膜的結(jié)晶微細(xì)化而賦予光澤的作用，二次光澤劑具有將由一次光澤劑無法獲得的將小傷添埋的作用，即具有賦予流平效果的作用。作為一次光澤劑，已知芳香族磺酸類(苯磺酸等)、芳香族磺酰胺類(對(duì)-甲苯磺酰胺等)、芳香族磺酰亞胺類(糖精等)，作為二次光澤劑，已知醛類(甲醛等)、烯丙基化合物、乙烯基化合物(烯丙基磺酸等)、炔屬化合物 (2-丁基-1，4-硫醇等)、腈類(乙基氰醇等)。而且，在電解鍍鎳液中特別是只添加一次光澤劑的情形多。此外，在電解鍍鎳被膜上析出非電解鍍金被膜的情況下，非電解鍍金被膜外延生長，因此鎳的晶粒越大，金的晶粒越大，能夠具有與電解鍍鎳后進(jìn)行電解鍍金的情形大致相同水平的的金的晶粒。因此，即使對(duì)這樣形成的引線接合端子等進(jìn)行熱處理，由于金層抑制鎳的擴(kuò)散的效果高，認(rèn)為能夠發(fā)揮優(yōu)異的引線接合性。再有，對(duì)相同粒徑的電解鍍鎳進(jìn)行非電解鍍金或電解鍍金的情形下，進(jìn)行非電解鍍金的一方傾向于金的粒徑有若干減小。但是，本發(fā)明中，由于使用極力控制在電解鍍鎳液中的添加劑或者不添加添加劑的電解鍍鎳液，因此能夠使電解鍍鎳被膜中的鎳的粒徑增大。因此，本發(fā)明中，在采用電解鍍鎳形成鎳層6后，通過采用非電解鍍金形成金層8，從而能夠?qū)崿F(xiàn)微細(xì)配線化，另一方面，由于確保金層8中的金的粒徑較大，因此能夠獲得高引線接合性。以上對(duì)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體芯片搭載用基板及其制造方法的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不一定限定于上述的實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行適當(dāng)改變。例如，在上述的實(shí)施方式中，在第2銅層3 (導(dǎo)體電路)的全部區(qū)域上采用電解鍍鎳形成了鎳層6，但鎳層6也可在第2銅層3上的規(guī)定位置部分地形成。具體地，形成了第 2銅層3后，在該銅層3上的形成鎳層6的部分以外形成抗蝕層(上部抗蝕層)，在鎳層形成工序中，能夠只在沒有形成該上部抗蝕層的第2銅層3上形成鎳層6。這種情況下，導(dǎo)體電路(第2銅層幻上的未形成焊料連接用端子、引線接合用端子的區(qū)域，沒有被鎳層6覆蓋， 與上部形成的阻焊層7直接相接。而且，阻焊層7與鎳相比對(duì)于銅的密合性高的情形多，因此通過采取上述構(gòu)成，能夠提高阻焊層7的密合性，進(jìn)一步改善可靠性。此外，在上述的實(shí)施方式中，對(duì)在內(nèi)層板的兩表面上形成外層導(dǎo)體電路的實(shí)例進(jìn)行了說明，但未必限于此，例如可只在內(nèi)層板的一方的表面?zhèn)刃纬赏鈱訉?dǎo)體電路。此外，可將上述得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板再用作內(nèi)層板，反復(fù)進(jìn)行同樣的工序，從而制成多層的具有外裝導(dǎo)體電路的多層板。實(shí)施例[實(shí)施例1](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)(Ia)內(nèi)層板的準(zhǔn)備首先，如圖1(a)中所示，準(zhǔn)備作為在絕緣基材的兩面粘貼厚18μπι的銅箔的厚 0. 2mm的玻璃布基材環(huán)氧覆銅層疊板的MCL-E-679(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)，通過蝕刻將其不需要的部位的銅箔除去，形成通孔，得到了在表面形成有內(nèi)層電路的內(nèi)層板 (內(nèi)層板1)。(Ib)帶有樹脂的銅箔的層疊如圖1(b)中所示，在內(nèi)層板的兩面，將在3μπι厚的銅箔22涂布有膠粘劑(絕緣層21)的MCF-7000LX(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)在170°C、30kgf/cm2的條件下加熱加壓60分鐘，進(jìn)行層壓。(Ic) IVH 的形成如圖1(c)中所示，采用二氧化碳沖擊激光打孔機(jī)L_500(住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)，從銅箔22上打出作為直徑80 μ m的非貫通孔的IVH30。進(jìn)而，將IVH30形成后的基板，在高錳酸鉀65g/L和氫氧化鈉40g/L的混合水溶液中在液溫70°C下浸漬20分鐘，進(jìn)行了孔內(nèi)的污物的除去。(Id)非電解鍍銅如圖1(d)中所示，將(Ic)的工序后的基板在作為鈀溶液的HS_202B(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在25°C下浸漬15分鐘，向銅箔22表面賦予催化劑。然后，使用⑶ST-201 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)，在液溫25°C、30分鐘的條件下進(jìn)行了非電解鍍銅。由此在銅箔21上和IVH30內(nèi)的表面形成了厚0. 3 μ m的非電解鍍銅層(銅鍍層 3)。(Ie)電鍍抗蝕層的形成如圖1(e)中所示，將作為干膜光致抗蝕層的RY_3025(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、 商品名)層壓于非電解鍍銅層的表面，借助將應(yīng)進(jìn)行電解鍍銅的部位掩蔽的光掩模對(duì)光致抗蝕層用紫外線曝光后，進(jìn)行顯影，形成了電鍍抗蝕層(抗蝕層4)。(If)電解鍍銅如圖1 (f)中所示，使用硫酸銅浴，在液溫25°C、電流密度1. OA/dm2的條件下，在銅鍍層3上進(jìn)行電解鍍銅以得到20 μ m左右的厚度，形成了具有電路導(dǎo)體寬/電路導(dǎo)體間隔 (L/S) = 35/35 μ m的圖案形狀的第2銅層5。此外，在與形成了該圖案形狀的面相反側(cè)的面，以形成焊料球連接用的焊區(qū)(，> K )徑600 μ m的襯墊的方式，形成了電解鍍銅被膜 (第2銅層5)。(Ig)電解鍍鎳如圖2(g)中所示，使用不含光澤劑的下述組成的電解鍍鎳液，在液溫55°C、電流密度1. 5A/dm2的條件下，在電解鍍銅層上進(jìn)行電解鍍鎳以得到3μπι左右的厚度，形成了電解鍍鎳被膜(鎳層6)。電解鍍鎳液(瓦特浴)的組成硫酸鎳240g/L氯化鎳45g/L硼酸30g/L表面活性劑3ml/L(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社制、商品名C7卜防止劑#62)pH 4(Ih)電鍍抗蝕層的剝離如圖2(h)中所示，使用作為抗蝕層剝離液的HTCKNichigo-Morton株式會(huì)社制、商品名)，進(jìn)行了電鍍抗蝕層的除去。(Ii)蝕刻如圖2(i)中所示，使用硫酸20g/L、過氧化氫10g/L的組成的蝕刻液作為主成分，通過蝕刻將被電鍍抗蝕層覆蓋的部分的銅(銅箔21和銅鍍層幻除去。(Ij)阻焊層的形成如圖2(j)中所示，在蝕刻后的基板的上側(cè)的表面采用輥式涂布機(jī)涂布感光性的阻焊層“PSR-4000AUS5”(太陽油墨制造株式會(huì)社制、商品名)，以使固化后的厚度為40 μ m。 接著，進(jìn)行曝光·顯影，在導(dǎo)體電路上的所需的場所形成了具有開口部的阻焊層7。此外，為了在下側(cè)的表面形成焊料球連接用的襯墊，在焊區(qū)徑600 μ m的銅襯墊的上部形成了具有 500 μ m的開口徑的阻焊層7。(Ik)非電解鍍金如圖2(k)中所示，將阻焊層7形成后的基板在作為置換鍍金液的HGS_100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社、商品名)中在85°C下浸漬2分鐘，進(jìn)而水洗1分鐘。其次，在作為還原型的鍍金液的HGS-2000(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在70°C下浸漬45分鐘，進(jìn)而水洗5分鐘，形成了非電解鍍金被膜(金層8)。采用置換鍍金和還原型的鍍金得到的非電解鍍金被膜的膜厚合計(jì)為0. 5 μ m。再有，本實(shí)施例和以下的實(shí)施例、比較例中，鎳層、鈀層和金層的膜厚使用熒光X射線膜厚計(jì)SFT9500 (SlINanoTechnology株式會(huì)社制、商品名) 加以測定。這樣，得到了圖2 (k)中所示的、在上下面具有用金層8覆蓋的端子部分的半導(dǎo)體芯片搭載用基板。該半導(dǎo)體芯片搭載用基板中，上側(cè)的端子部分與引線接合連接用的端子相當(dāng)，下側(cè)的端子部分與焊料連接用的端子相當(dāng)。半導(dǎo)體芯片搭載用基板各自具有1000個(gè)這些端子(以下的實(shí)施例、比較例也同樣)。(特性評(píng)價(jià))(1)微細(xì)配線形成性對(duì)于上述得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，按照下述標(biāo)準(zhǔn)對(duì)非電解鍍金后的微細(xì)配線形成性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。A 沒有形成橋接，在端子部分良好地形成了鍍敷被膜，電路導(dǎo)體間隔為25μπι以上。B 在端子部分的外周，鍍層部分地溢出析出，電路導(dǎo)體間隔為20μπι以上且小于 25 μ m0C 在端子部分的外周，鍍層部分地溢出析出，電路導(dǎo)體間隔為15 μ m以上且小于 20 μ m0D 在端子部分的外周，鍍層部分地溢出析出，電路導(dǎo)體間隔為5μπι以上且小于 15 μ m。E 在端子部分的外周，鍍層部分地溢出析出，電路導(dǎo)體間隔小于5μπι。⑵引線接合性對(duì)于上述得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板。按照下述的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)連接端子的引線接合性(引線接合連接性)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。即，對(duì)于與實(shí)施例1對(duì)應(yīng)的多個(gè)半導(dǎo)體芯片搭載用基板，在150°C下分別實(shí)施3、 10、50、100和200小時(shí)的熱處理，在各熱處理時(shí)間經(jīng)過的時(shí)刻進(jìn)行了引線接合。引線接合是使用線徑^ym的金線，在1000個(gè)部位的引線接合連接用的端子全部進(jìn)行。作為引線接合裝置，使用UTC200-Super2(株式會(huì)社新川、商品名)，條件為接合溫度(加熱塊溫度)165°C、接合載荷70gf、超聲波功率90PLS、超聲波時(shí)間25ms。然后，引線接合后，使用接合測試機(jī)(Dage公司制、商品名BTM00PC)，拉伸金線， 進(jìn)行測定直至從端子脫落的強(qiáng)度的金線拉伸試驗(yàn)，基于下述標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于引線接合連接可靠性，對(duì)每個(gè)端子分別評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。A 線拉伸強(qiáng)度的平均值為IOg以上B 線拉伸強(qiáng)度的平均值為8g以上且小于IOgC 線拉伸強(qiáng)度的平均值為3g以上且小于8gD 線拉伸強(qiáng)度的平均值小于3g(3)焊料連接可靠性對(duì)于上述得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，根據(jù)下述的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)連接端子的焊料連接可靠性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。S卩，在回流爐中使cp0.76mm的Sn-3. OAg-O. 5Cu焊料球連接于半導(dǎo)體芯片搭載用基板中的1000個(gè)部位的焊料連接端子后(峰值溫度252°C )，使用抗沖擊性高速接合測試儀4000HS( 7 4 7公司制商品名)，在約200mm/秒的條件下進(jìn)行了焊料球的剪切(剪斷)試驗(yàn)(放置時(shí)間Oh)。此外，準(zhǔn)備多個(gè)通過回流使焊料球連接的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，分別在150°C下放置了 100、300、1000小時(shí)后，對(duì)于這些也同樣地進(jìn)行了焊料球的剪切(剪斷) 試驗(yàn)。焊料連接可靠性的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)如下所述，基于該標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)每個(gè)端子進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。A 在1000處全部的焊料用連接端子中發(fā)現(xiàn)了焊料球內(nèi)的剪斷導(dǎo)致的破壞。B 確認(rèn)焊料球內(nèi)的剪斷導(dǎo)致的破壞以外的模式導(dǎo)致的破壞為1處以上且10處以下。C 確認(rèn)焊料球內(nèi)的剪斷導(dǎo)致的破壞以外的模式導(dǎo)致的破壞為11處以上且100處以下。D 確認(rèn)焊料球內(nèi)的剪斷導(dǎo)致的破壞以外的模式導(dǎo)致的破壞為101處以上。(4)鎳向金層表面的擴(kuò)散為了考察鎳向半導(dǎo)體芯片搭載用基板的端子部分中的金層8的擴(kuò)散狀態(tài)，進(jìn)行了以下的試驗(yàn)。即，對(duì)于多個(gè)半導(dǎo)體芯片搭載用基板，分別在150°C下進(jìn)行了 50、100、200小時(shí)的熱處理后，使用X射線光電子分光裝置AXIS 165型(島津制作所社制商品名)，進(jìn)行金層表面的元素分析，求出在金層表面存在的元素的種類及其比例。將得到的結(jié)果示于表2。(5)鎳層/金層的結(jié)晶粒徑為了考察端子部分中的鎳層6和金層8各自中的鎳和金的結(jié)晶粒徑，使用聚束離子束加工觀察裝置(FIB:Focused Ion Beam System、(株)日立制作所制FB-2000A 型)對(duì)端子部分進(jìn)行加工，使用在FIB中并設(shè)的掃描離子顯微鏡(SIMAcarming Ion Microscope (以下簡寫為FIB/SIM))進(jìn)行了觀察。將得到的結(jié)果示于圖9。圖9中，Au表示金層，Ni表示鎳層(對(duì)于圖10 14也同樣)。此外，采用電子束后方散射(ElectronBackscatter Diffraction ；EBSD)法(以下簡寫為EBSD)測定與金層8相接的鎳層6，求出平均粒徑。再有，作為SEM裝置，使用 SU6600(日立制作所制商品名)，作為EBSP測定 解析系統(tǒng)，使用OIM (Orientation ImagingMacrograph、解析軟件名“OIMAnalysis”)(TSL公司制商品名)。平均粒徑是以15 μ m寬對(duì)與金層8相接的鎳層6的截面進(jìn)行測定，算出每一個(gè)晶粒的截面積，求出其平均，將換算為圓時(shí)的直徑作為平均粒徑。再有，采用EBSD觀察電路導(dǎo)體寬35 μ m的中央部。將通過該觀察得到的、鎳層6中的金層8側(cè)的表面處的鎳的結(jié)晶粒徑的平均值示于表3。(6)阻焊層的粘接性通過進(jìn)行PCT Pressure Cooker Test)試驗(yàn)來對(duì)導(dǎo)體電路和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。即，在上述(Ij)的工序中，以將形成了 1000處焊區(qū)徑600 μ m的焊料球連接用的襯墊的導(dǎo)體電路全部覆蓋的方式，形成無開口部的阻焊層7，將其作為試驗(yàn)樣品。對(duì)于該試驗(yàn)樣品，進(jìn)行了在121°C /100% RH/2. 3atm的條件下處理96小時(shí)的吸濕(PCT)處理。處理后，目視觀察在焊料球連接用的襯墊的上部是否產(chǎn)生了鼓脹，對(duì)阻焊層相對(duì)于導(dǎo)體電路的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。再有，表中的評(píng)價(jià)結(jié)果基于以下的標(biāo)準(zhǔn)。A 無鼓脹的發(fā)生B 鼓脹在1 30處發(fā)生C 鼓脹在31 100處發(fā)生D 鼓脹在100處以上發(fā)生[實(shí)施例2](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (Ig)的工序后，將鎳層6形成后的基板在液溫25°C 的作為置換鍍鈀液的SA-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中浸漬2分鐘，進(jìn)行1分鐘的水洗，進(jìn)而在作為還原型鍍鈀液的〃 > 7卜(小島化學(xué)藥品株式會(huì)社制、商品名)中， 在70°C下浸漬1分鐘，使0. Ιμπι的還原型鍍鈀被膜(鈀層)析出。然后，進(jìn)行了實(shí)施例1 中的(Ih) (Ij)的工序后，對(duì)于(Ik)的工序，通過在HGS-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社、 商品名)中在85°C下浸漬10分鐘來進(jìn)行該工序中的置換鍍金，除此之外同樣地進(jìn)行，得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳在金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。[實(shí)施例3](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (Ig)的工序后，在鎳層6的表面，使用作為電解鍍鈀液的卜SST-L(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社、商品名)，在60°C、lA/dm2下進(jìn)行40秒的電解鍍鈀，使厚度0.2μπι的鍍鈀被膜(鈀層)析出。然后，進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ih) (Ij)的工序后，對(duì)于(Ik)的工序，通過在HGS-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社、商品名)中在 85°C下浸漬10分鐘來進(jìn)行該工序中的置換鍍金，除此之外同樣地進(jìn)行，得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地，對(duì)鎳在金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。[實(shí)施例4](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (Ig)的工序后，在鎳層6的表面，使用作為觸擊電解鍍金液的7〉K 7卜，4夕(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社、商品名)，在40°C、2A/dm2下進(jìn)行 20秒的觸擊電解鍍金。然后，同樣地進(jìn)行實(shí)施例1中的(Ih) (Ij)的工序。接著，將阻焊層7形成后的基板在作為還原型的鍍金液的HGS-2000(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在70°C下浸漬45分鐘，再水洗5分鐘，在采用觸擊電解鍍金形成的金層上又形成了金層。由此得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。采用觸擊電解鍍金和還原型的鍍金形成的金層的膜厚合計(jì)為0. 5 μ m。(特性評(píng)價(jià))對(duì)得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳在金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。[實(shí)施例5](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (Ig)的工序后，在鎳層6的表面，使用作為電解鍍鈀液的U ^卜SST-L(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社、商品名)，在60°C、lA/dm2下進(jìn)行40 秒的電解鍍鈀，使厚度0.2μπι的鍍鈀被膜(鈀層)析出。接著，在該鍍鈀被膜的表面，使用作為觸擊電解鍍金液的7〉K 7卜，4々(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社、商品名)，在40°C、 2A/dm2下進(jìn)行了 20秒的觸擊電解鍍金。然后，進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ih) (Ij)的工序。 然后，將阻焊層7形成后的基板在70°C下在作為還原型的鍍金液的HGS-2000(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中浸漬45分鐘，再水洗5分鐘，在采用觸擊電解鍍金形成的金層上又形成了金層。由此得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。采用觸擊電解鍍金和還原型的鍍金形成的金層的膜厚合計(jì)為0.5 μ m。(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳在金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。[實(shí)施例6](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (Ij)的工序后，進(jìn)行了如下工序?qū)⒆韬笇?形成后的基板在液溫25°C的作為置換鍍鈀液的SA-100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中浸漬2分鐘后，進(jìn)行水洗1分鐘，接下來在作為還原型鍍鈀液的〃 > 7卜(小島化學(xué)藥品株式會(huì)社制、商品名)中在70°C下浸漬1分鐘，使還原型鍍鈀被膜析出0. 1 μ m，從而在鎳層6上形成鈀層。然后，對(duì)于(Ik)的工序，通過在HGS-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社、商品名)中在85°C下浸漬10分鐘來進(jìn)行該工序中的置換鍍金，除此之外同樣地進(jìn)行，得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。(特性評(píng)價(jià))
對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳在金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。[實(shí)施例7](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)在(Ig)的工序中，使用含有光澤劑(一次光澤劑)的下述組成的電解鍍鎳液，在液溫55°C、電流密度1. 5A/dm2的條件下，在第2銅層5上進(jìn)行電解鍍鎳以得到3 μ m左右的厚度，在第2銅層5上形成了鎳層6，除此之外與實(shí)施例1同樣地得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。電解鍍鎳液的組成硫酸鎳240g/L氯化鎳45g/L硼酸30g/L表面活性劑3ml/L(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社制、商品名C7卜防止劑#62)糖精(光澤劑) 0. lg/LpH 4(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地，對(duì)鎳在金被膜表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。進(jìn)而，對(duì)于鎳層6和金層8各自中的鎳和金的結(jié)晶粒徑，與實(shí)施例1同樣地使用FIB/SIM進(jìn)行了觀察。將得到的結(jié)果示于圖10。進(jìn)而，與實(shí)施例1同樣地，采用EBSD對(duì)與金層8相接的鎳層6表面的結(jié)晶粒徑進(jìn)行了測定。將得到的結(jié)果示于表3。[實(shí)施例8](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)在(Ig)的工序中，使用含有光澤劑(一次光澤劑)的下述組成的電解鍍鎳液，在液溫55°C、電流密度1. 5A/dm2的條件下，在第2銅層5上進(jìn)行電解鍍鎳以得到3 μ m左右的厚度，在第2銅層5上形成了鎳層6，除此之外與實(shí)施例1同樣地得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。電解鍍鎳液的組成硫酸鎳240g/L氯化鎳45g/L硼酸30g/L表面活性劑3ml/L(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社制、商品名C7卜防止劑#62)糖精(光澤劑): 0. 3g/LpH 4(特性評(píng)價(jià))
對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳在金被膜表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。此外，對(duì)于鎳層6和金層8各自中的鎳和金的結(jié)晶粒徑，與實(shí)施例1同樣地采用FIB/SIM進(jìn)行了觀察。 將得到的結(jié)果示于圖11。進(jìn)而，與實(shí)施例1同樣地，采用EBSD對(duì)與金層8相接的鎳層6表面的結(jié)晶粒徑進(jìn)行了測定。將得到的結(jié)果示于表3。[實(shí)施例9](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)(2a)內(nèi)層板的準(zhǔn)備如圖6(a)中所示，使用作為在絕緣基材的兩面粘貼了厚18 μ m的銅箔的厚0. 2mm 的玻璃布基材環(huán)氧覆銅層疊板的MCL-E-679(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)，通過蝕刻將其不要的部位的銅箔除去，形成通孔，制作了形成有內(nèi)層電路的內(nèi)層板1。(2b)組合膜的層疊如圖6(b)中所示，在170°C、30kgf/cm2的條件下在內(nèi)層板1的兩面將熱固化性絕緣樹脂膜ABF-45H(味之素株式會(huì)社制、商品名)加熱加壓60分鐘進(jìn)行層壓，形成了組合膜 15。(2c) IVH 的形成如圖6 (c)中所示，采用二氧化碳沖擊激光打孔機(jī)L-500 (住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)，從組合膜15上開出作為直徑80 μ m的非貫通孔的IVH30。進(jìn)而，在高錳酸鉀65g/L和氫氧化鈉40g/L的混合水溶液中，將IVH30形成后的基板在液溫70°C下浸漬20 分鐘，進(jìn)行孔內(nèi)的污物的除去。(2d)非電解鍍銅如圖6(d)中所示，將Oc)的工序后的基板在作為鈀溶液的HS_202B(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在25°C下浸漬15分鐘，對(duì)組合膜15的表面和IVH30內(nèi)的表面賦予催化劑后，使用⑶ST-201(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)，在液溫25°C、30分鐘的條件下進(jìn)行了非電解鍍銅。由此在組合膜15上和IVH30內(nèi)的表面形成了厚0.3μπι的銅鍍層 3。(2e)電鍍抗蝕層的形成如圖6(e)中所示，將作為干膜光致抗蝕層的RY_3025(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、 商品名)層壓于銅鍍層3的表面，介由將應(yīng)進(jìn)行電解鍍銅的部位掩蔽的光掩模，對(duì)光致抗蝕層用紫外線曝光后顯影，形成了電鍍抗蝕層4。(2f)電解鍍銅如圖6 (f)中所示，使用硫酸銅浴，在液溫25°C、電流密度1. OA/dm2的條件下，在銅鍍層3上進(jìn)行電解鍍銅以得到20 μ m左右的厚度，形成了具有電路導(dǎo)體寬/電路導(dǎo)體間隔 (L/S) = 35/35 μ m的圖案形狀的第2銅層5。此外，在與形成了該圖案形狀的面相反側(cè)的面，以形成焊料球連接用的焊區(qū)徑600 μ m的襯墊的方式形成了第2銅層5。(2g)電解鍍鎳如圖7(g)中所示，使用具有下述組成的不含光澤劑的電解鍍鎳液，在液溫55°C、 電流密度1. 5A/dm2的條件下在第2銅層5上進(jìn)行電解鍍鎳以得到3 μ m左右的厚度，在第2銅層5上形成了鎳層6。電解鍍鎳液(瓦特浴)的組成硫酸鎳240g/L氯化鎳45g/L硼酸30g/L表面活性劑 3ml/L(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社制、商品名C7卜防止劑#62)pH 4(2h)電鍍抗蝕層的剝離如圖7(h)中所示，使用作為抗蝕層剝離液的HTCKNichigo-Morton株式會(huì)社制、商品名)，進(jìn)行了電鍍抗蝕層4的除去。(2i)蝕刻如圖7(i)中所示，使用硫酸20g/L、過氧化氫10g/L的組成的蝕刻液作為主成分， 通過蝕刻將被電鍍抗蝕層4覆蓋的部分的銅(銅鍍層幻除去。(2j)阻焊層的形成如圖7(j)中所示，在蝕刻后的基板的上側(cè)的表面使用輥式涂布機(jī)涂布感光性的阻焊層“PSR-4000AUS5”(太陽油墨制造株式會(huì)社制、商品名)，使固化后的厚度為40 μ m。 接著，通過進(jìn)行露光·顯影，在導(dǎo)體電路上的所需的場所形成了具有開口部的阻焊層7。此外，為了在下側(cè)的表面形成焊料球連接用的襯墊，在焊區(qū)徑600 μ m的銅襯墊的上部形成了具有500 μ m的開口徑的阻焊層7。(2k)非電解鍍金如圖7(k)中所示，使阻焊層7形成后的基板在作為置換鍍金液的HGS-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社、商品名)中在85°C下浸漬2分鐘，進(jìn)而水洗1分鐘。其次，在作為還原型的鍍金液的HGS-2000(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在70°C下浸漬45分鐘，進(jìn)而水洗5分鐘。采用置換鍍金和還原型的鍍金得到的金層8的膜厚合計(jì)為0. 5 μ m。(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。[實(shí)施例10](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (Ig)的工序后，在鎳層6的表面，使用作為電解鍍鈀液的U ^卜SST-L(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社、商品名)，在60°C、lA/dm3下進(jìn)行40 秒的電解鍍鈀，使0.2μπι厚的鍍鈀被膜(鈀層)析出。然后，進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ih) (Ij)的工序后，在作為還原型鍍鈀液的〃 > ,卜(小島化學(xué)藥品株式會(huì)社、商品名)中在 70°C下浸漬1分鐘，使還原型鍍鈀被膜(鈀層)析出0. Ιμπι。然后，對(duì)于實(shí)施例1中的(Ik) 的工序，通過在HGS-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社、商品名)中在85°C下浸漬10分鐘來進(jìn)行該工序中的置換鍍金，除此之外同樣地進(jìn)行，得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳向金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。[比較例1](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (If)的工序后，不進(jìn)行(Ig)(電解鍍鎳)的工序，進(jìn)行了 (Ih) (Ij)的工序。其次，將阻焊層形成后的基板在作為鍍敷活化處理液的SA_100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中，在25°C下浸漬處理5分鐘，水洗1分鐘后，在作為非電解鍍鎳液的鎳PS-100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在85°C下浸漬處理12分鐘，水洗1分鐘。 由此，在第2銅層上形成了 3 μ m的非電解鍍鎳被膜。然后，將非電解鍍鎳被膜形成后的基板在作為置換鍍金液的HGS_100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中，在85°C下浸漬處理10分鐘，水洗1分鐘后，在作為還原型的鍍金液的HGS-2000(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在70°C下浸漬45分鐘，水洗5 分鐘。由此得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。采用置換鍍金和還原型的鍍金得到的金層的膜厚合計(jì)為0. 5 μ m。(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳向金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。此外， 對(duì)于鎳層和金層各自中的鎳和金的結(jié)晶粒徑，與實(shí)施例1同樣地采用FIB/SIM進(jìn)行了觀察。 將得到的結(jié)果示于圖12。此外，與實(shí)施例1同樣地采用EBSD測定了與金層相接的鎳層表面的結(jié)晶粒徑。將得到的結(jié)果示于表3。(比較例2)(半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (If)的工序后，不進(jìn)行(Ig)(電解鍍鎳)的工序，進(jìn)行了 (Ih) (Ij)的工序。接著，將阻焊層7形成后的基板，在作為鍍敷活化處理液的下述組成的置換鍍鈀液中浸漬5分鐘后，進(jìn)行水洗和干燥，在第2銅層上形成了置換鍍鈀被膜。置換鍍鈀液的組成作為氯化鈀(Pd) 100mg/L氯化銨10g/LpH2(用鹽酸進(jìn)行調(diào)節(jié))其次，將采用置換鍍鈀液處理后的基板浸漬于下述組成的處理液后，進(jìn)行了水洗和干燥。處理液的組成硫代硫酸鉀 50g/LpH調(diào)節(jié)劑檸檬酸鈉pH 6然后，將上述處理后的基板在作為非電解鍍鎳液的鎳PS-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中，在85°C下浸漬處理12分鐘后，水洗1分鐘。由此在鍍鈀被膜上形成了 3ym的非電解鍍鎳被膜。接著，將該基板在作為置換鍍金液的HGS-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中，在85°C下浸漬處理10分鐘，水洗1分鐘后，在作為還原型的鍍金液的 HGS-2000(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中，在70°C下浸漬45分鐘，水洗5分鐘。由此得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。采用置換鍍金和還原型的鍍金得到的金層的膜厚合計(jì)為 0. 5 μ m0(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地，采用EBSD測定了與金層相接的鎳層表面的結(jié)晶粒徑。將得到的結(jié)果示于表3o[比較例3](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (If)的工序后，不進(jìn)行(Ig)(電解鍍鎳)的工序，進(jìn)行了 (Ih) (Ij)的工序。接著，在作為鍍敷活化處理液的下述組成的置換鍍鈀液中浸漬5分鐘后，進(jìn)行水洗、干燥，在第2銅層上形成了置換鍍鈀被膜。置換鍍鈀液的組成鹽酸(35%) 70ml/L作為氯化鈀(Pd) 50mg/L次磷酸100mg/L酸性度約0. 8N其次，將采用置換鍍鈀液處理后的基板，在作為非電解鍍鎳液的鎳PS_100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在85°C下浸漬處理12分鐘，水洗1分鐘。由此，在鍍鈀被膜上形成了 3μπι的非電解鍍鎳被膜。接著，將該基板在作為置換鍍金液的HGS-100 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在85°C下浸漬處理10分鐘，水洗1分鐘后，在作為還原型的鍍金液的HGS-2000(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中，在70°C下浸漬45分鐘，水洗 5分鐘。由此得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。采用置換鍍金和還原型的鍍金得到的金層的膜厚合計(jì)為0. 5 μ m。(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地采用EBSD測定與金層相接的鎳層表面的結(jié)晶粒徑。將得到的結(jié)果示于表 3。[比較例4](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)在(Ig)的工序中，使用含有光澤劑(一次光澤劑)的下述組成的電解鍍鎳液，在液溫55°C、電流密度1. 5A/dm2的條件下，在第2銅層上進(jìn)行電解鍍鎳以得到3 μ m左右的厚度，在第2銅層上形成了鎳層，除此之外與實(shí)施例1同樣地得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。
電解鍍鎳液的組成硫酸鎳240g/L氯化鎳45g/L硼酸30g/L表面活性劑 3ml/L(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社制、商品名C7卜防止劑#62)糖精(光澤劑) 2g/LpH 4(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳向金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。進(jìn)而，對(duì)于鎳層和金層各自中的鎳和金的結(jié)晶粒徑，與實(shí)施例1同樣地采用FIB/SIM觀察。將得到的結(jié)果示于圖13。進(jìn)而，采用EBSD測定了與金層相接的鎳層的結(jié)晶粒徑。將得到的結(jié)果示于表3。[比較例5](半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造)進(jìn)行了實(shí)施例1中的(Ia) (If)的工序后，不進(jìn)行(Ig)(電解鍍鎳)的工序，進(jìn)行了 (Ih) (Ij)的工序。其次，將阻焊層形成后的基板在作為鍍敷活化處理液的SA_100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在25°C下浸漬處理5分鐘，水洗1分鐘。接著，在作為非電解鍍鎳液的鎳PS-100(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)中在85°C下浸漬處理12分鐘，水洗1分鐘。由此在第2銅層上形成了 3μπι的非電解鍍鎳被膜。然后，在非電解鍍鎳被膜上，使用作為觸擊電解鍍金液的7 * K 7卜，4夕(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社、商品名)，在40°C、2A/dm2下進(jìn)行了 20秒的觸擊電解鍍金。進(jìn)而，使用作為電解鍍金液的f > 卜(日本高純度化學(xué)株式會(huì)社、商品名)，在70°C、0.3A/ dm2下進(jìn)行了 4分鐘電解鍍金。由此得到了半導(dǎo)體芯片搭載用基板。采用觸擊電解鍍金和電解鍍金形成的金層的膜厚合計(jì)為0. 5 μ m。(特性評(píng)價(jià))對(duì)于得到的半導(dǎo)體芯片搭載用基板，與實(shí)施例1同樣地對(duì)微細(xì)配線形成性、引線接合性、焊料連接可靠性和阻焊層的粘接性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表1。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)鎳向金層表面的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將得到的結(jié)果示于表2。進(jìn)而，對(duì)于非電解鍍鎳被膜和金層各自的鎳和金的結(jié)晶粒徑，與實(shí)施例1同樣地采用FIB/SIM進(jìn)行了觀察。將得到的結(jié)果示于圖14。進(jìn)而，與實(shí)施例1同樣地，采用EBSD測定了與金層相接的非電解鍍鎳被膜表面的結(jié)晶粒徑。將得到的結(jié)果示于表3。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其具有抗蝕層形成工序，其在具有內(nèi)層板和第1銅層的層疊體中的所述第1銅層上，除了應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分以外形成抗蝕層，所述內(nèi)層板在表面具有內(nèi)層電路，所述第1銅層以一部分與所述內(nèi)層電路連接的方式相隔絕緣層設(shè)置在所述內(nèi)層板上；導(dǎo)體電路形成工序，其通過電解鍍銅在所述第1銅層上的應(yīng)成為所述導(dǎo)體電路的部分形成第2銅層，得到由所述第1銅層和所述第2銅層形成的所述導(dǎo)體電路；鎳層形成工序，其通過電解鍍鎳在所述導(dǎo)體電路上的至少一部分，形成與所述導(dǎo)體電路相反側(cè)的面中的結(jié)晶粒徑的平均值為0. 25 μ m以上的鎳層；抗蝕層除去工序，其將所述抗蝕層除去；蝕刻工序，其通過蝕刻將由所述抗蝕層覆蓋的部分的所述第1銅層除去；和金層形成工序，其通過非電解鍍金在形成有所述鎳層的所述導(dǎo)體電路上的至少一部分形成金層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述蝕刻工序后、所述金層形成工序前，具有以形成有所述鎳層的所述導(dǎo)體電路的至少一部分露出的方式在表面形成阻焊層的阻焊層形成工序。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述抗蝕層形成工序中，以所述絕緣層與所述內(nèi)層板側(cè)相向的方式，在所述內(nèi)層板上層疊以樹脂為主成分的絕緣層和銅箔經(jīng)層疊而成的帶有樹脂的銅箔，以所述內(nèi)層電路的一部分露出的方式，在層疊于所述內(nèi)層板上的所述帶有樹脂的銅箔上形成通孔，以將所述銅箔和所述通孔內(nèi)覆蓋的方式，通過非電解鍍銅形成銅鍍層，得到了具有由所述銅箔和所述銅鍍層形成且一部分與所述內(nèi)層電路連接的所述第1銅層的所述層疊體后，在所述層疊體中的所述第1銅層上，除了應(yīng)成為所述導(dǎo)體電路的部分以外形成所述抗蝕層。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其特征在于，所述帶有樹脂的銅箔中的所述銅箔的厚度為5 μ m以下。
5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述抗蝕層形成工序中，在表面具有內(nèi)層電路的內(nèi)層板上層疊不具有導(dǎo)電性的膜而形成絕緣層，以所述內(nèi)層電路的一部分露出的方式，在層疊于所述內(nèi)層板上的所述絕緣層形成通孔，以將所述絕緣層和所述通孔內(nèi)覆蓋的方式，通過非電解鍍銅形成銅鍍層，得到了具有由所述銅鍍層形成且一部分與所述內(nèi)層電路連接的所述第1銅層的所述層疊體后，在所述層疊體中的所述第1銅層上，除了應(yīng)成為所述導(dǎo)體電路的部分以外形成所述抗蝕層。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述導(dǎo)體電路形成工序后、所述鎳層形成工序前，具有以所述導(dǎo)體電路的一部分露出的方式還形成覆蓋所述抗蝕層和所述導(dǎo)體電路的上部抗蝕層的上部抗蝕層形成工序，在所述鎳層形成工序中，在從所述上部抗蝕層露出的部分的所述導(dǎo)體電路上形成所述銀層，所述抗蝕層除去工序中，將所述抗蝕層和所述上部抗蝕層兩者除去。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述鎳層形成工序后、所述金層形成工序前，具有通過非電解鍍或電鍍?cè)谒鲦噷由闲纬捎蛇x自鈷、鈀、鉬、金中的至少一種金屬形成的金屬層的金屬層形成工序。
8.如權(quán)利要求2 7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述阻焊層形成工序后、所述金層形成工序前，具有通過非電解鍍鈀在從所述阻焊層露出的形成有所述鎳層的所述導(dǎo)體電路上形成鈀層的金屬層形成工序。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述金屬層形成工序中，通過在進(jìn)行了置換鍍鈀后，進(jìn)行還原型的鍍鈀，從而形成所述鈀層。
10.如權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述金層形成工序中，使用含還原劑的非電解鍍金液進(jìn)行所述非電解鍍金，作為所述還原劑，使用通過氧化不產(chǎn)生氫氣的還原劑。
11.如權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，在所述金層形成工序中，通過在進(jìn)行了置換鍍金后，進(jìn)行還原型的鍍金，從而形成所述金層。
12.如權(quán)利要求1 11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，所述金層的厚度為0. 005 μ m以上。
13.如權(quán)利要求1 12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法，其中，所述導(dǎo)體電路的至少一部分是焊料連接用端子或引線接合用端子。
14.一種半導(dǎo)體芯片搭載用基板，其采用如權(quán)利要求1 13中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法得到。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供即使在形成微細(xì)配線的情況下也能夠使橋接的發(fā)生減少并且能夠獲得優(yōu)異的引線接合性和焊料連接可靠性的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片搭載用基板的制造方法具有抗蝕層形成工序，其在具有內(nèi)層板和第1銅層的層疊體中的第1銅層上，除了應(yīng)成為導(dǎo)體電路的部分以外形成抗蝕層，所述內(nèi)層板在表面具有內(nèi)層電路，所述第1銅層相隔絕緣層設(shè)置在內(nèi)層板上；導(dǎo)體電路形成工序，其通過電解鍍銅在第1銅層上形成第2銅層，得到導(dǎo)體電路；鎳層形成工序，其通過電解鍍鎳在導(dǎo)體電路上的至少一部分形成鎳層；抗蝕層除去工序，其將抗蝕層除去；蝕刻工序，其通過蝕刻將第1銅層除去；和金層形成工序，其通過非電解鍍金在導(dǎo)體電路上的至少一部分形成金層。
文檔編號(hào)H05K3/24GK102576693SQ20108003977
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月7日
發(fā)明者坪松良明, 櫻井健久, 江尻芳則, 長谷川清 申請(qǐng)人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社