專利名稱：沿兩側(cè)或更多側(cè)的具有電磁干擾(emi)屏蔽、冷卻或屏蔽冷卻兼有的電源模塊的制作方法
沿兩側(cè)或更多側(cè)的具有電磁干擾(EMI)屏蔽、冷卻或屏蔽
冷卻兼有的電源模塊優(yōu)先權(quán)要求本申請(qǐng)要求共同待批的2010年9月10日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng) No. 61/381, 636以及2011年2月25日提交的美國專利申請(qǐng)No. 13/035，792的權(quán)益；這些申請(qǐng)全部通過引用納入于此。

發(fā)明內(nèi)容
電源模塊的一個(gè)實(shí)施例包括具有第一側(cè)和第二側(cè)的封裝件、沿封裝件的第一側(cè)安裝的第一電源組件、以及沿封裝件的第二側(cè)安裝的第二電源組件。例如，該模塊可包括安裝于封裝件頂部的第一組件以及安裝于封裝件底部的第二組件，以使第一組件的主要冷卻路徑通過封裝件頂部并使第二組件的主要冷卻路徑通過封裝件底部。結(jié)果，相比于具有層疊組件的模塊或具有僅沿封裝件一側(cè)安裝的組件的模塊，這樣的模塊可提供其內(nèi)部組件的增強(qiáng)的冷卻性。電源模塊的另一實(shí)施例包括具有多個(gè)側(cè)的封裝件、設(shè)置在封裝件內(nèi)的第一電源組件、以及設(shè)置在封裝件兩側(cè)附近的電磁干擾(EMI)屏蔽。例如，該模塊在其頂側(cè)和底側(cè)可包括組件安裝平臺(tái)(例如，引線框或印刷電路板)，并且這些平臺(tái)可提供專用于具體應(yīng)用的 EMI屏蔽層。結(jié)果，相比于僅沿模塊的一側(cè)(例如底側(cè))具有屏蔽的模塊，這種模塊可提供更好的EMI屏蔽。此外，如果模塊組件被安裝在或以其他方式熱耦合于經(jīng)屏蔽的平臺(tái)，則該模塊可提供如前面篇幅中所描述的多側(cè)冷卻。附圖簡(jiǎn)述

圖1是一電源模塊的側(cè)面剖視圖，該電源模塊具有單層組件以及僅沿該模塊的一側(cè)的EMI屏蔽和冷卻。圖2是一電源模塊的側(cè)面剖視圖，該電源模塊具有層疊(多層)組件以及僅沿該模塊的一側(cè)的EMI屏蔽和冷卻。圖3是具有多側(cè)EMI屏蔽和冷卻的電源模塊的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。圖4是圖3的電源模塊的替代頂部的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。圖5是圖3的電源模塊的替代底部的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。圖6是具有多側(cè)EMI屏蔽和冷卻的電源模塊的另一實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。圖7是具有多側(cè)EMI屏蔽和冷卻的電源模塊的另一實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。圖8A是適用于電源模塊的頂側(cè)和底側(cè)中的一個(gè)的引線框的實(shí)施例的平面圖。圖8B是適用于電源模塊的頂側(cè)和底側(cè)中的另一個(gè)的引線框的實(shí)施例的平面圖。圖8C是當(dāng)圖8A和圖8B的引線框安裝在電源模塊內(nèi)時(shí)彼此疊合的平面圖。圖9A是具有多側(cè)EMI屏蔽和多側(cè)冷卻的電源模塊的一個(gè)實(shí)施例的平面圖。圖9B是圖9A的電源模塊的側(cè)面剖視圖。圖10是包含圖3-7和圖9A-9B的電源模塊之一的系統(tǒng)的實(shí)施例的示意圖。具體實(shí)施例現(xiàn)在參考附圖來描述各個(gè)實(shí)施例，在附圖中貫穿始終使用相同的附圖標(biāo)記可用來引述相似的要素。在以下說明中，為便于解釋，闡述了眾多的具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例透徹的理解。然而顯而易見的是，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。在其他實(shí)例中，公知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備以框圖形式示出以便于描述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。圖1是切換電源模塊10的側(cè)面剖視圖，該切換電源模塊10可被用來向集成電路或其它設(shè)備(圖1未示出)供電，并且該切換電源模塊10可包括絕大多數(shù)或全部的電源組件，由此該電源的極少數(shù)(如果有的話)分立組件需要被安裝于模塊所安裝在的印刷電路板(圖1未示出)上。這可為包含模塊10的系統(tǒng)的制造商節(jié)省電路板空間并降低組裝復(fù)雜性和成本。電源模塊10包括平臺(tái)12、安裝至平臺(tái)的控制器14、安裝至平臺(tái)的MOSFET晶體管 16、安裝至平臺(tái)的一個(gè)或多個(gè)電感器18、以及封裝這些控制器、晶體管和電感器的封裝件 20。平臺(tái)12可以是印刷電路板或引線框，并因此可沿模塊10的底側(cè)提供EMI屏蔽?？刂破?4可以是任何適宜的電源控制器，或適于編程以控制電源的其它控制器。 控制器下方的引線或焊盤(未示出)可將控制器電耦合于平臺(tái)12。或，控制器14可包括線粘合于平臺(tái)12的頂部引線或焊盤?？刂破饕部砂ǖ讓雍副P/引線和頂部焊盤/引線。此外，控制器14可與平臺(tái)12接觸，或在控制器和平臺(tái)之間可以存在導(dǎo)熱物質(zhì)(例如導(dǎo)熱脂)， 以利于從控制器至平臺(tái)的熱傳遞，從而利于控制器經(jīng)由平臺(tái)的冷卻。晶體管16可包括高側(cè)和低側(cè)開關(guān)晶體管，用于驅(qū)動(dòng)電源的一個(gè)或多個(gè)相。例如， 模塊10可包括兩個(gè)晶體管16，即用于每個(gè)相的高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管。此外，晶體管16 可與平臺(tái)12接觸，或在晶體管和平臺(tái)之間可以存在導(dǎo)熱物質(zhì)，以利于從晶體管至平臺(tái)的熱傳遞，從而利于晶體管的冷卻。晶體管16可在底部具有焊盤以與平臺(tái)12電接觸，或者晶體管可在頂部具有焊盤，所述焊盤通過導(dǎo)線22線粘合于平臺(tái)。晶體管16也可包括底層焊盤 /導(dǎo)線和頂部焊盤/導(dǎo)線。一個(gè)或多個(gè)電感器18可包括電源相位電感器以及可選用的濾波電感器。電感器 18可被封裝在電感器模塊內(nèi)，或可以不被封裝。可由例如銅或鋁的適宜導(dǎo)電材料制成的引線MJ6可將電感器18電耦合且熱耦合于平臺(tái)12以保持電感器冷卻。此外，導(dǎo)熱材料可設(shè)置在電感器18和平臺(tái)12之間的空間28內(nèi)。封裝件20可由例如環(huán)氧樹脂的任何適宜材料形成，可完全覆蓋控制器14、晶體管 16和電感器18，并可完全覆蓋平臺(tái)12，或可使平臺(tái)的一些部分保持露出，例如，使具有焊盤或引線的平臺(tái)底部露出，其允許對(duì)控制器、晶體管和電感器的外部電連接。此外，封裝件20 可以是固體以使其填滿大部分甚至全部的未占用空間(例如，未被控制器14、晶體管15、電感器18和其它電源組件占據(jù)的封裝件邊界內(nèi)的空間)，以使模塊中存在很少空隙甚至沒有空隙。然而，模塊10的問題在于，其僅沿模塊底側(cè)具有EMI屏蔽。例如，平臺(tái)12可由例如金屬的屏蔽材料制成(例如如果平臺(tái)是引線框)，或可包括屏蔽材料(例如如果平臺(tái)是電路板則為接地平面)。但模塊10沒有任何結(jié)構(gòu)能阻擋EMI通過模塊的頂側(cè)和側(cè)壁的輻射。
模塊10的另一問題在于，它具有相對(duì)低效的布局，因?yàn)樵诜庋b件20內(nèi)存在大量未占用空間(例如，在控制器14和晶體管16的上方)。圖2是切換電源模塊30的側(cè)面剖視圖，該切換電源模塊30可被用來向集成電路或其它設(shè)備(圖2未示出)供電，并且如同圖1的模塊10，該切換電源模塊30可包括絕大多數(shù)或全部的電源組件，由此電源的極少的(如果有的話)分立組件需要被安裝于模塊所安裝在的印刷電路板(圖2未示出)上。電源模塊30包括平臺(tái)32、安裝至平臺(tái)的控制器34、設(shè)置在平臺(tái)上方的引線框36、 安裝至引線框的一個(gè)或多個(gè)電阻器/電容器(R/C)組件38、安裝至引線框的一個(gè)或多個(gè)電感器40、以及封裝這些控制器、引線框、晶體管和電感器的封裝件42。被用來驅(qū)動(dòng)一個(gè)或多個(gè)電感器40的晶體管(例如M0SFET)可被集成在與控制器34同一管芯或同一封裝件內(nèi)； 替代地，盡管未示出，如果晶體管與控制器分離，則可將晶體管安裝至平臺(tái)32，例如，靠近控制器。平臺(tái)32可類似于圖1的平臺(tái)12，并因此可以是印刷電路板或引線框，并可提供沿模塊底側(cè)的EMI屏蔽?？刂破?4可類似于圖1的控制器14，并因此可以是任何適宜的電源控制器或者其它被適配或編程以控制電源的控制器。在控制器34下方的引線或焊盤(未示出)可將控制器電耦合于平臺(tái)32，并且在控制器上方的引線或焊盤(未示出)可將控制器電耦合于引線框36。此外，控制器34可與平臺(tái)32和引線框36接觸，或者在控制器和平臺(tái)之間以及在控制器和引線框之間可具有導(dǎo)熱物質(zhì)，以利于從控制器至平臺(tái)和至引線框的熱傳遞，從而利于控制器的冷卻。引線框36被安裝在平臺(tái)32之上以提供組件(例如晶體管38和電感器40)可被安裝在模塊30內(nèi)的另一表面。引線框35可由金屬或另一適宜材料制成，并可包括一個(gè)或多個(gè)引線44，所述引線44延伸到封裝件外側(cè)以與其上安裝有模塊30的印刷電路板(圖2 未示出)相接觸。R/C組件38可包括，諸如，一個(gè)或多個(gè)反饋電阻器或電容器，以及一個(gè)或多個(gè)信號(hào)值設(shè)定或修整電阻器或電容器。例如，可使用電阻器來設(shè)定模塊30進(jìn)入過電流保護(hù)模式的過電流值。此外，R/C組件38可具有面向引線框36的焊盤，并且這些焊盤可被耦合于引線框上的焊盤。另外，R/C組件38可與引線框36接觸，或者可將導(dǎo)熱材料設(shè)置在R/C組件和引線框之間，以利于從R/C組件至引線框的熱傳遞。一個(gè)或多個(gè)電感器40可類似于圖1的一個(gè)或多個(gè)電感器18，并可具有將電感器電耦合于引線框36的底部焊盤或引線。此外，電感器可與引線框36接觸，或可將導(dǎo)熱材料設(shè)置在電感器40和引線框之間。與圖1的封裝件20類似的封裝件42可由例如環(huán)氧樹脂的任何適宜材料形成，可完全覆蓋控制器;34、R/C組件38和電感器40，并可完全覆蓋平臺(tái)32和引線框36，或可使平臺(tái)和引線框的一些部分(例如，具有焊盤或引線的平臺(tái)底部，以及引線框的一個(gè)或多個(gè)引線44)保持露出。然而，模塊30的問題在于，它可能對(duì)于所有組件均具有不充分的EMI屏蔽。盡管平臺(tái)32和引線框36可從兩側(cè)屏蔽安裝在平臺(tái)上的控制器34和其它組件(圖2未示出)， 然而R/C組件38、電感器40和安裝于引線框36的任意其它組件被引線框僅從一側(cè)(底側(cè))屏蔽。在電感器40和晶體管38輻射出大量EMI的場(chǎng)合下，這樣的單側(cè)屏蔽可能是不充分的。模塊30的另一問題在于，它可能不提供其一些組件的充分冷卻。例如，安裝于引線框36的組件(例如晶體管38和電感器40)的主要熱傳遞路徑是通過引線44的；因此， 該路徑相對(duì)較長(zhǎng)并為這些組件提供不充分的冷卻。此外，在模塊30的頂部可能不存在露出焊盤或其它露出金屬，而這會(huì)顯著限制能通過模塊頂部發(fā)生的組件冷卻的量。模塊30的又一問題在于，由于向其一些組件提供相對(duì)較高阻抗的電連接，因此它是相對(duì)低效的。例如，安裝有模塊30的印刷電路板(未示出)以及安裝至引線框36的組件(例如晶體管38和電感器40)之間的電連接可以是通過引線44的；因此，這些路徑因相對(duì)較長(zhǎng)而可能具有相對(duì)高的阻抗。并且通過這些高阻抗路徑的功率損耗可顯著地降低模塊 30的功率轉(zhuǎn)換效率。此外，當(dāng)這樣的長(zhǎng)路徑構(gòu)成一部分反饋環(huán)的時(shí)，它可使反饋環(huán)拾取大量噪聲并因此負(fù)面地影響模塊30的性能。圖3a是切換電源模塊50的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖，該切換電源模塊50相比于圖1和圖2的模塊10、30具有增強(qiáng)的EMI屏蔽、組件冷卻以及空間利用效率。電源模塊50包括平臺(tái)52、安裝至平臺(tái)的印刷電路板M、安裝至電路板的控制器 56、安裝至平臺(tái)的MOSFET晶體管58、將晶體管電耦合于平臺(tái)的一個(gè)或多個(gè)夾具60、安裝至平臺(tái)的引線框62、安裝至模塊頂部的引線框下側(cè)的一個(gè)或多個(gè)電阻器/電容器(R/C)組件 64、同樣安裝至引線框下側(cè)的一個(gè)或多個(gè)電感器66、封裝件68、以及安裝至引線框的露出部分72的散熱器70。如下所述，平臺(tái)52和引線框62可在模塊50的至少兩側(cè)(例如底部和頂部)提供 EMI屏蔽，由此減少由模塊輻射出的總EMI。另外，如下所述，由于內(nèi)部組件(例如控制器56、MOSFET 58、R/C組件64和電感器66)被安裝在模塊50的多側(cè)(例如頂側(cè)和底側(cè))上，因此這些組件的冷卻通過模塊的至少兩側(cè)(例如頂側(cè)和底側(cè))而發(fā)生，由此增加了模塊的總冷卻效率。此外，將組件安裝模塊 50的多側(cè)上可有效地利用模塊內(nèi)的空間，由此潛在地減少或最小化了針對(duì)給定應(yīng)用的模塊尺寸。平臺(tái)52可與圖1和圖2的平臺(tái)12、32相似，并因此可以是印刷電路板、引線框或任意其它適宜平臺(tái)，并可沿模塊50的底側(cè)提供EMI屏蔽?？刂破?6可與圖1和圖2的控制器14、34相似，并且位于控制器下方的引線或焊盤(未示出)可將控制器經(jīng)由電路板討而電耦合于平臺(tái)52。此外，控制器56可與電路板 54接觸，或在控制器和電路板之間以及在電路板和平臺(tái)52之間可存在導(dǎo)熱物質(zhì)，以利于從控制器至平臺(tái)的熱傳遞，并因此利于控制器的冷卻。晶體管58可類似于圖1的晶體管16，并可與平臺(tái)52接觸，或者在晶體管和平臺(tái)之間可存在導(dǎo)熱物質(zhì)以利于從晶體管至平臺(tái)的熱傳遞，并因此利于晶體管的冷卻。此外， 晶體管58可具有底部導(dǎo)電焊盤，該底部導(dǎo)電焊盤耦合至平臺(tái)52上的焊盤，晶體管58可具有頂部焊盤，該頂部焊盤經(jīng)由夾具60而耦合至平臺(tái)上的焊盤。例如，晶體管58可經(jīng)由夾具60、平臺(tái)52和引線74而電耦合至電感器66。另外，在晶體管58包括高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管的情形下，這些晶體管可按照下列文獻(xiàn)所公開地那樣被設(shè)置在單個(gè)管芯上以及單個(gè)封裝件內(nèi)，這些文獻(xiàn)援引于此2009年5月沈日提交的題為“Single Die Output PowerStage Using Trench-Gate Low-Side and LDMOS High-Side MOSFETS, Structure, And Method (使用溝道-柵低側(cè)和LDMOS高側(cè)MOSFET的單管芯輸出功率級(jí)的結(jié)構(gòu)和方法)，，的美國專利申請(qǐng)S/N:12/471，911 ;2009 年 5 月 21 日提交的題為 “Co-Packaging Approach For Power Converters Based On Planar Devices, Structure And Method(基于平面器件的協(xié)同封裝途徑、結(jié)構(gòu)和方法)，，的12/470，229 ；以及2009年6月3日提交的題為 "Stacked Power Converter Structure And Method(層疊式功率轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)和方法)”的 12/477，818。夾具60可由例如銅的任意適宜材料制成，并且除了將晶體管58的頂部焊盤電耦合于平臺(tái)52外，夾具也可提供晶體管和平臺(tái)之間的熱傳遞路徑以利于晶體管的冷卻。并由于夾具60可能比傳統(tǒng)粘合線更厚，因此每個(gè)夾具可減小夾具形成的相應(yīng)信號(hào)路徑的阻抗。引線框62可由例如金屬的任意適宜材料制成，并包括一個(gè)或多個(gè)弓丨線74，所述引線74將引線框支承在平臺(tái)52上方并提供引線框和平臺(tái)之間的電耦合和熱耦合?？尚纬梢€框62的露出部分72以突出在引線框的相鄰頂部部分76的上方，或可將頂部部分蝕回 (etch back)以形成突起的露出部分。此外，引線框62的露出部分72和頂部部分76可充當(dāng)模塊50的電壓平面或接地平面。R/C組件64可類似于圖2的R/C組件38，并可包括例如一個(gè)或多個(gè)反饋電阻器或電容器，以及一個(gè)或多個(gè)信號(hào)值設(shè)定或修整電阻器或電容器。例如，可使用電阻器來設(shè)定模塊50進(jìn)入過電流保護(hù)模式的過電流值。此外，R/C組件64可具有面向引線框62的焊盤， 并且這些焊盤可耦合于引線框上的焊盤。此外，R/C組件64可與引線框62接觸，或者可將導(dǎo)熱材料設(shè)置在R/C組件和引線框之間，以利于R/C組件經(jīng)由引線框的冷卻。一個(gè)或多個(gè)電感器66可類似于圖1和圖2的一個(gè)或多個(gè)電感器18、40，并具有將電感器電耦合于引線框62的底部焊盤或引線。此外，電感器66可與引線框62接觸，或可將導(dǎo)熱材料設(shè)置在電感器和引線框之間，以利于電感器經(jīng)由引線框的冷卻。與圖1和圖2的封裝件20、42相似的封裝件68可由例如環(huán)氧樹脂的任何適宜材料形成，可完全覆蓋控制器56、晶體管58、R/C組件64、電感器66，可覆蓋引線框62除露出部分72以外的所有部分，并可完全覆蓋平臺(tái)52或可使平臺(tái)的某些部分(例如，具有焊盤或引線的平臺(tái)底部)露出。散熱器70可由例如金屬的任意適宜材料制成，并可與引線框62的露出部分72接觸，或者可在散熱器和露出部分之間設(shè)置導(dǎo)熱和導(dǎo)電材料78。在模塊50的工作期間，平臺(tái)52和引線框62可阻止EMI從模塊的至少兩側(cè)(例如底部和頂部)上輻射到模塊外部。此外，如果引線框62具有多個(gè)引線74，則引線的節(jié)距可足夠小以阻止EMI輻射通過其上設(shè)置有引線的模塊的一個(gè)或多個(gè)側(cè)。另外，在模塊50的高度相對(duì)較小(例如遠(yuǎn)小于其寬度和長(zhǎng)度)的情形下，則模塊諸側(cè)的面積相對(duì)小，由此僅有由模塊產(chǎn)生的相對(duì)小的總EMI量輻射通過這些側(cè)；結(jié)果，即使引線74提供很少屏蔽或不提供屏蔽，在模塊頂部和底部的屏蔽可防止大多數(shù)由模塊產(chǎn)生的EMI從模塊輻射出去。另外，散熱器70也可發(fā)揮作用以阻止EMI從模塊50的頂部輻射出去。另外在模塊50的工作期間，平臺(tái)52和引線框62有利于模塊的內(nèi)部組件通過模塊的至少兩側(cè)(例如底側(cè)和頂側(cè))而冷卻。例如，由控制器56和晶體管58產(chǎn)生的熱量可主要通過平臺(tái)52散發(fā)，而由R/C組件64和電感器66產(chǎn)生的熱量可主要通過引線框62和散熱器70散發(fā)。此外，由控制器56和晶體管58產(chǎn)生的至少一些熱量可流過平臺(tái)52和引線 74，同樣通過引線框62和散熱器70散發(fā)，并且由R/C組件64和電感器66產(chǎn)生的至少一些熱量可流過引線框62和引線74，并同樣通過平臺(tái)52散發(fā)。仍然參見圖3，其中構(gòu)思出模塊50的替代實(shí)施例。例如，可將散熱器70以及模塊 50中的任意一個(gè)或多個(gè)組件省去。此外，模塊50可包括圖3未示出的一個(gè)或多個(gè)其它組件。此外，圖示的被安裝至平臺(tái)52的組件可被安裝至引線框62，反之亦然。另外，引線74 中的一個(gè)或多個(gè)可延伸到封裝件68外側(cè)，從而電連接至其上安裝有模塊50的印刷電路板。 此外，模塊50中除晶體管58外或包括晶體管58的任何組件可經(jīng)由線粘合或例如夾具60 的夾具而電耦合于平臺(tái)52或引線框62。另外，平臺(tái)52或印刷電路板M可以是BT基板， 該BT基板由比印刷電路板耐受更高溫度的材料制成；因此，對(duì)于給定應(yīng)用，BT基板可以比印刷電路板制造得更薄。另外，盡管披露為MOSFET晶體管，然而晶體管58可以是雙極型晶體管或任何其它適宜類型的晶體管。圖4是圖3的切換電源模塊50的頂部部分的替代實(shí)施例的側(cè)面剖視圖(圖3的散熱器70和導(dǎo)熱材料78在圖4中被省去)。不是將露出部分72形成為突出超過頂部部分76或者將頂部部分76相對(duì)于露出部分72進(jìn)行蝕回，而是使露出部分和頂部部分72、78大致共面(即引線框62的頂部大致為水平的)并使頂部部分76被例如焊接掩模80的電絕緣材料所覆蓋。替代地，引線框62的頂部部分76可由封裝件68的一部分所覆蓋。該實(shí)施例可通過允許引線框62被制造為近似平整的頂表面而節(jié)省成本。圖5是圖3的切換電源模塊50的底部部分的替代實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。 不是將控制器安裝至印刷電路板M，而是將控制器56安裝至平臺(tái)52 (或在控制器和平臺(tái)之間設(shè)置導(dǎo)熱材料)并省去印刷電路板。省去印刷電路板可減少模塊50的組件個(gè)數(shù)以及組裝復(fù)雜性和模塊成本，并也可通過縮短控制器和平臺(tái)52之間的熱傳遞路徑來增強(qiáng)控制器56的冷卻。圖6是切換電源模塊90的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖，該切換電源模塊90相比于圖1和圖2的模塊10、30具有增強(qiáng)的EMI屏蔽、組件冷卻以及空間利用效率。模塊90可類似于圖3的模塊50除了模塊90包括引線框92，該引線框92除一個(gè)或多個(gè)側(cè)引線74外或取代一個(gè)或多個(gè)側(cè)引線74還具有一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部模塊引線94。內(nèi)部引線94在由側(cè)引線74(如果存在的話)提供的支承外還將引線框92的支承在平臺(tái)52之上。此外，內(nèi)部引線94可縮短安裝至平臺(tái)52的組件和安裝至引線框92的組件之間的電氣路徑。例如，相比于圖3模塊50中從晶體管通過夾具60、平臺(tái)52和側(cè)引線74至電感器的對(duì)應(yīng)電氣路徑，一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部引線94可縮短晶體管58和電感器66之間的相應(yīng)電氣路徑。這些縮短的電氣路徑可表現(xiàn)出減小的阻抗，并因此可減小模塊90工作中的功率損失。此外，當(dāng)該縮短的電氣路徑構(gòu)成一部分反饋環(huán)時(shí)，它可減少噪聲耦合，并因此增強(qiáng)模塊的響應(yīng)時(shí)間和其它性能特征。另外，內(nèi)部引線94可通過提供平臺(tái)52和引線框92之間的一個(gè)或多個(gè)附加熱傳遞路徑以及用于模塊內(nèi)的組件(例如晶體管58)的一個(gè)或多個(gè)附加熱傳遞路徑來增強(qiáng)模塊90 的冷卻。
仍然參見圖6，其中構(gòu)思出模塊90的替代實(shí)施例。例如，前面結(jié)合圖3-5針對(duì)模塊 50討論的一個(gè)或多個(gè)替代實(shí)施例可適用于模塊90。圖7是切換電源模塊100的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖，該切換電源模塊100相比于圖1和圖2的模塊10、30具有增強(qiáng)的EMI屏蔽、組件冷卻以及空間利用效率。模塊100可類似于圖6的模塊90，除了引線框92的引線74將平臺(tái)52支承在引線框之上，并且晶體管58被安裝至引線框而R/C組件64被安裝至平臺(tái)，以使具有較少電連接并生成較多熱量的組件被安裝至引線框并使具有更多電連接并產(chǎn)生較少熱量的組件被安裝至平臺(tái)52。如果模塊100包括例如圖3的散熱器70的散熱器，則該散熱器可被直接安裝至平臺(tái)52的露出部分102，或可將導(dǎo)熱材料設(shè)置在散熱器和平臺(tái)的露出部分之間。平臺(tái)52的露出部分102可按照結(jié)合圖3或圖4如前所述地那樣形成。此外，封裝件68可不覆蓋引線框92底部的至少一部分，由此引線框可與安裝有模塊100的印刷電路板(圖7未示出)形成電連接。仍然參見圖7，其中構(gòu)思出模塊100的替代實(shí)施例。例如，前面結(jié)合圖3-6描述的一個(gè)或多個(gè)替代實(shí)施例可適用于模塊100。此外，其中平臺(tái)52是印刷電路板，電路板的整個(gè)頂側(cè)可被露出，由此封裝件(或任何其它電絕緣體)不需要覆蓋印刷電路板頂側(cè)的任何部分。圖8A是引線框110的一個(gè)實(shí)施例的平面圖，該引線框110可被用在電源模塊的底部或頂部，在那里引線74從封裝件向外伸出以電連接于安裝有模塊的印刷電路板。引線74 在模塊制造過程中可適當(dāng)?shù)貜澱?。此外，盡管引線框110也可包括在模塊制造過程中可適當(dāng)?shù)貜澱鄣囊粋€(gè)或多個(gè)內(nèi)部模塊引線94，然而圖8A中省去了這一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部模塊引線。圖8B是引線框120的實(shí)施例的平面圖，引線框120可被用在不使用圖8A的引線框的模塊的底部或頂部中的無論哪處。引線74在模塊制造過程中可適當(dāng)?shù)貜澱?。此外，盡管引線框120也可包括在模塊制造過程中可適當(dāng)?shù)貜澱鄣囊粋€(gè)或多個(gè)內(nèi)部模塊引線94，然而圖8B中省去了這一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部模塊引線。圖8C是圖8A和圖8B的引線框110、120彼此交迭的平面圖；如圖所示，這兩個(gè)引線框的引線74被定位成使它們不重疊或以其它方式彼此形成交界，并由此形成模塊的“拼裝(pin out)，，。仍然參見圖8A-8C，其給出了引線框110、120的替代實(shí)施例。例如，引線框110、 120中的一者或兩者可包括一個(gè)或多個(gè)引線74，這些引線74可彎曲以使它們不從模塊的封裝件向外伸出，而是以與圖3、圖6和圖7相似的方式將一個(gè)引線框支承在另一引線框之上。 或者，可以與圖5、圖6和圖7相似的方式使用一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部模塊引線94來將一個(gè)引線框支承在另一個(gè)引線框之上。例如，引線框110、120可被用作圖3-7的模塊30、50、90和100 的引線框和平臺(tái)。在該實(shí)施例中，引線74可彎曲以使它們不通過封裝件向外伸出，并且一個(gè)引線框可被設(shè)計(jì)成稍大于另一個(gè)引線框，以便較小引線框的引線74(或引線94)倚靠在較大引線框上，由此引線以類似于圖3-7所示的方式將其中一個(gè)引線框支承在另一引線框之上。圖9A是切換電源模塊130的一個(gè)實(shí)施例的平面剖視圖，該切換電源模塊130相比于圖1和圖2的模塊10、30具有增強(qiáng)的EMI屏蔽、組件冷卻以及空間利用效率。
圖9B是沿圖9A的線A-A的模塊130的側(cè)面剖視圖。電源模塊130包括平臺(tái)132、安裝至平臺(tái)的印刷電路板134、安裝至電路板的控制器136、安裝至平臺(tái)的MOSFET晶體管138a和138b、將晶體管中的一個(gè)或多個(gè)電耦合于平臺(tái)的一個(gè)或多個(gè)夾具140、安裝至平臺(tái)的一部分的引線框142、安裝至平臺(tái)的一個(gè)或多個(gè)電阻器/電容器(R/C)組件144、安裝至平臺(tái)的一個(gè)或多個(gè)電感器146、以及封裝件148。如下所述，平臺(tái)132和引線框142可在模塊130的至少兩側(cè)(例如底部和頂部) 提供EMI屏蔽，由此減少由模塊輻射出的總EMI。另外，如下所述，由于至少電感器146熱耦合于平臺(tái)132和引線框142，因此通過模塊130的至少兩側(cè)(例如頂側(cè)和底側(cè))發(fā)生對(duì)至少電感器的冷卻，由此增加模塊的總冷卻效率。平臺(tái)132可分別類似于圖1、圖2和圖3的平臺(tái)12、32和52，并因此可以是印刷電路板、引線框或任何其它適宜的平臺(tái)，并可提供沿模塊130的底側(cè)的EMI屏蔽。控制器136可分別類似于圖1、圖2和圖3的控制器14、；34和56，并且控制器底下的引線和焊盤(未示出)可經(jīng)由電路板134將控制器電耦合于平臺(tái)132。此外，控制器136 可與電路板134接觸，該電路板134可與平臺(tái)132接觸，或在控制器和電路板之間以及在電路板和平臺(tái)之間可具有導(dǎo)熱物質(zhì)以利于從控制器至平臺(tái)的熱傳遞。晶體管138a、138b可類似于圖1和圖3中的晶體管16、58，并可與平臺(tái)132接觸， 或者在晶體管和平臺(tái)之間可存在導(dǎo)熱物質(zhì)以利于從晶體管至平臺(tái)的熱傳遞。此外，晶體管 138可具有耦合于平臺(tái)52上的焊盤的底部導(dǎo)電焊盤，并具有經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)夾具140耦合于平臺(tái)上的焊盤的頂部焊盤(圖9A-9B中僅示出晶體管138b的一個(gè)夾具140)。此外，晶體管138a可以是高側(cè)晶體管而晶體管138b可以是低側(cè)晶體管，并且高側(cè)晶體管可比低側(cè)晶體管更小，因?yàn)樵谀K130工作過程中低側(cè)晶體管經(jīng)常傳導(dǎo)更高的平均電流。夾具140可類似于圖3的夾具60，并因此可由例如銅的任意適宜材料制成，除了將晶體管138的頂部焊盤電耦合于平臺(tái)132，夾具還提供晶體管和平臺(tái)之間的熱傳遞路徑以利于晶體管的冷卻。由于夾具140可比傳統(tǒng)粘合線更厚，因此每個(gè)夾具相比于粘合線可減小由夾具形成的相應(yīng)信號(hào)路徑的阻抗。引線框142可由例如金屬的任意適宜材料制成，并包括將引線框支承在平臺(tái)132 之上的一個(gè)或多個(gè)引線150。例如，引線框142可設(shè)置在例如晶體管138、R/C組件144和電感器146的高EMI輻射組件的上方，但不設(shè)置在控制器136上方以節(jié)約成本。在引線框 142充當(dāng)接地平面或其它電壓平面的情形下，它可在模塊130的頂部保持露出以利于模塊的冷卻。散熱器(圖9A-9B中未示出)可附連至引線框142的露出部分以進(jìn)一步利于模塊 130的冷卻。R/C組件144可類似于圖2_圖3的R/C組件38、64，并因此可包括一個(gè)或多個(gè)反饋電阻器或電容器以及一個(gè)或多個(gè)信號(hào)值設(shè)定或修整電阻器或電容器。R/C組件144可具有面向平臺(tái)132的焊盤，并且這些焊盤可耦合于平臺(tái)上的焊盤。此外，R/C組件144可與平臺(tái)132接觸，或可在R/C組件和平臺(tái)之間設(shè)置導(dǎo)熱材料。一個(gè)或多個(gè)電感器146可類似于圖1、圖2和圖3中的一個(gè)或多個(gè)電感器18、40和 66，并具有將電感器電耦合于平臺(tái)132的底部焊盤或引線。此外，電感器146可與平臺(tái)132 接觸，或可將導(dǎo)熱材料設(shè)置在電感器和平臺(tái)之間。此外，電感器146可與引線框142接觸，
13或可在電感器和引線框之間設(shè)置導(dǎo)熱材料152以進(jìn)一步利于電感器和模塊130的冷卻。電感器146也可具有將電感器電耦合于引線框142的頂部焊盤或引線。與圖1、圖2和圖3的封裝件20、42、68相似的封裝件148可由例如環(huán)氧樹脂的任何適宜材料形成，可完全覆蓋控制器136、晶體管138、R/C組件144、電感器146，可覆蓋引線框142的所有部分或如前所述的使引線框的頂部保持露出，并可完全覆蓋平臺(tái)132或可使平臺(tái)的某些部分(例如，具有焊盤或引線的平臺(tái)底部)露出。在模塊130的工作期間，平臺(tái)132和引線框142可阻止EMI從模塊的至少兩側(cè)(例如底部和頂部)輻射到模塊外部。此外，如果引線框142具有多個(gè)引線150，則引線的節(jié)距可足夠小以阻止EMI輻射通過其上設(shè)置有這些引線的模塊的一個(gè)或多個(gè)側(cè)。另外，在模塊 130的高度相對(duì)較小(例如遠(yuǎn)小于其寬度和長(zhǎng)度)的情形下，則模塊諸側(cè)的面積相對(duì)較小， 由此僅有由模塊產(chǎn)生的相對(duì)小的總EMI量輻射通過這些側(cè)；結(jié)果，即使引線150提供很少屏蔽或不提供屏蔽，在模塊頂部和底部的屏蔽也可防止大多數(shù)的模塊產(chǎn)生EMI從模塊輻射出去。另外在模塊130的工作期間，平臺(tái)132和引線框142便于模塊的內(nèi)部組件通過模塊的至少兩側(cè)(例如底側(cè)和頂側(cè))冷卻。例如，由控制器136、晶體管138和R/C組件144 產(chǎn)生的熱量可通過平臺(tái)132散發(fā)，并且由電感器146產(chǎn)生的熱量可通過平臺(tái)和引線框142散發(fā)。仍然參見圖9A和9B，其中構(gòu)思出模塊130的替代實(shí)施例。例如，前面結(jié)合圖3_8 描述的任何實(shí)施例可適用于模塊130。此外，可省去印刷電路板134以使控制器136安裝至平臺(tái)132，這種省略可降低模塊130的組件個(gè)數(shù)、成本和組裝復(fù)雜性，并縮短從控制器至平臺(tái)的熱傳遞路徑。此外，盡管圖9A、9B中未示出，然而引線框149可包括內(nèi)部模塊引線，例如圖6-7的引線94。圖10是系統(tǒng)160的一個(gè)實(shí)施例的示意圖，該系統(tǒng)160可包括圖3-7和圖9A-9B的電源模塊50、90、100和130的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。然而，為了方便解說，將系統(tǒng)160描述為包含圖3的模塊50的實(shí)施例，其中模塊50包括降壓變換器。除了模塊50，系統(tǒng)160包括從模塊接收穩(wěn)壓電壓Vout的負(fù)載162以及濾波電容器 C 164。負(fù)載162的示例包括例如處理器或存儲(chǔ)器的集成電路。此外，模塊50可包括相電流傳感器166和反饋電路168 ；電流傳感器和反饋電路可至少部分地由圖3的R/C組件64構(gòu)建而成。在操作中，控制器56響應(yīng)于電流傳感器164和反饋電路166而控制晶體管58，從而以從Vin產(chǎn)生穩(wěn)壓的電壓Vout的方式交變地使輸入電壓Vin耦合于相位電感器66。電流傳感器164可允許控制器56在多個(gè)相(每個(gè)相可包括相應(yīng)的高低側(cè)成對(duì)晶體管58和相應(yīng)的相位電感器64)間平衡負(fù)載電流，并也可允許控制器檢測(cè)并限制流向負(fù)載的過電流 (例如，如果負(fù)載處于短路的話)。仍然參見圖10，其中構(gòu)思出系統(tǒng)160的替代實(shí)施例。例如，前面結(jié)合圖3-9B描述的任何替代實(shí)施例可應(yīng)用于系統(tǒng)160。此外，盡管描述為降壓變換器，然而模塊50也可包括任何其它類型的電源，例如降壓-升壓變換器。另外，模塊50可包括附加組件，例如耦合在相位電感器66和負(fù)載162之間的濾波電感器。另外，濾波電容器164可以是模塊50的一個(gè)部件。
14
從上述內(nèi)容可以理解的是，盡管在此為說明目的已經(jīng)描述了一些特定實(shí)施例，但在不偏離本公開的精神和范圍的情況下可作出多種修改。此外，在針對(duì)一具體實(shí)施例披露一替代例的情形下，該替代例也可適用于其它實(shí)施例，即使沒有專門聲明過。
權(quán)利要求
1.一種電源模塊，包括 具有多個(gè)側(cè)的封裝件；設(shè)置在所述封裝件內(nèi)的第一電源組件；以及設(shè)置在所述封裝件的兩側(cè)附近的電磁干擾屏蔽。
2.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述封裝件包括環(huán)氧樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于 所述封裝件包括頂側(cè)和底側(cè)；以及所述電磁干擾屏蔽被設(shè)置在所述封裝件的頂側(cè)和底側(cè)附近。
4.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電源組件包括控制器。
5.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電源組件包括電感器。
6.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電源組件包括晶體管。
7.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電源組件包括電阻器。
8.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電源組件包括電容器。
9.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，還包括 其中所述封裝件包括頂側(cè)和底側(cè)；其中所述第一組件沿所述封裝件的頂側(cè)安裝；以及沿所述封裝件的底側(cè)安裝的第二組件。
10.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的第一屏蔽部分；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近的第二屏蔽部分。
11.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的電路板；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近的引線框。
12.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，還包括 其中所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的電路板；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近的引線框；其中所述第一組件被安裝至所述電路板和所述引線框中的一個(gè)；以及安裝至所述電路板和所述引線框中的另一個(gè)的第二組件。
13.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的電路板；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近并具有引線的引線框，所述引線設(shè)置在所述封裝件內(nèi)并接觸所述電路板。
14.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的電路板；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近并具有引線的引線框，所述引線設(shè)置在所述封裝件內(nèi)并將所述弓I線框支承在所述電路板上方。
15.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的電路板；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近并具有引線的引線框，所述引線設(shè)置在所述封裝件內(nèi)并將所述電路板支承在所述弓I線框上方。
16.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，還包括其中所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件一側(cè)附近并具有通過所述封裝件的該側(cè)而露出的一部分的引線框；以及附連于所述弓I線框的所述露出部分的散熱器。
17.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的第一引線框；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近的第二引線框。
18.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，還包括 其中所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的第一引線框；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近的第二引線框； 其中所述第一組件被安裝至所述第一和第二引線框中的一個(gè)；以及安裝至所述第一和第二引線框中的另一個(gè)的第二組件。
19.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的第一引線框；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近并具有引線的第二引線框，所述引線設(shè)置在所述封裝件內(nèi)并接觸所述第一引線框。
20.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的第一引線框；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近并具有引線的第二引線框，所述引線設(shè)置在所述封裝件內(nèi)并將所述第二引線框支承在第一引線框上方。
21.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的第一引線框；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近并具有引線的第二引線框，所述引線設(shè)置在所述封裝件內(nèi)并將所述第一引線框支承在第二引線框上方。
22.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，還包括其中所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件一側(cè)附近并具有通過所述封裝件的該側(cè)而露出的一部分的電路板；以及附連于所述電路板的所述露出部分的散熱器。
23.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，還包括其中所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件一側(cè)附近的電路板； 其中所述第一組件包括焊盤并被安裝至所述電路板；以及將所述第一組件的焊盤電耦合于所述電路板的夾具。
24.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，還包括 其中所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件一側(cè)附近的引線框； 其中所述第一組件包括焊盤并被安裝至所述引線框；以及將所述第一組件的焊盤電耦合于所述引線框的夾具。
25.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于所述第一組件包括焊盤并被安裝至所述封裝件的第一側(cè)附近；以及其中所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近的引線框并包括設(shè)置在所述封裝件內(nèi)并接觸所述第一組件的焊盤的引線。
26.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件的頂側(cè)附近并具有引線的第一引線框，所述引線沿所述封裝件的第一側(cè)延伸至所述封裝件的底側(cè)并具有在所述封裝件的第一側(cè)和底側(cè)附近露出的第一引線部分；以及設(shè)置在所述封裝件的底側(cè)附近并具有第二引線部分的第二引線框，所述第二引線部分在所述封裝件的第一側(cè)和底側(cè)附近以及在所述第一引線部分附近露出。
27.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件的頂側(cè)附近并具有第一和第二引線的第一引線框，所述第一和第二引線沿所述封裝件的第一側(cè)延伸至所述封裝件的底側(cè)并具有在所述封裝件的第一側(cè)和底側(cè)附近露出的相應(yīng)的第一和第二引線部分；以及設(shè)置在所述封裝件的底側(cè)附近并具有第三和第四引線的第二引線框，所述第三和第四弓丨線帶有相應(yīng)的第三和第四引線部分。所述第三和第四弓丨線部分在所述封裝件的第一側(cè)和底側(cè)附近露出并在所述第一和第二引線部分之間延伸。
28.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括設(shè)置在所述封裝件的底側(cè)附近并具有第一和第二引線的第一引線框，所述第一和第二引線帶有相應(yīng)的第一和第二引線部分，所述第一和第二引線部分在所述封裝件的第一側(cè)和底側(cè)附近露出；以及設(shè)置在所述封裝件的頂側(cè)附近并具有第三和第四引線的第二引線框，所述第三和第四引線沿所述封裝件的第一側(cè)延伸至所述封裝件的底側(cè)并具有在所述封裝件的第一側(cè)和底側(cè)附近露出并在所述第一和第二引線部分之間延伸的相應(yīng)第三和第四引線部分。
29.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽設(shè)置在所述封裝件的兩側(cè)中的一側(cè)的僅一部分附近，所述部分小于所述一側(cè)的全部。
30.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽被設(shè)置在所述封裝件多于兩側(cè)附近。
31.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽被設(shè)置在所述封裝件所有側(cè)附近。
32.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其特征在于，所述電磁干擾屏蔽包括 設(shè)置在所述封裝件的第一側(cè)附近的引線框；以及設(shè)置在所述封裝件的第二側(cè)附近的引線框的引線。
33.一種系統(tǒng)，包括 電源模塊，包括 具有多個(gè)側(cè)的封裝件；設(shè)置在所述封裝件內(nèi)的第一電源組件；設(shè)置在所述封裝件的兩側(cè)附近的電磁干擾屏蔽；以及供電輸出節(jié)點(diǎn)；以及耦合于所述供電輸出節(jié)點(diǎn)的集成電路。
34.如權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述集成電路包括處理器。
35.如權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述集成電路包括存儲(chǔ)器。
36.一種方法，包括將電源組件設(shè)置在電磁干擾屏蔽平臺(tái)的一側(cè)； 將電磁干擾屏蔽設(shè)置在所述平臺(tái)的該側(cè)附近；以及封裝所述組件、平臺(tái)和屏蔽。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述平臺(tái)包括電路板。
38.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述平臺(tái)包括引線框。
39.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述屏蔽包括電路板。
40.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述屏蔽包括引線框。
41.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述組件包括將所述組件附連于所述平臺(tái)。
42.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述屏蔽包括將所述屏蔽基本垂直于所述平臺(tái)地設(shè)置。
43.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，封裝包括用封裝材料覆蓋組件、平臺(tái)和屏蔽。
44.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，封裝包括將環(huán)氧樹脂設(shè)置在所述組件、平臺(tái)和屏蔽周圍。
45.一種方法，包括 運(yùn)作電源模塊；以及阻止電磁干擾逸出所述模塊的兩側(cè)。
46.一種電源模塊，包括 具有第一和第二側(cè)的封裝件；沿所述封裝件的第一側(cè)安裝的第一電源組件；以及沿所述封裝件的第二側(cè)安裝的第二電源組件。
47.如權(quán)利要求46所述的電源模塊，其特征在于所述第一側(cè)包括所述封裝件的頂側(cè)和底側(cè)中的一個(gè)；并且所述第二側(cè)包括所述封裝件的頂側(cè)和底側(cè)中的另一個(gè)。
全文摘要
電源模塊的一實(shí)施例包括具有多個(gè)側(cè)的封裝件、設(shè)置在封裝件內(nèi)的第一電源組件、以及設(shè)置在封裝件兩側(cè)附近的電磁干擾(EMI)屏蔽。例如，該模塊在其頂側(cè)和底側(cè)可包括組件安裝平臺(tái)(例如引線框或印刷電路板)，并且這些平臺(tái)可提供專用于具體應(yīng)用的EMI屏蔽層。結(jié)果，相比于僅沿模塊的一側(cè)(例如底側(cè))具有屏蔽的模塊，這種模塊可提供更好的EMI屏蔽。此外，如果模塊組件被安裝至或熱耦合于屏蔽平臺(tái)，則該模塊可提供組件的多側(cè)冷卻。
文檔編號(hào)H05K7/20GK102447382SQ201110285670
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月10日
發(fā)明者M·奧薩, N·V·凱爾科, 印健 申請(qǐng)人:英特賽爾美國股份有限公司