專(zhuān)利名稱(chēng)：一種適用于多路負(fù)載的均流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，是涉及一種適用于多路負(fù)載的均流電路。
背景技術(shù)：
對(duì)于恒流驅(qū)動(dòng)的負(fù)載，例如LED負(fù)載，其驅(qū)動(dòng)器的多路恒流控制，常用的方案為:恒壓模塊+多路非隔離DC/DC恒流電路(如BUCK電路)，參照?qǐng)D1，恒壓模塊的輸出作為多路恒流電路的輸入，每路恒流電路單獨(dú)做恒流控制，這樣很容易保證多路輸出電流的均流。上述方案中每路恒流源需要ー個(gè)獨(dú)立控制的DC/DC變換器，而DC/DC變換器的電路復(fù)雜且成本高，進(jìn)而造成整個(gè)均流電路過(guò)于復(fù)雜且成本高。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種適用于多路負(fù)載的均流電路，有效的解決了現(xiàn)有均流電路復(fù)雜且成本高的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種適用于多路負(fù)載的均流電路，包括并聯(lián)在恒流源兩端的多個(gè)負(fù)載支路，每個(gè)負(fù)載支路包括串連在一起的負(fù)載、調(diào)整管和采樣電阻所述每個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)；各個(gè)支路的所述調(diào)整管的控制端相連，所述公共連接線成為均流線。優(yōu)選的，在每個(gè)支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端和所述均流線之間還連接有與該支路對(duì)應(yīng)的均流電阻。優(yōu)選的，所述調(diào)整管為N型MOS管，所述N型MOS管的漏極與該N型MOS管所在負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載正端與所述恒流源的正極相連，所述N型MOS管的柵極為所述調(diào)整管的控制端，所述N型MOS管的源極與該N型MOS管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸入端與所述恒流源的負(fù)極相連。優(yōu)選的，所述調(diào)整管為NPN三極管，所述NPN三極管的集電極與該NPN三極管所在負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載正端與所述恒流源的正極相連，所述NPN三極管的基極為所述調(diào)整管的控制端，所述NPN三極管的發(fā)射極與該NPN三極管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸入端與所述恒流源的負(fù)極相連。優(yōu)選的，還包括保護(hù)觸發(fā)器件和與各個(gè)支路負(fù)載相連的ニ極管，每個(gè)所述ニ極管的陽(yáng)極與各個(gè)支路的負(fù)載負(fù)端相連，每個(gè)所述ニ極管的陰極相連，所述保護(hù)觸發(fā)電路串接在所述ニ極管的陰極和所述調(diào)整管的控制端之間，所述保護(hù)觸發(fā)電路為穩(wěn)壓管、穩(wěn)壓電路或具有閾值的保護(hù)器件。優(yōu)選的，還包括串聯(lián)在所述恒流源的正極和所述均流線之間的穩(wěn)壓管。優(yōu)選的，所述調(diào)整管為P型MOS管，所述P型MOS管的漏極與該P(yáng)型MOS管所在負(fù)載支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端與所述恒流源的負(fù)極相連，所述P型MOS管的柵極作為所述調(diào)整管的控制端，所述P型MOS管的源極與該P(yáng)型MOS管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸入端與所述恒流源的正極相連。優(yōu)選的，所述調(diào)整管為PNP三極管，所述PNP三極管的集電極與該P(yáng)NP三極管所在負(fù)載支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端與所述恒流源的負(fù)極相連，所述PNP三極管的基極作為所述調(diào)整管的控制端，所述PNP三極管的發(fā)射極與該P(yáng)NP三極管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸入端與所述恒流源的正極相連。優(yōu)選的，還包括保護(hù)觸發(fā)器件和與各個(gè)支路負(fù)載相連的二極管，每個(gè)所述二極管的陰極與各個(gè)支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)所述二極管的陽(yáng)極相連，所述保護(hù)觸發(fā)電路串接在所述二極管的陽(yáng)極和所述調(diào)整管的控制端之間，所述保護(hù)觸發(fā)電路為穩(wěn)壓管、穩(wěn)壓電路或具有閾值的保護(hù)器件。優(yōu)選的，還包括串聯(lián)在所述恒流源的負(fù)極和所述均流線之間的穩(wěn)壓管。優(yōu)選的，還包括偏置電阻，所述偏置電阻的一端與所述均流線相連，所述偏置電阻的另一端與所述支路負(fù)載的任意端相連；或，所述偏置電阻的另一端與輔助電源Vcc相連。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種適用于多路負(fù)載的均流電路，通過(guò)將每個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)，并將調(diào)整管的控制端相連，形成均流線，其中，采樣電阻采樣本支路的電流信號(hào)，各支路的電流采樣信號(hào)的平均作為均流線的信號(hào)，均流線的信號(hào)控制各調(diào)整管兩端的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。在達(dá)到電流均分的基礎(chǔ)上本發(fā)明提供的電路簡(jiǎn)單且所采用的器件較為常見(jiàn)、成本低。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)電路均流的電路圖；圖2為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的電路圖；圖3為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的另一電路圖；圖4為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的又一電路圖；圖5為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的又一電路圖；圖6為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的又一電路圖；圖7為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的又一電路圖；圖8為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的又一電路圖；圖9為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的電路圖；圖10為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例二的另一電路圖11為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例ニ的又ー電路圖；圖12為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例ニ的又ー電路圖；圖13為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例ニ的又ー電路圖；圖14為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例ニ的又ー電路圖；圖15為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例ニ的又ー電路圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱附圖1，為現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)電路均流的電路圖，現(xiàn)有技術(shù)通常采用恒壓模塊+多路非隔離DC/DC恒流電路(如BUCK電路)實(shí)現(xiàn)電路的均流，其中恒壓模塊的輸出作為多路恒流電路的輸入，每路恒流電路單獨(dú)做恒流控制，實(shí)現(xiàn)多路輸出電流的均流。現(xiàn)有技術(shù)方案中每路恒流源需要ー個(gè)獨(dú)立控制的DC/DC變換器，而DC/DC變換器的電路復(fù)雜且成本高，進(jìn)而造成整個(gè)均流電路過(guò)于復(fù)雜且成本高。為解決現(xiàn)有技術(shù)中均流電路復(fù)雜且成本高的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種適用于多路負(fù)載的均流電路，如圖2所示，包括并聯(lián)在恒流源輸出端的多個(gè)負(fù)載支路，如圖2中所示的n
個(gè)負(fù)載支路，Al、A2......An，每個(gè)負(fù)載支路中都包括多個(gè)負(fù)載，所述的負(fù)載可以為L(zhǎng)ED燈。
其中，每個(gè)負(fù)載支路包括串聯(lián)在一起的負(fù)載、調(diào)整管和采樣電阻，其中每個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)，各個(gè)支路的所述調(diào)整管的控制端相連，所述公共連接線成為均流線，該均流線連接到各個(gè)調(diào)整管的控制端，由于采樣電阻的存在，使均流線的信號(hào)在各個(gè)調(diào)整管的控制端產(chǎn)生不同的控制，改變各調(diào)整管兩端的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。而且本發(fā)明提供的電路采用了成本較低的調(diào)整管和電阻，節(jié)約了成本。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，更容易模塊化，適用于任何多路負(fù)載。實(shí)施例一請(qǐng)參閱圖3，圖3為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例一的電路圖，本實(shí)施例一中的均流電路，包括并聯(lián)在恒流源輸出端的多個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載、調(diào)整管、采樣電阻和均流電阻，其中每個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)，所述調(diào)整管連接在所述支路負(fù)載和所述采樣電阻之間，每個(gè)支路的所述調(diào)整管的控制端相連，所述公共連接線成為均流線，所述均流電阻分別串聯(lián)在所述均流線和每個(gè)支路的所述采樣電阻的
電流采樣信號(hào)輸出端之間。如圖3所示，所述負(fù)載支路A1，A2，......，An對(duì)應(yīng)的采樣電阻
分別為Rsl，Rs2，......，Rsn，對(duì)應(yīng)的均流電阻分別為Rl，R2，......，Rn。所述采樣電阻采樣本支路的電流信號(hào)，通過(guò)本支路的均流電阻，使均流線的信號(hào)為各支路電流采樣信號(hào)的平均，用該均流線信號(hào)控制各支路調(diào)整管，通過(guò)控制各調(diào)整管兩端的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。在圖3的基礎(chǔ)上，所述的調(diào)整管可以為N型MOS管或NPN三極管，現(xiàn)將圖3中調(diào)整管換成NPN三極管為例，請(qǐng)參見(jiàn)圖4，電路的連接關(guān)系為‘所述NPN三極管的集電極與所述支路負(fù)載負(fù)端相連，所述支路負(fù)載正端與所述恒流源的正極相連，所述NPN三極管的基極為所述調(diào)整管的控制端，每個(gè)所述NPN三極管的基極相連，形成均流線，所述NPN三極管的發(fā)射極與采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述均流電阻分別串聯(lián)在所述均流線和每個(gè)支路的所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端之間，所述采樣電阻的另一端與所述恒流源的負(fù)極相連。通過(guò)回路中的采樣電阻采樣各個(gè)支路的電流信號(hào)，各支路電流采樣信號(hào)的平均作為均流線的信號(hào)，該均流線又與各個(gè)NPN三極管的基極相連，此時(shí)，均流線的信號(hào)控制各NPN三極管的集電極和發(fā)射極之間的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。同理，現(xiàn)將圖3中調(diào)整管換成N型MOS管，電路的連接關(guān)系為:所述N型MOS管的漏極與所述支路負(fù)載負(fù)端相連，所述支路負(fù)載正端與所述恒流源的正極相連，所述N型MOS管的柵極為所述調(diào)整管的控制端，每個(gè)所述N型MOS管的柵極相連，形成均流線，所述N型MOS管的源極與采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述均流電阻分別串聯(lián)在所述均流線和每個(gè)支路的所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端之間，所述采樣電阻的另一端與所述恒流源的負(fù)極相連。通過(guò)采樣電阻采樣各個(gè)支路的電流信號(hào)，各支路電流采樣信號(hào)的平均作為均流線的信號(hào)，該均流線又與各個(gè)N型MOS管的柵極相連，此時(shí)，均流線的信號(hào)控制各N型MOS管的漏極和源極之間的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。在上述本發(fā)明提供的實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，本均流電路還增加了偏置電阻，所述偏置電阻在本均流電路中有多種連接關(guān)系，總結(jié)為:所述偏置電阻的一端與所述均流線相連，所述偏置電阻的另一端與所述支路負(fù)載的任意端相連或所述偏置電阻的另一端與輔助電源Vcc相連。請(qǐng)參見(jiàn)圖5、圖6和圖7，其中，圖5為偏置電阻的一端接均流線，另一端接輔助電源Vcc ;圖6和圖7為所述偏置電阻的一端與所述均流線相連、另一端與所述支路負(fù)載的任意端相連的連接關(guān)系圖，其中圖6為偏置電阻Rb —端連接均流線，另一端連接支路負(fù)載正端即恒流源的正極端；圖7為偏置電阻Rb —端連接均流線，另一端連接支路負(fù)載的任意端。在電路中加入連接在調(diào)整管的控制端(即MOS管的柵極或三極管的基極)的偏置電阻，用于在電路啟動(dòng)時(shí)為調(diào)整管提供偏置電壓。優(yōu)選的，本發(fā)明在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，還增加了保護(hù)觸發(fā)電路和與各個(gè)支路負(fù)載相連的二極管，如圖8所示，每個(gè)二極管的陽(yáng)極與各個(gè)支路的負(fù)載負(fù)端相連，每個(gè)二極管的陰極相連，所述保護(hù)觸發(fā)電路串接在所述二極管的陰極和所述調(diào)整管的控制端之間，所述保護(hù)觸發(fā)電路為穩(wěn)壓管或穩(wěn)壓電路。該均流電路增加了保護(hù)觸發(fā)電路和與每個(gè)支路負(fù)載相連的二極管，用于當(dāng)某一路或一些路負(fù)載開(kāi)路時(shí)，使其余路負(fù)載仍然均分總電流。當(dāng)某一路或一些路負(fù)載開(kāi)路時(shí)，均流線的電壓瞬間降低，其余路負(fù)載中調(diào)整管兩端的壓降升高，當(dāng)兩端電壓升高至保護(hù)觸發(fā)電路的預(yù)設(shè)值時(shí)，調(diào)整管連接負(fù)載的一端電壓最高的一路其二極管導(dǎo)通，使均流線的電壓升高，并通過(guò)均流線，使其余各路無(wú)故障的負(fù)載支路電流實(shí)現(xiàn)均流。其中，所述的保護(hù)觸發(fā)電路可以為穩(wěn)壓管、穩(wěn)壓電路或者為一些具有閾值的保護(hù)器件，所述的保護(hù)器件的觸發(fā)閾值高于其導(dǎo)通壓降。例如，觸發(fā)器導(dǎo)通的閾值(或門(mén)檻值)為VI，當(dāng)其兩端壓降達(dá)到Vl后，該器件導(dǎo)通，且導(dǎo)通后的正向壓降遠(yuǎn)小于VI。這樣有利于減少調(diào)整管的損耗。參見(jiàn)圖9，本發(fā)明在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，還增加了串聯(lián)在均流線和恒流源正極端的穩(wěn)壓管ZD1，當(dāng)某一路或ー些路負(fù)載開(kāi)路時(shí)，均流線的電壓瞬間降低，穩(wěn)壓管ZDl兩端電壓升高，當(dāng)升高至穩(wěn)壓管ZDl的預(yù)設(shè)值時(shí)，穩(wěn)壓管ZDl所在支路有電流流過(guò)，使均流線的電壓升高，并通過(guò)均流線，使其余各路無(wú)故障的負(fù)載支路電流實(shí)現(xiàn)均流。優(yōu)選的，還包括連接在恒流源正端與均流線之間的與穩(wěn)壓管ZDl相串聯(lián)的限流電阻Rp，Rp可以起到分壓作用，保證了穩(wěn)壓管兩端的電壓不會(huì)過(guò)大，進(jìn)而限制了流過(guò)穩(wěn)壓管ZDl的電流，從而保護(hù)了穩(wěn)壓管ZD1，使穩(wěn)壓管ZDl減小了由于電流過(guò)大而燒毀的幾率。綜上所述:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種適用于多路負(fù)載的均流電路，通過(guò)將各個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)，并將調(diào)整管的控制端相連，形成均流線，其中，采樣電阻采樣本支路的電流信號(hào)，各支路的電流采樣信號(hào)的平均作為均流線的信號(hào)，均流線的信號(hào)控制各調(diào)整管兩端的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。在達(dá)到電流均分的基礎(chǔ)上本發(fā)明提供的電路簡(jiǎn)單且所采用的器件較為常見(jiàn)、成本低。實(shí)施例ニ請(qǐng)參閱圖10，圖10為本發(fā)明提供的一種適用于多路負(fù)載的均流電路的實(shí)施例ニ的電路圖，本實(shí)施例ニ中的均流電路，包括:并聯(lián)在恒流源輸出端的多個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載、調(diào)整管、采樣電阻和均流電阻，其中每個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)，所述調(diào)整管連接在所述支路負(fù)載和所述采樣電阻之間，每個(gè)支路的所述調(diào)整管的控制端相連，所述公共連接線成為均流線，所述均流電阻分別串聯(lián)在所述均流線和每個(gè)支路的所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端之間。在圖10的基礎(chǔ)上，所述的調(diào)整管可以為N型MOS管或NPN三極管，現(xiàn)將圖10中調(diào)整管換成PNP三極管為例,請(qǐng)參見(jiàn)圖11，電路的連接關(guān)系為:所述PNP三極管的集電極與該P(yáng)NP三極管所在負(fù)載支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端與所述恒流源的負(fù)極相連，所述PNP三極管的基極作為所述調(diào)整管的控制端，每個(gè)PNP三極管的基極相連，形成均流線，所述PNP三極管的發(fā)射極與該P(yáng)NP三極管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述均流電阻分別串聯(lián)在所述均流線和每個(gè)支路的所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端之間，所述采樣電阻的另一端與所述恒流源的正極相連。通過(guò)回路中的采樣電阻采樣各個(gè)支路的電流信號(hào)，各支路電流采樣信號(hào)的平均作為均流線的信號(hào)，該均流線又與各個(gè)PNP三極管的基極相連，此時(shí)，均流線的信號(hào)控制各PNP三極管的集電極和發(fā)射極之間的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。同理，現(xiàn)將圖10中調(diào)整管換成P型MOS管，電路的連接關(guān)系為:所述P型MOS管的漏極與該P(yáng)型MOS管所在負(fù)載支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端與所述恒流源的負(fù)極相連，所述P型MOS管的柵極作為所述調(diào)整管的控制端，每個(gè)所述P型MOS管的柵極相連，形成均流線，所述P型MOS管的源極與該P(yáng)型MOS管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述均流電阻分別串聯(lián)在所述均流線和各個(gè)支路的所述采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端之間，所述采樣電阻的另一端與所述恒流源的正極相連。通過(guò)采樣電阻采樣各個(gè)支路的電流信號(hào)，各支路電流采樣信號(hào)的平均作為均流線的信號(hào)，該均流線又與各個(gè)P型MOS管的柵極相連，此時(shí)，均流線的信號(hào)控制各P型MOS管的漏極和源極之間的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。在上述本發(fā)明提供的實(shí)施例二的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，本均流電路還增加了偏置電阻，所述偏置電阻在本均流電路中有多種連接關(guān)系，總結(jié)為:所述偏置電阻的一端與所述均流線相連，所述偏置電阻的另一端與所述支路負(fù)載的任意端相連或所述偏置電阻的另一端與輔助電源Vcc相連。請(qǐng)參見(jiàn)圖12和圖13，其中，圖12和圖13為所述偏置電阻的一端與所述均流線相連、另一端與所述支路負(fù)載的任意端相連的連接關(guān)系圖，其中圖12為偏置電阻Rb 一端連接均流線，另一端連接支路負(fù)載負(fù)端即恒流源的負(fù)極端；圖13為偏置電阻Rb —端連接均流線，另一端連接支路負(fù)載的任意端。在電路中加入連接在調(diào)整管的控制端(即MOS管的柵極或三極管的基極)的偏置電阻，用于在電路啟動(dòng)時(shí)為調(diào)整管提供偏置電壓。優(yōu)選的，本發(fā)明在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，還增加了保護(hù)觸發(fā)電路和與各個(gè)支路負(fù)載相連的二極管，如圖14所示，每個(gè)二極管的陰極與各個(gè)支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)二極管的陽(yáng)極相連，所述保護(hù)觸發(fā)電路串接在所述二極管的陽(yáng)極和所述調(diào)整管的控制端之間，所述保護(hù)觸發(fā)電路為穩(wěn)壓管或穩(wěn)壓電路。該均流電路增加了保護(hù)觸發(fā)電路和與每個(gè)支路負(fù)載相連的二極管，用于當(dāng)某一路或一些路負(fù)載開(kāi)路時(shí)，使其余路負(fù)載仍然均分總電流。當(dāng)某一路或一些路負(fù)載開(kāi)路時(shí)，均流線的電壓瞬間升高，其余路負(fù)載中調(diào)整管兩端的壓降升高，當(dāng)兩端電壓升高至保護(hù)觸發(fā)電路的預(yù)設(shè)值時(shí)，調(diào)整管連接負(fù)載的一端電壓最低的一路其二極管導(dǎo)通，使均流線的電壓降低，并通過(guò)均流線，使其余各路無(wú)故障的負(fù)載支路電流實(shí)現(xiàn)均流。其中，所述的保護(hù)觸發(fā)電路可以為穩(wěn)壓管、穩(wěn)壓電路或者為一些具有閾值的保護(hù)器件，所述的保護(hù)器件的觸發(fā)閾值高于其導(dǎo)通壓降。例如，觸發(fā)器導(dǎo)通的閾值(或門(mén)檻值)為VI，當(dāng)其兩端壓降達(dá)到Vl后，該器件導(dǎo)通，且導(dǎo)通后的正向壓降遠(yuǎn)小于VI。這樣有利于減少調(diào)整管的損耗。參見(jiàn)圖15，本發(fā)明在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，還增加了串聯(lián)在均流線和恒流源負(fù)極端的穩(wěn)壓管ZD1，當(dāng)某一路或一些路負(fù)載開(kāi)路時(shí)，均流線的電壓瞬間升高，穩(wěn)壓管ZDl兩端電壓升高，當(dāng)升高至穩(wěn)壓管ZDl的預(yù)設(shè)值時(shí)，穩(wěn)壓管ZDl所在支路有電流流過(guò)，使均流線的電壓降低，并通過(guò)均流線，使其余各路無(wú)故障的負(fù)載支路電流實(shí)現(xiàn)均流。優(yōu)選的，還包括連接在恒流源正端與均流線之間的與穩(wěn)壓管ZDl相串聯(lián)的限流電阻Rp，Rp可以起到分壓作用，保證了穩(wěn)壓管兩端的電壓不會(huì)過(guò)大，進(jìn)而限制了流過(guò)穩(wěn)壓管ZDl的電流，從而保護(hù)了穩(wěn)壓管ZD1，使穩(wěn)壓管ZDl減小了由于電流過(guò)大而燒毀的幾率。綜上所述:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種適用于多路負(fù)載的均流電路，通過(guò)將各個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)，并將調(diào)整管的控制端相連，形成均流線，其中，采樣電阻采樣本支路的電流信號(hào)，各支路的電流采樣信號(hào)的平均作為均流線的信號(hào)，均流線的信號(hào)控制各調(diào)整管兩端的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。在達(dá)到電流均分的基礎(chǔ)上本發(fā)明提供的電路簡(jiǎn)單且所采用的器件較為常見(jiàn)、成本低。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)所提供的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所提供的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種適用于多路負(fù)載的均流電路，包括并聯(lián)在恒流源輸出端的多個(gè)負(fù)載支路，其特征在于:每個(gè)負(fù)載支路包括串聯(lián)在一起的負(fù)載、調(diào)整管和采樣電阻，所述每個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)；各個(gè)支路的所述調(diào)整管的控制端相連，所述公共連接線成為均流線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均流電路，其特征在于，在每個(gè)支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端和所述均流線之間還連接有與該支路對(duì)應(yīng)的均流電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均流電路，其特征在于，所述調(diào)整管為N型MOS管， 所述N型MOS管的漏極與該N型MOS管所在負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載正端與所述恒流源的正極相連，所述N型MOS管的柵極為所述調(diào)整管的控制端，所述N型MOS管的源極與該N型MOS管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述采樣電阻的另一端與所述恒流源的負(fù)極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均流電路，其特征在于，所述調(diào)整管為NPN三極管， 所述NPN三極管的集電極與該NPN三極管所在負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載正端與所述恒流源的正極相連，所述NPN三極管的基極為所述調(diào)整管的控制端，所述NPN三極管的發(fā)射極與該NPN三極管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述采樣電阻的另一端與所述恒流源的負(fù)極相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的均流電路，其特征在于，還包括保護(hù)觸發(fā)器件和與各個(gè)支路負(fù)載相連的ニ極管，每個(gè)所述ニ極管的陽(yáng)極與各個(gè)支路的負(fù)載負(fù)端相連，每個(gè)所述ニ極管的陰極相連，所述保護(hù)觸發(fā)電路串接在所述ニ極管的陰極和所述調(diào)整管的控制端之間，所述保護(hù)觸發(fā)電路為穩(wěn)壓管、穩(wěn)壓電路或具有閾值的保護(hù)器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的均流電路，其特征在于，還包括串聯(lián)在所述恒流源的正極和所述均流線之間的穩(wěn)壓管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均流電路，其特征在于，所述調(diào)整管為P型MOS管， 所述P型MOS管的漏極與該P(yáng)型MOS管所在負(fù)載支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端與所述恒流源的負(fù)極相連，所述P型MOS管的柵極作為所述調(diào)整管的控制端，所述P型MOS管的源極與該P(yáng)型MOS管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述采樣電阻的另一端與所述恒流源的正極相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均流電路，其特征在于，所述調(diào)整管為PNP三極管， 所述PNP三極管的集電極與該P(yáng)NP三極管所在負(fù)載支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載負(fù)端與所述恒流源的負(fù)極相連，所述PNP三極管的基極作為所述調(diào)整管的控制端，所述PNP三極管的發(fā)射極與該P(yáng)NP三極管所在負(fù)載支路的采樣電阻的電流采樣信號(hào)輸出端相連，所述采樣電阻的另一端與所述恒流源的正極相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的均流電路，其特征在于，還包括保護(hù)觸發(fā)器件和與各個(gè)支路負(fù)載相連的ニ極管，每個(gè)所述ニ極管的陰極與各個(gè)支路的負(fù)載正端相連，每個(gè)所述ニ極管的陽(yáng)極相連，所述保護(hù)觸發(fā)電路串接在所述ニ極管的陽(yáng)極和所述調(diào)整管的控制端之間，所述保護(hù)觸發(fā)電路為穩(wěn)壓管、穩(wěn)壓電路或具有閾值的保護(hù)器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的均流電路，其特征在于，還包括串聯(lián)在所述恒流源的負(fù)極和所述均流線之間的穩(wěn)壓管。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均流電路，其特征在于，還包括偏置電阻，所述偏置電阻的一端與所述均流線相連， 所述偏置電阻的另一端與所述支路負(fù)載的任意端相連； 或， 所述偏置電阻的另一端與輔助 電源Vcc相連。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種適用于多路負(fù)載的均流電路，包括并聯(lián)在恒流源輸出端的多個(gè)負(fù)載支路的負(fù)載、調(diào)整管和采樣電阻，通過(guò)將每個(gè)支路的負(fù)載均與調(diào)整管和采樣電阻相串聯(lián)，并將調(diào)整管的控制端相連，形成均流線，其中，采樣電阻采樣本支路的電流信號(hào)，各支路的電流采樣信號(hào)的平均作為均流線的信號(hào)，均流線的信號(hào)控制各調(diào)整管兩端的阻抗，使各負(fù)載支路電流均衡。在達(dá)到電流均分的基礎(chǔ)上本發(fā)明提供的電路簡(jiǎn)單且所采用的器件較為常見(jiàn)、節(jié)約了成本。
文檔編號(hào)H05B37/02GK103096569SQ201110350568
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月8日
發(fā)明者韓雪強(qiáng), 劉永青 申請(qǐng)人:英飛特電子(杭州)股份有限公司