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      一種單面板金手指的制作方法

      文檔序號:8187158閱讀:404來源:國知局
      專利名稱:一種單面板金手指的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種單面板金手指。
      背景技術(shù)
      目前來說,行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)單面板雙面露銅金手指板的工藝流程是下料一鉆孔一貼底層覆蓋膜(覆蓋膜有開口)一層壓一絲印抗蝕刻油(底層覆蓋膜開窗處)一貼干膜、曝光一蝕刻線路一貼頂層覆蓋膜(覆蓋膜有開口)一層壓一化金。 單面板雙面露銅金手指板所用銅箔基材一般為薄純銅箔,這樣的生產(chǎn)工藝在產(chǎn)品蝕刻線路退膜后,底層覆蓋膜開窗處手指會變成鏤空手指,在退膜到層壓頂層覆蓋膜的過程中,過水平線設(shè)備或手工操作時都容易造成鏤空手指變形、皺折甚至斷裂。這也是目前行業(yè)內(nèi)單面板雙面露銅金手指生產(chǎn)良率低的主要原因。

      實(shí)用新型內(nèi)容為了解決以上技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供一種單面板金手指,包括設(shè)置在上層的頂部覆蓋膜層、中間的純銅箔層、以及,設(shè)置在底部的底部覆蓋膜層,所述底部覆蓋膜層上設(shè)置有一開口,所述覆蓋膜層開口處有一條比所述開口大的PI膠帶。本實(shí)用新型采用以上技術(shù)方案,與現(xiàn)有技術(shù)相比,解決了此類產(chǎn)品蝕刻線路退膜后到層壓頂層覆蓋膜的過程中鏤空手指的變形、皺折,能大大提高此類產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。優(yōu)選的,所述PI膠帶的熔點(diǎn)的范圍為270至350°C。本實(shí)用新型進(jìn)一步采用以上技術(shù)特征,其優(yōu)點(diǎn)在于,PI膠帶可以耐高溫,在生產(chǎn)過程中其抗撕裂,粘著力強(qiáng),撕去后被遮蔽表面不留殘膠,并且更能使使金手指耐磨,降低金手指表面的劃傷率,增強(qiáng)產(chǎn)品的品質(zhì)。防止金手指脫落,消除了發(fā)生斷裂產(chǎn)生隱患。優(yōu)選的,述PI膠帶的長度比所述開口的長度長I毫米。本實(shí)用新型進(jìn)一步采用以上技術(shù)特征,其優(yōu)點(diǎn)在于,不但充分保證PI膠帶對開口處進(jìn)行覆蓋,更進(jìn)一步地將金手指進(jìn)行壓合,保證了對金手指加工的質(zhì)量和外觀的合格率,而且還能提高PI膠帶的利用率。

      圖I是本實(shí)用新型的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實(shí)用新型的一種實(shí)施例的工作流程圖。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖,對本實(shí)用新型的較優(yōu)的實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明圖I中I為頂部覆蓋膜層,2為純銅箔層,3為底部覆蓋膜層。圖2中2為純銅箔層,3為底部覆蓋膜層,4為耐高溫PI膠帶。將耐高溫PI膠帶4貼在底層覆蓋膜3開窗處,隨純銅箔層2 —起層壓,然后就在銅箔上進(jìn)行貼層壓壓合,壓好后再將耐高溫PI膠帶4撕掉,然后在頂部覆蓋膜層I和底部覆蓋膜層3的開窗處進(jìn)行表面處理加工,直至產(chǎn)品成型到包裝出貨。如圖3所示,為本實(shí)用新型中單面板金手指的制造工藝,所述金手指包括設(shè)置在上層的頂部覆蓋膜層I、中間的純銅箔層2、以及,設(shè)置在底部的底部覆蓋膜層3,所述底部覆蓋膜層3上設(shè)置有一開口,所述制造工藝包括以下步驟貼合步驟于所述覆蓋膜層開口處貼一條比所述開口的PI膠帶;層壓步驟將所述金手指和所述PI膠帶一起進(jìn)行層壓;再將所述層壓后的產(chǎn)品貼上頂部覆蓋膜;再進(jìn)行層壓;撕去步驟將所述壓完后的PI膠帶撕去;處理步驟在所述頂部覆蓋膜層和底部覆蓋膜層的開口處加工。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。權(quán)利要求1.一種單面板金手指,其特征在于,包括設(shè)置在上層的頂部覆蓋膜層、中間的純銅箔層、以及,設(shè)置在底部的底部覆蓋膜層,所述底部覆蓋膜層上設(shè)置有ー開ロ,所述覆蓋膜層開ロ處有一條比所述開ロ大的PI膠帶。
      2.如權(quán)利要求I所述的單面板金手指,其特征在于,所述PI膠帶的熔點(diǎn)的范圍為270至 350 0C ο
      3.如權(quán)利要求I或2所述的單面板金手指,其特征在于,所述PI膠帶的長度比所述開ロ的長度長I暈米。
      專利摘要本實(shí)用新型提供一種單面板金手指,包括設(shè)置在上層的頂部覆蓋膜層、中間的純銅箔層、以及,設(shè)置在底部的底部覆蓋膜層,所述底部覆蓋膜層上各設(shè)置有一開口,所述覆蓋膜層開口處有一條比所述開口大的PI膠帶。本實(shí)用新型的有益效果是解決了此類產(chǎn)品蝕刻線路退膜后到層壓頂層覆蓋膜的過程中鏤空手指的變形、皺折,能大大提高此類產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。
      文檔編號H05K1/11GK202374563SQ20112045437
      公開日2012年8月8日 申請日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
      發(fā)明者葉夕楓 申請人:博羅縣精匯電子科技有限公司
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