專利名稱：包含二苯并呋喃化合物和8-羥基喹啉根合堿土金屬或堿金屬配合物的層的有機(jī)電子器件的制作方法
包含二苯并呋喃化合物和8-輕基喹啉根合堿土金屬或堿金屬配合物的層的有機(jī)電子器件本發(fā)明提供一種有機(jī)電子器件，其包括第一電極、第二電極和穿插在第一電極和第二電極之間的有機(jī)層，其中有機(jī)層包含式I的有機(jī)金屬配合物和式II或III化合物。如Merck的專利所述。W010072300涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，其包含任選與有機(jī)堿金屬化合物組合的三嗪衍生物作為電子傳輸材料。作為有機(jī)堿金屬化合物的實(shí)例，提及8-羥基喹啉鋰。W02006128800 公開了 式
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電子器件，其包括第一電極、第二電極和穿插在第一電極和第二 電極之間的有機(jī)層，其中有機(jī)層包含式
2.根據(jù)權(quán)利要求I的有機(jī)電子器件，其中式II化合物為式 的化合物，并且式III化合物為式
3.根據(jù)權(quán)利要求2的有機(jī)電子器件，其中R81為Cxl
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的有機(jī)電子器件，其中A為單鍵，基團(tuán)-SiR83R84-,下式基
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的有機(jī)電子器件，其中式II或III化合物為下式化合物
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的的有機(jī)電子器件，其中式I化合物為下式化合物
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的有機(jī)電子器件，其為有機(jī)發(fā)光器件，包含陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴和激子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其中包含式I和II或III化合物的有機(jī)層構(gòu)成電子傳輸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的有機(jī)電子器件，其中電子傳輸層包含式
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8的有機(jī)電子器件，其中電子注入層包含氟化鉀或Liq或由氟化鉀或Liq組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)的有機(jī)電子器件，其中發(fā)光層包含式
11.根據(jù)權(quán)利要求10的有機(jī)電子器件，其中式IX化合物為下式化合物
12.根據(jù)權(quán)利要求7-11中任一項(xiàng)的有機(jī)電子器件，其中空穴傳輸層包含式
13.有機(jī)層，尤其是電子傳輸層，其包含如權(quán)利要求I所定義的式I的有機(jī)金屬配合物 和如權(quán)利要求I所定義的式II或III化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的有機(jī)層在有機(jī)電子器件中的用途。
15.一種裝置，其包含根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)的有機(jī)電子器件，或根據(jù)權(quán)利要求13的有機(jī)層，尤其是電子傳輸層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電子器件，其包括第一電極、第二電極和穿插在第一電極和第二電極之間的有機(jī)層，其中有機(jī)層包含式(I)的有機(jī)金屬配合物和式(II)或(III)化合物。有機(jī)電子器件，尤其是有機(jī)發(fā)光器件可具有優(yōu)異的壽命、功率效率、量子效率和/或低操作電壓。
文檔編號(hào)H05B33/14GK102947416SQ201180030023
公開日2013年2月27日 申請日期2011年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者N·蘭格爾, G·瓦根布拉斯特, O·莫爾特, C·席爾德克內(nèi)希特, E·弗茨, K·多爾曼, 渡邊宗一, T·格斯納, C·倫納茨, H·沃勒布, 田邊純一 申請人:巴斯夫歐洲公司