本發(fā)明涉及一種放射線圖像變換面板、一種該放射線圖像變換面板的制造方法和一種設(shè)置有該放射線圖像變換面板的放射線圖像檢測裝置。

背景技術(shù)：
最近已經(jīng)實際地使用檢測放射線圖像的平面板檢測器（FPD）來產(chǎn)生數(shù)字圖像數(shù)據(jù)的放射線圖像檢測裝置。該放射線圖像檢測裝置與常規(guī)攝影板相比可以立即確認(rèn)圖像，并且因此已經(jīng)被迅速地普及。存在各種類型的放射線圖像檢測裝置，并且作為所述放射線圖像檢測裝置中的一種，器件的間接變換方式是已知的。放射線圖像檢測裝置的間接變換方式設(shè)置有放射線圖像變換面板和具有二維陣列的光電變換器件的傳感器面板，其中，所述放射線圖像變換面板具有由通過放射線曝光發(fā)出熒光的諸如CsI或GOS（Gd2O2S）的熒光物質(zhì)形成的閃爍體。通常，放射線圖像變換面板和傳感器面板被接合，使得閃爍體與二維陣列的光電變換器件緊密接觸。經(jīng)過被攝體的放射線首先由放射線圖像變換面板的閃爍體變換成光，然后，閃爍體的熒光由傳感器面板的光電變換器件的群光電地變換以產(chǎn)生電信號（數(shù)字圖像數(shù)據(jù)）。關(guān)于放射線圖像檢測裝置的間接變換方式，已經(jīng)建議所謂的表面讀數(shù)類型的放射線圖像檢測裝置（ISS：照射側(cè)采樣），其中，放射線被允許從傳感器面板側(cè)入射（例如，參見專利文獻1和2）。根據(jù)放射線圖像檢測裝置，從在傳感器面板附近的閃爍體發(fā)出的熒光量增加，從而提高靈敏度。這可以減少檢測放射線圖像所需的曝光量，從而減少被攝體的曝光劑量。另外，已知通過氣相沉積方法由柱狀晶體的群形成閃爍體的技術(shù)以便提高靈敏度，其中，柱狀晶體通過在支持體上的諸如CsI的熒光物質(zhì)的晶體的柱狀生長而獲得（例如，參見專利文獻3）。通過氣相沉積方法形成的柱狀晶體不包括諸如粘合劑的雜質(zhì)，并且還具有沿晶體的生長方向引導(dǎo)從柱狀晶體發(fā)出的熒光的光導(dǎo)效應(yīng)，從而抑制熒光的散射。因此，可以實現(xiàn)在放射線圖像檢測裝置的靈敏度和圖像的清晰度上的提高。此外，為了提高設(shè)置有包括柱狀晶體的群的閃爍體的放射線圖像變換面板的特性，已經(jīng)提出各種建議。例如，在專利文獻3中描述的放射線圖像變換面板，包括熒光物質(zhì)的球形晶體的群的非柱狀部被形成在閃爍體的支持體側(cè)處，并且包括柱狀晶體的群的柱狀部被形成在非柱狀部上。由于非柱狀部被置于支持體與柱狀部之間，所以實現(xiàn)閃爍體與支持體的粘接上的改善。另外，通過在非柱狀部中的光反射，可以實現(xiàn)熒光的利用效率的提高并且因此靈敏度的提高。引用列表專利文獻專利文獻1:JP-B-3333278專利文獻2:JP-A-2001-330677專利文獻3:JP-A-2005-69991

技術(shù)實現(xiàn)要素：
技術(shù)問題從在非柱狀部中的光反射的觀點來看，構(gòu)成非柱狀部的晶體可以優(yōu)選地具有小直徑橫截面和球形形狀。然而，構(gòu)成非柱狀部的許多晶體可以與相鄰的晶體集合，以便形成不定形的集合體。因此，構(gòu)成非柱狀部的許多晶體（或包括非晶部）可以不僅在厚度方向上而且還在面內(nèi)方向上相互部分地融合。構(gòu)成柱狀部的各個柱狀晶體關(guān)于這樣的不定形的集合體的一部分的核心生長。在這樣的情況下，具有相對小直徑的柱狀晶體以初始生長而生長。然后，隨著生長繼續(xù)，多個相鄰的柱狀晶體相互集合，從而形成具有大直徑的一個柱狀晶體。柱狀部與非柱狀部的接合部林立有相對小直徑的柱狀晶體，導(dǎo)致在所述柱狀部與非柱狀部之間的許多間隙，并且該接合部抵抗由沖擊尤其是剪力作用的應(yīng)力是非常微弱的。特別地，在專利文獻3中描述的閃爍體是累積熒光體，并且作為使用這樣的閃爍體的放射線圖像檢測裝置的一個示例的計算的射線照相（CR）盒是相對輕的。然而，作為使用FPD的放射線圖像檢測裝置的一個示例，數(shù)字射線照相（DR）盒是一般安裝有諸如TFT基板或驅(qū)動電路的各種電子部件，并且因此是相對沉重的，并且其跌落沖擊高于CR盒。因此，對閃爍體的保護變得重要?？紤]到上述問題，已經(jīng)完成了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提高放射線圖像變換面板的強度。問題的解決辦法（1）一種設(shè)置有包含通過放射線曝光發(fā)出熒光的熒光物質(zhì)的熒光體的放射線圖像變換面板，其中，所述熒光體包括柱狀部和非柱狀部，所述柱狀部由通過所述熒光物質(zhì)的晶體的柱狀生長而獲得的柱狀晶體的群形成，所述柱狀部和所述非柱狀部被一體化地形成以在所述柱狀晶體的晶體生長方向上重疊，并且所述非柱狀部沿著所述晶體生長方向的厚度在所述非柱狀部的至少一部分的區(qū)域中是不均勻的。（2）一種制造（1）的放射線圖像變換面板的方法，其中，所述非柱狀部和所述柱狀部通過氣相沉積方法將熒光物質(zhì)的晶體沉積在支持體上而以該順序形成于支持體上，其中，當(dāng)所述非柱狀部被形成時，所述熒光物質(zhì)的晶體通過改變真空度而沉積在所述支持體上。（3）一種設(shè)置有（1）的放射線圖像變換面板和傳感器面板的放射線圖像檢測裝置，所述傳感器面板檢測從所述放射線圖像變換面板產(chǎn)生的熒光并且將所述熒光變換成電信號。發(fā)明的有利效果根據(jù)本發(fā)明，在所述非柱狀部的至少一部分的區(qū)域中，厚度是不均勻的，并且所述柱狀部與所述非柱狀部之間的接合部在平面方向上是不平坦的。因此，可以提高抵抗諸如剪切力的應(yīng)力的抵抗力，從而提高放射線圖像變換面板的強度。附圖說明圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的放射線圖像檢測裝置的構(gòu)成的視圖。圖2是示意性地示出圖1的放射線圖像檢測裝置的傳感器面板的構(gòu)成的視圖。圖3是示意性地示出圖1的放射線圖像檢測裝置的放射線圖像變換面板的構(gòu)成的視圖。圖4是示出圖3的放射線圖像變換面板的熒光體的IV-IV橫截面的視圖。圖5是示出圖3的放射線圖像變換面板的熒光體的V-V橫截面的視圖。圖6是示意性地示出圖3放射線圖像變換面板的修改后的示例的視圖。圖7是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例的放射線圖像檢測裝置的構(gòu)成的視圖。具體實施方式圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的放射線圖像檢測裝置的構(gòu)成，并且圖2示出圖1的放射線圖像檢測裝置的傳感器面板的構(gòu)成。放射線圖像檢測裝置1設(shè)置有放射線圖像面板2和傳感器面板3，該放射線圖像面板2包括通過放射線曝光而發(fā)出熒光的閃爍體18（熒光體），該傳感器面板3包括光電變換器件26的二維陣列，該光電變換器件26的二維陣列光電地變換放射線圖像面板2的閃爍體18的熒光。放射線圖像面板2包括支持體11，閃爍體18形成在該支持體11上。放射線圖像面板2被構(gòu)成為從傳感器面板3分離，并且經(jīng)由樹脂層接合到傳感器面板3，其中，樹脂層允許閃爍體18被光耦合到光電變換器件26，而在閃爍體18的在與支持體11相反側(cè)處的表面面對傳感器面板3的光電變換器件26的二維陣列。在本示例性實施例中，放射線從傳感器面板3側(cè)被照射，通過傳感器面板3被傳輸并且入射到閃爍體18上。放射線入射到其上的閃爍體18產(chǎn)生熒光，并且所產(chǎn)生的熒光由傳感器面板3的光電變換器件26進行光電變換。在像上述構(gòu)成那樣的放射線圖像檢測裝置1中，產(chǎn)生大量熒光的閃爍體18的放射線進入側(cè)被設(shè)置成與光電變換器件26相鄰，從而提高靈敏度。傳感器面板3具有包括由在絕緣性基板上的薄膜晶體管（TFT）形成的開關(guān)器件28，并且光電變換器件26的二維陣列被形成在TFT基板16上。被構(gòu)成為覆蓋光電變換器件26和平坦化TFT基板16的表面的平坦化層23被形成在TFT基板16上。被構(gòu)成為將放射線圖像面板2接合到傳感器面板3的粘接層25被形成在平坦化層23上。平坦化層23和粘接層25構(gòu)成上述樹脂層。另外，作為樹脂層，也可以使用由透明液體或凝膠等制成的匹配油等。從靈敏度和圖像清晰度的觀點來看，樹脂層的厚度優(yōu)選地是50μm或以下，并且更優(yōu)選地是5μm至30μm。各個光電變換器件26具有如下構(gòu)成：其中，光導(dǎo)層20通過從閃爍體18入射的熒光產(chǎn)生電荷，并且一對電極設(shè)置在光導(dǎo)層20的頂表面和底表面處。設(shè)置在閃爍體18的側(cè)面處的光導(dǎo)層20的表面處的電極22是對光導(dǎo)層20施加偏壓的偏置電極，而設(shè)置在相對側(cè)表面處的電極24是收集從光導(dǎo)層20產(chǎn)生的電荷的電荷收集電極。開關(guān)器件被對應(yīng)于光電變換器件26的二維陣列地二維地布置在TFT基板16上，并且光電變換器件26的電荷收集電極24被連接至TFT基板16的對應(yīng)的開關(guān)器件28。由電荷收集電極24收集的電荷由開關(guān)器件28讀出。在TFT基板16上，多條柵極線30被設(shè)置成沿一個方向（行方向）延伸以將各個開關(guān)器件28設(shè)置成ON/OFF（接通/關(guān)斷），并且多條信號線（數(shù)據(jù)線）32被設(shè)置成沿與柵極線30垂直的方向延伸以經(jīng)由處于ON（接通）狀態(tài)下的開關(guān)器件28讀出電荷。然后，在TFT基板16的外圍中，設(shè)置分別被連接至柵極線30和信號線32的連接端子38。如圖2所示，連接端子38經(jīng)由連接電路39連接到電路基板（未示出）。電路基板包括作為外部電路的柵極線驅(qū)動器、以及電路處理單元。開關(guān)器件28通過經(jīng)由柵極線30從柵極線驅(qū)動器供應(yīng)的信號被逐線依次置于ON狀態(tài)下。然后，將由置于ON狀態(tài)下的開關(guān)器件28讀出的電荷作為電荷信號經(jīng)由信號線32傳輸，并且被輸入到信號處理單元。因此，電荷被依次逐線讀出，并且在信號處理單元中被變換成電信號以產(chǎn)生數(shù)字圖像數(shù)據(jù)。在下文中，將詳細地描述其放射線圖像面板2和閃爍體18。圖3示意性地示出放射線圖像面板2的構(gòu)成。放射線圖像面板2包括支持體11和在支持體11上形成的閃爍體18。關(guān)于支持體11，可以使用碳板、碳纖維增強塑料（CFRP）、玻璃板、石英基板、藍寶石基板或從鐵、錫、鉻、鋁等選擇的金屬片。然而，只要支持體可以允許閃爍體18形成于支持體上，則支持體并不限于上述那些。關(guān)于構(gòu)成閃爍體18的熒光材料，可以使用例如CsI:TlNaI：Tl（鉈激活碘化鈉）、CsI：Na（鈉激活碘化銫）等。從這些當(dāng)中，由于其發(fā)射光譜適合于a-Si光電二極管的光譜靈敏度的最大值（大約550nm），所以CsI:Tl是優(yōu)選的。閃爍體18被構(gòu)成為包括設(shè)置在支持體11的相對側(cè)處的柱狀部34以及設(shè)置在支持體11側(cè)處的非柱狀部36。柱狀部34和非柱狀部36被連續(xù)地形成為被分層地堆疊在支持體11上。雖然稍后將會描述細節(jié)，但是可以使用氣相沉積方法來形成。另外，雖然柱狀部34和非柱狀部36由相同的熒光材料形成，但是可以改變諸如Tl的激活劑的添加量。通過由熒光材料的晶體的柱狀生長獲得的柱狀晶體的群來形成柱狀部34。另外，存在一種情況：多個相鄰的柱狀晶體可以相互接合以便形成一個柱狀晶體。在相鄰的柱狀晶體之間存在間隙，并且因此各個柱狀晶體相互獨立地存在。由通過使熒光材料的晶體以具有相對小直徑的大體球形形狀生長獲得的球形晶體的群形成非柱狀部36。另外，在非柱狀部36中，可以包括熒光材料的非晶部分。在由球形晶體的群而形成的非柱狀部36中，晶體（可以部分地包括非晶部分）不規(guī)則地重疊，并且一些晶體可以在厚度方向或面內(nèi)方向上相互融合。因此，在晶體之間幾乎不會發(fā)生明顯間隙。放射線圖像面板2被接合到傳感器面板3，而閃爍體18的在支持體11的相對側(cè)處的表面，即，柱狀部34的各個柱狀晶體的末端，面對傳感器面板3的光電變換器件26的二維陣列。因此，在閃爍體18的放射線進入側(cè)處，布置包括柱狀晶體群的柱狀部34。因為在柱狀晶體內(nèi)的全反射由于在柱狀晶體和在晶體周圍的間隙（空氣）之間的折射率差別而被重復(fù)，所以在柱狀部34的各個柱狀晶體中產(chǎn)生的熒光被抑制擴散。然后，將熒光引導(dǎo)至面對柱狀晶體的光電變換器件26。因此，提高了圖像的清晰度。在柱狀部34的各個柱狀晶體中產(chǎn)生并且朝向傳感器面板3的相對側(cè)（即，支持體11側(cè)）的熒光朝在非柱狀部36中的傳感器面板3側(cè)被反射。這將提高熒光的使用效率，從而提高靈敏度。另外，柱狀部34的各個柱狀晶體在初始生長時是相對薄的，并且隨著晶體生長變得較厚。在非柱狀部36與柱狀部34的接合部34A處，林立著具有小直徑的柱狀晶體，并且許多相對大的間隙在晶體生長的方向上延伸，這提高了孔隙率。在一側(cè)處，非柱狀部36由具有小直徑的球形晶體或其聚合物形成，其中，各個間隙是相對小的，并且與在柱狀部34中的那些間隙相比是密集的，并且因此孔隙率是低的。由于非柱狀部36被置于支持體11與柱狀部34之間，所以提高了閃爍體18與支持體11的粘接性。因此，歸因于在支持體11與傳感器面板3的TFT基板16之間的線性膨脹差別，抵抗由翹曲或沖擊施加的應(yīng)力的抵抗力增加，并且抑制閃爍體18從支持體11剝離。圖4是示出圖3的閃爍體18的IV-IV橫截面的電子顯微鏡照片。如在圖4中能夠清楚地看到的，在柱狀部34中，柱狀晶體示出在晶體生長方向上的大體均勻的橫截面直徑，并且同樣地，伴隨柱狀晶體周圍的間隙，柱狀晶體相互獨立地存在。從光導(dǎo)效應(yīng)、機械強度、以及防止像素缺陷的觀點來看，柱狀晶體的晶體直徑優(yōu)選地是2μm或以上以及8μm或以下。當(dāng)晶體直徑太小時，存在的擔(dān)憂是，各個柱狀晶體缺乏機械強度，并且因此受到?jīng)_擊等的損壞。當(dāng)晶體直徑太大時，在各個光電變換器件26中的柱狀晶體的數(shù)量減少。因此，存在的擔(dān)憂是，當(dāng)在晶體中產(chǎn)生裂紋時，在對應(yīng)的器件中的缺陷的概率增加。在此處，晶體直徑是指沿柱狀晶體的生長方向從頂表面觀察到的晶體的最大直徑。在特定測量方法中，通過利用（掃描電子顯微鏡照相）從垂直于柱狀晶體的膜厚度方向的平面的觀察來測量柱狀直徑（晶體直徑）。當(dāng)在單次攝影時從表面觀察閃爍體時，通過允許觀察到100個至200個柱狀晶體20A的放大率（約2,000X）來執(zhí)行觀察。對于在單次攝影時所包括的所有晶體而言，采用通過測量柱狀晶體的柱狀直徑并且取其最大值的平均值而獲得的值。柱狀直徑（μm）讀取至小數(shù)點以下兩位，并且通過根據(jù)JISZ8401舍入至小數(shù)點以下一位來確定平均值。圖5是示出圖3的閃爍體18的V-V橫截面的電子顯微鏡照片。如在圖5中能夠清楚地看到的，在非柱狀部36中，由于晶體不規(guī)則地接合或相互重疊，所以不像在柱狀部34中那樣，在晶體之間的明顯間隙不被確認(rèn)。從粘接性和光反射性的觀點來看，構(gòu)成非柱狀部36的晶體的直徑優(yōu)選地是0.5μm或以上以及7.0μm或以下。當(dāng)晶體直徑太小時，存在的擔(dān)憂是，間隙更加接近于0，從而使光反射功能下降。當(dāng)晶體直徑太大時，存在的擔(dān)憂是，使平坦度下降，從而使與支持體11的粘接性下降。另外，從光反射的觀點來看，構(gòu)成非柱狀部36的晶體的形狀優(yōu)選地是大體球形。在此處，在晶體相互接合的情況下，測量晶體直徑的方法如下：連接在相鄰的晶體之間出現(xiàn)的凹進部分（凹部）的線被視為晶體之間的界線，并且所接合的晶體被分離成最小的多邊形，使得測量柱狀直徑和對應(yīng)于柱狀直徑的晶體直徑。然后，以與柱狀部34的晶體直徑相同的方式來確定并利用其平均值。在柱狀部34和非柱狀部36的厚度中，當(dāng)將柱狀部34的厚度設(shè)置成t1并且將非柱狀部36的厚度設(shè)置成t2時，（t2/t1）優(yōu)選地是0.01或以上并且0.25或以下，并且更優(yōu)選地0.02或以上并且0.1或以下。當(dāng)（t2/t1）在上述范圍內(nèi)時，可以將熒光效率、光擴散預(yù)防和光反射放置在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，從而提高靈敏度和圖像清晰度。另外，柱狀部34的厚度t1取決于放射線的能量，但是，在柱狀部中的從充分的放射線吸收和圖像清晰度的觀點來看，柱狀部34的厚度t1優(yōu)選地是200μm或以上并且700μm或以下。當(dāng)柱狀部34的厚度太小時，存在的擔(dān)憂是，放射線可能無法被充分地吸收，并且因此，使靈敏度下降。當(dāng)厚度太大時，存在的擔(dān)憂是，光擴散發(fā)生，并且因此，使圖像清晰度甚至因柱狀晶體的光導(dǎo)效應(yīng)而降低。從與支持體11的粘接性和光反射性的觀點來看，非柱狀部36的厚度優(yōu)選地是5μm或以上并且125μm或以下。當(dāng)非柱狀部36的厚度太小時，存在的擔(dān)憂是，可能無法獲得與支持體11的充分的粘接。當(dāng)厚度太大時，存在的擔(dān)憂是，使在非柱狀部36中的熒光的作用以及在非柱狀部36中通過光反射的擴散增加，從而使圖像清晰度下降。此外，在現(xiàn)有的放射線圖像面板2中，非柱狀部36的厚度分布是不均勻的。由于柱狀部34和非柱狀部36由相同的熒光材料的晶體連續(xù)地形成，所以與柱狀部34與諸如支持體11的不同的材料的接合相比，柱狀部34與非柱狀部36的接合是相對較強的。然而，柱狀部34的各個柱狀晶體關(guān)于非柱狀部36的相對小的球形晶體的晶核生長，并且在初始生長時是相對薄的，并且隨著晶體生長而變得更厚。在非柱狀部36與柱狀部34的接合部34A處，林立著具有小直徑的柱狀晶體，并且相對大的間隙沿晶體生長的方向延伸。此外，雖然各個柱狀晶體隨著生長而變厚，并且多個相鄰的柱狀晶體相互接觸，但是這些晶體并不總是相互接合（融合）。因此，存在的擔(dān)憂是，柱狀部34的接合部34A可能缺乏抵抗由沖擊等施加的應(yīng)力的抵抗力。因此，非柱狀部36具有不均勻的厚度分布，從而補償接合部34A處的應(yīng)力抵抗力。由于非柱狀部36的不均勻的厚度分布，所以接合部34A在平面方向上變得不平坦。生長在非柱狀部36的薄厚度區(qū)域處的各個柱狀晶體中，接合部34A由在其附近的密集的非柱狀部36包圍。生長在非柱狀部36的厚的厚度區(qū)域處的各個柱狀晶體的接合部34A由相鄰的柱狀晶體包圍，并且直徑變大，所述相鄰的柱狀晶體的生長在非柱狀部36的薄的厚度區(qū)域處進行。因此，可以增加抵抗諸如剪力的應(yīng)力的抵抗力，從而提高強度。從與支持體11的粘接性和光反射性的觀點來看，非柱狀部36的各個部分的厚度優(yōu)選地被分布在上述5μm或以上并且125μm或以下的范圍內(nèi)。另外，在本放射線圖像面板2中，非柱狀部36在各處具有不均勻厚度分布。然而，當(dāng)將非柱狀部36劃分成多個區(qū)域時，不均勻性（在最大厚度與最小厚度之間的差別，或在厚度分布上的偏差）在各個區(qū)域內(nèi)可以是不同的。在下文中，將示例性地描述制備上述閃爍體18的方法。閃爍體18優(yōu)選地通過氣相沉積方法直接形成在支持體11的表面上。在氣相沉積方法中，非柱狀部36和柱狀部34可以以該順序依次一體化地形成。在下文中，將示例性地描述使用CsI:Tl作為熒光材料的情況。氣相沉積方法可以根據(jù)常規(guī)方法執(zhí)行。在真空度0.01Pa至10Pa的環(huán)境下，例如通過對電阻加熱類型坩鍋施加電流來加熱并且汽化CsI:Tl，然后將支持體11的溫度調(diào)節(jié)到室溫（20°C）至300°C，以便在支持體上沉積CsI:Tl。當(dāng)通過氣相沉積方法將CsI:Tl的晶體相形成在支持體11上時，在最初階段，形成具有相對小的直徑的球形晶體或其聚合物。然后，通過改變真空度、支持體11的溫度中的至少一個條件，在非柱狀部36的形成之后，可以形成柱狀部34。也就是，在球形晶體被沉積至預(yù)定的厚度之后，通過增加真空度和/或增加支持體11的溫度，可以使柱狀晶體生長。然后，在形成非柱狀部36的步驟中，隨著真空度的變化的沉積對非柱狀部36給予不均勻厚度分布。當(dāng)改變真空度時，改變CsI:Tl的熔化狀態(tài)。然后，需要一定的時間直至熔化狀態(tài)是穩(wěn)定的。當(dāng)熔化狀態(tài)是不穩(wěn)定的時，可以連續(xù)地進行沉積，從而對非柱狀部36給予不均勻厚度分布。按照如上所述的方式可以有效且容易地制備閃爍體18。另外，根據(jù)該制備方法，存在的優(yōu)點在于，根據(jù)通過控制在閃爍體18的膜形成中的真空度或支持體溫度的設(shè)計，可以簡單地制備具有各種規(guī)格的閃爍體。如上所述，在放射線圖像面板2和包括放射線圖像面板2的放射線圖像檢測裝置1中，閃爍體18的非柱狀部36的厚度是不均勻的，并且非柱狀部36與柱狀部34的接合部34A在平面方向上是不均勻的。因此，可以提高抵抗諸如剪力的應(yīng)力的抵抗力，從而提高放射線圖像變換面板2的強度。另外，雖然在上述放射線圖像檢測裝置1中，放射線從傳感器面板3側(cè)入射，但是可以采用其中放射線從放射線圖像面板2側(cè)入射的結(jié)構(gòu)。另外，雖然在上述放射線圖像檢測裝置1中，放射線圖像面板2和傳感器面板3經(jīng)由平坦化層23和粘接層25被接合，但是在放射線圖像面板2和傳感器面板3之間的接合方法上不存在任何特別的限制。可以使放射線圖像面板2的閃爍體18和傳感器面板3的光電變換器件26的陣列光耦合，或者可以采用使得閃爍體18與光電變換器件26的陣列直接緊密接觸的方法。在這種情況下，沒必要使兩個器件的表面處于完全彼此緊密接觸。即使在閃爍體18的表面上存在不平坦，也可以使兩個器件布置在重疊狀態(tài)下的同時光耦合。當(dāng)在閃爍體18中產(chǎn)生的熒光入射在光電變換器件26的陣列上，可以實現(xiàn)本發(fā)明的效果。圖6示出上述放射線圖像面板2的修改后的示例。在本修改后的示例中，雖然非柱狀部36在各處具有不均勻的厚度分布，但是在中心區(qū)域36A中的最大厚度與最小厚度之間的差被設(shè)置成小于在周邊區(qū)域36B中的最大厚度與最小厚度之間的差。也就是，在中心區(qū)域36A中的厚度分布中的偏差被設(shè)置成小于在周邊區(qū)域36B中的厚度分布中的偏差。閃爍體18被形成為在大小上等于或大于光電變換器件26的二維陣列以便覆蓋光電變換器件26的二維陣列。同時，在光電變換器件26的二維陣列中，在中心區(qū)域（有效攝影區(qū)域）中的器件一般用于檢測放射線圖像，因為噪音可能被容易地疊加在周邊區(qū)域中的器件上。由于這個原因，使上述有效攝影區(qū)域重疊的閃爍體18的中心區(qū)域主要有助于放射線圖像的檢測。除有效攝影區(qū)域外的周邊區(qū)域的貢獻是相對低的。閃爍體18的非柱狀部36具有如上所述的光反射功能，并且在非柱狀部36的厚度中的不均勻性可能會導(dǎo)致在光反射中的不均勻性。因此，通過減小在與上述有效攝影區(qū)域重疊的非柱狀部36的中心區(qū)域36A中的最大厚度與最小厚度之間的差，可以減小在對應(yīng)的區(qū)域中的光反射的不均勻性，從而使圖像上的沖擊下降。同時，在非柱狀部36的周邊區(qū)域36B中，對放射線圖像的檢測的貢獻如上所述是相對低的，并且因此，即使在最大厚度與最小厚度之間的差被設(shè)置成較大，也不會存在特別的問題。另外，閃爍體18的周邊區(qū)域?qū)τ陕N曲或沖擊引起的應(yīng)力敏感。因此，當(dāng)在非柱狀部36的周邊區(qū)域36B中的最大厚度與最小厚度之間的差被設(shè)置成較大時，可以確保抵抗在柱狀部34與非柱狀部36之間的接合部上引起的應(yīng)力的抵抗力。此外，在非柱狀部36的中心區(qū)域36A中的厚度分布可以是均勻的，這可以使得在中心區(qū)域34A中的光反射均勻化，從而進一步減小在檢測到的圖像上的沖擊。另外，均勻厚度分布指示在最大厚度與最小厚度之間的差小于5μm。在非柱狀部36的中心區(qū)域36A中的厚度分布或均勻厚度分布上具有小偏差的閃爍體18可以通過利用真空度的變化沉積CsI:Tl的晶體而制備，并且在真空度的變化周期的至少一部分期間，在形成非柱狀部36的步驟中，利用擋板進一步覆蓋包含CsI:Tl熔化物的坩鍋的開口的中心。如上所述，CsI:Tl的熔化狀態(tài)隨著真空度的改變而改變。當(dāng)熔化狀態(tài)是不穩(wěn)定的時，可以連續(xù)地執(zhí)行沉積，從而提供不均勻厚度分布。這時，當(dāng)利用擋板覆蓋對應(yīng)于非柱狀部36的中心區(qū)域36A的坩鍋的開口的中心時，晶體在中心區(qū)域36A中幾乎不會被沉積。因此，使得在中心區(qū)域36A中的厚度分布中的偏差縮小或厚度分布變得均勻。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的放射線圖像檢測裝置的視圖。此外，與在上述放射線圖像檢測裝置1中的那些部件相同的部件將由相同的附圖標(biāo)記表示，并且將省略或簡化它們的描述。在圖7所示的放射線圖像檢測裝置101中，放射線圖像面板102的閃爍體118直接形成在設(shè)置有光電變換器件26的二維陣列的傳感器面板3的表面上。也就是，使用傳感器面板3作為閃爍體118的支持體。閃爍體118包括柱狀部134和非柱狀部136，并且在傳感器面板3的表面上，非柱狀部136和柱狀部134被依次連續(xù)地形成為分層地堆疊。由于在傳感器面板3和柱狀部134之間插入非柱狀部136，所以提高了閃爍體118與傳感器面板3的粘接性，并且因此防止閃爍體118從傳感器面板3上剝離。非柱狀部136具有不均勻厚度分布，并且因此，提高了抵抗在柱狀部134和非柱狀部136之間的接合部上引起的諸如剪切力的應(yīng)力的抵抗力，從而提高了強度?？梢圆捎蒙鲜鰵庀喑练e方法來將柱狀部134和非柱狀部136形成在傳感器面板3的表面上。另外，在本放射線圖像檢測裝置101中，在閃爍體118的柱狀部134與傳感器面板3的光電變換器件26的二維陣列之間插入閃爍體118的非柱狀部136。在這種情況下，存在的擔(dān)憂是，在非柱狀部136中的光反射可以抑制在柱狀部134的各個柱狀晶體產(chǎn)生的熒光被入射到對應(yīng)的光電變換器件26上。因此，非柱狀部136的厚度在允許與將被固定的傳感器面板3的粘接性的范圍內(nèi)優(yōu)選地是小的。各個上述放射線圖像檢測裝置可以檢測具有高靈敏度和高清晰度的放射線圖像，并且因此在被嵌入在需要在低放射線曝光劑量下檢測清晰圖像的各種設(shè)備內(nèi)的同時被使用，包括諸如乳房X射線攝影的醫(yī)療診斷用X射線攝影器件。例如，該器件具有寬的應(yīng)用范圍，因為它可以被用作用于非破壞性試驗的工業(yè)使用的X射線攝影器件或用作用于檢測除電磁波以外的微粒束（α射線、β射線、γ射線）的器件。在下文中，將描述可以用于構(gòu)成傳感器面板3的相應(yīng)的部件的材料。光電變換器件雖然諸如無定形硅的無機半導(dǎo)體材料被常常用作上述的光電變換器件26的光導(dǎo)層20（參考圖1），但是能夠使用在JP-A-2009-32854中公開的任何OPC（有機光電變換）材料。能夠?qū)⒂蒓PC材料形成的膜（在下文中被稱為OPC膜）用作光導(dǎo)層20。OPC膜包含有機光電變換材料，該有機光電變換材料吸收發(fā)自閃爍體的光并且生成對應(yīng)于吸收的光的電荷。因此，包含有機光電變換材料的OPC膜具有在可見光范圍內(nèi)的窄吸收光譜。不同于由閃爍體射出的光的電磁波難以被OPC膜吸收。因此，能夠有效地抑制由OPC膜吸收的由諸如X射線的放射線產(chǎn)生的噪音。優(yōu)選形成OPC膜的有機光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長更接近閃爍體發(fā)出的光的峰值波長，以更加有效地吸收閃爍體發(fā)出的光。理想地，有機光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長與閃爍體發(fā)出的光的峰值波長一致。然而，如果有機光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長與閃爍體發(fā)出的光的峰值波長之間的差值小，則可以令人滿意地吸收閃爍體發(fā)出的光。具體地，有機光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長與由閃爍體響應(yīng)于放射線發(fā)出的光的峰值波長之間的差值優(yōu)選不大于10nm，更優(yōu)選不大于5nm。能夠滿足這種條件的有機光電轉(zhuǎn)換材料的示例包括基于亞芳基的有機化合物、基于喹吖啶酮的有機化合物和基于酞菁的有機化合物。例如，喹吖啶酮在可見光范圍內(nèi)的吸收峰值波長是560nm。因此，當(dāng)喹吖啶酮被用作有機光電變換材料，并且CsI（T1）被用作閃爍體材料時，能夠?qū)⒎逯挡ㄩL的上述差值設(shè)定在5nm內(nèi)，從而基本上可以將OPC膜中產(chǎn)生的電荷量增加到最大值。設(shè)置在偏置電極22與電荷集電極24之間的有機層的至少一部分能夠由OPC膜形成。更具體地，有機層能夠由用于吸收電磁波的部分、光電變換部、電子傳輸部、電子空穴傳輸部、電子阻擋部、電子空穴阻擋部、結(jié)晶化阻止部、電極、層間接觸提高部等的堆或混合體形成。優(yōu)選地，有機層包含有機p型化合物或有機n型化合物。有機p型半導(dǎo)體（化合物）是主要由電子空穴傳輸有機化合物代表的施主型有機半導(dǎo)體（化合物），意指具有容易供予電子的特性的有機化合物。更加詳細地，彼此接觸使用的兩種有機材料中，具有較低電離勢的一者被稱為施主型有機化合物。因此，任何有機化合物可以被用作施主型有機化合物，只要該有機化合物具有供予電子的特性。能夠使用的施主型有機化合物的示例包括三芳胺化合物、聯(lián)苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯乙烯胺化合物、腙化合物、三苯甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、花青化合物、部花青化合物、氧雜菁化合物、聚胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳醚化合物、稠合芳香碳環(huán)化合物（萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、苝衍生物、熒蒽衍生物）、具有含氮雜環(huán)化合物作為配體的金屬絡(luò)合物等。施主型有機半導(dǎo)體不限于此，但是具有比用作n型（受主型）化合物的有機化合物低的電離勢的任何有機化合物可以被用作施主型有機半導(dǎo)體。n型有機半導(dǎo)體（化合物）是主要由電子傳輸有機化合物代表的受主型有機半導(dǎo)體（化合物），是指具有容易接收電子的特性的有機化合物。更具體地，當(dāng)彼此接觸地使用兩種有機化合物時，兩種有機化合物中具有較高電子親和力的一種有機化合物是受主型有機化合物。因此，任何有機化合物可以被用作受主型有機化合物，只要該有機化合物具有接收電子的特性。其示例包括稠合芳香碳環(huán)化合物（萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、苝衍生物、熒蒽衍生物）、包含氮原子、氧原子或硫原子的5至7元雜環(huán)化合物（例如，吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪，三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、異喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、鄰二氮雜菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并噠嗪、三唑并嘧啶、四氮雜茚、二唑、咪唑并吡啶、吡咯烷、吡咯并吡啶、噻二唑并吡啶、二苯并吖庚因、三苯并吖庚因等）、聚芳撐化合物、芴化合物、環(huán)戊二烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮雜環(huán)化合物作為配體的金屬絡(luò)合物。受體類型有機半導(dǎo)體并不限制于此。具有高于用作施主型有機化合物的有機化合物的電子親和力的任何有機化合物可以被用作受主型有機半導(dǎo)體。關(guān)于p型有機染料或n型有機染料，可以使用任何已知染料。其優(yōu)選的示例包括花菁染料、苯乙烯染料、半花菁染料、部花菁染料（包括零次甲基部花菁（簡單的部花菁））、三核部花菁染料、四核部花菁染料、羅丹花菁（rhodacyanine）染料、復(fù)合花菁染料、復(fù)合部花菁染料、alopolar染料、氧雜菁染料、半氧雜菁（hemioxonol）染料、方酸染料、克酮酸染料、氮雜次甲基染料、香豆素染料、亞芳基染料、蒽醌染料、三苯甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲堿染料、螺環(huán)化合物、金屬茂染料、芴酮染料、flugide染料、苝染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛藍染料、二苯甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、二苯胺染料、喹吖啶酮染料、喹酞酮染料、吩嗪染料、酞苝（phthaloperylene）染料，卟啉染料，葉綠素染料、酞菁染料、金屬絡(luò)合物染料和稠合芳香碳環(huán)染料（萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、苝衍生物、熒蒽衍生物）?？梢詢?yōu)選地使用在一對電極之間具有p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層的光電轉(zhuǎn)換膜（光敏層），該p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體中的至少一個是有機半導(dǎo)體，并且其中，將包括該p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層設(shè)置為在那些半導(dǎo)體層之間的中間層。在該光電轉(zhuǎn)換膜中包括的本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層可以彌補有機層的載流子擴散長度短的缺陷。因此，可以提高光電轉(zhuǎn)換效率。在JP-A-2005-303266中詳細描述了該本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，考慮到來自熒光體層的光的吸收，光電轉(zhuǎn)換膜較厚。考慮到對于電荷的分離做出任何貢獻的比率，光電轉(zhuǎn)換膜優(yōu)選不薄于30nm且不厚于300nm，更優(yōu)選不薄于50nm且不厚于250nm，特別優(yōu)選不薄于80nm且不厚于200nm。至于關(guān)于上述OPC膜的任何其它構(gòu)成，例如，參考JP-A-2009-32854中的描述。開關(guān)器件雖然諸如無定形硅的無機半導(dǎo)體材料常常被用作開關(guān)器件28的有源層，但是可以使用例如如在JP-A-2009-212389中公開的有機材料。有機TFT可以具有任何類型的結(jié)構(gòu)，但場效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)構(gòu)是最優(yōu)選的。在FET結(jié)構(gòu)中，柵電極部分地設(shè)置在絕緣基板的上表面。絕緣體層被設(shè)置以覆蓋電極并且在除電極以外的另一個部分中接觸基板。此外，半導(dǎo)體有源層設(shè)置在絕緣體層的上表面上，并且透明的源極和透明的漏極部分地布置在半導(dǎo)體有源層的上表面上并且彼此相距一定的距離。該構(gòu)成被稱為頂部接觸類型器件。優(yōu)選地，也可以使用其中源極和漏極布置在半導(dǎo)體有源層下方的底部接觸類型器件。此外，可以使用其中載流子在有機半導(dǎo)體薄膜的厚度方向上流動的縱向晶體管結(jié)構(gòu)。（有源層）本文提及的有機半導(dǎo)體材料是示出作為半導(dǎo)體的屬性的有機材料。有機半導(dǎo)體材料的示例包括傳導(dǎo)作為載流子的電子空穴（空穴）的p型有機半導(dǎo)體材料（或簡單地被稱為p型材料或稱為電子空穴傳輸材料）和傳導(dǎo)作為載流子的電子的n型有機半導(dǎo)體材料（或簡單地被稱為n型材料或稱為電極傳輸材料），類似于由無機材料形成的半導(dǎo)體。有機半導(dǎo)體材料的許多p型材料一般表現(xiàn)出良好的屬性。此外，p型晶體管作為在大氣下的晶體管在操作穩(wěn)定性上一般是優(yōu)良的。在此處，將在此處對p型有機半導(dǎo)體材料作出描述。有機薄膜晶體管的屬性之一是載流子遷移率（也被簡稱為遷移率）μ，μ指示在有機半導(dǎo)體層中的載流子的遷移率。盡管優(yōu)選的遷移率根據(jù)應(yīng)用改變，但是通常優(yōu)選較高的遷移率。遷移率優(yōu)選不低于1.0*10-7cm2/Vs，更優(yōu)選不低于1.0*10-6cm2/Vs，進一步優(yōu)選不低于1.0*10-5cm2/Vs。當(dāng)制造場效應(yīng)晶體管（FET）器件時，可以通過屬性或TOF（飛行時間）測量來獲得遷移率。p型有機半導(dǎo)體材料可以是低分子量材料或高分子量材料，但是優(yōu)選是低分子量材料。因為下述原因，許多低分子量材料通常示出優(yōu)異的屬性：因為可以對其應(yīng)用各種精制處理例如升華精制、重結(jié)晶、柱色譜法等而易得高度純化，或者由于因為低分子量材料具有固定的分子結(jié)構(gòu)而易于形成高度有序的晶體結(jié)構(gòu)。低分子量材料的分子量優(yōu)選不低于100且不高于5,000，更優(yōu)選不低于150且不高于3,000，進一步優(yōu)選不低于200且不高于2,000。關(guān)于這樣的p型有機半導(dǎo)體材料，作為示例，可以使用酞青化合物或萘酞菁化合物。其特定示例列舉如下。另外，M表示金屬原子，Bu表示丁基，Pr表示丙基，Et表示乙基，并且Ph表示苯基?；瘜W(xué)品1化合物1至15化合物16至20化合物MRnR’R”1SiOSi（n-Bu）32HH2SiOSi（i-Pr）32HH3SiOSi（OEt）32HH4SiOSiPh32HH5SiO（n-C8H17）2HH7GeOSi（n-Bu）32HH8SnOSi（n-Bu）32HH9AlOSi（n-C6H13）31HH10GaOSi（n-C6H13）31HH11Cu--O（n-Bu）H12Ni--O（n-Bu）H13Zn--Ht-Bu14V=O--Ht-Bu15H2--Ht-Bu16SiOSiEt32--17GeOSiEt32--18SnOSiEt32--19AlOSiEt31--20GaOSiEt31--（不同于有源層的開關(guān)器件組成部件）在構(gòu)成柵電極、源極、或漏極的材料上不存在特定的限制，只要它具有所需的傳導(dǎo)性即可。然而，其示例可以包括：透明的導(dǎo)電氧化物，諸如ITO（銦摻雜氧化錫）、IZO（銦摻雜氧化鋅）、SnO2、ATO（銻摻雜氧化錫）、ZnO、AZO（鋁摻雜氧化鋅）、GZO（鎵摻雜氧化鋅）、TiO2、或FTO（氟摻雜氧化錫）；透明的導(dǎo)電聚合物，諸如PEDOT/PSS。在用于絕緣層的材料上不存在特定的限制，只要它具有所需的絕緣效果即可。其示例可以包括：無機材料，諸如二氧化硅、氮化硅、或氧化鋁；有機材料，諸如聚酯（例如，PEN（聚乙烯奈）、PET（聚對苯二甲酸乙二醇酯））、聚碳酸脂、聚酰亞胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂、聚對二甲苯樹脂、酚醛清漆樹脂、PVA（聚乙烯醇）、PS（聚苯乙烯）。這些絕緣膜材料可以是由例如真空蒸發(fā)法、濺射方法、或溶液涂覆方法形成的膜。關(guān)于上述有機TFT的其它構(gòu)成可以參考日本專利申請?zhí)亻_No.2009-212389的說明書。另外，在開關(guān)器件23的有源層中，例如，可以使用在日本專利申請?zhí)亻_No.2010-186860中描述的無定形氧化物。在下文中，將描述包含被包括在日本專利申請?zhí)亻_No.2010-186860中描述的場效應(yīng)晶體管（FET）中的無定形氧化物的有源層。有源層充當(dāng)FET的通道層，允許電子或空穴移動。有源層被構(gòu)成為包括無定形氧化物半導(dǎo)體。無定形氧化物半導(dǎo)體可以是在低溫下形成的膜，并且因此，可以被適當(dāng)?shù)匦纬稍谌嵝曰迳?。在有源層中使用的無定形氧化物半導(dǎo)體可以優(yōu)選地是包括從包括In、Sn、Zn、和Cd的組選擇的至少一種元素的無定形氧化物，更優(yōu)選地包括從包括In、Sn、和Zn的組選擇的至少一種的無定形氧化物，并且進一步更優(yōu)選地，包括從包括In和Zn的組選擇的至少一種的無定形氧化物。在有源層中使用的無定形氧化物的示例具體地可以包括In2O3、ZnO、SnO2、CdO、銦鋅氧化物（IZO）、銦錫氧化物（ITO）、鎵鋅氧化物（GZO）、銦鎵氧化物（IGO）、或銦鎵鋅氧化物（IGZO）。關(guān)于有源層的膜形成方法，可以優(yōu)選地將相膜形成方法結(jié)合氧化物半導(dǎo)體的多晶體燒結(jié)體使用。在氣相膜形成方法當(dāng)中，濺射方法、或脈沖激光沉積方法（PLD方法）是適當(dāng)?shù)?。此外，從批量生產(chǎn)的觀點來看，濺射方法是優(yōu)選的。例如，在真空度和氧流率受到控制的情況下，可以通過RF磁控管濺射蒸發(fā)法來執(zhí)行膜形成。膜形成的有源層被確定為是通過已知X射線衍射法形成的非晶體膜。有源層的組成比可以通過RBS（盧瑟福反向散射）分析方法來獲得。此外，有源層的導(dǎo)電性優(yōu)選地是10-4Scm-1或以上小于102Scm-1，并且更優(yōu)選地10-1Scm-1或以上小于102Scm-1。調(diào)節(jié)有源層的導(dǎo)電性的方法可以包括諸如根據(jù)氧缺陷的調(diào)節(jié)方法、根據(jù)組成比的調(diào)節(jié)方法、根據(jù)雜質(zhì)的調(diào)節(jié)方法、和根據(jù)氧化物半導(dǎo)體材料的調(diào)節(jié)方法的調(diào)節(jié)方法的已知方法。關(guān)上述無定形氧化物的其它構(gòu)成可以參考日本專利申請?zhí)亻_No.2010-186860的說明書。絕緣性基板只要具有要求的平滑度，對基板沒有特別的限制?；宓氖纠úＡ?、石英、光透射塑料膜等。光透射塑料膜的示例包括由聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚砜（PES）、聚醚酰亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚烯丙基化物（polyalylate）、聚酰亞胺、聚碳酸酯（PC）、三醋酸纖維素（TAC）、醋酸丙酸纖維素（CAP）等制得的膜等?？梢哉J(rèn)為，優(yōu)選地使用具有諸如在現(xiàn)有玻璃或塑料中無法獲得的靈活性、低熱膨脹性和高強度的性質(zhì)的芳族聚酰胺、生物納米纖維等來形成柔性基板。（芳族聚酰胺）芳族聚酰胺材料具有示出315℃的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的高耐熱性，示出10GPa的楊氏模量的高硬度以及示出-3至5ppm/℃的熱膨脹系數(shù)的高尺寸穩(wěn)定性。因此，與使用一般樹脂膜的情況相比，當(dāng)使用由芳族聚酰胺制成的膜時，可以容易地形成半導(dǎo)體層的高質(zhì)量膜。另外，由于芳族聚酰胺材料的高耐熱性，電極材料能夠在高溫固化以具有低電阻。此外，還可以對IC的自動安裝進行處理，包括焊料回流步驟。此外，由于芳族聚酰胺材料具有接近ITO（銦錫氧化物）的熱膨脹系數(shù)，因此氣體阻擋膜或玻璃基板，制造后的翹曲較小。另外，破裂很少出現(xiàn)。在此，考慮到減少環(huán)境負(fù)荷，優(yōu)選的是使用不包含鹵素的無鹵素（符合JPCA-ES01-2003的要求）芳族聚酰胺材料。可以使用玻璃基板或PET基板層疊芳族聚酰胺膜，或者可以將芳族聚酰胺膜粘貼到器件的殼體。芳族聚酰胺的高分子間凝聚力（氫鍵結(jié)合力）導(dǎo)致對于溶劑的低溶解性。當(dāng)通過分子設(shè)計解決低溶解性問題時，可以優(yōu)選使用容易形成為無色和透明薄膜的芳族聚酰胺材料。由于用于控制單體單元的秩序性和在芳環(huán)上的取代基和位置的分子設(shè)計，可以使用被保持為具有高度線性的桿狀形狀的分子結(jié)構(gòu)來獲得具有良好溶解性的容易形成，所述高度線性導(dǎo)致芳族聚酰胺材料的高硬度或尺寸穩(wěn)定性。由于該分子設(shè)計，也可以實現(xiàn)無鹵素。另外，可以優(yōu)選使用具有在膜的平面內(nèi)方向上的優(yōu)化特性的芳族聚酰胺材料。根據(jù)在模鑄期間持續(xù)改變的芳族聚酰胺膜的強度在溶液模鑄、垂直拉伸和水平拉伸的每一個步驟中控制張力條件。由于張力條件的控制，可以平衡具有桿狀分子結(jié)構(gòu)的芳族聚酰胺膜的平面中特性，所述桿狀分子結(jié)構(gòu)具有高度線性，高度線性導(dǎo)致容易出現(xiàn)各向異性物質(zhì)性。具體地，在溶液模鑄步驟中，控制溶劑的干燥速度，以使平面內(nèi)厚度方向物質(zhì)性為各向同性，且優(yōu)化包括溶劑的膜的強度和從模鑄鼓的剝離強度。在垂直拉伸步驟中，根據(jù)在拉伸期間持續(xù)改變的膜強度以及溶劑的殘余量，精確地控制拉伸條件。在水平拉伸中，根據(jù)由于加熱導(dǎo)致改變的膜強度變化來控制水平拉伸條件，且控制水平拉伸條件以釋放膜的殘余壓力。通過使用這種芳族聚酰胺材料，可以解決模鑄后的芳族聚酰胺膜的問題。在用于容易模鑄的構(gòu)思和用于平衡膜平面中特性的構(gòu)思中的每一個中，可以保持芳族聚酰胺特有的高線性的桿狀分子結(jié)構(gòu)，以保持低的熱膨脹系數(shù)。當(dāng)改變膜形成期間的拉伸條件時，可以進一步減小熱膨脹系數(shù)。（生物納米纖維）相對于光波長而言相當(dāng)小的部件不產(chǎn)生光的散射。因此，納米纖維可以被用作用于透明柔性樹脂材料的支持體。并且，關(guān)于納米纖維，優(yōu)選地能夠使用細菌纖維素和透明樹脂的復(fù)合材料（有時被稱為生物納米纖維）。通過細菌（木醋酸菌）產(chǎn)生細菌纖維素。細菌纖維素具有50nm的纖維素微纖絲束寬度，大約為可見光波長的1/10。另外，細菌纖維素的特征是高強度、高彈性和低熱膨脹。當(dāng)細菌纖維素片用例如丙烯酸樹脂或環(huán)氧樹脂的透明樹脂浸透且被硬化時，可以獲得透明生物納米纖維，該透明生物納米纖維在具有大約60至70%的高纖維比的同時示出在500nm的波長中大約90%的透光率。通過該生物納米纖維，可以獲得與硅晶體一樣低的熱膨脹系數(shù)（大約3至7ppm），與鋼一樣高的強度（大約460MPa）以及高彈性（大約30GPa）。對于關(guān)于上述生物納米纖維的構(gòu)成，例如，參考在JP-A-2008-34556中的說明。平坦化層和粘合層在平坦化層23和作為允許閃爍體18和光電變換器件26光耦合的樹脂層的粘合層25上不存在特定的限制，只要它允許閃爍體18的熒光無衰減地到達光電變換器件26即可。作為平坦化層，可以使用諸如聚酰亞胺或聚對二甲苯的樹脂，并且具有良好的膜形成性質(zhì)的聚酰亞胺是優(yōu)選的。關(guān)于粘合層25，例如，可以使用熱塑性樹脂、UV可固化粘合劑、熱固化粘合劑、室溫固化粘合劑、雙面粘合劑片。然而，從不降低圖像的清晰度的觀點來看，優(yōu)選使用由低粘性環(huán)氧樹脂制成粘合劑，因為就器件大小而言，所述粘合劑可以形成充分薄的粘合層。在下文中，將描述制造放射線圖像檢測裝置的特定示例，但是本發(fā)明并不限于這些制造示例。制造示例1放射線圖像變換面板的制造作為支持體11，制備用于液晶（0.7mm厚度）的無堿玻璃基板。首先，利用Ar等離子體對支持體11進行表面處理以便改善與閃爍體的粘接。另外，將經(jīng)表面處理的支持體放置在閃爍體的膜形成的真空室中。該真空室設(shè)置有多個坩堝以便獨立地加熱原料的CsI和Tl中的每一者。在對室進行排空之后，通過使預(yù)定量的Ar流入將器件的真空度設(shè)置為0.75Pa。在當(dāng)通過加熱原料坩堝使原料的狀態(tài)穩(wěn)定時的時間點，通過真空器件的器件機構(gòu)使支持體同中心地旋轉(zhuǎn)。打開擋板開始非柱狀部36的氣相沉積。在該條件下，執(zhí)行膜制備。在當(dāng)非柱部的厚度t2變?yōu)?μm時的時間點，真空度增加到1Pa以開始柱狀部的氣相沉積。當(dāng)改變真空度時，原料的熔化狀態(tài)改變。因此，在繼續(xù)氣相沉積之前，關(guān)閉擋板。然后，當(dāng)確定融化狀態(tài)是穩(wěn)定的時，再次打開擋板。在當(dāng)狀態(tài)部34的厚度t1變成500μm時的時間點，停止加熱原料坩堝。通過真空器件的吸入通過氣相沉積將包括非柱狀部36和柱狀部34的閃爍體形成在支持體上。2.對閃爍體的性質(zhì)的試驗2-1.非柱狀部的厚度t2和柱狀部的厚度t1的測量使閃爍體18的任何部分?jǐn)嗔眩⑶彝ㄟ^SEM在柱狀晶體的生長方向上觀察該任何部分，以便測量柱狀部34和非柱狀部36的膜厚度。作為膜厚度值，使用在提取部分處隨機地選擇的10個位置處測量的值的平均值。另外，在Au的濺射至約之后執(zhí)行SEM觀察，因為CsI具有非傳導(dǎo)性。2-2.晶體直徑的測量使閃爍體18的一部分從支持體11剝離，并且通過SEM在垂直于柱狀晶體的生長方向的平面內(nèi)觀察該一部分，以便測量柱狀直徑（柱狀晶體的橫截面直徑）。當(dāng)在單次攝影時從表面（與）觀察閃爍體時，以允許觀察到100個至200個柱狀晶體的放大率（約2,000X）來執(zhí)行觀察。然后，對于在單次攝影時所包括的所有晶體而言，采用通過測量晶體直徑的最大值并且取所述最大值的平均值而獲得的值。另外，在晶體像在非柱狀部36中那樣相互接合的情況下，連接在相鄰的晶體之間出現(xiàn)的凹進部分（凹部）的線被認(rèn)為是晶體之間的晶界，并且將接合的晶體分離成最小的多邊形以便測量晶體直徑。柱狀直徑（μm）讀取至小數(shù)點以下兩位，并且通過根據(jù)JISZ8401舍入至小數(shù)點以下一位來確定平均值。當(dāng)難以從支持體11剝離閃爍體18時，沿柱狀晶體的生長方向在離支持體11約100um的位置處垂直地切割閃爍體18。然后，進行對Ar離子的蝕刻直至允許觀察到被粘接在支持體11上的CsI晶體的界面形狀的距離，然后從蝕刻平面執(zhí)行觀察。由于CsI是不導(dǎo)電的，所以在濺射Au至約之后執(zhí)行SEM觀察。3.放射線圖像檢測裝置的制造傳感器面板3是準(zhǔn)備，和表面上其，低的粘性環(huán)氧樹脂膠（由HUNTSMAN公司制造，Araldite2020）稀釋，溶劑是施加通過作繭-涂覆使得厚度之后溶劑蒸發(fā)可以是15μm。然后，形成粘合層25。在形成在傳感器面板3上的粘合層25面對閃爍體18的柱狀部34側(cè)之后，將放射線圖像變換面板2通過加熱經(jīng)由粘合層25接合到傳感器面板3。然后，在傳感器面板3的終端單元上，用于驅(qū)動TFT的電路基板和用于讀出電荷的集成電路IC通過連接至被設(shè)計用于控制驅(qū)動和AD轉(zhuǎn)換的電路基板的各向異性的導(dǎo)電膜粘接，以便提供制造示例1的放射線圖像檢測裝置。放射線被設(shè)置成從傳感器面板3側(cè)入射，并且放射線圖像通過控制用于掃描的經(jīng)由電纜連接至放射線圖像檢測裝置1的PC而讀出。制造示例2至6除通過在0.75Pa的真空度時改變氣相沉積時間如表1中所列舉的那樣來調(diào)節(jié)非柱狀部36的膜厚度，與以制造示例1中描述的相同的方式來制造示例2至6中的放射線圖像檢測裝置。制造示例7至11除在非柱狀部36的膜形成中，如在表1中列舉的那樣改變真空度并且在表1中列舉的那樣調(diào)節(jié)非柱狀部36中的晶體直徑之外，以與制造示例1中描述的相同的方式來制造示例7至11中的放射線圖像檢測裝置。制造示例12作為支持體，代替在制造示例1中使用的玻璃基板，使用具有通過濕法腐蝕的以5μm節(jié)距約5μm的高度的不平坦度形成的表面的玻璃基板。然后，以與制造示例1中描述的相同的方式制造在制造示例12中的放射線圖像檢測裝置，除在閃爍體18的形成中，將柱狀部直接氣相沉積在支持體上，而無非柱狀部的氣相沉積。制造示例13代替在制造示例3中作為支持體的玻璃基板，在制造示例3的相同的條件下，閃爍體18是直接形成在傳感器面板3的表面上的膜。在本實施例中，在傳感器面板3附近，首先形成非柱狀部36，然后形成柱狀部34，但是不執(zhí)行通過熱固性粘結(jié)劑的接合。除此之外，以與制造示例3中描述的相同的方式執(zhí)行處理。4.關(guān)于放射線圖像檢測裝置的性質(zhì)的試驗4-1.靈敏度使用X-射線作為放射線。在X射線的照射時，通過電路驅(qū)動傳感器面板3以便讀出在各個光電變換器件26中由閃爍光產(chǎn)生的電荷。然后，產(chǎn)生的電荷量在通過電荷放大器放大之后通過AD轉(zhuǎn)換來計算。預(yù)先測量在不照射X射線時讀出的電荷量（檢測系統(tǒng)的噪音），并且將從在照射X射線時產(chǎn)生的電荷量減去在不照射X射線時讀出的電荷量所獲得的值設(shè)置為靈敏度。在表1中列出結(jié)果。另外，該值由關(guān)于在制造示例12中的100的靈敏度而言的相對值指示。4-2.MTF（調(diào)制傳遞函數(shù)）根據(jù)IEC標(biāo)準(zhǔn)，計算通過拍攝由W（鎢）制成的MTF邊緣而獲得的邊緣圖像來獲得MTF曲線。在表1中列出結(jié)果。另外，與2周/mm的值相比，該值由關(guān)于在制造示例12中的100的值的相對值指示。4-3.總體確定使用靈敏度和MTF的試驗結(jié)果的乘積作為指標(biāo)，以便確定放射線圖像檢測裝置的性能。靈敏度和MTF的乘積優(yōu)選地是120或以上，因為在圖像的感官評價中可以顯著地識別在性能上的差別。表1如在表1中清楚地列出的，可以看到的是，與在制造示例12中具有僅包括柱狀部34的閃爍體18的放射線圖像檢測裝置相比，在制造示例至11中的放射線圖像檢測裝置具有更高的靈敏度并且還可以抑制諸如圖像模糊的圖像劣化，以便實現(xiàn)所獲得的圖像的高清晰度。另外，通過制造示例1至11，可以看到的是，當(dāng)非柱狀部36的厚度t2與柱狀部34的厚度t1的比率t2/t1在優(yōu)選的范圍內(nèi)，并且非柱狀部36的晶體直徑在優(yōu)選的范圍內(nèi)，可以尤其實現(xiàn)良好的靈敏度，并且可以抑制圖像模糊。如上所述，本說明書公開了設(shè)置有包含通過放射線曝光發(fā)出熒光的熒光物質(zhì)的熒光體的放射線圖像變換面板，其中，所述熒光體包括柱狀部和非柱狀部，所述柱狀部由通過所述熒光物質(zhì)的晶體的柱狀生長而獲得的柱狀晶體的群形成，所述柱狀部和所述非柱狀部被一體化地形成以在所述柱狀晶體的晶體生長方向上重疊，并且所述非柱狀部沿著所述晶體生長方向的厚度在所述非柱狀部的至少一部分的區(qū)域中是不均勻的。并且，在本說明書中公開的放射線圖像變換面板中，在所述非柱狀部的中心區(qū)域中的最大厚度與最小厚度之間的差小于在所述非柱狀部的周邊區(qū)域中的最大厚度與最小厚度之間的差。并且，在本說明書中公開的放射線圖像變換面板中，所述非柱狀部的中心區(qū)域中的厚度分布的偏差小于所述非柱狀部的周邊區(qū)域中的厚度分布的偏差。并且，在本說明書中公開的放射線圖像變換面板中，所述非柱狀部的厚度僅在周邊區(qū)域中是不均勻的。并且，在本說明書中公開的放射線圖像變換面板中，所述非柱狀部的厚度分布在5μm或以上且125μm或以下的范圍內(nèi)。并且，在本說明書中公開的放射線圖像變換面板中，所述非柱狀部被形成為包括通過使熒光物質(zhì)的晶體以大致球形生長而獲得的球形晶體的群，其中，所述球形晶體的群的至少一部分在面內(nèi)方向上被融合。并且，本發(fā)明公開了制造的上述放射線圖像變換面板的方法，其中，所述非柱狀部和所述柱狀部通過氣相沉積方法將熒光物質(zhì)的晶體沉積在支持體上而以該順序形成于支持體上，其中，當(dāng)所述非柱狀部被形成時，所述熒光物質(zhì)的晶體通過改變真空度而沉積在所述支持體上。并且，本說明書公開了設(shè)置有上述放射線圖像變換面板和傳感器面板的放射線圖像檢測裝置，所述傳感器面板檢測從所述放射線圖像變換面板產(chǎn)生的熒光并且將所述熒光變換成電信號。并且，在本說明書中公開的放射線圖像檢測裝置中，所述放射線圖像變換面板和所述傳感器面板彼此接合，使得所述熒光體的所述柱狀部側(cè)的表面面對所述傳感器面板。并且，在本說明書中公開的放射線圖像檢測裝置具有在所述傳感器面板側(cè)處的放射線進入表面。并且，在本說明書中公開的放射線圖像檢測裝置具有在所述放射線圖像變換面板側(cè)處的放射線進入表面。已經(jīng)參照特定示例性實施例詳細地描述了本發(fā)明。然而，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以是以做出各種改變和修改。本申請是基于2010年12月27日提交的日本專利申請No.2010-291390，該專利的內(nèi)容通過引用被包含在此。工業(yè)實用性本發(fā)明可以以高靈敏度和高清晰度檢測放射線圖像，并且因此，本發(fā)明在被嵌入在需要在低放射線照射劑量下檢測清晰圖像的各種設(shè)備內(nèi)的同時被使用，包括諸如乳房X射線攝影的醫(yī)療診斷用X射線攝影器件。例如，器件具有寬的應(yīng)用范圍，因為它可以被用作用于非破壞性測試的工業(yè)使用的X射線攝影器件或用作用于檢測除電磁波以外的微粒束（α射線、β射線、γ射線）的器件。附圖標(biāo)記清單1：放射線圖像檢測裝置2：放射線圖像變換面板3：傳感器面板11：支持體16：TFT基板18：閃爍體20：光導(dǎo)層22：電極23：平坦化層24：電極25：粘合層26：光電變換器件28；開關(guān)器件30：柵極線32：信號線34：柱狀部36：非柱狀部38：連接端子