硒化鎘多足納米晶體的制備方法
【專利摘要】描述了非熱注射合成半導體納米晶體的方法。例如，多足硒化鎘納米晶體可以通過包括以下的方法制備：將經(jīng)脫氣的在非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的混合物從室溫左右加熱到約210℃，其中所述多足硒化鎘納米晶體可以是四足硒化鎘納米晶體。
【專利說明】砸化鎘多足納米晶體的制備方法
【背景技術(shù)】
[0001]納米晶體的支化拓撲結(jié)構(gòu)，尤其是多足(mult1-podal)(包括三足和四足)形狀，可以潛在地引起與球形納米顆粒不同的多種有意義的機械、光學/電學以及化學特性，并因此可用于增強聚合物、組裝材料以及制造光伏器件。然而，通常采用的用于合成支化納米晶體的熱注射方法(其中將前體溶液快速地引入到加熱的有機溶劑中)難以按比例放大用于大量合成納米晶體。
[0002]發(fā)明概沭
[0003]本公開不限于所描述的特定體系、裝置和方法，因為這些可以發(fā)生變化。本說明書中所用的術(shù)語僅用于描述特定形式或?qū)嵤┓绞降哪康?，并且不意欲對本發(fā)明的范圍進行限定。盡管以“包含”各種不同組分或步驟(解釋為“包括，但不限于”的含義)的方式描述了各種不同的組合物和方法，但是所述組合物和方法也可以“基本由”所述各種不同組分和步驟“組成”或“由”所述各種不同組分和步驟“組成”，并且后者應解釋為限定了基本上封閉式的成員組。
[0004]多種方法描述了其中包含制備多足半導體納米晶體的新穎且簡單方法。在一些實施方式中，描述了制備核殼多足半導體納米晶體的方法。本文中所描述的非熱注射方法可以允許容易地按比例放大用于多足半導體納米晶體和核殼多足半導體納米晶體的工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)。
[0005]在一種實施方式中 ，制備半導體納米晶體的方法可以包括將經(jīng)脫氣的在非配位溶劑中的包含第一金屬化合物、第二金屬化合物、配體和羧酸的混合物從室溫左右加熱到約210°C，其中所述半導體納米晶體可以是多足半導體納米晶體并且可以是核殼半導體納米晶體。
[0006]在一種實施方式中，制備多足硒化鎘納米晶體的方法可以包括將經(jīng)脫氣的在非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的混合物從室溫左右加熱到約210°C，其中所述多足硒化鎘納米晶體可以是四足硒化鎘納米晶體。
[0007]在一種實施方式中，制備核殼多足納米晶體的方法可以包括將經(jīng)脫氣的在第一非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的第一混合物從室溫左右加熱到約210°C，之后加入在第二非配位溶劑中的包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅和第一胺的第二混合物、在第三非配位溶劑中的包含乙酸鋅和第二胺的第三混合物、以及部分第三胺，并且進一步在約200°C下加熱。
[0008]在一種實施方式中，制備硫化鎘納米晶體的方法可以包括將經(jīng)脫氣的在石蠟中的包含氧化鎘、硫、三辛基膦和油酸的混合物從室溫左右加熱到約210°C。
[0009]在一種實施方式中，制備碲化鎘納米晶體的方法可包括將經(jīng)脫氣的在石蠟中的包含氧化鎘、碲、三辛基膦和油酸的混合物從室溫左右加熱到約210°C。
[0010]在一種實施方式中，制備半導體納米晶體的試劑盒可以包含第一金屬化合物、第二金屬化合物、配體、羧酸以及第一非配位溶劑；并且可進一步包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅、第一胺、第二非配位溶劑、乙酸鋅、第二胺、第三非配位溶劑以及第三胺?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0011]圖1示意了根據(jù)實施方式的用于制備多足半導體納米晶體的示例性方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0012]本文描述了非熱注射的、克規(guī)模級合成硒化鎘多足納米晶體的方法，所述方法產(chǎn)率高并且其中采用氧化鎘和硒粉末直接作為石蠟介質(zhì)中的反應物。反應物可以為市售可得的，并且可以不需要提前制備前體儲備溶液。本文中所描述的方法可以是低成本的、可再現(xiàn)的并且可規(guī)?；摹Ｔ谖k多足納米晶體的周圍沉積硫化鋅可以制備多足硒化鎘/硫化鋅納米晶體，其可以具有最高達85%的光致發(fā)光量子產(chǎn)率。所述非熱注射法可用于大規(guī)模制備具有多足或其它形態(tài)的其它半導體納米晶體中。
[0013]在一些實施方式中，硒化鎘多足納米晶體可以通過將在石蠟溶劑中的包含氧化鎘、硒粉末、以 及少量的油酸和三辛基膦(TOP)的混合物從室溫左右加熱到約160°C至約250°C的溫度而制備。所述反應的進展可以歸因于在高溫下原位形成油酸鎘和TOP-硒化物。在一些實施方式中，可以將氧化鎘和硒粉末在室溫下加入到包含三辛基膦、油酸和石蠟的混合物中。在這些實施方式中，氧化鎘和硒化物在約160°C下可以逐漸溶解，最初混濁的混合物可以變?yōu)橥该鞯牡t色。在一些實施方式中，可將所述混合物加熱至約210°C，并且硒化鎘多足納米晶體的生長/退火可以在約10分鐘內(nèi)基本結(jié)束。在一些實施方式中，可使用紫外可見吸收光譜和光致發(fā)光發(fā)射光譜來監(jiān)視硒化鎘納米晶體在其生長/退火時的瞬時發(fā)展。在一些實施方式中，紫外光譜中的尖銳的第一激子吸收峰和光致發(fā)光發(fā)射光譜中的窄且對稱性發(fā)射峰可以表明顆粒尺寸和形狀是差不多單分散的。在其中硒化鎘多足納米晶體的生長/退火時間為約30分鐘且在約I分鐘至約30分鐘取樣的一些實施方式中，光致發(fā)光發(fā)射峰位置可以從約573nm移到約607nm并且半峰全寬(FWHM)在約24nm至約27nm的范圍內(nèi)。所制備的硒化鎘多足納米晶體的光致發(fā)光量子產(chǎn)率可以小于約3%。
[0014]在一些實施方式中，可以制備克規(guī)模量的硒化鎘多足納米晶體而無需制備后的尺寸分選(post preparative size sorting)。在一些實施方式中，硒化鎘多足納米晶體可以占所制備的納米晶體的約90%至約100%，并且所述產(chǎn)物可以基本不含球形顆粒。在一些實施方式中，硒化鎘多足納米晶體臂的長徑比(長度/寬度)在不同生長時間可以維持基本恒定。例如，硒化鎘多足納米晶體在生長時間為約2分鐘的情況下平均臂長度可以是約6.7nm，臂寬度為約2.1nm ;在生長時間為約30分鐘的情況下所述平均臂長度可以是約12.2nm,所述臂寬度為約3.4nm。
[0015]在一些實施方式中，硒化鎘多足納米晶體的光致發(fā)光發(fā)射效率可以通過在所述硒化鎘核的周圍沉積更高帶隙的材料如硫化鋅而改善。在一些實施方式中，硫化鋅層可與所述硒化鎘核形成I型異質(zhì)結(jié)，其中所述殼材料的導帶高于核材料的導帶而所述殼材料的價帶低于所述核材料的價帶；因此可以將激子限制于所述硒化鎘核區(qū)域中并且可以提高所述硒化鎘處的空間直接輻射復合。在這些實施方式中，吸收光譜中的第一激子吸收峰和光致發(fā)光發(fā)射光譜中的光致發(fā)光發(fā)射峰可以發(fā)生紅移，并且與多足納米晶體相比，核殼多足納米晶體的光致發(fā)光發(fā)射效率可以得以提高。例如，在所述硒化鎘核的周圍形成硫化鋅殼可以引起光致發(fā)光發(fā)射波長從最初的585nm移到630nm，并且光致發(fā)光量子產(chǎn)率可以是約85%，并且在室內(nèi)光線下可以觀察到發(fā)光。
[0016]在一些實施方式中，硒化鎘粗反應溶液中分子前體(例如二甲基二硫代氨基甲酸鋅)的熱分解可以提供核殼多足納米晶體，其中所述核殼多足納米晶體可以包含硒化鎘核和硫化鋅殼。在其它一些實施方式中，所述核殼多足納米晶體可以包含硒化鎘核以及含硫化鎘和硫化鋅的殼。在一些實施方式中，可以加入與二甲基二硫代氨基甲酸鋅等摩爾量的硬脂酸鋅以補償二甲基二硫代氨基甲酸鋅中鋅前體的丟失量，其中二甲基二硫代氨基甲酸鋅中的鋅/硫比為1: 4。在一些實施方式中，由于在硒化鎘納米晶體的合成中使用過量的鎘前體和包含在二甲基二硫代氨基甲酸鋅中的硫，所述核殼多足納米晶體的殼可以包含硫化鎘。與硫化鋅的帶隙(Eg = 3.67eV)相比,硫化鎘的帶隙(Eg = 2.45eV)較窄,這可引起沉積硫化鎘殼比沉積硫化鋅殼的吸收峰和光致發(fā)光峰的更大的紅移。在其它實施方式中，硫化鎘殼可以通過硒化鎘粗反應溶液中分子前體(例如二甲基二硫代氨基甲酸鎘)的熱分解而沉積，隨后沉積硫化鋅殼。在這些實施方式中，所述光致發(fā)光發(fā)射波長可以進一步紅移至約664nm。在這些實施方式中，使用較大的納米晶體核材料可以導致核殼納米結(jié)構(gòu)的發(fā)射波長更長。在一些實施方式中，當在硒化鎘多足納米晶體上沉積包含硫化鋅和/或硫化鎘的殼時可以保留原始 的多足形態(tài)。
[0017]在一些實施方式中，包括但不限于生長溫度、表面活性劑特性和量、鎘與硒比率以及反應物特性的參數(shù)可以變化。在一些實施方式中，較高的生長溫度(例如約230°C至約2500C )可以導致形成具有較大尺寸的臂直徑的多足。較高的溫度可以提供較高濃度的溶解單體，這可以促進棒的徑向生長。在一些實施方式中，油酸可以用硬脂酸或十二烷酸代替。采用十二烷酸的實施方式，可以制備比其他兩種酸更長的臂長度和更大的長徑比的多足納米晶體。在一些實施方式中，降低三辛基膦的比率可以提供更短臂長的多足。在一些實施方式中，石蠟溶劑用另一非配位溶劑(例如1-十八碳烯)代替可以導致所制備的納米晶體基本上沒有變化。在一些實施方式中，可以使用1.5: 1、1:1和1: 1.5的鎘與硒比率來制備納米晶體。在這些實施方式中，摩爾過量的鎘可以有利于形成較長臂的多足。在一些實施方式中，氧化鎘可以被油酸鎘代替，并且/或者硒可被TOP-硒代替。在這些實施方式中，所制備的多足形態(tài)可以保存下來。在其它實施方式中，本文中所描述的非熱注射方法可以用于其它第I1-VI族半導體納米晶體的制備中。在一些實施方式中，可制備硫化鎘和締化鋪納米晶體。
[0018]在一些實施方式中，羧酸可以包括但不限于蟻酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蘧烯酸、棕櫚油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、異油酸、亞油酸、反亞油酸(linoelaidic acid)、α-亞麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸、二十二碳六烯酸或其組合。在一些實施方式中，所述羧酸可以包含油酸。
[0019]在一些實施方式中，非配位溶劑可以具有約250°C以上的沸點。在一些實施方式中，非配位溶劑可以包含但不限于石蠟、十八碳烯、柴油或其組合。
[0020]在一些實施方式中，極性溶劑可以包含但不限于二氯甲烷(DCM)、四氫呋喃(THF)、乙酸乙酯、丙酮、二甲基甲酰胺(DMF)、乙腈(MeCN)、二甲亞砜(DMSO)、蟻酸、正丁醇、異丙醇(IPA)、正丙醇、乙醇、甲醇、乙酸、水或其組合。
[0021]在一些實施方式中，非極性溶劑可以包含但不限于戊烷、環(huán)戊烷、己烷、環(huán)己烷、苯、甲苯、1，4_ 二氧六環(huán)、氯仿或乙醚。
[0022]在一些實施方式中，胺可以包括脂族胺，其包含但不限于8碳至18碳的烴鏈。
[0023]在一種實施方式中，制備半導體納米晶體的方法可包括將在非配位溶劑中的包含第一無機化合物、第二無機化合物、配體和羧酸的混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣，以及將所述經(jīng)脫氣的混合物從脫氣溫度加熱到約160°C至約300°C的溫度。所述第一無機化合物可以包含第II周期至第VI周期的元素，并且所述第二無機化合物可包含第IV周期至第VI周期的元素。在一些實施方式中，所述配體可以是三辛基膦。在一些實施方式中，所述半導體納米晶體可以包含氧化鋅、硫化鋅、碲化鋅、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、硫化鉛或硒化鉛。在一些實施方式中，所述第一金屬化合物可以包含氧化鎘、氧化鋅或氧化鉛。在一些實施方式中，所述第二金屬化合物可以包含硫、硒或碲。在一些實施方式中，可以將所述混合物在約23°C下進行脫氣。在一些實施方式中，可以將所述混合物加熱到約190°C至約250°C的溫度。在其它實施方式中，可以將所述混合物加熱到約210°C。在一些實施方式中，所述半導體納米晶體可以包含多足半導體納米晶體。在其它實施方式中，所述半導體納米晶體可 以包含四足半導體納米晶體。在其他實施方式中，可以在所述半導體納米晶體的周圍沉積殼以制備核殼半導體納米晶體；其中所述殼與所述核可以形成I型異質(zhì)結(jié)。在一些實施方式中，所述殼可以包含硫化鋅和/或硫化鎘。在一些實施方式中，所述半導體納米晶體的光致發(fā)光量子產(chǎn)率可以大于約80%。在一些實施方式中，半導體納米晶體可以通過本文中所描述的離心步驟進行純化。
[0024]在一個實施方式中，并且如圖1所示，制備多足硒化鎘納米晶體的方法可包括將在非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣105，以及將經(jīng)脫氣的混合物從脫氣溫度加熱110到約160°C至約300°C的溫度。在一些實施方式中，可以將所述混合物在約20°C至約60°C下進行脫氣。在其它實施方式中，可以將所述混合物在約23 °C下進行脫氣。在一些實施方式中，可將所述混合物加熱到約190°C至約250°C的溫度。在其它實施方式中，可以將所述混合物加熱到約210°C。在一些實施方式中，可以將所述混合物以每分鐘約4°C至約30°C的速率進行加熱。在一些實施方式中，可以將所述混合物以每分鐘約20°C的速率進行加熱。在一些實施方式中，可將所述混合物的溫度維持在約190°C至約300°C下約I分鐘至約120分鐘。在一些實施方式中，可以將所述混合物的溫度維持在約190°C至約300°C下約2分鐘至約30分鐘。在其它實施方式中，可以將所述混合物的溫度維持在約190°C至約300°C下約2分鐘至約10分鐘。在一些實施方式中，所述多足硒化鎘納米晶體可以包含四足硒化鎘納米晶體。在一些實施方式中，多足硒化鎘納米晶體可以通過本文中所描述的離心步驟進行純化。
[0025]在一些實施方式中，可以將經(jīng)加熱的用于制備納米晶體的混合物進行冷卻115，并且可以向經(jīng)冷卻的混合物中加入120極性溶劑，從而提供包含經(jīng)沉淀的納米晶體的液體。在這些實施方式中，可以將所述混合物冷卻至約20°C至約100°C的溫度。在一些實施方式中，可將所述混合物冷卻至約80°C的溫度。在另外的實施方式中，可以對所述包含經(jīng)沉淀的納米晶體的液體進行離心125以產(chǎn)生上清液中的包含經(jīng)沉淀的納米晶體的粒料。在這些實施方式中，可傾析所述上清液以分離出所述包含經(jīng)沉淀的納米晶體的粒料，并且可以加Λ 130非極性溶劑以制備納米晶體在所述非極性溶劑中的分散體。在一些實施方式中，可以對所述納米晶體的分散體進行離心以在非極性溶劑中提供包含經(jīng)純化的納米晶體的粒料。在這些實施方式中，可以傾析所述非極性溶劑以分離出所述包含經(jīng)純化的納米晶體的粒料，并且可以加入第二非極性溶劑以制備所述經(jīng)純化的納米晶體在所述第二非極性溶劑中的分散體。在一些實施方式中，可以重復對所述分散體進行離心、傾析所述溶劑以及加入另一溶劑的步驟至少一次，以制備經(jīng)合適純化的納米晶體在所述另一溶劑中的分散體。在一些實施方式中，可以將納米晶體在環(huán)境條件下通過流動氣體或在真空下進行干燥。
[0026]在一種實施方式中，制備核殼多足納米晶體的方法可以包括將在第一非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的第一混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣；加熱所述經(jīng)脫氣的第一混合物以將所述混合物的溫度從脫氣溫度提高到約160°C至約300°C的溫度；將所述第一混合物冷卻至約120°C至約160°C的溫度；向所述經(jīng)冷卻的第一混合物中加入處于約20°C至約100°C的溫度下的在第二非配位溶劑中的包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅和第一胺的第二混合物、處于約100°C至約160°C的溫度下的在第三非配位溶劑中的包含乙酸鋅和第二胺的第三混合物、以及部分第三胺，從而制備第四混合物；將所述第四混合物的溫度維持在約120°C至約160°C的溫度下約30分鐘；將所述第四混合物加熱至約140°C至約200°C的溫度；以及將所述第四混合物的溫度維持在約140°C至約200°C的溫度下約20分鐘。在一些實施方式中，可以將所述第一混合物在約20°C至約60°C下進行脫氣。在其它實施方式中，可以將所述第一混合物在約23°C下進行脫氣。在一些實施方式中，可以將所述第一混合物加熱到約190°C至約250°C的溫度。在其它實施方式中，可以將所述第一混合物加熱到約210°C。在一些實施方式中，可以將所述第一混合物以每分鐘約4°C至約30°C的速率進行加熱。在一些實施方式中，可以將所述第一混合物以每分鐘約20°C的速率進行加熱。在一些實施方式中，可以將所述第一混合物的溫度維持在約190°C至約300°C下約I分鐘至約1 20分鐘。在一些實施方式中，可以將所述第一混合物的溫度維持在約190°C至約300°C下約2分鐘至約30分鐘。在其它實施方式中，可以將所述第一混合物的溫度維持在約190°C至約300°C下約2分鐘至約10分鐘。其它實施方式可以包括將所述第四混合物冷卻至約120°C至約160°C的溫度；向所述經(jīng)冷卻的第四混合物中加入處于約20°C至約100°C的溫度下的在第四非配位溶劑中的包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅和第四胺的第五混合物、處于約100°C至約160°C的溫度下的在第五非配位溶劑中的包含乙酸鋅和第五胺的第六混合物、以及部分第六胺，以制備第七混合物；將所述第七混合物的溫度維持在約120°C至約160°C的溫度下約30分鐘；將所述第七混合物加熱至約140°C至約200°C的溫度；以及將所述第七混合物的溫度維持在約140°C至約200°C的溫度下約20分鐘。在一些實施方式中，所述核殼多足納米晶體可通過本文中所描述的離心步驟進行純化。在一些實施方式中，所述核殼多足納米晶體可包含含硫化鋅的殼和含硒化鎘的核。在其它實施方式中，所述核殼多足納米晶體可以包含含硫化鋅和硫化鎘的殼以及含硒化鎘的核。在一些實施方式中，所述核殼多足納米晶體的光致發(fā)光量子產(chǎn)率可大于約80%。在一些實施方式中，所述核殼多足納米晶體可以包含核殼四足納米晶體。
[0027]在一種實施方式中，制備硫化鎘納米晶體的方法可以包括將在石蠟中的包含氧化鎘、硫、三辛基膦和油酸的混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣，以及將所述經(jīng)脫氣的混合物從脫氣溫度加熱到約160°C至約300°C的溫度。[0028]在一種實施方式中，制備碲化鎘納米晶體的方法可以包括將在石蠟中的包含氧化鎘、碲、三辛基膦和油酸的混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣，以及將所述經(jīng)脫氣的混合物從脫氣溫度加熱到約160°C至約300°C的溫度。
[0029]在一種實施方式中，制備半導體納米晶體的試劑盒可以包含第一金屬化合物、第二金屬化合物、配體、羧酸以及第一非配位溶劑。所述第一金屬化合物可以包含第II周期至第VI周期的元素，并且所述第二金屬化合物可以包含第IV周期至第VI周期的元素。在一些實施方式中，所述配體可以包含三辛基膦。在一些實施方式中，所述半導體納米晶體可以包含氧化鋅、硫化鋅、碲化鋅、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、硫化鉛或硒化鉛。在一些實施方式中，所述第一金屬化合物可以包含氧化鎘。在一些實施方式中，所述第二金屬化合物可以包含硫、硒和碲。在一些實施方式中，所述半導體納米晶體可以包含多足半導體納米晶體。在其他實施方式中，所述半導體納米晶體可以包含四足半導體納米晶體。在另外的實施方式中，所述試劑盒還可以包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅、第一胺、第二非配位溶劑、乙酸鋅、第二胺、第三非配位溶劑以及第三胺。在一些實施方式中，所述半導體納米晶體可以包含核殼半導體納米晶體。在其它實施方式中，所述殼可以與所述核形成I型異質(zhì)結(jié)。在另外的實施方式中，所述殼可以包含硫化鋅。在一些實施方式中，所述殼可以包含硫化鋅和硫化鎘。在一些實施方式中，所述半導體納米晶體的光致發(fā)光量子產(chǎn)率可以大于約80%。在其他實施方式中，所述試劑盒可以包含用于由所述試劑盒的內(nèi)容物制備半導體納米晶體的使用說明書。
[0030]實施例
[0031]實施例1:合成多足硒化鎘納米晶體。
[0032]將氧化鎘(1.15g, 9mmol)和硒(100 目，0.47g, 6mmol)與 10.0mL 三辛基膦、15.0mL油酸和150mL石蠟在500mL三頸燒瓶中混合。然后將該混合物在室溫下脫氣5分鐘。在此之后，將所述溶液在N2氣流下以20°C /分鐘的加熱速率加熱到210°C。于反應期間，用注射器在不同時間取等分試樣以通過記錄紫外可見吸收光譜和光致發(fā)光發(fā)射光譜來監(jiān)測硒化鎘納米晶體的生長。之后，將反應溶液冷卻至約80°C并用丙酮進行沉淀。將所形成的絮凝沉淀物進行離心，同時傾析上清液體，并將分離出的固體分散于甲苯或氯仿中。然后重復上述離心和分離步驟數(shù)次以純化所制備的硒化鎘納米晶體。最后，將產(chǎn)物再分散于甲苯或氯仿中或者在真空下干燥以用于進一步分析。產(chǎn)物產(chǎn)率基于硒計為90% (1.0lg硒化鎘納米晶體)。
[0033]實施例2:在砸化鋪多足納米晶體的周圍沉積硫化鋒殼。
[0034]與實施例1類似地,用含0.2mL TOP和0.3mL油酸的4.0mL石蠟中的0.15mmol氧化鎘、0.1mmol硒粉末來合成硒化鎘核納米晶體。在210°C生長硒化鎘納米晶體2分鐘之后，將反應溫度降低至140°C，并將0.3mL的0.1M二甲基二硫代氨基甲酸鋅(ZDC)儲備溶液(通過在室溫下將二甲基二硫代氨基甲酸鋅溶解于1:1油胺/石蠟而制備的)和0.3mL的0.4M乙酸鋅溶液(通過在120°C下將8mmol乙酸鋅溶解于6.0mL油胺和14mL石蠟而獲得的)加入到反應體系中，隨后加入0.5mL油胺。將反應溫度再在140°C下保持另外30分鐘。在此之后，將反應溫度提高至200°C并保持20分鐘。當所述光譜不再表現(xiàn)出變化時，采用等量的前體按照相同加熱步驟來實施硫化鋅殼的第二沉積循環(huán)。在完成殼沉積后，所獲得的核殼納米晶體的純化與實施例1中普通的硒化鎘核納米晶體的純化類似。[0035]在本公開中，參照附圖，所述附圖構(gòu)成本公開的一部分。在詳細說明中描述的示意性實施方式、附圖和權(quán)利要求書不意欲為限制性的。在不背離本文中所述主題的精神或范圍的情況下，可以使用其它實施方式并可以進行其它變化。容易理解的是，本文一般性地描述和在附圖中說明的本公開的方面可以以各種各樣的不同配置進行排列、取代、組合、分離和設計，所有的這些均被明確地構(gòu)思在本文中。
[0036]本公開不限于本申請中所描述的特定實施方式，所述特定實施方式意欲為各種方面的示例說明。可在不背離其精神和范圍的情況下可以進行多種改進和改變，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。除了本文中所列舉的那些之外，本公開范圍內(nèi)的功能性等效方法和裝置對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言由以上說明書中也是顯而易見的。所述改進和改變旨在落入所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。本公開僅由所附權(quán)利要求及所述權(quán)利要求所賦予的等效方案的整個范圍方面來限定。應當理解，本公開不限于特定方法、試劑、化合物、組合物或生物體系，這些當然都可以改變。還應理解，本文中所使用的術(shù)語僅用于描述特定實施方式的目的，而不意欲是限制性的。
[0037]對于本文中基本上任何復數(shù)和/或單數(shù)術(shù)語的使用，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從復數(shù)形式轉(zhuǎn)化為單數(shù)形式，和/或從單數(shù)形式轉(zhuǎn)化為復數(shù)形式，這對于所述范疇和/或應用是合適的。為清楚起見，本文可以明確聲明各種單數(shù)形式/復數(shù)形式互換。
[0038]本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解，一般而言，本文使用的術(shù)語——特別是所附權(quán)利要求中(例如，在所附權(quán)利要求的主體部分中)使用的術(shù)語一一般地應理解為“開放式”術(shù)語(例如，術(shù)語“包含”應解釋為“包含但不限于”，術(shù)語“具有”應解釋為“至少具有”等，術(shù)語“包括”應解釋為“包括但不 限于”等)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應理解，如果意在所引入的權(quán)利要求中記載項具體的數(shù)目，則這種意圖將在該權(quán)利要求中明確記載；而在沒有這種記載的情況下，則不存在這種意圖。例如，為幫助理解，下面所附權(quán)利要求可以包含使用引導短語“至少一個”和“一個或多個”來引入權(quán)利要求記載項。然而，這種短語的使用不應被解釋為暗示著由不定冠詞“一”或“一個”引入的權(quán)利要求記載項將包含所述引入的權(quán)利要求項的任意特定權(quán)利要求限制為僅包含一個所述記載項的實施方式，即使同樣的權(quán)利要求既包括引導短語“一個或多個”或“至少一個”又包括不定冠詞如“一”或“一個”(例如，“一”和/或“一個”應當被解釋為意指“至少一個”或“一個或多個”、);用來引入權(quán)利要求記載項的定冠詞的使用同樣如此。另外，即使明確記載了所引入權(quán)利要求記載項的具體數(shù)目，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到，這種記載應解釋為意指至少所記載的數(shù)目(例如，不存在其它修飾語的“兩個記載項”的單純記載是指至少兩個記載項，或者兩個或更多記載項、)。此外，在其中使用類似于“A、B和C等中至少一個”的慣例的那些情況下，一般來說旨在以本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的慣例來進行解釋(例如，“具有A、B和C中至少一個的體系”將包括但不限于單獨具有A、單獨具有B、單獨具有C、具有A和B —起、具有A和C 一起、具有B和C 一起、和/或具有A、B和C 一起的體系等)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應理解，幾乎任何給出兩個或更多個替代項的轉(zhuǎn)折詞和/或短語，無論是在說明書、權(quán)利要求書還是附圖中，都應被理解為構(gòu)思了包括所述項之一、所述項的任一個、或所述項全部的可能性。例如，短語“A或B”應當被理解為包括“A”或“B”、或“A和B”的可能性。
[0039]另外，在以馬庫什群組描述本公開的特征或方面的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員應認識到本公開由此也是以該馬庫什群組中的任何單獨成員或子群組來描述的。[0040]本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解，出于任何和所有目的，例如為了提供書面說明，本文中公開的所有范圍也涵蓋其任何和所有可能的子范圍及其子范圍的組合。任何列出的范圍可以被容易地看作充分描述且能夠?qū)⒃摲秶辽龠M行至少二等分、三等分、四等分、五等分、十等分等。作為非限制性實例，本文中所論述的每一范圍均可以容易地分成下三分之一、中三分之一和上三分之一等。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應當理解，所有諸如“最高達”、“至少”之類的語言包括所記載的數(shù)字，并且指可以隨后如上所述被分成子范圍的范圍。最后，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，范圍包括每個單獨的成員。因此，例如具有I~3個取代基的基團是指具有1、2或3個取代基的基團。類似地，具有I~5個取代基的基團是指具有1、2、3、4或5個取代基的基團等等 。
【權(quán)利要求】
1.制備半導體納米晶體的方法，所述方法包括: 將非配位溶劑中的包含第一無機化合物、第二無機化合物、配體和羧酸的混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣， 其中所述第一無機化合物包含第II周期至第VI周期的元素并且所述第二無機化合物包含第IV周期至第VI周期的元素；以及 加熱所述混合物以將所述混合物的溫度從脫氣溫度提高到約160°C至約300°C的溫度以制備半導體納米晶體。
2.權(quán)利要求1的方法，其中所述配體包括三辛基膦。
3.權(quán)利要求1或2的方法，其中所述羧酸包括蟻酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蘧烯酸、棕櫚油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、異油酸、亞油酸、反亞油酸、α -亞麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸或二十二碳六烯酸。
4.權(quán)利要求1至3中任一項的方法，其中所述羧酸包含油酸。
5.權(quán)利要求1至4中任一項的方法，其中所述非配位溶劑具有約250°C以上的沸點。
6.權(quán)利要求1至5中任一項的方法，其中所述非配位溶劑包含石蠟或十八碳烯。
7.權(quán)利要求1至6中任一項的方法，其中所述半導體納米晶體包含氧化鋅、硫化鋅、碲化鋅、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、硫化鉛或硒化鉛。
8.權(quán)利要求1至7中任一項的方法，其中所述第一金屬化合物包含氧化鎘、氧化鋅或氧化鉛。
9.權(quán)利要求1至8中任一項的方法，其中所述第二金屬化合物包含硫、硒或碲。
10.權(quán)利要求1至9中任一項的方法，其中所述半導體納米晶體包含多足半導體納米晶體。
11.權(quán)利要求1至10中任一項的方法，其中所述半導體納米晶體包含四足半導體納米晶體。
12.權(quán)利要求1至11中任一項的方法，還包括在所述半導體納米晶體的周圍沉積殼以制備核殼半導體納米晶體。
13.權(quán)利要求12的方法，其中所述殼與所述核形成I型異質(zhì)結(jié)。
14.權(quán)利要求12或權(quán)利要求13的方法，其中所述殼包含硫化鋅。
15.權(quán)利要求12至14中任一項的方法，其中所述殼包含硫化鋅和硫化鎘。
16.權(quán)利要求12至15中任一項的方法，其中所述半導體納米晶體的光致發(fā)光量子產(chǎn)率大于約80%。
17.制備多足硒化鎘納米晶體的方法，所述方法包括: 將在非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣；以及 加熱所述混合物以將所述混合物的溫度從脫氣溫度提高到約160°C至約300°C的溫度以制備多足硒化鎘納米晶體。
18.權(quán)利要求17的方法，其中所述羧酸包括蟻酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蘧烯酸、棕櫚油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、異油酸、亞油酸、反亞油酸、α -亞麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸或二十二碳六烯酸。
19.權(quán)利要求17或權(quán)利要求18的方法，其中所述羧酸包含油酸。
20.權(quán)利要求17至19中任一項的方法，其中所述非配位溶劑具有約250°C以上的沸點。
21.權(quán)利要求17至20中任一項的方法，其中所述非配位溶劑包含石蠟或十八碳烯。
22.權(quán)利要求17至21中任一項的方法，其中加熱所述混合物以每分鐘約4°C至約30°C的速率進行。
23.權(quán)利要求17至22中任一項的方法，其中加熱所述混合物以每分鐘約20°C的速率進行。
24.權(quán)利要求17至23中任一項的方法，還包括將所述混合物的溫度維持在約190°C至約300°C的溫度下約2分鐘至約120分鐘。
25.權(quán)利要求17至24中任一 項的方法，其中將所述混合物加熱至約210°C。
26.權(quán)利要求17至25中任一項的方法，還包括: 冷卻經(jīng)加熱的混合物；以及 向經(jīng)冷卻的混合物中加入極性溶劑以提供包含經(jīng)沉淀的多足硒化鎘納米晶體的液體。
27.權(quán)利要求26的方法，其中將所述混合物冷卻至約100°C至約20°C的溫度。
28.權(quán)利要求26或權(quán)利要求27的方法，其中將所述混合物冷卻至約80°C的溫度。
29.權(quán)利要求26至28中任一項的方法，其中所述極性溶劑包含二氯甲烷(DCM)、四氫呋喃(THF)、乙酸乙酯、丙酮、二甲基甲酰胺(DMF)、乙腈(MeCN)、二甲亞砜(DMSO)、蟻酸、正丁醇、異丙醇(IPA)、正丙醇、乙醇、甲醇、醋酸或水。
30.權(quán)利要求26至29中任一項的方法，還包括: 對所述包含經(jīng)沉淀的多足硒化鎘納米晶體的液體進行離心以產(chǎn)生上清液中的包含經(jīng)沉淀的多足硒化鎘納米晶體的粒料； 傾析所述上清液以分離出所述包含經(jīng)沉淀的多足硒化鎘納米晶體的粒料；以及 向所述包含經(jīng)沉淀的多足硒化鎘納米晶體的粒料中加入非極性溶劑以制備所述多足硒化鎘納米晶體在所述溶劑中的分散體。
31.權(quán)利要求30的方法，其中所述非極性溶劑包含戊烷、環(huán)戊烷、己烷、環(huán)己烷、苯、甲苯、1，4_ 二氧六環(huán)、氯仿或二乙醚。
32.權(quán)利要求30或權(quán)利要求31的方法，還包括: 對所述多足硒化鎘納米晶體的分散體進行離心以在非極性溶劑中提供包含經(jīng)純化的多足砸化鋪納米晶體的粒料； 傾析所述非極性溶劑以分離出所述包含經(jīng)純化的多足硒化鎘納米晶體的粒料；以及 向所述包含經(jīng)純化的多足硒化鎘納米晶體的粒料中加入第二非極性溶劑以制備所述經(jīng)純化的多足硒化鎘納米晶體在所述第二非極性溶劑中的分散體。
33.權(quán)利要求32的方法，其中所述第二非極性溶劑包含戊烷、環(huán)戊烷、己烷、環(huán)己烷、苯、甲苯、1，4_ 二氧六環(huán)、氯仿或二乙醚。
34.權(quán)利要求32或權(quán)利要求33的方法，還包括:重復對所述分散體進行離心、傾析所述溶劑和加入另一溶劑的步驟至少一次以制備經(jīng)合適純化的多足硒化鎘納米晶體在所述另一溶劑中的分散體。
35.權(quán)利要求17至34中任一項的方法，還包括在真空下干燥所述多足硒化鎘納米晶體。
36.權(quán)利要求17至35中任一項的方法，其中所述多足硒化鎘納米晶體包括四足硒化鎘納米晶體。
37.制備核殼多足納米晶體的方法，所述方法包括: 將在第一非配位溶劑中的包含氧化鎘、硒、三辛基膦和羧酸的第一混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣； 加熱所述第一混合物以將所述第一混合物的溫度從脫氣溫度提高到約160°C至約300°C的溫度； 將所述第一混合物冷卻至約120°C至約160°C的溫度； 向所述經(jīng)冷卻的第一 混合物中加入處于約20°C至約100°C的溫度的在第二非配位溶劑中的包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅和第一胺的第二混合物、處于約100°C至約160°C的溫度的在第三非配位溶劑中的包含乙酸鋅和第二胺的第三混合物、以及部分的第三胺以制備第四混合物； 將所述第四混合物加熱至約140°C至約200°C的溫度；以及 將所述第四混合物的溫度維持在約140°C至約200°C的溫度下約20分鐘以制備核殼多足納米晶體。
38.權(quán)利要求37的方法，其中所述羧酸包括蟻酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蘧烯酸、棕櫚油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、異油酸、亞油酸、反亞油酸、α -亞麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸或二十二碳六烯酸。
39.權(quán)利要求37或權(quán)利要求38的方法，其中所述羧酸包含油酸。
40.權(quán)利要求37至39中任一項的方法，其中所述第一非配位溶劑、所述第二非配位溶劑和所述第三非配位溶劑各自具有約250°C以上的沸點。
41.權(quán)利要求37至40中任一項的方法，其中所述第一非配位溶劑、所述第二非配位溶劑和所述第三非配位溶劑各自獨立地為石蠟或十八碳烯。
42.權(quán)利要求37至41中任一項的方法，其中加熱所述第一混合物以每分鐘約4°C至約30°C的速率進行。
43.權(quán)利要求37至42中任一項的方法，還包括將所述第一混合物的溫度維持在約190°C至約300°C的溫度下約2分鐘至約30分鐘。
44.權(quán)利要求37至43中任一項的方法，其中將所述第一混合物加熱至約210°C。
45.權(quán)利要求37至44中任一項的方法，還包括將所述第四混合物的溫度維持在約190°C至約300°C的溫度下約20分鐘。
46.權(quán)利要求37至45中任一項的方法，其中所述第一胺、所述第二胺和所述第三胺各自獨立地選自含8碳至18碳的烴鏈的脂族胺。
47.權(quán)利要求37至46中任一項的方法，還包括:將所述第四混合物冷卻至約120°C至約160°C的溫度； 向所述經(jīng)冷卻的第四混合物中加入處于約20°C至約100°C的溫度的在第四非配位溶劑中的包含二甲基二硫代氨基甲酸鋅和第四胺的第五混合物、處于約100°C至約160°C的溫度的在第五非配位溶劑中的包含乙酸鋅和第五胺的第六混合物、以及部分第六胺以制備第七混合物； 將所述第七混合物加熱至約140°C至約200°C的溫度；以及 將所述第七混合物的溫度維持在約140°C至約200°C的溫度下約30分鐘以制備核殼多足納米晶體。
48.權(quán)利要求37至47中任一項的方法，還包括: 冷卻所述第四或第七混合物；以及 向經(jīng)冷卻的第四或第七混合物中加入極性溶劑以制備包含經(jīng)沉淀的核殼多足納米晶體的液體。
49.權(quán)利要求48的方法，其中所述極性溶劑包含二氯甲烷(DCM)、四氫呋喃(THF)、乙酸乙酯、丙酮、二甲基甲酰胺(DMF)、乙腈(MeCN)、二甲亞砜(DMSO)、甲酸、正丁醇、異丙醇(IPA)、正丙醇、乙醇、甲醇、乙酸或水。
50.權(quán)利要求48或權(quán)利要求49的方法，還包括: 對所述包含經(jīng)沉淀的核殼多足納米晶體的液體進行離心以在上清液中提供包含經(jīng)沉淀的核殼多足納米晶體的粒料； 傾析所述上清液以分離出所述包含經(jīng)沉淀的核殼多足納米晶體的粒料；以及 向所述包含經(jīng)沉淀的核殼多足納米晶體的粒料中加入非極性溶劑以制備所述核殼多足納米晶體在所述非極性溶劑中的分散體。
51.權(quán)利要求50的方法，其中所述非極性溶劑包含戊烷、環(huán)戊烷、己烷、環(huán)己烷、苯、甲苯、1，4_ 二氧六環(huán)、氯仿或二乙醚。
52.權(quán)利要求50或權(quán)利要求51的方法,還包括: 對所述核殼多足納米晶體的分散體進行離心以在所述非極性溶劑中提供包含經(jīng)純化的核殼多足納米晶體的粒料； 傾析所述非極性溶劑以分離出所述包含經(jīng)純化的核殼多足納米晶體的粒料；以及 向所述包含經(jīng)純化的核殼多足納米晶體的粒料中加入第二非極性溶劑以制備所述經(jīng)純化的核殼多足納米晶體在所述第二非極性溶劑中的分散體。
53.權(quán)利要求52的方法，其中所述第二非極性溶劑包含戊烷、環(huán)戊烷、己烷、環(huán)己烷、苯、甲苯、1，4_ 二氧六環(huán)、氯仿或二乙醚。
54.權(quán)利要求51或權(quán)利要求52的方法,還包括: 重復對所述分散體進行離心、傾析所述溶劑以及加入另一非極性溶劑的步驟至少一次，以制備經(jīng)合適純化的核殼多足納米晶體在所述另一溶劑中的分散體。
55.權(quán)利要求54的方法，其中所述另一非極性溶劑包含戊烷、環(huán)戊烷、己烷、環(huán)己烷、苯、甲苯、1，4_ 二氧六環(huán)、氯仿或二乙醚。
56.權(quán)利要求37至55中任一項的方法，還包括在真空下干燥所述核殼多足納米晶體。
57.權(quán)利要求37至56中任一項的方法，其中所述核殼多足納米晶體包含含硫化鋅的殼和含硒化鎘的核。
58.權(quán)利要求37至57中任一項的方法，其中所述核殼多足納米晶體包含含硫化鋅和硫化鎘的殼以及含硒化鎘的核。
59.權(quán)利要求37至58中任一項的方法，其中所述核殼多足納米晶體的光致發(fā)光量子產(chǎn)率大于約80%。
60.權(quán)利要求37至59中任一項的方法，其中所述核殼多足納米晶體包含核殼四足納米晶體。
61.制備硫化鎘納米晶體的方法，所述方法包括: 將在石蠟中的包含氧化鎘、硫、三辛基膦和油酸的混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣；以及 加熱所述混合物以將所述混合物的溫度從脫氣溫度提高到約190°C至約300°C的溫度以制備硫化鋪納米晶體。
62.制備碲化鎘納米晶體的方法，所述方法包括: 將在石蠟中的包含氧化鎘、碲、三辛基膦和油酸的混合物在約20°C至約120°C的溫度下進行脫氣；以及 加熱所述混合物以將所述混合物的溫度從脫氣溫度提高到約190°C至約300°C的溫度以制備締化鋪納米晶體。
63.制備半導體納米晶體的試劑盒，所述試劑盒包含: 第一金屬化合物； 第二金屬化合物； 配體； 羧酸；以及 第一非配位溶劑， 其中所述第一金屬化合物包含第II周期至第VI周期的元素并且所述第二金屬化合物包含第IV周期至第VI周期的元素。
64.權(quán)利要求63的試劑盒，其中所述配體為三辛基膦。
65.權(quán)利要求63或權(quán)利要求64的試劑盒，其中所述羧酸包括蟻酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蘧烯酸、棕櫚油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、異油酸、亞油酸、反亞油酸、α -亞麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸或二十二碳六烯酸。
66.權(quán)利要求63至65中任一項的試劑盒，其中所述羧酸包含油酸。
67.權(quán)利要求63至66中任一項的試劑盒，其中所述第一非配位溶劑具有約250°C以上的沸點。
68.權(quán)利要求63至67中任一項的試劑盒，其中所述非配位溶劑包含石蠟或十八碳烯。
69.權(quán)利要求63至68中任一項的試劑盒，其中所述半導體納米晶體包含氧化鋅、硫化鋅、締化鋅、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎘、締化鎘、硫化鉛或硒化鉛。
70.權(quán)利要求63至69中任一項的試劑盒，其中所述第一金屬化合物包含氧化鎘。
71.權(quán)利要求63至70中任一項的試劑盒,其中所述第二金屬化合物包含硫、硒和締。
72.權(quán)利要求63至71中任一項的試劑盒，其中所述半導體納米晶體包含多足半導體納米晶體。
73.權(quán)利要求63至72中任一項的試劑盒，其中所述半導體納米晶體包含四足半導體納米晶體。
74.權(quán)利要求63至72中任一項的試劑盒，還包含: 二甲基二硫代氨基甲酸鋅； 第一胺； 第二非配位溶劑； 乙酸鋅； 第二胺； 第三非配位溶劑；以及 第二胺。
75.權(quán)利要求74的試劑盒，其中所述第二非配位溶劑和所述第三非配位溶劑各自具有約250°C以上的沸點。
76.權(quán)利要求74或權(quán)利要求75的試劑盒，其中所述第二非配位溶劑和所述第三非配位溶劑各自獨立地選自石蠟或十八碳烯。
77.權(quán)利要求74至76中任一項的試劑盒，其中所述第一胺、所述第二胺和所述第三胺各自獨立地選自含8碳至18碳烴鏈的脂族胺。
78.權(quán)利要求74至77中任一項的試劑盒，其中所述半導體納米晶體包含核殼半導體納米晶體。
79.權(quán)利要求78的試劑盒，其中所述殼與所述核形成I型異質(zhì)結(jié)。
80.權(quán)利要求78或權(quán)利要求79的試劑盒，其中所述殼包含硫化鋅。
81.權(quán)利要求78至80中任一項的試劑盒，其中所述殼包含硫化鋅和硫化鎘。
82.權(quán)利要求78至81中任一項的試劑盒，其中所述半導體納米晶體的光致發(fā)光量子產(chǎn)率大于約80%。
83.權(quán)利要求78至82中任一項的試劑盒，還包含用于由所述試劑盒的內(nèi)容物制備半導體納米晶體的使用說明書。
【文檔編號】C30B13/00GK103998656SQ201180074686
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月7日
【發(fā)明者】鐘新華, 張文進 申請人:華東理工大學