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      納米晶材料的可控制備方法

      文檔序號:9701232閱讀:713來源:國知局
      納米晶材料的可控制備方法
      【技術領域】
      [0001 ]本發(fā)明屬于納米材料與納米技術領域,具體涉及一種Cui2Sb4Si3納米晶材料的可控制備方法。
      【背景技術】
      [0002]半導體納米晶材料由于較小的尺寸而產生量子尺寸效應,導致其光學、電學等特性與其體材料有明顯的差異,并且隨著尺寸的進一步減小,差異逐漸增加。這一獨特的性質使得半導體納米晶材料得到廣泛的應用,如太陽能電池、發(fā)光二極管等。在過去的幾十年中,對于半導體量子點的合成及形成機理的研究,拓寬半導體納米晶材料的種類。目前,硫化鎘、硫化鉛及銅銦硫等納米晶材料已被大量的研究,并得到了巨大的應用。然而,由于目前所使用的材料多含有有毒或者稀有元素,限制了其應用,因此,選擇無毒且含量豐富的材料具有重要意義。Cu12Sb4S13材料是一種p型半導體材料,不含有毒或者稀有元素。同時,其還具有較大的光吸收系數(>105cm—工),及合適的禁帶寬度(1.8eV),其直接禁帶寬度的特性也有利于在光照過程中產生電子-空穴對,這些優(yōu)良的特性都使其在太陽能電池領域具有較大的應用前景。因此,對于CUl2Sb4S13材料的研究具有重要意義。目前,CUl2Sb4S13納米晶材料的研究工作還相對較少,對于其制備工藝還仍需探索,因此研究Cu12Sb4S13納米晶材料的合成方法具有重要的現實意義,有必要對CUl2Sb4S13納米晶材料的制備方法進行深入的研究探索。

      【發(fā)明內容】

      [0003]針對現有技術的不足,本發(fā)明目的在于提供一種Cu12Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,該制備方法工藝簡單,成本低廉。
      [0004]為實現上述目的,本發(fā)明所采用的技術方案為:CUl2Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
      1)按碘化亞銅、氯化鋪、油胺的添加比例為3mmol: 1 mmol: 10 mL,將碘化亞銅和氯化銻加入到油胺中,通入氬氣保護氣體,控制溫度并攪拌使碘化亞銅和氯化銻完全溶解,得到金屬鹽的絡合溶液;
      2)按碘化亞銅、氯化鋪、二苯基硫脲的二苯醚溶液的添加比例為3mmol: 1 mmol: 2?6mL,在上述金屬鹽的絡合溶液中加入濃度為1 mol/L的二苯基硫脲的二苯醚溶液,加熱至設定溫度后進行反應;
      3)反應結束后,冷卻至室溫,加入甲醇對反應得到的Cu12Sb4S13納米晶進行清洗,得到Cui2Sb4Si3納米晶材料。
      [0005]上述方案中,步驟1)控制溫度為:60-100°C,攪拌時間為5-20分鐘。
      [0006]上述方案中,步驟2)所述設定溫度為60_180°C,攪拌時間為1-120分鐘。
      [0007]本發(fā)明的有益效果如下:本發(fā)明選取二苯基硫脲為硫源,采用熱注入法制備Cui2Sb4Si3納米晶材料,通過控制前驅體加入的比例(碘化亞銅、氯化鋪、二苯基硫脲的添加比例為3mmol: lmmol: 2~6 mmol),得到Cui2Sb4Si3納米晶材料;通過控制反應溫度及反應時間得到不同尺寸的Cm2Sb4S13納米晶。該制備方法工藝簡單,重現性好,成本低廉,符合環(huán)境要求。
      【附圖說明】
      [0008]圖1為本發(fā)明制備得到的Cu12Sb4S13納米晶材料的物相表征圖,其中a為XRD圖譜,b為EDS圖譜。
      [0009]圖2為實施例1制備得到的Cu12Sb4S13納米晶材料的TEM圖像,其中a為TEM圖像,b為圖a中納米晶的尺寸分布圖。
      [0010]圖3為實施例2制備得到的Cu12Sb4S13納米晶材料的TEM圖像,其中a為TEM圖像,b為圖a中納米晶的尺寸分布圖。
      [0011]圖4為實施例3制備得到的Cu12Sb4S13納米晶材料的TEM圖像,其中a為TEM圖像,b為圖a中納米晶的尺寸分布圖。
      [0012]圖5為本實施例1?3制備得到的Cu12Sb4S13納米晶材料的紫外-可見光吸收光譜。
      [0013]圖6為本實施例1?3制備得到的Cu12Sb4S13納米晶材料的光學帶隙圖。
      【具體實施方式】
      [0014]為了更好地理解本發(fā)明,下面結合實施例進一步闡明本發(fā)明的內容,但本發(fā)明的內容不僅僅局限于下面的實施例。
      [0015]實施例1
      Cu12Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,包括如下步驟:
      (1)將3mmol碘化亞銅和1 mmol氯化鋪加入到10 mL油胺中,通入氬氣保護氣體,控制溫度在100 °C,并伴隨快速攪拌20分鐘,使碘化亞銅和氯化銻完全溶解,得到金屬鹽的絡合溶液;
      (2)向上述金屬鹽溶液中加入6mL、1 mol/L二苯基硫脲的二苯醚溶液,加熱至設定溫度180 °C后反應120分鐘;
      (3)反應結束后,冷卻至室溫,加入大量的甲醇對反應得到的Cu12Sb4S13納米晶進行清洗,得到Cui2Sb4Sl3納米晶材料。
      [0016]本實施例制備得到011說4313納米晶材料的顆粒尺寸為7.86 nm,其TEM圖像見圖2中的a。
      [0017]實施例2
      Cu12Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,包括如下步驟:
      (1)將3mmol碘化亞銅和1 mmol氯化鋪加入到10 mL油胺中,通入氬氣保護氣體,控制溫度在80 °C,并伴隨快速攪拌10分鐘,使碘化亞銅和氯化銻完全溶解,得到金屬鹽的絡合溶液;
      (2)向上述金屬鹽溶液中加入4mL、1 mol/L二苯基硫脲的二苯醚溶液,加熱至設定溫度120 °C后反應60分鐘;
      (3)反應結束后,冷卻至室溫,加入大量的甲醇對反應得到的Cm2Sb4S13納米晶進行清洗,得到Cui2Sb4Sl3納米晶材料。
      [0018]本實施例制備得到011說4313納米晶材料的顆粒尺寸為5.76 nm,其TEM圖像見圖3中的a。
      [0019]實施例3
      Cu12Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,包括如下步驟:
      (1)將3mmol碘化亞銅和1 mmol氯化鋪加入到10 mL油胺中,通入氬氣保護氣體,控制溫度在60 °C,并伴隨快速攪拌5分鐘,使碘化亞銅和氯化銻完全溶解,得到金屬鹽的絡合溶液;
      (2)向上述金屬鹽溶液中加入2mL、1 mol/L二苯基硫脲的二苯醚溶液,加熱至設定溫度60 °C后反應1分鐘;
      (3)反應結束后,冷卻至室溫,加入大量的甲醇對反應得到的Cu12Sb4S13納米晶進行清洗,得到Cui2Sb4Sl3納米晶材料。
      [0020]本實施例制備得到011:^4313納米晶材料的顆粒尺寸為4.35 nm,其TEM圖像見圖4中的a。
      [0021]本發(fā)明制備的Cu12Sb4S13納米晶材料的XRD圖譜、EDS圖譜見圖1。圖1中的a中XRD圖譜所示各衍射峰的位置和相對強度均與Cu12Sb4S13納米晶材料的XRD圖譜相匹配(JCPDSN0.: 78-0982),圖1中的b中EDS圖譜顯示其元素比例與Cu12Sb4S13的化學計量比能夠較好的吻合,說明合成的產物為Cu12Sb4S13材料。
      [0022]本發(fā)明實施例1?3制備得到的Cu12Sb4S13納米晶材料的形貌結構進行表征,表征結果見圖2?4。圖2?4的結果說明通過控制不同的反應條件,可以得到不同尺寸的Cu12Sb4S13納米晶材料;單一條件下,納米晶的尺寸較為均勻。納米晶具有較好的單分散性,沒有出現團聚現象。
      [0023]本發(fā)明還對不同顆粒尺寸的Cu12Sb4S13納米晶材料的光學性能進行了表征,表征結果見圖5和圖6。從圖5可以看出:隨著納米晶顆粒尺寸的增加,Cu12Sb4S13納米晶材料的吸收邊發(fā)生紅移,觀測到了明顯的量子尺寸效應;通過對Cu12Sb4S13納米晶的紫外-可見吸收光譜進行分析計算,可以得到其光學帶隙圖(見圖6),從圖6可以看出:Cu12Sb4S13納米晶的光學帶隙隨著顆粒尺寸的減小而增加。
      [0024]通過控制前驅體加入的比例、反應溫度及反應時間得到不同尺寸的Cu12Sb4S13納米晶Ο
      [0025]顯然,上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的實例,而并非對實施方式的限制。對于所屬領域的普通技術人員來說,在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而因此所引申的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍之內。
      【主權項】
      1.Cm2Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,其特征在于,包括如下步驟: 1)按碘化亞銅、氯化鋪、油胺的添加比例為3mmol: 1 mmol: 10 mL,將碘化亞銅和氯化銻加入到油胺中,通入氬氣保護氣體,控制溫度并攪拌使碘化亞銅和氯化銻完全溶解,得到金屬鹽的絡合溶液; 2)按碘化亞銅、氯化鋪、二苯基硫脲的二苯醚溶液的添加比例為3mmol: 1 mmol: 2?6mL,在上述金屬鹽的絡合溶液中加入濃度為1 mol/L的二苯基硫脲的二苯醚溶液,加熱至設定溫度后進行反應; 3)反應結束后,冷卻至室溫,加入甲醇對反應得到的Cu12Sb4S13納米晶進行清洗,得到Cui2Sb4Sl3納米晶材料。2.根據權利要求1所述Cm2Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,其特征在于,步驟1)控制溫度為:60-100°C,攪拌時間為5-20分鐘。3.根據權利要求1所述Cm2Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,其特征在于,步驟2)所述設定溫度為60-180°C,攪拌時間為1-120分鐘。
      【專利摘要】本發(fā)明屬于納米材料與納米技術領域,具體涉及Cu12Sb4S13納米晶材料的可控制備方法,其特征在于,包括如下步驟:1)按碘化亞銅、氯化銻、油胺的添加比例為3mmol:1mmol:10mL,將碘化亞銅和氯化銻加入到油胺中,通入氬氣保護氣體,控制溫度并攪拌使碘化亞銅和氯化銻完全溶解,得到金屬鹽的絡合溶液;2)在上述金屬鹽的絡合溶液中加入2~6mL1mol/L二苯基硫脲的二苯醚溶液,加熱至設定溫度后進行反應;3)反應結束后,冷卻至室溫,加入甲醇對反應得到的Cu12Sb4S13納米晶進行清洗,得到Cu12Sb4S13納米晶材料。該制備方法工藝簡單,成本低廉。
      【IPC分類】C01G30/00
      【公開號】CN105460975
      【申請?zhí)枴緾N201510899799
      【發(fā)明人】劉曰利, 陳克強, 陳文 , 周靜, 佳麗娜·扎哈若娃
      【申請人】武漢理工大學
      【公開日】2016年4月6日
      【申請日】2015年12月7日
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