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      一種復(fù)合電磁屏蔽材料及其制備方法

      文檔序號:8154119閱讀:495來源:國知局
      專利名稱:一種復(fù)合電磁屏蔽材料及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于電磁屏蔽材料及其制備方法,涉及一種復(fù)合電磁屏蔽材料及其制備方法。本發(fā)明復(fù)合電磁屏蔽材料特別適用于防電磁污染和微波暗室等領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,雷達(dá)、衛(wèi)星、微波爐、移動(dòng)無繩電話等各種各樣的高頻率電磁波器件和儀器被廣泛使用,使得地球空間中充斥著各個(gè)頻段的電磁波,這些電磁波將對其它電磁儀器造成干擾的同時(shí)也影響人體的健康。據(jù)報(bào)道,每天在電腦前工作超過6小時(shí),電磁波輻射會對人的皮膚等造成不可逆損害;電磁波強(qiáng)度測試表明,移動(dòng)通訊設(shè)備對人體生殖、記憶功能有很大傷害。電磁波污染成為繼噪音污染、空氣污染、水污染之后的第四大污染。降低電磁污染已成為電視廣播、人體電磁防護(hù)、通訊及導(dǎo)航系統(tǒng)安全等領(lǐng)域的首要問題。傳統(tǒng)的電磁屏蔽材料如金屬及其復(fù)合物由于其密度大、頻率調(diào)節(jié)困難、韌性以及抗腐蝕性差等已經(jīng)很難適應(yīng)現(xiàn)實(shí)的需要。因此具有厚度薄、質(zhì)量輕、頻帶寬、物理機(jī)械性能好等特點(diǎn)的電磁屏蔽材料已被當(dāng)今世界各國視為重點(diǎn)開發(fā)的軍民兩用新型材料。材料的電磁屏蔽性能主要由其一定電磁波頻率下的復(fù)磁導(dǎo)率和復(fù)介電常數(shù)所決定。現(xiàn)有技術(shù)中,碳納米材料(如納米碳纖維、碳納米管等)由于密度低、力學(xué)性能好、導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是下一代最具有潛力的電磁屏蔽材料。但碳納米管或納米纖維在實(shí)際應(yīng)用中存在兩個(gè)較嚴(yán)重的問題,一是由于碳納米管或納米纖維具有高的長徑比和大的表面積,在基體中很難均勻分散;二是制備這些碳納米材料成本較高,且產(chǎn)量低。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的旨在克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種具有良好的電磁屏蔽性能的復(fù)合電磁屏蔽材料及其制備方法。本發(fā)明的內(nèi)容是一種復(fù)合電磁屏蔽材料,其特征是由碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合組成,所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合的體積比例為20 I I :5 ;
      所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一種。本發(fā)明的內(nèi)容還可以是一種復(fù)合電磁屏蔽材料,其特征是由碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合組成,所述碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合的體積比例為I :10 4 :1 ;
      所述基體材料是石蠟、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。本發(fā)明的內(nèi)容還可以是一種復(fù)合電磁屏蔽材料,其特征是由碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后再與基體材料混合組成,所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合的體積比例為20 :1 I :5,所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后的物料與基體材料混合的體積比例為I :10 4 :1 ;
      所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一種,所述基體材料是石臘、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。
      本發(fā)明的另一內(nèi)容是一種復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法,包括
      a、制備細(xì)菌纖維素;
      其特征是還包括下列步驟
      b、制備碳化細(xì)菌纖維素
      將細(xì)菌纖維素經(jīng)蒸餾水洗至中性(即pH值為7)后,與I 3體積的I wt. % NaOH溶液混合煮沸2 h,過濾,固體物即細(xì)菌纖維素再次用蒸餾水洗至中性后,粉碎,在-40°C下冷凍干燥之后,再經(jīng)真空加熱碳化,真空加熱碳化即在溫度為500 3200 °C、本底真空氣壓壓力優(yōu)于IO4 Pa的條件下、將細(xì)菌纖維素加熱碳化O. I 10小時(shí)(優(yōu)選的是在溫度為800 1600 °C、本底真空氣壓10_2 IO4 Pa的條件下、將細(xì)菌纖維素加熱碳化O. 5 h 4h),即制得碳化細(xì)菌纖維素;
      C、制備復(fù)合電磁屏蔽材料
      按體積比例為20 :1 I :5的比例取所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料,將碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合,即制得復(fù)合電磁屏蔽材料;
      所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一種。本發(fā)明的另一內(nèi)容中所述步驟b可以替換為將細(xì)菌纖維素經(jīng)惰性氣氛保護(hù)下加熱碳化,即在溫度為500 3200 °C、保護(hù)氣氛工作氣壓為O. I 5000 Pa的條件下,將細(xì)菌纖維素加熱碳化O. I 10小時(shí),制得碳化細(xì)菌纖維素;所述保護(hù)氣氛為氮?dú)饣驓鍤狻1景l(fā)明的另一內(nèi)容中所述步驟b中真空加熱碳化時(shí)還可以添加有催化劑Fe或Ni。本發(fā)明的另一內(nèi)容中所述步驟c制備復(fù)合電磁屏蔽材料可以替換為將所述碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合,即制得復(fù)合電磁屏蔽材料;所述碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合的體積比例為I :10 4 1 ;所述基體材料是石蠟、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。本發(fā)明的另一內(nèi)容中所述步驟c制備復(fù)合電磁屏蔽材料還可以替換為將所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后再與基體材料混合,即制得復(fù)合電磁屏蔽材料;所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合的體積比例為20 :1 I :5,所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后的物料與基體材料混合的體積比例為I :10 4 :1 ;所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一種,所述基體材料是石臘、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。本發(fā)明的另一內(nèi)容中步驟a所述培養(yǎng)細(xì)菌纖維素可以是
      利用醋酸菌,采用靜態(tài)淺盤培養(yǎng)和動(dòng)態(tài)旋轉(zhuǎn)培養(yǎng),得到不同微結(jié)構(gòu)和聚集行為的纖維素,系現(xiàn)有技術(shù);
      細(xì)菌纖維素是由一系列平行排列的D-吡喃型葡萄糖單元鏈通過分子間氫鍵形成的,纖維形成過程分為三個(gè)步驟在靜態(tài)培養(yǎng)條件下時(shí),細(xì)菌先從末端復(fù)合物合成亞纖維;在細(xì)菌細(xì)胞表面長軸方向線性排列著一些孔狀位點(diǎn),亞纖維不斷的從這些位點(diǎn)排出,進(jìn)一步聯(lián)結(jié)結(jié)晶成微原纖維;微原纖維聚集成束,而后相互交織形成均勻的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),呈白色凝膠狀,其懸浮在培養(yǎng)液表面向培養(yǎng)基深層生長。本發(fā)明的內(nèi)容及另一內(nèi)容中所述納米磁性金屬材料(顆粒)的制備方法可以為球磨法、濕化學(xué)法、氧化物還原法、或氣相沉積方法(例如磁控濺射等),系現(xiàn)有技術(shù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有下列特點(diǎn)和有益效果(I)本發(fā)明復(fù)合電磁屏蔽材料中,選用的細(xì)菌纖維素不同于自然界廣泛存在的纖維素;細(xì)菌纖維素作為一種可再生的環(huán)境友好材料,是由微生物合成的胞外多糖,有著比植物纖維更優(yōu)良的性能,如純度高、結(jié)晶度高、可生物降解等,并且它以單一纖維存在,彈性模數(shù)為一般纖維的數(shù)倍,抗拉強(qiáng)度高,楊氏模量高達(dá)15X IO9 Pa,使得電磁屏蔽體具有良好的力學(xué)性能,有望應(yīng)用于高強(qiáng)度結(jié)構(gòu)材料;細(xì)菌纖維素經(jīng)由一定溫度碳化處理,獲得一種高取向度、網(wǎng)絡(luò)狀的納米碳化纖維(參見說明書附圖I和圖2),因此更容易在基體材料中分散;特殊的生物網(wǎng)狀納米結(jié)構(gòu)和所相應(yīng)的新穎電磁特性,使得碳化纖維素產(chǎn)生獨(dú)特的導(dǎo)電機(jī)制,從而具有更好的電磁屏蔽效能;將其與納米磁性金屬材料進(jìn)行復(fù)合,可以有效地增加體系的電損耗和磁損耗;相對于納米碳管和納米碳纖維,碳化細(xì)菌纖維素是一種網(wǎng)狀納米碳,易于分散,而且制備工藝簡單,生產(chǎn)效率高;
      (2 )本發(fā)明復(fù)合電磁屏蔽材料,其具有非常大的電損耗,明顯改善了體系的電磁屏蔽性能(參見說明書附圖2和圖3);這一復(fù)合材料可直接應(yīng)用于防電磁污染領(lǐng)域;
      (3)本發(fā)明復(fù)合電磁屏蔽材料性能優(yōu)良,原理在于碳化細(xì)菌纖維素具導(dǎo)電性較好且線狀結(jié)構(gòu)有利于電子傳導(dǎo),所以有較高的介電常數(shù)值,本身就具有良好的電磁屏蔽效能;另外,磁性納米金屬材料同時(shí)具有良好的導(dǎo)電性和強(qiáng)磁性,具有良好的阻隔電磁波穿透的性能,將碳化細(xì)菌纖維素和磁性金屬納米材料復(fù)合能將它們的優(yōu)勢更好的體現(xiàn),進(jìn)一步提高的電磁屏蔽效能;基體材料包含石蠟、環(huán)氧樹脂和二氧化硅,它們的作用是使粉末狀的碳化細(xì)菌纖維素和納米顆粒能形成各種形狀(如環(huán)狀、片狀、涂層狀等)以滿足電磁屏蔽性能測試需要和實(shí)際使用;
      (4)本發(fā)明復(fù)合電磁屏蔽材料具有薄、輕、寬、強(qiáng)的特點(diǎn),本發(fā)明制備方法工藝簡單、成本低廉,電磁屏蔽體質(zhì)量更輕、厚度更薄,電磁屏蔽性能穩(wěn)定,環(huán)境友好,實(shí)用性強(qiáng),所得復(fù)合電磁屏蔽材料在防電磁污染、微波暗室、高頻電子產(chǎn)品等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。


      圖I為采用掃描隧道顯微鏡測得的本發(fā)明實(shí)施例中的三維網(wǎng)狀細(xì)菌纖維素圖;表明其三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)較為明顯,滿足本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)要求;
      圖2為采用熱處理獲得的碳化細(xì)菌纖維素的透射電鏡圖,表明碳化后仍然呈線狀結(jié)構(gòu),滿足本發(fā)明的技術(shù)要求;
      圖3為采用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測得的本發(fā)明實(shí)施例中碳化細(xì)菌纖維素和基體材料復(fù)合測得電磁參數(shù)圖譜;其中介電常數(shù)在2-18 GHz頻率范圍內(nèi)實(shí)部和虛部都保持在很高數(shù)值,而且代表損耗的虛部數(shù)值在頻率范圍內(nèi)都在90以上,這些都使得碳化細(xì)菌纖維素具有較大的介電損耗,從而具有良好的電磁屏蔽效能;
      圖4為根據(jù)測得的電磁參數(shù),采用理論計(jì)算所獲得的碳化細(xì)菌纖維素電磁屏蔽性能;其中SEkR表反射效能,SEa代表吸收效能,其中SEK+SEA代表總的電磁屏蔽效能。該圖里的吸收效能表明可以將電磁屏蔽體系做的更薄,電磁屏蔽頻段寬,滿足現(xiàn)代電磁屏蔽材料寬、薄、輕、強(qiáng)的要求。
      具體實(shí)施例方式下面給出的實(shí)施例擬以對本發(fā)明作進(jìn)一步說明,但不能理解為是對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制,該領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)上述本發(fā)明的內(nèi)容對本發(fā)明作出的一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整,仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。實(shí)施例I :
      一種復(fù)合電磁屏蔽材料,由碳化細(xì)菌纖維素和基體材料石蠟組成;
      該復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法包括下列步驟
      a、細(xì)菌纖維素采用靜態(tài)淺盤培養(yǎng)獲得,同現(xiàn)有技術(shù);
      b、碳化細(xì)菌纖維素工藝參數(shù)是細(xì)菌纖維素碳化溫度為800 1600°C、本底真空氣壓10_2 IO4 Pa、保溫時(shí)間為O. 5 h 4 h ;
      C、取與碳化細(xì)菌纖維素等體積的石蠟;
      d、將碳化細(xì)菌纖維素與石蠟按體積比1:1混合,混合物加熱至90 °C 92 °C,機(jī)械攪拌30 50分鐘,然后在85 °C 90 °C的水浴鍋中超聲混合20 50分鐘后冷卻。實(shí)施例2:
      一種復(fù)合電磁屏蔽材料,由碳化細(xì)菌纖維素和基體材料環(huán)氧樹脂組成;
      該復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法包括下列步驟
      a、細(xì)菌纖維素采用靜態(tài)淺盤培養(yǎng)獲得,同現(xiàn)有技術(shù);
      b、碳化細(xì)菌纖維素工藝參數(shù)是細(xì)菌纖維素碳化溫度為800 1600°C、本底真空氣壓10_2 IO4 Pa、保溫時(shí)間為O. 5 h 4 h ;
      C、取與碳化細(xì)菌纖維素等體積的環(huán)氧樹脂;
      d、將碳化細(xì)菌纖維素與環(huán)氧樹脂按體積比I :1混合,將混合物機(jī)械攪拌30 50分鐘后,放置I天自然固化。實(shí)施例3
      一種碳化細(xì)菌纖維素電磁屏蔽材料,由一種碳化細(xì)菌纖維素和基體材料二氧化硅組
      成;
      該碳化細(xì)菌纖維素電磁屏蔽材料的制備方法包括下列步驟
      a、細(xì)菌纖維素采用靜態(tài)淺盤培養(yǎng)獲得,同現(xiàn)有技術(shù);
      b、碳化細(xì)菌纖維素工藝參數(shù)是細(xì)菌纖維素碳化溫度為800 1600°C、本底真空氣壓10_2 IO4 Pa、保溫時(shí)間為O. 5 h 4 h ;
      C、取與碳化細(xì)菌纖維素等體積的二氧化硅;
      d、將碳化細(xì)菌纖維素與二氧化硅按體積比I :1混合,將混合物機(jī)械攪拌60分鐘后固化。實(shí)施例4:
      一種復(fù)合電磁屏蔽材料,由碳化細(xì)菌纖維素和納米磁性金屬材料復(fù)合組成;該復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法包括下列步驟
      a、細(xì)菌纖維素采用靜態(tài)淺盤培養(yǎng)獲得,同現(xiàn)有技術(shù);
      b、碳化細(xì)菌纖維素工藝參數(shù)是細(xì)菌纖維素碳化溫度為1100°C,保護(hù)氣氛為氮?dú)狻⒐ぷ鳉鈮簽?00 Pa,保溫時(shí)間為O. 5 h ;
      C、納米磁性金屬材料選用Ni納米顆粒;配制一定量的氫氧化鈉溶液;取5毫升煮沸的蒸餾水以及O. 2克NaOH,添加O. 118克NiCl2_6H20溶于50毫升乙二醇中,溶液變?yōu)榫G色;1毫升N2H4 H2O逐滴加入綠色溶液中,邊滴邊攪;取2毫升已經(jīng)配好的NaOH溶液,逐滴滴入淡紫色溶液中,邊滴邊攪拌;60 °C水浴,至到溶液變?yōu)闊o色透明;強(qiáng)磁鐵分離,乙醇洗滌3次;40 °C干燥24小時(shí)即獲得Ni納米顆粒。d、取碳化細(xì)菌纖維素、納米磁性金屬材料,按體積比為I :2混合,將混合物加熱至90°C,機(jī)械攪拌30分鐘,然后在85°C的水浴鍋中超聲混合20分鐘,最后自然冷卻。實(shí)施例5
      一種復(fù)合電磁屏蔽材料,由碳化細(xì)菌纖維素和納米磁性金屬材料包覆層組成;該復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法包括下列步驟
      a、細(xì)菌纖維素采用靜態(tài)淺盤培養(yǎng)獲得,同現(xiàn)有技術(shù);
      b、碳化細(xì)菌纖維素工藝參數(shù)是細(xì)菌纖維素碳化溫度為1100°C,保護(hù)氣氛為氮?dú)?、工作氣壓?00 Pa,保溫時(shí)間為O. 5小時(shí);
      C、包覆層納米磁性金屬材料選用Fe納米顆粒;采用磁控濺射方法獲得Fe納米顆粒包覆碳化細(xì)菌纖維素的復(fù)合材料(即碳化細(xì)菌纖維素/磁性復(fù)合電磁屏蔽材料);具體操作步驟為選用純Fe靶材,將碳化細(xì)菌纖維素均勻散放在玻璃基片上;本底真空氣壓壓力優(yōu)于10_4 Pa、且氬氣下的沉積工作氣壓為O. I O. 8 Pa ;濺射功率為100 W ;最終可獲得納米顆粒與碳化細(xì)菌纖維素體積比為5 :1 I :20的復(fù)合材料。實(shí)施例6—12:
      一種復(fù)合電磁屏蔽材料,由碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料復(fù)合(混合、包覆層)組成,納米磁性金屬材料與碳化細(xì)菌纖維素的體積比例見下表
      權(quán)利要求
      1.一種復(fù)合電磁屏蔽材料,其特征是由碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合組成,所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合的體積比例為20 :1 I :5 ;所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一種。
      2.一種復(fù)合電磁屏蔽材料,其特征是由碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合組成,所述碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合的體積比例為I :10 4 :1 ;所述基體材料是石蠟、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。
      3.一種復(fù)合電磁屏蔽材料,其特征是由碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后再與基體材料混合組成,所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合的體積比例為20 I I :5,所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后的物料與基體材料混合的體積比例為I :10 4 :1 ;所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一種,所述基體材料是石臘、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。
      4.一種復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法,包括a、制備細(xì)菌纖維素;其特征是還包括下列步驟b、制備碳化細(xì)菌纖維素將細(xì)菌纖維素經(jīng)蒸餾水洗至中性后,與I 3體積的I wt. % NaOH溶液混合煮沸2 h,過濾,固體物即細(xì)菌纖維素再次用蒸餾水洗至中性后,粉碎,在-40°C下冷凍干燥之后,再經(jīng)真空加熱碳化,真空加熱碳化即在溫度為500 3200 °C、本底真空氣壓壓力優(yōu)于IO4Pa的條件下、將細(xì)菌纖維素加熱碳化O. I 10小時(shí),即制得碳化細(xì)菌纖維素;C、制備復(fù)合電磁屏蔽材料按體積比例為20 :1 I :5的比例取所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料,將碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合,即制得復(fù)合電磁屏蔽材料;所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一種。
      5.按權(quán)利要求4所述復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法,其特征是所述步驟b替換為將細(xì)菌纖維素經(jīng)惰性氣氛保護(hù)下加熱碳化,即在溫度為500 3200 °C、保護(hù)氣氛工作氣壓為O. I 5000 Pa的條件下,將細(xì)菌纖維素加熱碳化O. I 10小時(shí),制得碳化細(xì)菌纖維素;所述保護(hù)氣氛為氮?dú)饣驓鍤狻?br> 6.按權(quán)利要求4所述復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法,其特征是所述步驟b中真空加熱碳化時(shí)還添加有催化劑Fe或Ni。
      7.按權(quán)利要求4、5或6所述復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法,其特征是所述步驟c制備復(fù)合電磁屏蔽材料替換為將所述碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合,即制得復(fù)合電磁屏蔽材料;所述碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合的體積比例為I :10 4 :1 ;所述基體材料是石蠟、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。
      8.按權(quán)利要求4、5或6所述復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法,其特征是所述步驟c制備復(fù)合電磁屏蔽材料替換為將所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后再與基體材料混合,即制得復(fù)合電磁屏蔽材料;所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合的體積比例為20 :1 I :5,所述碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后的物料與基體材料混合的體積比例為I :10 4 1 ;所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、C0、NiFe、C0Fe中的任一種,所述基體材料是石蠟、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種復(fù)合電磁屏蔽材料,其特征是由碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合組成,或由碳化細(xì)菌纖維素與基體材料混合組成,或由碳化細(xì)菌纖維素與納米磁性金屬材料混合后再與基體材料混合組成;所述納米磁性金屬材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一種;所述基體材料是石蠟、環(huán)氧樹脂、二氧化硅中的任一種。復(fù)合電磁屏蔽材料的制備方法包括制備細(xì)菌纖維素、制備碳化細(xì)菌纖維素、制備復(fù)合電磁屏蔽材料等步驟。本發(fā)明復(fù)合電磁屏蔽材料具有薄、輕、寬、強(qiáng)的特點(diǎn),具有成本低、制備工藝簡單、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn),在防電磁污染、微波暗室和高頻電子產(chǎn)品等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
      文檔編號H05K9/00GK102917577SQ20121038997
      公開日2013年2月6日 申請日期2012年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月16日
      發(fā)明者代波, 任勇, 王改花, 馬擁軍, 裴重華 申請人:西南科技大學(xué)
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