專利名稱:一種用于背景溫度模擬的加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及一種加熱裝置,特別涉及一種用于背景溫度模擬的加熱裝置。
背景技術(shù):
常用的溫度控制裝置是由加熱裝置、加熱控制部分構(gòu)成;其廣泛用于食品、化纖、化工、造紙和醫(yī)療等實用熱加工領(lǐng)域;電加熱冷暖空調(diào)機等民用領(lǐng)域,這些應(yīng)用主要掌控加熱裝置的適用形狀、溫度值和溫度范圍。通過人工調(diào)節(jié)(或時間繼電器、一些具有智能電路的手端)加熱電壓和電流的方法,完成對溫度值和溫度變化速率(大多數(shù)不是線性變化或不強調(diào)線性變化)方面的控制。由于該應(yīng)用領(lǐng)域本身在對發(fā)熱均勻性、溫度的精確性和溫升速率的符合性方面要 求無須很高,因此,就其傳統(tǒng)的設(shè)計、選材、工藝而言,自然而然就不能滿足對發(fā)熱均勻度、溫度值和溫升速率方面具備較高要求的檢測技術(shù)。為了克服現(xiàn)有的加熱溫度控制裝置,控溫平面的溫度均勻性、控溫的精確度和溫度變化的速率符合性不容易提高,傳統(tǒng)控制難以實現(xiàn),甚至不可能達到預期效果。
實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種所占空間小、表面功率密度大、熱慣性小的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置。為達到上述目的,本實用新型的技術(shù)方案如下一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,包括底板、安置在底板上的第一銅質(zhì)板材、第二銅質(zhì)板材以及安置在兩銅質(zhì)板材之間的加熱膜;所述加熱膜由基材、安置在基材上的鎳鉻箔以及將鎳鉻箔封裝成片狀的聚酰亞胺組成;所述鎳鉻箔為條形狀,所述鎳鉻箔的兩端各置引出一根導線。優(yōu)選的,所述鎳鉻箔采用蝕刻的方式以帶狀來回平鋪的排列在基板上。優(yōu)選的,所述鎳鉻箔的厚度為O. 02-0. 1mm。優(yōu)選的,所述第一銅質(zhì)板材、第二銅質(zhì)板材安置在底板的一端設(shè)有與底板上表面平行的延伸端。優(yōu)選的,所述延伸端上對稱的設(shè)有至少兩個通孔。優(yōu)選的,所述底板的截面為U形,所述底板上表面上對稱設(shè)有至少兩對螺紋孔。優(yōu)選的,所述加熱裝置的長度為400mm,高度為600_。優(yōu)選的,所述底板與第一銅質(zhì)板材和第二銅質(zhì)板材的接觸面之間設(shè)有隔熱板材。優(yōu)選的,所述隔熱板材上設(shè)有與底板上螺紋孔相對應(yīng)的通孔。通過上述技術(shù)方案,本實用新型的有益效果是I、所占空間極小、重量極輕、厚度極薄(一般小于O. 1mm),這同時也解決了邊緣散熱的問題,邊緣可以不用保護加熱器進行補償。2、極其柔軟,其最小彎曲半徑僅為O. 8mm左右。[0020]4、形狀靈活,尤其適合于制作各種面積的柔性加熱膜元件。5、采用面狀發(fā)熱方式,容許表面功率密度極大,最大可達到7. 8W/cm2。因此,具有加熱均勻性能更好,加熱速率更快的特點。6、在不同面積部位可滿足不同的加熱功率要求和加熱溫度要求,可按設(shè)計要求,實現(xiàn)在加熱面上的溫度分布。7、熱慣量小,溫度控制精度高,速度快。8、在50°C下溫度均勻性可以達到±0.2°C,可以達到本項目的使用要求。
·[0025]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本實用新型加熱膜的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為實施例I結(jié)構(gòu)示意圖。圖中數(shù)字和字母所表示的相應(yīng)部件名稱10、底板11、螺紋孔20、第一銅質(zhì)板材30、第二銅質(zhì)板材40、加熱膜41、基材42、鎳鉻箔43、聚酰亞胺44、導線50、延伸端51、通孔60、待測樣品70、隔熱板材
具體實施方式
為了使本實用新型實現(xiàn)的技術(shù)手端、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結(jié)合具體圖示,進一步闡述本實用新型。參見圖I至圖3所示,本實用新型一種用于背景溫度模擬的加熱裝置包括底板10、安置在底板10上的第一銅質(zhì)板材20、第二銅質(zhì)板材30以及安置在兩銅質(zhì)板材之間的加熱膜40 ;加熱膜40由基材41、安置在基材41上的鎳鉻箔42以及將鎳鉻箔42封裝成片狀的聚酰亞胺43組成;鎳鉻箔42為條形狀,鎳鉻箔42的兩端各置引出一根導線44。鎳鉻箔42采用蝕刻的方式以帶狀來回平鋪的排列在基板41上,鎳鉻箔42的厚度為 O. 02-0. 1mm。第一銅質(zhì)板材20、第二銅質(zhì)板材30安置在底板10的一端設(shè)有與底板10上表面平行的延伸端50,延伸端50上對稱的設(shè)有至少兩個通孔51。底板10的截面為U形,底板10上表面上對稱設(shè)有至少兩對螺紋孔11,加熱裝置的長度為400mm,高度為600mm ;底板10與第一銅質(zhì)板材20和第二銅質(zhì)板材30的接觸面之間設(shè)有隔熱板材70,隔熱板材70上設(shè)有與底板10上螺紋孔11相對應(yīng)的通孔51。本實用新型表面溫度的均勻度不大于O. 5°C,其控溫范圍為+20°C +40°C,且溫升速率可設(shè)定的自動控制裝置。本實用新型加熱膜40的整體厚度可以控制在O. 2mm以內(nèi),工作溫度可長期工作在180°C以下。本實用新型底板10還可以替換成四個支架(圖中未標出),其在安裝時只需兩兩對稱固定在第一銅質(zhì)板材20和第二銅質(zhì)板材30的側(cè)邊即可,對稱固定在第一銅質(zhì)板材20、第二銅質(zhì)板材30側(cè)邊的支架形成三角形支撐體,其相比于底板10具有更好的穩(wěn)定性和支持力。實施例I本實用新型在工作時,將加熱裝置平穩(wěn)安放在周圍溫度約為+25°C的環(huán)境內(nèi)(無過低或過高溫度源產(chǎn)生湍動的氣流),與控制主機相連接;開機進入軟件控制界面,根據(jù)試驗要求設(shè)置好起始溫度、終了溫度及升溫速率等參數(shù);將待測樣品60的某單個敏感帶對準加熱裝置,接通待測樣品60電源,并確保無干擾(具有紅外輻射的人和物在受試樣品與發(fā)熱平面體之間移動),以便造成誤報警;然后,點擊程序運行框開始試驗,并監(jiān)視本實用新型裝置的工作狀態(tài)、觀測受試樣品的輸出狀態(tài)。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本實用新型不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述 的只是說明本實用新型的原理,在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下,本實用新型還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求1.一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于包括底板、安置在底板上的第一銅質(zhì)板材、第二銅質(zhì)板材以及安置在兩銅質(zhì)板材之間的加熱膜;所述加熱膜由基材、安置在基材上的鎳鉻箔以及將鎳鉻箔封裝成片狀的聚酰亞胺組成;所述鎳鉻箔為條形狀,所述鎳鉻箔的兩端各置引出一根導線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于所述鎳鉻箔采用蝕刻的方式以帶狀來回平鋪的排列在基板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于所述鎳鉻箔的厚度為O. 02-0. 1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于所述第一銅質(zhì)板材、第二銅質(zhì)板材安置在底板的一端設(shè)有與底板上表面平行的延伸端。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于所述延伸端上對稱的設(shè)有至少兩個通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于所述底板的截面為U形,所述底板上表面上對稱設(shè)有至少兩對螺紋孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于所述加熱裝置的長度為400mm,高度為600mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于所述底板與第一銅質(zhì)板材和第二銅質(zhì)板材的接觸面之間設(shè)有隔熱板材。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,其特征在于所述隔熱板材上設(shè)有與底板上螺紋孔相對應(yīng)的通孔。
專利摘要本實用新型公開了一種用于背景溫度模擬的加熱裝置,包括底板、安置在底板上的第一銅質(zhì)板材、第二銅質(zhì)板材以及安置在兩銅質(zhì)板材之間的加熱膜;所述加熱膜由基材、安置在基材上的鎳鉻箔以及將鎳鉻箔封裝成片狀的聚酰亞胺組成;所述鎳鉻箔為條形狀,所述鎳鉻箔的兩端各置引出一根導線。本實用新型所占空間小、重量極輕、厚度薄、采用面狀發(fā)熱方式、具有加熱均勻性能更好、加熱速率更快的特點。
文檔編號H05B3/34GK202721835SQ20122040271
公開日2013年2月6日 申請日期2012年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月14日
發(fā)明者韓峰, 劉彩霞, 戎玲, 黃瑾, 張振一, 史源 申請人:公安部第三研究所