用于保護與磁源相鄰空間的裝置以及用于制造這種裝置的方法
【專利摘要】為保護鄰近于磁源（3）的空間（2）免受由所述源輻射的磁能，本發(fā)明的裝置（11）包括一個或兩個鐵磁材料片（4）。每一個片在空間（2）和源（3）之間延伸。該裝置進一步包括一個或兩個反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片（5，6），所述片中的一個片在片（4）和要保護的空間（2）之間延伸，并且其它額外片在鐵磁材料片（4）和磁源（3）之間延伸。
【專利說明】用于保護與磁源相鄰空間的裝置以及用于制造這種裝置的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及允許保護與磁源相鄰的空間的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]輻射到與磁源相鄰空間中的磁能可破壞電子裝置(電磁兼容)的運行，和/或當(dāng)該能量由甚至在短持續(xù)時間內(nèi)的高功率或由然而人在更長時間期間內(nèi)暴露的較弱功率引起時，對于占據(jù)該空間的人造成危險。
[0003]一般地，這種裝置包括多層屏蔽或屏障，諸如例如在文件EP1399929中所描述的。由該文件公開的屏蔽卷繞在電纜周圍。其包括至少兩層鐵磁材料。
[0004]當(dāng)磁源具有比簡單直管形狀更復(fù)雜的形狀時，該屏蔽方法不合適。這可以是當(dāng)磁源不限于電纜本身還包括連接終端或各種電力電子設(shè)備時的情況。這可以是當(dāng)其在從一件電設(shè)備到另一件電設(shè)備的路徑中的靜態(tài)模式中，或在當(dāng)電纜連接到移動設(shè)備時的動態(tài)模式中經(jīng)受一定的彎曲時，同樣用于電纜本身的情況。該彎曲可導(dǎo)致在鐵磁材料層中的破裂，這然后不再允許磁場線被正確引導(dǎo)，并且這然后使屏蔽失去其磁屏障性質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的是用于保護與磁源相鄰的空間免受由所述源輻射的磁能的裝置，所述裝置包括:第一鐵磁材料片，該片在所述空間和所述源之間伸展。該裝置特征在于，其包括第一反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片，該片在所述第一鐵磁材料片和要保護的所述空間之間伸展。
[0006]特別地，該裝置包括第二反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片，該片在所述第一鐵磁材料片和所述磁源之間伸展。
[0007]更特別地，該裝置包括第二鐵磁材料片，該片在所述第一鐵磁材料片和所述第一導(dǎo)電材料片之間伸展。
[0008]有利地，所述(多個)導(dǎo)電材料片具有大于該(多個)鐵磁材料片的表面積的表面積，以便完全覆蓋所述(多個)鐵磁材料片。
[0009]優(yōu)選地，鐵磁材料具有大于100000的高值的相對磁導(dǎo)率。
[0010]特別地，鐵磁性材料是具有非定向納米晶體結(jié)構(gòu)的鐵基非晶質(zhì)合金。
[0011]更特別地，所述合金包括一組包含鈷和鎳的化學(xué)元素。
[0012]同樣更特別地，至少一個鐵磁材料片采用至少一層電絕緣材料覆蓋。
[0013]同樣優(yōu)選地，反磁性或順磁性導(dǎo)電材料包括鋁。
[0014]本發(fā)明的另一個目的是一種制造用于保護與磁源相鄰的空間免受由所述源輻射的磁能的裝置的方法，所述方法特征在于其包括如下步驟:
[0015]-將第一反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片成形，以便能夠采用與要保護的所述空間相對的第一面來伸展片；[0016]-在與所述第一導(dǎo)電材料片的所述第一面相對的反磁性或順磁性導(dǎo)電材料的所述第一片的第二面上方，伸展一個或多個鐵磁材料片。
[0017]特別地，制造方法進一步包括如下步驟:
[0018]-將第二反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片成形，以便能夠采用與磁源相對的第一面來伸展片；
[0019]-定位所述第二導(dǎo)電材料片，以使得在與所述第二導(dǎo)電材料片的所述第一面相對的所述第二導(dǎo)電材料片的第二面上方，伸展一個(多個)鐵磁材料片。
[0020]本發(fā)明特別涉及一種移動物體，其包括至少一個電構(gòu)件，所述電構(gòu)件是磁輻射源。該移動物體特征在于其包括根據(jù)本發(fā)明的裝置，以便提供免受由所述源輻射的磁能的低質(zhì)量保護。
[0021]特別地，由本發(fā)明涵蓋的移動物體是包括艙室的機動車輛，所述艙室包括與所述構(gòu)件相鄰的空間。有利地，根據(jù)本發(fā)明的裝置位于構(gòu)件和艙室之間的機動車輛中。
[0022]本發(fā)明特別有利于輕量化的任何使用，換句話說，例如所有的交通工具(飛機、火車等)、便攜式系統(tǒng)或其它移動物體的質(zhì)量節(jié)省很重要。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]參考附圖，使用根據(jù)本發(fā)明裝置的實施例將更好地理解本發(fā)明，在附圖中:
[0024]-圖1是根據(jù)本發(fā)明的裝置的示意圖；
[0025]-圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一裝置的示意圖；
[0026]-圖3是按照根據(jù)本發(fā)明的方法而成形并且組合的組件分解圖；
[0027]-圖4是根據(jù)本發(fā)明的機動車輛的示意圖。
【具體實施方式】
[0028]圖1示出裝置1，其用于保護與磁源3相鄰的空間2免受由源3輻射的磁能。
[0029]這種裝置在許多領(lǐng)域中是必需的，以便保護人免受由設(shè)備輻射的磁能，此外磁能對于所述設(shè)備是有用的。
[0030]特別地，在附圖4中示出的車輛22包括車輪24、25和用于驅(qū)動所有或一些這些車輪的機器23。機器23由電源13控制。
[0031]當(dāng)機器23是熱力發(fā)動機時，第一類型的電源13在汽油燃燒的情況下例如產(chǎn)生點火序列，和/或在汽油或柴油燃燒的情況下產(chǎn)生用于控制噴射器的序列。
[0032]當(dāng)機器23是電機時，第二類型的電源13特別產(chǎn)生電流，根據(jù)電流的正或負(fù)方向，所述電流使機器23作為發(fā)動機或發(fā)電機運行。電源13然后將電池和電力電子裝置組合到一起。
[0033]電源13特別和將電源連接到機器23的電纜33是形成靜態(tài)源的構(gòu)件，或特別是當(dāng)電流變化時形成輻射磁場的構(gòu)件。
[0034]在機動車輛中或其它環(huán)境中的其它元件同樣可形成靜態(tài)源3或輻射磁場。
[0035]車輛22包括具有分別容納駕駛員和至少一個乘客的座椅26、27的艙室。為了盡可能減少在該情況下示出的車輛笨重性，座椅27位于構(gòu)件13、23、33之上。由座椅27占據(jù)的艙室部分因此包括與磁源相鄰的空間12?？臻g12需要裝置21，其形成緊靠磁輻射的屏障，以便不將乘客暴露于可能對其健康有損的磁場中。
[0036]其它空間可能需要保護以避免人員暴露于磁場，例如借助于純粹說明性而非限制的，與變電站或在工廠中的強電流配電線路相鄰。
[0037]一般地，圖1的裝置I包括鐵磁材料片4，該片在空間2和磁源3之間伸展。
[0038]已經(jīng)嘗試實現(xiàn)最優(yōu)的可能性能，用于以最優(yōu)成本減少與源相鄰的磁場，同時保持限制裝置I重量的需求。事實上，輕量性在許多工程成果中(特別是在機動車輛中)是基本
重要需求。
[0039]應(yīng)該注意，在穩(wěn)定或幾乎穩(wěn)定的狀態(tài)中，安培定律以已知的方式說明了在閉合曲線的磁場B的循環(huán)和穿過由該閉合曲線限定的表面的電流之間的比例聯(lián)系。
[0040]已知的是，在真空中，比例因子等于是4Πχ10_7Τπι/Α的真空磁導(dǎo)率μ QO與真空不同的介質(zhì)的磁導(dǎo)率μ通過將真空磁導(dǎo)率與稱為表征介質(zhì)的相對磁導(dǎo)率的比例因子相乘而獲得。
[0041]在動態(tài)狀態(tài)中，安培-麥克斯韋定律說明了在磁場和涉及電場時間變化的電流之間的關(guān)系。
[0042]上述的知識已經(jīng)用于改變在源3中的電流，以便在描述從幾Hz到幾MHz變化的頻譜的頻率處獲得由磁源產(chǎn)生的磁場。
[0043]通過記錄在小于給定閾值的頻率范圍內(nèi)的累積輻射磁能，對于在IOHz和IOOHz之間的閾值，觀察到在累積輻射能量中的顯著增加，進而對于在IOOHz和1000Hz之間的閾值，觀察到更進一步的增加。累積磁能然后微弱增加，同時對于在IOOOHz和IOMHz之間的閾值趨于漸進值。
[0044]鑒于該觀察，已經(jīng)嘗試配置裝置I以便盡可能地在從IOHz到IkHz (甚至高達IOkHz)變化的頻率范圍內(nèi)將磁場衰減。
[0045]在這些頻帶中，最適于針對磁場形成屏障的材料優(yōu)先為鐵磁材料。
[0046]如果已知諸如鋁的順磁性導(dǎo)電材料允許磁場在高頻處適當(dāng)衰減，則它們不適于在低頻處針對磁場形成屏障。雖然具有有限尺寸和Imm厚度的鋁板已經(jīng)允許在IOOkHz和2MHz之間的頻帶中實現(xiàn)-58dB的衰減,但是這同一板對于小于IOOHz的頻率已經(jīng)只允許衰減限于僅_2dB，并且對于接近400Hz的頻率僅_7dB。
[0047]對于鐵磁材料，尋求占有具有高值的相對磁導(dǎo)率μ r的鐵磁材料，換句話說，大于100000以便在低頻處實現(xiàn)良好效果。
[0048]例如這是基本上77-80%的鎳和基本上15%的鐵組成的高導(dǎo)磁合金，其中銅和/或鑰組成其余部分。該材料的特征是:在150000區(qū)域中的相對磁導(dǎo)率，其在低頻處促進磁場線的偏離；以及大約420°C的居里溫度，這非常適于熱環(huán)境，因為可能遇到與發(fā)動機相鄰的情況。
[0049]通過增加從IOHz到IOMHz的頻率，首先測量在源3和裝置I之間的磁場，并且隨后在裝置I任一側(cè)上的固定點處測量超出裝置I的空間2中的磁場，以便能夠比較測量值。對于每一個頻率，在兩個測量值之間的比率給出由屏障裝置帶來的衰減。
[0050]高導(dǎo)磁合金片允許實現(xiàn)基本上恒定的衰減，其在從IOHz到1000Hz的頻率范圍中交替地稍微改變大約-7.5dB，在從IkHz到4kHz的頻率范圍中減小到基本上_17dB，然后在超出4kHz處在后一值附近保持基本上恒定。這些值還取決于片的大小。[0051]為了增加衰減性能，使用具有非定向納米晶體結(jié)構(gòu)的鐵基非晶質(zhì)合金作為鐵磁材料的可能性已經(jīng)研究。為區(qū)分該類與高導(dǎo)磁合金類，屬于此類的材料將在縮寫為FMNA (鐵磁納米晶體非晶質(zhì))的描述的其余部分中指定。
[0052]在這類材料中，NAN0PERM?是包括硅并且由少量銅、鈮和硼組成的鐵基合金。其允許實現(xiàn)200000的磁導(dǎo)率，取決于其供應(yīng)商。供應(yīng)商說明書指示小于0.5ppm的磁致伸縮系數(shù)。
[0053]在這類材料中，F(xiàn)INEMET?是鐵基合金，該鐵基合金同樣包括一組包含硅的化學(xué)元素。供應(yīng)商說明書指示近似70000的相對磁導(dǎo)率和近似10_7的非常低的磁致伸縮系數(shù)。該低磁致伸縮系數(shù)有利于嘗試減小由磁場產(chǎn)生的、在可聽到的頻帶中振蕩的噪音。
[0054]FINEMET?片是在其每個面上由電絕緣材料層覆蓋的鐵磁材料片。
[0055]電絕緣材料的每一層包括厚度為25 μ m的PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜，其中膜通過具有25 μ m厚度的粘合材料層連接到鐵磁材料片。由于鐵磁材料本身的厚度是18 μ m,因此獲得具有0.12mm的FMNA材料片。
[0056]通過重復(fù)與采用高導(dǎo)磁合金相同的實驗，具有0.12mm的FMNA材料片已經(jīng)允許實現(xiàn)基本上恒定的衰減，其在從IOHz到1000Hz的頻率范圍中交替地稍微改變大約_2dB，在從IkHz到5kHz的范圍中前進到基本上-14dB，然后在超出5kHz處在后一值附近保持基本上恒定。
[0057]具有0.12mm厚度的FMNA材料的兩片堆疊已經(jīng)允許實現(xiàn)基本上恒定的衰減，其在從IOHz到1000Hz的頻率范圍中交替地稍微改變大約_4dB，在從IkHz到3kHz的范圍中前進到基本上_15dB，然后在超出3kHz處在后一值附近保持基本上恒定。應(yīng)該注意，片數(shù)量的加倍在低頻處帶來純粹成比例的性能改進，并且在高頻處幾乎沒有改進。
[0058]具有0.12mm厚度的三個FMNA材料片的堆疊已經(jīng)允許實現(xiàn)基本上恒定的衰減，其在從IOHz到1000Hz的頻率范圍中交替地稍微改變大約_6dB，在從IkHz到2kHz的范圍中達到基本上-10dB，然后在超出2kHz處在后一值附近保持基本上恒定。應(yīng)該注意，三倍片數(shù)量在低頻處帶來小幅性能改進，并且在高頻處惡化。
[0059]為克服在高頻處的性能惡化，鋁片在源和鐵磁材料片之間伸展。消除或至少極大減小磁場高頻成分的導(dǎo)電材料片主要通過僅向其發(fā)送磁場的低頻成分，來減輕由鐵磁材料要實現(xiàn)的屏障功能。
[0060]通過伸展在源3和具有0.12mm厚度的FMNA材料片之間的具有Imm厚度的鋁片，實現(xiàn)了衰減，其在從IOHz到1000Hz的頻率范圍中從_3dB前進到_17dB，然后在超出2kHz處在大約-25dB保持基本上恒定。應(yīng)該注意，伸展順磁性導(dǎo)電材料片在高頻處帶來性能改進，并且在從實現(xiàn)_15dB衰減的700Hz的相對低頻處已經(jīng)變得顯著。
[0061]通過伸展在源3和具有0.12mm厚度的兩個FMNA材料片之間具有Imm厚度的鋁片實現(xiàn)了衰減，其在從IOHz到1000Hz的頻率范圍中從_4dB前進到_18dB，然后在超出3kHz處在大約_30dB保持基本上恒定。應(yīng)該注意，與伸展在源3和單個FMNA材料片之間的鋁片相比，伸展在源3和兩個鐵磁材料片之間的順磁性導(dǎo)電材料片帶來小幅性能改進。
[0062]以令人驚訝的方式，通過在與面對源3的面相對的具有0.12mm厚度的FMNA材料片的面上方，伸展具有Imm厚度的鋁片實現(xiàn)了衰減，其在從IOOHz到1000Hz的頻率范圍中從-3dB前進到-22dB，然后在超出2kHz處大約_25dB保持基本上恒定。應(yīng)該注意，在與源3有關(guān)的鐵磁材料片后面伸展順磁性導(dǎo)電材料片在低頻處帶來性能改進，其明顯大于采用以上兩個前述實驗獲得的改進。該配置允許采用單個FMNA材料片實現(xiàn)比在相對配置中采用兩個FMNA材料片所獲得的性能更好的性能。此外，因為所有的參數(shù)相等，所以當(dāng)(多個)鋁片厚度增加時衰減增加。
[0063]這個結(jié)果優(yōu)選是不明顯的，因為在后一配置中，在朝向鐵磁材料片的傳播之前，將鐵磁材料片提交到整個磁場應(yīng)該趨向于促進在鐵磁材料中的飽和現(xiàn)象。
[0064]該結(jié)構(gòu)是有利的，因為其提高性能，同時削減一半由FMNA材料片的結(jié)構(gòu)所影響的成本，后者相對很高。
[0065]通過在與源3相對的具有0.12mm厚度的兩個FMNA材料片上方，伸展具有1mm厚度的鋁片實現(xiàn)了衰減，其在 從10Hz到1000Hz的頻率范圍中從_8dB前進到_22dB，然后在超出3kHz處大約-30dB保持基本上恒定。應(yīng)該注意，與在單個FMNA材料片上方伸展鋁片相比，在與源3相對的兩個鐵磁材料片上方伸展順磁性導(dǎo)電材料片幾乎不帶來任何性能改進。
[0066]通過在與面對磁源的面相對的單個鐵磁材料片的面上方伸展一個非鐵磁導(dǎo)電材料片，根據(jù)有效性和成本因此獲得第一最優(yōu)效果。
[0067]在圖1的裝置中，反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片5有利地在片4和要保護的空間2之間伸展。
[0068]然而，已經(jīng)嘗試以發(fā)現(xiàn)進一步改進性能的其它方式。
[0069]同樣以令人驚訝的方式，通過在具有0.12mm厚度的單個FMNA材料片的其它面上方，伸展具有1mm厚度的第二鋁片實現(xiàn)了衰減，其在從100Hz到600Hz的頻率范圍中從_5dB前進到_35dB，然后更逐漸地在1000Hz處達到_37dB，然后在超出1kHz處大約_37dB保持基本上恒定。應(yīng)該注意，在與源3有關(guān)的鐵磁材料片的任一側(cè)上伸展順磁性導(dǎo)電材料片在低頻處帶來性能改進，這明顯大于采用使用非鐵磁導(dǎo)電材料片的先前實驗所實現(xiàn)的那些總和，其中片與鐵磁材料片組合。該配置允許比采用以單個FMNA材料片實現(xiàn)的先前實驗所實現(xiàn)的性能更好的性能。同樣在該情況下，應(yīng)該注意，隨著所有的參數(shù)另外相等，當(dāng)鋁片厚度增加時衰減增加。
[0070]這個結(jié)果優(yōu)先是不明顯的，因為在后者配置中，如所看見的通過片的組合帶來的針對磁場屏障的技術(shù)效果遠(yuǎn)大于由每個片帶來的效果總和(甚至成對的片組合的總和)。
[0071]當(dāng)然，添加額外的非鐵磁金屬片可具有成本和重量影響，特別用于移動用途，后者是重要的選擇因素。取決于輻射磁能的可容許強度，單個非鐵磁導(dǎo)電材料片可能是可接受的，該片堆疊在要保護的空間一側(cè)上的鐵磁材料片的面上。
[0072]然而，當(dāng)磁場強度證明成本和重量的稍微增加時，考慮到與一些其它金屬相比，鋁是相對輕的金屬，并且成本明顯小于與強磁導(dǎo)率、高磁飽和閾值水平和低磁致伸縮組合的材料片的成本(如FINEMET?的情況)，本發(fā)明教導(dǎo)用于兩個非鐵磁金屬(更確切地是順磁性金屬)片使用的明顯傾向。
[0073]因此，圖1的裝置1包括第二反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片6，其中片在鐵磁材料片4和磁源3之間伸展。
[0074]呈現(xiàn)了來自上述公開的測試，該測試增加鐵磁材料片的數(shù)量帶來性能上的微小增.、/
Mo[0075]然而，已經(jīng)通過在兩個非鐵磁材料片之間插入幾個鐵磁材料片來執(zhí)行測試。
[0076]在具有1mm厚度的兩個鋁片之間，具有0.12mm厚度的兩個FINEMET?材料片的堆疊已經(jīng)允許實現(xiàn)衰減，其采用從用于50Hz頻率的-7dB到高至用于350Hz頻率的-35dB的陡峭梯度而前進，然而再次采用在1kHz處高至基本上_37dB的輕微梯度而前進，然后在超出5kHz處大約-36dB保持基本上恒定。與前面的測試不同，應(yīng)該注意，片數(shù)量的加倍在低頻處帶來顯著性能改進，并且在高頻處稍微傾向于反轉(zhuǎn)。
[0077]在具有1mm厚度的兩個鋁片之間，具有0.12mm厚度的三個FINEMET?片的堆疊已經(jīng)允許實現(xiàn)衰減，其同樣采用從用于50Hz頻率的-10dB到高至用于400Hz頻率的_35dB的幾乎相同陡峭梯度而前進，然后在超出1kHz處大約-33dB保持基本上恒定。應(yīng)該注意，片數(shù)量的加倍在低頻處帶來顯著性能改進，并且在高頻處稍微傾向于反轉(zhuǎn)。
[0078]最優(yōu)解決方案顯現(xiàn)為圖2的方案，其中裝置11包括第二鐵磁材料片7，該片在第一鐵磁材料片4和第一導(dǎo)電材料片5之間伸展。
[0079]圖3允許一種制造裝置的方法，該裝置用于保護與磁源相鄰的空間免受由要描述的源輻射的磁能。
[0080]第一步驟在于將第一反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片15成形。成形包括在壓力下將例如具有1mm厚度的片金屬(包括鋁)變形的行為，或當(dāng)材料難以沖壓時模制板的行為。為了能夠伸展具有與要保護的空間相對的第一面的片15，凸耳8、10被切割、折疊和/或加工，其中做出孔，其將允許片靠近要保護的該空間來固定。非穿孔的舌部18同樣可被成形，以用于通過釘住的固定方法或用于任何其它功能。
[0081]第二步驟在于以與第一步驟的方式類似的方式，將第二反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片16成形。為了能夠伸展具有與磁源相對的第一面的片16，凸耳9、20被切割、折疊和/或加工，其可緊靠凸耳8、10堆疊，并且其中做出孔，其將允許片16與片15—起固定。非穿孔的舌部19同樣可被成形以用于接合舌部18。
[0082]第三步驟在于，在與第一片15的第一面相對的第一導(dǎo)電材料片15的第二面上方，伸展一個或多個鐵磁材料片，優(yōu)選兩個片14、17。片14、17中的每一片的表面積優(yōu)選小于導(dǎo)電材料片15、16中的每一片的表面積，以便能夠全部由片15、16覆蓋。特別地，由于片14、17僅適于通過僅在一個方向中的彎曲來變形，所以它們不與凸耳8、9、10、20接觸放置，以便在將是破壞性的彎曲期間防止它們斷裂。
[0083]第四步驟在于，將第二導(dǎo)電材料片16定位，以使得在與第二導(dǎo)電材料片16的第一面相對的第二導(dǎo)電材料片16的第二面上方，伸展鐵磁材料片14、17。
[0084]剛才已經(jīng)描述的方法是一個實施例的方法。在不背離本發(fā)明范圍的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將設(shè)想修改它的各種方式。特別地，當(dāng)后者優(yōu)選采用單個鋁片制作時，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可移除第二和第四步驟。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可顛倒步驟順序，其中兩個步驟中的第一步可在另一個之前平等執(zhí)行一個步驟，或并行執(zhí)行。同樣，通過將片14和17定位在片16上，然后通過將片15定位在以這種方式獲得的堆疊上，第四步驟可在第三步驟之前被執(zhí)行。
[0085]總之，在公開的配置中，附加的FINEMET片主要減少低截止頻率，而鋁的厚度增加衰減。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置(1，11，21)，用于保護與磁源(3，33)相鄰的空間(2，12)免受由所述源輻射的磁能，所述裝置(1，11，21)包括:第一鐵磁材料片(4，14)，該片在所述空間(2，12)和所述源(3，33)之間伸展；以及第一反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片(5，15)，該片在所述第一片(4，14)和要保護的所述空間(2，12)之間伸展，所述裝置(1，11，21)的特征在于，鐵磁性材料是具有非定向納米晶體結(jié)構(gòu)的鐵基非晶質(zhì)合金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置(I，11，21)，其特征在于其包括: -第二反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片(6，16)，該片在所述第一鐵磁材料片(4，14)和所述磁源(3，33)之間伸展。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的裝置(11，21)，其特征在于其包括: -第二鐵磁材料片(7,17),該片在所述第一鐵磁材料片(4,14)和所述第一導(dǎo)電材料片(5，15)之間伸展。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的裝置(21)，其特征在于所述導(dǎo)電材料片(15，16)具有大于鐵磁材料片(14，17)表面積的表面積，以便完全覆蓋所述鐵磁材料片。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的裝置(1，11，21)，其特征在于鐵磁材料具有大于100000的高值的相對磁導(dǎo)率(μ J。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的裝置(1，11，21)，其特征在于所述合金包括一組包含硅的化學(xué)元素。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的裝置(1，11，21)，其特征在于至少一個鐵磁材料片(4，14，7，17)采用至少一層電絕緣材料覆蓋。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的裝置，其特征在于反磁性或順磁性導(dǎo)電材料包括招。
9.一種方法，制造用于保護與磁源相鄰的空間免受由所述源輻射的磁能的裝置，所述方法特征在于其包括如下步驟: -將第一反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片(15)成形，以便能夠采用與要保護的所述空間相對的第一面來伸展片； -在與所述第一導(dǎo)電材料片(15)的所述第一面相對的所述第一反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片(15)的第二面上方，伸展一個或多個鐵磁材料片(14,17),所述鐵磁材料包括具有非定向納米晶體結(jié)構(gòu)的鐵基非晶質(zhì)合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于其包括如下步驟: -將第二反磁性或順磁性導(dǎo)電材料片(16)成形，以便能夠采用與磁源相對的第一面來伸展它； -將所述第二導(dǎo)電材料片(16)定位，以使得在與所述第二導(dǎo)電材料片(16)的所述第一面相對的所述第二導(dǎo)電材料片(16)的第二面上方，伸展鐵磁材料片(14，17)。
11.一種移動物體,其包括至少一個電構(gòu)件(13，33)，所述電構(gòu)件(13，33)是磁輻射源，所述移動物體特征在于其包括如在權(quán)利要求1-8中的一項所述的裝置(21)，以便提供免受由所述源輻射的磁能的低質(zhì)量保護。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的移動物體，其特征在于其是包括艙室的機動車輛，所述艙室包括與所述構(gòu)件相鄰的空間(12)，以及所述裝置位于所述構(gòu)件和艙室之間。
【文檔編號】H05K9/00GK103748980SQ201280040198
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月20日
【發(fā)明者】P·斯特布勒 申請人:雷諾股份公司