有機發(fā)光二極管封裝方法及系統的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光二極管封裝方法，在對有機發(fā)光二極管加熱鍵合完成之后對鍵合部位進行加熱降溫，即采用平滑降低加熱溫度的方式對鍵合部位進行降溫，直至鍵合部位的溫度降至常溫。通過平滑降溫的方式對鍵合部位進行降溫，使加熱鍵合后鍵合部位的溫度逐步的降為常溫，減小了鍵合部位所受的熱應力，防止鍵合部位因溫度驟降產生開裂等問題，提高了有機發(fā)光二極管器件產品的良品率。同時，本發(fā)明還公開了一種有機發(fā)光二極管封裝系統。
【專利說明】有機發(fā)光二極管封裝方法及系統
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝【技術領域】，特別是涉及一種有機發(fā)光二極管封裝方法和一種有機發(fā)光二極管封裝系統。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED),又稱為有機電激光顯示(Organic Electro luminesence Display, 0ELD)。有機發(fā)光二極管具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當電流通過時，有機材料就會發(fā)光。
[0003]在有機發(fā)光二極管器件封裝過程中，鍵合之后完成了封裝，導致封裝后的玻璃基板受環(huán)境溫度的影響受到的熱應力過大，容易開裂，很大程度上影響產品的良品率。

【發(fā)明內容】

[0004]基于此，有必要針對玻璃基板受熱應力過大的問題，提供一種減小有機發(fā)光二極管封裝過程中玻璃基板所受熱應力的有機發(fā)光二極管封裝方法。
[0005]同時,還提供一種有機發(fā)光二極管封裝系統。
[0006]一種有機發(fā)光二極管封裝方法，包括如下步驟:
[0007]對有機發(fā)光二極管進行加熱鍵合；
[0008]在所述鍵合完成后，采用平滑降溫的方式將鍵合部位的溫度逐步降至常溫。
[0009]在其中一個實施例中，所述對有機發(fā)光二極管進行加熱鍵合的步驟為對所述有機發(fā)光二極管進行激光鍵合或紅外光鍵合。
[0010]在其中一個實施例中，所述采用平滑降溫的方式將所述鍵合部位的溫度逐步降至常溫的步驟為:通過電磁感應的渦流效應產生的渦流熱量對所述有機發(fā)光二極管進行加熱，并通過控制所述渦流熱量將所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
[0011]在其中一個實施例中，所述通過電磁感應的渦流效應產生的渦流熱量對所述有機發(fā)光二極管進行加熱，并通過控制所述渦流熱量將所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫的步驟具體包括如下步驟:
[0012]將電阻絲纏繞在金屬棒上并使所述金屬棒與所述鍵合部位相匹配；
[0013]產生直流電；
[0014]調制所述直流電為交流電；
[0015]放大所述交流電并使所述交流電通過所述電阻絲形成渦流并產生渦流熱量；
[0016]通過脈沖寬度調制波和控制參數控制所述直流電的大小變化從而控制所述渦流熱量平滑減小，通過所述渦流熱量對所述鍵合部位加熱，所述鍵合部位的溫度降至常溫時所述直流電歸零。
[0017]—種有機發(fā)光二極管封裝系統，包括有機發(fā)光二極管封裝裝置，用于對有機發(fā)光二極管進行加熱鍵合封裝，還包括鍵合溫度控制裝置，所述鍵合溫度控制裝置與所述有機發(fā)光二極管封裝裝置的鍵合部位相匹配，用于在所述有機發(fā)光二極管封裝裝置完成鍵合后將所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
[0018]在其中一個實施例中，所述有機發(fā)光二極管封裝裝置為激光封裝裝置或紅外線封裝裝置。
[0019]在其中一個實施例中，所述鍵合溫度控制裝置包括相連接的控制模塊和加熱模塊，所述加熱模塊與所述鍵合部位相匹配；在所述鍵合完成后，所述控制模塊控制所述加熱模塊對所述鍵合部位進行加熱并平滑降低所述加熱模塊的加熱溫度使所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
[0020]在其中一個實施例中，所述加熱模塊包括金屬棒和纏繞在所述金屬棒上的電阻絲，所述金屬棒與所述鍵合部位相匹配，所述電阻絲連接所述控制模塊；所述控制模塊產生交流電，所述交流電通過所述電阻絲和所述金屬棒產生渦流并產生渦流熱量，通過所述渦流熱量對所述鍵合部位加熱，所述控制模塊通過控制所述交流電的大小控制所述渦流熱量平滑減小使所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
[0021 ] 在其中一個實施例中，所述控制模塊包括相連接的控制芯片、逆變器和放大器，所述控制芯片產生直流電，所述逆變器將所述直流電轉變成相應的交流電，所述放大器將所述交流電放大并輸送給所述電阻絲。
[0022]在其中一個實施例中，所述控制芯片包括脈沖寬度調制單元和比例、積分、微分控制器單元，所述控制芯片通過所述脈沖寬度調制單元生成的脈沖寬度調制波和所述比例、積分、微分控制器單元生成的控制參數控制所述直流電的大小，從而使所述交流電通過所述電阻絲和所述金屬棒產生的所述渦流熱量平滑減小。
[0023]上述有機發(fā)光二極管封裝方法和封裝系統,在對有機發(fā)光二極管加熱鍵合完成之后對鍵合部位進行加熱降溫，即采用平滑降低加熱溫度的方式對鍵合部位進行降溫，直至鍵合部位降至常溫。通過平滑降溫的方式對鍵合部位進行降溫，使加熱鍵合后鍵合部位的溫度逐步的降為常溫，延長了鍵合部位降溫的時間，減小了鍵合部位所受的熱應力，防止鍵合部位因溫度驟降產生開裂等問題，提高了有機發(fā)光二極管器件產品的良品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為一實施例的有機發(fā)光二極管封裝方法流程圖；
[0025]圖2為圖1所示實施例步驟S140的流程圖；
[0026]圖3為圖2所示實施例鍵合部位的溫度曲線圖；
[0027]圖4為一實施例的有機發(fā)光二極管封裝系統示意圖；
[0028]圖5為另一實施例的有機發(fā)光二極管封裝系統示意圖；
[0029]圖6為圖5所示實施例加熱模塊144的示意圖。
【具體實施方式】
[0030]—種有機發(fā)光二極管封裝方法和封裝系統，在對有機發(fā)光二極管加熱鍵合完成之后對鍵合部位進行加熱降溫，即采用平滑降低加熱溫度的方式對鍵合部位進行降溫，直至鍵合部位降至常溫。通過平滑降溫的方式對鍵合部位進行降溫，使加熱鍵合后鍵合部位的溫度逐步的降為常溫，延長了鍵合部位降溫的時間，減小了鍵合部位受到的熱應力，防止鍵合部位因溫度驟降產生開裂等問題，提高了有機發(fā)光二極管器件產品的良品率。[0031 ] 下面結合附圖和實施例對一種有機發(fā)光二極管封裝方法和一種有機發(fā)光二極管封裝系統進行進一步詳細的說明。
[0032]圖1所示，為一實施例的有機發(fā)光二極管封裝方法流程圖。參考圖1，一種有機發(fā)光二極管封裝方法，具體包括如下步驟:
[0033]步驟S120:對有機發(fā)光二極管進行加熱鍵合。即有機發(fā)光二極管(OrganicLight-Emitting Diode, 0LED),又稱為有機電激光顯不(Organic Electro luminesenceDisplay, OELD)。在對有機發(fā)光二極管器件進行封裝采用高溫加熱鍵合時，常采用激光鍵合或者紅外光鍵合的方式。具體的，進行激光鍵合時的溫度為400-450°C。
[0034]步驟S140:采用平滑降溫的方式將鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
[0035]由于采用加熱鍵合時鍵合的溫度較高，如果鍵合完成后不做處理直接自然降溫，受周圍自然環(huán)境的溫度的影響，溫度驟降會產生過大的熱應力，從而導致有機發(fā)光二極管的鍵合部位容易開裂，所以需要對鍵合的部位進行平滑降溫以避免上述問題。平滑降溫即采用對鍵合部位進行加熱并逐步降低加熱溫度的方式，使鍵合部位的溫度逐步降為常溫，延長了鍵合部位降溫的時間，減小了鍵合部位受到的熱應力，防止鍵合部位因溫度驟降產生開裂等問題，提高了有機發(fā)光二極管器件產品的良品率。
[0036]上述對鍵合部位采用平滑降溫的方式進行降溫可使用加熱源，并控制該加熱源產生的熱量逐步降低的方式實現平滑降溫。具體的，可通過渦流效應產生的渦流熱量對有機發(fā)光二極管進行加熱并通過控制渦流熱量將鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
[0037]圖2所示,為圖1所示實施例步驟S140的流程圖。參考圖2,上述通過控制潤流效應產生的熱量將上述鍵合部位的溫度降至常溫的步驟具體包括如下步驟:
[0038]步驟S142:將電阻絲纏繞在金屬棒上并使金屬棒與鍵合部位相匹配。上述將金屬棒與鍵合部位相匹配，如果鍵合部位為矩形，則選擇矩形的金屬棒或者將四根相應長度的金屬棒與組成矩形與鍵合部位相適應；如果鍵合部位是圓形則選擇圓形的金屬棒，如果鍵合部位是其他的形狀，則選擇相應形狀的或者能夠組成相應形狀的金屬棒與鍵合部位相匹配。
[0039]步驟S144:產生直流電。
[0040]步驟S146:調制直流電為交流電。具體的，可以通過逆變器將直流電轉變?yōu)橄鄳慕涣麟姟?br> [0041]步驟S148:放大交流電并使交流電通過電阻絲形成渦流并產生渦流熱量。具體的，可通過放大器將上述交流電進行放大。
[0042]步驟S149:通過脈沖寬度調制波和控制參數控制直流電的大小變化從而控制渦流熱量平滑減小，通過渦流熱量對鍵合部位加熱，鍵合部位的溫度降至常溫時上述直流電歸零。
[0043]通過上述脈沖寬度調制波和比例、積分、微分控制器產生的控制參數控制上述直流電的大小，減小上述交流電歸零的速度，從而控制上述渦流熱量平滑歸零。在上述鍵合部位的溫度降為室溫時，上述交流電歸零，封裝完成。
[0044]上述交流電通過電阻絲，電阻絲線圈產生交變磁場，由于線圈中間的導體(即金屬棒)在圓周方向是可以等效成一圈圈的閉合電路，閉合電路中的磁通量在不斷發(fā)生改變，所以在導體的圓周方向會產生感應電動勢和感應電流，電流的方向沿導體的圓周方向轉圈，就像一圈圈的漩渦，所以這種在整塊導體內部發(fā)生電磁感應而產生感應電流的現象稱為渦流現象。同時渦流效應產生的渦流熱量與通過的交流電的電流大小有關，通過脈沖寬度調制波和比例、積分、微分控制器控制直流電的大小變化從而控制上述交流電的大小變化，從而控制上述渦流熱量平滑減小。
[0045]圖3所示，為圖2所示實施例鍵合部位的溫度曲線圖。參考圖3，為上述有機發(fā)光二極管封裝過程中鍵合部位的溫度曲線圖。其中a過程表示鍵合開始的溫度變化，由圖可知，高溫加熱鍵合開始溫度快速上升；b過程表示鍵合過程中的溫度變化，由圖可知，鍵合過程中溫度基本保持不變；c過程表示鍵合結束后的溫度變化，由圖可知，鍵合結束后通過渦流熱量對鍵合部位進行加熱，并通過控制渦流熱量不斷降低從而對鍵合部位進行降溫。由圖3可知，鍵合后鍵合部位的溫度逐步降低，從而保證鍵合部位不會因受過大的熱應力而導致開裂等問題的出現，保證了有機發(fā)光二極管封裝過程中的良品率。
[0046]參考圖4,為一實施例的有機發(fā)光二極管裝系統不意圖。參考圖4, 一種有機發(fā)光二極管封裝系統100，包括相連接的有機發(fā)光二極管封裝裝置120和鍵合溫度控制裝置140。有機發(fā)光二極管封裝裝置120用于對有機發(fā)光二極管進行鍵合封裝，鍵合后鍵合溫度控制裝置140控制鍵合部位的溫度逐步降溫直至常溫。
[0047]具體的，上述有機發(fā)光二極管封裝裝置140可為激光封裝裝置或紅外線封裝裝置。
[0048]圖5所示，為另一實施例的有機發(fā)光二極管封裝系統示意圖。參考圖5，上述鍵合溫度控制裝置140包括相連接的控制模塊142和加熱模塊144，加熱模塊144與鍵合部位相匹配。在鍵合完成后，控制模塊142控制加熱模塊144對鍵合部位進行加熱并平滑降低上述加熱模塊144的加熱溫度使鍵合部位的溫度降至常溫。上述鍵合后，通過加熱模塊144對上述鍵合部位進行加熱降溫，上述加熱的溫度為上述加熱鍵合時的溫度，保證鍵合部位能夠實現逐步降溫。
[0049]進一步的，參考圖5，上述控制模塊142包括相連接的控制芯片1422、逆變器1424和放大器1426，控制芯片1422產生直流電，逆變器1424將直流電轉變成相應的交流電，放大器1426將交流電放大并輸送給電阻絲1444。
[0050]具體的，上述控制芯片1422可為ARM處理器。
[0051]進一步的，上述控制芯片1422包括脈沖寬度調制單元14222和比例、積分、微分控制器單元14224，控制芯片1422通過脈沖寬度調制單元14222生成的脈沖寬度調制波和比例、積分、微分控制器單元14224生成的控制參數控制直流電的大小，從而使交流電通過電阻絲1444和金屬棒1442產生的渦流熱量逐步減小。
[0052]圖6所示,為圖5所示實施例加熱模塊144的示意圖。參考圖6,上述加熱模塊144包括金屬棒1442和纏繞在金屬棒上的電阻絲1444，金屬棒1442與鍵合部位相匹配，電阻絲1444連接控制模塊142 (圖未示)?？刂颇K142產生交流電，上述交流電通過電阻絲1444和金屬棒1442產生渦流并產生渦流熱量，通過渦流熱量對鍵合部位加熱，控制模塊142通過控制交流電的大小控制渦流熱量平滑減小使鍵合部位的溫度平滑地降至常溫。
[0053]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: 對有機發(fā)光二極管進行加熱鍵合； 在所述鍵合完成后，采用平滑降溫的方式將鍵合部位的溫度逐步降至常溫。
2.根據權利要求1所述的有機發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述對有機發(fā)光二極管進行加熱鍵合的步驟為對所述有機發(fā)光二極管進行激光鍵合或紅外光鍵合。
3.根據權利要求1所述的有機發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述采用平滑降溫的方式將所述鍵合部位的溫度逐步降至常溫的步驟為:通過電磁感應的渦流效應產生的渦流熱量對所述有機發(fā)光二極管進行加熱，并通過控制所述渦流熱量將所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
4.根據權利要求3所述的有機發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述通過電磁感應的渦流效應產生的渦流熱量對所述有機發(fā)光二極管進行加熱，并通過控制所述渦流熱量將所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫的步驟具體包括如下步驟: 將電阻絲纏繞在金屬棒上并使所述金屬棒與所述鍵合部位相匹配； 產生直流電； 調制所述直流電為交流電； 放大所述交流電并使所述交流電通過所述電阻絲形成渦流并產生渦流熱量； 通過脈沖寬度調制波和控制參數控制所述直流電的大小變化從而控制所述渦流熱量平滑減小，通過所述渦流熱量對所述鍵合部位加熱，所述鍵合部位的溫度降至常溫時所述直流電歸零。`
5.—種有機發(fā)光二極管封裝系統,包括有機發(fā)光二極管封裝裝置,用于對有機發(fā)光二極管進行加熱鍵合封裝，其特征在于，還包括鍵合溫度控制裝置，所述鍵合溫度控制裝置與所述有機發(fā)光二極管封裝裝置的鍵合部位相匹配，用于在所述有機發(fā)光二極管封裝裝置完成鍵合后將所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
6.根據權利要求5所述的有機發(fā)光二極管封裝系統，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管封裝裝置為激光封裝裝置或紅外線封裝裝置。
7.根據權利要求5所述的有機發(fā)光二極管封裝系統，其特征在于，所述鍵合溫度控制裝置包括相連接的控制模塊和加熱模塊，所述加熱模塊與所述鍵合部位相匹配；在所述鍵合完成后，所述控制模塊控制所述加熱模塊對所述鍵合部位進行加熱并平滑降低所述加熱模塊的加熱溫度使所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
8.根據權利要求7所述的有機發(fā)光二極管封裝系統，其特征在于，所述加熱模塊包括金屬棒和纏繞在所述金屬棒上的電阻絲，所述金屬棒與所述鍵合部位相匹配，所述電阻絲連接所述控制模塊；所述控制模塊產生交流電，所述交流電通過所述電阻絲和所述金屬棒產生渦流并產生渦流熱量，通過所述渦流熱量對所述鍵合部位加熱，所述控制模塊通過控制所述交流電的大小控制所述渦流熱量平滑減小使所述鍵合部位的溫度平滑降至常溫。
9.根據權利要求8所述的有機發(fā)光二極管封裝系統，其特征在于，所述控制模塊包括相連接的控制芯片、逆變器和放大器，所述控制芯片產生直流電，所述逆變器將所述直流電轉變成相應的交流電，所述放大器將所述交流電放大并輸送給所述電阻絲。
10.根據權利要求9所述的有機發(fā)光二極管封裝系統，其特征在于，所述控制芯片包括脈沖寬度調制單元和比例、積分、微分控制器單元，所述控制芯片通過所述脈沖寬度調制單元生成的脈沖寬度調制波和所述比例、積分、微分控制器單元生成的控制參數控制所述直流電的大小，從而使所述交流電通 過所述電阻絲和所述金屬棒產生的所述渦流熱量平滑減小。
【文檔編號】H05B33/04GK103490013SQ201310464406
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權日:2013年9月30日
【發(fā)明者】張建華, 段瑋, 葛軍鋒 申請人:上海大學