一種單晶熱場熱屏定位盤裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及單晶體生產(chǎn)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種單晶熱場熱屏定位盤裝置，包括定位盤，所述定位盤上呈圓周均勻設(shè)置有三個(gè)與石墨螺絲相匹配的定位孔，所述定位盤底部卡套有與定位盤底部相匹配的隔離裝置，所述隔離裝置通過石墨螺絲與定位盤的定位孔相固定連接；所述隔離裝置采用高溫鉬制而成。在使用本實(shí)用新型時(shí)，將原有的22寸熱場石墨熱屏定位盤底部增加鉬制隔離裝置，由于鉬耐高溫、耐燒蝕、膨脹系數(shù)小、耐急冷急熱而不變形不開裂等優(yōu)良性能，從而增加了熱屏定位盤的使用爐次，有效延長定位盤的使用壽命；同時(shí)也防止定位盤掉石墨，減少在拉晶過程中出現(xiàn)因掉石墨而出現(xiàn)難成晶的問題。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)置合理，制作成本低等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】一種單晶熱場熱屏定位盤裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及單晶體生產(chǎn)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種單晶熱場熱屏定位盤裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]從所周知，太陽能單晶爐內(nèi)熱屏定位盤的好壞對(duì)于整個(gè)拉晶過程影響非常大。現(xiàn)有石墨材料熱屏定位盤通常主要存在兩個(gè)問題:1、石墨材料熱屏定位盤耐高溫系數(shù)低、急冷急熱而容易變形掉石墨，可能會(huì)導(dǎo)致拉晶過程中成晶難；2、石墨熱屏定位盤使用長時(shí)間后也會(huì)出現(xiàn)掉石墨，同樣會(huì)嚴(yán)重影響單晶生長。
[0003]故有必要對(duì)現(xiàn)有的熱屏定位盤裝置進(jìn)行進(jìn)一步地技術(shù)革新。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計(jì)合理、使用方便的單晶熱場熱屏定位盤裝置。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
[0006]本實(shí)用新型所述的一種單晶熱場熱屏定位盤裝置，所述定位盤上呈圓周均勻設(shè)置有三個(gè)與石墨螺絲相匹配的定位孔，所述定位盤底部卡套有與定位盤底部相匹配的隔離裝置，所述隔離裝置通過石墨螺絲與定 位盤的定位孔相固定連接；所述隔離裝置采用高溫鑰制而成。
[0007]進(jìn)一步地,所述定位孔的圓心與定位盤的圓心之間的中心距為315~320mm。
[0008]進(jìn)一步地,所述中心距為317.5mm。
[0009]進(jìn)一步地,所述定位孔的直徑為5mm。
[0010]采用上述結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型有益效果為:本實(shí)用新型所述的一種單晶熱場熱屏定位盤裝置，包括定位盤，所述定位盤上呈圓周均勻設(shè)置有三個(gè)與石墨螺絲相匹配的定位孔，所述定位盤底部卡套有與定位盤底部相匹配的隔離裝置，所述隔離裝置通過石墨螺絲與定位盤的定位孔相固定連接；所述隔離裝置采用高溫鑰制而成。在使用本實(shí)用新型時(shí)，將原有的22寸熱場石墨熱屏定位盤底部增加鑰制隔離裝置，由于鑰耐高溫、耐燒蝕、膨脹系數(shù)小、耐急冷急熱而不變形不開裂等優(yōu)良性能，從而增加了熱屏定位盤的使用爐次，有效延長定位盤的使用壽命；同時(shí)也防止定位盤掉石墨，減少在拉晶過程中出現(xiàn)因掉石墨而出現(xiàn)難成晶的問題。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)置合理，制作成本低等優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是圖1中A-A剖視圖；
[0013]圖3是圖2中B部位放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]附圖標(biāo)記說明:
[0015]1、隔離裝置；2、定位盤；21、定位孔；3、石墨螺絲；D、中心距?！揪唧w實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0017]如圖1-3所示，本實(shí)用新型所述的一種單晶熱場熱屏定位盤裝置，所述定位盤2上呈圓周均勻設(shè)置有三個(gè)與石墨螺絲3相匹配的定位孔21，所述定位盤2底部卡套有與定位盤2底部相匹配的隔離裝置1，所述隔離裝置I通過石墨螺絲3與定位盤2的定位孔21相固定連接；所述隔離裝置I采用高溫鑰制而成。
[0018]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方式，所述定位孔21的圓心與定位盤2的圓心之間的中心距D為315?320mm。
[0019]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方式，所述中心距D為317.5mm。
[0020]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方式，所述定位孔21的直徑為5mm。
[0021]在使用本實(shí)用新型時(shí)，將原有的22寸熱場石墨熱屏定位盤底部增加鑰制隔離裝置，由于鑰耐高溫、耐燒蝕、膨脹系數(shù)小、耐急冷急熱而不變形不開裂等優(yōu)良性能，從而增加了熱屏定位盤的使用爐次，有效延長定位盤的使用壽命；同時(shí)也防止定位盤掉石墨，減少在拉晶過程中出現(xiàn)因掉石墨而出現(xiàn)難成晶的問題。另外，該結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計(jì)合理，制造成本低。
[0022]以上所述僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，故凡依本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單晶熱場熱屏定位盤裝置，包括定位盤(2)，其特征在于:所述定位盤(2)上呈圓周均勻設(shè)置有三個(gè)與石墨螺絲(3)相匹配的定位孔(21)，所述定位盤(2)底部卡套有與定位盤(2)底部相匹配的隔離裝置(1)，所述隔離裝置(I)通過石墨螺絲(3)與定位盤(2)的定位孔(21)相固定連接；所述隔離裝置(I)采用高溫鑰制而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶熱場熱屏定位盤裝置，其特征在于:所述定位孔(21)的圓心與定位盤(2)的圓心之間的中心距(D)為315?320mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單晶熱場熱屏定位盤裝置，其特征在于:所述中心距(D)為 317.5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶熱場熱屏定位盤裝置，其特征在于:所述定位孔(21)的直徑為5mm。
【文檔編號(hào)】C30B15/00GK203546195SQ201320570933
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月13日
【發(fā)明者】高彬彬, 王思鋒 申請(qǐng)人:江蘇聚能硅業(yè)有限公司