減少單端互連和總線中的遠(yuǎn)端串?dāng)_的制作方法
【專利摘要】可以通過(guò)向過(guò)孔添加金屬板來(lái)對(duì)抗在互連技術(shù)（一般地與印刷電路板或封裝相關(guān)聯(lián)）中的相鄰過(guò)孔之間出現(xiàn)的感應(yīng)耦合。該板產(chǎn)生能夠補(bǔ)償正常地在印刷電路板或封裝之間產(chǎn)生的感應(yīng)串?dāng)_的電容耦合。當(dāng)兩個(gè)相鄰過(guò)孔的添加板相互重疊時(shí)，產(chǎn)生電容耦合。通過(guò)用電容耦合來(lái)平衡電感耦合，可獲得遠(yuǎn)端串?dāng)_的有效減少。
【專利說(shuō)明】減少單端互連和總線中的遠(yuǎn)端串?dāng)_

【背景技術(shù)】
[0001]這一般地涉及單端互連和總線中的遠(yuǎn)端串?dāng)_的減少。
[0002]串?dāng)_是相鄰?fù)字暗碾姼旭詈?。遠(yuǎn)端串?dāng)_是在電纜的與干擾發(fā)射機(jī)相對(duì)的末端上測(cè)量的互連或總線的兩個(gè)信號(hào)對(duì)之間的串?dāng)_或干擾。單端互連和總線使用地線和一個(gè)信號(hào)導(dǎo)線作為互連或總線的一部分。
[0003]串?dāng)_是用于實(shí)際平臺(tái)技術(shù)中的高速信令的關(guān)鍵限制因素。為了實(shí)現(xiàn)可接受水平的串?dāng)_，正常地實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線間距和/或間隔。此間距結(jié)果是更大的外形因數(shù)和/或有效傳輸速率密度的減小。結(jié)果，可能損害產(chǎn)品尺寸和/或性能。
[0004]單端互連或總線可用來(lái)將存儲(chǔ)器連接到母板，作為示例，例如包括雙倍數(shù)據(jù)速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DDR) 2和3以及同步存儲(chǔ)接口 2 (SMI2)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0005]相對(duì)于以下各圖來(lái)描述某些實(shí)施例:
圖1與單端互連相結(jié)合的一個(gè)實(shí)施例的放大截面描述；
圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的SMI2互連應(yīng)用的透視圖；
圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的使用單端總線的實(shí)施例的透視圖；
圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的單端SMI2總線的透視圖；
圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的布線的透視圖；以及圖6是用于一個(gè)實(shí)施例的示意性描述。

【具體實(shí)施方式】
[0006]可以通過(guò)向過(guò)孔添加金屬板來(lái)對(duì)抗在總線或互連技術(shù)(一般地與印刷電路板或封裝相關(guān)聯(lián))中的相鄰過(guò)孔之間出現(xiàn)的電感耦合。該板產(chǎn)生能夠補(bǔ)償正常地在印刷電路板或封裝之間產(chǎn)生的感應(yīng)串?dāng)_的電容耦合。當(dāng)兩個(gè)相鄰過(guò)孔的添加板相互重疊時(shí)，產(chǎn)生電容耦合。通過(guò)用電容耦合來(lái)平衡電感耦合，可獲得遠(yuǎn)端串?dāng)_的有效減少。
[0007]圖1中所示的印刷電路板或封裝10可包括多個(gè)過(guò)孔14從其中通過(guò)的多個(gè)金屬化層12。過(guò)孔14a可從其鄰居14b獲得串?dāng)_且同樣地過(guò)孔14b可從過(guò)孔14a獲得串?dāng)_。為了對(duì)抗該串?dāng)_，可通過(guò)由重疊的金屬鍍層或基板(plaque) 16a和16b來(lái)形成平行板電容器而產(chǎn)生電容耦合。這些基板16b可鄰近于過(guò)孔輸出突出片(tab)18且相對(duì)更加遠(yuǎn)離過(guò)孔輸入端20而定位。該基板添加補(bǔ)償在過(guò)孔中產(chǎn)生的電感串?dāng)_、因此減少遠(yuǎn)端串?dāng)_(FEXT)的電容耦合。
[0008]電容器的使用可具有增加近端串?dāng)_(NEXT)的效果，但是此效果是可容忍的，因?yàn)檫h(yuǎn)端串?dāng)_趨向于更加重要。
[0009]用仔細(xì)的設(shè)計(jì)，可以平衡電容和電感耦合，導(dǎo)致遠(yuǎn)端串?dāng)_的有效減少?？汕懈钜粋€(gè)基準(zhǔn)面以便為板中的一個(gè)讓出空間。然而，還可以將該板移動(dòng)至不同的印刷電路板(PCB)層以避免布線基準(zhǔn)面切割。
[0010]因此，雖然接近于信號(hào)輸出端示出了電容器，但其可以在沿著過(guò)孔長(zhǎng)度的任何地方形成?？蓪㈦娙萜鞫ㄎ怀杀苊馇懈罨鶞?zhǔn)面的需要或避免產(chǎn)生例如與金屬鍍層的非期望耦口 O
[0011]可在現(xiàn)有金屬鍍層中限定每個(gè)板?？稍谂c突出片18相同的金屬化層中但與該突出片18電隔離地針對(duì)每個(gè)過(guò)孔形成兩個(gè)板中的一個(gè)。
[0012]在圖2中示出了結(jié)合同步存儲(chǔ)器接口 2 (SMI2)連接器過(guò)孔的更具體示例。在這種情況下，可向過(guò)孔20添加平行、間隔開(kāi)的板22。該板可以是細(xì)長(zhǎng)的，相互對(duì)準(zhǔn)，在相鄰過(guò)孔的方向上延伸，每個(gè)板部分地包圍在過(guò)孔周圍(例如，在金屬鍍層的平面中約90° )且遠(yuǎn)離過(guò)孔橫向地延伸，以便被并置、平行于在與下一相鄰過(guò)孔相反方向上延伸的相應(yīng)板且與之略微間隔開(kāi)。
[0013]因此，每個(gè)過(guò)孔可具有在一個(gè)方向上(即在圖中向右)延伸的下板和略微在上面間隔開(kāi)且向左延伸的另一板。每個(gè)板相交互且產(chǎn)生與被耦合到相鄰過(guò)孔的板的電容耦合。
[0014]圖3示出了具有單端總線的應(yīng)用。在這種情況下，再次添加電容耦合以克服相鄰過(guò)孔之間的電容耦合。因此，向過(guò)孔焊盤電容耦合引入布線減少了相鄰位道之間的遠(yuǎn)端串?dāng)_。
[0015]電容耦合平衡存在于相鄰過(guò)孔之間的不可避免的電感串?dāng)_，減少了遠(yuǎn)端串?dāng)_。特別地，必須在每個(gè)過(guò)孔26周圍形成焊盤24。焊盤可全部環(huán)繞過(guò)孔以與到相鄰過(guò)孔的輸入線或跡線28形成電容器。如果每個(gè)過(guò)孔具有此類焊盤，則可在一個(gè)過(guò)孔的焊盤24與相鄰過(guò)孔的輸入線或跡線28之間產(chǎn)生電容耦合以克服每個(gè)相鄰的成對(duì)過(guò)孔之間的電感耦合。
[0016]圖4示出了一般地在DDR3和DDR4之間使用的SMI2設(shè)計(jì)總線中的相應(yīng)應(yīng)用。母板層疊可以為93miI，具有16個(gè)層，其對(duì)應(yīng)于可從英特爾公司獲得的典型Brickland平臺(tái)處理器系列產(chǎn)品。大體上環(huán)形的焊盤30可圍繞或環(huán)繞接近于其輸入跡線28的每個(gè)過(guò)孔26。然后，可形成從一個(gè)過(guò)孔延伸至不同過(guò)孔的已修改布線32，在典型布線概念中，其與添加過(guò)孔焊盤30并置地且平行地在半圓形形狀34中延伸，并且然后遠(yuǎn)離過(guò)孔向外延伸。
[0017]參考圖5，在兩個(gè)相鄰布線之間形成電容器。該技術(shù)可以用來(lái)在相鄰引腳、跡線、金屬鍍層或焊球和焊盤之間形成電容器。在一個(gè)實(shí)施例中，布線36a和36b可在不同的金屬化層中。布線36a可具有沿著其長(zhǎng)度形成的板或延伸突出片38a。同樣地，布線36b可具有也沿著其長(zhǎng)度形成的板或延伸突出片38b。突出片38a和38b重疊，相互平行但間隔開(kāi)，從而在兩個(gè)突出片38a和38b之間形成電容器。根據(jù)克服電容串?dāng)_的需要，可以沿著布線的長(zhǎng)度形成任何數(shù)目的此類電容器。
[0018]在某些情況下，可與導(dǎo)線整體地形成構(gòu)成電容器的板，如在圖5中的情況下一樣。在其他情況下，可在諸如與導(dǎo)線橫向垂直的金屬化層之類的層中形成構(gòu)成電容器的板，例如，如結(jié)合圖1和2所示。在其他情況下，金屬鍍層可以是與導(dǎo)線總體上分開(kāi)的部分，如在圖1一4中的情況一樣。
[0019]可調(diào)整板的尺寸以產(chǎn)生電容以抵消任何電感耦合。然而，在必要時(shí)可使用較小底板，例如由于導(dǎo)線之間的緊密間距。在這種情況下，可沿著導(dǎo)線的長(zhǎng)度提供更多的板以便產(chǎn)生期望量的電容。
[0020]一般地，該板可由與相應(yīng)導(dǎo)線相同的材料制成。然而，在其他實(shí)施例中，板和導(dǎo)線可由不同的材料制成。在某些情況下，可在板之間提供材料以提供有利的介電常數(shù)。
[0021]雖然所描述的板是平面的且平行于或橫向垂直導(dǎo)線，但在其他情況下，其可以是其他形狀。
[0022]在某些情況下，可在與導(dǎo)線相同的時(shí)間形成板，并且在其他情況下，其可與那些導(dǎo)線分開(kāi)地形成并根據(jù)需要結(jié)合到其中。此結(jié)合可以是諸如焊接之類的主動(dòng)附著過(guò)程的結(jié)果，并且也可以是簡(jiǎn)單地促使金屬在熔融狀態(tài)下接觸的結(jié)果。
[0023]可相對(duì)于過(guò)孔的長(zhǎng)度以不同的取向但仍與直垂至地形成例如圖2中所示的金屬鍍層。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可將金屬鍍層旋轉(zhuǎn)90°。在這種情況下，可在過(guò)孔的各部分上間隔開(kāi)地附著金屬鍍層或板以便產(chǎn)生期望的板間間距。
[0024]圖6中所示的系統(tǒng)40可以是任何基于處理器的設(shè)備，舉幾個(gè)例子，包括蜂窩式電話、膝上型計(jì)算機(jī)、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、平板電腦、游戲機(jī)或電視。系統(tǒng)40可包括在這種情況下并聯(lián)地耦合的任何數(shù)目的處理器42?？蓪⑻幚砥?2耦合到存儲(chǔ)器控制器44。存儲(chǔ)器控制器44又可經(jīng)由SMI2、互連或總線46而被連接到存儲(chǔ)器模塊48。例如，存儲(chǔ)器模塊48可以是DDR3或DDR4存儲(chǔ)器模塊?？蓪⒋鎯?chǔ)器控制器耦合到許多互連和許多存儲(chǔ)器模塊，如圖6中所指示的。
[0025]雖然已描述了其中在兩個(gè)相鄰過(guò)孔上形成電容器的一個(gè)板的實(shí)施例，但可沿著每個(gè)過(guò)孔的范圍形成超過(guò)一個(gè)板，沿著過(guò)孔的長(zhǎng)度形成多個(gè)電容器。
[0026]相對(duì)于圖1和2來(lái)描述過(guò)孔間電容器。相對(duì)于圖3和4來(lái)描述過(guò)孔至布線電容器。在圖5中示出了布線間電容器。同樣地，可使用本地電容器來(lái)解決焊球電感串?dāng)_。
[0027]以下條項(xiàng)和/或示例涉及其他實(shí)施例:
一個(gè)實(shí)施例可以是一種包括通過(guò)形成抵消相鄰導(dǎo)線之間的電感串?dāng)_的電容器來(lái)減少遠(yuǎn)端串?dāng)_的方法。該方法還可包括通過(guò)在兩個(gè)相鄰過(guò)孔中的每一個(gè)上形成兩個(gè)板中的一個(gè)而形成所述電容器。該方法還可包括在單端總線或互連中形成電容器。該方法還可包括在過(guò)孔與布線之間形成電容器。該方法還可包括在相鄰布線之間形成電容器。該方法還可包括在不同的金屬化層中形成所述電容器的板。該方法還可包括在通孔上與通孔長(zhǎng)度橫向垂直地形成環(huán)形板并促使另一過(guò)孔上的布線平行于所述板但與所述板間隔開(kāi)地延伸。該方法還可包括在所述布線中形成環(huán)形段以遵循所述環(huán)形板。
[0028]另一示例性實(shí)施例可以是一種包括被定位成從而經(jīng)受遠(yuǎn)端串?dāng)_的一對(duì)基本上平行導(dǎo)線以及包括被連接到所述導(dǎo)線中的每一個(gè)的板的電容器的設(shè)備，所述電容器用于抵消遠(yuǎn)端串?dāng)_。該設(shè)備可包括其中所述導(dǎo)線是過(guò)孔。該設(shè)備可包括由所述導(dǎo)線形成的單端總線。該設(shè)備可包括由所述導(dǎo)線形成的單端互連。該設(shè)備可包括其中所述導(dǎo)線中的一個(gè)是過(guò)孔且另一導(dǎo)線是布線。該設(shè)備可包括其中所述導(dǎo)線是布線。該設(shè)備可包括其中所述導(dǎo)線在金屬化層中形成。該設(shè)備可包括其中所述板在金屬化層中形成。該設(shè)備可包括所述板中的一個(gè)是環(huán)形板，所述導(dǎo)線中的一個(gè)是過(guò)孔，所述環(huán)形板接觸所述過(guò)孔，與過(guò)孔長(zhǎng)度橫向垂直地延伸。該設(shè)備可包括另一導(dǎo)線，其是平行于所述環(huán)形板但與所述環(huán)形板間隔開(kāi)地延伸的布線。該設(shè)備可包括所述布線，其包括沿著所述環(huán)形板延伸但與所述環(huán)形板間隔開(kāi)的環(huán)形段。
[0029]在另一示例性實(shí)施例中的可以是一種系統(tǒng)，包括處理器、被耦合到所述處理器的存儲(chǔ)器控制器以及被耦合到所述存儲(chǔ)器控制器的單端連接器，所述連接器包括被定位成從而經(jīng)受遠(yuǎn)端串?dāng)_的一對(duì)基本上平行導(dǎo)線以及包括被連接到所述導(dǎo)線中的每一個(gè)的板的電容器，所述電容器用于抵消遠(yuǎn)端串?dāng)_。該系統(tǒng)可包括其中所述連接器是互連。該系統(tǒng)可包括其中，所述連接器是總線。該系統(tǒng)可包括被耦合到所述連接器的存儲(chǔ)器。該系統(tǒng)可包括其中，所述導(dǎo)線是過(guò)孔。該系統(tǒng)可包括其中所述設(shè)備包括由所述導(dǎo)線形成的單端總線。該系統(tǒng)可包括其中所述導(dǎo)線中的一個(gè)是過(guò)孔且另一導(dǎo)線是布線。該系統(tǒng)可包括其中所述導(dǎo)線是布線。該系統(tǒng)可包括其中所述導(dǎo)線在金屬化層中形成。該系統(tǒng)可包括其中所述板在金屬化層中形成。
[0030]遍及本說(shuō)明書(shū)對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的參考意指結(jié)合實(shí)施例所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在涵蓋在本公開(kāi)內(nèi)的至少一個(gè)實(shí)施方式。因此，短語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”或“在實(shí)施例中”的出現(xiàn)不一定參考同一實(shí)施例。此外，該特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以除所示特定實(shí)施例之外的其他適當(dāng)形式制定,并且所有此類形式可被涵蓋在本申請(qǐng)的權(quán)利要求內(nèi)。
[0031]雖然已描述的有限數(shù)目的實(shí)施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將由此認(rèn)識(shí)到許多修改和變更。意圖在于所附權(quán)利要求覆蓋落在本公開(kāi)的精神和范圍內(nèi)的所有此類修改和變更。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 通過(guò)形成抵消相鄰導(dǎo)線之間的電感串?dāng)_的電容器來(lái)減少遠(yuǎn)端串?dāng)_。
2.權(quán)利要求1的方法，包括通過(guò)在兩個(gè)相鄰過(guò)孔中的每一個(gè)上形成兩個(gè)板中的一個(gè)而形成所述電容器。
3.權(quán)利要求2的方法，包括在單端總線或互連中形成電容器。
4.權(quán)利要求1的方法，包括在過(guò)孔與布線之間形成電容器。
5.權(quán)利要求1的方法，包括在相鄰布線之間形成電容器。
6.權(quán)利要求1的方法，包括在不同的金屬化層中形成所述電容器的板。
7.權(quán)利要求1的方法，包括在過(guò)孔上與過(guò)孔長(zhǎng)度橫向垂直地形成環(huán)形板并促使另一過(guò)孔上的布線平行于所述板但與所述板間隔開(kāi)地延伸。
8.權(quán)利要求7的方法，包括在所述布線中形成環(huán)形段以遵循所述環(huán)形板。
9.一種設(shè)備,包括: 一對(duì)基本上平行的導(dǎo)體，被定位成從而經(jīng)受遠(yuǎn)端串?dāng)_；以及 電容器，包括被連接到所述導(dǎo)體中的每一個(gè)的板，所述電容器用于抵消遠(yuǎn)端串?dāng)_。
10.權(quán)利要求9的設(shè)備，其中，所述導(dǎo)線是過(guò)孔。
11.權(quán)利要求10的設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括由所述導(dǎo)線形成的單端總線。
12.權(quán)利要求10的設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括由所述導(dǎo)線形成的單端互連。
13.權(quán)利要求9的設(shè)備，其中，所述導(dǎo)線中的一個(gè)是過(guò)孔且另一導(dǎo)線是布線。
14.權(quán)利要求9的設(shè)備，其中，所述導(dǎo)線是布線。
15.權(quán)利要求9的設(shè)備，其中，所述導(dǎo)線是在金屬化層中形成。
16.權(quán)利要求15的設(shè)備，其中，所述板是在金屬化層中形成。
17.權(quán)利要求9的設(shè)備，所述板中的一個(gè)是環(huán)形板，所述導(dǎo)線中的一個(gè)是過(guò)孔，所述環(huán)形板接觸所述過(guò)孔，與過(guò)孔長(zhǎng)度橫向垂直地延伸。
18.權(quán)利要求17的設(shè)備，另一導(dǎo)線是平行于所述環(huán)形板但與所述環(huán)形板間隔開(kāi)地延伸的布線。
19.權(quán)利要求18的設(shè)備，所述布線包括沿著所述環(huán)形板延伸但與所述環(huán)形板間隔開(kāi)的環(huán)形段。
20.—種系統(tǒng),包括: 處理器； 存儲(chǔ)器控制器，被耦合到所述處理器；以及 被耦合到所述存儲(chǔ)器控制器的單端連接器，所述連接器包括被定位成從而經(jīng)受遠(yuǎn)端串?dāng)_的一對(duì)基本上平行導(dǎo)線以及包括被連接到所述導(dǎo)線中的每一個(gè)的板的電容器，所述電容器用于抵消遠(yuǎn)端串?dāng)_。
21.權(quán)利要求20的系統(tǒng)，其中，所述連接器是互連。
22.權(quán)利要求20的系統(tǒng)，其中，所述連接器是總線。
23.權(quán)利要求20的系統(tǒng)，包括被耦合到所述連接器的存儲(chǔ)器。
24.權(quán)利要求20的系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)線是過(guò)孔。
25.權(quán)利要求24的系統(tǒng)，其中，所述設(shè)備包括由所述導(dǎo)線形成的單端總線。
【文檔編號(hào)】H05K1/02GK104519656SQ201410499896
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】R.E.施巴亞馬, M.賴, R.K.昆策, N.B.彼得森, C.A.L.莫雷諾, K.肖 申請(qǐng)人:英特爾公司