一種提高mocvd外延片均勻性的實用石墨盤的制作方法
【專利摘要】一種提高MOCVD外延片均勻性的實用石墨盤，涉及MOCVD外延片生產(chǎn)【技術領域】，本實用新型包括大石墨盤、小石墨盤，在大磨盤上設有通氣小孔和栓，在小石墨盤中心的背部設置與栓匹配的支撐凹槽，小石墨盤通過支撐凹槽和栓的配合布置在大石墨盤的上方；在小石墨盤上設置有中心片槽和邊緣片槽，邊緣片槽沿中心片槽的外周均布；在小石墨盤的中心片槽的內底邊沿設有石墨三角形支撐物。本實用新型通過對現(xiàn)有小石磨盤進行改良，在小石磨盤中心片槽底部周圍放置石墨的三角形支撐物，改善了由于栓導熱造成的小盤中心局部溫度較高，從而降低小石墨盤中心和邊緣溫度差異，最終獲得均勻性很好的外延片。
【專利說明】—種提高MOCVD外延片均勻性的實用石墨盤
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及MOCVD外延片生產(chǎn)【技術領域】，特別是MOCVD外延生產(chǎn)設備——石墨盤的設計。
【背景技術】
[0002]MOCVD是指金屬有機物化學氣相沉積設備，目前廣泛應用于II1-V化合物半導體薄膜材料的生長。載氣把Mo有機源帶入反應室，在襯底上反應，形成薄膜材料。襯底放置于石墨盤上，通過燈絲或者射頻進行加熱，加熱溫度為50(Tl200 °C。石墨盤由高純石墨組成，并包裹SiC。加熱單元在石墨盤下面。目前Aixtron公司的G5 MOCVD外延石墨盤的缺點在于:外延生長過程中，載氣(H2或者N2)通過大石墨盤上的通氣小孔吹起小石墨盤，讓其進行自轉，小石墨盤上有7個片槽，I個中心片槽和6個對稱的邊緣片槽。大石墨盤底部的加熱單元通過載氣，把熱量傳遞到置于小石墨盤盤片槽的襯底上。由于栓是由導熱性很好的鈦金屬構成，小石墨盤盤上中心片的中心溫度會明顯高于邊緣溫度，同時又會高于邊緣片的溫度。這樣會導致中心片中心波長比邊緣短，同時中心片波長比邊緣片短。小石墨盤內部溫度不均勻造成小石墨盤生長的外延片均一性不好。
實用新型內容
[0003]本實用新型目的在于針對以上問題，提供一種提高MOCVD外延片均勻性的實用石墨盤。
[0004]本實用新型包括包括大石墨盤、小石墨盤，在大磨盤上設有通氣小孔和栓，在小石墨盤中心的背部設置與栓匹配的支撐凹槽，所述小石墨盤通過支撐凹槽和栓的配合布置在大石墨盤的上方；在小石墨盤上設置有中心片槽和邊緣片槽，所述邊緣片槽沿中心片槽的外周均布；在所述小石墨盤的中心片槽的內底邊沿設有石墨三角形支撐物。
[0005]本實用新型通過對現(xiàn)有小石磨盤進行改良，在小石磨盤中心片槽底部周圍放置石墨的三角形支撐物，改善了由于栓導熱造成的小盤中心局部溫度較高，從而降低小石墨盤中心和邊緣溫度差異，最終獲得均勻性很好的外延片。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為本實用新型的一種結構示意圖；
[0007]圖2為圖1的俯視圖。
【具體實施方式】
[0008]如圖1所示，本實用新型包括大石墨盤1、小石墨盤2，在生產(chǎn)時大石墨盤下方布置有加熱單元9 ;在大磨盤I上設有通氣小孔3和栓4，在小石墨盤2中心的背部設置與栓4匹配的支撐凹槽5，小石墨盤2通過支撐凹槽5和栓4的配合布置在大石墨盤I的上方；在小石墨盤2上設置有一個中心片槽6和六個邊緣片槽7，所述六個邊緣片槽7沿中心片槽6 的外周均布；在小石墨盤2的中心片槽6的內底邊沿設有石墨三角形支撐物8。
【權利要求】
1.一種提高MOCVD外延片均勻性的實用石墨盤，包括大石墨盤、小石墨盤，在大磨盤上設有通氣小孔和栓，在小石墨盤中心的背部設置與栓匹配的支撐凹槽，所述小石墨盤通過支撐凹槽和栓的配合布置在大石墨盤的上方；在小石墨盤上設置有中心片槽和邊緣片槽，所述邊緣片槽沿中心片槽的外周均布；其特征在于:在所述小石墨盤的中心片槽的內底邊沿設有石墨三角形支撐物。
【文檔編號】C30B25/12GK203820926SQ201420203206
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年4月24日 優(yōu)先權日:2014年4月24日
【發(fā)明者】李鴻漸, 李盼盼, 李志聰, 孫一軍, 王國宏 申請人:揚州中科半導體照明有限公司