本發(fā)明涉及透光性薄膜，詳細(xì)而言，涉及適合用于光學(xué)用途的透光性薄膜。

背景技術(shù)：

迄今為止，已知將具備透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜等透光性薄膜用于觸摸面板等光學(xué)用途。

例如，提出了在玻璃基板上形成有透明氧化物薄膜、銀系薄膜及透明氧化物薄膜的透明導(dǎo)電膜(例如參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1的透明導(dǎo)電膜中，2層的透明氧化導(dǎo)電膜均由包含氧化銦的混合氧化物形成。

專利文獻(xiàn)1中，為了將透明導(dǎo)電膜圖案化，首先，在上側(cè)的透明氧化物薄膜上形成電極形狀的抗蝕劑膜，接著，利用蝕刻液對從抗蝕劑膜露出的部位進(jìn)行蝕刻，從而將3層的薄膜形成為電極形狀。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平9-176837號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

但是，2層的透明氧化導(dǎo)電膜對蝕刻液的蝕刻速度差異大時，即，2層的透明氧化導(dǎo)電膜中一者比另一者明顯快時，如果以另一個透明氧化導(dǎo)電膜的圖案化結(jié)束的方式來設(shè)定透明導(dǎo)電膜的蝕刻時間，則相對于抗蝕劑膜的邊緣，在一個透明氧化導(dǎo)電膜上會形成從其邊緣侵蝕到內(nèi)側(cè)的過度蝕刻部分(或側(cè)面蝕刻部分)。這種情況下，透明導(dǎo)電膜存在會變得難以保持其形狀，進(jìn)而不能可靠地發(fā)揮期待作用(例如導(dǎo)電作用)的不良情況。

相反，如果以一個透明氧化導(dǎo)電膜的圖案化結(jié)束的方式來設(shè)定透明導(dǎo)電膜的蝕刻時間，則不能使蝕刻速度比這一個透明氧化導(dǎo)電膜明顯慢的另一個透明氧化導(dǎo)電膜的圖案化結(jié)束，即，存在不能將另一個透明氧化導(dǎo)電膜圖案化為目標(biāo)形狀的不良情況。

本發(fā)明的目的在于，提供一種透光性薄膜，其能夠通過蝕刻更可靠地將第1無機(jī)氧化物層及第2無機(jī)氧化物層這兩者圖案化，并且能夠抑制過度蝕刻部分的形成。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的透光性薄膜的特征在于，其依次具備透明基材和透光性無機(jī)層，前述透明基材由高分子薄膜形成，前述透光性無機(jī)層依次具備第1無機(jī)氧化物層、金屬層和第2無機(jī)氧化物層，前述透光性無機(jī)層具有導(dǎo)電性，前述第1無機(jī)氧化物層及第2無機(jī)氧化物層含有氫原子，前述第2無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量H2與前述第1無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量H1之比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下。

此外，在本發(fā)明的透光性薄膜中，適宜的是，前述第1無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量H1及前述第2無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量H2均為5×10¹⁹原子/cm³以上且8000×10¹⁹原子/cm³以下。

此外，在本發(fā)明的透光性薄膜中，適宜的是，在前述第1無機(jī)氧化物層及前述第2無機(jī)氧化物層中，至少一者含有氧化銦。

此外，在本發(fā)明的透光性薄膜中，適宜的是，前述第1無機(jī)氧化物層及前述第2無機(jī)氧化物層均為非晶質(zhì)。

此外，在本發(fā)明的透光性薄膜中，適宜的是，前述第2無機(jī)氧化物層的厚度T2與前述第1無機(jī)氧化物層的厚度T1之比(T2/T1)為0.5以上且1.5以下。

此外，在本發(fā)明的透光性薄膜中，適宜的是，前述第1無機(jī)氧化物層及前述第2無機(jī)氧化物層還含有碳原子，前述第1無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量H1與碳原子的含量C1的總含量(H1+C1)及前述第2無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量H2與碳原子的含量C2的總含量(H2+C2)均為6×10¹⁹原子/cm³以上且10000×10¹⁹原子/cm³以下。

發(fā)明的效果

利用本發(fā)明的透光性薄膜，能夠通過蝕刻更可靠地將第1無機(jī)氧化物層及第2無機(jī)氧化物層這兩者圖案化，并且能夠抑制過度蝕刻部分的形成。

附圖說明

圖1表示本發(fā)明的透光性薄膜的一個實(shí)施方式的截面圖。

圖2表示圖1所示的透光性無機(jī)層形成為布線圖案的透光性薄膜的截面圖。

圖3表示透光性無機(jī)層形成為布線圖案、第1無機(jī)氧化物層形成有過度蝕刻部分的比較例1的透光性薄膜的截面圖的一例。

圖4表示透光性無機(jī)層形成為布線圖案、第2無機(jī)氧化物層形成有過度蝕刻部分的相當(dāng)于比較例的透光性薄膜的截面圖的一例。

圖5表示為透光性薄膜的變形例的、在透明基材的上表面直接配置第1無機(jī)氧化物層的透光性薄膜的截面圖。

圖6表示為透光性薄膜的變形例的、無機(jī)物層夾在保護(hù)層及第1無機(jī)氧化物層之間的透光性薄膜的截面圖。

具體實(shí)施方式

在圖1中，紙面上下方向?yàn)樯舷路较?厚度方向、第1方向)、紙面上側(cè)為上側(cè)(厚度方向一側(cè)、第1方向一側(cè))、紙面下側(cè)為下側(cè)(厚度方向另一側(cè)、第1方向另一側(cè))。在圖1中，紙面左右方向?yàn)樽笥曳较?寬度方向、與第1方向正交的第2方向)、紙面左側(cè)為左側(cè)(第2方向一側(cè))、紙面右側(cè)為右側(cè)(第2方向另一側(cè))。在圖1中，紙厚方向?yàn)榍昂蠓较?與第1方向及第2方向正交的第3方向)、紙面前側(cè)為前側(cè)(第3方向一側(cè))、紙面背側(cè)為后側(cè)(第3方向另一側(cè))。具體以各圖的方向箭頭為準(zhǔn)。

1.透光性薄膜

透光性薄膜1呈具有規(guī)定厚度的薄膜形狀(包括片狀)，在與厚度方向正交的規(guī)定方向(前后方向及左右方向、即面方向)上延伸，具有平坦的上表面及平坦的下表面(2個主面)。透光性薄膜1為例如光學(xué)裝置(例如圖像顯示裝置、調(diào)光裝置)所具備的觸摸面板用基材、調(diào)光面板等的一個部件，即，不是光學(xué)裝置。即，透光性薄膜1為用于制作光學(xué)裝置等的部件，是不包含LCD模塊等圖像顯示元件、LED等光源、以部件本身流通、在產(chǎn)業(yè)上可利用的裝置。此外，透光性薄膜1包含透明導(dǎo)電性薄膜。

具體而言，如圖1所示，透光性薄膜1是依次具備透明基材2、保護(hù)層3和透光性無機(jī)層4的透光性層疊薄膜。即，透光性薄膜1具備：透明基材2、配置在透明基材2的上側(cè)的保護(hù)層3和配置在保護(hù)層3的上側(cè)的透光性無機(jī)層4。此外，優(yōu)選的是，透光性薄膜1僅包含透明基材2、保護(hù)層3和透光性無機(jī)層4。以下，對各層進(jìn)行詳細(xì)說明。

2.透明基材

透明基材2是透光性薄膜1的最下層，為用于確保透光性薄膜1的機(jī)械強(qiáng)度的支撐材料。透明基材2與保護(hù)層3一起支撐透光性無機(jī)層4。

透明基材2由高分子薄膜形成。

高分子薄膜具有透明性。作為高分子薄膜的材料，可以列舉出：例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯樹脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸類樹脂(丙烯酸類樹脂和/或甲基丙烯酸類樹脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、環(huán)烯烴聚合物等烯烴樹脂、例如聚碳酸酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降冰片烯樹脂等。這些高分子薄膜可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。從透明性、耐熱性、機(jī)械特性等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選列舉出烯烴樹脂、聚酯樹脂，更優(yōu)選列舉出環(huán)烯烴聚合物、PET。

透明基材2的厚度例如為2μm以上、優(yōu)選為20μm以上，此外，例如為300μm以下、優(yōu)選為200μm以下、更優(yōu)選為150μm以下。

此外，從保持第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7的非晶的觀點(diǎn)出發(fā)，透明基材2優(yōu)選含有水。即，在透明基材2中，高分子薄膜含有水。

3.保護(hù)層

保護(hù)層3是用于使透光性無機(jī)層4的上表面不易產(chǎn)生擦傷(即獲得優(yōu)異的耐擦傷性)的擦傷保護(hù)層。此外，保護(hù)層3也是用于調(diào)節(jié)透光性薄膜1的光學(xué)物性以使得如圖2所示在后續(xù)的工序中將透光性無機(jī)層4形成為布線圖案之后辨識不出非圖案部9和圖案部10的差別(即抑制布線圖案的辨識)的光學(xué)調(diào)節(jié)層。

保護(hù)層3具有薄膜形狀(包括片狀)，以與透明基材2的上表面接觸的方式配置在透明基材2的整個上表面。

保護(hù)層3由樹脂組合物制備。

樹脂組合物例如含有樹脂和顆粒。樹脂組合物優(yōu)選僅含有樹脂，更優(yōu)選僅由樹脂構(gòu)成。

作為樹脂，可以列舉出固化性樹脂、熱塑性樹脂(例如聚烯烴樹脂)等，優(yōu)選列舉出固化性樹脂。

作為固化性樹脂，可以列舉出：例如通過活性能量射線(具體為紫外線、電子射線等)的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂、例如通過加熱而固化的熱固化性樹脂等，優(yōu)選列舉出活性能量射線固化性樹脂。

活性能量射線固化性樹脂例如可以列舉出分子中具有含聚合性碳-碳雙鍵的官能團(tuán)的聚合物。作為這樣的官能團(tuán)，例如可以列舉出乙烯基、(甲基)丙烯?；?甲基丙烯?；?或丙烯酰基)等。

作為活性能量射線固化性樹脂，例如可以列舉出：側(cè)鏈含有官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸類樹脂(丙烯酸類樹脂和/或甲基丙烯酸類樹脂)等。

這些樹脂可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。

作為顆粒，例如可以列舉出無機(jī)顆粒、有機(jī)顆粒等。作為無機(jī)顆粒，可以列舉出：例如二氧化硅顆粒、例如由氧化鋯、氧化鈦等形成的金屬氧化物顆粒、例如碳酸鈣等碳酸鹽顆粒等。作為有機(jī)顆粒，例如可以列舉出交聯(lián)丙烯酸類樹脂顆粒等。

保護(hù)層3的厚度為例如0.1μm以上、優(yōu)選為1μm以上，此外，為例如10μm以下、優(yōu)選為5μm以下。保護(hù)層3的厚度例如通過基于透射型電子顯微鏡(TEM)的截面觀察來測定。

4.透光性無機(jī)層

透光性無機(jī)層4是用于如圖2所示在后續(xù)的工序中形成為布線圖案從而形成圖案部10的導(dǎo)電層。此外，透光性無機(jī)層4包含透明導(dǎo)電層。

如圖1所示，透光性無機(jī)層4為透光性薄膜1的最上層，具有薄膜形狀(包括片狀)，其以與保護(hù)層3的上表面接觸的方式配置在保護(hù)層3的整個上表面。

透光性無機(jī)層4依次具備第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6和第2無機(jī)氧化物層7。即，透光性無機(jī)層4具備：配置在保護(hù)層3上的第1無機(jī)氧化物層5、配置在第1無機(jī)氧化物層5上的金屬層6和配置在金屬層6上的第2無機(jī)氧化物層7。此外，透光性無機(jī)層4優(yōu)選僅包含第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6和第2無機(jī)氧化物層7。

5.第1無機(jī)氧化物層

第1無機(jī)氧化物層5是與后述的金屬層6及第2無機(jī)氧化物層7一起對透光性無機(jī)層4賦予導(dǎo)電性的導(dǎo)電層。此外，第1無機(jī)氧化物層5也是用于防止來源于透明基材2中所含的水的氫、來源于保護(hù)層3中所含的有機(jī)物的碳浸出到金屬層6的阻隔層。進(jìn)而，第1無機(jī)氧化物層5還是與后述的第2無機(jī)氧化物層7一起用于抑制金屬層6的可見光反射率、提高透光性無機(jī)層4的可見光透射率的光學(xué)調(diào)節(jié)層。

第1無機(jī)氧化物層5為透光性無機(jī)層4的最下層，具有薄膜形狀(包括片狀)，其以與保護(hù)層3的上表面接觸的方式配置在保護(hù)層3的整個上表面。

第1無機(jī)氧化物層5含有相對于后述的蝕刻液能夠溶解的無機(jī)氧化物作為主成分。

作為無機(jī)氧化物，例如可以列舉出由選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W組成的組中的至少1種金屬形成的金屬氧化物等。金屬氧化物中，根據(jù)需要可以進(jìn)一步摻雜上述組中示出的金屬原子。

作為無機(jī)氧化物，從降低電阻率的觀點(diǎn)及確保優(yōu)異的透明性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選列舉出含氧化銦的氧化物，更優(yōu)選列舉出銦錫復(fù)合氧化物(ITO)。

ITO中所含的氧化錫(SnO₂)的含量相對于氧化錫及氧化銦(In₂O₃)的總量，例如為0.5質(zhì)量％以上、優(yōu)選為3質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為6質(zhì)量％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為8質(zhì)量％以上、特別優(yōu)選為10質(zhì)量％以上、最優(yōu)選為超過10質(zhì)量％，此外，例如為35質(zhì)量％以下、優(yōu)選為20質(zhì)量％以下、更優(yōu)選為15質(zhì)量％以下、進(jìn)一步優(yōu)選為13質(zhì)量％以下。氧化銦的含量(In₂O₃)是氧化錫(SnO₂)的含量的剩余部分。通過將ITO中所含的氧化錫(SnO₂)的含量設(shè)在適合的范圍，從而容易抑制ITO膜的經(jīng)時膜質(zhì)變化。

無機(jī)氧化物為晶質(zhì)及非晶質(zhì)均可。對于無機(jī)氧化物，從如圖2所示在后續(xù)的工序中容易實(shí)施圖案化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為非晶質(zhì)。

本申請中，在25000倍的平面TEM圖像中，晶粒所占的面積比率為50％以下(優(yōu)選為0％以上且30％以下)的情況下，記為非晶質(zhì)，超過50％(優(yōu)選為80％以上)的情況下，記為晶質(zhì)。

無機(jī)氧化物在第1無機(jī)氧化物層5中的含有比率為例如95質(zhì)量％以上、優(yōu)選為98質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為99質(zhì)量％以上，此外，例如小于100質(zhì)量％。

此外，第1無機(jī)氧化物層5含有氫原子。氫原子不來源于例如在第1無機(jī)氧化物層5中作為主成分而含有的無機(jī)氧化物，而來源于透明基材2的高分子薄膜所含的水(H₂O)、吸附在干式的裝置(具體為濺射裝置等真空裝置)內(nèi)的水(H₂O)(在后述的制造方法中詳細(xì)敘述)。

第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1為例如5×10¹⁹原子/cm³以上、優(yōu)選為10×10¹⁹原子/cm³以上、更優(yōu)選為50×10¹⁹原子/cm³以上、進(jìn)一步優(yōu)選為100×10¹⁹原子/cm³以上，此外，為例如8000×10¹⁹原子/cm³以下、優(yōu)選為4000×10¹⁹原子/cm³以下、更優(yōu)選為800×10¹⁹原子/cm³以下。

第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1為上述上限以下時，能夠防止第1無機(jī)氧化物層5在濕熱環(huán)境下的膜質(zhì)劣化。

而第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1為上述下限以上時，能夠抑制第1無機(jī)氧化物層5的隨時間推移而結(jié)晶化，能夠維持良好的蝕刻性。

進(jìn)而，第1無機(jī)氧化物層5含有碳原子。碳原子不來源于例如上述無機(jī)氧化物，而來源于上述保護(hù)層3中所含的有機(jī)物。

第1無機(jī)氧化物層5中的碳原子的含量C1以第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1與碳原子的含量C1的總含量(H1+C1)為例如6×10¹⁹原子/cm³以上、優(yōu)選為10×10¹⁹原子/cm³以上、更優(yōu)選為20×10¹⁹原子/cm³以上、進(jìn)一步優(yōu)選為100×10¹⁹原子/cm³以上、此外為例如10000×10¹⁹原子/cm³以下、優(yōu)選為5000×10¹⁹原子/cm³以下、更優(yōu)選為1000×10¹⁹原子/cm³以下的方式進(jìn)行調(diào)節(jié)。

總含量H1+C1為上述上限以下時，能夠得到濕熱耐久性優(yōu)異的第1無機(jī)氧化物層。

而總含量H1+C1為上述下限以上時，能夠提高第1無機(jī)氧化物層5的蝕刻性。

具體而言，第1無機(jī)氧化物層5中的碳原子的含量C1為例如1×10¹⁹原子/cm³以上、優(yōu)選為3×10¹⁹原子/cm³以上、更優(yōu)選為10×10¹⁹原子/cm³以上，此外，為例如100×10¹⁹原子/cm³以下、優(yōu)選為50×10¹⁹原子/cm³以下、更優(yōu)選為30×10¹⁹原子/cm³以下。第1無機(jī)氧化物層5中的碳原子的含量C1利用針對第1無機(jī)氧化物層5的厚度方向中央部的二次離子質(zhì)譜法來測定。

第1無機(jī)氧化物層5的厚度T1為例如5nm以上、優(yōu)選為20nm以上、更優(yōu)選為30nm以上，此外，為例如60nm以下、優(yōu)選為50nm以下。第1無機(jī)氧化物層5的厚度T1在上述范圍時，容易將透光性無機(jī)層4的可見光透射率調(diào)節(jié)到高水平。第1無機(jī)氧化物層5的厚度T1例如通過基于透射型電子顯微鏡(TEM)的截面觀察來測定。

6.金屬層

金屬層6是與第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7一起用于對透光性無機(jī)層4賦予導(dǎo)電性的導(dǎo)電層。此外，金屬層6還是用于降低透光性無機(jī)層4的電阻率的低電阻率化層。

金屬層6具有薄膜形狀(包括片狀)，其以與第1無機(jī)氧化物層5的上表面接觸的方式配置在第1無機(jī)氧化物層5的上表面。

用于形成金屬層6的金屬例如為電阻率小的金屬、并且為相對于與用于蝕刻第1無機(jī)氧化物層5的蝕刻液相同的蝕刻液能夠溶解的金屬。對金屬材料沒有限定，例如可以列舉出：由選自由Ti，Si，Nb，In，Zn，Sn，Au，Ag，Cu，Al，Co，Cr，Ni，Pb，Pd，Pt，Cu、Ge、Ru、Nd、Mg、Ca、Na、W，Zr，Ta及Hf組成的組中的1種金屬構(gòu)成、或者為含有選自上述組中的2種以上金屬的合金。

作為金屬，優(yōu)選列舉出銀(Ag)、銀合金，更優(yōu)選列舉出銀合金。金屬為銀或銀合金時，能夠減小透光性無機(jī)層4的電阻值，并且，能夠得到近紅外線區(qū)域(波長850～250nm)的平均反射率特別高的透光性無機(jī)層4，還能夠適宜地用于在室外使用的圖像顯示裝置用途。

銀合金含有銀作為主成分，含有其它金屬作為副成分，具體而言，例如可以列舉出：Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金、Ag-Pd-Cu-Ge合金、Ag-Cu-Au合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Ru-Cu合金、Ag-Ru-Au合金、Ag-Nd合金、Ag-Mg合金、Ag-Ca合金、Ag-Na合金等。從加濕耐久性的觀點(diǎn)考慮，作為銀合金，優(yōu)選列舉出：含Cu的Ag合金(例如Ag-Cu合金、Ag-Cu-Sn合金等)、含Pd的Ag(例如Ag-Pd合金等)合金、含有Cu、Pd的Ag合金(例如Ag-Pd-Cu合金等)。

銀合金(優(yōu)選Ag-Pd合金)中的銀的含有比率為例如80質(zhì)量％以上、優(yōu)選為90質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為95質(zhì)量％以上，此外，為例如99.9質(zhì)量％以下。銀合金中的其它金屬的含有比率為上述銀的含有比率的剩余部分。金屬為Ag-Pd合金時，Ag-Pd合金中的Pd的含有比率具體而言為例如0.1質(zhì)量％以上。此外，為例如10質(zhì)量％以下、優(yōu)選為5質(zhì)量％以下、更優(yōu)選為1質(zhì)量％以下。

金屬層6的厚度從提高透光性無機(jī)層4的透射率的觀點(diǎn)出發(fā)，為例如1nm以上、優(yōu)選為5nm以上，此外，為例如20nm以下、優(yōu)選為10nm以下。

7.第2無機(jī)氧化物層

第2無機(jī)氧化物層7是與第1無機(jī)氧化物層5及金屬層6一起用于對透光性無機(jī)層4賦予導(dǎo)電性的導(dǎo)電層。此外，第2無機(jī)氧化物層7也是用于防止環(huán)境中的氧、水分等浸出到金屬層6的阻隔層，還是用于抑制金屬層6的可見光反射率、提高透光性無機(jī)層4的可見光透射率的光學(xué)調(diào)整層。

第2無機(jī)氧化物層7為透光性無機(jī)層4的最上層，具有薄膜形狀(包括片狀)，其以與金屬層6的上表面接觸的方式配置在金屬層6的整個上表面。

第2無機(jī)氧化物層7含有第1無機(jī)氧化物層5中例示的無機(jī)氧化物，具體而言，為相對于與用于蝕刻第1無機(jī)氧化物層5的蝕刻液相同的蝕刻液能夠溶解的無機(jī)氧化物，優(yōu)選含有氧化銦、更優(yōu)選由ITO形成。

無機(jī)氧化物在第2無機(jī)氧化物層7中的含有比率為例如95質(zhì)量％以上、優(yōu)選為98質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為99質(zhì)量％以上，此外，例如小于100質(zhì)量％。

此外，第2無機(jī)氧化物層7含有氫原子。氫原子不來源于例如在第2無機(jī)氧化物層7中作為主成分而含有的無機(jī)氧化物，而來源于透明基材2的高分子薄膜含有的水(H₂O)、吸附在干式的裝置(具體為濺射裝置等真空裝置)內(nèi)的水(H₂O)(在后述的制造方法中詳細(xì)敘述)。

第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2以第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1之比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下的方式設(shè)定。

而氫原子的比(H2/H1)小于0.10時，第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1與第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2相比過高。因此，在后述的透光性無機(jī)層4的蝕刻中，蝕刻液對第1無機(jī)氧化物層5的蝕刻速度R1與蝕刻液對第2無機(jī)氧化物層7的蝕刻速度R2相比過快。其結(jié)果，如圖3所示，在透光性無機(jī)層4的蝕刻中，在第1無機(jī)氧化物層5的端部形成過度蝕刻部11。

需要說明的是，如圖3所示，過度蝕刻部分11具有截面大致三角形狀。但是，過度蝕刻部11的形狀并不限定于圖3所示的形狀。例如，雖未圖示，但過度蝕刻的第1無機(jī)氧化物層5的兩個端部的截面也可以為相對于金屬層6的面方向垂直的形狀。

另一方面，比(H2/H1)超過10.00時，第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1相比過高。因此，透光性無機(jī)層4的蝕刻中，蝕刻液對第2無機(jī)氧化物層7的蝕刻速度R2與蝕刻液對第1無機(jī)氧化物層5的蝕刻速度R1相比過快。其結(jié)果，如圖4所示，在透光性無機(jī)層4的蝕刻中，在第2無機(jī)氧化物層7的端部形成過度蝕刻部11。

此外，第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2以第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1之比(H2/H1)優(yōu)選為0.20以上、更優(yōu)選為0.40以上、進(jìn)一步優(yōu)選為0.50以上、更進(jìn)一步優(yōu)選為0.75以上、此外優(yōu)選為5.00以下、更優(yōu)選為2.50以下、進(jìn)一步優(yōu)選為1.50以下、特別優(yōu)選為1.25以下、最優(yōu)選為1.20以下的方式設(shè)定。

比(H2/H1)為上述下限以上時，在對透光性無機(jī)層4進(jìn)行蝕刻時，能夠抑制在第1無機(jī)氧化物層5的端部形成過度蝕刻部11。

而比(H2/H1)為上述上限以下時，在對透光性無機(jī)層4進(jìn)行蝕刻時，能夠抑制在第2無機(jī)氧化物層7的端部形成過度蝕刻部11。

即，比(H2/H1)為上述下限以上且上述上限以下時，能夠使蝕刻液對第1無機(jī)氧化物層5的蝕刻速度R1與蝕刻液對第2無機(jī)氧化物層7的蝕刻速度R2近似。因此，能夠抑制在第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7的任意層形成過度蝕刻部11。

第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1之比(H2/H1)在后述的第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7的制造方法中進(jìn)行調(diào)節(jié)。

具體而言，第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2為例如5×10¹⁹原子/cm³以上、優(yōu)選為10×10¹⁹原子/cm³以上、更優(yōu)選為100×10¹⁹原子/cm³以上，此外，為例如8000×10¹⁹原子/cm³以下、優(yōu)選為4000×10¹⁹原子/cm³以下、更優(yōu)選為800×10¹⁹原子/cm³以下、進(jìn)一步優(yōu)選為300×10¹⁹原子/cm³以下。

第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2為上述上限以下時，能夠防止第2無機(jī)氧化物層7在濕熱環(huán)境下的膜質(zhì)劣化。第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2為上述下限以上時，能夠抑制第2無機(jī)氧化物層7的隨時間推移而結(jié)晶化，能夠保持良好的蝕刻性。

第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2利用針對第2無機(jī)氧化物層7的厚度方向中央部的二次離子質(zhì)譜法來測定。

進(jìn)而，第2無機(jī)氧化物層7含有碳原子。碳原子不來源于例如上述無機(jī)氧化物，而來源于上述透明基材2的高分子薄膜所含的有機(jī)物(在后述的制造方法中詳細(xì)敘述)。

第2無機(jī)氧化物層7中的碳原子的含量C2以第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與碳原子的含量C2的總含量(H2+C2)為例如6×10¹⁹原子/cm³以上、優(yōu)選10×10¹⁹原子/cm³以上、更優(yōu)選20×10¹⁹原子/cm³以上、進(jìn)一步優(yōu)選100×10¹⁹原子/cm³以上、此外為例如10000×10¹⁹原子/cm³以下、優(yōu)選5000×10¹⁹原子/cm³以下、更優(yōu)選1000×10¹⁹原子/cm³以下的方式進(jìn)行調(diào)節(jié)。

總含量(H2+C2)為上述上限以下時，能夠得到濕熱耐久性優(yōu)異的第2無機(jī)氧化物層7。總含量(H2+C2)為上述下限以上時，能夠得到蝕刻性優(yōu)異的第2無機(jī)氧化物層7。

具體而言，第2無機(jī)氧化物層7中的碳原子的含量C2為例如1×10¹⁹原子/cm³以上、優(yōu)選為2×10¹⁹原子/cm³以上、更優(yōu)選為3×10¹⁹原子/cm³以上，此外，為例如100×10¹⁹原子/cm³以下、優(yōu)選為50×10¹⁹原子/cm³以下、更優(yōu)選為30×10¹⁹原子/cm³以下、進(jìn)一步優(yōu)選為10×10¹⁹原子/cm³以下。

第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2和碳原子的含量C2的總含量(H2+C2)、與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1和碳原子的含量C1的總含量(H1+C1)之比“(H2+C2)/(H1+C1)”優(yōu)選大于氫原子之比(H2/H1)，{(H2+C2)/(H1+C1)}/(H2/H1)的值為例如1.01以上、優(yōu)選為1.03以上，此外，為例如3.00以下、優(yōu)選為2.00以下、更優(yōu)選為1.50以下。配置在與空氣接觸的一側(cè)的第2無機(jī)氧化物層7與第1無機(jī)氧化物層5相比，雖然更容易因空氣中的氧而變成晶體膜，但通過在存在充分的氫原子量的基礎(chǔ)上進(jìn)一步含有較多的碳原子，存在能夠維持非晶質(zhì)性、容易確保蝕刻性的傾向。其理由不受任何理論限定，推測是由于碳原子的原子尺寸比氫原子大，容易阻礙無機(jī)氧化物層的結(jié)晶化。氫原子與碳原子的總含量之比(H2+C2)/(H1+C1)比氫原子之比(H2/H1)大的情況與不是這種比例的情況相比，即使第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7的氫原子量的含量為少的水平(例如10×10¹⁹原子/cm³左右)也容易維持良好的蝕刻性。另一方面，{(H2+C2)/(H1+C1)}/(H2/H1)的值過大時(例如值超過3.00時)，存在第2無機(jī)氧化物層7的膜質(zhì)劣化、濕熱耐久性惡化的擔(dān)心。

第2無機(jī)氧化物層7的厚度T2以第2無機(jī)氧化物層的厚度T2與第1無機(jī)氧化物層的厚度T1之比(T2/T1)為例如0.5以上、優(yōu)選為0.75以上、此外為例如1.5以下、優(yōu)選為1.25以下的方式進(jìn)行調(diào)節(jié)。

比(T2/T1)為上述下限以上、且為上述上限以下時，即使在濕熱環(huán)境下也能夠抑制金屬層6的劣化。

具體而言，第2無機(jī)氧化物層7的厚度T2為例如5nm以上、優(yōu)選為20nm以上、進(jìn)一步優(yōu)選為30nm以上，此外，為例如60nm以下、優(yōu)選為50nm以下。第2無機(jī)氧化物層7的厚度T2在上述范圍時，容易將透光性無機(jī)層4的可見光透射率調(diào)節(jié)為高水平。

而且，透光性無機(jī)層4的厚度、即第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6及第2無機(jī)氧化物層7的總厚度為例如20nm以上、優(yōu)選為40nm以上、更優(yōu)選為60nm以上、進(jìn)一步優(yōu)選為80nm以上，此外，為例如150nm以下、優(yōu)選為120nm以下、更優(yōu)選為100nm以下。

8.透光性薄膜的制造方法

接著，對透光性薄膜1的制造方法進(jìn)行說明。

制造透光性薄膜1時，例如在透明基材2上依次配置(層疊)保護(hù)層3、第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6和第2無機(jī)氧化物層7。

在該方法中，如圖1所示，首先，準(zhǔn)備透明基材2。

所準(zhǔn)備的透明基材2(高分子薄膜)中的水分量為例如10μg/cm²以上、優(yōu)選為15μg/cm²以上，此外，為例如200μg/cm²以下、優(yōu)選為170μg/cm²以下。水分量為上述下限以上時，容易抑制之后形成的第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7的結(jié)晶性經(jīng)時大幅變化。而水分量為上述上限以下時，容易抑制第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1之差變大。透明基材2中的水分量基于JIS K 7251(2002年)B法-水分氣化法來測定。

此外，透明基材2(高分子薄膜)中所含的水相對于透明基材2的含量為例如0.05質(zhì)量％以上、優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上，此外，為例如1.5質(zhì)量％以下、優(yōu)選為1.0質(zhì)量％以下、更優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以下。

需要說明的是，上述水的一部分或全部在后述說明的脫氣處理中被釋放到外部。

接著，將樹脂組合物通過例如濕式配置在透明基材2的上表面。

具體而言，首先，將樹脂組合物涂布在透明基材2的上表面。其后，在樹脂組合物含有活性能量射線固化性樹脂的情況下，照射活性能量射線。

由此，在透明基材2的整個上表面形成薄膜形狀的保護(hù)層3。即，得到具備透明基材2和保護(hù)層3的帶保護(hù)層的透明基材12。

在保護(hù)層3中以適宜的比例含有有機(jī)物。

其后，根據(jù)需要，對帶保護(hù)層的透明基材12進(jìn)行脫氣處理。

對帶保護(hù)層的透明基材12進(jìn)行脫氣處理時，將帶保護(hù)層的透明基材12放置在例如1×10^-1Pa以下、優(yōu)選1×10^-2Pa以下、此外例如1×10^-3Pa以下、優(yōu)選5×10^-4Pa以下的減壓氣氛下。脫氣處理使用后面詳細(xì)敘述的干式裝置具備的排氣裝置(具體而言，包含渦輪分子泵等)來實(shí)施。

通過該脫氣處理，透明基材2中所含的水的一部分、保護(hù)層3中所含的有機(jī)物的一部分被釋放到外部。

接著，將透光性無機(jī)層4通過例如干式配置在保護(hù)層3的上表面。

具體而言，通過干式依次配置第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6及第2無機(jī)氧化物層7各層。

作為干式，可以列舉出例如真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等。優(yōu)選列舉出濺射法。具體可以列舉出磁控濺射法。

作為濺射法中使用的氣體，例如可以列舉出Ar等非活性氣體。此外，根據(jù)需要，可以組合使用氧等反應(yīng)性氣體。組合使用反應(yīng)性氣體時，對反應(yīng)性氣體的流量比沒有特別限定，以反應(yīng)性氣體的流量與非活性氣體的流量之比計(jì)，為例如0.1/100以上、優(yōu)選為1/100以上，此外，為例如5/100以下。

具體而言，在第1無機(jī)氧化物層5的形成中，作為氣體，優(yōu)選組合使用非活性氣體和反應(yīng)性氣體。在金屬層6的形成中，作為氣體，優(yōu)選單獨(dú)使用非活性氣體。在第2無機(jī)氧化物層7的形成中，作為氣體，優(yōu)選組合使用非活性氣體和反應(yīng)性氣體。

對濺射法中使用的電源沒有限定，例如可以為DC電源、MF/AC電源及RF電源的任一種，此外，也可以為它們的組合。

此外，優(yōu)選的是，在利用濺射法形成第1無機(jī)氧化物層5時，將透明基材2(及保護(hù)層3)冷卻。具體而言，使透明基材2的下表面(即，與透明基材2中形成第1無機(jī)氧化物層5的一側(cè)的面(即透明基材2的上表面)處于相反側(cè)的面)與冷卻裝置(例如冷卻輥)等接觸，將透明基材2(及保護(hù)層3)冷卻。由此，能夠抑制在形成第1無機(jī)氧化物層5時由于因?yàn)R射產(chǎn)生的蒸鍍熱等而使透明基材2中所含的水及保護(hù)層3中所含的有機(jī)物大量釋放出從而使第1無機(jī)氧化物層5中包含過量的水。冷卻溫度為例如-30℃以上、優(yōu)選為-10℃以上，此外，為例如60℃以下、優(yōu)選為40℃以下、更優(yōu)選為20℃以下。

由此，在保護(hù)層3上形成依次形成有第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6及第2無機(jī)氧化物層7的透光性無機(jī)層4。

此外，透光性無機(jī)層4的表面電阻值為例如40Ω/□以下、優(yōu)選為30Ω/□以下、更優(yōu)選為20Ω/□以下、進(jìn)一步優(yōu)選為15Ω/□以下，此外，為例如0.1Ω/□以上、優(yōu)選為1Ω/□以上、更優(yōu)選為5Ω/□以上。

透光性無機(jī)層4的電阻率為例如2.5×10^-4Ω·cm以下、優(yōu)選為2.0×10^-4Ω·cm以下、更優(yōu)選為1.5×10^-4Ω·cm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為1.1×10^-4Ω·cm以下，此外，為例如0.01×10^-4Ω·cm以上、優(yōu)選為0.1×10^-4Ω·cm以上、更優(yōu)選為0.5×10^-4Ω·cm以上。

透光性無機(jī)層4的電阻率使用透光性無機(jī)層4的厚度(第1無機(jī)氧化物層、金屬層6、第2無機(jī)氧化物層7的總厚度)和透光性無機(jī)層4的表面電阻值算出。

此外，透光性無機(jī)層4優(yōu)選近紅外線(波長850～2500nm)的平均反射率高。具備近紅外線區(qū)域的反射率高的金屬層6(例如包含銀或銀合金的金屬層6)的透光性無機(jī)層4與由例如導(dǎo)電性氧化物(例如ITO等)形成的透明無機(jī)氧化物相比近紅外線的平均反射率高，能夠高效地阻斷太陽光等熱射線。因此，也能夠適用于在面板溫度容易升高的環(huán)境(例如室外等)中使用的圖像顯示裝置。透光性無機(jī)層4的近紅外線(波長850～2500nm)的平均反射率為例如10％以上、優(yōu)選為20％以上、更優(yōu)選為40％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為50％以上，此外，為例如95％以下、優(yōu)選為90％以下。

此外，對將第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1之比(H2/H1)設(shè)定在上述范圍的方法沒有限定，優(yōu)選選擇以下的(1)～(2)中的至少任一種。

(1)在通過干式形成第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7時，在干式的裝置內(nèi)的氣氛中導(dǎo)入水(水蒸氣)。對水的導(dǎo)入方法沒有限定，例如，向干式的裝置內(nèi)導(dǎo)入通過使非活性氣體經(jīng)由設(shè)置在裝置外部的蒸留水儲藏罐而制備的包含水蒸氣和非活性氣體的混合氣體。由此，能夠容易地導(dǎo)入水。進(jìn)而，設(shè)置多個氣體導(dǎo)入路徑，通過不同的路徑分別導(dǎo)入包含水蒸氣和非活性氣體的混合氣體、和非活性氣體(不包含水蒸氣的氣體)，適當(dāng)變更其導(dǎo)入比率。形成第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7時的水的導(dǎo)入量以水蒸氣的流量與非活性氣體的流量之比計(jì)，為例如0.01/100以上、優(yōu)選為0.1/100以上、更優(yōu)選為0.5/100以上、進(jìn)一步優(yōu)選為1/100以上，為例如20/100以下、更優(yōu)選為10/100以下。通過不同的路徑導(dǎo)入包含水蒸氣和非活性氣體的混合氣體、和非活性氣體時，形成第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7時的水的導(dǎo)入量以包含水蒸氣和非活性氣體的混合氣體的流量與非活性氣體的流量之比計(jì)，為例如1/100以上、優(yōu)選為10/100以上、更優(yōu)選為15/100以上，為例如80/100以下、優(yōu)選為50/100以下。第2無機(jī)氧化物層7優(yōu)選與第1無機(jī)氧化物層5相比形成時的水導(dǎo)入量更多，以形成第2無機(jī)氧化物層7時導(dǎo)入的水導(dǎo)入量與形成第1無機(jī)氧化物層5時導(dǎo)入的水導(dǎo)入量之比(形成第2無機(jī)氧化物層7時導(dǎo)入的水導(dǎo)入量/形成第1無機(jī)氧化物層5時導(dǎo)入的水導(dǎo)入量)計(jì)，為例如110/100以上、優(yōu)選為120/100以上、更優(yōu)選為150/100以上。

利用該(1)的方法，能夠容易地控制第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1及第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2。

(2)將從透光性無機(jī)層4的形成開始到直至結(jié)束為止的時間、具體為從第1無機(jī)氧化物層5的形成開始到第2無機(jī)氧化物層7的形成結(jié)束為止的時間設(shè)定為短時間，具體而言，設(shè)定為例如15分鐘以下、優(yōu)選為10分鐘以下、更優(yōu)選為5分鐘以下、進(jìn)一步優(yōu)選為3分鐘以下，此外，設(shè)定為例如5秒以上、優(yōu)選為30秒以上。

在通過干式形成第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7時，來源于透明基材2的氣體成分(具體為水等)在真空(減壓)氣氛下經(jīng)時減少。而且，在通過干式形成第2無機(jī)氧化物層7時，第2無機(jī)氧化物層7中所含的水的含量在真空(減壓)氣氛下經(jīng)時顯著減少。因此，利用該(2)的方法，如果在短時間內(nèi)形成透光性無機(jī)層4，則會抑制第2無機(jī)氧化物層7中所含的水減少的比例，因此，能夠使第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1近似(換言之，減小H2與H1之差)，從而使H2/H1近似于1。

為了將第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1之比(H2/H1)設(shè)定在上述范圍，優(yōu)選組合使用(1)及(2)。

由此，得到如圖1所示依次具備透明基材2、保護(hù)層3、第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6和第2無機(jī)氧化物層7的透光性薄膜1。

透光性薄膜1具備在金屬層6的上表面及下表面具有光學(xué)調(diào)節(jié)層(第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7)的透光性無機(jī)層4，因此，透光性無機(jī)層4即使包含通?？梢姽夥瓷渎矢叩慕饘賹?(具體而言，例如波長550nm的反射率為15％以上、進(jìn)而為30％以上的金屬層6)也能夠?qū)崿F(xiàn)高的可見光透射率。透光性薄膜1的可見光透射率為例如60％以上、優(yōu)選為70％以上、更優(yōu)選為80％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為85％以上、最優(yōu)選超過86％，此外，為例如95％以下。

透光性薄膜1的總厚度為例如2μm以上、優(yōu)選為20μm以上，此外，為例如300μm以下、優(yōu)選為200μm以下、更優(yōu)選為150μm以下。

需要說明的是，可以通過輥對輥方式實(shí)施上述制造方法。此外，也可以通過分批方式實(shí)施一部分或全部。

9.透光性無機(jī)層的圖案化

其后，如圖2所示，通過蝕刻，將透光性無機(jī)層4形成為布線圖案。由此，在保護(hù)層3上形成非圖案部9及圖案部10。非圖案部9中，保護(hù)層3的上表面從圖案部10露出。

具體而言，首先，將感光性薄膜配置在第2無機(jī)氧化物層7的整個上表面，接著，如圖2所示，隔著具有與非圖案部9及圖案部10對應(yīng)的圖案的光掩模進(jìn)行曝光，其后進(jìn)行顯影，從而將與非圖案部9對應(yīng)的感光性薄膜去除。由此，在成為圖案部10的透光性無機(jī)層4的上表面形成具有與圖案部10相同的圖案的抗蝕層8。

其后，使用蝕刻液對從抗蝕層8露出的透光性無機(jī)層4進(jìn)行蝕刻。作為蝕刻液，只要為能夠溶解至少第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7、優(yōu)選能夠溶解第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6及第2無機(jī)氧化物層7的蝕刻液，其組成就沒有限定，例如可以列舉出鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸、草酸、磷酸及它們的混合酸等酸。由此，將與非圖案部9對應(yīng)的第2無機(jī)氧化物層7、金屬層6及第1無機(jī)氧化物層5去除。

由此，如圖2所示，將透光性無機(jī)層4形成為具有條紋形狀的圖案部10的布線圖案。圖案部10例如沿前后方向延伸，在左右方向相互隔著間隔(非圖案部9)排列配置多個。各圖案部10的寬度L為例如1μm以上且3000μm以下。鄰接的圖案部10的間隔S為例如1μm以上且3000μm以下。

其后，通過例如剝離等將抗蝕層8從第2無機(jī)氧化物層7的上表面去除。

之后，透光性薄膜1被供于例如光學(xué)裝置。

作為光學(xué)裝置，例如可以列舉出圖像顯示裝置、調(diào)光裝置等。

將透光性薄膜1供于圖像顯示裝置(具體為具有LCD模塊等圖像顯示元件的圖像顯示裝置)時，透光性薄膜1作為例如觸摸面板用基材使用。作為觸摸面板的形式，可以列舉出光學(xué)方式、超聲方式、靜電容量方式、電阻膜方式等各種方式，尤其適宜用于靜電容量方式的觸摸面板。

此外，可以將透光性薄膜1用作例如近紅外線反射用基材。例如，通過將波長850～2500nm的近紅外線的平均反射率高的(例如10％以上)透光性薄膜1供于圖像顯示裝置，能夠適宜地用于面向室外使用的圖像顯示裝置。透光性薄膜1也可以以例如貼合于偏光薄膜的透光性無機(jī)層層疊偏光薄膜的形式供于圖像顯示裝置。

此外，將透光性薄膜1供于調(diào)光裝置(具體為具有LED等光源的調(diào)光裝置)時，透光性薄膜1以例如調(diào)光薄膜的形式提供。

10.作用效果

利用該透光性薄膜1，能夠通過蝕刻可靠地將第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7二者圖案化，并且能夠抑制過度蝕刻部分11的形成。

即，由于比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下，因此，能夠使第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7的物性(例如膜質(zhì))近似。具體而言，能夠使蝕刻液對第1無機(jī)氧化物層5的蝕刻速度R1與蝕刻液對第2無機(jī)氧化物層7的蝕刻速度R2近似。因此，能夠抑制第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7的任意層中產(chǎn)生過度蝕刻部11。

另一方面，在日本特開2003-36037號公報中公開了如下方面：具備銀合金導(dǎo)電層和導(dǎo)電保護(hù)層的銀合金布線；以及，基于銀合金導(dǎo)電層的蝕刻速度與導(dǎo)電保護(hù)層的蝕刻速度的差異，在銀合金導(dǎo)電層中形成了側(cè)面蝕刻部分(過度蝕刻部分)。但是，日本特開2003-36037號公報中并沒有公開如上述“發(fā)明要解決的問題”項(xiàng)中所述的第1無機(jī)氧化物層或第2無機(jī)氧化物層的過度蝕刻部分。

此外，該透光性薄膜1中，第1無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量H1及第2無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量H2均為5×10¹⁹原子/cm³以上且8000×10¹⁹原子/cm³以下時，能夠保持優(yōu)異的濕熱耐久性。

此外，該透光性薄膜1中，第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7中的至少一者含有氧化銦時，能夠兼顧良好的蝕刻性和耐環(huán)境性。

此外，該透光性薄膜1中，第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7均為非晶質(zhì)時，能夠容易地實(shí)施基于蝕刻的圖案化。

此外，該透光性金屬層疊薄膜1中，金屬層6為包含銀或銀合金的金屬層時，近紅外線的平均反射率高，能夠有效地阻斷太陽光等熱射線。

此外，該透光性薄膜1中，金屬層6為包含銀或銀合金的金屬層時，近紅外線的平均反射率高，能夠有效地阻斷太陽光等熱射線。

此外，該透光性薄膜1中，第2無機(jī)氧化物層7的厚度T2與第1無機(jī)氧化物層5的厚度T1之比(T2/T1)為0.5以上且1.5以下時，能夠抑制金屬層6的劣化。

此外，該透光性薄膜1中，第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7還含有碳原子、且第1無機(jī)氧化物層5中的氫原子的含量H1與碳原子的含量C1的總含量(H1+C1)及第2無機(jī)氧化物層7中的氫原子的含量H2與碳原子的含量C2的總含量(H2+C2)均為6×10¹⁹原子/cm³以上且10000×10¹⁹原子/cm³以下時，透光性無機(jī)層4的非晶質(zhì)性優(yōu)異，能夠更可靠地維持蝕刻性。

11.變形例

在變形例中，對于與上述的一個實(shí)施方式同樣的構(gòu)件及工序賦以相同的參考符號，省略其詳細(xì)說明。

在一個實(shí)施方式中，作為第1無機(jī)氧化物層5及第2無機(jī)氧化物層7中的無機(jī)氧化物均例示了ITO，但是，例如也可以一者中的無機(jī)氧化物含有ITO、另一者中的無機(jī)氧化物含有ITO以外的無機(jī)氧化物(例如TiOx、IZO、IGO、IGZO等)。

在一個實(shí)施方式中，如圖1所示，在透明基材2上設(shè)置有透光性無機(jī)層4，雖然未圖示，但也可以在透明基材2的下方進(jìn)一步設(shè)置透光性無機(jī)層4。即，透光性薄膜1可以在透明基材2的上下兩側(cè)分別依次具備保護(hù)層3和透光性無機(jī)層4。

在一個實(shí)施方式中，如圖1所示，使保護(hù)層3夾在透明基材2及第1無機(jī)氧化物層5之間。但是，例如也可以如圖5所示，將第1無機(jī)氧化物層5直接配置在透明基材2的上表面。即，透光性薄膜1依次具備透明基材2、第1無機(jī)氧化物層5、金屬層6及第2無機(jī)氧化物層7。另一方面，該透光性薄膜1不具備保護(hù)層3。

在一個實(shí)施方式中，如圖1所示，將第1無機(jī)氧化物層5直接配置在保護(hù)層3的上表面。但是，例如也可以如圖6所示，使無機(jī)物層13夾在保護(hù)層3及第1無機(jī)氧化物層5之間。

無機(jī)物層13是用于與保護(hù)層3一起以抑制透光性無機(jī)層4中的布線圖案的辨識的方式調(diào)節(jié)透光性薄膜1的光學(xué)物性的光學(xué)調(diào)節(jié)層(第2光學(xué)調(diào)節(jié)層)。無機(jī)物層13具有薄膜形狀(包括片狀)，其以與保護(hù)層3的上表面接觸的方式配置在保護(hù)層3的整個上表面。無機(jī)物層13具有規(guī)定的光學(xué)物性，由例如氧化物、氟化物等無機(jī)物制備。無機(jī)物層13的厚度為1nm以上、優(yōu)選為5nm以上、更優(yōu)選為10nm以上，此外，為例如80nm以下、優(yōu)選為40nm以下、更優(yōu)選為25nm以下。

實(shí)施例

以下示出實(shí)施例及比較例對本發(fā)明進(jìn)行更具體的說明。需要說明的是，本發(fā)明不限定于任何實(shí)施例及比較例。此外，以下的記載中使用的配混比例(含有比例)、物性值、參數(shù)等具體數(shù)值可以代替上述“具體實(shí)施方式”中記載的與它們對應(yīng)的配混比例(含有比例)、物性值、參數(shù)等的記載的上限值(以“以下”、“小于”的形式定義的數(shù)值)或下限值(以“以上”、“超過”的形式定義的數(shù)值)。

實(shí)施例1

(薄膜基材的準(zhǔn)備及保護(hù)層的形成)

首先，準(zhǔn)備由長條狀聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜形成、且厚度為50μm的透明基材。需要說明的是，所準(zhǔn)備的透明基材中的水分量為19μg/cm²，此外，水相對于透明基材的含量為0.27質(zhì)量％。

接著，在透明基材的上表面涂布由丙烯酸類樹脂形成的紫外線固化性樹脂，通過紫外線照射使其固化，從而形成由固化樹脂層形成、且厚度為2μm的保護(hù)層。由此，得到具備透明基材和保護(hù)層的帶保護(hù)層的透明基材卷。

(第1無機(jī)氧化物層的形成)

接著，將帶保護(hù)層的透明基材卷設(shè)置在真空濺射裝置中并靜置，進(jìn)行真空排氣(脫氣處理)直至未輸送時的氣壓變?yōu)?×10^-3Pa為止。此時，在未導(dǎo)入濺射氣體(Ar及O₂)的狀態(tài)下輸送帶保護(hù)層的透明基材的一部分，確認(rèn)氣壓升高至2×10^-2Pa。由此，確認(rèn)在帶保護(hù)層的透明基材卷中殘留有足量的氣體。

接著，邊使帶保護(hù)層的透明基材卷退卷，邊通過濺射在固化樹脂層的上表面形成由銦錫氧化物層形成、且厚度為42nm的第1無機(jī)氧化物層。

具體而言，在導(dǎo)入了Ar及O₂的氣壓0.3Pa的真空氣氛下(流量比為Ar：O₂＝100：1.4)，使用直流(DC)電源，濺射由10質(zhì)量％的氧化錫和90質(zhì)量％的氧化銦的燒結(jié)體形成的靶。

需要說明的是，通過濺射形成第1無機(jī)氧化物層時，使帶保護(hù)層的透明基材卷的下表面(具體為透明基材的下表面)與-5℃的冷卻輥接觸，從而使帶保護(hù)層的透明基材卷冷卻。

(金屬層的形成)

通過濺射在第1無機(jī)氧化物層的上表面形成由Ag-Pd合金構(gòu)成、且厚度為8nm的金屬層。

具體而言，在導(dǎo)入了Ar的氣壓0.3Pa的真空氣氛下，作為電源使用直流(DC)電源，濺射Ag-Pd靶(Pd的含有比率：0.5質(zhì)量％)。

(第2無機(jī)氧化物層的形成)

通過濺射在金屬層的上表面形成由ITO構(gòu)成、且厚度為40nm的第2無機(jī)氧化物層。

具體而言，在導(dǎo)入了Ar及O₂的氣壓0.4Pa的真空氣氛下(流量比為Ar：O₂＝100：1.5)，使用直流(DC)電源，濺射由10質(zhì)量％的氧化錫和90質(zhì)量％的氧化銦的燒結(jié)體形成的靶。

此外，從第1無機(jī)氧化物層的形成開始到第2無機(jī)氧化物層的形成結(jié)束為止所需的時間、即形成透光性無機(jī)層所需的時間為3.5分鐘。

由此，得到在透明基材上依次形成有保護(hù)層、第1無機(jī)氧化物層、金屬層及第2無機(jī)氧化物層的透光性薄膜。

實(shí)施例2

將帶保護(hù)層的透明基材卷設(shè)置在真空濺射裝置中后的未輸送時的氣壓變更為4×10^-4Pa，使用由12質(zhì)量％的氧化錫和88質(zhì)量％的氧化銦的燒結(jié)體形成的靶來形成第1無機(jī)氧化物層及第2無機(jī)氧化物層，透光性無機(jī)層的形成所需的時間由3.5分鐘變更為0.7分鐘，除此以外，與實(shí)施例1同樣地得到透光性薄膜。

實(shí)施例3

將濺射Ag-Pd靶時的放電輸出功率減小25％，將金屬層的厚度變更為6nm，除此以外，與實(shí)施例2同樣地得到透光性薄膜。

實(shí)施例4

將濺射Ag-Pd靶時的放電輸出功率增大25％，將金屬層的厚度變更為10nm，除此以外，與實(shí)施例2同樣地得到透光性薄膜。

比較例1

將帶保護(hù)層的透明基材卷設(shè)置在真空濺射裝置中后的未輸送時的氣壓由4×10^-3Pa變更為9×10^-5Pa，此外，將透光性無機(jī)層的形成所需的時間由3.5分鐘變更為180分鐘，除此以外，與實(shí)施例1同樣地得到透光性薄膜。

(測定)

(1)厚度

通過使用了透射型電子顯微鏡(日立制作所制造H-7650)的截面觀察來測定保護(hù)層、第1金屬氧化物層、金屬層及第2金屬氧化物的厚度。

此外，使用膜厚計(jì)(Peacock公司制造數(shù)字千分表DG-205)來測定基材的厚度。

(2)氫原子及碳原子的含量

使用二次離子質(zhì)譜裝置(裝置名“PHI ADEPT-1010”、ULVAC-PHI,Inc.制造)，利用二次離子質(zhì)譜法測定第1無機(jī)氧化物層中的氫原子及碳原子的含量(H1、C1)。具體而言，利用二次離子質(zhì)譜法來測定第1無機(jī)氧化物層的厚度方向中央部的氫原子的含量(H1)及碳原子的含量(C1)。

此外，對于第2無機(jī)氧化物層中的氫原子的含量(H2)及碳原子的含量(C2)，也與第1無機(jī)氧化物層的測定同樣地實(shí)施。

(3)透光性無機(jī)層的電阻率

由基于JIS K7194(1994年)的4探針法測得的透光性無機(jī)層的表面電阻值與通過(1)的厚度的測定求出的透光性無機(jī)層的厚度的乘積算出透光性無機(jī)層的電阻率。將其結(jié)果示于表1。

(4)蝕刻性

在透光性無機(jī)層4的整個上表面配置感光性薄膜(DFR、商品名“RY3310”、日立化成株式會社制造)，然后，如圖2所示，對具有與非圖案部及圖案部的形成對應(yīng)的圖案的光掩模進(jìn)行曝光，其后，進(jìn)行顯影，從而將與非圖案部對應(yīng)的感光性薄膜去除。由此，在成為圖案部的透光性無機(jī)層4的上表面形成具有與圖案部相同的圖案的抗蝕層13。其后，將從抗蝕層13露出的透光性無機(jī)層4浸漬在加熱至40℃的蝕刻液(株式會社ADEKA制造、ADEKA CHELUMICA SET-500)中30秒，從而進(jìn)行蝕刻。

由此，如圖2所示將透光性無機(jī)層4形成為具有條紋形狀的圖案部的布線圖案。圖案部的寬度L為100μm，此外，非圖案部的寬度S(即鄰接的圖案部的間隔S)為100μm。

其后，通過TEM觀察帶有抗蝕劑的透光性無機(jī)層圖案中第1無機(jī)氧化物層及第2無機(jī)氧化物層有無過度蝕刻部分及其程度，按照下述基準(zhǔn)評價蝕刻性。需要說明的是，對于第2無機(jī)氧化物層，未觀察到過度蝕刻部分。

需要說明的是，下述的“過度蝕刻部分的寬度方向長度”是指，從第2無機(jī)氧化物層的邊緣到第1無機(jī)氧化物層中侵蝕到內(nèi)側(cè)的部分當(dāng)中位于最內(nèi)側(cè)的部分(最深部)為止的距離D。

基準(zhǔn)

○：第1無機(jī)氧化物層中的過度蝕刻部分的寬度方向長度D小于10μm。

△：第1無機(jī)氧化物層中的過度蝕刻部分的寬度方向長度D為10μm以上且小于15μm。

×：第1無機(jī)氧化物層中的過度蝕刻部分的寬度方向長度D為15μm以上。

(5)光學(xué)特性

使用濁度計(jì)(Suga Test Instruments Co.,Ltd.制造、裝置名“HGM-2DP”)測定總透光率，作為可見光透射率。

此外，在各實(shí)施例、比較例的透光性薄膜的透光性無機(jī)層的相反側(cè)，以不進(jìn)入氣泡的方式貼合帶有粘著劑的黑色板。接著，使用分光光度計(jì)(Hitachi High-Technologies Corporation制造“U-4100”)，以5nm間距測定近紅外線區(qū)域(850～2500nm)的光反射率，算出透光性無機(jī)層的反射率的平均值(平均反射率)。

將其結(jié)果示于表1。

表1

需要說明的是，上述發(fā)明作為本發(fā)明的例示的實(shí)施方式提供，其僅僅是例示，不做限定性解釋。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的本發(fā)明的變形例包含在本發(fā)明的權(quán)利要求書的保護(hù)范圍內(nèi)。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

透光性薄膜被用于例如光學(xué)裝置等。

附圖標(biāo)記說明

1 透光性薄膜

2 透明基材

4 透光性無機(jī)層

5 第1無機(jī)氧化物層

6 金屬層

7 第2無機(jī)氧化物層