本發(fā)明涉及電磁防護(hù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置。

背景技術(shù)：

電磁脈沖具有作用范圍廣，峰值場(chǎng)強(qiáng)高，上升時(shí)間短，頻率范圍寬，殺傷力大等特點(diǎn)，不僅對(duì)當(dāng)代不斷小型化和集成化的電子信息系統(tǒng)構(gòu)成了威脅，還會(huì)對(duì)人體造成不同程度的損害，成為了極大的隱患，而電磁脈沖武器的出現(xiàn)和日趨成熟更是嚴(yán)重影響了世界各國(guó)的軍事安全和社會(huì)穩(wěn)定。

基于不同的用途，現(xiàn)有的防護(hù)方法可分為電路級(jí)防護(hù)方法和空間級(jí)防護(hù)方法，前者用于防護(hù)電路中的傳導(dǎo)電磁脈沖，后者用于防護(hù)空間中的電磁脈沖場(chǎng)。電路級(jí)防護(hù)器件主要有限幅器、濾波器等，現(xiàn)有的各種電路級(jí)防護(hù)器件在防護(hù)帶寬上受到限制，存在插入損耗而且在高功率電磁脈沖的作用下也會(huì)出現(xiàn)插入損耗增大、噪聲系數(shù)變壞等永久性的損傷?？臻g級(jí)防護(hù)方法主要有頻率選擇表面，能量選擇表面，超材料吸波體，以及新型材料(例如納米材料、石墨烯、等離子體)。它們的防護(hù)帶寬都是有限的，而且不能保證完全反射吸收或衰減掉電磁脈沖，被防護(hù)的物體或多或少還是會(huì)受到電磁脈沖的影響，且能量選擇表面在防護(hù)功能完全開(kāi)啟前還存在一段時(shí)間的電磁波泄露，存在一定隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置，旨在解決對(duì)電磁脈沖屏蔽的技術(shù)問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置，所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置由多個(gè)環(huán)形防護(hù)層疊加組成，其中，每一個(gè)環(huán)形防護(hù)層從里到外設(shè)置多條圓形軌道，每條圓形軌道上連續(xù)設(shè)置多個(gè)防護(hù)單元，每個(gè)防護(hù)單元的介電常數(shù)為ε，而磁導(dǎo)率為μ，其中：

a為環(huán)形防護(hù)層的內(nèi)半徑，b為環(huán)形防護(hù)層的外半徑，r為環(huán)形防護(hù)層中防護(hù)單元到防護(hù)層圓心的半徑。

優(yōu)選的，所述防護(hù)單元為正方體結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，每個(gè)防護(hù)單元的長(zhǎng)寬高均小于厚度d，其中，d的計(jì)算方式如下：d＝λ/3，λ＝C/f，C為光速常量、f為電磁脈沖頻率。

優(yōu)選的，所述電磁脈沖頻率為三角形電磁脈沖、矩形電磁脈沖、正弦電磁脈沖或高斯電磁脈沖。

本發(fā)明采用上述技術(shù)方案，帶來(lái)的技術(shù)效果為：本發(fā)明所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置能夠完全反射、吸收或衰減掉電磁脈沖，被防護(hù)的物體不會(huì)受到電磁脈沖的影響，有效避免了電子信息系統(tǒng)受到的電磁脈沖破壞，延長(zhǎng)了電子信息系統(tǒng)的壽命。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置的優(yōu)選實(shí)施例的橫切面示意圖；

圖3是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置中防護(hù)單元布局的示意圖；

圖4-a至圖4-c是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置針對(duì)三角形電磁脈沖的仿真示意圖；

圖5-a至圖5-c是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置針對(duì)矩形電磁脈沖的仿真示意圖；

圖6-a至圖6-c是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置針對(duì)正弦電磁脈沖的仿真示意圖；

圖7-a至圖7-c是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置針對(duì)高斯電磁脈沖的仿真示意圖。

本發(fā)明目的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如下。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參照?qǐng)D1至3所示，圖1是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置的優(yōu)選實(shí)施例的橫切面示意圖；圖3是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置中防護(hù)單元布局的示意圖。本發(fā)明所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置1由多個(gè)環(huán)形防護(hù)層10疊加組成。每一個(gè)環(huán)形防護(hù)層10的厚度均為d。進(jìn)一步地，如圖2所示，每一個(gè)環(huán)形防護(hù)層10內(nèi)包括多個(gè)防護(hù)單元100。每個(gè)環(huán)形防護(hù)層10從里到外設(shè)置多條圓形軌道，每條圓形軌道上連續(xù)設(shè)置多個(gè)防護(hù)單元100。在本實(shí)施例中，所述防護(hù)單元100為正方體結(jié)構(gòu)，其中，每個(gè)防護(hù)單元100的長(zhǎng)、寬、高均小于厚度d，其中，d的計(jì)算方式如下：d＝λ/3，λ＝C/f，C為光速常量、f為電磁脈沖能量集中的頻率范圍對(duì)應(yīng)的最大頻率(電磁脈沖的頻率范圍為正無(wú)窮到負(fù)無(wú)窮，但是電磁脈沖的能量主要集中在一定頻率范圍內(nèi)，f為電磁脈沖能量集中的頻率范圍對(duì)應(yīng)的最大頻率)。對(duì)于一個(gè)矩形脈沖，持續(xù)時(shí)間為1納秒，則該矩形脈沖的能量主要集中在0-10GHz，則根據(jù)λ＝C/f＝3*10⁸/10*10⁹＝3厘米，則每個(gè)防護(hù)單元100的尺寸小于或等于d＝λ/3＝3m/3＝1cm。

每個(gè)防護(hù)單元100的介電常數(shù)為ε，而磁導(dǎo)率為μ。

其中，

其中，a為環(huán)形防護(hù)層的內(nèi)半徑，b為環(huán)形防護(hù)層的外半徑，r為環(huán)形防護(hù)層中防護(hù)單元到防護(hù)層圓心的半徑。

也就是說(shuō)，若每個(gè)防護(hù)單元100以上述計(jì)算的介電常數(shù)為ε且磁導(dǎo)率為μ制作的材料，即可完成對(duì)電磁脈沖的防護(hù)。需要說(shuō)明的是，每個(gè)環(huán)形防護(hù)層10上的不同位置的防護(hù)單元100的介電常數(shù)ε及磁導(dǎo)率為μ并不相同。多種不同材料制作的多個(gè)防護(hù)單元100可以形成對(duì)電磁脈沖的防護(hù)，即基于保角變換理論和光學(xué)變換理論引導(dǎo)電磁波的傳播路徑(參考2006年，U.Leonhardt和J.B.Pendry等人分別同時(shí)在《科學(xué)》雜志上提出了保角變換理論和光學(xué)變換理論，用于引導(dǎo)電磁波的傳播路徑)，以對(duì)電磁脈沖進(jìn)行防護(hù)。由于保角變換理論和光學(xué)變換理論為現(xiàn)有技術(shù)，在此不作贅述。所述材料可以是不同規(guī)格的納米材料、石墨烯材料、等離子體材料等其它任意合適的材料。

為了驗(yàn)證所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置1的防護(hù)性能，采用四種電磁脈沖對(duì)所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置1的防護(hù)性能進(jìn)行驗(yàn)證。

其中，圖4-a至圖4-c是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置針對(duì)三角形電磁脈沖的仿真示意圖，從圖4-a至圖4-c可以看出，三角形電磁脈沖經(jīng)過(guò)所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置1時(shí)(參數(shù)為a＝0.3m，b＝0.7m，矩形脈沖持續(xù)時(shí)間范圍為0-35ns)，電磁脈沖防護(hù)裝置1的內(nèi)圓并沒(méi)有三角形電磁脈沖經(jīng)過(guò)。

圖5-a至圖5-c是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置針對(duì)矩形電磁脈沖的仿真示意圖，從圖5-a至圖5-c可以看出，矩形電磁脈沖經(jīng)過(guò)所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置1時(shí)(參數(shù)為a＝0.3m，b＝0.7m，矩形電磁脈沖持續(xù)時(shí)間范圍為0-35ns)，電磁脈沖防護(hù)裝置1的內(nèi)圓并沒(méi)有矩形脈沖經(jīng)過(guò)；

圖6-a至圖6-c是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置針對(duì)正弦電磁脈沖的仿真示意圖，從圖6-a至圖6-c可以看出，正弦電磁脈沖經(jīng)過(guò)所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置1時(shí)(參數(shù)為a＝0.3m，b＝0.7m，正弦電磁脈沖持續(xù)時(shí)間范圍為0-35ns)，電磁脈沖防護(hù)裝置1的內(nèi)圓并沒(méi)有正弦脈沖經(jīng)過(guò)；

圖7-a至圖7-c是本發(fā)明圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置針對(duì)高斯電磁脈沖的仿真示意圖，從圖7-a至圖7-c可以看出，高斯電磁脈沖經(jīng)過(guò)所述圓柱形結(jié)構(gòu)的電磁脈沖防護(hù)裝置1時(shí)(參數(shù)為a＝0.3m，b＝0.7m，高斯電磁脈沖持續(xù)時(shí)間范圍為0-35ns)，電磁脈沖防護(hù)裝置1的內(nèi)圓并沒(méi)有高斯脈沖經(jīng)過(guò)。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或之間或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。