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      端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):8016357閱讀:601來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線的結(jié)構(gòu)。
      隨著存儲(chǔ)器IC的小型化、薄型化,安裝存儲(chǔ)器IC的存儲(chǔ)器模塊的小型化、薄型化正在取得進(jìn)展。作為該存儲(chǔ)器模塊的小型化來(lái)說(shuō),目前,引人注目的是DIMM(DualInline Memory Module)(雙列直插式存儲(chǔ)器模塊)。所謂DIMM,與以往SIMM(SingleInline Memory Module)(單列直插式存儲(chǔ)器模塊)正反面鄰接的外部端子通過(guò)通孔導(dǎo)通連接不同,其正反面鄰接的外部端子具有不同的信號(hào)。
      但是,上述SIMM或DIMM,如圖2(a-1)所示,如果端子2電鍍時(shí)所需的電鍍引線從電路板端面引出,則如圖2(a-2)所示,在進(jìn)行根部清理加工時(shí),電鍍引線將變成卷絲4,有可能導(dǎo)致鄰接的端子2的短路。圖中,1表示通孔,5表示根部清理加工的側(cè)面。
      因此,如圖2(b)所示,在SIMM的情況下,有一種從端子的通孔7引出中層引線的方法,但在DIMM的情況下,因正反面鄰接的端子不同,所以如圖2(c)所示,要從各端子鉆出電鍍用通孔。
      如采用這種結(jié)構(gòu),則因在與SIMM相同面積的范圍需集中2倍密度的通孔,所以存在使配線設(shè)計(jì)的難度增加,或不可能實(shí)現(xiàn)迂回連接的問(wèn)題。
      本發(fā)明的目的是提供一種能夠解決上述問(wèn)題、并能減小配線面積及噪聲的存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)。
      為達(dá)到上述目的,本發(fā)明(1)在存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板上,設(shè)有分別配置在正反面的端子、從該端子引出的配線、及連接該配線和中間層的暗穿孔。
      因此,即使是象DIMM那樣的正反面端子具有不同信號(hào)的模塊,也能采用BTH(暗穿孔)得到電鍍引線,與采用通孔時(shí)相比,通孔面積減小一半,可達(dá)到減小配線面積的目的。
      (2)在存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板上,設(shè)有通過(guò)暗穿孔以中層連接在一起進(jìn)行電鍍用的配線、及在該配線電鍍后通過(guò)進(jìn)行開孔加工(NC加工)將該配線斷開、配置在端子下的中層部分的GND(接地)區(qū)。
      這樣,用中層將鄰接的BTH進(jìn)行連接配線,可整體地得到電鍍引線,所以可在端子下的中層設(shè)置GND圖形的空間。利用該端子下的中層GND圖形,能使互相受到信號(hào)復(fù)雜影向的端子部分的阻抗保持恒定,從而能減小噪聲。
      (3)在存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板上,設(shè)有以表層連接鄰接端子進(jìn)行電鍍用的配線、及在電鍍后通過(guò)在該配線上進(jìn)行開孔加工(NC加工)將該配線斷開、配置在端子下的中層部分的GND區(qū)。
      因此,除了與上述(2)同樣地能使端子部分的阻抗保持恒定、從而能減小噪聲之外,由于不需要BTH,所以能以現(xiàn)有的簡(jiǎn)易技術(shù)實(shí)現(xiàn),另外,由于是用表層進(jìn)行配線、斷線的加工,所以在目視檢查時(shí)易于進(jìn)行修改。
      圖1是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的DIMM的端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)的斜視圖。
      圖2是表示現(xiàn)有的DIMM的端子電鍍用電鍍引線存在問(wèn)題的圖。
      圖3是表示本發(fā)明第2實(shí)施例的DIMM的端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)的斜視圖。
      圖4是表示本發(fā)明第3實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)的斜視圖。
      符號(hào)說(shuō)明10 BTH11 絕緣層12、13、22配線14、23開孔(NC加工)15 GND圖形21 端子以下,參照


      本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
      首先,說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施例。
      圖1是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的DIMM的端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)的斜視圖。
      在本實(shí)施例中,為得到DIMM的端子電鍍用電鍍引線,采用了BTH(暗穿孔)。
      BTH是采用僅將通孔鉆開必要部分(層間通孔)的方法、作為對(duì)高密度配線的一種有效技術(shù)而使用的。
      如圖1所示,上下2個(gè)BTH10具有不同的信號(hào),但在各個(gè)BTH10之間備有絕緣層11,所以即使是在同一位置,也不會(huì)發(fā)生信號(hào)混線。
      這里,從正反面的各端子21引出的配線,是以通過(guò)各BTH10連接于中層并從中層引出的配線12作為電鍍引線連接的。
      如上所述,按照第1實(shí)施例,即使是象DIMM那樣的正反面端子具有不同信號(hào)的模塊,由于能采用BTH得到電鍍引線,所以與采用通孔時(shí)相比,通孔面積減小一半,可達(dá)到減小配線面積的目的。
      圖3是表示本發(fā)明第2實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)的斜視圖。
      在第1實(shí)施例中示出了采用BTH從端子下的中層得到電鍍引線的方法,但在本實(shí)施例中,如圖3(a)所示的那樣,從表層通過(guò)BTH10連接于中層并用中層連接鄰接的BTH10而構(gòu)成配線13,將配線13匯總連接而從電路板側(cè)面得到引線。
      在進(jìn)行電鍍后,如圖3(b)所示,從進(jìn)行了配線連接的配線13的上部進(jìn)行NC加工,形成開孔14,將鄰接的信號(hào)連接斷開。圖3(c)是中層的圖形(從上部透視)。
      這里,由于是將鄰接的BTH橫向配線,所以端子下的中層部分是空的??蓪ND圖形15配置在該中層的空的部分。
      如上所述,按照第2實(shí)施例,用中層連接鄰接的BTH進(jìn)行配線,可整體地得到電鍍引線,所以可在端子21下的中層形成配置GND圖形15的空間。
      利用該端子21下的中層GND圖形15,能使互相受到信號(hào)復(fù)雜影響的端子部分的阻抗保持恒定,從而能減小噪聲。
      圖4是表示本發(fā)明第3實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)的斜視圖。
      在上述第2實(shí)施例中,可通過(guò)BTH得到電鍍引線,但在本實(shí)施例中,如圖4(a)所示,是用表層將鄰接的端子21連接在一起構(gòu)成配線22,并用配線22連接而得到電鍍引線。
      對(duì)配線22進(jìn)行電鍍后,如圖4(b)所示,在配線22上進(jìn)行NC加工,形成開孔23,將鄰接的信號(hào)連接斷開。
      在這種情況下,也能在端子下的中層配置GND圖形。
      如上所述,按照第3實(shí)施例,除了與第2實(shí)施例同樣地能使端子部分的阻抗保持恒定,預(yù)期能減小噪聲之外,由于不需要BTH,所以能以現(xiàn)有的簡(jiǎn)易技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
      另外,由于是用表層進(jìn)行配線、斷線的加工,所以在目視檢查時(shí)易于進(jìn)行修改。
      本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施例,可根據(jù)本發(fā)明的主旨作各種變形,這些變形均不脫離本發(fā)明的范圍。
      如以上所詳細(xì)說(shuō)明的,按照本發(fā)明,可以獲得如下效果。按照權(quán)利要求1所述的發(fā)明,即使是象DIMM那樣的正反面端子具有不同信號(hào)的模塊,也能采用BTH得到電鍍引線,與采用通孔時(shí)相比,通孔面積減小一半,可達(dá)到減小配線面積的目的。按照權(quán)利要求2所述的發(fā)明,用中層將鄰接的BTH進(jìn)行連接配線,可整體地得到電鍍引線,所以可在端子下的中層形成設(shè)置GND圖形的空間。利用該端子下的中層GND圖形,能使受到信號(hào)復(fù)雜影向的端子部分的阻抗保持恒定,從而能減小噪聲。按照權(quán)利要求3所述的發(fā)明,除了與上述[2]同樣地能使端子部分的阻抗保持恒定、從而能減小噪聲之外,由于不需要BTH,所以能以現(xiàn)有的簡(jiǎn)易技術(shù)實(shí)現(xiàn),另外,由于是用表層進(jìn)行配線、斷線的加工,所以在目視檢查時(shí)易于進(jìn)行修改。
      權(quán)利要求
      1.一種端子電鍍用的電鍍引線結(jié)構(gòu),其特征在于在存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板上備有(a)分別配置在正反面的端子;(b)從該端子引出的配線;及(c)連接該配線和中間層的暗穿孔。
      2.一種端子電鍍用的電鍍引線結(jié)構(gòu),其特征在于在存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板上備有(a)通過(guò)暗穿孔以中層連接鄰接端子一起進(jìn)行電鍍用的配線;及(b)在該配線電鍍后通過(guò)開孔加工將上述配線斷開、配置在端子下的中層部分的GND區(qū)。
      3.一種端子電鍍用的電鍍引線結(jié)構(gòu),其特征在于在存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板上備有(a)以表層連接鄰接端子進(jìn)行電鍍用的配線;及(b)在該配線電鍍后通過(guò)進(jìn)行開孔加工將該配線斷開,配置在端子下的中層部分的GND區(qū)。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種能減小配線面積及噪聲的存儲(chǔ)器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結(jié)構(gòu)。從正反面的各端子21引出的配線,是以通過(guò)各BTH10連接于中層并從中層引出的配線12作為電鍍引線而連接的。
      文檔編號(hào)H05K1/16GK1158071SQ9611857
      公開日1997年8月27日 申請(qǐng)日期1996年12月6日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月6日
      發(fā)明者早見惠子 申請(qǐng)人:沖電氣工業(yè)株式會(huì)社
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