一種絕緣隔離擋板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電力設施材料技術領域,特別涉及一種絕緣隔離擋板,自內而外依次為絕緣基層、防靜電層和吸附層，絕緣基層為環(huán)氧樹脂中加入填料得到的，防靜電層為在絕緣基層材料中加入硅烷偶聯(lián)劑，吸附層材料為超支化聚合物；所述絕緣基層厚度為5mm，防靜電層厚度為1mm，吸附層厚度為0.1?0.3mm。通過防靜電層和吸附層的設置，賦予絕緣隔離擋板以優(yōu)良的防靜電性能，同時不影響其絕緣性，提高絕緣隔離擋板的使用安全性；本申請的絕緣隔離擋板制備方法簡單，性能優(yōu)異，具有很好的市場前景。
【專利說明】
一種絕緣隔離擋板
技術領域 [0001] 本發(fā)明涉及電力設施材料技術領域，特別涉及一種絕緣隔離擋板。
【背景技術】 [0002] 由于絕緣性能和防靜電性能不能兼得，使得現(xiàn)有的絕緣隔離擋板在具有絕緣線的同 時，防靜電性能無法兼顧，從而在某些使用場合，由于靜電的產生而存在安全隱患。
[0003] 針對這個問題，現(xiàn)有技術中有研究人員進行了探索，如公開號CN105006903A和 CNl 01080130A的中國發(fā)明專利申請。
[0004] CN105006903A中只是公開了一種新型絕緣板。其包括主板、玻璃纖維布、泡沫板和 防靜電層，主板表面和底部均設有玻璃纖維布，主板與玻璃纖維布之間設有泡沫板，主板表 面的玻璃纖維布上設有防靜電層，板體外部覆有一層乙烯基樹脂。但并未公開防靜電層的 組成，也未公開這種結構對絕緣性能是否會產生不良影響。
[0005] CN101080130A公開了含有基礎層、色膠層和防靜電層的表面防靜電復合層壓絕緣 板，防靜電層膠液由二甲基甲酰胺、環(huán)氧樹脂、10的8次及6次方的導電碳粉、滑石粉構成。此 絕緣板防靜電層組成成分多，造成加工過程復雜，也未公開這種結構對絕緣性能是否會產 生不良影響。

【發(fā)明內容】

[0006] 為了解決以上現(xiàn)有技術中存在的絕緣隔離擋板絕緣性與防靜電性無法兼顧的問題，本 申請?zhí)峁┝艘环N具有良好絕緣性與防靜電性的絕緣隔離擋板。
[0007] 本發(fā)明是通過以下措施實現(xiàn)的： 一種絕緣隔離擋板，自內而外依次為絕緣基層、防靜電層和吸附層， 所述絕緣基層為環(huán)氧樹脂中加入填料得到的，所述防靜電層為在絕緣基層材料中加入 硅烷偶聯(lián)劑，所述吸附層材料為超支化聚合物； 所述絕緣基層厚度為5mm，防靜電層厚度為1mm，吸附層厚度為0.1-0.3mm; 所述超支化聚合物是通過以下步驟得到的： (1)等摩爾的二異丙醇胺和丙烯酸甲酯反應得到AB2單體； (2 )將AB2單體和三乙醇胺反應，即得。
[0008] 所述的絕緣隔離擋板，優(yōu)選防靜電層中加入硅烷偶聯(lián)劑的量為絕緣基層材料質量 的0.2-0.5%，優(yōu)選 0.3%。
[0009] 所述的絕緣隔離擋板，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑為異丁基三乙氧基硅烷(又名異丁烯三乙 氧基硅烷）。
[0010] 所述的絕緣隔離擋板，優(yōu)選三乙醇胺和AB2單體的摩爾比為1:1-93,優(yōu)選1:45。
[0011] 所述的絕緣隔離擋板，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑與超支化聚合物的質量比為1:20-50,優(yōu)選 1:30-40,更優(yōu)選 1:35。
[0012] 所述的絕緣隔離擋板，優(yōu)選吸附層材料涂覆在防靜電層上之后，在70-75Γ下反應 3h〇
[0013] 本發(fā)明的有益效果： 1、 通過防靜電層和吸附層的設置，賦予絕緣隔離擋板以優(yōu)良的防靜電性能，同時不影 響其絕緣性，提高絕緣隔離擋板的使用安全性； 2、 本申請的絕緣隔離擋板制備方法簡單，性能優(yōu)異，具有很好的市場前景。
【具體實施方式】
[0014] 為了更好的理解本發(fā)明，下面結合具體實施例來進一步說明。
[0015] 實施例1: 向250 mL三口瓶中通氮氣10 min，取26.638g二異丙醇胺、17.218g丙烯酸甲酯(摩爾比 1:1)和10 ml甲醇，于小燒杯中混合均勾后加入三口瓶中，混合物在室溫下通氮氣10 min， 攪拌30 min升溫至40 °C反應4 h，減壓蒸餾除去甲醇，得無色透明油狀AB2單體； 向250 mL四口瓶中通氮氣10 min，加入AB2單體、對甲苯磺酸和三乙醇胺，升溫至85 °C，繼續(xù)通氮氣，攪拌反應24 h，再減壓蒸餾除去反應中的甲醇和未反應的小分子化合物， 即得； 當三乙醇胺與AB2單體的摩爾比為1:9時，得到第二代超支化聚合物； 當三乙醇胺與AB2單體的摩爾比為1:21時，得到第三代超支化聚合物； 當三乙醇胺與AB2單體的摩爾比為1:45時，得到第四代超支化聚聚合物； 當三乙醇胺與AB2單體的摩爾比為1:93時，得到第五代超支化聚聚合物。
[0016] 實施例2 一種絕緣隔離擋板，自內而外依次為5mm厚的絕緣基層、Imm厚的防靜電層和0.1-0.3_ 厚的吸附層， 絕緣基層為環(huán)氧樹脂中加入可能的填料得到的，具體加入的填料，根據(jù)具體使用要求 來確定，這不是本申請想要討論和解決的問題，因此，在此就不進行詳細描述，填料的種類 等，也不會對本實施例的使用性能產生影響； 在絕緣基層材料中加入質量0.3%的異丁基三乙氧基硅烷就得到防靜電層，將兩層采用 任何可能的技術手段緊密復合在一起，這也是本領域的常規(guī)操作，在此也不進行詳細描述； 在防靜電層上涂抹或涂刷上實施例1制備得到的第二代超支化聚合物，在70_75°C下反 應3h及得到了吸附層，其中異丁基三乙氧基硅烷與超支化聚合物的質量比為1:35。
[0017] 實施例3 同實施例2相比，吸附層材料為實施例1制備得到的第三代超支化聚合物，其余同實施 例2采用完全相同的設置。
[0018] 實施例4 同實施例2相比，吸附層材料為實施例1制備得到的第四代超支化聚合物，其余同實施 例2采用完全相同的設置。
[0019] 實施例5 同實施例2相比，吸附層材料為實施例1制備得到的第五代超支化聚合物，其余同實施 例2采用完全相同的設置。
[0020] 對照例1 同實施例2相比，絕緣隔離擋板只有絕緣基層，無防靜電層和吸附層。
[0021] 對照例2 同實施例2相比，絕緣隔離擋板只有絕緣基層和防靜電層，無吸附層。
[0022] 對照例3 同實施例2相比，絕緣隔離擋板只有絕緣基層和吸附層，無防靜電層。
[0023]絕緣及防靜電效果測試 體積電阻率和表面電阻率測試按照國標GB/T1410-2006《固體絕緣材料體積電阻率和 表面電阻率試驗方法》規(guī)定的方法進行測試。各實施例測試結果如下表： 從下表的數(shù)據(jù)可以看出，與對照例1相比，本申請的絕緣隔離擋板20°C體積電阻率同只 有絕緣基層相比，基本無變化(在測試時，是有變化的，但變化不大，四舍五入后，在數(shù)值上 就看不出變化來了），但表面電阻率卻差異巨大。實施例2-5的絕緣隔離擋板防靜電性能比 對照例1-3具有很大優(yōu)勢，而使用第四代超支化聚合物的實施例4,相比較使用第二代、第三 代、第五代的實施例2、3、5,防靜電性能更加優(yōu)異，可能同超支化結構有關系。從實施例2和 對照例3的對比可以看出，有無防靜電層，對防靜電性能影響也很大。
[0024]
上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受實施例的限制，其 它任何未背離本發(fā)明的精神實質與原理下所做的改變、修飾、組合、替代、簡化均應為等效 替換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1. 一種絕緣隔離擋板，其特征在于自內而外依次為絕緣基層、防靜電層和吸附層， 所述絕緣基層為環(huán)氧樹脂中加入填料得到的，所述防靜電層為在絕緣基層材料中加入 硅烷偶聯(lián)劑，所述吸附層材料為超支化聚合物； 所述絕緣基層厚度為5mm，防靜電層厚度為1mm，吸附層厚度為0.1-0.3mm; 所述超支化聚合物是通過以下步驟得到的： (1) 等摩爾的二異丙醇胺和丙烯酸甲酯反應得到AB2單體； (2) 將AB2單體和三乙醇胺反應，即得。2. 根據(jù)權利要求1所述的絕緣隔離擋板，其特征在于防靜電層中加入硅烷偶聯(lián)劑的量 為絕緣基層材料質量的〇. 3%。3. 根據(jù)權利要求1所述的絕緣隔離擋板，其特征在于硅烷偶聯(lián)劑為異丁基三乙氧基硅 烷。4. 根據(jù)權利要求1所述的絕緣隔離擋板，其特征在于三乙醇胺和AB2單體的摩爾比為1: 1-93〇5. 根據(jù)權利要求1所述的絕緣隔離擋板，其特征在于硅烷偶聯(lián)劑與超支化聚合物的質 量比為1:35。6. 根據(jù)權利要求1所述的絕緣隔離擋板，其特征在于吸附層材料涂覆在防靜電層上之 后，在70-75°C下反應3h。7. 根據(jù)權利要求1所述的絕緣隔離擋板，其特征在于三乙醇胺和AB2單體的摩爾比為1: 45 〇
【文檔編號】B32B27/08GK105922684SQ201610271813
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月28日
【發(fā)明人】常小娟, 付竑昊, 劉云, 李強, 蘆洪濤, 邢文俊, 王曉麗, 高林, 李曉幸, 郝付蕾, 張靜
【申請人】國網(wǎng)山東省電力公司濟南市長清區(qū)供電公司, 國家電網(wǎng)公司